JP4656480B2 - 磁界検出回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気インピ−ダンス効果素子乃至は磁気インダクタンス効果素子を用いた磁界検出回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
アモルファス合金ワイヤとして、自発磁化の方向がワイヤ周方向に対し互いに逆方向の磁区が交互に磁壁で隔てられた構成の外殻部を有する、零磁歪乃至は負磁歪のアモルファス合金ワイヤが開発されている。
かかる零磁歪乃至は負磁歪のアモルファス磁性ワイヤに高周波電流したときに発生するワイヤ両端間出力電圧中のインダクタンス電圧分は、ワイヤの横断面内に生じる円周方向磁束によって上記の円周方向に易磁化性の外殻部が円周方向に磁化されることに起因して発生する。従って、周方向透磁率μθは同外殻部の円周方向の磁化に依存する。
而るに、この通電中のアモルファスワイヤに外部磁界を作用させると、上記通電による円周方向磁束と外部磁束との合成により、上記円周方向に易磁化性を有する外殻部に作用する磁束の方向が円周方向からずれ、それだけ円周方向への磁化が生じ難くなり、上記周方向透磁率μθが変化し、上記インダクタンス電圧分が変動することになる。
而して、この変動現象が磁気インダクタンス効果と称され、この効果を奏するアモルファスワイヤ等が磁気インダクタンス効果素子と称されている。
【0003】
更に、上記通電電流の周波数が反転入力端子Hzオ−ダになると、高周波表皮効果が大きく現れ、表皮深さδ=(2ρ/wμθ)1/2(μθは前記した通り、円周方向透磁率、ρは電気抵抗率、wは角周波数をそれぞれ示す)がμθにより変化し、このμθが前記した通り、外部磁界によって変化するので、ワイヤ両端間出力電圧中の抵抗電圧分も外部磁界で変動するようになる。
而して、この変動現象が磁気インピーダンス効果と称され、この効果を奏するアモルファスワイヤ等が磁気インピーダンス効果素子と称されている。
【0004】
そこで、この磁気インピーダンス効果素子を利用した外部磁界検出法(例えば、特許文献1参照)及び磁気インダクタンス効果を使用した外部磁界検出方法(例えば、特許文献2参照)が提案されている。
【0005】
この磁気インピーダンス効果素子を利用した外部磁界検出法における磁界検出回路は、基本的には、(1)磁気インピーダンス効果素子に高周波励磁電流を加えるための高周波電源と、(2)磁気インピーダンス効果素子と、(3)磁気インピーダンス効果素子に加わる外部磁界で変調された前記高周波励磁電流(搬送波)の被変調波である出力を復調して外部磁界信号を検波する検波部と、(4)信号出力増幅部等から構成されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来、上記検波部にはダイオードの直線検波回路を使用し、被変調波をダイオードで半波整流し、この半波整流波を並列R−C回路(ピークホールド回路)で処理して半波整流波の包絡線出力を得ている。
しかしながら、ダイオードでは、順方向電圧降下(ほぼ0.5ボルト)があり、しかも、この電圧降下が周囲温度により変化し(通常、−20mボルト/℃の温度係数で変化)、検波後の出力信号増幅部の増幅度を大きくとると、検出回路全体の著しい温度特性の悪化が招来される。
【0007】
そこで、本発明者においては、上記ダイオードに代え、理想ダイオード回路を使用することを提案した(例えば、特許文献3参照)。
この理想ダイオード回路の演算増幅器のオープンループゲインをA0、理想ダイオード回路のクローズドループゲインをANFとすると、演算増幅器の電圧降下ΔVがANF・ΔV/A0に減じられて出力され、例えば、A0を50000、ANFを5、演算増幅器の電圧降下ΔV及びその温度係数を0.5ボルト(5×105μボルト)及び−20mボルト/℃とすると、出力及び温度係数がそれぞれ50μボルト及び−2μボルト/℃となるが、検波後の出力信号増幅部の増幅利得を1000倍とすると、周囲温度変化−20℃〜+80℃に対し、200mボルトの出力ドリフトが発生する。
従って、検波部の半波整流に理想ダイオードを用いても、検波後の増幅ゲインを大きく設定する場合は、出力の温度特性が問題となり、外部磁界の高精度検出に支障となる。
【0008】
【特許文献1】
特開平7−181239号公報
【特許文献2】
特開平6−283344号公報
【特許文献3】
特開2001−056364号公報
【0009】
本発明の目的は、磁気インピーダンス効果素子乃至は磁気インダクタンス効果素子を外部磁界を検出する回路において、外部磁界を検波するための半波整流素子として演算増幅回路を用いることによって外部磁界の高精度検出を可能とすることにある。
本発明の更なる目的は、前記目的に加え、低電力損失のもとでの検出を可能とすることにある。
【0010】
〔課題を解決するための手段〕
請求項1に係る磁界検出回路は、磁界検出素子として磁気インピーダンス効果素子を用い、この磁界検出素子に高周波励磁電流を加え、該磁界検出素子に加わる外部磁界で前記高周波励磁電流を変調してなる被変調波を半波整流して外部磁界を検波する回路において、半波整流を行う片側電源の演算差動増幅回路を有し、演算差動増幅回路の両入力端子の一方の入力端子側を被変調波入力端側とし、他方の入力端子側をシフト用電圧印加端側とし、被変調波の振幅中心を電位Vamに設定するための回路を付設してあり、シフト用電位をVinとし、被変調波入力端から演算増幅器の出力端をみた利得をAとしシフト用電圧印加端から演算増幅器の出力端をみた利得をA’(前記一方の入力端子の入力電圧Vaと前記他方の入力端子の入力電圧Vbと出力電圧Voutとの関係式Vout=AVa+A’VbにおけるA,A’に同じ)とし、被変調波の最小振幅値をHminとすると、
【数1】
|Vam+Vin・A’/A|≦Hmin
の関係を満たすようにV am 、V in 、A’、Aを設定することを特徴とし、請求項2に係る磁界検出回路は、
〔数2〕
−Hmin≦Vam+Vin・A’/A≦0
の関係を満たすようにV am 、V in 、A’、Aを設定すことを特徴とする。
【0011】
請求項3では、シフト用電圧印加端を抵抗Rgを経て演算増幅器の反転入力端子に接続し、演算増幅器の出力端子を反転入力端子に抵抗Rfを経て負帰還接続し、被変調波入力端と演算増幅器の非反転入力端子との間を抵抗R1を経てシフト用電圧印加端に接続すると共に抵抗R2を経て接地して、被変調波の振幅中心電位VamをVin・R2/(R1+R2)で与え、利得Aを1+(Rf/Rg)で与え、利得A’を−(Rf/Rg)で与えており、特に、請求項4では、R1=R2,Rf=Rgとして、Vam=Vin/2とし、Aを2、A’を−1すると共にシフト用電位Vinに演算増幅器の電源電圧Vccを用いている。
【0012】
請求項5の通り、上記演算増幅回路には、減算増幅回路、加算増幅回路または加減算増幅回路の何れをも使用でき、演算増幅器には、その出力範囲を電源電圧Vccに対し、0+ΔV〜Vcc−ΔVとして、ΔVをVcc/5以下とすることが好ましい。
【0013】
上記磁界検出素子としては、請求項6の通り、磁気インピーダンス効果素子に代え磁気インダクタンス効果素子を用いることもでき、上記高周波励磁電流としては、請求項7の通り、三角波、正弦波、パルス波あるいはこれらのバースト波の何れかを使用することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図1は本発明に係る磁界検出回路を示す図面である。
図1において、1は磁気インピーダンス効果素子であり、零磁歪乃至は負磁歪のアモルファスワイヤ、アモルファスリボン、アモルファススパッタ膜等を使用できる。2は磁気インピーダンス効果素子1に高周波励磁電流を加えるための高周波電源である。Hexは検出しようとする外部磁界信号を示し、磁気インピーダンス効果素子1の出力端に、前記高周波励磁電流を搬送波Icとし、この搬送波Icを外部磁界Hexで振幅変調した被変調波Amが出力される。3は被変調波Amを所定の振幅値に調整するための入力信号値調整部である。4は演算増幅回路41とピークホールド回路42からなる検波部であり、この演算増幅回路には、例えば、図2の(イ)に示す、演算増幅器opを有する差動増幅回路を使用できる。図2の(ロ)は、演算増幅器opの一例を示し、オフセット調整端子4110を有する入力作動増幅段411と高利得増幅段412とB級プッシュプル出力段413等を有し、オフセット調整によりオフセットを零にしてある。
【0015】
図2の(イ)及び(ロ)において、10は演算増幅器opの出力端子を、20は非反転入力端子を、30は反転入力端子をそれぞれ示している。
図2の(イ)において、演算増幅器opの非反転入力端子20を被変調波入力端20’に接続し、出力端子10に出力される被変調波出力の振幅中心をシフトさせるためのシフト用電圧Vinの入力端30’を反転入力端子30に接続し、被変調波入力の振幅中心値を所定の電位Vamに設定するための回路Sを被変調波入力端20’に付設してあり、被変調波入力の振幅中心が電位Vamに設定されている。
図2の(イ)において、Zf、Zgは次に述べる利得A,A’を設定するためのインピーダンスである。
図2の(イ)に示す差動増幅回路において、被変調波入力端20’から演算増幅器opの出力端子10をみた利得をAとし、シフト用電圧印加端30’から演算増幅器opの出力端子10をみた利得をA’とし、シフト用電源印加端30’の印加電圧値をVinとすると、出力端子10に出力される被変調波出力の仮想振幅(演算増幅器opの出力範囲は、電源電圧をVccとするとほぼ0〜ほぼVccであり、ほぼ零電位以下がカットされるが、カットされないと仮定したときの振幅波の振幅中心)の中心値V0は、
【数3】
V0=AVam+A’Vin (1)
で与えられ、また、図3の(イ)に示すように被変調波入力Amの最小振幅値をHminとすると、被変調波出力の仮想振幅の最小振幅値がAHminで与えられる。
而るに、実際は、演算増幅器opの出力範囲がほぼ0〜ほぼVccであり、図3の(ロ)に示すように出力Am’の零電位以下がカットされるから、前記被変調波出力の仮想振幅の中心値V0を前記被変調波出力の仮想振幅の最小振幅値AHminに対し、|V0
|≦AHminに、すなわち式(1)から
【数4】
|Vam+(A’/A)Vin|≦Hmin (2)
に設定すれば、被変調波出力の包絡線半波整流波を包絡線をカットすることなく、従って、図3の(ハ)に示すように歪の無い包絡線の半波整流波A0を出力させることができる。
【0016】
このようにして、被変調波入力Vを演算増幅回路41により半波整流したのちは、図1において、RC並列回路からなるピークホールド回路42により半波整流波の包絡線出力を得て外部磁界を検波し、この包絡線出力を増幅部5で増幅して外部磁界信号Voutを得る。
【0017】
上記の実施形態では、差動増幅回路の演算増幅器の非反転入力端子側を被変調波入力端側にし、反転入力端子側をシフト用電圧印加端側にしているが、これらを逆にして差動増幅回路の演算増幅器の反転入力端子側を被変調波入力端側にし、非反転入力端子側をシフト用電圧印加端側にすることもできる。
【0018】
上記において、図3の(ロ)に示すように、被変調波出力Am’の振幅中心値AVam+A’Vinを−AHminに近づけるほど、出力波の電力を小にして消費電力を低減できるから、消費電力の低減上、
【数5】
−Hmin≦Vam+(A’/A)Vin<0 (3)
とすることが望ましい。
【0019】
搬送波をIc=Eccoswt、信号波Vsが単一波であってVs=Escosptとすると、最小振幅は(Ec−Es)で与えられ、変調度Es/Ic=mとすれば、最小振幅がIc(1−m)で与えられる。
而るに、本発明の磁気検出回路によって検出しようとする外部磁界信号は多重波であり、変調度mが0〜100%内の相当の帯域にまたがるが、その帯域の変調度が小さいほど前記の最小振幅Hminが大きくなるから、この場合、上記式(3)の要件を充足させて、消費電力の低減を図ることが望ましい。
【0020】
図4は本発明において使用する差動増幅回路の一実施例を示し、シフト用電圧印加端30’を抵抗Rgを経て演算増幅器の反転入力端子30に接続し、演算増幅器の出力端子10を反転入力端子30に抵抗Rfを経て負帰還接続し、被変調波入力端20’と演算増幅器の非反転入力端子20との間をシフト用電圧印加端30’に抵抗R1を経て接続すると共に抵抗R2を経て接地してある。図4において、C1、C2は直流分カット用コンデンサである。
而して、被変調波の振幅中心電位Vamは
【数6】
Vam=Vin・R2/(R1+R2) (4)
で与えられ、被変調波入力端20’から演算増幅器の出力端子10をみた利得Aは
【数7】
A=1+(Rf/Rg) (5)
で与えられ、シフト用電圧印加端30’から演算増幅器の出力端子10をみた利得A’は
【数8】
A’=−Rf/Rg (6)
で与えられる。
従って、上記の式(2)の条件は
【数9】
|Vin{〔R2/(R1+R2)〕−〔Rf/(Rf+Rg)〕}|≦Hmin
(7)
で与えられ、上記の式(3)の条件は
【数10】
−Hmin≦Vin{〔R2/(R1+R2)〕−〔Rf/(Rf+Rg)〕}≦0
(8)
で与えられる。
【0021】
上記において、R1=R2、Rf=Rgとし、更に、図5に示すようにシフト用電圧Vinに演算増幅器の電源電圧Vccを使用する場合について説明すれば、次の通りである。
図5において、被変調波入力端20’より入力された被変調波Amが、コンデンサC1による直流分のカットののち、R1とR2とにより分圧された+Vcc/2を振幅中心とする被変調波に変換され、この変換被変調波が演算増幅器の非反転入力端子2に加えられる。而るに、この非反転入力端子2から演算増幅器の出力端子10をみた利得が+2であるから、出力の仮想振幅中心が+Vccとなるが、+Vccの印加端30’が抵抗Rgを介して反転増幅端子30に接続されており、Vccの印加端30’から出力端子10をみた回路の利得が−1であって、入力+Vccが−Vccで出力されるから、出力の仮想振幅中心が零電圧となり、この仮想出力のうち、前記のマイナス電源端子の零電位を越えた負の振幅部分が出力されないから、結果的には、被変調波出力の半波整流波が図に示すように出力される。
【0022】
上記検波部による被変調波の検波は、電源電流を被変調波で変化させ、その電流変化を取り出すことにほかならず、上記演算増幅回路を使用しての半波整流による検波では、振幅中心を零電圧にシフトさせ、その零電圧以下の振幅部分をカットしているから、電力消費量を少なくできる。
上記のように、シフト用電圧として演算増幅器の電源電圧を使用すれば、シフト用電圧電源を別途装備する必要がなく、磁界検出器の小型化に有利である。
【0023】
上記演算増幅回路で出力できるその出力の振幅範囲は電源電圧+Vccに対し、(+Vcc−Δv)〜(0+Δv)で表すことができ、+Vccが5ボルトの場合、Δvを1ボルト以下に抑えることのできるレールtoレールopアンプを使用することが好ましい。
【0024】
本発明において、演算増幅回路には、被変調波入力端とシフト用電圧印加端とを有する差動増幅回路であり、被変調波の振幅中心値Vamとシフト用電圧Vinとの一次関数で与えられる出力の仮想振幅中心値を、利得の調整により前記の式(2)または(3)或いは(7)または(8)に設定可能なものであれば使用でき、減算増幅回路、加算増幅回路、加減算増幅回路の何れも使用可能である。
【0025】
前記のピークホールド回路に代え、R−Cローパスフィルターを使用することもできる。これらのピークホールド回路やR−Cローパスフィルターのコンデンサを温度補償用コンデンサとして使用することにより、温度特性の変更が可能である。
【0026】
上記高周波搬送波としては、連続正弦波、パルス波、三角波等の通常の高周波を使用でき、例えば、ハートレー発振回路、コルピッツ発振回路、コレクタ同調発振回路、ベース同調発振回路のような通常の発振回路の外、水晶発振器の矩形波出力を直流分カットコンデンサを経て積分回路で積分し、この積分出力の三角波を増幅回路で増幅する三角波発生器、後述するCMOS−ICを発振部として使用した三角波発生器を用いることができる。
また、消費電力の軽減のために正弦波、パルス波、三角波のバースト波を使用することも可能である。
【0027】
図6は本発明に係る磁界検出回路の実施例を示している。
図6において、2は三角高周波電源であり、低電力のCMOS−ICを発振部とし、発振周波数の安定化のために水晶発振子又はセラミックス発信子Pを並設した矩形波発振回路21と三角波形成用積分回路22と増幅回路23とから構成してある。1は磁気インピーダンス効果素子である。3は係数器である。4は検波回路であり、前記した演算増幅回路41とピ−クホ−ルド回路42とから構成してある。51は出力信号増幅器、52は0点調節器、53は信号出力端である。
【0028】
上記の実施例では、外部磁界検出素子として磁気インピーダンス効果素子を用いており、搬送波としての高周波励磁電流の周波数をMHzオ−ダとしている。
しかし、これよりも低い周波数の搬送波の場合でも、前記した磁気インダクタンス効果により搬送波を外部磁界で振幅変調させることが可能であり、本発明は磁気インダクタンス効果素子を用いて実施することもできる。
【0029】
【発明の効果】
本発明に係る磁界検出回路では、磁気インピーダンス効果素子乃至は磁気インダクタンス効果素子に加わる外部磁界で高周波励磁電流を変調させた被変調波を演算増幅回路を用いて半波整流することにより検波しており、演算増幅器の高性能のために、外部磁界信号を温度依存性の出力ドリフトをカットして高精度で検出できる。
特に、請求項3によれば、演算増幅器出力を低減でき、消費電力を小さくできる。
特に、請求項4によれば、演算増幅器の電源をシフト用電圧源に併用でき、磁界検出器の小型化に有利である。
特に、請求項8によれば、比較的低い搬送波周波数でも、外部磁界の検出が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る磁界検出回路を示す説明図である。
【図2】 本発明において使用する演算増幅回路及び演算増幅器の一例を示す回路図である。
【図3】 本発明における被変調波の半波整流過程を示す図面である。
【図4】 本発明において使用する差動増幅回路の一例を示す回路図である。
【図5】 本発明において使用する差動増幅回路の別例を示す回路図である。
【図6】 本発明に係る磁界検出回路の一実施例を示す回路図である。
【符号の説明】
1 磁気イスピーダンス効果素子
2 高周波電源
4 検波部
41 演算増幅回路
42 ピークホールド回路
10 演算増幅器の出力端子
20 演算増幅器の非反転入力端子
30 演算増幅器の反転入力端子
20’ 被変調波入力端
30’ シフト用電圧印加端
Ic 搬送波
Hex 外部磁界信号
Am 被変調波
Vin シフト用電圧シフト用電位
Vam 入力被変調波の振幅中心値
op 演算増幅器
Claims (7)
- 磁界検出素子として磁気インピーダンス効果素子を用い、この磁界検出素子に高周波励磁電流を加え、該磁界検出素子に加わる外部磁界で前記高周波励磁電流を変調してなる被変調波を半波整流して外部磁界を検波する回路において、半波整流を行う片側電源の演算差動増幅回路を有し、演算差動増幅回路の両入力端子の一方の入力端子側を被変調波入力端側とし、他方の入力端子側をシフト用電圧印加端側とし、被変調波の振幅中心を電位Vamに設定するための回路を付設してあり、シフト用電位をVinとし、被変調波入力端から演算増幅器の出力端をみた利得をAとしシフト用電圧印加端から演算増幅器の出力端をみた利得をA’(前記一方の入力端子の入力電圧Vaと前記他方の入力端子の入力電圧Vbと出力電圧Voutとの関係式Vout=AVa+A’VbにおけるA,A’に同じ)とし、被変調波の最小振幅値をHminとすると、
【数1】
|Vam+Vin・A’/A|≦Hmin
の関係を満たすようにV am 、V in 、A’、Aを設定することを特徴とする磁界検出回路。 - 磁界検出素子として磁気インピーダンス効果素子を用い、この磁界検出素子に高周波励磁電流を加え、該磁界検出素子に加わる外部磁界で前記高周波励磁電流を変調してなる被変調波を半波整流して外部磁界を検波する回路において、半波整流を行う片側電源の演算差動増幅回路を有し、演算差動増幅回路の両入力端子の一方の入力端子側を被変調波入力端側とし、他方の入力端子側をシフト用電圧印加端側とし、被変調波の振幅中心を電位Vamに設定するための回路を付設してあり、シフト用電位をVinとし、被変調波入力端から演算増幅器の出力端をみた利得をAとしシフト用電圧印加端から演算増幅器の出力端をみた利得をA’(前記一方の入力端子の入力電圧Vaと前記他方の入力端子の入力電圧Vbと出力電圧Voutとの関係式Vout=AVa+A’VbにおけるA,A’に同じ)とし、被変調波の最小振幅値をHminとすると、
【数2】
−Hmin≦Vam+Vin・A’/A<0
の関係を満たすようにV am 、V in 、A’、Aを設定することを特徴とする磁界検出回路。 - シフト用電圧印加端を抵抗Rgを経て演算増幅器の反転入力端子に接続し、演算増幅器の出力端子を反転入力端子に抵抗Rfを経て負帰還接続し、被変調波入力端と演算増幅器の非反転入力端子との間を抵抗R1を経てシフト用電圧印加端に接続すると共に抵抗R2を経て接地して、被変調波の振幅中心電位VamをVin・R2/(R1+R2)で与え、利得Aを1+(Rf/Rg)で与え、利得A’を−(Rf/Rg)で与えたことを特徴とする請求項1または2記載の磁界検出回路。
- R1=R2,Rf=RgとしてVam=Vin/2、Aを2、A’を−1とすると共にシフト用電圧Vinに演算増幅器の電源電圧Vccを用いたことを特徴とする請求項3記載の磁界検出回路。
- 演算差動増幅回路が減算増幅回路、加算増幅回路または加減算増幅回路の何れかである請求項1〜4何れか記載の磁界検出回路。
- 磁界検出素子として、磁気インピーダンス効果素子に代え磁気インダクタンス効果素子を用いた請求項1〜5何れか記載の磁界検出回路。
- 高周波励磁電流として、三角波、正弦波、パルス波あるいはこれらのバースト波の何れかを使用する請求項1〜6何れか記載の磁界検出回路。
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