JPH0271511A - Ｃｖｄ用ガス導入装置 - Google Patents
Ｃｖｄ用ガス導入装置Info
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- JPH0271511A JPH0271511A JP22298088A JP22298088A JPH0271511A JP H0271511 A JPH0271511 A JP H0271511A JP 22298088 A JP22298088 A JP 22298088A JP 22298088 A JP22298088 A JP 22298088A JP H0271511 A JPH0271511 A JP H0271511A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
複数のガス放出孔を有するガス放射板を備えてなるＣＶ
Ｄ用ガス導入装置に関し、 機械的強度を向上し、かつ被堆積上の堆積膜厚の均一性
を向上した加工の容易なガス放射板を備えてなるＣＶＤ
用ガス導入装置を提供することを目的とし、 互いにほぼ平行になるように設けられた複数の溝部を備
え、又は格子上に設けられた複数の溝部を備え、該溝部
に複数のガス放出孔を有するガス［産業上の利用分野１ 本発明は、複数のガス放出孔を有するガス放射板を備え
てなるＣＶＤ用ガス導入装置に関する。
Ｄ用ガス導入装置に関し、 機械的強度を向上し、かつ被堆積上の堆積膜厚の均一性
を向上した加工の容易なガス放射板を備えてなるＣＶＤ
用ガス導入装置を提供することを目的とし、 互いにほぼ平行になるように設けられた複数の溝部を備
え、又は格子上に設けられた複数の溝部を備え、該溝部
に複数のガス放出孔を有するガス［産業上の利用分野１ 本発明は、複数のガス放出孔を有するガス放射板を備え
てなるＣＶＤ用ガス導入装置に関する。
近時、半導体デバイスの製造においては、半導体デバイ
スの信頼度向上９機能の向上、製造方法の多様化等のた
め、種々の絶縁膜、半導体薄膜又は金属薄膜を半導体基
板に被着することが多い。
スの信頼度向上９機能の向上、製造方法の多様化等のた
め、種々の絶縁膜、半導体薄膜又は金属薄膜を半導体基
板に被着することが多い。
被着方法に関しては蒸着法、スパッタ法。
ＣＶＤ法等があって使用目的により使い分けられるが、
被着できる膜の種類の多様性、被着される膜質の良さお
よびカバーレージの良さなどの利点からＣＶＤ法が多用
されている。
被着できる膜の種類の多様性、被着される膜質の良さお
よびカバーレージの良さなどの利点からＣＶＤ法が多用
されている。
特に半導体集積回路などの微細化の要求の強い用途に用
いられる場合、その膜厚の均一性が問題となり、ＣｖＤ
装置内の反応ガス導入装置に対して種々の工夫がなされ
ている。特に反応ガスの反応室への放出部分において、
反応ガスの均一な放出をするため、多数のガス放出孔を
もつガス放射板が設けられている場合が多い。
いられる場合、その膜厚の均一性が問題となり、ＣｖＤ
装置内の反応ガス導入装置に対して種々の工夫がなされ
ている。特に反応ガスの反応室への放出部分において、
反応ガスの均一な放出をするため、多数のガス放出孔を
もつガス放射板が設けられている場合が多い。
［従来の技術］
第４図（ａ）、（ｂ）は−の従来例のガス放出板の説明
図、第５図は他の従来例に係るガス放射板断面図である
。
図、第５図は他の従来例に係るガス放射板断面図である
。
第４図（ａ）はガス放射板１０１が備えられたガス導入
装置１０４の斜視図で、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図
で１５１が反応ガスを反応室１１へ放出するためのガス
放出孔で、孔は反応ガスをある程度の速度で放出する必
要があるので、直径０．５ｍｍにて形成されている。ま
た、ガス放射板１０１はＡｎからなり、板厚１６１は２
ｍｍである。被堆積基板へ膜厚の均一性のよい薄膜を堆
積するためには、ガス放出孔１５１は直径を小さくして
できるだけ多数設ける必要がある。またガス放射板の板
厚はガス放出孔１５１から放出される反応ガスが方向性
をもつことは避ける必要があるので、薄い方がよい、と
ころが反応中において、ガス放射板１０１が変形してガ
ス放出孔１５１の方向が不揃いとなり、堆積膜の不均一
を生ずるという問題があった。
装置１０４の斜視図で、同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図
で１５１が反応ガスを反応室１１へ放出するためのガス
放出孔で、孔は反応ガスをある程度の速度で放出する必
要があるので、直径０．５ｍｍにて形成されている。ま
た、ガス放射板１０１はＡｎからなり、板厚１６１は２
ｍｍである。被堆積基板へ膜厚の均一性のよい薄膜を堆
積するためには、ガス放出孔１５１は直径を小さくして
できるだけ多数設ける必要がある。またガス放射板の板
厚はガス放出孔１５１から放出される反応ガスが方向性
をもつことは避ける必要があるので、薄い方がよい、と
ころが反応中において、ガス放射板１０１が変形してガ
ス放出孔１５１の方向が不揃いとなり、堆積膜の不均一
を生ずるという問題があった。
第５図は、他の従来例に係るガス放射板断面図で、上述
の問題を解決するため改良された構造である。かつ放射
板１０１の板厚１６１を上述の板厚の倍の４ｍｍとし、
その分、板厚の中間よりテーパ１９２を設けて拡大放出
孔１５２とした構造により、機械的強度に強く、かつ反
応ガスも均一に被堆積基板に放射されるが、ガス放出孔
１５１の一つ一つに対応して拡大放出孔１５２を設ける
必要があるので、加工工数がかかるという欠点があった
。
の問題を解決するため改良された構造である。かつ放射
板１０１の板厚１６１を上述の板厚の倍の４ｍｍとし、
その分、板厚の中間よりテーパ１９２を設けて拡大放出
孔１５２とした構造により、機械的強度に強く、かつ反
応ガスも均一に被堆積基板に放射されるが、ガス放出孔
１５１の一つ一つに対応して拡大放出孔１５２を設ける
必要があるので、加工工数がかかるという欠点があった
。
［発明が解決しようとする課題］
以上説明した従来例によると、堆積膜の均一性をよくす
るためガス放射板１０１の板厚を薄くすると機械的強度
が弱いという欠点が生じ、機械的強度を強くするためガ
ス放射板１０１の板厚を厚くしてかつ堆積膜の均一性を
よ（するためテーパ１９２をもつ拡大放出孔１５２を設
けると上記欠点は解消されるが、拡大放出孔１５２形成
のための加工工数がかかるといる欠点が生じていた。
るためガス放射板１０１の板厚を薄くすると機械的強度
が弱いという欠点が生じ、機械的強度を強くするためガ
ス放射板１０１の板厚を厚くしてかつ堆積膜の均一性を
よ（するためテーパ１９２をもつ拡大放出孔１５２を設
けると上記欠点は解消されるが、拡大放出孔１５２形成
のための加工工数がかかるといる欠点が生じていた。
そこで本発明は、機械的強度を向上し、かつ被堆積基板
上の堆積膜厚の均一性とを向上した加工の容易なガス放
射板を備えてなるＣＶＤ用ガス導入装置を提供すること
にある。
上の堆積膜厚の均一性とを向上した加工の容易なガス放
射板を備えてなるＣＶＤ用ガス導入装置を提供すること
にある。
［課題を解決するための手段］
上記課題は、互いにほぼ平行になるように設けられた複
数の溝部を備え、又は格子上に設けられた複数の溝部を
備え、該溝部に複数のガス放出孔を有するガス放射板を
備えてなることを特徴とするＣＶＤ用ガス導入装置によ
って達成される。
数の溝部を備え、又は格子上に設けられた複数の溝部を
備え、該溝部に複数のガス放出孔を有するガス放射板を
備えてなることを特徴とするＣＶＤ用ガス導入装置によ
って達成される。
［作用］
即ち、本発明はガス放射板となる一定形状の板に互いに
ほぼ平行になるように、又は格子状になるように溝部を
設け、又は谷部を格子状に設け。
ほぼ平行になるように、又は格子状になるように溝部を
設け、又は谷部を格子状に設け。
板厚の薄い溝部に多数のガス放出孔を設けることにより
反応ガスは均一性よく被堆積基板に送られ、かつ板厚の
厚い補強部が機械的強度に対して補強する効果をもつ、
そして溝部が互いにほぼ平行になるように加工する場合
は一定方向に、また溝部が格子状になるように加工する
場合は一定方向とそれと直角方向とに一定の幅の間隔を
もって切削することにより容易に所望の形状が得られる
。更にガス放出孔は従来通り容易にその溝部に形成され
る。
反応ガスは均一性よく被堆積基板に送られ、かつ板厚の
厚い補強部が機械的強度に対して補強する効果をもつ、
そして溝部が互いにほぼ平行になるように加工する場合
は一定方向に、また溝部が格子状になるように加工する
場合は一定方向とそれと直角方向とに一定の幅の間隔を
もって切削することにより容易に所望の形状が得られる
。更にガス放出孔は従来通り容易にその溝部に形成され
る。
［実施例］
以下、本発明を図示の一実施例により具体的に説明する
。
。
第３図はガス放射板を有するガス導入装置を備えた平行
平板型ＣＶＤ装置の断面図である。
平板型ＣＶＤ装置の断面図である。
まず第３図により、ＣＶＤ装置の構成とその使用方法を
説明する。
説明する。
同図において、１１はＣＶＤ反応の起こる反応室、ｌＯ
は反応ガスを反応室１１に送り込むガス導入孔、９は反
応室内を一定の圧力にするためのガス排出孔、８は被堆
積基板５を佐せるための支持合、７は堆積膜の密着性・
均一性・堆積速度向」二を図るよう、被堆積基板上の温
度を上げるためのヒーター、６はヒーター７の熱を被堆
積基板５へ伝えるためのサセプター、５は堆積物の堆積
される半導体基板である被堆積基板、４はガス導入孔１
０より反応室１１内に反応ガスを導入して被堆積基板５
に均一に放射するためのガス導入装置、３は反応ガスを
ガス放射板１全面に拡散により分布させるためのガス拡
散基、２は同じくガス拡散室、１は反応ガスを反応室ｌ
ｌ内に放出して被堆積基板５に均一に放出するための多
数のガス放出孔５１をもつ円形のガス放射板でネジなど
によりガス拡散器３に取り付けられている。
は反応ガスを反応室１１に送り込むガス導入孔、９は反
応室内を一定の圧力にするためのガス排出孔、８は被堆
積基板５を佐せるための支持合、７は堆積膜の密着性・
均一性・堆積速度向」二を図るよう、被堆積基板上の温
度を上げるためのヒーター、６はヒーター７の熱を被堆
積基板５へ伝えるためのサセプター、５は堆積物の堆積
される半導体基板である被堆積基板、４はガス導入孔１
０より反応室１１内に反応ガスを導入して被堆積基板５
に均一に放射するためのガス導入装置、３は反応ガスを
ガス放射板１全面に拡散により分布させるためのガス拡
散基、２は同じくガス拡散室、１は反応ガスを反応室ｌ
ｌ内に放出して被堆積基板５に均一に放出するための多
数のガス放出孔５１をもつ円形のガス放射板でネジなど
によりガス拡散器３に取り付けられている。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例のガス放射板
説明図で、同図において図（ａ）は例えば１１よりなる
円形のガス放射板１が備えられたガス導入装置４の斜視
図で、図（ｂ）はそのＡ −Ａ断面図で８１が板厚２ｍ
ｍの溝部、８２が板厚（６１）１２ｍｍ、幅５ｍｍの補
強部、５２が幅２ｍｍ、深さＬＯｍｍの形成溝、５１が
上記溝部に形成された直径０．５ｍｍのガス放出孔であ
る。
説明図で、同図において図（ａ）は例えば１１よりなる
円形のガス放射板１が備えられたガス導入装置４の斜視
図で、図（ｂ）はそのＡ −Ａ断面図で８１が板厚２ｍ
ｍの溝部、８２が板厚（６１）１２ｍｍ、幅５ｍｍの補
強部、５２が幅２ｍｍ、深さＬＯｍｍの形成溝、５１が
上記溝部に形成された直径０．５ｍｍのガス放出孔であ
る。
以下、本発明を第３図を用いて説明する。
ガス導入孔１０を入ってきた友応ガスは、ガス拡散器３
で仕切られたガス拡散室２でガス放射板１全而に拡散で
広がりガス放射板ｌ全面の小さなガス放出孔５１から反
応室１１に送り出される。
で仕切られたガス拡散室２でガス放射板１全而に拡散で
広がりガス放射板ｌ全面の小さなガス放出孔５１から反
応室１１に送り出される。
このとき溝部８１の板厚は薄いため反応ガスの流れは方
向性をもたないので、ガス放出孔５１を通り抜けた反応
ガスは、幅の広い形成溝５２を容易に、かつ均一に反応
室の方に放射され、被堆積基板上には均一な膜厚の薄膜
が形成される。このとき被堆積基板５はヒータにより昇
温されるがヒータからの熱は、ヒータから約２０ｍｍ１
．か離れていないガス放射板１に容易に伝わり、ガス放
射板１は熱されて、その材料（ＡＭ）自身の機械的強度
は弱まるが板厚の厚い部分により機械的強度は補強され
変形することはない。
向性をもたないので、ガス放出孔５１を通り抜けた反応
ガスは、幅の広い形成溝５２を容易に、かつ均一に反応
室の方に放射され、被堆積基板上には均一な膜厚の薄膜
が形成される。このとき被堆積基板５はヒータにより昇
温されるがヒータからの熱は、ヒータから約２０ｍｍ１
．か離れていないガス放射板１に容易に伝わり、ガス放
射板１は熱されて、その材料（ＡＭ）自身の機械的強度
は弱まるが板厚の厚い部分により機械的強度は補強され
変形することはない。
また上述のガス放射板１を加工する場合は１円形のへ立
板（１２ｍｍ厚）に７ｍｍピッチで１幅２ｍｍ、深さ１
０ｍｍの溝を切削して補強部８２と溝部８１とを互いに
ほぼ平行になるように形成しておき、ｒＸＩＩｌａｉに
直径０．５ｍｍの孔を開けてやるこにより容易に達成で
きる。
板（１２ｍｍ厚）に７ｍｍピッチで１幅２ｍｍ、深さ１
０ｍｍの溝を切削して補強部８２と溝部８１とを互いに
ほぼ平行になるように形成しておき、ｒＸＩＩｌａｉに
直径０．５ｍｍの孔を開けてやるこにより容易に達成で
きる。
以上溝部が互いにほぼ平行になるように設けられている
ガス放射板について説明をおこなったが、この場合ガス
放出孔を有する溝部は一定方向に並んでいて、ガス放出
孔の周辺形成溝に平行な方向には板厚の厚い補強部がな
いのでガスは広がり易く、直角な方向には板厚の厚い補
強部があるためガスが広がり難いので、全体としてのガ
スの放射が均一におこなわれない場合もありうる。
ガス放射板について説明をおこなったが、この場合ガス
放出孔を有する溝部は一定方向に並んでいて、ガス放出
孔の周辺形成溝に平行な方向には板厚の厚い補強部がな
いのでガスは広がり易く、直角な方向には板厚の厚い補
強部があるためガスが広がり難いので、全体としてのガ
スの放射が均一におこなわれない場合もありうる。
従ってこの場合、更に一定方向と直交方向にもガス放出
孔を有する溝部を設けて、ガスの放射がより均一におこ
なわれるようにすることもできる。
孔を有する溝部を設けて、ガスの放射がより均一におこ
なわれるようにすることもできる。
次に本発明の他の実施例を第２図により説明する。
この構造の特徴は第１図（ｂ）の形成溝５２に９２によ
り第１図（ｂ）におけるよりも更に反応ガスの放射均一
性を高めることができる。
り第１図（ｂ）におけるよりも更に反応ガスの放射均一
性を高めることができる。
本発明において、ガス放射板ｌの周辺の板厚を厚くして
、更に機械的強度を高めることもできる。
、更に機械的強度を高めることもできる。
［発明の効果］
以北のように本発明によれば、反応ガスの均一性の向上
と機械的強度の向上とを図れる加工の容易なガス放射板
を備えたＣＶＤ用ガス導入装置を提供できる。
と機械的強度の向上とを図れる加工の容易なガス放射板
を備えたＣＶＤ用ガス導入装置を提供できる。
第１図は、（ａ）、（ｂ）は１本発明の一実施例に係る
ガス放射板説明図、 第２図は１本発明の他の実施例に係るガス放射板断面図
。 第３図は、ガス放射板を有するガス導入装置を備えた平
行平板型ＣＶＤ装置の断面図、第４図は、−の従来例に
係るガス放射板説明テーパ９２を設けていることである
。このテーパｚ 他の従来例に係るガス放射板断面図 第５図は、 である。 （符号の説明） １．１０１・・・ガス放射板、 ２・・・ガス拡散室、 ３・・・ガス拡散器、 ４．１０４・・・ガス導入装置。 ５・・・被堆ａ、Ｕ板 ６・・・絶縁板、 ７・・・ヒータ、 ８・・・支持台。 ９・・・ガス排気孔、 １０・・・ガス導入孔。 １１・・・反応室、 １２・・・交流電源、 ５１．１５１・・・ガス放出孔、 ５２・・・形成溝、 １５２・・・拡大放出孔。 ６１．１６１・・・板厚。 ８１・・・溝部、 ８２・・・補強部、 ９２．１９２・・・テーパ。
ガス放射板説明図、 第２図は１本発明の他の実施例に係るガス放射板断面図
。 第３図は、ガス放射板を有するガス導入装置を備えた平
行平板型ＣＶＤ装置の断面図、第４図は、−の従来例に
係るガス放射板説明テーパ９２を設けていることである
。このテーパｚ 他の従来例に係るガス放射板断面図 第５図は、 である。 （符号の説明） １．１０１・・・ガス放射板、 ２・・・ガス拡散室、 ３・・・ガス拡散器、 ４．１０４・・・ガス導入装置。 ５・・・被堆ａ、Ｕ板 ６・・・絶縁板、 ７・・・ヒータ、 ８・・・支持台。 ９・・・ガス排気孔、 １０・・・ガス導入孔。 １１・・・反応室、 １２・・・交流電源、 ５１．１５１・・・ガス放出孔、 ５２・・・形成溝、 １５２・・・拡大放出孔。 ６１．１６１・・・板厚。 ８１・・・溝部、 ８２・・・補強部、 ９２．１９２・・・テーパ。
Claims (1)
- 互いにほぼ平行になるように設けられた複数の溝部を備
え、又は格子上に設けられた複数の溝部を備え、該溝部
に複数のガス放出孔を有するガス放射板を備えてなるこ
とを特徴とするＣＶＤ用ガス導入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22298088A JPH0271511A (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | Ｃｖｄ用ガス導入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22298088A JPH0271511A (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | Ｃｖｄ用ガス導入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0271511A true JPH0271511A (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=16790910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22298088A Pending JPH0271511A (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | Ｃｖｄ用ガス導入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0271511A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5321965A (en) * | 1991-11-22 | 1994-06-21 | Texas Instruments Incorporated | Inductor winding apparatus and method |
| US6506255B2 (en) | 2001-02-06 | 2003-01-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for supplying gas used in semiconductor processing |
| JP2013239707A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai | ガスシャワーヘッド、その製造方法及び薄膜成長反応装置 |
-
1988
- 1988-09-06 JP JP22298088A patent/JPH0271511A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5321965A (en) * | 1991-11-22 | 1994-06-21 | Texas Instruments Incorporated | Inductor winding apparatus and method |
| US6506255B2 (en) | 2001-02-06 | 2003-01-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for supplying gas used in semiconductor processing |
| US6596649B2 (en) | 2001-02-06 | 2003-07-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for supplying gas used in semiconductor processing |
| JP2013239707A (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-28 | Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai | ガスシャワーヘッド、その製造方法及び薄膜成長反応装置 |
| US9534724B2 (en) | 2012-05-11 | 2017-01-03 | Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc, Shanghai | Gas showerhead, method for making the same and thin film growth reactor |
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