JP2002280322A - レーザ照射装置及びレーザ照射方法 - Google Patents
レーザ照射装置及びレーザ照射方法Info
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- JP2002280322A JP2002280322A JP2001074159A JP2001074159A JP2002280322A JP 2002280322 A JP2002280322 A JP 2002280322A JP 2001074159 A JP2001074159 A JP 2001074159A JP 2001074159 A JP2001074159 A JP 2001074159A JP 2002280322 A JP2002280322 A JP 2002280322A
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- laser
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 構成が簡単で調整が容易なダブルパルスビー
ムが得られるレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供
する。 【解決手段】 発振器１から出射したＰ偏光のレーザ光
をλ／４板４で右円偏光の第一パルスビームとして照射
対象物３に照射し、照射対象物３で反射した左円偏光の
反射レーザ光をλ／４板４でＳ偏光の反射レーザ光とし
て偏光分離素子２で反射させ、偏光分離素子２で反射し
た反射レーザ光を０度ミラー５で偏光分離素子２に反射
させλ／４板４を透過させて円偏光の第二パルスビーム
として照射対象物３に照射する。したがって照射対象物
３に第一パルスビームが照射された後、連続して第二パ
ルスビームが照射される。主要機構は、三つの光学部品
２、４、５だけで構成されており、遅延光路によるダブ
ルパルス法と比べて少ない部品で構成でき、０度ミラー
５の調整だけで簡単に光軸合わせができる。
ムが得られるレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供
する。 【解決手段】 発振器１から出射したＰ偏光のレーザ光
をλ／４板４で右円偏光の第一パルスビームとして照射
対象物３に照射し、照射対象物３で反射した左円偏光の
反射レーザ光をλ／４板４でＳ偏光の反射レーザ光とし
て偏光分離素子２で反射させ、偏光分離素子２で反射し
た反射レーザ光を０度ミラー５で偏光分離素子２に反射
させλ／４板４を透過させて円偏光の第二パルスビーム
として照射対象物３に照射する。したがって照射対象物
３に第一パルスビームが照射された後、連続して第二パ
ルスビームが照射される。主要機構は、三つの光学部品
２、４、５だけで構成されており、遅延光路によるダブ
ルパルス法と比べて少ない部品で構成でき、０度ミラー
５の調整だけで簡単に光軸合わせができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ照射装置及
びレーザ照射方法に関する。
びレーザ照射方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶ディスプレイのガラス基板は低温ポ
リＳｉにＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を実装したものが
主流である。低温ポリシリコンはレーザ照射により非晶
質（アモルファス）Ｓｉに熱を加えて溶かして固めるこ
とにより生成できる。
リＳｉにＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を実装したものが
主流である。低温ポリシリコンはレーザ照射により非晶
質（アモルファス）Ｓｉに熱を加えて溶かして固めるこ
とにより生成できる。
【０００３】ＴＦＴの特性は電子移動度（単位ｃｍ2 ／
Ｖ・ｓｅｃ）が大きいほど良く、ポリシリコン粒径の大
きさに依存する。高い電子移動度を得るためには粒内欠
陥が少なく、径の大きい粒径を生成することが必要であ
る。
Ｖ・ｓｅｃ）が大きいほど良く、ポリシリコン粒径の大
きさに依存する。高い電子移動度を得るためには粒内欠
陥が少なく、径の大きい粒径を生成することが必要であ
る。
【０００４】そこでアモルファスＳｉにレーザアニール
を施して粒径を大きくすることが試みられた。
を施して粒径を大きくすることが試みられた。
【０００５】粒径は溶融時間が長いほど大きくなること
が分かっている。ここで、ＹＡＧレーザのようにパルス
幅の短いレーザでは、１パルスのレーザビームを照射す
るだけでは溶融時間が短く、生成される粒径は小さい。
そこで、１パルスのビームでアモルファスＳｉを溶融さ
せ、固化する前にもう一度パルスビームを照射すると溶
融時間が長くなり、結晶粒径が大きくなる。このため、
アモルファスＳｉのレーザアニールには１パルス照射よ
りもダブルパルス法の方が有利である。
が分かっている。ここで、ＹＡＧレーザのようにパルス
幅の短いレーザでは、１パルスのレーザビームを照射す
るだけでは溶融時間が短く、生成される粒径は小さい。
そこで、１パルスのビームでアモルファスＳｉを溶融さ
せ、固化する前にもう一度パルスビームを照射すると溶
融時間が長くなり、結晶粒径が大きくなる。このため、
アモルファスＳｉのレーザアニールには１パルス照射よ
りもダブルパルス法の方が有利である。
【０００６】このダブルパルス法は、２台のＹＡＧ第二
高調波レーザを用いてパルスビームの出射タイミングに
差を設けることにより二つのパルス状のレーザビームを
連続して照射対象物に照射する方法である。
高調波レーザを用いてパルスビームの出射タイミングに
差を設けることにより二つのパルス状のレーザビームを
連続して照射対象物に照射する方法である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術は、基本的にはレーザ光源から水平方向に出射さ
れるパルスビームを鉛直下向きに振り下ろす方法である
が、パルスビームが照射対象物で反射し、反射光（戻り
光）がレーザ光源に入射してレーザ光源を破損するおそ
れがある。また、照射対象物からの反射光が入射エネル
ギー（レーザ光源のエネルギー）の４０％もあり、ワン
ショット当たりのエネルギー効率が悪い。さらに、照射
対象物からの戻り光のエネルギーが大きいので、光学系
やレーザ光源の破損を防止するため、戻り光を光軸から
ずらす作業が必要である。
来技術は、基本的にはレーザ光源から水平方向に出射さ
れるパルスビームを鉛直下向きに振り下ろす方法である
が、パルスビームが照射対象物で反射し、反射光（戻り
光）がレーザ光源に入射してレーザ光源を破損するおそ
れがある。また、照射対象物からの反射光が入射エネル
ギー（レーザ光源のエネルギー）の４０％もあり、ワン
ショット当たりのエネルギー効率が悪い。さらに、照射
対象物からの戻り光のエネルギーが大きいので、光学系
やレーザ光源の破損を防止するため、戻り光を光軸から
ずらす作業が必要である。
【０００８】そこで、本発明者らは、１台のレーザ光源
を用いたメンテナンスの容易な「レーザ照射装置および
レーザ照射方法」を出願した（特願２０００−３９６３
１７号）。
を用いたメンテナンスの容易な「レーザ照射装置および
レーザ照射方法」を出願した（特願２０００−３９６３
１７号）。
【０００９】図２は本発明の前提となったレーザ照射装
置の構成の例を示す図である。
置の構成の例を示す図である。
【００１０】このレーザ照射装置は、固体レーザ発振器
１０１、反射ミラー１０２、１０３、１０８、１０９、
１１１〜１１４、λ／２板１０５、ＴＦＰ（Ｔｈｉｎ
Ｆｉｌｍ Ｐｏｌａｒｉｚｅｒ：薄膜偏光素子、垂直偏
光及び水平偏光のうちいずれか一方の偏光を反射し他方
の偏光を透過する素子）板１０６、１０７、レーザ光を
線状に加工する光学系１１０とを有している。尚、１０
４はエネルギーモニタ系であり、１１５はシャッター系
である。
１０１、反射ミラー１０２、１０３、１０８、１０９、
１１１〜１１４、λ／２板１０５、ＴＦＰ（Ｔｈｉｎ
Ｆｉｌｍ Ｐｏｌａｒｉｚｅｒ：薄膜偏光素子、垂直偏
光及び水平偏光のうちいずれか一方の偏光を反射し他方
の偏光を透過する素子）板１０６、１０７、レーザ光を
線状に加工する光学系１１０とを有している。尚、１０
４はエネルギーモニタ系であり、１１５はシャッター系
である。
【００１１】このレーザ照射装置は、固体レーザ発振器
１０１からのレーザビームを偏光分離素子１０６を用い
て二つのビームに分け、一方のビームの光路長を遅延光
路により他方のビームの光路長より長くし、ＴＦＰ板１
０７を用いて二つのビームを合成して図には示されてい
ない照射対象物に連続して照射するようになっている。
１０１からのレーザビームを偏光分離素子１０６を用い
て二つのビームに分け、一方のビームの光路長を遅延光
路により他方のビームの光路長より長くし、ＴＦＰ板１
０７を用いて二つのビームを合成して図には示されてい
ない照射対象物に連続して照射するようになっている。
【００１２】しかしながら、このレーザ照射装置は、遅
延光路を形成するため、光学部品が多数必要であり、最
初のパルスビームと最後のパルスビームとの光軸を合わ
せる必要があるという問題があった。
延光路を形成するため、光学部品が多数必要であり、最
初のパルスビームと最後のパルスビームとの光軸を合わ
せる必要があるという問題があった。
【００１３】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、構成が簡単で調整が容易なダブルパルスビームが得
られるレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供するこ
とにある。
し、構成が簡単で調整が容易なダブルパルスビームが得
られるレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供するこ
とにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のレーザ照射装置は、直線偏光のレーザ光を出
射するレーザ光源と、レーザ光の光軸上に所定の角度で
配置された偏光分離素子と、偏光分離素子と照射対象物
との間の光軸上に配置されたλ／４板と、照射対象物の
照射面で反射した後、光軸を通ってλ／４板を透過し、
偏光分離素子で反射した反射レーザ光を偏光分離素子に
反射させ、光軸を通ってλ／４板を透過させ照射対象物
に再度照射させる０度ミラーとを備えたものである。
に本発明のレーザ照射装置は、直線偏光のレーザ光を出
射するレーザ光源と、レーザ光の光軸上に所定の角度で
配置された偏光分離素子と、偏光分離素子と照射対象物
との間の光軸上に配置されたλ／４板と、照射対象物の
照射面で反射した後、光軸を通ってλ／４板を透過し、
偏光分離素子で反射した反射レーザ光を偏光分離素子に
反射させ、光軸を通ってλ／４板を透過させ照射対象物
に再度照射させる０度ミラーとを備えたものである。
【００１５】本発明のレーザ照射装置は、レーザ光源か
ら出射した直線偏光のレーザ光をレーザ光の光軸に対し
て所定の角度で配置された偏光分離素子に透過させ、透
過したレーザ光をλ／４板で速波軸と遅延軸との位相差
を９０°与えることにより円偏光にした後で照射対象物
に照射させ、照射対象物の照射面で反射した反射レーザ
光を光軸を通ってλ／４板に透過させて直線偏光にして
偏光分離素子で反射させ、偏光分離素子で反射した反射
レーザ光を０度ミラーに照射させ、０度ミラーで反射レ
ーザ光を偏光分離素子に反射させ、光軸を通ってλ／４
板を透過させて速波軸と遅延軸との位相差を９０°与え
ることにより円偏光にした後で反射レーザ光を照射対象
物の照射面に照射させるものである。
ら出射した直線偏光のレーザ光をレーザ光の光軸に対し
て所定の角度で配置された偏光分離素子に透過させ、透
過したレーザ光をλ／４板で速波軸と遅延軸との位相差
を９０°与えることにより円偏光にした後で照射対象物
に照射させ、照射対象物の照射面で反射した反射レーザ
光を光軸を通ってλ／４板に透過させて直線偏光にして
偏光分離素子で反射させ、偏光分離素子で反射した反射
レーザ光を０度ミラーに照射させ、０度ミラーで反射レ
ーザ光を偏光分離素子に反射させ、光軸を通ってλ／４
板を透過させて速波軸と遅延軸との位相差を９０°与え
ることにより円偏光にした後で反射レーザ光を照射対象
物の照射面に照射させるものである。
【００１６】本発明によれば、レーザ光源から出射した
直線偏光のレーザ光はレーザ光の光軸上に配置された偏
光分離素子を透過し、λ／４板で速波軸と遅延軸との位
相差を９０°与えることにより円偏光に変換されて照射
対象物に照射される。照射対象物に照射された円偏光の
レーザ光の一部は照射対象物の照射面で反射して逆回転
の円偏光の反射レーザ光として光軸を通ってλ／４板に
入射する。円偏光の反射レーザ光はλ／４板を透過する
とレーザ光源から出射された直後の直線偏光のレーザ光
と直交する直線偏光となる。この直線偏光の反射レーザ
光は偏光分離素子で反射して０度ミラーに入射する。０
度ミラーに入射した直線偏光の反射レーザ光は全反射し
て偏光分離素子に再度入射する。偏光分離素子に入射し
た反射レーザ光は偏光分離素子で反射し、λ／４板に再
度入射する。λ／４板に入射した直線偏光のレーザ光は
円偏光になり再度照射対象物に照射される。この結果、
照射対象物にはレーザ光と反射レーザ光とが時間をずら
して連続して照射される。レーザ照射装置は１台の光源
と、一つの偏光分離素子と、１枚のλ／４板と、１枚の
０度ミラーという簡単な構成で実現することができる。
また、光軸等の調整は０度ミラーの距離と角度を合わせ
ればよいため調整が容易である。
直線偏光のレーザ光はレーザ光の光軸上に配置された偏
光分離素子を透過し、λ／４板で速波軸と遅延軸との位
相差を９０°与えることにより円偏光に変換されて照射
対象物に照射される。照射対象物に照射された円偏光の
レーザ光の一部は照射対象物の照射面で反射して逆回転
の円偏光の反射レーザ光として光軸を通ってλ／４板に
入射する。円偏光の反射レーザ光はλ／４板を透過する
とレーザ光源から出射された直後の直線偏光のレーザ光
と直交する直線偏光となる。この直線偏光の反射レーザ
光は偏光分離素子で反射して０度ミラーに入射する。０
度ミラーに入射した直線偏光の反射レーザ光は全反射し
て偏光分離素子に再度入射する。偏光分離素子に入射し
た反射レーザ光は偏光分離素子で反射し、λ／４板に再
度入射する。λ／４板に入射した直線偏光のレーザ光は
円偏光になり再度照射対象物に照射される。この結果、
照射対象物にはレーザ光と反射レーザ光とが時間をずら
して連続して照射される。レーザ照射装置は１台の光源
と、一つの偏光分離素子と、１枚のλ／４板と、１枚の
０度ミラーという簡単な構成で実現することができる。
また、光軸等の調整は０度ミラーの距離と角度を合わせ
ればよいため調整が容易である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００１８】図１は本発明のレーザ照射方法を適用した
レーザ照射装置の一実施の形態を示す概念図である。
レーザ照射装置の一実施の形態を示す概念図である。
【００１９】本レーザ照射装置は、主に直線偏光（例え
ばＰ偏光）のＹＡＧ第二高調波レーザ光を出射するレー
ザ光源としての発振器１と、レーザ光の光軸Ｌ１上に所
定の角度θで配置された偏光分離素子（例えばＴＦＰ
板）２と、ＴＦＰ板２と照射対象物（例えばアモルファ
スＳｉ基板）３との間の光軸Ｌ１上に配置されたλ／４
板４と、照射対象物３の照射面３ａで反射した後、光軸
Ｌ２を通ってλ／４板４を透過し、ＴＦＰ板２で反射し
て光軸Ｌ３を通る反射レーザ光をＴＦＰ板２に再度反射
させ、光軸Ｌ２を通ってλ／４板４を透過させ照射対象
物３に再度照射させる０度ミラー（法線に対して０度で
入射した光を全反射するミラー）５とで構成されてい
る。尚、光軸Ｌ１と光軸Ｌ２は図では離れているが、同
一線上に存在する。
ばＰ偏光）のＹＡＧ第二高調波レーザ光を出射するレー
ザ光源としての発振器１と、レーザ光の光軸Ｌ１上に所
定の角度θで配置された偏光分離素子（例えばＴＦＰ
板）２と、ＴＦＰ板２と照射対象物（例えばアモルファ
スＳｉ基板）３との間の光軸Ｌ１上に配置されたλ／４
板４と、照射対象物３の照射面３ａで反射した後、光軸
Ｌ２を通ってλ／４板４を透過し、ＴＦＰ板２で反射し
て光軸Ｌ３を通る反射レーザ光をＴＦＰ板２に再度反射
させ、光軸Ｌ２を通ってλ／４板４を透過させ照射対象
物３に再度照射させる０度ミラー（法線に対して０度で
入射した光を全反射するミラー）５とで構成されてい
る。尚、光軸Ｌ１と光軸Ｌ２は図では離れているが、同
一線上に存在する。
【００２０】このレーザ照射装置が作動すると、発振器
１からＰ偏光のレーザ光がＴＦＰ板２に入射する。ＴＦ
Ｐ板２に入射したレーザ光はＰ偏光のまま透過してλ／
４板４に入射する。λ／４板４に入射したレーザ光は円
偏光（例えば右円偏光）になる。右円偏光となったレー
ザ光（以下「第一パルスビーム」という。）は照射対象
物３の照射面３ａに入射する。
１からＰ偏光のレーザ光がＴＦＰ板２に入射する。ＴＦ
Ｐ板２に入射したレーザ光はＰ偏光のまま透過してλ／
４板４に入射する。λ／４板４に入射したレーザ光は円
偏光（例えば右円偏光）になる。右円偏光となったレー
ザ光（以下「第一パルスビーム」という。）は照射対象
物３の照射面３ａに入射する。
【００２１】照射対象物３の照射面３ａにした第一パル
スビームの一部は反射し、その反射レーザ光は左円偏光
となって光軸Ｌ１を逆に辿ってλ／４板４に入射する。
λ／４板４に入射した反射レーザ光はＳ偏光の反射レー
ザ光となってＴＦＰ板２に入射する。ＴＦＰ板２に入射
した反射レーザ光はＴＦＰ板２によりブリュースター角
方向に全反射する。ＴＦＰ板２で全反射された反射レー
ザ光は０度ミラー５に入射する。０度ミラー５に入射し
た反射レーザ光は０度ミラー５で全反射してＴＦＰ板２
に入射する。ＴＦＰ板２に入射した反射レーザ光はＴＦ
Ｐ板２で全反射して光軸Ｌ１を通ってＳ偏光の反射レー
ザ光として再度λ／４板４に入射する。λ／４板４に入
射したＳ偏光の反射レーザ光はλ／４板４を透過して左
円偏光の反射レーザ光（以下「第二パルスビーム」）と
して照射対象物３の照射面３ａに入射する。第二パルス
ビームの出力は発振器１から出射されるレーザ光（以下
「元ビーム」という。）の出力の４０％程度である。
スビームの一部は反射し、その反射レーザ光は左円偏光
となって光軸Ｌ１を逆に辿ってλ／４板４に入射する。
λ／４板４に入射した反射レーザ光はＳ偏光の反射レー
ザ光となってＴＦＰ板２に入射する。ＴＦＰ板２に入射
した反射レーザ光はＴＦＰ板２によりブリュースター角
方向に全反射する。ＴＦＰ板２で全反射された反射レー
ザ光は０度ミラー５に入射する。０度ミラー５に入射し
た反射レーザ光は０度ミラー５で全反射してＴＦＰ板２
に入射する。ＴＦＰ板２に入射した反射レーザ光はＴＦ
Ｐ板２で全反射して光軸Ｌ１を通ってＳ偏光の反射レー
ザ光として再度λ／４板４に入射する。λ／４板４に入
射したＳ偏光の反射レーザ光はλ／４板４を透過して左
円偏光の反射レーザ光（以下「第二パルスビーム」）と
して照射対象物３の照射面３ａに入射する。第二パルス
ビームの出力は発振器１から出射されるレーザ光（以下
「元ビーム」という。）の出力の４０％程度である。
【００２２】したがって、本レーザ光照射装置によれ
ば、照射対象物３の照射面３ａに第一パルスビームが照
射された後、連続して第二パルスビームが照射されるこ
とになる。
ば、照射対象物３の照射面３ａに第一パルスビームが照
射された後、連続して第二パルスビームが照射されるこ
とになる。
【００２３】以上において本発明によれば、 (1) 主要機構は、三つの光学部品だけで構成されてお
り、遅延光路によるダブルパルス法と比べて少ない部品
で構成できる。 (2) 照射面に垂直にレーザ光を入射させれば０度ミラー
の調整だけで簡単に光軸合わせができる。 (3) 戻り光のエネルギーを有効に利用することができ
る。 (4) 最終的に発振器に戻ると予想される戻り光は、元ビ
ームの１６％となり、戻り光による発振器の損傷の危険
性が少なくなる。 (5) 第一パルスビームと第二パルスビームとのパルス間
隔は、反射光の光路長で制御することができるので、Ｔ
ＦＰ板の反射位置を変化させるだけで容易にパルス間隔
を変化させることができる。
り、遅延光路によるダブルパルス法と比べて少ない部品
で構成できる。 (2) 照射面に垂直にレーザ光を入射させれば０度ミラー
の調整だけで簡単に光軸合わせができる。 (3) 戻り光のエネルギーを有効に利用することができ
る。 (4) 最終的に発振器に戻ると予想される戻り光は、元ビ
ームの１６％となり、戻り光による発振器の損傷の危険
性が少なくなる。 (5) 第一パルスビームと第二パルスビームとのパルス間
隔は、反射光の光路長で制御することができるので、Ｔ
ＦＰ板の反射位置を変化させるだけで容易にパルス間隔
を変化させることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００２５】構成が簡単で調整が容易なダブルパルスビ
ームが得られるレーザ照射装置及びレーザ照射方法の提
供を実現することができる。
ームが得られるレーザ照射装置及びレーザ照射方法の提
供を実現することができる。
【図１】本発明のレーザ照射方法を適用したレーザ照射
装置の一実施の形態を示す概念図である。
装置の一実施の形態を示す概念図である。
【図２】本発明の前提となったレーザ照射装置の構成の
例を示す図である。
例を示す図である。
１ 発振器（レーザ光源） ２ ＴＦＰ板（偏光分離素子） ３ 照射対象物 ４ λ／４板 ５ ０度ミラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河口 紀仁 東京都江東区豊洲三丁目１番15号 石川島 播磨重工業株式会社東京エンジニアリング センター内 (72)発明者 正木 みゆき 東京都江東区豊洲三丁目１番15号 石川島 播磨重工業株式会社東京エンジニアリング センター内 (72)発明者 八木 武人 東京都江東区豊洲三丁目１番15号 石川島 播磨重工業株式会社東京エンジニアリング センター内 Ｆターム(参考） 2H099 AA17 BA09 CA05 CA07 4E068 CB08 CD11 5F052 AA02 BA14 BB02 DA02 JA01
Claims (2)
- 【請求項１】 直線偏光のレーザ光を出射するレーザ光
源と、該レーザ光の光軸上に所定の角度で配置された偏
光分離素子と、該偏光分離素子と照射対象物との間の光
軸上に配置されたλ／４板と、上記照射対象物の照射面
で反射した後、上記光軸を通って上記λ／４板を透過
し、上記偏光分離素子で反射した反射レーザ光を上記偏
光分離素子に反射させ、上記光軸を通って上記λ／４板
を透過させ上記照射対象物に再度照射させる０度ミラー
とを備えたことを特徴とするレーザ照射装置。 - 【請求項２】 レーザ光源から出射した直線偏光のレー
ザ光を該レーザ光の光軸に対して所定の角度で配置され
た偏光分離素子に透過させ、透過したレーザ光をλ／４
板で速波軸と遅延軸との位相差を９０°与えることによ
り円偏光にした後で照射対象物に照射させ、該照射対象
物の照射面で反射した反射レーザ光を上記光軸を通って
上記λ／４板に透過させて直線偏光にして上記偏光分離
素子で反射させ、上記偏光分離素子で反射した反射レー
ザ光を０度ミラーに照射させ、該０度ミラーで反射レー
ザ光を上記偏光分離素子に反射させ、上記光軸を通って
上記λ／４板を透過させて速波軸と遅延軸との位相差を
９０°与えることにより円偏光にした後で反射レーザ光
を上記照射対象物の照射面に照射させることを特徴とす
るレーザ照射方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001074159A JP2002280322A (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | レーザ照射装置及びレーザ照射方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001074159A JP2002280322A (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | レーザ照射装置及びレーザ照射方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002280322A true JP2002280322A (ja) | 2002-09-27 |
Family
ID=18931474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001074159A Pending JP2002280322A (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | レーザ照射装置及びレーザ照射方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002280322A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004349635A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザアニール方法及び装置 |
| JP2007080894A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ結晶化方法 |
| JP2008283107A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
| JP2009060041A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 結晶化方法および結晶化装置 |
| JP2010263063A (ja) * | 2009-05-07 | 2010-11-18 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ照射装置 |
| JP2011014914A (ja) * | 2010-07-20 | 2011-01-20 | Emd:Kk | 不純物活性化方法、半導体装置の製造方法 |
| JP2011204912A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザアニール処理体の製造方法およびレーザアニール装置 |
| JP2012104861A (ja) * | 2012-02-15 | 2012-05-31 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
| US20200156187A1 (en) * | 2018-11-15 | 2020-05-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser apparatus and substrate etching method using the same |
-
2001
- 2001-03-15 JP JP2001074159A patent/JP2002280322A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004349635A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザアニール方法及び装置 |
| JP4660074B2 (ja) * | 2003-05-26 | 2011-03-30 | 富士フイルム株式会社 | レーザアニール装置 |
| JP2007080894A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ結晶化方法 |
| JP2008283107A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
| JP2009060041A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 結晶化方法および結晶化装置 |
| JP2010263063A (ja) * | 2009-05-07 | 2010-11-18 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ照射装置 |
| JP2011204912A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザアニール処理体の製造方法およびレーザアニール装置 |
| JP2011014914A (ja) * | 2010-07-20 | 2011-01-20 | Emd:Kk | 不純物活性化方法、半導体装置の製造方法 |
| JP2012104861A (ja) * | 2012-02-15 | 2012-05-31 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置 |
| US20200156187A1 (en) * | 2018-11-15 | 2020-05-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser apparatus and substrate etching method using the same |
| US11752577B2 (en) * | 2018-11-15 | 2023-09-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser apparatus and substrate etching method using the same |
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