JP2002279835A

JP2002279835A - 透明導電性薄膜積層体及びそのエッチング方法

Info

Publication number: JP2002279835A
Application number: JP2001080820A
Authority: JP
Inventors: Katsuhiko Koike; 小池　　勝彦; Hiroaki Saigo; 宏明西郷; Shin Fukuda; 福田　　伸; Noriyuki Yanagawa; 紀行柳川; Mitsuru Sadamoto; 満貞本
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 2001-03-21
Filing date: 2001-03-21
Publication date: 2002-09-27

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】透明導電性薄膜積層体を小さな端面位置ずれ
幅でパターニングする。【解決手段】透明基体（Ａ）１０上に、透明高屈折率
薄膜層（ａ）２０及び透明金属薄膜層（ｂ）３０を積層
してなる透明導電性膜膜積層体を不活性ガスによるスパ
ッタリングによりドライエッチング法でパターニングを
行なう。該不活性ガスが、ネオン、アルゴン、クリプト
ン、キセノンの中の少なくとも一つを主成分とすること
を特徴とするエッチング方法。上記の方法によってエッ
チングされた透明導電性薄膜積層体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層体のエッチン
グ方法、さらに詳しくは不活性ガスによるスパッタリン
グを用いた、積層体のエッチング方法及びその方法によ
ってエッチングされた積層体さらにはそれを用いた発光
素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】透明導電性薄膜は、透明であるにもかか
わらず導電性を有する薄膜であり、その代表例は、イン
ジウムとスズとの酸化物（ＩＴＯ）からなる薄膜であ
る。その用途は幅広い。主な用途は、表示パネルの透明
電極用や電磁波遮断用である。

【０００３】透明電極は、表示パネルの視認部の面電極
であり、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミ
ネッセンス（ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレ
イパネル（ＰＤＰ）等に現在、広く用いられている。最
近では、有機エレクトロルミネッセンス（ＯＥＬ）ディ
スプレイやフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥ
Ｄ）が、次世代ディスプレイの一つとして注目されてい
る。

【０００４】最近、表示パネルの大型化及び小型携帯化
ニーズが非常に高まっている。これを実現するために
は、表示素子の低消費電力化が必要である。この目的の
ためには、可視光線透過率を維持しつつ、抵抗値が低い
透明電極の開発が有効である。特に最近開発されつつあ
る、有機エレクトロルミネッセンス素子に関しては、自
発光タイプであり、小型携帯端末向けに主に開発された
いるため、透明電極の低抵抗化への期待は大きい。ま
た、現在、市場に広まりつつあるプラズマディスプレイ
パネル（ＰＤＰ）や次世代のディスプレイとして開発さ
れつつあるフィールドエミッションディスプレイ(ＦＥ
Ｄ)、既に市場に広まっている液晶ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）に関しても、消費電力低減の面から、低抵抗透明電
極開発に対する期待は大きい。さらにＬＣＤに関して
は、特に単純マトリックス駆動方式である場合には、高
精細化がすすむにつれ、透明電極の低抵抗化が十分でな
いと画素ごとの表示具合にばらつきを生じるという問題
が生じるため、透明電極の低抵抗化は重要な開発課題で
ある。

【０００５】ＩＴＯ等を用いた透明電極の場合、低抵抗
化を実現するため成膜後の熱処理が行われる。処理温度
は数１００℃まで及ぶ。しかし、この手法では、十分な
特性のものを再現性よく量産することが難しい。また、
小型携帯端末をターゲットとした場合、透明電極自体の
軽量化も必要である。透明電極の軽量化を実現するため
には、基体の軽量化が有効である。このため、従来、主
にガラスが、用いられてきたが、最近では高分子成形体
が利用されるようになりつつある。

【０００６】高分子成形体は、概して耐熱性に乏しい。
このため、ＩＴＯ等の低抵抗化を実現するために薄膜形
成後に行われてきた熱処理を行うことができない。

【０００７】熱処理を行わずに低抵抗透明電極を実現す
るための手段としては、透明導電性薄膜積層体の利用が
有効である。透明導電性薄膜積層体とは、導電性に優れ
る金属の薄膜を透明高屈折率薄膜で挟んだものである。
透明導電性薄膜積層体の導電性は、主に透明金属薄膜層
の導電性に左右され、従来の透明導電性薄膜では、実現
し得ない高い導電性を得ることができる。この透明導電
性薄膜積層体は、各薄膜層の材料や膜厚を選ぶことによ
って、用途に応じて最適な光学特性及び電気特性を持つ
ように設計することができるため、非常に有用である。

【０００８】ディスプレイ面は、通常は、パターニング
された、細かな画素の集まりである。各画素を独立に発
光させ、様々な文字や画像を表示させる。用いられる透
明電極も目標とする画素サイズに応じて、パターニング
されている必要がある。

【０００９】透明電極に求められるバターニング形状
は、ディプレイの駆動方式に左右される。例えば、単純
マトリックス方式で駆動される場合は、直線状にパター
ニングされている場合が多く、薄膜トランジスター（Ｔ
ＦＴ）方式で駆動される場合は、各画素毎に碁盤目状に
形成されている場合が多い。

【００１０】従来、透明電極として用いられているＩＴ
Ｏ等も上記の様にパターニングを施して通常用いられて
いる。

【００１１】パターニング手法としては、大きく分け
て、湿式法と乾燥法がある。一般的には湿式法が用いら
れている。湿式法では、例えば、ＩＴＯが、全面に成膜
されたものを用意し、不要な部分を塩酸を用いて、溶解
することによってパターニングが行なわれる。しかし、
積層体の場合、各層によってエッチングされる速度が異
なるのが通常である。その為、各積層層のエッチング後
の端面がそろうようにエッチングを行なうことが非常に
難しく、層の厚みが不均一になってしまう。その結果、
表示素子を作製した場合に表示状態が不均一になってし
まう。

【００１２】前述の問題を解決するための手段としてド
ライエッチング法を用いる方法が検討されてきた。ドラ
イエッチングに用いられるガスとしては、ヨウ化水素ガ
ス（ＨＩガス）、臭化水素ガス、塩素ガス、メタンガ
ス、メタノールガス等が用いられている。この中で、ヨ
ウ化水素ガスが最も高いエッチング速度を得ることがで
き、また、基板上に残渣を残さず、かつ最も安定したエ
ッチングを行なうことができる。この手法を用いると各
積層層の端部の位置ずれ幅を５μｍ程度の精度で一致さ
せることができる。

【００１３】さらにヨウ化水素ガスとアルゴン等の不活
性ガスとの混合ガスを用いることによって、位置ずれ幅
を向上させることができる。なお、ヨウ化水素ガスとア
ルゴンをヨウ化水素ガス：アルゴンを１０：９０の割合
で混合してなる混合ガスを用いた場合にもっとも優れた
位置ずれ幅を得ることができ、この手法により得ること
のできる位置ずれ幅は２μｍを超える程度である。しか
し、最近では表示素子の高精細化が進み、前述の位置ず
れ幅でも不充分になりつつある。求められる位置ずれ幅
は２μｍ以内である。

【００１４】なお、透明導電性薄膜積層体のエッチング
手法に関しては、ＷＯ９９／３６２６１において、レー
ザーアプレーションを用いた手法が提案されているが、
位置ずれ幅に関しては言及されていない上に、用いてい
るレーザーのビーム径から推測すると必要な位置ずれ幅
を実現できるものではないと思われる。さらにこの手法
は、エッチングする部分全てを走査するものであり、一
度に全ての部分をパターニングすることができるエッチ
ング手法に比較して、非常に効率の悪い手法である。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、透明高屈折率薄膜層と透明金属薄膜層から
なる透明導電性薄膜積層体を不活性ガスによるスパッタ
リングを用いたドライエッチング手法により、位置ずれ
幅２μｍ以内の微細なパターニングを効率よく可能足ら
しめるものである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の課題は、本発明
における透明高屈折率薄膜層及び金属薄膜層よりなる透
明導電性薄膜積層体を、不活性ガスによるスパッタリン
グによってエッチングことエッチングすることで解決さ
れる。

【００１７】すなわち、本発明の課題は以下に示される
事項により特定される発明によって解決することができ
る。

【００１８】（１）透明基体（Ａ）上に、透明高屈折
率薄膜層（ａ）及び透明金属薄膜層（ｂ）を積層してな
る透明導電性膜膜積層体を、不活性ガスによるスパッタ
リングによってエッチングすることを特徴とする透明導
電性薄膜積層体のエッチング方法。

【００１９】（２）該不活性ガスが、ネオン、アルゴ
ン、クリプトン、キセノンの中の少なくとも一つを主成
分とすることを特徴とする（１）に記載のエッチング方
法。

【００２０】（３）（１）乃至（２）のいずれかに記
載の方法によってエッチングされた透明導電性薄膜積層
体。

【００２１】（４）少なくとも最表面から２層までが
エッチングされている（３）記載の透明導電性薄膜積層
体であって、エッチングにより断面がむき出しになった
端部において、一つの層（Ｋ層）を選択し、その層の最
表面に最も近い表面（Ｋ面）上の端部において、一点
（Ｐ点）を選択し、比較する一つの層（Ｌ層）を選択し
た上で、Ｌ層の最表面に最も近い表面（ｌ面）上に、そ
の面の垂直方向に沿って、点Ｐをｌ面上に投影した点
（Ｈ点）を決定し、ｌ面の端部とＨ点との距離を位置ず
れ幅と定義した場合において、位置ずれ幅が、最大でも
２μｍ以内であることを特徴とする透明導電性薄膜積層
体。

【００２２】（５）透明基体（Ａ）上に、透明高屈折
率薄膜層（ａ）及び透明金属薄膜層（ｂ）をＡ／ａ／ｂ
／ａまたはＡ／ａ／ｂ／ａ／ｂ／ａまたはＡ／ａ／ｂ／
ａ／ｂ／ａ／ｂ／ａなる順序で積層することによりなる
（３）乃至（４）いずれかに記載のエッチングされた透
明導電性薄膜積層体。

【００２３】（６）透明基体（Ａ）が、高分子成形体
であることを特徴とする（３）乃至（５）のいずれかに
記載のエッチングされた透明導電性薄膜積層体。

【００２４】（７）透明基体（Ａ）が、ガラスである
ことを特徴とする（３）乃至（５）のいずれかに記載の
エッチングされた透明導電性薄膜積層体。

【００２５】（８）透明高屈折率薄膜層（ａ）が、６
０質量％以上がインジウムの酸化物からなる薄膜層また
はまたは６０質量％以上がチタンの酸化物からなる薄膜
層であることを特徴とする（３）乃至（７）のいずれか
に記載のエッチングされた透明導電性積層体。

【００２６】（９）透明高屈折率薄膜層（ａ）が、６
０質量％以上がインジウムとスズとの酸化物からなる薄
膜層であることを特徴とする（３）乃至（７）のいずれ
かに記載のエッチングされた透明導電性薄膜積層体。

【００２７】（１０）透明金属薄膜層（ｂ）が、銀ま
たは銀合金薄膜層であることを特徴とする（３）乃至
（９）のいずれかに記載のエッチングされた透明薄膜積
層体。

【００２８】（１１）銀合金が、金、パラジウム、
銅、セシウム、インジウムの中から選ばれた少なくとも
１種類の金属と銀との合金であることを特徴とする
（３）乃至（１０）のいずれかに記載のエッチングされ
た透明導電性薄膜積層体。

【００２９】（１２）透明基体（Ａ）上に、透明高屈
折率薄膜層（ａ）及び透明金属薄膜層（ｂ）を積層して
なる透明導電性膜膜積層体を、不活性ガスによるスパッ
タリングによってエッチングして透明導電性薄膜積層体
を製造し、かつ、（４）に記載の積層断面における各層
の端部の位置ずれ幅の精度になるように製造することを
特徴とするエッチングされた透明導電性薄膜積層体の製
造方法。

【００３０】（１３）透明基体（Ａ）上に、透明高屈
折率薄膜層（ａ）及び透明金属薄膜層（ｂ）を積層して
なる透明導電性膜膜積層体を、不活性ガスによるスパッ
タリングによってエッチングして透明導電性薄膜積層体
を製造し、かつ、（６）記載の順序で積層することを特
徴とするエッチングされた透明導電性薄膜積層体の製造
方法。

【００３１】（１４）透明基体（Ａ）上に、透明高屈
折率薄膜層（ａ）及び透明金属薄膜層（ｂ）を積層して
なる透明導電性膜膜積層体を、不活性ガスによるスパッ
タリングによってエッチングして透明導電性薄膜積層体
を製造し、かつ、（７）または（８）記載の透明基体
（Ａ）上に透明高屈折率薄膜層（ａ）及び透明金属薄膜
層（ｂ）を積層することを特徴とするエッチングされた
透明導電性薄膜積層体の製造方法。

【００３２】（１５）透明基体（Ａ）上に、透明高屈
折率薄膜層（ａ）及び透明金属薄膜層（ｂ）を積層して
なる透明導電性膜膜積層体を、不活性ガスによるスパッ
タリングによってエッチングして透明導電性薄膜積層体
を製造し、かつ、（８）または（９）記載の透明高屈折
率薄膜層（ａ）及び／または請求項１０または１１の透
明金属薄膜層（ｂ）を積層することを特徴とするエッチ
ングされた透明導電性薄膜積層体。

【００３３】（１６）（３）乃至（１１）のいずれか
に記載のエッチングされた透明導電性薄膜積層体を用い
た透明電極。

【００３４】（１７）（１６）に記載の透明電極を用
いた有機エレクトロルミネッセンス素子または液晶ディ
スプレイ素子またはフィールドエミッションディスプレ
イ素子。

【００３５】

【発明の実施の態様】[透明基体]本発明に用いられる透
明基体としては、透明高分子成形基体及び透明ガラス基
体が挙げられる。透明高分子成形基体は、透明ガラス基
体に比較して軽い、割れにくい、曲がりやすい等の理由
で好適に用いられる。

【００３６】透明基体としては、主にフィルム状態及び
板の状態のものが使用され、透明性に優れ、用途に応じ
た十分な機械的強度を持つものであることが好ましい。
ここで、透明性に優れるとは、使用される状態での厚さ
において、視感透過率が、４０％以上であることを指
す。また、透明高分子成形基体の主面と反対面には、反
射防止層や防眩層が形成されていても構わない。

【００３７】フィルム状態の透明基体は、主に透明高分
子成形基体である。透明高分子成形基体を具体的に例示
すると、ポリイミド、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリ
エーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）ポリメチレンメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルエーテ
ルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、トリ
アセチルセルロース（ＴＡＣ）等が挙げられる。中で
も、ポリカーボネート（ＰＣ）、及びポリエーテルスル
フォン（ＰＥＳ）は、特に好適に用いられる。

【００３８】透明高分子成形基体フィルムの厚さに特に
制限はない。通常は、２０〜５００μｍ程度である。

【００３９】板状の透明基体は、主に透明高分子成形基
体及び透明ガラス基体である。板状の透明高分子成形基
体に好ましい材料を例示すれば、ポリメタクリル酸メチ
ル（ＰＭＭＡ）を始めとするアクリル樹脂、ポリカーボ
ネイト樹脂等が挙げられるが、これらの樹脂に特定され
るわけではない。中でもＰＭＭＡは、その広い波長領域
での高透明性と機械的強度の高さから好適に使用するこ
とができる。

【００４０】また、透明高分子成形体には、表面の硬度
または密着性を増す等の理由でハードコート層が設けら
れることが多い。

【００４１】透明ガラス基体は、表面の反り、傷などが
ほとんどないものが一般的に使われている。アクティブ
駆動素子がそのガラス上に形成される場合は、ガラスか
らのアルカリ溶出があるとアクティブ素子性能に大きく
影響する懸念があるので、無アルカリガラスが用いられ
ている。それ以外の場合では、安価なソーダライム系の
ガラスが用いられている。ガラス板の製造方法は、フロ
ート法、ダウンロード法、フュージョン法などがある。
無アルカリガラス（白板ガラス）は、ダウンロード法ま
たはフュージョン法を用いて作製され、ソーダライムガ
ラス（青板ガラス）は、フロート法を用いて作製され
る。

【００４２】板状透明基体の厚さに特に制限はなく、十
分な機械的強度と、たわまずに平面性を維持する剛性が
得られれば良い。通常は、０．５〜１０ｍｍ程度であ
る。

【００４３】また、透明基体の表面にはガスバリヤー性
を向上させるための層が形成されていても構わない。ガ
スバリヤー性を向上させる目的では、エチレンビニル酢
酸化合物（ＥＶＡ）、ポリビニル酢酸化合物（ＰＶＡ）
などが一般的に使用されているが、これに限定されるわ
けではない。［透明高屈折率薄膜層］透明高屈折率薄膜層に用いられ
る材料としては、できるだけ透明性に優れたものである
ことが好ましい。ここで透明性に優れるとは、膜厚１０
０ｎｍ程度の薄膜を形成したときに、その薄膜の視感透
過率が６０％以上であることを指す。また、高屈折率材
料とは、５５０ｎｍの光に対する屈折率が、１．４以上
の材料である。これらには、用途に応じて不純物を混入
させても良い。

【００４４】透明高屈折率薄膜層用に好適に用いること
ができる材料を例示すると、インジウムとスズとの酸化
物（ＩＴＯ）、カドミウムとスズとの酸化物（ＣＴ
Ｏ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ₃）、亜鉛とアルミニウムとの酸化物（ＡＺＯ）、
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化トリウム（Ｔｈ
Ｏ₂）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）、酸化ランタン（Ｌａ
Ｏ₂）、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）、酸化インジウム（Ｉ
ｎ₂Ｏ₃）、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₃）、酸化アンチモン
（Ｓｂ₂Ｏ₃）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化セ
シウム（ＣｅＯ₂）、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化ビス
マス（Ｂｉ₂Ｏ₃）等、およびこれ等の混合物である。

【００４５】また、透明高屈折率硫化物を用いても良
い。具体的に例示すると、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化カ
ドミウム（ＣｄＳ）、硫化アンチモン（Ｓｂ₂Ｓ₃）等が
あげられる。

【００４６】透明高屈折率薄膜材料としては、中でも、
ＩＴＯ、ＴｉＯ₂、ＡＺＯが特に好ましい。ＩＴＯ及び
ＡＺＯは、導電性を持つ上に、可視領域における屈折率
が、２．０程度と高く、さらに可視領域にほとんど吸収
を持たない。ＴｉＯ₂は、絶縁物であり、可視領域にわ
ずかな吸収を持つが、可視光に対する屈折率が２．３程
度と大きい。

【００４７】本発明における透明電極には、二つの透明
高屈折率薄膜層（ａ）が存在するが、最表面に位置する
透明高屈折率薄膜層（ａ）は、素子を作製した時、例え
ば有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した時は、
直接有機層と接しているため、電気抵抗の大きさが、発
光輝度を左右する。このため、最表面に位置する透明高
屈折率薄膜層（ａ）に用いられる材料は、比抵抗が低い
ものが好ましく、通常は、ＩＴＯやＡＺＯが好適に用い
られる。

【００４８】透明高屈折率薄膜層の厚さに関しては、透
明電極全体の透過性及び電気伝導性を考慮して決定され
る。通常は、０．５〜１００ｎｍ程度である。［透明金属薄膜］本発明において用いられる、透明金属
薄膜層の材料としては、できるだけ電気伝導性が良く、
薄膜状態における透明性が高い材料が好ましい。ここで
電気伝導性が良いとは、比抵抗が１×１０^-5（Ω・cm）
以下であることである。また、透明性が高いとは、目的
の膜厚における視感平均透過率が４０％以上であること
である。本発明においては、銀または銀の合金が好適に
用いられる。、銀は、比抵抗が、１．５９×１０^-6（Ω
・cm）であり、あらゆる材料の中で最も電気伝導性に優
れる上に、薄膜の可視光線透過率が優れるため、最も好
適に用いられる。但し、銀は、薄膜とした時に安定性を
欠き、硫化や塩素化を受け易いという問題を持ってい
る。この為、安定性を増すために、銀の替わりに銀と金
の合金、銀と銅の合金、銀とパラジウムの合金、銀と銅
とパラジウムの合金、銀と白金の合金等を用いてもよ
い。また、金や銅をを用いても良い。

【００４９】透明金属薄膜層の厚さに関しては、透明電
極全体の透過性及び電気伝導性を考慮して決定される。
通常は、０．５〜１００ｎｍ程度である。

【００５０】[製膜方法]透明高屈折率薄膜層、透明金属
薄膜層、ガスバリヤー層の形成には、真空蒸着法、イオ
ンプレーティング法、スパッタリング法等の従来公知の
手法によればよい。

【００５１】透明高屈折率薄膜層の形成には、イオンプ
レーディング法またはスパッタリング法が好適に用いら
れる。イオンプレーティング法では、反応ガスプラズマ
中で所望の金属または焼結体を抵抗加熱したり、電子ビ
ームにより加熱したりすることにより真空蒸着を行う。
スパッタリング法では、ターゲットに所望の金属または
焼結体を使用し、スパッタリングガスにアルゴン、ネオ
ン等の不活性ガスを用い、反応に必要なガスを加えて、
スパッタリングを行う。例えば、ＩＴＯ薄膜を形成する
場合には、スパッタリングターゲットにインジウムとス
ズとの酸化物を用いて、酸素ガス中で直流マグネトロン
スパッタリングを行う。

【００５２】透明金属薄膜層には、真空蒸着法またはス
パッタリング法が、好適に用いられる。真空蒸着法で
は、所望の金属を蒸着源として使用し、抵抗加熱、電子
ビーム加熱等により、加熱蒸着させることで、簡便に透
明金属薄膜を形成することができる。また、スパッタリ
ング法を用いる場合は、ターゲットに所望の金属材料を
用いて、スパッタリングガスにアルゴン、ネオン等の不
活性ガスを使用し、直流スパッタリング法や高周波スパ
ッタリング法を用いて透明金属薄膜を形成することがで
きる。成膜速度を上昇させるために、直流マグネトロン
スパッタリング法や高周波マグネトロンスパッタリング
法が用いられることも多い。［構成］本発明における透明導電性薄膜の構成は、透明
高屈折率薄膜層（ａ）と透明金属薄膜層（ｂ）との繰り
返し積層体であり、透明基体（Ａ）上に形成される。具
体的な断面構成は、Ａ／ａ／ｂ／ａ、Ａ／ａ／ｂ／ａ／
ｂ／ａ、Ａ／ａ／ｂ／ａ／ｂ／ａ／ｂ／ａ等である。各
ａ及びｂ層が実質的に２つ以上の層からなる場合もあ
る。また、Ａ層とａ層の中間、ａ層とｂ層の中間、最表
面に位置するａ層の表面上等に密着性を上げる目的やガ
スバリヤー性を上げる目的で層を形成しても良い。

【００５３】図１は、本発明における透明導電性薄膜積
層体の一例を示す断面図である。１０：透明基体（Ａ）
上に２０：透明高屈折率薄膜層（ａ）、３０：透明金属
薄膜層（ｂ）が、Ａ／ａ／ｂ／ａの構成で形成されてい
る。［パターニング］単純マトリックス方式で駆動する素子
用の透明電極は、通常は、幅を持つ直線状のものとし
て、複数本、平行にある間隔を持って形成されている。
透明導電性薄膜形成部分の幅に特に指定はないが、通常
は、２０〜２０００μｍである。また、透明導電性薄膜
未形成部分の幅にも特に指定はない。通常は、１〜３０
００μｍである。例えば有機ＥＬ素子の場合は、この透
明電極が陽極となる。ＬＣＤ素子の場合は、この透明電
極を２枚組み合わせそれぞれの透明電極が互いに交差す
るように配置する。一方の透明電極のある一本ともう一
方の透明電極のある一本を指定すると、その交点に電圧
を印加することができる。

【００５４】アクティブマトリックス駆動方式で駆動す
る場合は、アクティブ駆動素子が透明電極基板に形成さ
れている。そして、それぞれの駆動素子ごとに画素電極
としての透明電極が形成されている。画素電極の大きさ
及び形は、通常一辺の長さが２０〜５００μｍの長方形
であり、駆動素子を配置するために一部分がかけている
形状になっている場合が多い。

【００５５】図２に本発明によるパターニング形状の一
例を示した。４０は透明導電性薄膜層形成部分、５０は
透明導電性薄膜未形成部分である。

【００５６】なお、本発明においては、積層体をエッチ
ングによりパターニングした場合に各層同士の端面の位
置ずれ幅が著しく小さい。

【００５７】ここで、端部の位置ずれ幅とは以下に定義
する。エッチングにより断面がむき出しになった端部に
おいて、一つの層（Ｋ層）を選択し、その層の最表面に
最も近い表面（Ｋ面）上の端部において、一点（Ｐ点）
を選択し、比較する一つの層（Ｌ層）を選択した上で、
Ｌ層の最表面に最も近い表面（ｌ面）上に、その面の垂
直方向に沿って、点ＰをＩ面上に投影した点（Ｈ点）を
決定し、ｌ面の端部とＨ点との距離を位置ずれ幅と定義
する。

【００５８】好ましい位置ずれ幅は２μｍ以内、より好
ましくは１．５μｍ以内、さらに好ましくは１μｍ以内
である。

【００５９】[ドライエッチング法]ドライエッチング法
とは、高周波プラズマなどで高エネルギー状態になった
ガス分子によりエッチングを行なう方法である。通常
は、マスクを用いて必要部分を覆い、不用部分を取り除
く。マスクとしては、フォトレジストを用いたり、又簡
易に行なう場合にはテープを用いたりする。フォトレジ
ストを用いる場合は、まず全面にフォトレジストを塗布
し、マスク形成部分以外に紫外線を照射する。その後、
紫外線照射部分を現像によって取り除く。エッチング処
理終了後は、レジストはアルカリ溶液を用いて取り除か
れる。又、テープを用いた場合は、剥がせば良い。

【００６０】本発明によって開示されたドライエッチン
グ方法は、１３．５６ＭＨｚの高周波電界を印加するこ
とにより行なうＲＩＥ型のものや、ＩＣＰ型のエッチン
グ装置に対応可能である。また、ＥＣＲ型の装置などに
も用いることが可能である。ＲＩＥ型装置の場合には、
印加電極（カソード電極）と対向電極（アノード電極）
との間に放電が形成される装置を用いるものが通常であ
るが、対向電極が接地されているものである場合には、
基板を印加電極側に設置することが通常である。さら
に、対向電極にバイアス電圧（高周波によって印加する
ものであってもよい）を印加するものである場合には、
対向電極側に基板を設置するものであってもよい。本発
明が開示するＲＩＥ型のＩＴＯを始めとするインジウム
化合物薄膜のドライエッチングに用いる印加電極の周波
数は、５ＭＨｚ以上、２００ＭＨｚ以下であり、いわゆ
るＲＦ放電からＶＨＦ放電の範囲を網羅する。また、Ｉ
ＣＰ型の放電を用いる場合における周波数は、印加電極
側にて１ＭＨｚから１００ＭＨｚの範囲に含まれるもの
が用いられる。

【００６１】本発明において用いることができるガス
は、不活性ガスであり、具体的には、ネオン、アルゴ
ン、キセノン、クリプトンガス等の希ガスの少なくとも
１種を主成分とするガス等であり、これ等のガスは不活
性ガスを９５％以上含有する必要がある。

【００６２】本発明における場合の中で、特に透明導電
性薄膜積層体の中の金属薄膜層が、銀または銀合金から
なる金属薄膜層である場合、反応性のあるガスを用いる
と銀が、ガスと反応し、状態を変えてしまうので好まし
くない。また、金属薄膜層を積層体中に有する場合、Ｉ
ＴＯ等の酸化物のみからなる薄膜をエッチングする場合
に比較して、エッチング速度が非常に遅い。このこと
は、金属薄膜層として銀または銀合金薄膜を用いる場合
に特に顕著である。エッチング速度が遅いと反応性ガス
が、銀または銀合金薄膜層と接する時間が長くなり、さ
らに銀または銀合金薄膜層の状態変化を生む要因とな
る。

【００６３】本発明におけるドライエッチングは、圧力
０．００１〜１０Ｐａの範囲にて行なわれている。

【００６４】図３には、本発明に用いたドライエッチン
グ装置の図を示した。本発明装置は、通常のＲＩＥ装置
からなっている。具体的には、エッチング室６０に排気
用のケミカルドライポンプ７０とターボ分子ポンプ８０
を取り付けており、０．００２Ｐａ以下にまでの高真空
が得られるシステムとしている。電極はＲＩＥ型である
ために、平行平板電極からなっており、１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を投入することができる印加電極９０
と、アース設置されている対向電極１００とからなって
いる。印加電極上面には、エッチング対象基板１１０を
具備した基板を設置することができる。本システムにお
いては、ガラス板とスパッタターゲットとして用いるＩ
ＴＯ板をおいてエッチング対象物とした。また、本発明
に用いた装置には、外部加熱ヒーター１２０、マスフロ
ーコントローラー１３０、分圧真空計センサー１４０と
分圧真空計本体１５０が取りつけられており、チャンバ
ー内の水蒸気圧力を質量数１８に相当する圧力成分とし
て測定することができる。測定した圧力は、分圧真空計
本体により読み取ることができるが、測定できる圧力範
囲は、０．０００００１Ｐａ以上、０．１Ｐａ以下の範
囲である。

【００６５】[分析方法]本発明における積層体の分析手
法は以下の通りである。

【００６６】透明導電性薄膜積層体の薄膜層表面の原子
組成は、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、蛍光Ｘ線法
（ＸＲＦ）、Ｘ線マイクロアナライシス法（ＸＭＡ）、
荷電粒子励起Ｘ線分析法（ＲＢＳ）、Ｘ線光電子分光法
（ＸＰＳ）、真空紫外光電子分光法（ＵＰＳ）、赤外吸
収分光法（ＩＲ）、ラマン分光法、２次イオン質量分析
法（ＳＩＭＳ）、低エネルギーイオン散乱分光法（ＩＳ
Ｓ）等により測定できる。また、膜中の原子組成及び膜
厚は、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）や２次イオン質量
分析（ＳＩＭＳ）を深さ方向に実施することによって調
べることができる。

【００６７】透明導電性薄膜積層体の構成及び各層の状
態は及び断面の光学顕微鏡測定、走査型電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）測定、透過型電子顕微鏡測定（ＴＥＭ）を用いて
調べることができる。

【００６８】エッチング後の端部における各層の位置ず
れ幅は、簡易には光学顕微鏡測定により調べることがで
き、より詳細には断面の光学顕微鏡測定、走査型電子顕
微鏡（ＳＥＭ）測定、透過型電子顕微鏡測定（ＴＥＭ）
を用いて調べることができる。

【００６９】光学特性は、従来公知の手段を用いて調べ
れば良い。例えば、分光器によって透過率を測定すれば
良い。

【００７０】電気特性は、従来公知の手段を用いて調べ
れば良い。例えば、四端子法を用いて、面抵抗を測定す
れば良い。

【００７１】透明導電性薄膜積層体の構成及び各層の状
態は、断面の光学顕微鏡測定、走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）測定、透過型電子顕微鏡測定（ＴＥＭ）を用いて調
べることができる。

【００７２】また、本発明によって得られるエッチング
された透明導電性薄膜積層体の透明電極としての有用性
は、実際に表示素子を作製し、表示状態を調べることに
よって確認することができる。

【００７３】（実施例１） [透明導電性薄膜積層体の作製]透明基体として、ガラス
板［旭ガラス社製、ソーダライムガラス、大きさ５０×
５０ｍｍ□、厚さ１．１ｍｍｔ］を用意し、まず、透明
導電性薄膜積層体を形成した。直流マグネトロンスパッ
タリング法を用いて、透明基体（Ａ）上に、インジウム
とスズとの酸化物からなる薄膜層（ａ）、銀と金の合金
薄膜層（ｂ）をＡ／ａ［厚さ４０ｎｍ］／ｂ［厚さ９ｎ
ｍ］／ａ［厚さ４０ｎｍ］なる順に積層し、透明電極を
形成した。インジウムとスズとの酸化物からなる薄膜層
は、透明高屈折率薄膜層を、銀と金の合金薄膜層は、透
明金属薄膜層を構成する。インジウムとスズとの酸化物
からなる薄膜層の形成には、ターゲットとして、酸化イ
ンジウムー酸化スズ焼結体［Ｉｎ₂Ｏ₃：ＳｎＯ₂＝９
０：１０（重量比）］、スパッタリングガスとしてアル
ゴン・酸素混合ガス（全圧２６６ｍＰａ、酸素分圧８ｍ
Ｐａ）を用いた。また、銀と金の合金薄膜層の形成に
は、ターゲットとして銀と金の合金［Ａｇ：Ａｕ＝９
５：５（重量比）］を用い、スパッタガスにはアルゴン
ガス（全圧２６６ｍＰａ）を用いた。作製した透明電極
の面抵抗は、１０Ω／□、視感平均透過率は８８％であ
った。

【００７４】［パターン作製］続いて、透明導電性薄膜
積層体にパターン形成を行なった。スピンコート法を用
いて、フォトレジスト［東京応化工業製、品番ＴＳＭＲ
−８９００］を全面に塗布した。塗布厚みは約２μｍと
なるようにした。そのうえに露光用マスク［大きさ５０
ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍｔのガラス板に、図２
に示したような形状で５０μｍ幅の直線状のクロム薄膜
が、５μｍ間隔で形成されている］を重ね、水銀紫外
線ランプ［出力：３００Ｗ］に０．５秒間照射した。続
いて、有機アルカリ現像液［東京応化工業製、品番ＮＭ
Ｄ−Ｗ］に浸し、紫外線照射部分を取り除いた。取り除
かれた部分は、透明導電性薄膜積層体が、積層される必
要のない部分である。

【００７５】［エッチング］続いてドライエッチングを
行ない、透明導電性薄膜積層層不要部分を取り除いた。
装置は容量結合型の高周波電極を備えたＲＩＥ型のドラ
イエッチング装置である。印加電極上に透明導電性薄膜
積層体を形成した基板を設置し、圧力が約０．００１Ｐ
ａになるまで真空引きを行なった後、アルゴンガスを圧
力が０．５Ｐａとなるように導入し、５分間エッチング
を行なった。放電に用いるプラズマは、１３．５６MHz
である。

【００７６】最後に剥離液［東京応化工業製剥離液―
１０６］に浸し、全てのフォトレジストを取り除いた。
以上によりパターン形成された透明電極を作製した。透
明電極に関して、エッチングされた透明導電性薄膜積層
体が、直線状に形成されている方向をＸ方向、それと垂
直な方向をＹ方向と位置付けた。［評価］前述で作製した透明導電性薄膜積層体のエッチ
ング後の端部における各層の位置ずれ幅を断面ＳＥＭ法
を用いて調べた。

【００７７】（実施例２）以下の点以外は、実施例１と
同様に実施した。実施例１における銀と金との合金薄膜
層の変わりに、銀とパラジウムと銅の合金薄膜層を用い
た。ターゲットは、銀とパラジウムと銅の合金［Ａｇ：
Ｐｄ：Ｃｕ＝９８：１：１（重量比）］を用いた。

【００７８】（実施例３）［有機ＥＬ素子の作製］実施例１で作製した透明導電性
薄膜積層体を透明電極として、有機ＥＬ素子を作製し
た。

【００７９】まず透明電極表面に金属マスク［５０ｍｍ
×５０ｍｍ、厚さ０．１ｍｍｔ、１００μｍ×５０μｍ
の空間部分１６０が、図４に記載のように形成されてい
る、Ｘ方向の空間同士の間隔は１１０μｍ、Ｙ方向の間
隔は６０μｍ。なお、図４には空間部分の一部分が記載
されている。］を取りつけた。この時、Ｙ方向の空間の
幅部分が、透明電極の幅部分と全ての箇所において一致
するようにする。

【００８０】真空加熱蒸着法を用いて、正孔輸送層とし
てＮ，Ｎ‘−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェ
ニル）−１，１‘−ビフェニル−４，４’−ジアミン
（略称：ＴＰＤ）層［５０ｎｍ］を形成した。続いてそ
の上に真空加熱蒸着法を用いて発光層として８−ハイド
ロキシキノリンアルミニウム（略称：Ａｌｑ３）層［５
０nm］を形成した。

【００８１】続いて、マスクをＹ方向に５５μｍずらし
上記と同様に有機薄膜層を形成した。次に金属マスク
［大きさ５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．１ｍｍｔ、１０
００μｍ幅の直線状の空間が、５μｍ間隔で形成されて
いる］を直線方向がＹ方向となるように有機薄膜層上に
取りつけた。

【００８２】真空加熱蒸着法を用いて、陰極としてマグ
ネシウム層［２ｎｍ］を形成した。最後に陽極である透
明電極及び陰極の各線に電流を流すための配線を取りつ
けた。以上により、有機エレクトロルミネセンス素子を
作製した。

【００８３】[発光評価]有機エレクトロルミネッセンス
素子の発光試験を行なった。電流を流す陽極及び陰極の
位置を順次変えながらそれぞれ１０Ｖの電圧を印加した
ところ、選択した陽極と陰極の線が交差する位置で発光
した。表示したいパターン形状に合わせて、使用する陽
極と陰極を複数選択することによって、パターンを持っ
た発光をさせることができた。画素端部における発光状
態を光学顕微鏡により観察した。

【００８４】（実施例４）実施例２で作製した透明導電
性薄膜積層体を用いて、実施例３と同様に実施した。

【００８５】（実施例５） [液晶ディスプイレ素子の作製]実施例１で作成した透明
電極を２枚用意し、以下の手法で液晶ディスプレイ（Ｌ
ＣＤ）素子を作製した。

【００８６】[カラーフィルターの作製]一枚の透明電極
基板上に電着法によって、カラーフィルターを形成し
た。このカラーフィルターを形成したものを透明電極基
板１とし、そうでないものを透明電極基板２とした。
Ｒ、Ｇ、Ｂ三色がストライブ上に交互に並ぶ方式を採用
した。まず、電着溶液を用意した。カルボキシル基を有
する高分子樹脂を有機アミンで中和し、アニオン型の溶
液を用意した。これにＲ、Ｇ、Ｂ三色の顔料を別々に分
散し、Ｒ、Ｇ、Ｂ三色に対応した３種の電着溶液を用意
した。続いて電着を行なった。顔料の濃度は、厚さ２μ
ｍのカラーフィルターを形成した時に、透過率が３０％
になるように調整した。まず、Ｒに塗る部分の透明電極
のリード部分に導電ペーストを用いて電気配線を行な
い、透明電極基板を電着溶液に浸した。配線の反対側に
は予め対極を設けておき、その対極も電着液に浸す。そ
の後、基板、対極間に電圧を印加し、基板上に着色膜を
析出させた。水で洗浄した後、乾燥させた。同様にして
Ｇ、Ｂに塗る部分にも電着を行なった。続いて温度２０
０℃で６０分間焼成した。

【００８７】ＲＧＢ未形成部分にブラックマトリクスを
形成した。全面にブラックマスク用材料［紫外線硬化樹
脂に黒色顔料を混ぜたもの］をスピンナ−法によって塗
布した。続いて、背面［透明電極形成面反対側］から紫
外線を３０秒間照射した。アルカリ現像液に３０秒間浸
し、不要部分を取り除いた。最後に温度２００℃で６０
分間焼成した。

【００８８】[配向膜の形成]続いて２枚の透明電極基板
上に配向膜を形成した。配向処理剤［ＪＳＲ（株）製、
ポリイミド系：商品名はＪＡＬＳ）をスピンナ−法によ
って厚さ３００ｎｍになるように塗布し、温度１８０℃
で３０分間焼成した。その後、配向膜表面をコットンを
巻きつけたロールで一定方向に擦った（ラビング工
程）。

【００８９】[セルの作製]前述で用意した２枚の透明電
極基板を合わせて空セルを作製した。透明電極基板１の
透明電極形成面に球状シリカ［粒子径５〜６μｍ］をス
プレー散布した。続いて、外周部分にスクリーン印刷に
よって、紫外線硬化樹脂接着剤を塗布した。液晶材料注
入口を用意するために、一部分、未塗布部分を作ってお
いた。続いて透明電極基板２を透明電極面が向かい合う
ように重ね、紫外線を照射し、接着剤を硬化させた。前
述の工程は、基板間距離が５〜６μｍになるように実施
した。

【００９０】続いて真空方式の注入装置を用いて、液晶
材料［メルク社製、品番ＭＬＣ−６０７５］の注入を行
なった。最後に紫外線硬化樹脂封止剤を注入口に塗布
し、紫外線硬化させ、注入口を閉じた。

【００９１】[偏光フィルムの貼りつけ]前述で用意した
液晶セルの両面に偏光フィルム［日東電工製］を透明粘
着材を介して貼り合せた。透明電極基板２に関しては、
偏光フィルムからの透過光の振動方向と液晶分子配向予
定方向が一致するようにし、透明電極基板１に関して
は、液晶によって旋光した光の振動方向と一致するよう
に決められた液晶分子配向予定方向と偏光フィルムの透
過光振動方向が一致するようにした。

【００９２】[バックライトの取りつけ]前述で用意した
液晶セルの片面透明電極基板２側にバックライトユニッ
ト[エンプラス社製]を設置した。

【００９３】[動作制御配線]透明電極の電極取り出し部
分に、ＴＡＢフィルム［基板側に１０μｍ間隔でストラ
イブ上に銅箔が透明電極の本数分形成されている。外部
とりだし側には３ｍｍ間隔でストライブ上に銅箔が透明
電極の本数分形成されている。両側のそれぞれの銅箔が
一対一対応で電気的に接続している。］をＡＣＦ[日立
化成工業社製]を用いて接着した。以上によりＬＣＤ素
子を作製した。

【００９４】［表示評価］液晶ディスプレイ素子の表示
試験を行なった。電圧を印加する電極の位置を順次変え
ながらそれぞれ１Ｖの電圧を印加したところ、選択した
向い合う電極線が交差する位置で光透過した。表示した
いパターン形状に合わせて、使用する陽極と陰極を複数
選択することによって、パターンを持った発光をさせる
ことができた。画素端部における発光状態を光学顕微鏡
により観察した。

【００９５】（実施例６）透明電極として実施例２で作
成した透明導電性薄膜積層体を用いた点以外は、実施例
５と同様に実施した。

【００９６】（比較例１）以下の点を除いて実施例１と
同様に実施した。ドライエッチング過程において反応性
ガスとしてＨＩとアルゴンとの混合ガス（ＨＩ：Ａｒ＝
９０：１０）［圧力比］）を０．７Ｐａとなるように導
入して、４分間エッチングを行なった。

【００９７】（比較例２）比較例１で作成した透明導電
性薄膜積層体を透明電極として実施例３で行なったのと
同様に有機ＥＬ素子を作製し、評価を行なった。

【００９８】（比較例３）比較例１で作成した透明導電
性薄膜積層体を透明電極として実施例５で行なったのと
同様にＬＣＤ素子を作製し、評価を行なった。

【００９９】以上の結果を表１及び２に掲げた。

【０１００】

【表１】

【０１０１】

【表２】

【０１０２】

【表３】表１から分かるように実施例１〜２においてエッチング
後の端部における各積層層の位置ずれ幅の精度が大幅に
向上していることが判る。また、表２から分かるように
各積層層の位置ずれ幅が向上したエッチングされた透明
導電性薄膜積層体を透明電極とした有機ＥＬ素子を作製
することによって画素の発光均一性が大幅に向上する。
さらに表３から分かるように各積層層の位置ずれ幅が向
上した透明導電性薄膜積層体を透明電極としたＬＣＤ素
子を作製することによって画素の発光均一性が大幅に向
上する。

【０１０３】

【発明の効果】不活性ガスによるスパッタリングを用い
たドライエッチング法によりパターニングを行なうこと
により、端部のパターン精度が従来になく優れたエッチ
ングされた透明導電性薄膜積層体を提供することができ
る。それを用いることにより透明導電性薄膜積層体を透
明電極として用いているにもかかわらず、画素内での発
光が状態が均一である表示素子を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】透明電極の一例を示す断面図である。

【図２】透明電極のパターンの一例を示す平面図であ
る。

【図３】ドライエッチング装置を示す図である。

【図４】有機分子蒸着マスクの一例を示す図である。

【符号の説明】

１０透明基体２０透明高屈折率薄膜層３０透明金属薄膜層４０透明導電性薄膜形成部分５０透明導電性薄膜未形成部分６０エッチング室７０ケミカルドライポンプ８０ターボ分子ポンプ９０印加電極１００対向電極１１０エッチング対象基板１２０チャンバー外部加熱ヒーター１３０マスフローコントローラー１４０分圧真空計センサー１５０分圧真空計本体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者福田伸千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株式会社内 (72)発明者柳川紀行千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株式会社内 (72)発明者貞本満千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株式会社内Ｆターム(参考） 4F100 AA17B AA21B AA28B AB01C AB01E AB24C AB25C AB31C AB40C AG00A AT00A BA03 BA04 BA05 BA07 EH662 GB41 JM02B JM02C JM02E JN18B JN18D JN28 JN30 5G307 FA01 FA02 FB02 FC10 5G323 CA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基体（Ａ）上に、透明高屈折率薄膜
層（ａ）及び透明金属薄膜層（ｂ）を積層してなる透明
導電性膜膜積層体を、不活性ガスによるスパッタリング
によってエッチングすることを特徴とする透明導電性薄
膜積層体のエッチング方法。
【請求項２】該不活性ガスが、ネオン、アルゴン、ク
リプトン、キセノンの中の少なくとも一つを主成分とす
ることを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項３】請求項１乃至２のいずれかに記載の方法
によってエッチングされた透明導電性薄膜積層体。
【請求項４】少なくとも最表面から２層までがエッチ
ングされている請求項３記載の透明導電性薄膜積層体で
あって、エッチングにより断面がむき出しになった端部
において、一つの層（Ｋ層）を選択し、その層の最表面
に最も近い表面（Ｋ面）上の端部において、一点（Ｐ
点）を選択し、比較する一つの層（Ｌ層）を選択した上
で、Ｌ層の最表面に最も近い表面（ｌ面）上に、その面
の垂直方向に沿って、点Ｐをｌ面上に投影した点（Ｈ
点）を決定し、ｌ面の端部とＨ点との距離を位置ずれ幅
と定義した場合において、位置ずれ幅が、最大でも２μ
ｍ以内であることを特徴とする透明導電性薄膜積層体。
【請求項５】透明基体（Ａ）上に、透明高屈折率薄膜
層（ａ）及び透明金属薄膜層（ｂ）をＡ／ａ／ｂ／ａま
たはＡ／ａ／ｂ／ａ／ｂ／ａまたはＡ／ａ／ｂ／ａ／ｂ
／ａ／ｂ／ａなる順序で積層することによりなる請求項
３乃至４いずれかに記載のエッチングされた透明導電性
薄膜積層体。
【請求項６】透明基体（Ａ）が、高分子成形体である
ことを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載のエ
ッチングされた透明導電性薄膜積層体。
【請求項７】透明基体（Ａ）が、ガラスであることを
特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載のエッチン
グされた透明導電性薄膜積層体。
【請求項８】透明高屈折率薄膜層（ａ）が、６０質量
％以上がインジウムの酸化物からなる薄膜層またはまた
は６０質量％以上がチタンの酸化物からなる薄膜層であ
ることを特徴とする請求項３乃至７のいずれかに記載の
エッチングされた透明導電性積層体。
【請求項９】透明高屈折率薄膜層（ａ）が、６０質量
％以上がインジウムとスズとの酸化物からなる薄膜層で
あることを特徴とする請求項３乃至７のいずれかに記載
のエッチングされた透明導電性薄膜積層体。
【請求項１０】透明金属薄膜層（ｂ）が、銀または銀
合金薄膜層であることを特徴とする請求項３乃至９のい
ずれかに記載のエッチングされた透明薄膜積層体。
【請求項１１】銀合金が、金、パラジウム、銅、セシ
ウム、インジウムの中から選ばれた少なくとも１種類の
金属と銀との合金であることを特徴とする請求項３乃至
１０のいずれかに記載のエッチングされた透明導電性薄
膜積層体。
【請求項１２】透明基体（Ａ）上に、透明高屈折率薄
膜層（ａ）及び透明金属薄膜層（ｂ）を積層してなる透
明導電性膜膜積層体を、不活性ガスによるスパッタリン
グによってエッチングして透明導電性薄膜積層体を製造
し、かつ、請求項４に記載の積層断面における各層の端
部の位置ずれ幅の精度になるように製造することを特徴
とするエッチングされた透明導電性薄膜積層体の製造方
法。
【請求項１３】透明基体（Ａ）上に、透明高屈折率薄
膜層（ａ）及び透明金属薄膜層（ｂ）を積層してなる透
明導電性膜膜積層体を、不活性ガスによるスパッタリン
グによってエッチングして透明導電性薄膜積層体を製造
し、かつ、請求項６記載の順序で積層することを特徴と
するエッチングされた透明導電性薄膜積層体の製造方
法。
【請求項１４】透明基体（Ａ）上に、透明高屈折率薄
膜層（ａ）及び透明金属薄膜層（ｂ）を積層してなる透
明導電性膜膜積層体を、不活性ガスによるスパッタリン
グによってエッチングして透明導電性薄膜積層体を製造
し、かつ、請求項７または８記載の透明基体（Ａ）上に
透明高屈折率薄膜層（ａ）及び透明金属薄膜層（ｂ）を
積層することを特徴とするエッチングされた透明導電性
薄膜積層体の製造方法。
【請求項１５】透明基体（Ａ）上に、透明高屈折率薄
膜層（ａ）及び透明金属薄膜層（ｂ）を積層してなる透
明導電性膜膜積層体を、不活性ガスによるスパッタリン
グによってエッチングして透明導電性薄膜積層体を製造
し、かつ、請求項８または９記載の透明高屈折率薄膜層
（ａ）及び／または請求項１０または１１の透明金属薄
膜層（ｂ）を積層することを特徴とするエッチングされ
た透明導電性薄膜積層体。
【請求項１６】請求項３乃至１１のいずれかに記載のエ
ッチングされた透明導電性薄膜積層体を用いた透明電
極。
【請求項１７】請求項１６に記載の透明電極を用いた
有機エレクトロルミネッセンス素子または液晶ディスプ
レイ素子またはフィールドエミッションディスプレイ素
子。