JP2002282958A - 半導体リード抜き加工用工具 - Google Patents
半導体リード抜き加工用工具Info
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Punching Or Piercing (AREA)
- Mounting, Exchange, And Manufacturing Of Dies (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体リードＬの抜き加工に用いられる工具
において、その耐摩耗性の向上による寿命の延長を図る
のは勿論、リードＬを構成する非鉄金属との反応による
溶着等を防ぐことができ、さらには製造加工も容易な工
具を提供する。 【解決手段】 互いに対向して相対的に離接可能とされ
るパンチ１とダイ２に櫛歯状のパンチ側加工部８とダイ
側加工部４とが設けられ、ダイ側加工部４に載置された
半導体パッケージのリードＬを、パンチ側加工部８をダ
イ側加工部４と交差させることによってこれらパンチ側
加工部８とダイ側加工部４との間で切断して抜き加工す
る半導体リード抜き加工用工具であって、パンチ側加工
部８の先端部とダイ側加工部４のパンチ側加工部８と交
差する部分とに、ダイヤモンドコーティング被膜９，１
０を被覆する。
において、その耐摩耗性の向上による寿命の延長を図る
のは勿論、リードＬを構成する非鉄金属との反応による
溶着等を防ぐことができ、さらには製造加工も容易な工
具を提供する。 【解決手段】 互いに対向して相対的に離接可能とされ
るパンチ１とダイ２に櫛歯状のパンチ側加工部８とダイ
側加工部４とが設けられ、ダイ側加工部４に載置された
半導体パッケージのリードＬを、パンチ側加工部８をダ
イ側加工部４と交差させることによってこれらパンチ側
加工部８とダイ側加工部４との間で切断して抜き加工す
る半導体リード抜き加工用工具であって、パンチ側加工
部８の先端部とダイ側加工部４のパンチ側加工部８と交
差する部分とに、ダイヤモンドコーティング被膜９，１
０を被覆する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
から突出したリードの連結部分を切断して抜き加工する
ための半導体リード抜き加工用工具に関するものであ
る。
から突出したリードの連結部分を切断して抜き加工する
ための半導体リード抜き加工用工具に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】例えばＱＦＰ（クワッドフラットパッケ
ージ）やＤＩＰ（デュアルインラインパッケージ）など
の半導体パッケージの製造工程においては、リードフレ
ーム状に半導体チップをマウントしてボンディングをし
た後、樹脂モールドによってパッケージ本体が形成され
て半導体チップが封止されるが、この樹脂モールド直後
の半導体パッケージでは、パッケージ本体から突出する
多数のリードの間に連結部分が残存しており、これを切
断して除去しなければならない。そこで、このような半
導体リード抜きの加工用工具としては、例えば特開平１
１−２５４０５４号公報に、櫛歯状とされたパンチの先
端部をダイヤモンド焼結体やｃＢＮ焼結体で形成し、ダ
イ側の加工部に載置された半導体リードの上記連結部分
を、このダイ側加工部と櫛歯状のパンチ先端部を交差さ
せることによって切断するようにしたものが提案されて
いる。
ージ）やＤＩＰ（デュアルインラインパッケージ）など
の半導体パッケージの製造工程においては、リードフレ
ーム状に半導体チップをマウントしてボンディングをし
た後、樹脂モールドによってパッケージ本体が形成され
て半導体チップが封止されるが、この樹脂モールド直後
の半導体パッケージでは、パッケージ本体から突出する
多数のリードの間に連結部分が残存しており、これを切
断して除去しなければならない。そこで、このような半
導体リード抜きの加工用工具としては、例えば特開平１
１−２５４０５４号公報に、櫛歯状とされたパンチの先
端部をダイヤモンド焼結体やｃＢＮ焼結体で形成し、ダ
イ側の加工部に載置された半導体リードの上記連結部分
を、このダイ側加工部と櫛歯状のパンチ先端部を交差さ
せることによって切断するようにしたものが提案されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の抜き加工用工具においては、パンチの先端部にダ
イヤモンド焼結体やｃＢＮ焼結体が設けられているた
め、例えば超硬合金などから成る抜き加工用工具等に比
べれば耐摩耗性は高いものの、これらの焼結体には、リ
ードフレームの材質であるＣｕなどの非鉄金属と反応し
やすいＣｏ成分がバインダーとして含まれているため、
長期の抜き加工の間にはリードの上記非鉄金属がパンチ
の先端部に溶着を生じて加工精度を損なったりバリの発
生を引き起こしたりするおそれがある。また、このよう
なダイヤモンド焼結体やｃＢＮ焼結体を幅および間隔の
極小さい櫛歯状のパンチ先端部に設けるには、例えばパ
ンチ母材の超硬合金とこれらダイヤモンド焼結体やｃＢ
Ｎ焼結体とを一体に焼結した上で板状に成形し、これに
ワイヤカット放電加工などにより溝を形成して櫛歯の刃
の間となる部分を形成しなければならず、硬質のダイヤ
モンド焼結体やｃＢＮ焼結体部分をも加工しなければな
らないことから、当該パンチ製造の際の加工効率も高い
ものとは言えない。さらに、パンチにこのような硬質の
焼結体を設けただけでは、相対的に軟質となるダイ側の
加工部の摩耗が著しく、ダイの寿命が短期で費えてしま
うという問題もある。
従来の抜き加工用工具においては、パンチの先端部にダ
イヤモンド焼結体やｃＢＮ焼結体が設けられているた
め、例えば超硬合金などから成る抜き加工用工具等に比
べれば耐摩耗性は高いものの、これらの焼結体には、リ
ードフレームの材質であるＣｕなどの非鉄金属と反応し
やすいＣｏ成分がバインダーとして含まれているため、
長期の抜き加工の間にはリードの上記非鉄金属がパンチ
の先端部に溶着を生じて加工精度を損なったりバリの発
生を引き起こしたりするおそれがある。また、このよう
なダイヤモンド焼結体やｃＢＮ焼結体を幅および間隔の
極小さい櫛歯状のパンチ先端部に設けるには、例えばパ
ンチ母材の超硬合金とこれらダイヤモンド焼結体やｃＢ
Ｎ焼結体とを一体に焼結した上で板状に成形し、これに
ワイヤカット放電加工などにより溝を形成して櫛歯の刃
の間となる部分を形成しなければならず、硬質のダイヤ
モンド焼結体やｃＢＮ焼結体部分をも加工しなければな
らないことから、当該パンチ製造の際の加工効率も高い
ものとは言えない。さらに、パンチにこのような硬質の
焼結体を設けただけでは、相対的に軟質となるダイ側の
加工部の摩耗が著しく、ダイの寿命が短期で費えてしま
うという問題もある。
【０００４】本発明は、このような事情を鑑みて為され
たもので、上述のような半導体リードの抜き加工に用い
られる工具において、その耐摩耗性の向上による寿命の
延長を図るのは勿論、リードを構成する非鉄金属との反
応による溶着等を防ぐことができ、さらには製造加工も
容易な半導体リード抜き加工用工具を提供することを目
的としている。
たもので、上述のような半導体リードの抜き加工に用い
られる工具において、その耐摩耗性の向上による寿命の
延長を図るのは勿論、リードを構成する非鉄金属との反
応による溶着等を防ぐことができ、さらには製造加工も
容易な半導体リード抜き加工用工具を提供することを目
的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決して、こ
のような目的を達成するために、本発明は、まず第１
に、ダイに対向して相対的に離接可能とされるパンチに
櫛歯状のパンチ側加工部が設けられ、上記ダイ側に設け
られる櫛歯状のダイ側加工部に載置された半導体パッケ
ージのリードを、上記パンチ側加工部を上記ダイ側加工
部と交差させることによってこれらパンチ側加工部と上
記ダイ側加工部との間で切断して抜き加工する半導体リ
ード抜き加工用工具であって、上記パンチ側加工部の先
端部に、ダイヤモンドコーティング被膜を被覆したこと
を特徴とし、また第２には、パンチに対向して相対的に
離接可能とされるダイに櫛歯状のダイ側加工部が設けら
れ、このダイ側加工部に載置された半導体パッケージの
リードを、上記パンチ側に設けられる櫛歯状のパンチ側
加工部を上記ダイ側加工部と交差させることによってこ
れらパンチ側加工部と上記ダイ側加工部との間で切断し
て抜き加工する半導体リード抜き加工用工具であって、
上記ダイ側加工部のうち少なくとも上記パンチ側加工部
と交差する部分に、ダイヤモンドコーティング被膜を被
覆したことを特徴とする。
のような目的を達成するために、本発明は、まず第１
に、ダイに対向して相対的に離接可能とされるパンチに
櫛歯状のパンチ側加工部が設けられ、上記ダイ側に設け
られる櫛歯状のダイ側加工部に載置された半導体パッケ
ージのリードを、上記パンチ側加工部を上記ダイ側加工
部と交差させることによってこれらパンチ側加工部と上
記ダイ側加工部との間で切断して抜き加工する半導体リ
ード抜き加工用工具であって、上記パンチ側加工部の先
端部に、ダイヤモンドコーティング被膜を被覆したこと
を特徴とし、また第２には、パンチに対向して相対的に
離接可能とされるダイに櫛歯状のダイ側加工部が設けら
れ、このダイ側加工部に載置された半導体パッケージの
リードを、上記パンチ側に設けられる櫛歯状のパンチ側
加工部を上記ダイ側加工部と交差させることによってこ
れらパンチ側加工部と上記ダイ側加工部との間で切断し
て抜き加工する半導体リード抜き加工用工具であって、
上記ダイ側加工部のうち少なくとも上記パンチ側加工部
と交差する部分に、ダイヤモンドコーティング被膜を被
覆したことを特徴とする。
【０００６】このようなダイヤモンドコーティング被膜
は、上記ダイヤモンド焼結体やｃＢＮ焼結体のようにＣ
ｏなどのバインダーを含むことがなく、従ってリードを
構成する上述のような非鉄金属と反応して溶着を生じる
ようなこともない。しかも、このようなダイヤモンドコ
ーティング被膜は、予め櫛歯状に形成されたパンチ側加
工部やダイ側加工部に被覆して形成することができるの
で、櫛歯状のパンチ側加工部やダイ側加工部を成形する
際に、硬質なダイヤモンドコーティング被膜を加工して
櫛歯状に形成したりする必要がなく、効率的である。な
お、これらパンチ側加工部やダイ側加工部の上記ダイヤ
モンドコーティング被膜を、その表面粗さがＲｙ０．０
５〜０．８μｍの範囲となるようにすれば、リードの切
断の際に切刃となる当該パンチ側加工部やダイ側加工部
のエッジを鋭くすることができ、バリの発生などのない
抜き加工を行うことができる。
は、上記ダイヤモンド焼結体やｃＢＮ焼結体のようにＣ
ｏなどのバインダーを含むことがなく、従ってリードを
構成する上述のような非鉄金属と反応して溶着を生じる
ようなこともない。しかも、このようなダイヤモンドコ
ーティング被膜は、予め櫛歯状に形成されたパンチ側加
工部やダイ側加工部に被覆して形成することができるの
で、櫛歯状のパンチ側加工部やダイ側加工部を成形する
際に、硬質なダイヤモンドコーティング被膜を加工して
櫛歯状に形成したりする必要がなく、効率的である。な
お、これらパンチ側加工部やダイ側加工部の上記ダイヤ
モンドコーティング被膜を、その表面粗さがＲｙ０．０
５〜０．８μｍの範囲となるようにすれば、リードの切
断の際に切刃となる当該パンチ側加工部やダイ側加工部
のエッジを鋭くすることができ、バリの発生などのない
抜き加工を行うことができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１および図２は、本発明の第１
の実施形態としてのパンチ１と第２の実施形態としての
ダイ２とを示すものであり、図示されない加工機の下側
に上記ダイ２が取り付けられるとともに上側には上記パ
ンチ１が取り付けられ、これらダイ２とパンチ１とは互
いに対向して上記加工機により上下方向に相対的に離接
可能とされる。より具体的に、本実施形態では、ダイ２
が上記加工機上に固定されるとともに、これ対してパン
チ１が上下動させられて相対的に離接させられる。な
お、本実施形態では、これらパンチ１およびダイ２は超
硬合金によって形成されている。
の実施形態としてのパンチ１と第２の実施形態としての
ダイ２とを示すものであり、図示されない加工機の下側
に上記ダイ２が取り付けられるとともに上側には上記パ
ンチ１が取り付けられ、これらダイ２とパンチ１とは互
いに対向して上記加工機により上下方向に相対的に離接
可能とされる。より具体的に、本実施形態では、ダイ２
が上記加工機上に固定されるとともに、これ対してパン
チ１が上下動させられて相対的に離接させられる。な
お、本実施形態では、これらパンチ１およびダイ２は超
硬合金によって形成されている。
【０００８】このうち、上記ダイ２は、その先端部（図
１において手前側部分）に、幅が極小さい断面方形の四
角柱状のピン３が抜き加工するリードＬのピッチに合わ
せた極小さなピッチで等間隔に並列に多数並ぶように形
成されることにより、平たい櫛歯状をなすダイ側加工部
４が設けられるとともに、後端部（図１において奥側部
分）には当該ダイ２を上記加工機に取り付けるための取
付部５が設けられており、上記ダイ側加工部４がなす櫛
歯が水平となるようにして上記加工機に固定されてい
る。一方、パンチ１は、略長方形平板状に形成されてダ
イ側加工部４の上記ピン３に対し垂直となるように配置
され、その上端部側に形成された取付部６を介して上記
加工機により上下動可能に支持されるとともに、このパ
ンチ１の下端部側には、ダイ側加工部４の隣接する上記
ピン３…間に嵌挿可能な幅を有する断面方形の四角柱状
の多数のピン７…が、間に上記ピン３が嵌挿可能な間隔
をあけて上記ピン３…のピッチに合わせ等間隔に並列に
並ぶように形成されることにより、やはり平たい櫛歯状
をなすパンチ側加工部８が設けられている。
１において手前側部分）に、幅が極小さい断面方形の四
角柱状のピン３が抜き加工するリードＬのピッチに合わ
せた極小さなピッチで等間隔に並列に多数並ぶように形
成されることにより、平たい櫛歯状をなすダイ側加工部
４が設けられるとともに、後端部（図１において奥側部
分）には当該ダイ２を上記加工機に取り付けるための取
付部５が設けられており、上記ダイ側加工部４がなす櫛
歯が水平となるようにして上記加工機に固定されてい
る。一方、パンチ１は、略長方形平板状に形成されてダ
イ側加工部４の上記ピン３に対し垂直となるように配置
され、その上端部側に形成された取付部６を介して上記
加工機により上下動可能に支持されるとともに、このパ
ンチ１の下端部側には、ダイ側加工部４の隣接する上記
ピン３…間に嵌挿可能な幅を有する断面方形の四角柱状
の多数のピン７…が、間に上記ピン３が嵌挿可能な間隔
をあけて上記ピン３…のピッチに合わせ等間隔に並列に
並ぶように形成されることにより、やはり平たい櫛歯状
をなすパンチ側加工部８が設けられている。
【０００９】そして、第１の実施形態のパンチ１では、
このパンチ側加工部８の各ピン７…の表面に、その先端
から該ピン７の略全長に渡ってダイヤモンドコーティン
グ被膜９が被覆されている。また、第２の実施形態のダ
イ２でも、やはりそのダイ側加工部４の各ピン３…の表
面に、その先端から該ピン３の略全長に渡ってダイヤモ
ンドコーティング被膜１０が被覆されている。ここで、
これらのダイヤモンドコーティング被膜９，１０は、例
えばマイクロ波プラズマＣＶＤ法や熱フィラメントＣＶ
Ｄ法により、原料ガスとして水素とメタンやＣＯなどの
混合ガスを用いて約８００〜９００℃程度の処理温度で
各被覆条件を制御しつつ被覆されたものであって、その
膜厚は１０〜２０μｍの範囲とされている。また、これ
らのダイヤモンドコーティング被膜９，１０の表面に
は、こうして被覆された後にピン３，７がなす四角柱の
表面形状に合わせて仕上げ加工（研磨）が施されてお
り、これによってこれらのダイヤモンドコーティング被
膜９，１０の表面粗さは、例えばＪＩＳ Ｂ ０６０１に
おける最大高さＲｙにおいて０．０５〜０．８μｍの範
囲とされている。
このパンチ側加工部８の各ピン７…の表面に、その先端
から該ピン７の略全長に渡ってダイヤモンドコーティン
グ被膜９が被覆されている。また、第２の実施形態のダ
イ２でも、やはりそのダイ側加工部４の各ピン３…の表
面に、その先端から該ピン３の略全長に渡ってダイヤモ
ンドコーティング被膜１０が被覆されている。ここで、
これらのダイヤモンドコーティング被膜９，１０は、例
えばマイクロ波プラズマＣＶＤ法や熱フィラメントＣＶ
Ｄ法により、原料ガスとして水素とメタンやＣＯなどの
混合ガスを用いて約８００〜９００℃程度の処理温度で
各被覆条件を制御しつつ被覆されたものであって、その
膜厚は１０〜２０μｍの範囲とされている。また、これ
らのダイヤモンドコーティング被膜９，１０の表面に
は、こうして被覆された後にピン３，７がなす四角柱の
表面形状に合わせて仕上げ加工（研磨）が施されてお
り、これによってこれらのダイヤモンドコーティング被
膜９，１０の表面粗さは、例えばＪＩＳ Ｂ ０６０１に
おける最大高さＲｙにおいて０．０５〜０．８μｍの範
囲とされている。
【００１０】このように構成された第１、第２の実施形
態のパンチ１およびダイ２より成る半導体リードＬの抜
き加工用工具においては、まずダイ２のダイ側加工部４
のピン３…上に、半導体パッケージのパッケージ本体
（図示略）から突出するリードＬが載置されるととも
に、隣接するピン３…間にはリードＬ…同士を連結して
いる上記連結部分Ｃ…が配置される。そして、これらの
連結部分Ｃ…に向けてパンチ１が上記加工機によって下
降させられることにより、そのパンチ側加工部８の上記
ピン７…がダイ側加工部４のピン３…の間に嵌挿され
て、これらパンチ側加工部８とダイ側加工部４とが垂直
に交差させられ、このとき、パンチ側加工部８のピン７
…の先端面（下端面）の稜線部と、ダイ側加工部４のピ
ン３…の上面の稜線部との間で、上記連結部分Ｃが剪断
されるようにして切断され、リードＬに抜き加工が施さ
れる。
態のパンチ１およびダイ２より成る半導体リードＬの抜
き加工用工具においては、まずダイ２のダイ側加工部４
のピン３…上に、半導体パッケージのパッケージ本体
（図示略）から突出するリードＬが載置されるととも
に、隣接するピン３…間にはリードＬ…同士を連結して
いる上記連結部分Ｃ…が配置される。そして、これらの
連結部分Ｃ…に向けてパンチ１が上記加工機によって下
降させられることにより、そのパンチ側加工部８の上記
ピン７…がダイ側加工部４のピン３…の間に嵌挿され
て、これらパンチ側加工部８とダイ側加工部４とが垂直
に交差させられ、このとき、パンチ側加工部８のピン７
…の先端面（下端面）の稜線部と、ダイ側加工部４のピ
ン３…の上面の稜線部との間で、上記連結部分Ｃが剪断
されるようにして切断され、リードＬに抜き加工が施さ
れる。
【００１１】そして、このように構成された半導体リー
ド抜き加工用工具においては、その上記パンチ１のパン
チ側加工部８とダイ２のダイ側加工部４とにおいて、各
ピン７…，３…の表面に硬質なダイヤモンドコーティン
グ被膜９，１０が被覆されており、上述のような半導体
リードＬの抜き加工に長期間使用してもこれらパンチ側
加工部８やダイ側加工部４に生じる摩耗は少なく、従っ
てかかる摩耗による抜き加工精度の劣化も抑えることが
できる。また、このようなダイヤモンドコーティング被
膜９，１０は、リードＬや上記連結部分Ｃを構成するＣ
ｕ等の非鉄金属との親和性が低く、このような材質より
なるリードＬの抜き加工に長期間使用しても、かかる材
質の溶着による抜き精度の劣化やバリの発生などが生じ
たりすることもない。このため、上記構成の抜き加工用
工具によれば、これらパンチ１やダイ２の寿命の大幅な
延長を図ることが可能となって、逆に抜き加工行程にお
ける工具の交換回数は削減することができ、交換作業や
交換後の工具の調整作業に要する時間や労力の軽減を促
すとともに、効率的かつ円滑な半導体リードＬの抜き加
工を行うことができる。
ド抜き加工用工具においては、その上記パンチ１のパン
チ側加工部８とダイ２のダイ側加工部４とにおいて、各
ピン７…，３…の表面に硬質なダイヤモンドコーティン
グ被膜９，１０が被覆されており、上述のような半導体
リードＬの抜き加工に長期間使用してもこれらパンチ側
加工部８やダイ側加工部４に生じる摩耗は少なく、従っ
てかかる摩耗による抜き加工精度の劣化も抑えることが
できる。また、このようなダイヤモンドコーティング被
膜９，１０は、リードＬや上記連結部分Ｃを構成するＣ
ｕ等の非鉄金属との親和性が低く、このような材質より
なるリードＬの抜き加工に長期間使用しても、かかる材
質の溶着による抜き精度の劣化やバリの発生などが生じ
たりすることもない。このため、上記構成の抜き加工用
工具によれば、これらパンチ１やダイ２の寿命の大幅な
延長を図ることが可能となって、逆に抜き加工行程にお
ける工具の交換回数は削減することができ、交換作業や
交換後の工具の調整作業に要する時間や労力の軽減を促
すとともに、効率的かつ円滑な半導体リードＬの抜き加
工を行うことができる。
【００１２】また、このようなダイヤモンドコーティン
グ被膜９，１０は、例えば本実施形態のようにピッチが
極小さい櫛歯状とされたパンチ側加工部８やダイ側加工
部４の、さらに幅も極小さくされた上記ピン７…，３…
の表面にも、均一な膜厚で確実に被覆することができ、
上述の作用効果を確実に奏功することが可能となる。し
かも、このようなダイヤモンドコーティング被膜９，１
０は、これと比較して軟質な超硬合金より成るパンチ１
やダイ２に櫛歯状にパンチ側加工部８やダイ側加工部４
を形成した後に、上述したような被覆方法で被覆を行え
ばよく、従来のように硬質なダイヤモンド焼結体やｃＢ
Ｎ焼結体に溝を形成するような加工を施す必要はないの
で、こうしてダイヤモンドコーティング被膜９，１０が
被覆されたパンチ側加工部８、ダイ側加工部４を比較的
容易に、しかしながら高い寸法・形状精度で形成するこ
とが可能となる。さらに、上述のようにパンチ側加工部
８やダイ側加工部４の摩耗が減ってパンチ１やダイ２の
長寿命化が図られることにより、従来摩耗が生じた場合
には再研磨をして抜き加工精度を維持していた特にパン
チ１を、再研磨をすることなく使い捨て式にしてもコス
ト的に見合うようになり、このため再研磨を見込んで必
要以上に長くしていたピン７の有効長さも最小限にする
ことができるので、ピン７…の剛性の向上を図ることが
でき、従って抜き加工時の負荷によるピン７の欠損など
も防止することが可能となって、一層の工具寿命の延長
を促すことが可能となる。
グ被膜９，１０は、例えば本実施形態のようにピッチが
極小さい櫛歯状とされたパンチ側加工部８やダイ側加工
部４の、さらに幅も極小さくされた上記ピン７…，３…
の表面にも、均一な膜厚で確実に被覆することができ、
上述の作用効果を確実に奏功することが可能となる。し
かも、このようなダイヤモンドコーティング被膜９，１
０は、これと比較して軟質な超硬合金より成るパンチ１
やダイ２に櫛歯状にパンチ側加工部８やダイ側加工部４
を形成した後に、上述したような被覆方法で被覆を行え
ばよく、従来のように硬質なダイヤモンド焼結体やｃＢ
Ｎ焼結体に溝を形成するような加工を施す必要はないの
で、こうしてダイヤモンドコーティング被膜９，１０が
被覆されたパンチ側加工部８、ダイ側加工部４を比較的
容易に、しかしながら高い寸法・形状精度で形成するこ
とが可能となる。さらに、上述のようにパンチ側加工部
８やダイ側加工部４の摩耗が減ってパンチ１やダイ２の
長寿命化が図られることにより、従来摩耗が生じた場合
には再研磨をして抜き加工精度を維持していた特にパン
チ１を、再研磨をすることなく使い捨て式にしてもコス
ト的に見合うようになり、このため再研磨を見込んで必
要以上に長くしていたピン７の有効長さも最小限にする
ことができるので、ピン７…の剛性の向上を図ることが
でき、従って抜き加工時の負荷によるピン７の欠損など
も防止することが可能となって、一層の工具寿命の延長
を促すことが可能となる。
【００１３】また、これらの実施形態では、これらパン
チ側加工部８やダイ側加工部４にダイヤモンドコーティ
ング皮膜９，１０が上述のマイクロ波プラズマＣＶＤ法
や熱フィラメントＣＶＤ法によって被覆された後に、上
記ピン７…，３…の表面が研磨仕上げされることによ
り、その表面粗さがＲｙ０．０５〜０．８μｍとなるよ
うにされており、これに伴い、上記連結部分Ｃ…を剪断
して抜き加工する際の切刃エッジとなるピン７の先端面
の稜線部やピン３の上面の稜線部を鋭利にすることがで
きる。このため、この連結部分Ｃが剪断されて除去され
た後のリードＬにバリが残ったりするのを一層確実に防
止することができ、これにより高品位の半導体パッケー
ジを製造することが可能となるとともに、この稜線部は
硬質なダイヤモンドコーティング被膜９，１０上に形成
されているため、このような鋭利な切れ味をやはり長期
に渡って維持することが可能となる。
チ側加工部８やダイ側加工部４にダイヤモンドコーティ
ング皮膜９，１０が上述のマイクロ波プラズマＣＶＤ法
や熱フィラメントＣＶＤ法によって被覆された後に、上
記ピン７…，３…の表面が研磨仕上げされることによ
り、その表面粗さがＲｙ０．０５〜０．８μｍとなるよ
うにされており、これに伴い、上記連結部分Ｃ…を剪断
して抜き加工する際の切刃エッジとなるピン７の先端面
の稜線部やピン３の上面の稜線部を鋭利にすることがで
きる。このため、この連結部分Ｃが剪断されて除去され
た後のリードＬにバリが残ったりするのを一層確実に防
止することができ、これにより高品位の半導体パッケー
ジを製造することが可能となるとともに、この稜線部は
硬質なダイヤモンドコーティング被膜９，１０上に形成
されているため、このような鋭利な切れ味をやはり長期
に渡って維持することが可能となる。
【００１４】ただし、このようにダイヤモンドコーティ
ング被膜９，１０の表面を研磨仕上げする場合でも、そ
の表面粗さがあまりに滑らかになるまで研磨したので
は、切れ味は向上するものの、硬質のダイヤモンドコー
ティング被膜９，１０を研磨するための作業に多くの時
間と労力とを要する結果となる。その一方で、研磨後の
表面粗さが大きすぎると、上述のような鋭い切れ味は得
られなくなるおそれが生じるので、この研磨仕上げによ
るダイヤモンドコーティング被膜９，１０の表面粗さ
は、本実施形態のようにＲｙ０．０５〜０．８μｍの範
囲とされるのが望ましい。
ング被膜９，１０の表面を研磨仕上げする場合でも、そ
の表面粗さがあまりに滑らかになるまで研磨したので
は、切れ味は向上するものの、硬質のダイヤモンドコー
ティング被膜９，１０を研磨するための作業に多くの時
間と労力とを要する結果となる。その一方で、研磨後の
表面粗さが大きすぎると、上述のような鋭い切れ味は得
られなくなるおそれが生じるので、この研磨仕上げによ
るダイヤモンドコーティング被膜９，１０の表面粗さ
は、本実施形態のようにＲｙ０．０５〜０．８μｍの範
囲とされるのが望ましい。
【００１５】また、これらのダイヤモンドコーティング
被膜９，１０の膜厚は、やはり本実施形態のように１０
〜２０μｍの範囲に設定されるのが望ましく、これによ
り当該抜き加工工具の製造コストを抑えつつも、上述の
ような高い耐摩耗性を得ることができる。すなわち、こ
のダイヤモンドコーティング被膜９，１０の膜厚が上記
範囲を下回るほど薄いと、如何にダイヤモンドコーティ
ング被膜９，１０であるとはいえ長期の抜き加工を行う
うちには摩耗や剥離が生じ易くなるおそれがある一方、
膜厚が上記範囲を上回るほど厚くしても、厚さの増大分
に見合った耐摩耗性の向上は期待できず、被覆に要する
コストによって抜き加工工具が高価になってしまうおそ
れがあるとともに、被覆後のダイヤモンドコーティング
被膜９，１０の表面粗さが大きくなるため、上述のよう
な研磨仕上げを行う場合の時間や労力も大きくなってし
まうおそれがある。
被膜９，１０の膜厚は、やはり本実施形態のように１０
〜２０μｍの範囲に設定されるのが望ましく、これによ
り当該抜き加工工具の製造コストを抑えつつも、上述の
ような高い耐摩耗性を得ることができる。すなわち、こ
のダイヤモンドコーティング被膜９，１０の膜厚が上記
範囲を下回るほど薄いと、如何にダイヤモンドコーティ
ング被膜９，１０であるとはいえ長期の抜き加工を行う
うちには摩耗や剥離が生じ易くなるおそれがある一方、
膜厚が上記範囲を上回るほど厚くしても、厚さの増大分
に見合った耐摩耗性の向上は期待できず、被覆に要する
コストによって抜き加工工具が高価になってしまうおそ
れがあるとともに、被覆後のダイヤモンドコーティング
被膜９，１０の表面粗さが大きくなるため、上述のよう
な研磨仕上げを行う場合の時間や労力も大きくなってし
まうおそれがある。
【００１６】なお、このようなダイヤモンドコーティン
グ被膜９，１０は、パンチ１にあっては少なくともパン
チ側加工部８の先端部のピン７における上記有効長さの
部分まで、またダイ２にあっては少なくともダイ側加工
部４において上記パンチ側加工部８が交差する部分に、
それぞれ被覆されていればよいが、特にこのダイ側加工
部４においてこのような部分のみにダイヤモンドコーテ
ィング被膜１０を被覆することが却って非効率的である
場合などには、これらダイ側加工部４やパンチ側加工部
８の表面全体にダイヤモンドコーティング被膜９、１０
を被覆するようにしてもよい。また、本実施形態では上
記パンチ１やダイ２の材質として超硬合金を用いている
が、これ以外にもＳｉＣやＳｉ3Ｎ4などのセラミックス
を用いることも可能である。
グ被膜９，１０は、パンチ１にあっては少なくともパン
チ側加工部８の先端部のピン７における上記有効長さの
部分まで、またダイ２にあっては少なくともダイ側加工
部４において上記パンチ側加工部８が交差する部分に、
それぞれ被覆されていればよいが、特にこのダイ側加工
部４においてこのような部分のみにダイヤモンドコーテ
ィング被膜１０を被覆することが却って非効率的である
場合などには、これらダイ側加工部４やパンチ側加工部
８の表面全体にダイヤモンドコーティング被膜９、１０
を被覆するようにしてもよい。また、本実施形態では上
記パンチ１やダイ２の材質として超硬合金を用いている
が、これ以外にもＳｉＣやＳｉ3Ｎ4などのセラミックス
を用いることも可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体リードの抜き加工に用いられるパンチやダイにお
いて、そのパンチ側加工部やダイ側加工部にダイヤモン
ドコーティング被膜を被覆することにより、これらパン
チ側加工部やダイ側加工部の耐摩耗性の向上を図るとと
もに、非鉄金属製のリードの抜き加工においても上記パ
ンチ側加工部やダイ側加工部に溶着が生じるのを抑える
ことができ、工具製造コストを抑えながらも、長期に渡
って抜き精度を安定かつ正確に維持して工具寿命の延長
を図ることができる。
半導体リードの抜き加工に用いられるパンチやダイにお
いて、そのパンチ側加工部やダイ側加工部にダイヤモン
ドコーティング被膜を被覆することにより、これらパン
チ側加工部やダイ側加工部の耐摩耗性の向上を図るとと
もに、非鉄金属製のリードの抜き加工においても上記パ
ンチ側加工部やダイ側加工部に溶着が生じるのを抑える
ことができ、工具製造コストを抑えながらも、長期に渡
って抜き精度を安定かつ正確に維持して工具寿命の延長
を図ることができる。
【図１】 本発明の第１の実施形態のパンチ１および第
２の実施形態のダイ２を示す斜視図である。
２の実施形態のダイ２を示す斜視図である。
【図２】 図１における矢線Ａ方向視の正面図である。
１ パンチ（抜き加工用工具） ２ ダイ（抜き加工用工具） ３，７ ピン ４ ダイ側加工部 ８ パンチ側加工部 ９，１０ ダイヤモンドコーティング被膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｂ Ｊ (72)発明者 福田 努 岐阜県安八郡神戸町大字横井字中新田1528 番地 株式会社リョウテック耐摩工具工場 内 (72)発明者 亀岡 誠司 兵庫県明石市魚住町金ヶ崎西大池179番地 １ エムエムシーコベルコツール株式会社 内 (72)発明者 西川 正寿 兵庫県明石市魚住町金ヶ崎西大池179番地 １ エムエムシーコベルコツール株式会社 内 (72)発明者 早崎 浩 兵庫県明石市魚住町金ヶ崎西大池179番地 １ エムエムシーコベルコツール株式会社 内 (72)発明者 冨永 哲光 兵庫県明石市魚住町金ヶ崎西大池179番地 １ エムエムシーコベルコツール株式会社 内 Ｆターム(参考） 4E048 AB01 FA01 FA04 FA08 FA09 4E050 JB09 JD03 JD07 5F061 AA01 BA01 EA13 5F067 AA09 DB01
Claims (3)
- 【請求項１】 ダイに対向して相対的に離接可能とされ
るパンチに櫛歯状のパンチ側加工部が設けられ、上記ダ
イ側に設けられる櫛歯状のダイ側加工部に載置された半
導体パッケージのリードを、上記パンチ側加工部を上記
ダイ側加工部と交差させることによってこれらパンチ側
加工部と上記ダイ側加工部との間で切断して抜き加工す
る半導体リード抜き加工用工具であって、上記パンチ側
加工部の先端部には、ダイヤモンドコーティング被膜が
被覆されていることを特徴とする半導体リード抜き加工
用工具。 - 【請求項２】 パンチに対向して相対的に離接可能とさ
れるダイに櫛歯状のダイ側加工部が設けられ、このダイ
側加工部に載置された半導体パッケージのリードを、上
記パンチ側に設けられる櫛歯状のパンチ側加工部を上記
ダイ側加工部と交差させることによってこれらパンチ側
加工部と上記ダイ側加工部との間で切断して抜き加工す
る半導体リード抜き加工用工具であって、上記ダイ側加
工部のうち少なくとも上記パンチ側加工部と交差する部
分には、ダイヤモンドコーティング被膜が被覆されてい
ることを特徴とする半導体リード抜き加工用工具。 - 【請求項３】 上記ダイヤモンドコーティング被膜は、
その表面粗さがＲｙ０．０５〜０．８μｍの範囲とされ
ていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載
の半導体リード抜き加工用工具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001088496A JP2002282958A (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 半導体リード抜き加工用工具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001088496A JP2002282958A (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 半導体リード抜き加工用工具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002282958A true JP2002282958A (ja) | 2002-10-02 |
Family
ID=18943582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001088496A Pending JP2002282958A (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | 半導体リード抜き加工用工具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002282958A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100780015B1 (ko) | 2006-11-23 | 2007-11-27 | 미크론정공 주식회사 | 반도체 패키지용 절단장치 |
| JP2008062283A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Aida Eng Ltd | 精密打ち抜き型 |
| JP2014216378A (ja) * | 2013-04-23 | 2014-11-17 | 三菱電機株式会社 | 樹脂バリ打ち抜き加工装置及びタイバー打ち抜き加工装置 |
| CN110814222A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-02-21 | 中山市木林森电子有限公司 | Led导线架高速切脚模具 |
| CN110814170A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-02-21 | 中山市木林森电子有限公司 | 可减少冲切粉屑的led导线架高速冲压级进模具 |
-
2001
- 2001-03-26 JP JP2001088496A patent/JP2002282958A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008062283A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Aida Eng Ltd | 精密打ち抜き型 |
| KR100780015B1 (ko) | 2006-11-23 | 2007-11-27 | 미크론정공 주식회사 | 반도체 패키지용 절단장치 |
| JP2014216378A (ja) * | 2013-04-23 | 2014-11-17 | 三菱電機株式会社 | 樹脂バリ打ち抜き加工装置及びタイバー打ち抜き加工装置 |
| CN110814222A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-02-21 | 中山市木林森电子有限公司 | Led导线架高速切脚模具 |
| CN110814170A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-02-21 | 中山市木林森电子有限公司 | 可减少冲切粉屑的led导线架高速冲压级进模具 |
| CN110814222B (zh) * | 2019-11-20 | 2021-04-16 | 中山市木林森电子有限公司 | Led导线架高速切脚模具 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040713 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |