JP2002277521A - 磁気インピーダンス効果素子の駆動回路 - Google Patents
磁気インピーダンス効果素子の駆動回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】磁気インピーダンス効果素子を用いて外部磁界
を検出する磁界検出装置において、負帰還磁界発生コイ
ルに負帰還をかけて検出出力特性をリニアにする場合、
負帰還磁界発生コイルのインダクタンス変動があって
も、外部磁界を安定に検出できる磁気インピーダンス効
果素子の駆動回路を提供する。 【解決手段】外部磁界Ｈｅｘの印加によりインピーダン
ス変化を生じる磁気インピーダンス効果素子４でその外
部磁界を検出する回路において、磁気インピーダンス効
果素子４に負帰還磁界を印加する負帰還磁界発生コイル
７と外部磁界検出出力端６１との間に、負帰還率が上記
コイル７のインダクタンス変化の影響を受けないように
インピーダンス補正回路８を挿入した。
を検出する磁界検出装置において、負帰還磁界発生コイ
ルに負帰還をかけて検出出力特性をリニアにする場合、
負帰還磁界発生コイルのインダクタンス変動があって
も、外部磁界を安定に検出できる磁気インピーダンス効
果素子の駆動回路を提供する。 【解決手段】外部磁界Ｈｅｘの印加によりインピーダン
ス変化を生じる磁気インピーダンス効果素子４でその外
部磁界を検出する回路において、磁気インピーダンス効
果素子４に負帰還磁界を印加する負帰還磁界発生コイル
７と外部磁界検出出力端６１との間に、負帰還率が上記
コイル７のインダクタンス変化の影響を受けないように
インピーダンス補正回路８を挿入した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁界検出に使用する
磁気インピーダンス効果素子の駆動回路に関するもので
ある。
磁気インピーダンス効果素子の駆動回路に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】アモルファス合金ワイヤとして、自発磁
化の方向がワイヤ周方向に対し互いに逆方向の磁区が交
互に磁壁で隔てられた構成の外殻部を有する、零磁歪乃
至は負磁歪のアモルファス合金ワイヤが開発されてい
る。
化の方向がワイヤ周方向に対し互いに逆方向の磁区が交
互に磁壁で隔てられた構成の外殻部を有する、零磁歪乃
至は負磁歪のアモルファス合金ワイヤが開発されてい
る。
【０００３】かかる零磁歪乃至は負磁歪のアモルファス
磁性ワイヤに高周波電流を通電したときに発生するワイ
ヤ両端間出力電圧中のインダクタンス電圧分は、ワイヤ
の横断面内に生じる円周方向磁束によって上記の円周方
向に易磁化性の外殻部が円周方向に磁化されることに起
因して発生する。従って、周方向透磁率μθは同外殻部
の円周方向の磁化に依存する。而るに、この通電中のア
モルファスワイヤに外部磁界を作用させると、上記通電
による円周方向磁束と外部磁束との合成により、上記円
周方向に易磁化性を有する外殻部に作用する磁束の方向
が円周方向からずれ、それだけ円周方向への磁化が生じ
難くなり、上記周方向透磁率μθが変化する。すなわ
ち、外部磁界が作用したときの前記磁束の周方向からの
ずれをφとすれば、周方向磁束がcosφ倍減少され、こ
の回転磁化により前記μθが減少される。従って、この
μθの減少により、上記インダクタンス電圧分が減少さ
れるようになる。
磁性ワイヤに高周波電流を通電したときに発生するワイ
ヤ両端間出力電圧中のインダクタンス電圧分は、ワイヤ
の横断面内に生じる円周方向磁束によって上記の円周方
向に易磁化性の外殻部が円周方向に磁化されることに起
因して発生する。従って、周方向透磁率μθは同外殻部
の円周方向の磁化に依存する。而るに、この通電中のア
モルファスワイヤに外部磁界を作用させると、上記通電
による円周方向磁束と外部磁束との合成により、上記円
周方向に易磁化性を有する外殻部に作用する磁束の方向
が円周方向からずれ、それだけ円周方向への磁化が生じ
難くなり、上記周方向透磁率μθが変化する。すなわ
ち、外部磁界が作用したときの前記磁束の周方向からの
ずれをφとすれば、周方向磁束がcosφ倍減少され、こ
の回転磁化により前記μθが減少される。従って、この
μθの減少により、上記インダクタンス電圧分が減少さ
れるようになる。
【０００４】更に、上記通電電流の周波数がMHzオ−ダ
になると、高周波表皮効果が大きく現れ、表皮深さδ＝
（２ρ／wμθ）１／２（μθは前記した通り、円周方
向透磁率、ρは電気抵抗率、wは角周波数)がμθにより
変化し、このμθが前記した通り、外部磁界によって変
化するので、ワイヤ両端間出力電圧中の抵抗電圧分も外
部磁界で変動するようになる。
になると、高周波表皮効果が大きく現れ、表皮深さδ＝
（２ρ／wμθ）１／２（μθは前記した通り、円周方
向透磁率、ρは電気抵抗率、wは角周波数)がμθにより
変化し、このμθが前記した通り、外部磁界によって変
化するので、ワイヤ両端間出力電圧中の抵抗電圧分も外
部磁界で変動するようになる。
【０００５】そこで、外部磁界による上記インダクタン
ス電圧分と抵抗電圧分の双方、すなわち、ワイヤ両端間
出力電圧の変動（この外部磁界による出力電圧の変動は
磁気インピーダンス効果と称されている）から外部磁界
を検出することが提案されている（特開平７−１８１２
３９号）。
ス電圧分と抵抗電圧分の双方、すなわち、ワイヤ両端間
出力電圧の変動（この外部磁界による出力電圧の変動は
磁気インピーダンス効果と称されている）から外部磁界
を検出することが提案されている（特開平７−１８１２
３９号）。
【０００６】上記磁気インピーダンス効果素子を用いた
磁界検出装置は、図５に示すように、基本的に、磁気イ
ンピーダンス効果素子４’、磁気インピーダンス効果素
子４’に高周波電流またはパルス電流を通電するための
発振回路部１’、磁気インピーダンス効果素子４’に加
わる外部磁界Ｈｅｘによる磁気インピーダンス効果素子
両端間のインピ−ダンス変化に基づく変調波を復調して
外部磁界を検波する検波部５’、検出特性をリニアにす
るための負帰還用コイル７’とから構成されている。
磁界検出装置は、図５に示すように、基本的に、磁気イ
ンピーダンス効果素子４’、磁気インピーダンス効果素
子４’に高周波電流またはパルス電流を通電するための
発振回路部１’、磁気インピーダンス効果素子４’に加
わる外部磁界Ｈｅｘによる磁気インピーダンス効果素子
両端間のインピ−ダンス変化に基づく変調波を復調して
外部磁界を検波する検波部５’、検出特性をリニアにす
るための負帰還用コイル７’とから構成されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図５において、外部磁
界をＨｅｘ、検出出力をＥｏ、負帰還をかけないない場
合の検出感度をα、負帰還率をβとすれば、負帰還理論
により、αβ≫１に設定して
界をＨｅｘ、検出出力をＥｏ、負帰還をかけないない場
合の検出感度をα、負帰還率をβとすれば、負帰還理論
により、αβ≫１に設定して
【数１】Ｅｏ＝Ｈｅｘ／β （１） が成立する。而るに、従来では、検出出力Ｅｏを負帰還
磁界発生コイル７’に直接帰還させており、負帰還磁界
発生コイル７’のインダクタンスをＬ、負帰還磁界発生
コイル７’の入力端側からみた抵抗をＲとすると、上記
負帰還率βは
磁界発生コイル７’に直接帰還させており、負帰還磁界
発生コイル７’のインダクタンスをＬ、負帰還磁界発生
コイル７’の入力端側からみた抵抗をＲとすると、上記
負帰還率βは
【数２】 β＝Ｌ／（Ｌ＋Ｒ） （２） であり、Ｒ》Ｌとして
【数３】 β＝Ｌ／Ｒ （３） とされている。しかしながら、負帰還磁界発生コイル
７’のインダクタンスＬは厳密には、リニア特性ではな
く、周波数により変動するため、負帰還率βがそれだけ
不安定化され、出力の安定検出に妨げとなることがあ
る。
７’のインダクタンスＬは厳密には、リニア特性ではな
く、周波数により変動するため、負帰還率βがそれだけ
不安定化され、出力の安定検出に妨げとなることがあ
る。
【０００８】本発明の目的は、磁気インピーダンス効果
素子を用いて外部磁界を検出する磁界検出装置におい
て、負帰還磁界発生コイルに負帰還をかけて検出出力特
性をリニアにする場合、負帰還磁界発生コイルのインダ
クタンス変動があっても、外部磁界を安定に検出できる
磁気インピーダンス効果素子の駆動回路を提供すること
にある。
素子を用いて外部磁界を検出する磁界検出装置におい
て、負帰還磁界発生コイルに負帰還をかけて検出出力特
性をリニアにする場合、負帰還磁界発生コイルのインダ
クタンス変動があっても、外部磁界を安定に検出できる
磁気インピーダンス効果素子の駆動回路を提供すること
にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気インピ
ーダンス効果素子の駆動回路は、外部磁界の印加により
インピーダンス変化を生じる磁気インピーダンス効果素
子でその外部磁界を検出する回路において、磁気インピ
ーダンス効果素子に負帰還磁界を印加する負帰還磁界発
生コイルと外部磁界検出出力端との間に、負帰還率が上
記コイルのインダクタンス変化の影響を受けないように
インピーダンス補正回路を挿入したことを特徴とする構
成であり、インピーダンス補正回路には演算増幅器、例
えば電圧フォロワを有する回路やフォトカプラを有する
回路等を使用できる。
ーダンス効果素子の駆動回路は、外部磁界の印加により
インピーダンス変化を生じる磁気インピーダンス効果素
子でその外部磁界を検出する回路において、磁気インピ
ーダンス効果素子に負帰還磁界を印加する負帰還磁界発
生コイルと外部磁界検出出力端との間に、負帰還率が上
記コイルのインダクタンス変化の影響を受けないように
インピーダンス補正回路を挿入したことを特徴とする構
成であり、インピーダンス補正回路には演算増幅器、例
えば電圧フォロワを有する回路やフォトカプラを有する
回路等を使用できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１は本発明に係る磁気
インピーダンス効果素子の駆動回路を用いた磁界検出装
置の基本的な回路構成の一例を示している。図１におい
て、１は高周波励磁電流発生部である。４は外部磁界検
出素子としての磁気インピーダンス効果素子であり、外
部磁界の印加によりインピーダンス変化を生じ（磁気イ
ンピーダンス効果）るものであり、通常、零磁歪乃至は
負磁歪のアモルファスワイヤ、アモルファスリボン、ス
パッタ膜等が使用される。Ｈｅｘは外部磁界を示してい
る。５は磁気インピーダンス効果素子４の出力波から磁
気インピーダンス効果による出力分を取り出すための検
波回路である。６１は出力検出端であり、Ｅｏは出力を
示している。７は負帰還磁界発生コイルである。８は検
出端６１と負帰還磁界発生コイル７との間に挿入したイ
ンピーダンス補正回路であり、通常、演算増幅器が使用
され、その入力インピーダンスは無限大であり、利得を
Ｇとすると、その出力はＧＥｏで与えられる。
実施の形態について説明する。図１は本発明に係る磁気
インピーダンス効果素子の駆動回路を用いた磁界検出装
置の基本的な回路構成の一例を示している。図１におい
て、１は高周波励磁電流発生部である。４は外部磁界検
出素子としての磁気インピーダンス効果素子であり、外
部磁界の印加によりインピーダンス変化を生じ（磁気イ
ンピーダンス効果）るものであり、通常、零磁歪乃至は
負磁歪のアモルファスワイヤ、アモルファスリボン、ス
パッタ膜等が使用される。Ｈｅｘは外部磁界を示してい
る。５は磁気インピーダンス効果素子４の出力波から磁
気インピーダンス効果による出力分を取り出すための検
波回路である。６１は出力検出端であり、Ｅｏは出力を
示している。７は負帰還磁界発生コイルである。８は検
出端６１と負帰還磁界発生コイル７との間に挿入したイ
ンピーダンス補正回路であり、通常、演算増幅器が使用
され、その入力インピーダンスは無限大であり、利得を
Ｇとすると、その出力はＧＥｏで与えられる。
【００１１】上記において、負帰還磁界発生コイル７の
インダクタンスをＬ、抵抗値をｒとすると、負帰還率β
は
インダクタンスをＬ、抵抗値をｒとすると、負帰還率β
は
【数４】 β＝ＧＬ／（Ｌ＋ｒ） （４） で与えられ、Ｌ》ｒとすることにより
【数５】 β＝Ｇ （５） が成立する。また、演算増幅器８の入力インピーダンス
が無限大であるため、演算増幅器８が検出端６１と負帰
還磁界発生コイル７との間のバッフアとして作用する。
したがって、検出出力Ｅｏと外部磁界Ｈｅｘとの間には
が無限大であるため、演算増幅器８が検出端６１と負帰
還磁界発生コイル７との間のバッフアとして作用する。
したがって、検出出力Ｅｏと外部磁界Ｈｅｘとの間には
【数６】 Ｅｏ＝Ｇ−１・Ｈｅｘ （６） の関係が成立し、負帰還磁界発生コイル７のインダクタ
ンスＬが変動しても、この影響を受けることなく出力で
き、負帰還によるリニア特性と相俟って、安定な検出が
可能となる。
ンスＬが変動しても、この影響を受けることなく出力で
き、負帰還によるリニア特性と相俟って、安定な検出が
可能となる。
【００１２】上記インピーダンス補正回路の演算増幅器
としては、図２の（イ）に示すように、正相増幅回路を
使用することができ、この場合の利得Ｇは
としては、図２の（イ）に示すように、正相増幅回路を
使用することができ、この場合の利得Ｇは
【数７】 Ｇ＝１＋（Ｒ2／Ｒ1） （７） であり、出力は
【数８】 Ｅｏ＝〔１＋（Ｒ2／Ｒ1）〕−１Ｈｅｘ （８） で与えられる。
【００１３】上記Ｒ2を０とした電圧フォロワを使用
し、
し、
【数９】 Ｅｏ＝Ｈｅｘ （９） とすることもできる。
【００１４】上記演算増幅器としては、図２の（ロ）に
示すような逆相増幅回路を使用することもでき、この場
合の入力インピーダンスは、逆相入力端子の抵抗値Ｒ1
で与えられ、この抵抗値が負帰還磁界発生コイル７の入
力インピーダンスに対し、充分に大きくされる。この場
合の利得Ｇは
示すような逆相増幅回路を使用することもでき、この場
合の入力インピーダンスは、逆相入力端子の抵抗値Ｒ1
で与えられ、この抵抗値が負帰還磁界発生コイル７の入
力インピーダンスに対し、充分に大きくされる。この場
合の利得Ｇは
【数１０】 Ｇ＝Ｒ1／Ｒ2 （１０） で与えられ、出力Ｅｏは
【数１１】 Ｅｏ＝（Ｒ2／Ｒ1）Ｈｅｘ （１１） で与えられる。
【００１５】上記インピーダンス補正回路には、出力検
出端と負帰還磁界発生コイルとの間の信号伝達を電気的
接続手段によらずに行い得るものの使用も可能であり、
フォトカプラやアイソレーションアンプも使用できる。
出端と負帰還磁界発生コイルとの間の信号伝達を電気的
接続手段によらずに行い得るものの使用も可能であり、
フォトカプラやアイソレーションアンプも使用できる。
【００１６】本発明に係る磁気インピーダンス効果素子
の駆動回路を用いた磁界検出装置により外部磁界を検出
するには、上記磁界検出装置の磁気インピーダンス効果
素子を外部磁界Ｈexの作用場に曝し、磁気インピーダン
ス効果素子４に励磁電流を通電する。而して、外部磁界
の磁気インピーダンス効果素子軸方向成分Ｈexのために
磁化回転が発生し、前記したμθが低下する。 そし
て、表皮効果が強く現れる高周波のもとでの磁気インピ
ーダンス効果素子のインピ−ダンスが、（ｗμθ）１／
２に比例するから、前記Ｈexの増大に伴うμθの減少に
より出力Ｅoが変化していく。この出力Ｅoは磁気インピ
ーダンス効果素子のインピ−ダンス変化に基づくもので
あるから、磁気インピーダンス効果素子の通電電流の振
幅変調波として現れる。そこで検波回路５で復調し出力
信号を取出して出力Ｅoを得る。
の駆動回路を用いた磁界検出装置により外部磁界を検出
するには、上記磁界検出装置の磁気インピーダンス効果
素子を外部磁界Ｈexの作用場に曝し、磁気インピーダン
ス効果素子４に励磁電流を通電する。而して、外部磁界
の磁気インピーダンス効果素子軸方向成分Ｈexのために
磁化回転が発生し、前記したμθが低下する。 そし
て、表皮効果が強く現れる高周波のもとでの磁気インピ
ーダンス効果素子のインピ−ダンスが、（ｗμθ）１／
２に比例するから、前記Ｈexの増大に伴うμθの減少に
より出力Ｅoが変化していく。この出力Ｅoは磁気インピ
ーダンス効果素子のインピ−ダンス変化に基づくもので
あるから、磁気インピーダンス効果素子の通電電流の振
幅変調波として現れる。そこで検波回路５で復調し出力
信号を取出して出力Ｅoを得る。
【００１７】この出力Ｅoは、式６、８、９、１１等に
示すように、磁気インピーダンス効果素子で検出しよう
とする外部磁界Ｈｅｘに対しリニアであり、かつ、周波
数等に影響されることなく安定であるから、外部磁界を
容易に高精度で検出できる。
示すように、磁気インピーダンス効果素子で検出しよう
とする外部磁界Ｈｅｘに対しリニアであり、かつ、周波
数等に影響されることなく安定であるから、外部磁界を
容易に高精度で検出できる。
【００１８】上記の磁界検出装置において、磁気インピ
ーダンス効果素子の励磁電流のソ−スには、周囲温度に
よる影響が少ない圧電効果型発振器（圧電効果を利用し
た発振器であり、代表的なものは水晶発振器であるが、
セラミックス発振器も使用可能である）を用いることが
有利であり、その発振器の矩形発振出力を積分して得ら
れる三角波を励磁電流として使用することが好ましい。
その理由は、矩形波のままで使用すると、電流値変化の
無い水平部の期間では磁気インピーダンス効果素子の磁
壁振動の駆動力が零となり、正弦高周波とは異なる磁気
的挙動が起るようになり、常に電流変化がある三角波で
使用する方が適確に磁気インピ−ダンス効果を発現させ
得るからである。
ーダンス効果素子の励磁電流のソ−スには、周囲温度に
よる影響が少ない圧電効果型発振器（圧電効果を利用し
た発振器であり、代表的なものは水晶発振器であるが、
セラミックス発振器も使用可能である）を用いることが
有利であり、その発振器の矩形発振出力を積分して得ら
れる三角波を励磁電流として使用することが好ましい。
その理由は、矩形波のままで使用すると、電流値変化の
無い水平部の期間では磁気インピーダンス効果素子の磁
壁振動の駆動力が零となり、正弦高周波とは異なる磁気
的挙動が起るようになり、常に電流変化がある三角波で
使用する方が適確に磁気インピ−ダンス効果を発現させ
得るからである。
【００１９】上記三角波には、水平部をほとんど含まず
立上り傾斜部と立ち下がり傾斜部との繰返しからなるも
のであれば全て含まれ、いわゆるノコギリ波も含まれ
る。
立上り傾斜部と立ち下がり傾斜部との繰返しからなるも
のであれば全て含まれ、いわゆるノコギリ波も含まれ
る。
【００２０】上記検波回路には、ダイオ−ドを使用した
復調回路を用いることもできるが、ダイオ−ドの不安定
な温度特性のために周囲温度によっても信号出力（外部
磁界検出値）の変動が生じるので、理想ダイオ−ドを用
いた復調回路を使用することが望ましい。
復調回路を用いることもできるが、ダイオ−ドの不安定
な温度特性のために周囲温度によっても信号出力（外部
磁界検出値）の変動が生じるので、理想ダイオ−ドを用
いた復調回路を使用することが望ましい。
【００２１】また、上記復調信号が通常６×１０−４Ｖ
／A/m程度であり極めて小さいので、その信号を制御回
路や表示器の出力として使用する場合、増幅器で増幅す
ることが望ましい。
／A/m程度であり極めて小さいので、その信号を制御回
路や表示器の出力として使用する場合、増幅器で増幅す
ることが望ましい。
【００２２】図３は本発明に係る磁気インピーダンス効
果素子の駆動回路を用いた磁界検出回路の一例を示して
いる。図３において、ＯＳＣは水晶発振器であり、その
発振出力は矩形波である。Ｃは直流分カット用コンデン
サ、２は積分回路であり、矩形波を三角波に形成してい
る。３は三角波増幅回路、３１は増幅入力調節器であ
る。４は磁気インピーダンス効果素子である。５は検波
器としてのショットキ−バリアダイオ−ド、６１は信号
出力端である。７は磁気インピーダンス効果素子４に電
磁的にカップリングさせた負帰還磁界発生コイル、８は
インピーダンス補正回路としての演算増幅器である。
果素子の駆動回路を用いた磁界検出回路の一例を示して
いる。図３において、ＯＳＣは水晶発振器であり、その
発振出力は矩形波である。Ｃは直流分カット用コンデン
サ、２は積分回路であり、矩形波を三角波に形成してい
る。３は三角波増幅回路、３１は増幅入力調節器であ
る。４は磁気インピーダンス効果素子である。５は検波
器としてのショットキ−バリアダイオ−ド、６１は信号
出力端である。７は磁気インピーダンス効果素子４に電
磁的にカップリングさせた負帰還磁界発生コイル、８は
インピーダンス補正回路としての演算増幅器である。
【００２３】図４は磁界検出回路の別例を示している。
図４において、１は矩形波発振回路であり、低電力のＣ
ＭＯＳ−ＩＣを発振部とし、発振周波数の安定化のため
に水晶発振子Ｐを並設してある。２は三角波形成用積分
回路、３は増幅回路である。４は磁気インピーダンス効
果素子である。５は検波回路であり、ショットキ−バリ
アダイオ−ドと演算増幅器とを組み合わせてなる反転型
理想ダイオオ−ドを使用して周囲温度による復調出力の
変動を防止している。５１は復調信号のピ−クホ−ルド
回路、６は出力信号増幅器、６２は０点調節器、６１は
信号出力端である。７は磁気インピーダンス効果素子４
に電磁的にカップリングさせたコイル、８はインピーダ
ンス補正回路としての演算増幅器である。
図４において、１は矩形波発振回路であり、低電力のＣ
ＭＯＳ−ＩＣを発振部とし、発振周波数の安定化のため
に水晶発振子Ｐを並設してある。２は三角波形成用積分
回路、３は増幅回路である。４は磁気インピーダンス効
果素子である。５は検波回路であり、ショットキ−バリ
アダイオ−ドと演算増幅器とを組み合わせてなる反転型
理想ダイオオ−ドを使用して周囲温度による復調出力の
変動を防止している。５１は復調信号のピ−クホ−ルド
回路、６は出力信号増幅器、６２は０点調節器、６１は
信号出力端である。７は磁気インピーダンス効果素子４
に電磁的にカップリングさせたコイル、８はインピーダ
ンス補正回路としての演算増幅器である。
【００２４】
【発明の効果】本発明に係る磁気インピーダンス効果素
子の駆動回路によれば、磁気インピーダンス効果素子を
用いて外部磁界を検出する磁界検出装置において、負帰
還磁界発生コイルに負帰還をかけて検出出力特性をリニ
アにする場合、負帰還磁界発生コイルのインダクタンス
変動があっても、そのインダクタンス変動の検出出力へ
の影響を排除でき、外部磁界を容易に高精度にて検出で
きる。
子の駆動回路によれば、磁気インピーダンス効果素子を
用いて外部磁界を検出する磁界検出装置において、負帰
還磁界発生コイルに負帰還をかけて検出出力特性をリニ
アにする場合、負帰還磁界発生コイルのインダクタンス
変動があっても、そのインダクタンス変動の検出出力へ
の影響を排除でき、外部磁界を容易に高精度にて検出で
きる。
【図１】本発明に係る磁界インピーダンス効果素子の駆
動回路を使用した磁界検出装置を示す回路図である。
動回路を使用した磁界検出装置を示す回路図である。
【図２】本発明において使用するインピーダンス補正回
路の異なる例を示す回路図である。
路の異なる例を示す回路図である。
【図３】本発明に係る磁界インピーダンス効果素子の駆
動回路を使用した磁界検出装置の一例を示す図面であ
る。
動回路を使用した磁界検出装置の一例を示す図面であ
る。
【図４】本発明に係る磁界インピーダンス効果素子の駆
動回路を使用した磁界検出装置の一例を示す図面であ
る。
動回路を使用した磁界検出装置の一例を示す図面であ
る。
【図５】従来例を示す図面である。
１ 励磁電流発生部 ４ 磁気インピーダンス効果素子 ５ 検波回路部 ６１ 検出端 ７ 負帰還磁界発生コイル ８ インピーダンス補正回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 43/00 Ｇ０１Ｒ 33/06 Ｒ
Claims (3)
- 【請求項１】外部磁界の印加によりインピーダンス変化
を生じる磁気インピーダンス効果素子でその外部磁界を
検出する回路において、磁気インピーダンス効果素子に
負帰還磁界を印加する負帰還磁界発生コイルと外部磁界
出力検出端との間に、負帰還率が上記コイルのインダク
タンス変化の影響を受けないようにインピーダンス補正
回路を挿入したことを特徴とする磁気インピーダンス効
果素子の駆動回路。 - 【請求項２】インピーダンス補正回路が演算増幅器を有
する回路である請求項１記載の磁界検出装置。 - 【請求項３】演算増幅器が電圧フォロワである請求項２
記載の磁気インピーダンス効果素子の駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001074400A JP2002277521A (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | 磁気インピーダンス効果素子の駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001074400A JP2002277521A (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | 磁気インピーダンス効果素子の駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002277521A true JP2002277521A (ja) | 2002-09-25 |
Family
ID=18931676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001074400A Withdrawn JP2002277521A (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | 磁気インピーダンス効果素子の駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002277521A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006208147A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Uchihashi Estec Co Ltd | 磁界検出回路 |
-
2001
- 2001-03-15 JP JP2001074400A patent/JP2002277521A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006208147A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Uchihashi Estec Co Ltd | 磁界検出回路 |
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