KR970018004A - 액체 화학 기상 증착 장치 - Google Patents

액체 화학 기상 증착 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970018004A
KR970018004A KR1019950033003A KR19950033003A KR970018004A KR 970018004 A KR970018004 A KR 970018004A KR 1019950033003 A KR1019950033003 A KR 1019950033003A KR 19950033003 A KR19950033003 A KR 19950033003A KR 970018004 A KR970018004 A KR 970018004A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
source
liquid
vaporizer
vapor deposition
chemical vapor
Prior art date
Application number
KR1019950033003A
Other languages
English (en)
Inventor
조학주
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950033003A priority Critical patent/KR970018004A/ko
Publication of KR970018004A publication Critical patent/KR970018004A/ko

Links

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 LSCVD(liquid source chemical vapor deposition;액체 화학 기상 증착) 장치에 관한 것으로서, 특히 LSCVD 장치의 기화기(vaporizor)에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반드체 기판에 소정의 소스를 증착하는 액체 화학 기상 증착 장치에 있어서, 액체로 용해된 액체 소스를 공급하는 다수의 액체 소스 공급관; 상기 다수의 액체 소스 공급관으로부터 각각 액체 소스를 유입하여 액체소스를 기화시키는 다수의 기화기; 상기 기화기에서 기화된 소스를 균일한 양으로 통과시키는 샤워헤드 및 상기 기화기에서 기화된 소스가 안정될 때까지 소스공급을 차단하는 셔터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 LSCVD 장치는 기화기에서 반응 챔버(150)까지의 거리를 근본적으로 단축시켰기 때문에 동작조건에 따라 민감하게 기화된 소스가 응축되는 현상을 방지한다.
또한, 샤터의 동작으로 초기에 안정되지 못한 기상 소스를 차단하는 효과를 제공한다.

Description

액체 화학 가상 증착 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 액체 화학 기상 증착 장치의 기화기를 설명하기 위한 도면이다.

Claims (3)

  1. 반도체 기판에 소정의 소스를 증착하는 액체 화학 기상 증착 장치에 있어서, 액체로 용해된 액체 소스를 공급하는 다수의 액체 소스 공급관; 상기 다수의 액체 소스 공급관으로부터 각각 액체 소스를 유입하여 액체소스를 기화시키는 다수의 기화기; 상기 기화기에서 기화된 소스를 균일한 양으로 통과시키는 샤워헤드 및 상기 기화기에서 기화된 소스가 안정될 때까지 소스공급을 차단하는 셔터를 포함하는 것을 특징으로 하는 액체 화학 기상 증착 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 액체 화학 기상 증착 장치는 기화기의 메탈(metal) 스폰지를 통해 나온 기화된 소스를 바로 반응기로 분사하는 것을 특징으로 하는 액체 화학 기상 증착 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기화기는 상기 기화기와 반응기 간에 라인으로 연결하지 않는 것을 특징으로 하는 액체 화학 기상 증착 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950033003A 1995-09-29 1995-09-29 액체 화학 기상 증착 장치 KR970018004A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950033003A KR970018004A (ko) 1995-09-29 1995-09-29 액체 화학 기상 증착 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950033003A KR970018004A (ko) 1995-09-29 1995-09-29 액체 화학 기상 증착 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970018004A true KR970018004A (ko) 1997-04-30

Family

ID=66582242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950033003A KR970018004A (ko) 1995-09-29 1995-09-29 액체 화학 기상 증착 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970018004A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100401544B1 (ko) * 2001-02-06 2003-10-17 삼성전자주식회사 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법 및 장치그리고 이를 갖는 가공 장치
KR20190123380A (ko) * 2018-04-23 2019-11-01 삼성디스플레이 주식회사 성막 장치 및 성막 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100401544B1 (ko) * 2001-02-06 2003-10-17 삼성전자주식회사 반도체 공정에 사용되는 가스를 제공하는 방법 및 장치그리고 이를 갖는 가공 장치
KR20190123380A (ko) * 2018-04-23 2019-11-01 삼성디스플레이 주식회사 성막 장치 및 성막 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100273474B1 (ko) 화학기상 증착장치의 가스 공급장치와 그 제어방법
WO2001098556A3 (en) Temperature controlled gas feedthrough
TW200402774A (en) Method and apparatus for the pulse-wise supply of a vaporized liquid reactant
US20080296791A1 (en) Vaporizing apparatus and semiconductor processing system
KR20010034942A (ko) 화학기상증착(cvd) 장치
DE69605403T2 (de) Gasverteiler für eine ausseraxiale sputteranlage
WO2001036707A1 (en) Apparatus and method for delivery of precursor vapor from low vapor pressure liquid sources to a cvd chamber
WO2006004579A3 (en) A chemical vapor deposition apparatus
FR2720143B1 (fr) Générateur de vapeur et dispositif chauffant associé.
AU2003218262A1 (en) Method and apparatus for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition
ES2058354T3 (es) Metodo para depositar wolframio sobre silicio en un procedimiento cvd que no es autolimitante y dispositivo semiconductor fabricado por el.
ATE298013T1 (de) Sprudelvorrichtung mit zwei fritten
KR970018004A (ko) 액체 화학 기상 증착 장치
DE602004022122D1 (de) Vorrichtung für Gasphasenabscheidung
TR23336A (tr) Alt tabaka kaplayici cihaz
JP2002217181A (ja) 半導体原料供給用気化器
JP3179113B2 (ja) 液体の流れをガスの流れに変換する方法および装置
US6318381B1 (en) Methods of cleaning vaporization surfaces
KR930010239A (ko) 화학증기 상 성장방법 및 화학증기 상 성장장치
KR890007368A (ko) 화합물 반도체 제조 장치
JPS5351187A (en) Gas phase chemical evaporation apparatus
KR960015656A (ko) 전자 방출 필름 및 그 제조 방법
JPH05156448A (ja) Cvd用原料蒸発器
JPS5694749A (en) Plasma heaping device
JPH0582451A (ja) 半導体装置製造用気相反応装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination