CN104075809B - 红外光学温度测量装置、方法及mocvd系统 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种红外光学温度测量装置、方法及MOCVD系统，该红外光学温度测量装置仅包括温度测量通道，有效简化了红外光学温度测量装置的结构和测温操控时的复杂程度。所述温度测量通道包括：光学处理模块，用于在薄膜生长过程中收集以及过滤被测量对象辐射的红外光信号；信号处理模块，用于将经过过滤的红外光信号转换为电信号，以及将该电信号转换为数字信号，并直接将该数字信号作为温度测量结果输出，由于温度测量通道中的光学处理模块过滤后得到的红外光信号的光谱宽度大于等于50纳米，能够有效减弱红外光信号的相干性，从而减小因为薄膜干涉造成的温度测量结果的波动，提高温度测量的准确性。

Description

红外光学温度测量装置、方法及MOCVD系统

技术领域

本发明涉及一种红外光学温度测量技术，更具体地说是涉及一种在薄膜生长过程中用于红外光学温度测量的装置和方法，以及包含该红外光学温度测量装置的MOCVD（金属有机化学气相沉积）系统。

背景技术

当前蓝绿光LED（发光二极管）大部分是GaN（氮化镓）系列，一般采用 MOCVD的方式在蓝宝石衬底上面生长GaN薄膜。因MOCVD系统生长所涉及的物理、化学等过程极其复杂，所以在LED生长整个过程都需要实时监测薄膜的生长环境例如温度环境等。温度测量的方式一般采用非接触式红外光学测温装置（pyrometer），即利用物体辐射的红外光能量的强弱来测量其温度，因为GaN薄膜和蓝宝石衬底对红外波段光均不吸收，具有很好的透光性，所以红外温度装置测量得到的温度，实际是位于蓝宝石衬底底部的托盘表面的温度。

GaN薄膜生长过程中，蓝宝石衬底表面的GaN薄膜层的厚度一直在变化（变厚），GaN薄膜层上下表面形成薄膜干涉的两个界面，随着厚度的变化，GaN薄膜层的反射率也会随之变化，造成即使托盘温度稳定，而由红外光学测温装置测量得到的温度相关的能量辐射信号也仍然会呈现波动的问题发生，这使得由红外光学测温装置测量得到的温度也呈现波动，不能如实反映出被测量对象的真实温度稳定的情况。而因为测量的温度呈现波动，使得被测量对象的加热系统误以为被测量对象实际温度真的有波动而会相应变化加热功率，以实现被测量对象被测量到温度呈现表面上的稳定，然而实际上托盘真实温度却有很大幅度的波动。

为了解决上述问题，通常MOCVD系统中红外光学温度测量装置结构如图1所示，包括两路探测通道。图1中多个蓝宝石衬底片2置于托盘1上，托盘1在生长过程中一直保持旋转，蓝宝石衬底片2上面生长GaN薄膜，集光探头安装在喷淋头3上面，一直监测托盘1因高温而辐射的探测光（具体可以是红外光）。在第一路探测通道（红外光学温度测量通道）中，红外光信号通过藕合透镜4（即入纤透镜）进入测温光纤6的一端，测温光纤6的另一端接在温度测量装置中的控制盒16上面，经过一段距离的传输后，测温所采集的红外光信号通过准直透镜8（出纤透镜）聚集在光电探测器11上面，在出纤透镜8和光电探测器11之间设有一个普通的红外滤光片9。光电探测器11将光信号转换成为电信号，电信号通过放大电路及A/D（模数）转换模块14成为数字信号，数字信号作为温度测量中间数据可以传送给显示模块15，或可以通过数据接口17输出。

该方案中，由于仅根据单独一路红外光学温度测量通道并不能解决因薄膜干涉引起的温度测量结果波动问题，为此现有的温度测量装置中通常还包括第二路探测通道（反射率测量通道），来测量GaN薄膜的实时反射率，分辨出薄膜厚变化引起的干涉效果影响，从而将温度测量通道所测得的能量辐射信号中受薄膜厚度变化引起的干涉效果进行修正。在第二路通道中测量反射率时采用的相关参数，例如探测波长（即采集的红外光波长）和带宽等，一般与第一路中进行温度测量时的光路参数相同。

第二路探测通道中，通过发光二极管10发射波长与第一路探测通道相同的红外光信号，光信号通过一个各项参数均与第一路探测通道中滤光片9相同的滤波片21以后，耦合进入反射率测量光纤支路18，通过光纤分路器7进入反射率测量主光纤19，在出纤的位置通过准直透镜5会聚后，照射到蓝宝石衬底片2生长的GaN薄膜上面。之后有部分光线原路反射回来再次进入准直透镜5，然后耦合进入反射率测量主光纤19，再通过光纤分纤器7分出的另一路光纤连接至温度测量装置中的控制盒16上面，使得反射回来的光信号通过透镜20聚焦，以及经过滤波片22而进入反射率测量光电探测器12上面，然后通过电路放大以及模数转换模块14而送入显示模块15或者直接通过数据接口17输出。

这样通过两路光学测量，得到的数据结果见图2所示的温度测量中间数据曲线和薄膜的反射率曲线，然后用计算机相关软件通过薄膜的反射率计算测量的等效辐射率的变化，得到温度修正值，以修正测量到的中间数据，可以计算得到托盘经修正后的温度数据，并将修正后的温度数据作为温度测量结果，从图2中可以看出，第一路探测通道得到的数据存在明显的温度波动，经过计算机软件修正后呈现的数据基本消除了波动。

上述现有的温度测量装置存在一定的缺陷，第一，该装置除包括一路通道进行红外光学温度测量外，还包括另外一路通道进行薄膜反射率的光学测量，增加了温度测量装置的复杂程度。第二，反射率测量适用范围有限，例如对于不规则的漫反射表面或者弯曲的薄膜表面来说，反射率测量结果并不准确，进而影响到温度测量结果的准确性；此外通过反射率计算等效辐射率基于很多假设和近似得到，对于不同衬底和薄膜表面，往往需要修改辐射率计算公式。

发明内容

本发明实施例的一个目的是，提供一种薄膜生长过程中的红外光学温度测量装置和方法，简化红外光学温度测量装置的结构，减小因为薄膜干涉造成的温度测量结果波动，提高温度测量的准确性。本实施例另一目的是提供一种包含该红外光学温度测量装置的MOCVD系统。

为了达到上述目的，本发明实施例的第一个技术方案是提供一种薄膜生长过程中的红外光学温度测量装置，该装置仅包括温度测量通道，所述温度测量通道包括：

光学处理模块，用于在薄膜生长过程中收集以及过滤被测量对象辐射的红外光信号，其中过滤后得到的红外光信号的光谱宽度大于等于50纳米；

信号处理模块，用于将经过过滤的红外光信号转换为电信号，以及将该电信号转换为数字信号，并直接将该数字信号作为温度测量结果输出。

在不同的实施结构中，所述光学处理模块包括：光收集模块，用于收集被测量对象辐射的红外光信号；滤光模块，用于过滤收集到的红外光信号并传送给信号处理模块；

或者所述光学处理模块包括：滤光模块，用于过滤被测量对象辐射的红外光信号；光收集模块，用于收集过滤后的红外光信号并传送给信号处理模块。

优选的实施例中，所述光收集模块为：耦合透镜；所述滤光模块为：滤光片或镀在耦合透镜上的薄膜。

优选的实施例中，所述光学处理模块进一步包括：

耦合透镜，用于接收红外光信号并进行会聚；

多模光纤，一端位于所述耦合透镜焦点附近，用于将所述耦合透镜会聚的红外光信号耦合进入所述光纤并进行传输；

准直透镜，位于多模光纤另一端的后方，将从所述多模光纤中发射出的红外光信号会聚后传送给信号处理模块；

滤光模块，用于过滤红外光信号；

其中所述滤光模块位于所述准直透镜之后、信号处理模块之前；或者所述滤光模块位于所述耦合透镜之前；或者所述滤光模块集成在所述耦合透镜之上。

优选的实施例中，所述信号处理模块进一步包括：

光电探测器，用于将过滤后得到的红外光信号转化为电信号；

放大电路和模数转换模块，用于将探测器输出的电信号转换为相应数字信号，以及将该数字信号直接作为温度测量结果输出。

优选的，所述过滤后得到的红外光信号的光谱宽度为60纳米、80纳米、100纳米、120纳米、150纳米、180纳米、200纳米、250纳米、300纳米、400纳米、500纳米或1000纳米。

薄膜生长过程通过物理气相沉积或者化学气相沉积方式实现。

本发明实施例的第二个技术方案是提供一种MOCVD系统，包括托盘，位于托盘上方的进气装置，所述进气装置上开设有一个或多个用以通过红外光信号的观察通道，所述MOCVD系统还包括至少一个上述任意一项实施例所述的红外光学温度测量装置，每个红外光学温度测量装置对应于一个观察通道，并基于该观察通道通过的红外光信号进行温度测量。

本发明实施例的第三个技术方案是提供一种薄膜生长过程中的红外光学温度测量方法，其包括：

收集和过滤被测量对象辐射的红外光信号，过滤后得到的红外光信号的光谱宽度大于等于50纳米；

将过滤后的红外光信号转换为电信号，以及将该电信号转换为数字信号；

将该数字信号直接作为温度测量结果输出。

其中，所述收集和过滤被测量对象辐射的红外光信号的步骤包括：收集被测量对象辐射的红外光信号；过滤收集到的红外光信号；

或者，所述选择性过滤被测量对象辐射的红外光信号的步骤包括：过滤被测量对象辐射的红外光信号；收集过滤后的红外光信号。

优选的，所述过滤后得到的红外光信号的光谱宽度为60纳米、80纳米、100纳米、120纳米、150纳米、180纳米、200纳米、250纳米、300纳米、400纳米、500纳米或1000纳米。

薄膜生长过程通过物理气相沉积或者化学气相沉积方式实现。

本发明实施例中，在监测薄膜生长过程中测量温度时，红外光学温度测量装置仅包含温度测量通道，温度测量通道中的光学处理模块过滤后得到的红外光信号的光谱宽度大于等于50纳米，有效减弱红外光信号的相干性，从而减小因为薄膜干涉造成的温度测量结果波动，提高温度测量的准确性；此外，能够有效简化红外光学温度测量装置的结构和测温操控时的复杂程度。此外，本发明实施例提供的MOCVD系统，由于温度测量结果准确性得到提高，外延片生长时的温度均匀性能够得到更好的控制，从而提升了外延片生产的良率。

附图说明

图1是现有MOCVD系统中红外光学温度测量装置的结构示意图；

图2是由现有红外光学温度测量装置温度修正前后示意图；

图3是本发明红外光学温度测量装置的结构示意图；

图4是一个实施例中薄膜生长过程中温度测量曲线结果对比图。

具体实施方式

众所周知，自然界的红外光都有一定波长范围，即光谱宽度，光谱宽度越窄，光的单色性越好。本领域技术人员长期以来一直认为，红外光学温度测量时采用单色性好的窄带红外光会有更高的准确度，受这种认识的局限，技术人员在物理气相沉积或化学气相沉积方式下的薄膜生长过程中进行红外光学温度测量时，滤光片往往采用窄带滤光片，实际应用中滤光片的滤波带宽一般不会超过30个纳米甚至更窄，例如LED GaN薄膜生长过程中，衬底片（通常为蓝宝石衬底片）表面的GaN薄膜层的厚度一直在变化（变厚），GaN薄膜层上下表面形成薄膜干涉的两个界面，由于窄带滤光片过滤后的红外光单色性好，因而有极好的相干性，随着厚度的变化，GaN薄膜层反射率也会随之变化，造成红外光学测温装置测量得到的温度也呈现波动，影响温度测量的准确性，对此问题，技术人员的思路基本上是采用窄带红外光测量温度的同时，进一步引入反射率的测量以修正通过红外光学测温方式测得的温度。与传统的看法不同，发明人认为，如果红外光具有较宽的光谱宽度（或者说波长单色性很差），那么光学相干性将大幅度减弱，薄膜生长过程中的薄膜干涉现象就会明显减弱，对光学测温影响也会明显减小，并没有必要测量反射率来修正通过红外光学测温方式测得的温度。

在本发明一个实施例中，用于薄膜生长过程中的红外光学温度测量装置仅包括温度测量通道，温度测量通道包括：

光学处理模块，用于在薄膜生长过程中收集以及过滤被测量对象辐射的红外光信号，其中过滤后得到的红外光信号的光谱宽度大于等于50纳米；

信号处理模块，用于将经过过滤的红外光信号转换为电信号，以及将该电信号转换为数字信号，并直接将该数字信号作为温度测量结果输出，换而言之，本实施例中温度测量通道获得的温度测量数据将直接作为温度测量结果输出，而无须进行修正，一方面红外光学温度测量装置中省略了反射率测量通道，简化了红外光学温度测量装置的结构和测温过程，另一方面由于过滤后的红外光信号的光谱宽度大于等于50纳米，有效减弱红外光信号的相干性以及薄膜生长过程中的薄膜干涉现象，提高了温度测量的准确性。

具体地，若薄膜生长过程在MOCVD设备中实现，则被测量对象可以是MOCVD设备中的托盘或者托盘上放置的衬底片。

具体地，本实施例中光学处理模块包括：光收集模块，用于收集被测量对象辐射的红外光信号；滤光模块，用于过滤收集到的红外光信号并传送给信号处理模块。或者，光学处理模块包括：滤光模块，用于过滤被测量对象辐射的红外光信号；光收集模块，用于收集过滤后的红外光信号并传送给信号处理模块。也就是说，本实施例中对光收集模块和滤光模块之间的位置关系并不作限定，技术人员可以根据需要灵活调整，将光收集模块置于滤光模块之前，或者将滤光模块置于光收集模块之前，或者将光收集模块和滤光模块集成在一起。

在实际应用中，光收集模块可以是偶合透镜，滤光模块可以是滤光片；或者光收集模块可以是偶合透镜，而滤光模块是镀在耦合透镜上的薄膜。

本发明实施例提供的红外光学温度测量装置，用于在薄膜生长过程中的温度监测，其适用的薄膜生长条件包括物理气相沉积（PVD）方式，化学气相沉积（CVD）方式例如MOCVD方式等。

以下根据图例，具体说明本发明的较佳实施例。

如图3所示，在本发明一个实施例中，薄膜生长过程通过CVD方式例如MOCVD方式实现，在一个MOCVD系统中，安装有本实施例提供的红外光学温度测量装置。MOCVD系统中，多个衬底片102例如蓝宝石衬底片置于旋转的托盘101上，托盘101的上方设有进气装置例如喷淋头103，喷淋头103向衬底片102表面输送进行薄膜生长所需的反应气体，托盘下方设有加热器（图中未示出），用以给托盘及衬底片进行加热。

在衬底片是蓝宝石衬底片时，被测量对象可以是托盘101，本实施例通过测量托盘101的温度来实时监控薄膜生长的环境温度；在衬底片是硅衬底片时，被测量对象可以是衬底片，通过测量衬底片102的温度来监控薄膜生长的环境温度。

在喷淋头103的表面开设有一个或多个观察通道123，测温信号（即由托盘101或硅衬底片102辐射出的红外光学信号）能够从该观察通道123通过；具体实现时，上述观察通道可以是观察孔或其它实现方式。本实施例中红外光学温度测量装置仅包括温度测量通道，该温度测量通道包括光学处理模块和信号处理模块。

光学处理模块包括耦合透镜104，用于接收红外光信号并进行会聚；多模光纤106，一端位于所述耦合透镜104焦点附近，用于将所述耦合透镜104会聚的红外光信号耦合进入所述光纤并进行传输；准直透镜，位于多模光纤另一端的后方，将从所述多模光纤106中发射出的红外光信号会聚后传送给信号处理模块。

具体地，耦合透镜104位于观察通道123上方，将收集到的红外光信号聚到焦点附近，使得红外光信号被耦合到焦点附近位置的多模光纤106内。红外光信号在多模光纤中传输一定距离以后在光纤接口处耦合出光纤，在出光纤的位置后方设置有一个准直透镜108，对红外光信号进行会聚后传送给信号处理模块。

此外，光学处理模块还包括滤光模块109，用于过滤红外光信号；该滤光模块的作用是仅仅让特定光谱宽度的红外光信号进入信号处理模块，而屏蔽掉其它光谱宽度的红外光信号，本实施例中，滤光模块选择性通过的红外光信号的光谱宽度大于等于50纳米。在一种可选方案中，滤光模块109可以设置在准直透镜108与信号处理模块之间，在另一种可选方案中，所述滤光模块可以位于耦合透镜104之前，具体地，滤光模块可以是滤光片。或者滤光模块可以集成在耦合透镜之上，例如滤光模块可以是镀在耦合透镜上的薄膜。

信号处理模块包括：探测器111，用于将过滤后得到的红外光信号转化为电信号；放大电路及模数转换模块114，用于将探测器输出的电信号转换为相应数字信号，以及将该数字信号直接作为温度测量结果输出，例如输出至显示模块115或者通过其它数据接口输出。

上述实施例中，对红外光学温度测量装置中的滤光模块109进行了特别的选择，以使过滤后得到的红外光信号的光谱宽度大于等于50纳米，例如选择滤波带宽大于等于50nm的带通滤波片，或在耦合透镜上镀层滤波带宽大于等于50nm带通薄膜，或者根据探测器的特点选择其他实现方式的滤波片等方式。优选地，过滤后得到的红外光信号可以为60纳米、80纳米、100纳米、120纳米、150纳米、180纳米、200纳米、250纳米、300纳米、400纳米、500纳米或1000纳米。而现有测温装置中普通滤光片往往采用带通滤波片，滤波带宽基本上低于30nm，也就是说过滤得到的红外光信号的光谱宽度基本上小于30纳米。

本实施例中红外测温装置选择性通过的红外光由于光谱宽度较宽，光学相干性大幅减弱，薄膜干涉现象随之明显减弱， 提高了温度测量的准确性。

图4是薄膜生长过程中温度曲线示意图，其中曲线2为传统测温装置测量到的中间数据， 曲线1是本发明实施例中的测温装置测量到的温度，可以看出本发明实施例中温度测量通道提供的测量结果波动范围明显变小，温度波动满足工程应用要求，因此本发明实施例中红外光学温度测量装置可以省去反射率测量通道，既简化了装置结构，也避免了反射率测量结果不准确对温度修正造成的偏差，具有更广的适用范围，例如除蓝宝石衬底片外，也适用于PSS（图形）衬底片，以及硅衬底片等。

图3给出了本发明红外光学温度测量装置的一个实施例，此外本发明提供的另一实施例中还可以采用不同结构，比如取消了多模光纤6和准直透镜，红外光信号经耦合透镜会聚后直接进入信号处理模块。需要指出的是，采用这些不同结构温度测量装置，均落在本发明的原理之内，以实现提高测量准确性和稳定性的目的。

本发明的一个实施例还提供了一种MOCVD系统，包括托盘，位于托盘上方的进气装置，所述进气装置上开设有一个或多个用以通过红外光信号的观察通道，所述MOCVD系统还包括至少一个上述任意一项实施例所述的红外光学温度测量装置，每个红外光学温度测量装置对应于一个观察通道，并基于该观察通道通过的红外光信号进行温度测量。本实施例中由于红外光学温度测量装置仅包括红外光学温度测量通道，而不包括反射率测量通道，因此反射率测量结果的偏差不会影响到温度测量结果，因此适用范围更广，不再受反射率测量适用范围的局限，除蓝宝石衬底片外，可以应用于其他不同的衬底片比如硅衬底片、图形衬底片等。此外，由于温度测量结果准确性得到提高， MOCVD系统能够更好的实现外延片生长时的温度均匀性，提升了外延片生产的良率

本发明实施例还提供一种薄膜生长过程中的红外光学温度测量方法，具体包括：收集和过滤被测量对象辐射的红外光信号，过滤后得到的红外光信号的光谱宽度大于等于50纳米；将过滤后的红外光信号转换为电信号，以及将该电信号转换为数字信号；将该数字信号直接作为温度测量结果输出。所述的薄膜生长过程通过物理气相沉积或者化学气相沉积方式实现。

其中，所述收集和过滤被测量对象辐射的红外光信号的步骤包括：收集被测量对象辐射的红外光信号；过滤收集到的红外光信号；或者所述选择性过滤被测量对象辐射的红外光信号的步骤包括：过滤被测量对象辐射的红外光信号；收集过滤后的红外光信号。

优选的，所述过滤后得到的红外光信号的光谱宽度为60纳米、80纳米、100纳米、120纳米、150纳米、180纳米、200纳米、250纳米、300纳米、400纳米、500纳米或1000纳米。

本实施例中在进行红外光学温度测量时，过滤后得到的红外光信号的光谱宽度大于等于50纳米，有效减弱了红外光信号的相干性，以及减小了由薄膜干涉造成的温度测量结果波动，提高了温度测量的准确性，并简化了温度测量的过程。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的但是，这些结构的改变都不影响本发明的实现，本发明的装置能够有效提高温度测量的准确性和稳定性。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (13)

1.一种薄膜生长过程中的红外光学温度测量装置，其特征在于，该装置仅包括温度测量通道，所述温度测量通道包括：

光学处理模块，用于在薄膜生长过程中收集以及过滤被测量对象辐射的红外光信号，其中过滤后得到的红外光信号的光谱宽度大于等于50纳米；

信号处理模块，用于将经过过滤的红外光信号转换为电信号，以及将该电信号转换为数字信号，并直接将该数字信号作为温度测量结果输出。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述光学处理模块包括：光收集模块，用于收集被测量对象辐射的红外光信号；滤光模块，用于过滤收集到的红外光信号并传送给信号处理模块；

或者所述光学处理模块包括：滤光模块，用于过滤被测量对象辐射的红外光信号；光收集模块，用于收集过滤后的红外光信号并传送给信号处理模块。

3.如权利要求2所 述的装置，其特征在于，所述光收集模块为：耦合透镜；所述滤光模块为：滤光片或镀在耦合透镜上的薄膜。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述光学处理模块包括：

耦合透镜（104），用于接收红外光信号并进行会聚；

多模光纤（106），一端位于所述耦合透镜（104）焦点附近，用于将所述耦合透镜（104）会聚的红外光信号耦合进入所述多模光纤（106）并进行传输；

准直透镜（108），位于多模光纤（106）另一端的后方，将从所述多模光纤（106）中发射出的红外光信号会聚后传送给信号处理模块；

滤光模块，用于过滤红外光信号；

其中所述滤光模块位于所述准直透镜（108）之后、信号处理模块之前；或者所述滤光模块位于所述耦合透镜（104）之前；或者所述滤光模块集成在所述耦合透镜之上。

5.如权利要求2或3所述的装置，其特征在于，所述滤光模块为：滤光片或镀在耦合透镜上的薄膜。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述信号处理模块包括：

光电探测器，用于将过滤后得到的红外光信号转化为电信号；

放大电路和模数转换模块，用于将探测器输出的电信号转换为相应数字信号，以及将该数字信号直接作为温度测量结果输出。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述过滤后得到的红外光信号的光谱宽度为60纳米、80纳米、100纳米、120纳米、150纳米、180纳米、200纳米、250纳米、300纳米、400纳米、500纳米或1000纳米。

8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，薄膜生长过程通过物理气相沉积或者化学气相沉积方式实现。

9.一种MOCVD系统，包括托盘，位于托盘上方的进气装置，所述进气装置上开设有一个或多个用以通过红外光信号的观察通道，其特征在于，所述MOCVD系统还包括至少一个上述权利要求1-8中任意一项所述的红外光学温度测量装置，每个红外光学温度测量装置对应于一个观察通道，并基于该观察通道通过的红外光信号进行温度测量。

10.一种薄膜生长过程中的红外光学温度测量方法，其特征在于，包括：

收集和过滤被测量对象辐射的红外光信号，过滤后得到的红外光信号的光谱宽度大于等于50纳米；

将过滤后的红外光信号转换为电信号，以及将该电信号转换为数字信号；

将该数字信号直接作为温度测量结果输出。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述收集和过滤被测量对象辐射的红外光信号的步骤包括：收集被测量对象辐射的红外光信号；过滤收集到的红外光信号；

或者

所述收集和过滤被测量对象辐射的红外光信号的步骤包括：过滤被测量对象辐射的红外光信号；收集过滤后的红外光信号。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述过滤后得到的红外光信号的光谱宽度为60纳米、80纳米、100纳米、120纳米、150纳米、180纳米、200纳米、250纳米、300纳米、400纳米、500纳米或1000纳米。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，薄膜生长过程通过物理气相沉积或者化学气相沉积方式实现。