CN105624636B - 一种溅射成膜的参数调节方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种溅射成膜的参数调节方法及系统，涉及显示技术领域，采用该调节方法可提高由衬底基板和沉积在该衬底基板上的溅射沉积的膜层构成的柔性基板的表面平整度、降低柔性基板的整体形变量、提高了柔性基板的可弯曲性能。该调节方法包括：对衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量、不同区域的成膜厚度变化量和衬底基板的形变量中的至少一个变量进行监控；若监控的变量超出该变量的阈值，则调节溅射设备的参数，以降低监控的变量。用于溅射过程中的参数调节。

Description

一种溅射成膜的参数调节方法及系统

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种溅射成膜的参数调节方法及系统。

背景技术

柔性显示器件凭借其能够弯曲的特性可以广泛应用于各种需要曲面显示的领域，如智能卡、电子纸、智能标签，并将在未来的显示产品市场占据巨大的市场份额。

柔性显示器件的柔性衬底通常为有机材料(如聚酰亚胺薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜等有机薄膜及其复合薄膜)或超薄玻璃(厚度通常小于0.1mm)。在柔性衬底上制备膜层后通过相应的构图工艺形成显示元件前，必须保证制备的膜层具有较低的形变量，这样才能使得制备出的柔性显示器件具有良好的柔韧性。

传统的溅射成膜技术中溅射沉积的膜层形变量较大，往往会使柔性衬底在沉积完成后发生翘曲变形，影响后续加工的继续进行，降低了柔性显示器件的良品率和可弯曲性能。

发明内容

本发明的实施例提供一种溅射成膜的参数调节方法及系统，采用该调节方法可提高由衬底基板和沉积在该衬底基板上的膜层构成的柔性基板的表面平整度、降低柔性基板的整体形变量、提高了柔性基板的可弯曲性能。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面、本发明实施例提供了一种溅射成膜的参数调节方法，所述调节方法包括：对衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量、不同区域的成膜厚度变化量和所述衬底基板的形变量中的至少一个变量进行监控；若监控的变量超出所述变量的阈值，则调节溅射设备的参数，以降低所述监控的变量。

可选的，所述对衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量进行监控，包括：通过获取溅射成膜过程中衬底基板上不同区域的衬底基板温度差异量，来对不同区域的结晶成核温度差异量进行监控。

可选的，所述监控的变量为衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量；所述调节溅射设备的参数，以降低所述监控的变量具体为：通过溅射设备中的温控单元，调节所述衬底基板的至少一个区域对应的衬底基板温度，以降低所述衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量。

可选的，所述监控的变量为衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量；所述调节溅射设备的参数，以降低所述监控的变量具体为：调节溅射设备中对应于至少一个区域的靶材的溅射功率，以降低所述衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量。

优选的，在所述溅射设备为磁控溅射设备的情况下，所述调节溅射设备的参数，以降低所述监控的变量还包括：调节溅射设备中对应于至少一个区域的所述靶材与磁体之间的间距值，以降低所述衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量。

可选的，所述监控的变量为衬底基板的形变量；所述调节溅射设备的参数，以降低所述监控的变量具体为：降低溅射设备中容纳所述衬底基板的腔室内的工艺气体的压力，以降低所述衬底基板的形变量。

另一方面、本发明实施例还提供了一种溅射成膜的参数调节系统，所述系统包括：溅射装置；所述系统还包括：监控装置，用于对衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量、不同区域的成膜厚度变化量和所述衬底基板的形变量中的至少一个变量进行监控；处理装置，用于在监控的变量超出所述变量的阈值情况下，调节溅射设备的参数，以降低所述监控的变量。

可选的，所述监控装置包括：第一监控单元；所述第一监控单元用于在沿平行于衬底基板的板面方向对溅射成膜过程中所述衬底基板上不同区域的衬底基板温度差异量进行监控。

可选的，所述处理装置包括：第一处理单元；所述第一处理单元用于在监控的变量超出所述变量的阈值情况下，控制所述溅射设备中的温控单元来调节所述衬底基板的至少一个区域对应的衬底基板温度，以降低所述衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量。

可选的，所述第一监控单元为红外成像仪或红外焦平面阵列探测器。

可选的，所述监控装置包括：第二监控单元；所述第二监控单元用于在沿垂直于衬底基板的板面方向对所述衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量进行监控；所述处理装置包括：第二处理单元；所述第二处理单元用于在监控的变量超出所述变量的阈值情况下，调节所述溅射设备中对应于至少一个区域的靶材的溅射功率，以降低所述衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量。

优选的，在所述溅射设备为磁控溅射设备的情况下，所述第二处理单元还用于在监控的变量超出所述变量的阈值情况下，调节溅射设备中对应于至少一个区域的所述靶材与磁体之间的间距值，以降低所述衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量。

优选的，所述第二监控单元为红外成像仪、红外焦平面阵列探测器、超声膜厚测量仪中的任一种。

可选的，所述监控装置包括：第三监控单元；所述第三监控单元用于在沿垂直于衬底基板的板面方向对所述衬底基板的形变量进行监控；所述处理装置包括：第三处理单元；所述第三处理单元用于在监控的变量超出所述变量的阈值情况下，降低溅射设备中容纳所述衬底基板的腔室内的工艺气体的压力，以降低所述衬底基板的形变量。

优选的，所述第三监控单元为红外成像仪、红外焦平面阵列探测器、超声膜厚测量仪中的任一种。

基于此，通过本发明实施例提供的上述调节方法，可对溅射成膜中影响成膜均匀性和/或衬底基板形变量的参数进行监控，并在监控的变量超出变量的阈值的情况下，调节溅射设备中对应的参数设定，以降低监控的变量，提高了由上述衬底基板和沉积在该衬底基板上的膜层构成的柔性基板的表面平整度，降低柔性基板的整体形变量。从而提高了对该柔性基板进行后续加工形成的柔性显示器件的可弯曲性能，提高了柔性显示器件的产能和产品的竞争力。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中成膜后膜层实际厚度等值线图；

图2为现有技术中柔性显示器件中的衬底基板由于受到溅射腔室内气压的影响而发生变形的示意图；

图3为现有技术中磁控溅射设备中TM值的示意图；

图4为本发明实施例提供的一种溅射的成膜调节系统配置框图；

图5为本发明实施例提供的一种溅射的成膜调节系统的结构示意图一；

图6为现有技术中红外焦平面阵列探测器的成像原理示意图；

图7为本发明实施例提供的一种溅射的成膜调节系统的结构示意图二；

图8为发明实施例提供的一种溅射的成膜调节系统的原理示意图。

附图标记：

10-第一监控单元；11-第一处理单元；12-第一运动机构；20-第二监控单元；21-第二处理单元；22-第二运动机构；30-第三监控单元；31-第三处理单元；41-衬底基板；42-靶材；43-膜层；44-磁体；45-载体玻璃；451-垫板；452-共同板；46-支撑结构。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要指出的是，除非另有定义，本发明实施例中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员共同理解的相同含义。还应当理解，诸如在通常字典里定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。

并且，本发明专利申请说明书以及权利要求书中所使用的术语“横向”、“纵向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于说明本发明的技术方案的简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

本发明实施例提供了一种溅射成膜的参数调节方法，该调节方法包括：

对衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量、不同区域的成膜厚度变化量和衬底基板的形变量中的至少一个变量进行监控；

若监控的变量超出变量的阈值，则调节溅射设备的参数，以降低监控的变量。

需要说明的是，第一、在溅射成膜的过程中，结晶成核温度影响构成薄膜的晶粒生长速率、晶粒大小以及晶界缺陷。由于在溅射设备的腔室内部有多块平行间隔排列的靶材，不同区域的结晶成核温度会有所差异，当差异量较大时会导致这一区域的膜层生长情况与其他区域的膜层生长情况相差较大，导致形成在衬底基板上的膜层整体均一性较差，影响膜层的弯曲性能。

因此需要通过对衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量进行实时监控，以便在监控的该变量超出相应阈值的情况下，通过调节溅射设备的参数来降低衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异，使整个衬底基板上的成膜结晶成核温度趋于一致化，提高膜层整体均一性。

第二、采用常规溅射方法成膜后的膜层实际厚度具有如图1所示的等值线图，图中X和Y构成了膜层的二维方向，在X方向数值跨度范围为±800、Y方向数值跨度范围为±500的范围内，图中颜色越深的区域表示成膜厚度越大。由图1可以看出目前溅射成膜的不同区域的成膜厚度相差较大，导致最终形成的膜层整体厚度均匀较差，膜层形变量较大。当膜层形变量过大时，若衬底基板为超薄的玻璃基板，还会牵引下方的超薄玻璃基板产生形变，在弯曲时容易发生破损，对最终形成的柔性显示器件可弯曲性影响较大。

因此，上述的调节方法对成膜厚度的变化量进行监控后，若监控的变量超出变量的阈值，则调节溅射设备中对应于至少一个区域的成膜厚度的参数设定，来降低由于成膜厚度的变化量发生异常而导致的膜层厚度差异，还可避免由于衬底基板上不同区域的成膜形变量过大导致衬底基板自身发生形变。

第三、如图2所示，衬底基板41在支撑结构46的固定下放置在溅射腔室内部后，由于腔室内部不断地通入有氩气(Ar)或氧气(O₂)等工艺气体，由于衬底基板的厚度较薄，通常为厚度小于0.1mm的超薄玻璃基板，受到气压(如图中箭头所示)的影响，衬底基板会发生一定程度的变形，当形变量(如图中标示的参数B)超过预设范围时，不但会导致在其上沉积的膜层相应地也发生较大程度地变形，还会导致形成的柔性显示器件在弯曲时发生破裂，影响柔性显示器件的可弯曲性。因此，上述的调节方法对衬底基板的形变量进行监控后，若监控的变量超出相应的阈值，则调节溅射设备中对应于衬底基板的形变量的参数设定，来降低由于衬底基板的形变量超过预设范围而导致的成膜形变量增加。

采用上述调节方法可在超薄衬底基板(如厚度小于0.1mm的超薄玻璃)表面得到平整的膜层，实现了0.1mm及以下超薄玻璃基板作为柔性衬底的可能性，提高了产品的产能和竞争力。

基于此，通过本发明实施例提供的上述调节方法，可对溅射成膜中影响成膜均匀性和/或衬底基板形变量的参数进行监控，并在监控的变量超出变量的阈值的情况下，调节溅射设备中对应的参数设定，以降低监控的变量，提高了由上述衬底基板和沉积在该衬底基板上的膜层构成的柔性基板的表面平整度、降低柔性基板的整体形变量。从而提高了对该柔性基板进行后续加工形成的柔性显示器件的可弯曲性能，提高了柔性显示器件的产能和产品的竞争力。

在上述基础上，上述各参数的监控-调节步骤具体如下：

1、结晶成核温度差异量的监控-调节：

考虑到在溅射的过程中直接监控成膜中结晶成核温度的操作性较难，由可能会影响到成膜粒子的溅射，故可以通过获取溅射成膜过程中衬底基板上不同区域的衬底基板温度差异量，来对不同区域的结晶成核温度差异量进行监控。

这样一来，在沿平行于衬底基板的板面方向形成了一个监控网，可对不同区域的结晶成核温度进行实时监控，当温度差异量超过相应的阈值时通过溅射设备中的温控单元，来调节衬底基板的至少一个区域对应的衬底基板温度，以降低衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量。

也即是说，通过上述监控网实时地监控沉积有膜层的衬底基板的不同区域的温度，来间接地反映出这一区域结晶成核的温度，进而可以通过调节溅射设备中的温控单元来达到均衡控制结晶温度的目的。

其中，温控单元例如可以是衬底基板的不同区域对应于有一个独立的温控单元，也可以是通过一个总的温控单元控制衬底基板上不同区域的溅射成膜温度。

2、成膜厚度的变化量的监控-调节：

在沿垂直于衬底基板的板面方向对衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量进行监控，若监控的变量超出变量的阈值，则调节溅射设备中对应于至少一个区域的靶材的溅射功率，以降低衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量。

这样一来，在沿垂直于衬底基板的板面方向形成了一个监控网，可对衬底基板上不同区域的成膜厚度的变化量进行实时监控，当变化量超过相应阈值时调节溅射设备中对应于至少一个区域的靶材的溅射功率参数。

进一步的，由于磁控溅射产生的金属或半导体具有较大晶粒，晶界等缺陷较少，膜层略微疏松，与传统的溅射方法相比，衬底基板上得到的膜层，如ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)导电膜的形变量可以大幅降低，例如可以降低至原先的30％以下，能够适应柔性显示的需求，且均匀性保持不变，故目前的溅射设备普遍采用的是磁控溅射原理。

其中磁控溅射的工艺步骤如下：

步骤(1)、衬底基板通过传动装置传送进入溅射腔体(由载体玻璃载体运送)的相应位置后，溅射腔室阀门关闭；

步骤(2)、在溅射腔室内开始通入氩气或氧气等工艺气体，持续稳压一段时间(例如30秒)使压力稳定；这一稳压时间成为稳压时间(Process Time)，可根据具体工艺参数设定；

步骤(3)、氩气或氧气等工艺气体通入时，衬底基板在载体玻璃的带动下由中间位置移至镀膜位置(移动速度由稳压时间即Process Time控制，稳压时间长，移动速度慢，稳压时间短，移动速度快，上述移动过程保证在稳压时间完成即可)；

步骤(4)、压力稳定后，AC电源(Alternating Current，即交流电源)开始放电，开始成膜，放电时间(即Sputter Time，沉积时间)由具体工艺参数设定；成膜时玻璃载体涉及的位置通过感应传感器确定；

步骤(5)、放电的同时，靶材旋转马达根据靶材的消耗速度进行调整，从而达到靶材均一消耗的效果；

步骤(6)、旋转放电成膜完成后，衬底基板在载体玻璃的带动下按正常步骤由溅射腔体内部移出。

在磁控溅射的过程中，靶材(Target)与磁体(Magnet)之间的间距值TM对溅射的影响非常大。如图3所示，随着靶材42的消耗，靶材42会变薄，从而使TM值变大，导致TM值变大，在该靶材对应的区域膜层沉积的过程中往往表现为膜层均匀性变差。这就要求磁体44在垂直于靶材42平面的方向上随着靶材的消耗而进行相应的调整，从而改善成膜均匀性。

例如可以是通过载体玻璃(包括垫板451和共同板452)来调节靶材42与磁体44之间的TM值。

因此，在上述溅射设备为磁控溅射设备的情况下，调节溅射设备的参数，以降低监控的变量还包括：

调节溅射设备中对应于至少一个区域的靶材与磁体之间的间距值，以降低衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量。

3、衬底基板的形变量的监控-调节：

在沿垂直于衬底基板的板面方向对衬底基板的形变量进行监控，若监控的变量超出变量的阈值，则降低溅射设备中容纳衬底基板的腔室内的工艺气体的压力，以降低衬底基板的形变量。

这里，溅射中的气体压力指的是在成膜时溅射腔室(sputter chamber)和温度为零时的溅射腔室内(T0 chamber)的压力。气体流量指成膜时通入的工艺气体流量。

成膜时在溅射腔室内由于等离子体(Plasma)的形成，氩离子(Ar⁺)不断地被产生，而氩气(Ar)不断地被消耗，因此需要持续向溅射腔室内中通入适当流量的氩气。当溅射成膜的膜层为ITO膜时，除了通入氩气工艺气体，还需要持续通入氧气(O₂)工艺气体，这是因为ITO靶材为氧化物靶，受到等离子体轰击时，ITO靶材容易产生分解，通入氧气工艺气体可以提高氧分压，从而抑制ITO靶材的分解。

而在温度为零时向溅射腔室内通入一定量的氩气等工艺气体的目的是为了维持溅射腔室内部溅射时和初始温度为零时的压力差。

在上述基础上，如图4所示，本发明实施例还提供了一种溅射的成膜调节系统，该系统包括：溅射装置；监控装置，用于对衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量、不同区域的成膜厚度变化量和衬底基板的形变量中的至少一个变量进行监控；处理装置，用于在监控的变量超出变量的阈值情况下，调节溅射设备的参数，以降低监控的变量。

具体的，如图5所示，上述的监控装置包括：第一监控单元10，用于在沿平行于衬底基板的板面方向对溅射成膜过程中衬底基板上不同区域的衬底基板温度差异量进行监控。

这里，第一监控单元具体可以为红外成像仪或红外焦平面阵列探测器。

其中，红外成像仪的检测原理是建立在电磁辐射和热传导理论基础上的红外热波检测技术，由热辐射普朗克定律导出斯蒂芬-波尔兹曼定律，可得出：

W＝εσT⁴；

上式中，W表示物体的辐射强度，ε表示灰体的发射系数，σ表示斯蒂芬-波尔兹曼常数，T表示物体的绝对温度。

由于物体具有不同的温度和发射系数，红外成像仪接收来自物体的热辐射，便可测定物体表面的温度分布。

红外焦平面阵列探测器的成像原理如图6所示，红外焦平面阵列探测器的焦平面上排列着感光元件阵列，从无限远处发射的红外线经过光学系统成像在系统焦平面的这些感光元件上，经过探测器内的视频信号调整电路和视频信号分离电路，将接受到的光信号转换为电信号并进行积分放大，经过输出缓冲和多路传输系统得到红外图像数据采集结果，对采集结果进行校正后，送达监视系统形成探测结果，可以对探测图像进行灰度拉伸、伪彩变换；或红外图像分析、或温度实时标定。

红外成像仪或红外焦平面阵列探测器中具体还包括采集监控数据的数据采集模块以及对采集的数据进行处理的智能数据处理模块。

处理装置包括：第一处理单元11，用于在监控的变量超出变量的阈值情况下，控制溅射设备中的温控单元来调节衬底基板的至少一个区域对应的衬底基板温度，以降低衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量。

这里，第一处理单元11具体可以是电脑等数据处理系统。

具体的，参考图5所示，上述的监控装置包括：第二监控单元20，用于在沿垂直于衬底基板41的板面方向对衬底基板41上不同区域的成膜厚度变化量进行监控；处理装置包括：第二处理单元21，用于在监控的变量超出变量的阈值情况下，调节溅射设备中对应于至少一个区域的靶材的溅射功率，以降低衬底基板41上不同区域的成膜厚度变化量。

这里，第二监控单元20具体可以为红外成像仪或超声膜厚测量仪。

其中，红外成像仪具体是通过测量由膜层43表面发射的红外光获得的膜层43在一定时间内的二维厚度分布，来监控成膜厚度的变化量的。

超声膜厚测量仪是利用超声共振原理对膜厚进行测定的，具体原理本发明实施例不再赘述。

进一步的，在上述溅射设备为磁控溅射设备的情况下，第二处理单元21还用于在监控的变量超出变量的阈值情况下，调节溅射设备中对应于至少一个区域的靶材与磁体之间的间距值，以降低衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量。

具体的，参考图5所示，上述的监控装置包括：第三监控单元30，用于在沿垂直于衬底基板41的板面方向对衬底基板41的形变量进行监控；处理装置包括：第三处理单元31，用于在监控的变量超出变量的阈值情况下，降低溅射设备中容纳衬底基板的腔室内的工艺气体的压力，以降低衬底基板41的形变量。

这里，第三监控单元具体可以为红外成像仪或超声膜厚测量仪，监控原理此处不再赘述。

需要说明的是，如图7所示，上述系统中还可以包括有与第一监控单元10相连的第一运动机构12，第一运动机构12具体可包括固定第一监控单元10的固定装置和驱动固定装置移动的三维运动装置。这样一来，可以通过三维运动装置灵活调整第一监控单元10对应于衬底基板41的具体位置，以实现对不同区域的膜层进行结晶成核温度监控的效果。

由于第二监控单元20和第三监控单元30都是用于监控厚度的变化的，因此，可以通过调整同一个监控设备如红外成像仪的位置来分别监控成膜厚度的变化量和衬底基板的形变量，以减少上述系统中装置的数量。

具体的，参考图7所示，上述系统中还可以包括有与第二监控单元20相连的第二运动机构21，第二运动机构21具体可包括固定第二监控单元20的固定装置和驱动固定装置移动的三维运动装置。这样一来，通过第二运动机构21可使第二监控单元20移动至不同的位置以在不同的时间内监控成膜厚度的变化量和衬底基板的形变量。

在上述基础上进一步优选的，第一监控单元10优选地为红外成像仪，由于第一监控单元10是在沿平行于衬底基板41的板面方向对结晶成核温度进行监控的，由于衬底基板41在溅射装置内通常的竖直放置的，因此第一监控单元10相当于一个横向成像仪(以衬底基板41为参照对象)，在竖直方向通过监控不同成膜区域的衬底基板的温度来对结晶成核温度进行监控；而第二监控单元20和第三监控单元30可以采用同一个红外成像仪，由于第二监控单元20和第三监控单元30是在沿垂直于衬底基板41的板面方向对成膜厚度的变化量和衬底基板的形变量进行监控的，而衬底基板41在溅射装置内通常的竖直放置的，因此第二个红外成像仪相当于纵向成像仪(同样以衬底基板41为参照对象)对成膜厚度的变化量和衬底基板的形变量来进行监控，在水平方向形成了一个监控网。这样一来，如图8所示，通过横向成像仪与纵向成像仪构成了一个3D红外检测网来对上述变量进行监控进而调节溅射设备的参数设定。

以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种溅射成膜的参数调节方法，其特征在于，所述调节方法包括：

对衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量、不同区域的成膜厚度变化量和所述衬底基板的形变量中的至少一个变量进行监控；

若监控的变量超出所述变量的阈值，则调节溅射设备的参数，以降低所述监控的变量；

其中，当所述监控的变量为衬底基板的形变量时，所述调节溅射设备的参数，以降低所述监控的变量具体为：降低溅射设备中容纳所述衬底基板的腔室内的工艺气体的压力，以降低所述衬底基板的形变量。

2.根据权利要求1所述的调节方法，其特征在于，所述对衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量进行监控，包括：

通过获取溅射成膜过程中衬底基板上不同区域的衬底基板温度差异量，来对不同区域的结晶成核温度差异量进行监控。

3.根据权利要求1所述的调节方法，其特征在于，所述监控的变量为衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量；

所述调节溅射设备的参数，以降低所述监控的变量具体为：

通过溅射设备中的温控单元，调节所述衬底基板的至少一个区域对应的衬底基板温度，以降低所述衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量。

4.根据权利要求1所述的调节方法，其特征在于，所述监控的变量为衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量；

所述调节溅射设备的参数，以降低所述监控的变量具体为：

调节溅射设备中对应于至少一个区域的靶材的溅射功率，以降低所述衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量。

5.根据权利要求4所述的调节方法，其特征在于，在所述溅射设备为磁控溅射设备的情况下，所述调节溅射设备的参数，以降低所述监控的变量还包括：

调节溅射设备中对应于至少一个区域的所述靶材与磁体之间的间距值，以降低所述衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量。

6.一种溅射成膜的参数调节系统，所述系统包括：溅射装置；其特征在于，所述系统还包括：

监控装置，用于对衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量、不同区域的成膜厚度变化量和所述衬底基板的形变量中的至少一个变量进行监控；

处理装置，用于在监控的变量超出所述变量的阈值情况下，调节溅射设备的参数，以降低所述监控的变量；

其中，当所述监控的变量为衬底基板的形变量时，所述监控装置包括：第三监控单元；所述第三监控单元用于在沿垂直于衬底基板的板面方向对所述衬底基板的形变量进行监控；所述处理装置包括：第三处理单元；所述第三处理单元用于在监控的变量超出所述变量的阈值情况下，降低溅射设备中容纳所述衬底基板的腔室内的工艺气体的压力，以降低所述衬底基板的形变量。

7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，

所述监控装置包括：第一监控单元；所述第一监控单元用于在沿平行于衬底基板的板面方向对溅射成膜过程中所述衬底基板上不同区域的衬底基板温度差异量进行监控。

8.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，

所述处理装置包括：第一处理单元；所述第一处理单元用于在监控的变量超出所述变量的阈值情况下，控制所述溅射设备中的温控单元来调节所述衬底基板的至少一个区域对应的衬底基板温度，以降低所述衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量。

9.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述第一监控单元为红外成像仪或红外焦平面阵列探测器。

10.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，

所述监控装置包括：第二监控单元；所述第二监控单元用于在沿垂直于衬底基板的板面方向对所述衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量进行监控；

所述处理装置包括：第二处理单元；所述第二处理单元用于在监控的变量超出所述变量的阈值情况下，调节所述溅射设备中对应于至少一个区域的靶材的溅射功率，以降低所述衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量。

11.根据权利要求10所述的系统，其特征在于，在所述溅射设备为磁控溅射设备的情况下，所述第二处理单元还用于在监控的变量超出所述变量的阈值情况下，调节溅射设备中对应于至少一个区域的所述靶材与磁体之间的间距值，以降低所述衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量。

12.根据权利要求10所述的系统，其特征在于，所述第二监控单元为红外成像仪、红外焦平面阵列探测器、超声膜厚测量仪中的任一种。

13.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述第三监控单元为红外成像仪、红外焦平面阵列探测器、超声膜厚测量仪中的任一种。