JP2009060041A - 結晶化方法および結晶化装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザ発振器から発振されたパルスレーザ光を、分割し、互いに光路長の異なる光路を進んだ後に合成する工程、合成されたパルスレーザ光を位相変調素子により所定の光強度分布を有するパルスレーザ光に変調する工程、及び前記所定の光強度分布を有するレーザ光を非単結晶膜に照射し、非単結晶を結晶化する工程を具備し、前記パルスレーザ光を分割し、合成する工程は、順番に配列された3つ以上の光学的分割・合成手段において、1つの光学的分割・合成手段により分割された一方のパルスレーザ光を、次の分割・合成手段により順次分割するとともに、1つの光学的分割・合成手段により分割された他方のパルスレーザ光を前の分割・合成手段により分割された他方のパルスレーザ光と合成することを特徴とする結晶化方法。
【選択図】 図4
Description
W. Yeh and M. Matsumura Jpn.Appl.Phys.Vol.41(2002)1909.
本実施例は、パルスレーザ光を使用して、上面にキャップ膜を形成した非晶質シリコン膜を結晶化した例である。
本実施例では、非晶質シリコン膜の上部にキャップ膜を設けないことを除いて、実施例1と同様にして、非晶質シリコン膜を結晶化した。
本実施例では、大粒径に成長する結晶粒について、その結晶核の発生を制御し、結晶粒が2次元的な広がりを持つものに関するものである。
Claims (12)
- レーザ発振器から発振されたパルスレーザ光を、分割し、互いに光路長の異なる光路を進んだ後に合成する工程、
合成されたパルスレーザ光を位相変調素子により所定の光強度分布を有するパルスレーザ光に変調する工程、及び
前記所定の光強度分布を有するレーザ光を非単結晶膜に照射し、非単結晶を結晶化する工程
を具備し、
前記パルスレーザ光を分割し、合成する工程は、順番に配列された3つ以上の光学的分割・合成手段において、1つの光学的分割・合成手段により分割された一方のパルスレーザ光を、次の分割・合成手段により順次分割するとともに、1つの光学的分割・合成手段により分割された他方のパルスレーザ光を前の分割・合成手段により分割された他方のパルスレーザ光と合成することを特徴とする結晶化方法。 - 前記非単結晶半導体膜の基板とは反対の面に、光透過性または光吸収性のキャップ層が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の結晶化方法。
- 前記光透過性キャップ層は、SiO2からなり、50nm〜650nmの厚さを有することを特徴とする請求項2に記載の結晶化方法。
- 前記光学的分割・合成手段は、3〜12個、配列されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の結晶化方法。
- 前記光学的分割・合成手段は、部分透過ミラー又は偏光ビームスプリッターであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の結晶化方法。
- 前記レーザ発振器から発振されるレーザ光は、波長が248nm以上であり、半値全幅が15ns〜30nsであって、前記レーザ光が分割された後、合成されて、前記非単結晶半導体膜に照射されるレーザ光の光強度は、前記非単結晶半導体膜を溶融した後、非単結晶半導体膜から基板あるいはキャップ層へ熱が拡散するのを補うように、時間的に変化することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の結晶化方法。
- 前記光学的分割・合成手段は、部分透過ミラーであって、これらの部分透過ミラーは、光路上でレーザ発振器に近い方から数えて1番目の部分透過ミラーの反射率R1が0.3以上0.6以下であって、2番目以降n番目までの部分透過ミラーの反射率は、R2<(R1/3)、かつ、R2<R3<R4<・・・<Rnであって、n番目の部分透過ミラーの後段に全反射ミラーが設置されており、隣接するミラーとの光路長は、2250mm以上5000mm以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の結晶化方法。
- 前記部分透過ミラーは7枚で構成され、光路上でレーザ発振器に近い方から数えてn番目の部分透過ミラーの反射率Rnは、R1=0.56±0.03、R2=0.07±0.03、R3=0.14±0.03、R4=0.17±0.03、R5=0.25±0.03、R6=0.35±0.03、R7=0.45±0.03であって、反射率R7の部分透過ミラーの次に全反射ミラーが配置されており、これら7枚の部分透過ミラーと1枚の全反射ミラーは、隣接するミラーとの光路長が4500mm離れて設置されており、1番目の部分透過ミラーを透過した光は2番目の部分透過ミラーへ入射され、1番目の部分透過ミラーで反射した光は照明光学系へ導入され、2番目の部分透過ミラーを透過した光は3番目の部分透過ミラーへ入射され、2番目の部分透過ミラーで反射した光は1番目の部分透過ミラーを経て照明光学系へ導入され、以下、n番目の部分透過ミラーを透過した光はn+1番目の部分透過ミラーへ入射され、n番目の部分透過ミラーで反射した光はn−1、n−2 ・・・、1番目の部分透過ミラーを経て照明光学系へ導入され、ただし7番目の部分透過ミラーを透過した光は全反射ミラーで反射されて7、6、・・・、1番目の部分透過ミラーを経て照明光学系へ導入されることを特徴とする請求項5又は6に記載の結晶化方法。
- n番目の部分透過ミラーの反射率Rnは、R1=0.40±0.03、R2=0.07±0.03、R3=0.085±0.03、R4=0.095±0.03、R5=0.125±0.03、R6=0.017±0.03、R7=0.25±0.03であることを特徴とする請求項7に記載の結晶化方法。
- 前記所定の光強度分布を有するパルスレーザ光への変調は、前記非単結晶半導体膜に前記パルスレーザ光が照射された際に、前記非単結晶半導体膜の少なくとも一部に単一の結晶核を発生させ、該単一結晶核から2次元的に結晶が成長するように行われることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の結晶化方法。
- パルスレーザ光を発振するレーザ発振器、
前記発振されたパルスレーザ光を分割し、互いに光路長の異なる光路を進んだ後に合成する光学的分割・合成手段、
合成されたパルスレーザ光を所定の光強度分布を有するパルスレーザ光に変調する位相変調素子、及び
前記所定の光強度分布を有するレーザ光を非単結晶膜に照射する結像光学系
とを具備し、
前記パルスレーザ光を分割し、合成する光学的分割・合成手段は、3つ以上配列され、分割された一方のパルスレーザ光を、下流の分割・合成手段により順次分割するとともに、分割された他方のパルスレーザ光を上流の分割・合成手段に戻し、分割された他方のパルスレーザ光と合成することを特徴とする結晶化装置。 - 前記光学的分割・合成手段は、3〜12個、配列されていることを特徴とする請求項11に記載の結晶化装置。
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