JP2002280315A - ガス供給方法およびガス供給装置 - Google Patents
ガス供給方法およびガス供給装置Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
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- H01J37/3244—Gas supply means
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ディスパージョンヘッドを通じてチャンバに
ガスを供給するガス供給方法およびガス供給装置を提供
する。 【解決手段】 ガスはディスパージョンヘッド４０３の
入口を通じて流入する。流入したガスは第１ディフュー
ザ４０５ａによりガスが供給される方向の側方向に発散
する。発散によりガスはディスパージョンヘッド４０３
の中心部位に供給される。中心部位に供給されるガスは
第２ディフューザ４０５ｂによりガスが供給される方向
の側方向に発散する。発散によりガスはディスパージョ
ンヘッド４０３の外郭部位に供給される。ガスは発散に
より均一な分布を有し、ディスパージョンヘッド４０３
の出口を通じてチャンバ４０に供給される。これによ
り、チャンバ４０内に置かれている基板Ｗに均一にガス
が供給される。
ガスを供給するガス供給方法およびガス供給装置を提供
する。 【解決手段】 ガスはディスパージョンヘッド４０３の
入口を通じて流入する。流入したガスは第１ディフュー
ザ４０５ａによりガスが供給される方向の側方向に発散
する。発散によりガスはディスパージョンヘッド４０３
の中心部位に供給される。中心部位に供給されるガスは
第２ディフューザ４０５ｂによりガスが供給される方向
の側方向に発散する。発散によりガスはディスパージョ
ンヘッド４０３の外郭部位に供給される。ガスは発散に
より均一な分布を有し、ディスパージョンヘッド４０３
の出口を通じてチャンバ４０に供給される。これによ
り、チャンバ４０内に置かれている基板Ｗに均一にガス
が供給される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体工程に使用さ
れるガス供給方法およびガス供給装置に関するものであ
り、より詳細にはディスパージョンヘッドを通じてチャ
ンバにガスを供給する方法および装置に関するものであ
る。
れるガス供給方法およびガス供給装置に関するものであ
り、より詳細にはディスパージョンヘッドを通じてチャ
ンバにガスを供給する方法および装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近来、コンピュータのような情報媒体の
急速な普及により、半導体装置も飛躍的に発展してい
る。その機能面において、半導体装置は高速で動作する
と同時に大容量の貯蔵能力を有することが要求される。
これにより、半導体メモリ素子は、集積度、信頼度およ
び応答速度などを向上させる方向に製造技術が発展して
いる。これにより、半導体装置の集積度向上のための主
な技術として膜形成のための化学気相蒸着またはパター
ン形成のためのプラズマエッチングなどのような加工技
術に対する要求も厳格になっている。
急速な普及により、半導体装置も飛躍的に発展してい
る。その機能面において、半導体装置は高速で動作する
と同時に大容量の貯蔵能力を有することが要求される。
これにより、半導体メモリ素子は、集積度、信頼度およ
び応答速度などを向上させる方向に製造技術が発展して
いる。これにより、半導体装置の集積度向上のための主
な技術として膜形成のための化学気相蒸着またはパター
ン形成のためのプラズマエッチングなどのような加工技
術に対する要求も厳格になっている。
【０００３】最近、半導体装置は０．１５μｍ以下のデ
ザイン−ルールを有する。ゆえに、基板上に形成する膜
またはパターンは均一の厚みを有するように形成しなけ
ればならない。このために、膜またはパターンを形成す
るとき、基板の全面に膜またはパターンを形成するため
のガスが均一に供給されるかの可否を工程条件に設定
し、ガスの供給を制御する。
ザイン−ルールを有する。ゆえに、基板上に形成する膜
またはパターンは均一の厚みを有するように形成しなけ
ればならない。このために、膜またはパターンを形成す
るとき、基板の全面に膜またはパターンを形成するため
のガスが均一に供給されるかの可否を工程条件に設定
し、ガスの供給を制御する。
【０００４】したがって、膜またはパターンを形成する
装置は、ガスを均一に供給するディスパージョンヘッ
ド、ならびにディスパージョンヘッドに設けられるディ
フューザなどのような部材を含む。ガスを均一に供給す
るための部材が設けられる装置に対する一例は、日本特
開平２−７１５１１号、日本特開２０００−５８２９４
号、ハラン（Ｈａｒｌａｎ）に許与された米国特許第
５，５９５，６０２号、ならびに韓国特公開第９８−８
２８５３号に開示されている。
装置は、ガスを均一に供給するディスパージョンヘッ
ド、ならびにディスパージョンヘッドに設けられるディ
フューザなどのような部材を含む。ガスを均一に供給す
るための部材が設けられる装置に対する一例は、日本特
開平２−７１５１１号、日本特開２０００−５８２９４
号、ハラン（Ｈａｒｌａｎ）に許与された米国特許第
５，５９５，６０２号、ならびに韓国特公開第９８−８
２８５３号に開示されている。
【０００５】図１は従来の半導体工程に使用される加工
装置を説明するための構成図である。図１に示したよう
に、加工装置は基板Ｗ上に膜を形成する膜形成装置また
は基板上に形成されている膜をエッチングしパターンを
形成するエッチング装置に該当する。膜形成装置または
エッチング装置に対する選択は工程条件により決定され
る。
装置を説明するための構成図である。図１に示したよう
に、加工装置は基板Ｗ上に膜を形成する膜形成装置また
は基板上に形成されている膜をエッチングしパターンを
形成するエッチング装置に該当する。膜形成装置または
エッチング装置に対する選択は工程条件により決定され
る。
【０００６】加工装置はチャンバ１０内に基板Ｗが置か
れる受け台１０１を含む。そして、加工装置はチャンバ
１０の上側に設けられるディスパージョンヘッド１０
３、ならびにディスパージョンヘッド１０３内部に設け
られるディフューザ１０５を含む。ディスパージョンヘ
ッド１０３は一側にガスが流入する入口、ならびに他側
にガスが流出する出口を有する。出口は多数個のホール
を含む。したがって、ガスはディスパージョンヘッド１
０３の入口を通じて流入し、ディフューザ１０５により
発散した後に、ディスパージョンヘッド１０３の出口を
通じて、チャンバ１０内に置かれている基板Ｗに供給さ
れる。
れる受け台１０１を含む。そして、加工装置はチャンバ
１０の上側に設けられるディスパージョンヘッド１０
３、ならびにディスパージョンヘッド１０３内部に設け
られるディフューザ１０５を含む。ディスパージョンヘ
ッド１０３は一側にガスが流入する入口、ならびに他側
にガスが流出する出口を有する。出口は多数個のホール
を含む。したがって、ガスはディスパージョンヘッド１
０３の入口を通じて流入し、ディフューザ１０５により
発散した後に、ディスパージョンヘッド１０３の出口を
通じて、チャンバ１０内に置かれている基板Ｗに供給さ
れる。
【０００７】図２は図１に設けられるディフューザを示
す斜視図である。図２に示したように、図面はディフュ
ーザ１０５を示す。ディフューザは円形のプレート形状
を有する。円形のプレート形状を有するディフューザは
ディスパージョンヘッド内部に設けられ、ディスパージ
ョンヘッドを通じて供給されるガスをブローキングし発
散させる。したがって、ガスが発散により均一である分
布を有し、チャンバ内に置かれている基板に供給され
る。
す斜視図である。図２に示したように、図面はディフュ
ーザ１０５を示す。ディフューザは円形のプレート形状
を有する。円形のプレート形状を有するディフューザは
ディスパージョンヘッド内部に設けられ、ディスパージ
ョンヘッドを通じて供給されるガスをブローキングし発
散させる。したがって、ガスが発散により均一である分
布を有し、チャンバ内に置かれている基板に供給され
る。
【０００８】その他にも、ディフューザはガスを均一に
供給することができるように多様な形態に形成される。
米国特許第５，５９５，６０２号によると、多孔性のシ
ンタリング（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）されたディフューザ
が開示されている。この多孔性のシンタリングされたデ
ィフューザにより基板の全面に均一にガスを供給する構
成を有する。
供給することができるように多様な形態に形成される。
米国特許第５，５９５，６０２号によると、多孔性のシ
ンタリング（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）されたディフューザ
が開示されている。この多孔性のシンタリングされたデ
ィフューザにより基板の全面に均一にガスを供給する構
成を有する。
【０００９】韓国特公開第９８−８２８５３号による
と、中心部位に貫通ホールを有するディフューザが開示
されている。この貫通ホールを通じてガスが基板に供給
されることにより、基板の全面に均一にガスを供給する
構成を有する。日本特開２０００−５８２９４号による
と、同一の直径を有する二つのディフューザが開示され
ている。二つのディフューザは相互に異なる形態のホー
ルを有し平行に設けられる。この二つのディフューザに
より基板に全面に均一にガスを供給する構成を有する。
と、中心部位に貫通ホールを有するディフューザが開示
されている。この貫通ホールを通じてガスが基板に供給
されることにより、基板の全面に均一にガスを供給する
構成を有する。日本特開２０００−５８２９４号による
と、同一の直径を有する二つのディフューザが開示され
ている。二つのディフューザは相互に異なる形態のホー
ルを有し平行に設けられる。この二つのディフューザに
より基板に全面に均一にガスを供給する構成を有する。
【００１０】日本特開平２−７１５１１号によると、相
異する直径のホールを有するディスパージョンヘッドが
開示されている。このディスパージョンヘッドにより基
板の全面に均一にガスを供給する構成を有する。このよ
うに、ディスパージョンヘッドおよびディフューザによ
りガスは均一に分布して、チャンバ内に置かれている基
板の全面に供給される。
異する直径のホールを有するディスパージョンヘッドが
開示されている。このディスパージョンヘッドにより基
板の全面に均一にガスを供給する構成を有する。このよ
うに、ディスパージョンヘッドおよびディフューザによ
りガスは均一に分布して、チャンバ内に置かれている基
板の全面に供給される。
【００１１】しかし、円形のプレート形状を有するディ
フューザのブローキングによりガスを発散させる場合に
は、均一の分布を有するようにガスを発散できない場合
が頻繁に発生する。したがって、チャンバ内に置かれて
いる基板の全面に均一にガスが供給されない。これは、
ディフューザによりガスがディスパージョンヘッドの外
郭外部に偏重（ｐｒｅｐｏｎｄｅｒａｎｃｅ）し発散す
るためである。
フューザのブローキングによりガスを発散させる場合に
は、均一の分布を有するようにガスを発散できない場合
が頻繁に発生する。したがって、チャンバ内に置かれて
いる基板の全面に均一にガスが供給されない。これは、
ディフューザによりガスがディスパージョンヘッドの外
郭外部に偏重（ｐｒｅｐｏｎｄｅｒａｎｃｅ）し発散す
るためである。
【００１２】図３は図１の加工装置を使用し基板上に膜
を形成した状態を示す断面図である。図３に示したよう
に、基板３０上に膜３２が形成されている。膜３２には
絶縁膜または金属膜などが該当する。絶縁膜または金属
膜に対する選択は工程条件による。
を形成した状態を示す断面図である。図３に示したよう
に、基板３０上に膜３２が形成されている。膜３２には
絶縁膜または金属膜などが該当する。絶縁膜または金属
膜に対する選択は工程条件による。
【００１３】そして、膜３２はガスの供給を受け、ガス
との反応により形成される。このとき、膜３２はガスが
基板３０の全面に均一に供給される場合、均一の厚みを
有するように形成される。しかし、図１の装置を使用し
基板３０上に膜３２を形成する場合、基板３０の周縁部
位に形成される膜の厚み（ｌ1）が基板３０の中心部位
に形成される膜の厚み（ｌ2）よりさらに厚く形成され
る。これは、基板３０の全面にガスが不均一に供給され
るためである。即ち、基板３０の中心部位より周縁部位
にガスが多く供給されるためである。
との反応により形成される。このとき、膜３２はガスが
基板３０の全面に均一に供給される場合、均一の厚みを
有するように形成される。しかし、図１の装置を使用し
基板３０上に膜３２を形成する場合、基板３０の周縁部
位に形成される膜の厚み（ｌ1）が基板３０の中心部位
に形成される膜の厚み（ｌ2）よりさらに厚く形成され
る。これは、基板３０の全面にガスが不均一に供給され
るためである。即ち、基板３０の中心部位より周縁部位
にガスが多く供給されるためである。
【００１４】このように、膜の厚みが不均一に形成され
ることにより、ガスが不均一に供給されていることを確
認できる。そして、ガスが不均一に供給される原因は、
ガスを供給するディスパージョンヘッドおよびディフュ
ーザにあることが明白である。特に、ディフューザがガ
スをディスパージョンヘッドの中心領域に発散しないた
めである。
ることにより、ガスが不均一に供給されていることを確
認できる。そして、ガスが不均一に供給される原因は、
ガスを供給するディスパージョンヘッドおよびディフュ
ーザにあることが明白である。特に、ディフューザがガ
スをディスパージョンヘッドの中心領域に発散しないた
めである。
【００１５】したがって、ディスパージョンヘッドおよ
びディフューザの欠陥によりガスを均一に供給しないの
で、膜またはパターンが不均一な厚みに形成される。こ
れは、半導体工程において、不良の原因として作用す
る。したがって、不均一なガスの供給は半導体装置の製
造における信頼度を低下させる問題点として作用する。
びディフューザの欠陥によりガスを均一に供給しないの
で、膜またはパターンが不均一な厚みに形成される。こ
れは、半導体工程において、不良の原因として作用す
る。したがって、不均一なガスの供給は半導体装置の製
造における信頼度を低下させる問題点として作用する。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１目的は、
ディスパージョンヘッドの中心領域および外郭領域を含
む全ての領域に均一にガスを発散させるガス供給方法を
提供することにある。本発明の第２目的は、ディスパー
ジョンヘッドの中心領域および外郭領域を含む全ての領
域で均一に発散したガスをチャンバに供給するガス供給
方法を提供することにある。
ディスパージョンヘッドの中心領域および外郭領域を含
む全ての領域に均一にガスを発散させるガス供給方法を
提供することにある。本発明の第２目的は、ディスパー
ジョンヘッドの中心領域および外郭領域を含む全ての領
域で均一に発散したガスをチャンバに供給するガス供給
方法を提供することにある。
【００１７】本発明の第３目的は、ディスパージョンヘ
ッドの中心領域および外郭領域を含む全ての領域にガス
を均一に発散させるガス供給装置を提供することにあ
る。本発明の第４目的は、ディスパージョンヘッドの中
心領域および外郭領域を含む全て領域で均一に発散した
ガスをチャンバに供給し工程を実施できるようにするガ
ス供給装置を提供することにある。
ッドの中心領域および外郭領域を含む全ての領域にガス
を均一に発散させるガス供給装置を提供することにあ
る。本発明の第４目的は、ディスパージョンヘッドの中
心領域および外郭領域を含む全て領域で均一に発散した
ガスをチャンバに供給し工程を実施できるようにするガ
ス供給装置を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】前記の第１目的および第
２目的を達成するための本発明の請求項１記載のガス供
給方法は、ディスパージョンヘッド（ｄｉｓｐｅｒｓｉ
ｏｎ ｈｅａｄ）内に整列された第１ディフューザ（ｄ
ｉｆｆｕｓｅｒ）に向かってガスをフローさせる段階
と、ガスをディフューザでブローキングさせることによ
り、ガスがフローする方向にガスを一番目に発散（ｄｉ
ｆｆｕｓｉｎｇ）させる段階と、一番目に発散したガス
の一部をディスパージョンヘッドの出口を通じて、チャ
ンバ内に整列された基板に向かうようにガイドする段階
と、一番目に発散させたガスの残りを第１ディフューザ
と基板との間に整列された第２ディフューザにブローキ
ングさせることにより、ガスがフローする方向の側方向
にガスを二番目に発散させる段階と、二番目に発散した
ガスの一部をディスパージョンヘッドの出口を通じて、
チャンバ内に整列された基板に向かうようにガイドする
段階とを含む。
２目的を達成するための本発明の請求項１記載のガス供
給方法は、ディスパージョンヘッド（ｄｉｓｐｅｒｓｉ
ｏｎ ｈｅａｄ）内に整列された第１ディフューザ（ｄ
ｉｆｆｕｓｅｒ）に向かってガスをフローさせる段階
と、ガスをディフューザでブローキングさせることによ
り、ガスがフローする方向にガスを一番目に発散（ｄｉ
ｆｆｕｓｉｎｇ）させる段階と、一番目に発散したガス
の一部をディスパージョンヘッドの出口を通じて、チャ
ンバ内に整列された基板に向かうようにガイドする段階
と、一番目に発散させたガスの残りを第１ディフューザ
と基板との間に整列された第２ディフューザにブローキ
ングさせることにより、ガスがフローする方向の側方向
にガスを二番目に発散させる段階と、二番目に発散した
ガスの一部をディスパージョンヘッドの出口を通じて、
チャンバ内に整列された基板に向かうようにガイドする
段階とを含む。
【００１９】また、請求項２記載の手段を採用すること
により、（ｎ−１）番目に発散させたガスの残りを第
（ｎ−１）ディフューザと基板上に整列された第ｎディ
フューザとでブローキングさせることにより、ガスがフ
ローする方向の側方向にガスを発散させる段階と、ｎ番
目に発散したガスの一部をディスパージョンヘッドの出
口を通じて、チャンバ内に整列された基板に向かうよう
にガイドする段階とを含み、ｎは２より大きな自然数で
ある。
により、（ｎ−１）番目に発散させたガスの残りを第
（ｎ−１）ディフューザと基板上に整列された第ｎディ
フューザとでブローキングさせることにより、ガスがフ
ローする方向の側方向にガスを発散させる段階と、ｎ番
目に発散したガスの一部をディスパージョンヘッドの出
口を通じて、チャンバ内に整列された基板に向かうよう
にガイドする段階とを含み、ｎは２より大きな自然数で
ある。
【００２０】このように、ガスを順次に発散させること
により、ディスパージョンヘッドの全ての領域にガスが
均一に分布される。そして、均一な分布を有するガスが
チャンバに供給される。このとき、チャンバに供給され
るガスは均一な分布を有するために均一に供給される。
により、ディスパージョンヘッドの全ての領域にガスが
均一に分布される。そして、均一な分布を有するガスが
チャンバに供給される。このとき、チャンバに供給され
るガスは均一な分布を有するために均一に供給される。
【００２１】前記の第３目的および第４目的を達成する
ための本発明の請求項７記載のガス供給装置は、ガスが
供給される入口、ならびにガスが排出される出口を有す
るディスパージョンヘッドと、ディスパージョンヘッド
の中心部位、ならびにガスが供給される入口下部に整列
される第１ディフューザと、第１ディフューザの下部外
側に放射方向に整列され、ディスパージョンヘッド外郭
部位に整列される第２ディフューザとを備え、第１ディ
フューザと第２ディフューザは入口を通じて供給される
ガスの方向に対し垂直に相互に離隔されて配置され、デ
ィスパージョンヘッドの中心部位および外郭部位に放射
状に配置される。
ための本発明の請求項７記載のガス供給装置は、ガスが
供給される入口、ならびにガスが排出される出口を有す
るディスパージョンヘッドと、ディスパージョンヘッド
の中心部位、ならびにガスが供給される入口下部に整列
される第１ディフューザと、第１ディフューザの下部外
側に放射方向に整列され、ディスパージョンヘッド外郭
部位に整列される第２ディフューザとを備え、第１ディ
フューザと第２ディフューザは入口を通じて供給される
ガスの方向に対し垂直に相互に離隔されて配置され、デ
ィスパージョンヘッドの中心部位および外郭部位に放射
状に配置される。
【００２２】また請求項８記載の手段を採用することに
より、第（ｎ−１）ディフューザの下部外側に放射方向
に整列され、ディスパージョンヘッドの外郭部位に整列
される第ｎディフューザをさらに備え、第ｎディフュー
ザと第（ｎ−１）ディフューザは入口を通じて供給され
るガスの方向に対し垂直に相互に離隔されて配置され、
ディスパージョンヘッドの中心部位および外郭部位に放
射状に配置され、ｎは２より大きな自然数である。
より、第（ｎ−１）ディフューザの下部外側に放射方向
に整列され、ディスパージョンヘッドの外郭部位に整列
される第ｎディフューザをさらに備え、第ｎディフュー
ザと第（ｎ−１）ディフューザは入口を通じて供給され
るガスの方向に対し垂直に相互に離隔されて配置され、
ディスパージョンヘッドの中心部位および外郭部位に放
射状に配置され、ｎは２より大きな自然数である。
【００２３】請求項９記載の手段を採用することによ
り、第１ディフューザは円形（ｃｉｒｃｌｅ ｔｙｐ
ｅ）のプレート形状を有し、第２ディフューザは環形
（ａｎｎｕｌａｒ ｔｙｐｅ）プレート形状を有する。
なお請求項１０記載の手段を採用することにより、第２
ディフューザの内部直径が第１ディフューザの外部直径
より大きい。
り、第１ディフューザは円形（ｃｉｒｃｌｅ ｔｙｐ
ｅ）のプレート形状を有し、第２ディフューザは環形
（ａｎｎｕｌａｒ ｔｙｐｅ）プレート形状を有する。
なお請求項１０記載の手段を採用することにより、第２
ディフューザの内部直径が第１ディフューザの外部直径
より大きい。
【００２４】また、請求項１５または１６記載の手段を
採用することにより、チャンバは、プラズマ反応を利用
し基板上に膜を形成するためのチャンバであり、また
は、チャンバはプラズマ反応を利用し基板上に形成され
ている膜をエッチングするためのチャンバである。
採用することにより、チャンバは、プラズマ反応を利用
し基板上に膜を形成するためのチャンバであり、また
は、チャンバはプラズマ反応を利用し基板上に形成され
ている膜をエッチングするためのチャンバである。
【００２５】このように、第１ディフューザから第ｎデ
ィフューザを設け、ガスを発散させ、ガスをディスパー
ジョンヘッドの全て領域に均一に発散させることができ
る。したがって、均一に発散したガスをチャンバに供給
するため、ガスはチャンバに均一に供給される。ガスを
均一に供給することにより、基板上に均一な厚みを有す
る膜またはパターンを形成することができる。
ィフューザを設け、ガスを発散させ、ガスをディスパー
ジョンヘッドの全て領域に均一に発散させることができ
る。したがって、均一に発散したガスをチャンバに供給
するため、ガスはチャンバに均一に供給される。ガスを
均一に供給することにより、基板上に均一な厚みを有す
る膜またはパターンを形成することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の望
ましい実施例をより詳細に説明する。図４は本発明の第
１実施例による半導体工程に使用される加工装置を説明
するための構成図である。図４に示したように、加工装
置は基板Ｗ上に膜を形成する膜形成装置または基板Ｗ上
に形成されている膜をエッチングし、パターンを形成す
るエッチング装置に該当する。膜形成装置またはエッチ
ング装置に対する選択は、工程条件により決定される。
そして、加工装置はプラズマ反応を用いて膜またはパタ
ーンを形成する加工装置を含む。
ましい実施例をより詳細に説明する。図４は本発明の第
１実施例による半導体工程に使用される加工装置を説明
するための構成図である。図４に示したように、加工装
置は基板Ｗ上に膜を形成する膜形成装置または基板Ｗ上
に形成されている膜をエッチングし、パターンを形成す
るエッチング装置に該当する。膜形成装置またはエッチ
ング装置に対する選択は、工程条件により決定される。
そして、加工装置はプラズマ反応を用いて膜またはパタ
ーンを形成する加工装置を含む。
【００２７】加工装置にシラン（ＳｉＨ4）ガスおよび
酸素ガスを供給し、シランガスおよび酸素ガスを解離
し、プラズマ状態に形成する工程条件を組成する場合、
基板上に酸化膜が形成される。このとき、工程条件中で
圧力、温度および時間などのような工程条件は、酸化膜
の厚みなどにより決定される。
酸素ガスを供給し、シランガスおよび酸素ガスを解離
し、プラズマ状態に形成する工程条件を組成する場合、
基板上に酸化膜が形成される。このとき、工程条件中で
圧力、温度および時間などのような工程条件は、酸化膜
の厚みなどにより決定される。
【００２８】加工装置にＣＨＦ3ガスを供給し、ＣＨＦ3
ガスを解離しプラズマ状態に形成する工程条件を組成す
る場合、基板上に形成されている酸化膜は酸化膜パター
ンにより形成される。このとき、パターンを形成するた
めのパターンマスクはフォトレジストパターンを使用す
る。そして、工程条件中で、圧力、温度、および時間な
どのような工程条件はエッチングされる酸化膜の厚みな
どにより決定される。
ガスを解離しプラズマ状態に形成する工程条件を組成す
る場合、基板上に形成されている酸化膜は酸化膜パター
ンにより形成される。このとき、パターンを形成するた
めのパターンマスクはフォトレジストパターンを使用す
る。そして、工程条件中で、圧力、温度、および時間な
どのような工程条件はエッチングされる酸化膜の厚みな
どにより決定される。
【００２９】加工装置はチャンバ４０内に基板Ｗ内に基
板が置かれる受け台４０１を含む。そして、加工装置は
チャンバ４０内に設けられるディスパージョンヘッド４
０３、ならびにディスパージョンヘッド４０３内部に設
けられる第１ディフューザ４０５ａおよび第２ディフュ
ーザ４０５ｂを含む。
板が置かれる受け台４０１を含む。そして、加工装置は
チャンバ４０内に設けられるディスパージョンヘッド４
０３、ならびにディスパージョンヘッド４０３内部に設
けられる第１ディフューザ４０５ａおよび第２ディフュ
ーザ４０５ｂを含む。
【００３０】第１ディフューザはガスが流入する方向を
基準にディスパージョンヘッドの上側に設けられ、第２
ディフューザはディスパージョンヘッド内部に第１ディ
フューザが設けられた下側に設けられる。第１ディフュ
ーザはディスパージョンヘッドの中心部位に設けられ、
第２ディフューザはディスパージョンヘッドの中心部位
を除外した外郭部位に設けられる。したがって、第１デ
ィフューザはディスパージョンヘッドの中心部位を占め
（ｏｃｃｕｐｙｉｎｇ）、第２ディフューザはディスパ
ージョンヘッドの中心部位を除外した外郭部位を占める
構成を有する。
基準にディスパージョンヘッドの上側に設けられ、第２
ディフューザはディスパージョンヘッド内部に第１ディ
フューザが設けられた下側に設けられる。第１ディフュ
ーザはディスパージョンヘッドの中心部位に設けられ、
第２ディフューザはディスパージョンヘッドの中心部位
を除外した外郭部位に設けられる。したがって、第１デ
ィフューザはディスパージョンヘッドの中心部位を占め
（ｏｃｃｕｐｙｉｎｇ）、第２ディフューザはディスパ
ージョンヘッドの中心部位を除外した外郭部位を占める
構成を有する。
【００３１】図５は図４に設けられる第１ディフューザ
および第２ディフューザを説明するための平面図であ
る。図５は第１ディフューザ４０５ａおよび第２ディフ
ューザ４０５ｂを示す。第１ディフューザ４０５ａは円
形のプレート形状を有する。そして、第２ディフューザ
４０５ｂは環形のプレート形状を有する。このとき、第
２ディフューザは第１ディフューザの周縁部位から離隔
される外郭を取囲む大きさを有する。
および第２ディフューザを説明するための平面図であ
る。図５は第１ディフューザ４０５ａおよび第２ディフ
ューザ４０５ｂを示す。第１ディフューザ４０５ａは円
形のプレート形状を有する。そして、第２ディフューザ
４０５ｂは環形のプレート形状を有する。このとき、第
２ディフューザは第１ディフューザの周縁部位から離隔
される外郭を取囲む大きさを有する。
【００３２】図６は本発明の第２実施例による第１ディ
フューザから第３ディフューザが設けられるガス供給装
置を説明するための構成図である。図６はディスパージ
ョンヘッド６０３、ならびにディスパージョンヘッド６
０３に設けられる第１ディフューザ６０５ａ、第２ディ
フューザ６０５ｂおよび第３ディフューザ６０５ｃを示
す。第１ディフューザ６０５ａは円形のプレート形状を
有する。そして、第２ディフューザ６０５ｂは環形のプ
レート形状を有する。このとき、第２ディフューザは第
１ディフューザの周縁部位から離隔される外郭を取囲む
大きさを有する。第３ディフューザ６０５ｃは第２ディ
フューザと同様に、環形のプレート形状を有する。この
とき、第３ディフューザ６０５ｃは第２ディフューザ６
０５ｂの周縁部位から離隔される外郭を取囲む大きさを
有する。そして、第１ディフューザ６０５ａはディスパ
ージョンヘッドの上側に設けられ、第２ディフューザ６
０５ｂはディスパージョンヘッド内部に第１ディフュー
ザが設けられた下側に設けられ、第３ディフューザ６０
５ｃはディスパージョンヘッド内部に第２ディフューザ
が設けられた下側に設けられる。そして、第１ディフュ
ーザ６０５ａはディスパージョンヘッドの中心部位を占
め、第２ディフューザ６０５ｂはディスパージョンヘッ
ドの中心部位を除外した外郭部位を占め、第３ディフュ
ーザ６０５ｃは第２ディフューザが占める外郭部位より
外側の部位を占める。
フューザから第３ディフューザが設けられるガス供給装
置を説明するための構成図である。図６はディスパージ
ョンヘッド６０３、ならびにディスパージョンヘッド６
０３に設けられる第１ディフューザ６０５ａ、第２ディ
フューザ６０５ｂおよび第３ディフューザ６０５ｃを示
す。第１ディフューザ６０５ａは円形のプレート形状を
有する。そして、第２ディフューザ６０５ｂは環形のプ
レート形状を有する。このとき、第２ディフューザは第
１ディフューザの周縁部位から離隔される外郭を取囲む
大きさを有する。第３ディフューザ６０５ｃは第２ディ
フューザと同様に、環形のプレート形状を有する。この
とき、第３ディフューザ６０５ｃは第２ディフューザ６
０５ｂの周縁部位から離隔される外郭を取囲む大きさを
有する。そして、第１ディフューザ６０５ａはディスパ
ージョンヘッドの上側に設けられ、第２ディフューザ６
０５ｂはディスパージョンヘッド内部に第１ディフュー
ザが設けられた下側に設けられ、第３ディフューザ６０
５ｃはディスパージョンヘッド内部に第２ディフューザ
が設けられた下側に設けられる。そして、第１ディフュ
ーザ６０５ａはディスパージョンヘッドの中心部位を占
め、第２ディフューザ６０５ｂはディスパージョンヘッ
ドの中心部位を除外した外郭部位を占め、第３ディフュ
ーザ６０５ｃは第２ディフューザが占める外郭部位より
外側の部位を占める。
【００３３】これを根拠に、ディスパージョンヘッド内
部に第１ディフューザから第ｎ（ｎは自然数）ディフュ
ーザを順次に設けることができる。第１ディフューザか
ら第ｎディフューザを設ける場合、第１ディフューザか
ら第ｎディフューザの大きさはディスパージョンヘッド
の大きさ、ならびにガスの発散方向を考慮すると、容易
に決定することができる。
部に第１ディフューザから第ｎ（ｎは自然数）ディフュ
ーザを順次に設けることができる。第１ディフューザか
ら第ｎディフューザを設ける場合、第１ディフューザか
ら第ｎディフューザの大きさはディスパージョンヘッド
の大きさ、ならびにガスの発散方向を考慮すると、容易
に決定することができる。
【００３４】図７は図４に設けられるディスパージョン
ヘッドを説明するための平面図である。図７はディスパ
ージョンヘッド７０３を示す。ディスパージョンヘッド
７０３はガスが流入する入口７０３ａ、ならびにガスが
流出する出口７０３ｂを有する。入口７０３ａはガスを
供給するガス供給ライン（図示せず）と連結される構成
を有する。そして、入口７０３ａはディスパージョンヘ
ッド７０３の中心部位に位置するように設けられる。出
口７０３ｂは多数個のホール７０３ｃを含む。これによ
り、ガスは出口のホールを通じてチャンバに供給される
構成を有する。また、ディスパージョンヘッド７０３は
第１ディフューザおよび第２ディフューザにより発散す
るガスをガスが供給される供給部位にガイドする。即
ち、ガスがガス供給部位に供給されるように誘導するも
のである。このとき、ガス供給部位は加工チャンバ内に
位置する基板になる。
ヘッドを説明するための平面図である。図７はディスパ
ージョンヘッド７０３を示す。ディスパージョンヘッド
７０３はガスが流入する入口７０３ａ、ならびにガスが
流出する出口７０３ｂを有する。入口７０３ａはガスを
供給するガス供給ライン（図示せず）と連結される構成
を有する。そして、入口７０３ａはディスパージョンヘ
ッド７０３の中心部位に位置するように設けられる。出
口７０３ｂは多数個のホール７０３ｃを含む。これによ
り、ガスは出口のホールを通じてチャンバに供給される
構成を有する。また、ディスパージョンヘッド７０３は
第１ディフューザおよび第２ディフューザにより発散す
るガスをガスが供給される供給部位にガイドする。即
ち、ガスがガス供給部位に供給されるように誘導するも
のである。このとき、ガス供給部位は加工チャンバ内に
位置する基板になる。
【００３５】以上により、ガス供給装置はディスパージ
ョンヘッド、ならびにディスパージョンヘッドに設けら
れる第１ディフューザおよび第２ディフューザを含む。
そして、装置は第（ｎ−１）番目ディフューザおよび第
ｎ（ｎは自然数）ディフューザをさらに含む。そして、
加工装置はチャンバおよびチャンバにガスを供給するガ
ス供給部を含む。チャンバはプラズマ反応を用いるプラ
ズマ反応チャンバを含む。ガス供給部はディスパージョ
ンヘッド、ならびにディスパージョンヘッドに設けられ
る第１ディフューザおよび第２ディフューザを含む。そ
して、ガス供給部は第（ｎ−１）番目ディフューザおよ
び第ｎ（ｎは自然数）ディフューザをさらに含む。
ョンヘッド、ならびにディスパージョンヘッドに設けら
れる第１ディフューザおよび第２ディフューザを含む。
そして、装置は第（ｎ−１）番目ディフューザおよび第
ｎ（ｎは自然数）ディフューザをさらに含む。そして、
加工装置はチャンバおよびチャンバにガスを供給するガ
ス供給部を含む。チャンバはプラズマ反応を用いるプラ
ズマ反応チャンバを含む。ガス供給部はディスパージョ
ンヘッド、ならびにディスパージョンヘッドに設けられ
る第１ディフューザおよび第２ディフューザを含む。そ
して、ガス供給部は第（ｎ−１）番目ディフューザおよ
び第ｎ（ｎは自然数）ディフューザをさらに含む。
【００３６】ガス供給装置により供給されるガスは次の
とおりである。図８は本発明の第３実施例によるガス供
給方法を説明するための工程図である。図８は、ディス
パージョンヘッドの入口を通じて流入し、第１ディフュ
ーザおよび第２ディフューザにより発散し、ディスパー
ジョンヘッドの出口を通じて流出するガスの流れを示
す。そして、ディスパージョンヘッドを通じて流出する
ガスはチャンバに供給される。このとき、第１ディフュ
ーザはディスパージョンヘッドの上側に設けられ、第２
ディフューザはディスパージョンヘッドの下側に設けら
れる。そして、第１ディフューザはディスパージョンヘ
ッドの中心部位を占め、第２ディフューザはディスパー
ジョンヘッドの外郭部位を占める。
とおりである。図８は本発明の第３実施例によるガス供
給方法を説明するための工程図である。図８は、ディス
パージョンヘッドの入口を通じて流入し、第１ディフュ
ーザおよび第２ディフューザにより発散し、ディスパー
ジョンヘッドの出口を通じて流出するガスの流れを示
す。そして、ディスパージョンヘッドを通じて流出する
ガスはチャンバに供給される。このとき、第１ディフュ
ーザはディスパージョンヘッドの上側に設けられ、第２
ディフューザはディスパージョンヘッドの下側に設けら
れる。そして、第１ディフューザはディスパージョンヘ
ッドの中心部位を占め、第２ディフューザはディスパー
ジョンヘッドの外郭部位を占める。
【００３７】具体的に、ディスパージョンヘッドの入口
を通じてガスが供給される。ガスは第１ディフューザに
より一番目にブローキングされる（Ｓ８０段階）。これ
により、ガスはガスが供給される方向の側方向に発散す
る。そして、その側方向に発散するガスは連続的にディ
スパージョンヘッドの下側に供給される。このとき、デ
ィスパージョンヘッドは第１ディフューザにより発散し
たガスを加工チャンバ内に位置する基板にガイドする。
一番目のブローキングにより発散したガスは第２ディフ
ューザにより二番目にブローキングされる（Ｓ８２段
階）。これにより、ガスはガスが供給される方向の側方
向に発散する。このとき、ディスパージョンヘッドは第
２ディフューザにより発散したガスを加工チャンバ内に
位置する基板にガイドする。そして、二番目に発散した
ガスを（ｎ−１）番目およびｎ番目まで続けてブローキ
ングすることができる。このとき、ブローキングは第
（ｎ−１）ディフューザおよび第ｎディフューザによ
る。これにより、ガスはガスが供給される方向の側方向
に続けて発散する。
を通じてガスが供給される。ガスは第１ディフューザに
より一番目にブローキングされる（Ｓ８０段階）。これ
により、ガスはガスが供給される方向の側方向に発散す
る。そして、その側方向に発散するガスは連続的にディ
スパージョンヘッドの下側に供給される。このとき、デ
ィスパージョンヘッドは第１ディフューザにより発散し
たガスを加工チャンバ内に位置する基板にガイドする。
一番目のブローキングにより発散したガスは第２ディフ
ューザにより二番目にブローキングされる（Ｓ８２段
階）。これにより、ガスはガスが供給される方向の側方
向に発散する。このとき、ディスパージョンヘッドは第
２ディフューザにより発散したガスを加工チャンバ内に
位置する基板にガイドする。そして、二番目に発散した
ガスを（ｎ−１）番目およびｎ番目まで続けてブローキ
ングすることができる。このとき、ブローキングは第
（ｎ−１）ディフューザおよび第ｎディフューザによ
る。これにより、ガスはガスが供給される方向の側方向
に続けて発散する。
【００３８】ガスはディスパージョンヘッドの中心部位
および外郭部位を含む全ての部位に発散する。そして、
全ての部位に発散したガスはディスパージョンヘッドの
出口を通じてチャンバに供給される。したがって、ガス
はチャンバに置かれている基板上に均一に供給される。
および外郭部位を含む全ての部位に発散する。そして、
全ての部位に発散したガスはディスパージョンヘッドの
出口を通じてチャンバに供給される。したがって、ガス
はチャンバに置かれている基板上に均一に供給される。
【００３９】ガスが均一に供給されるにつれて、基板上
に形成される膜またはパターンは均一な厚みを有するよ
うに形成される。図９は本発明の第４実施例によるチャ
ンバ内へのガスの供給方法を説明するための工程図であ
る。
に形成される膜またはパターンは均一な厚みを有するよ
うに形成される。図９は本発明の第４実施例によるチャ
ンバ内へのガスの供給方法を説明するための工程図であ
る。
【００４０】図９はディスパージョンヘッドを通じてチ
ャンバにガスが供給される流れを示す。具体的には、チ
ャンバを用意する（Ｓ９０段階）。チャンバにはディス
パージョンヘッドと、第１ディフューザおよび第２ディ
フューザとを含むガス供給部が設けられる。ディスパー
ジョンヘッドは入口および出口を有する。入口はディス
パージョンヘッド中心部位に設けられ、出口は多数個の
ホールを含む。そして、第１ディフューザは、ディスパ
ージョンヘッド上側に設けられ、中心部位を占める。第
２ディフューザはディスパージョンヘッドに第１ディフ
ューザが設けられた下側に設けられ、中心部位を除外し
た外郭部位を占める。そして、チャンバは基板が置かれ
る受け台を含む。また、チャンバはプラズマ反応を用い
て膜を形成する加工装置またはパターンを形成する加工
装置を含む。
ャンバにガスが供給される流れを示す。具体的には、チ
ャンバを用意する（Ｓ９０段階）。チャンバにはディス
パージョンヘッドと、第１ディフューザおよび第２ディ
フューザとを含むガス供給部が設けられる。ディスパー
ジョンヘッドは入口および出口を有する。入口はディス
パージョンヘッド中心部位に設けられ、出口は多数個の
ホールを含む。そして、第１ディフューザは、ディスパ
ージョンヘッド上側に設けられ、中心部位を占める。第
２ディフューザはディスパージョンヘッドに第１ディフ
ューザが設けられた下側に設けられ、中心部位を除外し
た外郭部位を占める。そして、チャンバは基板が置かれ
る受け台を含む。また、チャンバはプラズマ反応を用い
て膜を形成する加工装置またはパターンを形成する加工
装置を含む。
【００４１】チャンバ内に基板を位置させる。（Ｓ９１
段階）基板はチャンバ内の受け台に置かれる。このと
き、基板はディスパージョンヘッドの下側に位置し、デ
ィスパージョンヘッドと向き合う。チャンバ内にガスを
供給するために、ディスパージョンヘッドにガスを流入
させる（Ｓ９２段階）。ガスはディスパージョンヘッド
の入口を通じて供給される。
段階）基板はチャンバ内の受け台に置かれる。このと
き、基板はディスパージョンヘッドの下側に位置し、デ
ィスパージョンヘッドと向き合う。チャンバ内にガスを
供給するために、ディスパージョンヘッドにガスを流入
させる（Ｓ９２段階）。ガスはディスパージョンヘッド
の入口を通じて供給される。
【００４２】ガスは第１ディフューザにより一番目にブ
ローキングされる（Ｓ９３段階）。したがって、ガスは
ガスが供給される方向の側方向に発散し、発散によりデ
ィスパージョンヘッドの中心部位に供給される。ガスは
第２ディフューザにより二番目にブローキングされる
（Ｓ９４段階）。したがって、ガスはガスが供給される
方向の側方向に発散され、発散によりディスパージョン
ヘッドの外郭部位に供給される。
ローキングされる（Ｓ９３段階）。したがって、ガスは
ガスが供給される方向の側方向に発散し、発散によりデ
ィスパージョンヘッドの中心部位に供給される。ガスは
第２ディフューザにより二番目にブローキングされる
（Ｓ９４段階）。したがって、ガスはガスが供給される
方向の側方向に発散され、発散によりディスパージョン
ヘッドの外郭部位に供給される。
【００４３】そして、第１ディフューザおよび第２ディ
フューザにより発散するガスはディスパージョンヘッド
により加工チャンバ内に位置する基板にガイドされる。
このように、中心部位および外郭部位に供給されるガス
はディスパージョンヘッドの出口を通じてチャンバに供
給される（Ｓ９５段階）。
フューザにより発散するガスはディスパージョンヘッド
により加工チャンバ内に位置する基板にガイドされる。
このように、中心部位および外郭部位に供給されるガス
はディスパージョンヘッドの出口を通じてチャンバに供
給される（Ｓ９５段階）。
【００４４】このとき、チャンバに供給されるガスは均
一な分布を有する。これは、ガスが第１ディフューザお
よび第２ディフューザによりディスパージョンヘッドの
中心領域および外郭領域を含む全ての領域に均一に発散
されるためである。したがって、チャンバに均一に供給
されるものである。
一な分布を有する。これは、ガスが第１ディフューザお
よび第２ディフューザによりディスパージョンヘッドの
中心領域および外郭領域を含む全ての領域に均一に発散
されるためである。したがって、チャンバに均一に供給
されるものである。
【００４５】これにより、チャンバ内に置かれている基
板上に均一にガスが供給される。均一なガスの供給によ
り基板上に形成する膜またはパターンは均一な厚みを有
するように形成される。そして、二番目に発散したガス
を（ｎ−１）番目およびｎ番目まで続けてブローキング
することができる。このとき、ブローキングは第（ｎ−
１）ディフューザおよび第ｎディフューザによる。これ
により、ガスはガスが供給される方向の側方向に続けて
発散する。したがって、ガスは均一にチャンバに供給さ
れる。
板上に均一にガスが供給される。均一なガスの供給によ
り基板上に形成する膜またはパターンは均一な厚みを有
するように形成される。そして、二番目に発散したガス
を（ｎ−１）番目およびｎ番目まで続けてブローキング
することができる。このとき、ブローキングは第（ｎ−
１）ディフューザおよび第ｎディフューザによる。これ
により、ガスはガスが供給される方向の側方向に続けて
発散する。したがって、ガスは均一にチャンバに供給さ
れる。
【００４６】図１０は図４の加工装置を使用し基板上に
膜を形成した状態を示す断面図であり、図１１は図４の
加工装置を使用し基板上にパターンを形成した状態を示
す断面図である。図１０は基板１上に膜２が形成されて
いる状態を示す。ここで、膜２は基板１の中心部位の厚
み（ｌ４）と周縁部位厚み（ｌ３）が同一に形成されて
いる。これは、膜を形成するとき、ガスを基板の全ての
部位に均一に供給するためである。
膜を形成した状態を示す断面図であり、図１１は図４の
加工装置を使用し基板上にパターンを形成した状態を示
す断面図である。図１０は基板１上に膜２が形成されて
いる状態を示す。ここで、膜２は基板１の中心部位の厚
み（ｌ４）と周縁部位厚み（ｌ３）が同一に形成されて
いる。これは、膜を形成するとき、ガスを基板の全ての
部位に均一に供給するためである。
【００４７】したがって、第１ディフューザおよび第２
ディフューザによるガス発散によりガスを均一に供給す
ることを確認できる。図１１は基板３にパターン４が形
成されている状態を示す。ここで、パターン４は基板３
の中心部位の厚み（ｌ６）と周縁部位の厚み（ｌ５）が
同一に形成されている。これは、パターンを形成すると
きガスを基板の全ての部位に均一に供給するためであ
る。
ディフューザによるガス発散によりガスを均一に供給す
ることを確認できる。図１１は基板３にパターン４が形
成されている状態を示す。ここで、パターン４は基板３
の中心部位の厚み（ｌ６）と周縁部位の厚み（ｌ５）が
同一に形成されている。これは、パターンを形成すると
きガスを基板の全ての部位に均一に供給するためであ
る。
【００４８】したがって、第１ディフューザおよび第２
ディフューザによるガスの発散によりガスを均一に供給
することを確認できる。このように、少なくとも二つの
ディフューザを含むガス供給装置はガスを続けて発散さ
せるためにガスを均一に供給することができる。以上、
本発明の実施例を詳細に説明したが、本発明はこれに限
定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識
を有するものであれば本発明の思想と精神を離れること
なく、本発明の実施例を修正または変更できるであろ
う。
ディフューザによるガスの発散によりガスを均一に供給
することを確認できる。このように、少なくとも二つの
ディフューザを含むガス供給装置はガスを続けて発散さ
せるためにガスを均一に供給することができる。以上、
本発明の実施例を詳細に説明したが、本発明はこれに限
定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識
を有するものであれば本発明の思想と精神を離れること
なく、本発明の実施例を修正または変更できるであろ
う。
【００４９】
【発明の効果】本発明によると、チャンバに供給される
ガスの均一度を確保することができる。このように、ガ
スの均一度が確保されるガスがチャンバ内に位置する基
板上に供給されることにより、基板上に形成される膜ま
たはパターンを均一な厚みを有するように形成すること
ができる。均一な厚みを有する膜またはパターンは高信
頼度を有するために、不良の原因として作用しない。特
に、微細加工を要する最近の半導体装置で均一な厚みを
有する膜またはパターンの形成は必要事項に該当する。
このように、本発明はガスを均一に供給することができ
る方法および装置を提供することにより、半導体装置の
製造による信頼度が向上される効果を提供する。
ガスの均一度を確保することができる。このように、ガ
スの均一度が確保されるガスがチャンバ内に位置する基
板上に供給されることにより、基板上に形成される膜ま
たはパターンを均一な厚みを有するように形成すること
ができる。均一な厚みを有する膜またはパターンは高信
頼度を有するために、不良の原因として作用しない。特
に、微細加工を要する最近の半導体装置で均一な厚みを
有する膜またはパターンの形成は必要事項に該当する。
このように、本発明はガスを均一に供給することができ
る方法および装置を提供することにより、半導体装置の
製造による信頼度が向上される効果を提供する。
【図１】従来の加工装置を示す模式図である。
【図２】従来の加工装置のディフューザを示す斜視図で
ある。
ある。
【図３】従来の加工装置を使用し基板上に膜を形成した
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
【図４】本発明の第１実施例によるガス供給装置を有す
る加工装置を示す模式図である。
る加工装置を示す模式図である。
【図５】本発明の第１実施例によるガス供給装置に設け
られる第１ディフューザおよび第２ディフューザを示す
平面図である。
られる第１ディフューザおよび第２ディフューザを示す
平面図である。
【図６】本発明の第２実施例によるガス供給装置を示す
模式図である。
模式図である。
【図７】本発明の第１実施例によるガス供給装置のディ
スパージョンヘッドを示す斜視図である。
スパージョンヘッドを示す斜視図である。
【図８】本発明の第３実施例によるガス供給方法を説明
するための工程図である。
するための工程図である。
【図９】本発明の第４実施例によるガス供給方法を説明
するための工程図である。
するための工程図である。
【図１０】本発明の第１実施例によるガス供給装置を有
する加工装置を使用し基板上に膜を形成した状態を示す
断面図である。
する加工装置を使用し基板上に膜を形成した状態を示す
断面図である。
【図１１】本発明の第１実施例によるガス供給装置を有
する加工装置を使用し基板上にパターンを形成した状態
を示す断面図である。
する加工装置を使用し基板上にパターンを形成した状態
を示す断面図である。
１、３、３０、Ｗ 基板 ４ パターン １０、４０ チャンバ ３２ 膜 １０１、４０１ 受け台 １０３、４０３、６０３、７０３ ディスパージョン
ヘッド ４０５ａ、６０５ａ 第１ディフューザ ４０５ｂ、６０５ｂ 第２ディフューザ ６０５ｃ 第３ディフューザ ７０３ａ 入口 ７０３ｂ 出口 ７０３ｃ ホール
ヘッド ４０５ａ、６０５ａ 第１ディフューザ ４０５ｂ、６０５ｂ 第２ディフューザ ６０５ｃ 第３ディフューザ ７０３ａ 入口 ７０３ｂ 出口 ７０３ｃ ホール
Claims (16)
- 【請求項１】 ディスパージョンヘッド内に整列された
第１ディフューザに向かってガスをフローさせる段階
と、 前記ガスを前記第１ディフューザでブローキングさせ、
前記ガスがフローする方向に前記ガスを一番目に発散さ
せる段階と、 前記一番目に発散したガスの一部をチャンバの内部に整
列された基板に向かうように前記ディスパージョンヘッ
ドの出口を通じてガイドする段階と、 前記一番目に発散したガスの残りを前記第１ディフュー
ザと前記基板との間に整列された第２ディフューザでブ
ローキングさせ、前記ガスがフローする方向の側方向に
前記ガスを二番目に発散させる段階と、 前記二番目に発散したガスの一部を前記チャンバの内部
に整列された基板に向かうように前記ディスパージョン
ヘッドの出口を通じてガイドする段階と、 を含むことを特徴とするガス供給方法。 - 【請求項２】 （ｎ−１）番目に発散したガスの残りを
第（ｎ−１）ディフューザと前記基板の上に整列された
第ｎディフューザとでブローキングさせ、前記ガスがフ
ローする方向の側方向に前記ガスを発散させる段階と、 ｎ番目に発散したガスの一部を前記チャンバの内部に整
列された基板に向かうように前記ディスパージョンヘッ
ドの出口を通じてガイドする段階とを含み、前記ｎは２
より大きな自然数であることを特徴とする請求項１に記
載のガス供給方法。 - 【請求項３】 前記ガスの一番目の発散は前記ディスパ
ージョンヘッドの上側中心部位の第１地点で起り、前記
ガスの二番目の発散は前記第１地点の下側で放射状に外
側部位の第２地点で起ることを特徴とする請求項２に記
載のガス供給方法。 - 【請求項４】 前記ガスのｎ番目の発散は（ｎ−１）番
目地点の下側で放射状に外側部位の第ｎ地点で起ること
を特徴とする請求項３に記載のガス供給方法。 - 【請求項５】 前記チャンバは、プラズマ反応チャンバ
であり、プラズマ反応により前記基板の上に膜を形成す
るために設けられていることを特徴とする請求項１に記
載のガス供給方法。 - 【請求項６】 前記チャンバは、前記プラズマ反応チャ
ンバであり、前記基板の上に形成されている膜をプラズ
マ反応によりエッチングするために設けられていること
を特徴とする請求項５に記載のガス供給方法。 - 【請求項７】 ガスが供給される入口、ならびに前記ガ
スが排出される出口を有するディスパージョンヘッド
と、 前記ディスパージョンヘッドの中心部位、ならびに前記
ガスが供給される入口下部に整列されている第１ディフ
ューザと、 前記第１ディフューザの下部外側に放射方向に整列さ
れ、前記ディスパージョンヘッドの外郭部位に整列され
ている第２ディフューザとを備え、 前記第１ディフューザおよび前記第２ディフューザは、
前記入口を通じて供給されるガスの方向に対し垂直に相
互に離隔されて配置され、前記ディスパージョンヘッド
の中心部位および外郭部位に放射状に配置されているこ
とを特徴とするガス供給装置。 - 【請求項８】 第（ｎ−１）ディフューザの下部外側に
放射状に整列され、前記ディスパージョンヘッドの外郭
部位に整列されている第ｎディフューザをさらに備え、 前記第ｎディフューザおよび前記第（ｎ−１）ディフュ
ーザは、前記入口を通じて供給されるガスの方向に対し
垂直に相互に離隔されて配置され、前記ディスパージョ
ンヘッドの中心部位および外郭部位に放射状に配置さ
れ、 前記ｎは２より大きな自然数であることを特徴とする請
求項７に記載のガス供給装置。 - 【請求項９】 前記第１ディフューザは円形のプレート
形状を有し、前記第２ディフューザは環形のプレート形
状を有することを特徴とする請求項７に記載のガス供給
装置。 - 【請求項１０】 前記第２ディフューザの内部直径は前
記第１ディフューザの外部直径より大きいことを特徴と
する請求項９に記載のガス供給装置。 - 【請求項１１】 前記第１ディフューザは円形のプレー
ト形状を有し、前記第（ｎ−１）ディフューザおよび前
記第ｎディフューザは環形のプレート形状を有すること
を特徴とする請求項８に記載のガス供給装置。 - 【請求項１２】 前記第（ｎ−１）ディフューザの内部
直径は前記第１ディフューザの外部直径より大きく、前
記第ｎディフューザの内部直径は前記第（ｎ−１）ディ
フューザの外部直径より大きいことを特徴とする請求項
１１に記載のガス供給装置。 - 【請求項１３】 前記出口は複数のホールを有すること
を特徴とする請求項７に記載のガス供給装置。 - 【請求項１４】 基板が置かれる受け台を有するチャン
バをさらに備え、前記受け台は前記チャンバの下部に配
置され、前記ディスパージョンヘッドは前記チャンバの
上部に配置されていることを特徴とする請求項７に記載
のガス供給装置。 - 【請求項１５】 前記チャンバは、プラズマ反応を利用
し前記基板の上に膜を形成するためのチャンバであるこ
とを特徴とする請求項１４に記載のガス供給装置。 - 【請求項１６】 前記チャンバは、前記基板の上に形成
されている膜をプラズマ反応を利用しエッチングするた
めのチャンバであることを特徴とする請求項１４に記載
のガス供給装置。
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-
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