JP2002275694A - 電解メッキ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 メンテナンス性を確保しつつメッキ液供給系
におけるメッキ液の液漏れを効果的に防止すること。 【解決手段】 この電解銅メッキ装置は、被処理基板た
とえば半導体ウエハＷに銅イオンを含む電解メッキ浴を
与えるための電解メッキ槽１０と、このメッキ槽１０内
のメッキ浴に基板Ｗの被処理面をフェースダウン方式で
浸漬するためのハンドリング機構１２と、メッキ槽１０
に所要のメッキ液を供給するためのメッキ液供給部１４
とを有する。メッキ液供給部１４は、外気から湿度を実
質的に遮断できるハウジング５４内に設けられている。
ハウジング５４の内部空間（包囲空間）ＳＰは外気から
湿度的に遮断されており、水蒸気圧管理部６０によって
内部空間ＳＰの湿度または水蒸気圧が所望の値に管理さ
れるようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に電解
メッキ法によるメッキ処理を施すための電解メッキ方法
および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、半導体デバイス製造における低抵
抗の配線として銅配線が注目される中、被処理基板（半
導体ウエハ）上に銅配線を形成するための成膜技術とし
て電解メッキ技術がクローズアップされている。

【０００３】この種の電解銅メッキ技術は、硫酸銅を基
本成分とするメッキ液をメッキ槽に循環供給し、メッキ
槽において被処理基板の被処理面（主面）をメッキ浴に
浸けて浴中の銅板からなるアノードと対向させ、基板
（カソード）とアノードとの間でメッキ液を介して電流
を流すことにより、基板の被処理面上に銅を析出させる
ようにしており、大気中で、しかも室温近傍の温度で銅
配線膜を安価に形成できるという特長がある。

【０００４】従来の電解メッキ装置は、メッキ槽にメッ
キ液を循環供給するために、メッキ液を貯留するメッキ
液タンクをメッキ液供給用の配管とメッキ液回収用の配
管とを介してメッキ槽に接続し、配管の途中にポンプ、
フィルタ、開閉弁等を設け、メッキ槽とメッキ液タンク
との間でメッキ液を循環させるようにしている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の電解メッキ装置
では、上記のようなメッキ液供給系からメッキ液が漏れ
るという問題があった。この種の液漏れ（リーク）は、
主に、バルブやフィルタ等の流体機器や管継手のシール
部が経時的に劣化することに起因している。そこで、シ
ール部を溶接で固定密閉化することも行われてはいる。
しかし、そのような溶接によるシール部の固定密閉化
は、メッキ液リーク対策としては十分な効果を得られる
ものの、機器や配管類のメンテナンスが不可能か著しく
困難になるという不都合がある。

【０００６】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
てなされたもので、メンテナンス性を確保しつつメッキ
液供給系におけるメッキ液の液漏れを効果的に防止する
ようにした電解メッキ装置を提供することを目的とす
る。

【０００７】本発明の別の目的は、メッキ液供給系にお
けるメッキ液の濃度管理を向上させる電解メッキ装置を
提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の電解メッキ装置は、被処理基板の被処理
面に電解メッキ浴を与えるための電解メッキ槽と、前記
電解メッキ浴を構成するためのメッキ液を前記電解メッ
キ槽に供給するメッキ液供給部と、前記メッキ液供給部
におけるメッキ液を流す流路またはメッキ液を貯留する
容器の一部または全部の周囲を包囲してその包囲した空
間の湿度を外気の湿度から遮断するための湿度遮断手段
とを有する構成とした。

【０００９】上記の構成においては、湿度遮断手段によ
って形成される包囲空間の湿度を外気の湿度から独立さ
せることができるため、メッキ液流路またはメッキ液容
器から外気へ水分が蒸発するのを防止または抑制するこ
とができる。

【００１０】本発明の電解メッキ装置において、好まし
い態様は、湿度遮断手段によって形成される包囲空間の
水蒸気圧を可変制御するための水蒸気圧制御手段を有す
る構成である。この水蒸気圧制御手段により包囲空間の
水蒸気圧を外気の湿度から単に独立させるだけでなく種
々の条件（たとえば外気の温度）に応じて所望の圧力に
制御することにより、包囲空間内のメッキ液流路または
メッキ液容器からの水分の蒸発を効果的に防止すること
ができる。

【００１１】かかる水蒸気圧制御手段の好ましい一態様
は、湿度遮断手段によって形成される包囲空間内に供給
するための水蒸気を発生する水蒸気発生手段と、包囲空
間内の湿度を測定する湿度測定手段と、包囲空間内の温
度を測定する温度測定手段と、この湿度測定手段より得
られる湿度測定値を設定値に一致させるように水蒸気発
生手段における水蒸気の発生量を制御する制御手段とを
有する構成である。

【００１２】また、湿度遮断手段によって形成される包
囲空間内の温度を外気の温度から独立させて包囲空間内
の水蒸気圧を制御するのも効果的であり、包囲空間の温
度を可変制御するための温度制御部を有する構成として
もよい。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
好適な一実施形態を説明する。

【００１４】図１に、本発明の一実施形態における電解
銅メッキ装置の要部の構成を示す。図２〜図４に、この
電解銅メッキ装置の各部の構成を詳細に示す。

【００１５】この電解銅メッキ装置は、被処理基板たと
えば半導体ウエハＷに銅イオンを含む電解メッキ浴を与
えるための電解メッキ槽１０と、このメッキ槽１０内の
メッキ浴に基板Ｗの被処理面（主面）をフェースダウン
方式で浸漬するためのハンドリング機構１２と、メッキ
槽１０に所要のメッキ液を供給するためのメッキ液供給
部１４とを有する。

【００１６】電解メッキ槽１０は、上面の開口した外槽
１６の中にそれよりも一回り小さな上面の開口した内槽
１８を同軸に収容した二重槽構造となっている。内槽１
８が正味の電解メッキ浴槽を構成し、外槽１６は内槽１
８から溢れ出たメッキ液Ｍを回収するためのメッキ液回
収部を構成している。

【００１７】ハンドリング機構１２は、下面が開口し上
面が閉塞した筒形の基板保持体２２と、この基板保持体
２２を垂直方向に延在する垂直支持部２４と一体に垂直
軸の回りに回転させるための回転駆動部２６とを有して
いる。回転駆動部２６は装置筐体（図示省略）に取付さ
れている昇降駆動部（図示省略）に結合されており、該
昇降駆動部の昇降駆動により回転駆動部２６ないし基板
保持体２２の全体がメッキ槽１０の上方空間内で上下移
動するようになっている。

【００１８】図２に拡大して示すように、基板保持体２
２の下端には半径方向内側に突出する環状フランジ型の
基板支持部２２ａが形成されており、この基板支持部２
２ａの内側面（上面）にはリング状のカソード電極２８
が半径方向外側の位置に、リング状のシール部材たとえ
ばＯリング３０が半径方向内側の位置にそれぞれ配設さ
れている。メッキ処理中は、基板Ｗの被処理面の外周端
部がＯリング３０の上に気密に重なってカソード電極２
８と物理的かつ電気的に接触するようになっている。カ
ソード電極２８は、電解メッキ用の直流電源３１の負極
端子に電気的に接続される（図１）。

【００１９】図１および図３に示すように、基板保持体
２２の一側面には基板Ｗを搬入・搬出するための開口３
２が形成されている。基板保持体２２の内部には、垂直
支持部２４の下端より垂直下方に進退可能なチャック３
４が設けられている。図３の（Ａ），（Ｂ）に示すよう
に、装置外部の搬送アーム３６が開口３２を通って銅メ
ッキ処理を受けるべき基板Ｗを基板保持体２２内に搬入
すると、チャック３４が降りてきて基板Ｗの上面（裏
面）をたとえばバキューム式で吸着し、搬送アーム３６
の退出後に、基板Ｗを保持したまま下降して、基板支持
部２２ａ側のカソード電極２８およびＯリング３０の上
に基板Ｗを載置するようになっている。

【００２０】基板保持体２２内には基板支持部２２ａ上
に基板Ｗを固定するためのクランプ手段３８も設けられ
ている。このクランプ手段３８は、基板支持部２２ａ上
の基板Ｗの外周部に重なるような径を有するリング部材
４０と、このリング部材４０を上げ下げするアクチエー
タ（たとえばシリンダ）４２とで構成されている。図３
の（Ｂ），（Ｃ）に示すように、チャック３４が基板Ｗ
を基板支持部２２ａ側のカソード電極２８およびＯリン
グ３０の上に基板Ｗを載置した後に、リング部材４０が
降りてきて基板Ｗの上面（裏面）に当接し、アクチエー
タ４２からの加圧によって基板Ｗが固定保持されるよう
になっている。

【００２１】図１において、電解メッキ槽１０の内槽１
８の中には槽の中央部底面を貫通して所定の高さ位置ま
で垂直上方に延びる噴出管４４が設けられており、この
噴出管４４の上端開口よりメッキ液Ｍが涌き出るように
なっている。噴出管４４の周囲には環状の銅板からなる
アノード４６が設けられている。このアノード４６はス
イッチ４８を介して電解メッキ用直流電源３１の正極側
端子に電気的に接続される。噴出管４４の上端外周縁と
内槽１８の内壁面との間に隔膜５０が張られている。電
解メッキ処理中にアノード４６から生成する不所望な生
成物はこの隔膜５０によりメッキ浴上面部への移動また
は拡散を阻止されるようになっている。

【００２２】外槽１６は、内槽１８との間に半径方向で
隙間または溝５２を形成している。内槽１８の上端より
外に溢れ出たメッキ液はこの溝５２の中に入って外槽１
６の底部に落ちるようになっている。

【００２３】メッキ液供給部１４は、外気から湿度を実
質的に遮断できるハウジング５４内に設けられており、
２系統のメッキ液循環供給部５６，５８を有している。
第１のメッキ液循環供給部５６は、電解メッキ槽１０の
内槽１８の底に接続され、内槽１８の下室（隔膜５０よ
り下側の室）にメッキ液を循環供給するようになってい
る。第２のメッキ液循環供給部５８は、外槽１６の底と
噴出管４４の下端（入口）とに接続され、内槽１８から
溝５２に溢れ出たメッキ液Ｍを外槽１６の底から回収
し、噴出管４４を介して内槽１８の上室（隔膜５０より
上側の室）にメッキ液Ｍを供給するようになっている。

【００２４】ハウジング５４の内部空間（包囲空間）Ｓ
Ｐは上記のように外気から湿度的に遮断されており、水
蒸気圧管理部６０によって内部空間ＳＰの湿度または水
蒸気圧が所望の値に管理されるようになっている。

【００２５】図４に、メッキ液供給部１４および水蒸気
圧管理部６０の具体的な構成例を示す。メッキ液供給部
１４には、中央部の隔壁によって左右に２分割された一
対のメッキ液タンク６２，６３が設けられている。

【００２６】第１のメッキ液循環供給部５６は、内槽１
８の底のメッキ液排出口１８ａと第１のメッキ液タンク
６２のメッキ液導入口（開放された上面）とを結ぶメッ
キ液排出管６４と、第１のメッキ液タンク６２のメッキ
液排出口６２ａと内槽１８の底のメッキ液導入口１８ｂ
とを結ぶメッキ液供給管６６と、このメッキ液供給管６
６の途中に設けられたポンプ６８、異物除去用フィルタ
７０および開閉弁７２とを有している。かかる構成によ
り、内槽１８の下室よりメッキ液Ｍがメッキ液排出管６
４を介して第１のメッキ液タンク６２に戻される一方
で、ポンプ６８が第１のメッキ液タンク６２よりメッキ
液Ｍを汲み出してメッキ液供給管６６を介して内槽１８
の下室へ送るようになっている。

【００２７】第２のメッキ液循環供給部５８は、外槽１
６の底のメッキ液排出口１６ａと第２のメッキ液タンク
６３のメッキ液導入口（開放された上面）とを結ぶメッ
キ液排出管７４と、第２のメッキ液タンク６３のメッキ
液排出口６３ａと噴出管４４の下端（入口）とを結ぶメ
ッキ液供給管７６と、このメッキ液供給管７６の途中に
設けられたポンプ７８、フィルタ８０および開閉弁８２
とを有している。かかる構成により、外槽１８の底より
メッキ液Ｍがメッキ液排出管７４を介して第２のメッキ
液タンク６３に回収される一方で、ポンプ７８が第２の
メッキ液タンク６３よりメッキ液Ｍを汲み出してメッキ
液供給管７６および噴出管４４を介して内槽１８の上室
へ送るようになっている。

【００２８】第１および第２のメッキ液タンク６２，６
３は配管８４で結ばれており、ポンプ８６によって第１
のメッキ液タンク６２から第２のメッキ液タンク６３へ
配管８４を介してメッキ液Ｍが移され、移される途中で
添加剤供給部８８からの添加剤と混合されるようになっ
ている。配管８４にも、異物除去用フィルタ９０および
開閉弁９２等が設けられる。なお、第１のメッキ液タン
ク６２に銅メッキ用の新規の電解質溶液たとえば硫酸銅
溶液を補給するための電解質溶液補給部（図示せず）
が、ハウジング５４の内側または外側に設けられてい
る。

【００２９】水蒸気圧管理部６０は、水蒸気を発生する
ための水蒸気発生部９４と、この水蒸気発生部９４にお
ける水蒸気発生量を制御するための制御部９６と、水蒸
気発生部９４に水蒸気源としての水を供給するための水
供給部９８とを有している。

【００３０】水蒸気発生部９４は、加熱、風力または超
音波振動等を利用して水を強制的に蒸発させる任意の手
段で構成されてよく、水を蒸発させて得られる水蒸気を
ハウジング５４内に供給できるものであればよい。した
がって、水蒸気発生部９４の本体をハウジング５４の外
に設置し、本体で生成した水蒸気を配管等を通じてハウ
ジング５４の中に送り込む構成も可能である。また、ハ
ウジング５４の内部空間ＳＰで水蒸気圧を均一化するよ
うにファン等の対流機構を設けることも可能である。さ
らに、ハウジング５４内の水蒸気を外へ排気するための
手段（図示せず）を設けてよい。制御部９６は、そのよ
うな対流機構や排気手段の運転または動作の制御を行っ
てよい。

【００３１】制御部９６は、たとえばマイクロコンピュ
ータで構成されてよく、水蒸気発生部９４における水蒸
気発生量を制御するために、水蒸気の発生レートを左右
するパラメータを制御してよい。たとえば、水蒸気発生
部９４が電熱ヒータを用いるときは、該電熱ヒータの発
熱量または消費電力を制御してよい。また、水蒸気発生
部９４に対する水供給部９８からの水の供給レートを制
御してもよい。

【００３２】この実施形態の水蒸気圧管理部６０では、
外気の湿度から独立してハウジング５４内の湿度を一定
の値に維持できるようなっている。この定湿度制御のた
めに、ハウジング５４内の湿度（相対湿度）を測定する
たとえば電気抵抗式の湿度センサ１００と、この湿度セ
ンサ１００の出力信号から信号処理または演算によって
湿度測定値Ｕmを求める湿度測定部１０２とを設けてよ
い。制御部９６は、湿度測定部１０２からの湿度測定値
信号Ｕmを湿度フィードバック信号として入力し、ハウ
ジング５４内の相対湿度を設定値たとえば１００％付近
に維持するように水蒸気発生部９４における水蒸気の発
生量または発生レートを制御する。

【００３３】このように、ハウジング５４の内部空間Ｓ
Ｐを湿度１００％付近の雰囲気に保つことで、ハウジン
グ５４内でメッキ液を貯留または流す各流体機器または
配管からメッキ液が蒸発するのを効果的に防止すること
ができる。図５につき、この点の作用を説明する。

【００３４】図５に、典型的な管継手の構造を示す。流
体機器１０４のポートに配管継手１０６が螺合して接続
される。通常、配管継手１０６のねじ山にはシールテー
プ（図示せず）が巻かれる。しかし、ねじ山のわずかな
隙間１０８からメッキ液Ｍの水分が外に蒸発すると、隙
間１０８内のメッキ液Ｍの濃度が溶解度よりも大きくな
って銅が析出し、その析出した銅によってシールテープ
が劣化し、メッキ液をリークさせてしまう。しかしなが
ら、この実施形態では、流体機器１０４および配管継手
１０６の周囲ＳＰが相対湿度１００％付近の雰囲気に維
持されることで、管継手部の隙間１０８の外側の水蒸気
圧が飽和水蒸気圧付近に維持されることになり、隙間１
０８の水分が実質的に蒸発することがなくなる。このこ
とにより、隙間１０８内で銅の析出を防止し、ひいては
シールテープの劣化を防止することができる。

【００３５】このように、この実施形態では、メッキ液
Ｍを貯留または流すハウジング５４内の各流体機器また
は配管継手等のシール部を溶接で完全密閉または固定密
閉する必要はなく、メンテナンス可能な構成たとえば着
脱自在の構成としても、シール部の機能を安定に維持
し、メッキ液Ｍのリークを確実に防止することができ
る。また、メッキ液タンク６２，６３のようにメッキ液
Ｍの液面を内部空間ＳＰの雰囲気に露出させている機器
においては、メッキ液液面からの水分蒸発が抑制される
ため、メッキ液Ｍの濃度を一定に管理できるという効果
もある。

【００３６】なお、自明なことであるが、ハウジング５
４内でメッキ液Ｍを調整する前の電解質溶液（硫酸銅溶
液）を貯留または流す流体機器または配管においても、
メッキ液Ｍの場合と同じ作用効果が得られる。

【００３７】図４において、この実施形態の水蒸気圧管
理部６０では、ハウジング５４内の気温を可変制御する
ための装置としてたとえばクーラ１１０を設けてもよ
い。この場合、ハウジング５４を断熱材で構成するのが
好ましい。クーラ１１０によりハウジング５４内の気温
を外気の温度よりも下げることで、ハウジング５４内の
飽和水蒸気圧を下げ、内部空間ＰＳの湿度（相対湿度）
を１００％付近に維持するための水蒸気圧を下げること
ができる。つまり、発生部９４における水蒸気発生量を
少なくすることができる。

【００３８】この温度制御のために、ハウジング５４内
の気温を測定する温度センサ１１２と、この温度センサ
１１２の出力信号から信号処理または演算によって温度
測定値Ｔmを求める温度測定部１１４とを設けてよい。
制御部９６は、温度測定部１１４からの温度測定値信号
Ｔmを温度フィードバック信号として入力し、外気の温
度から独立してハウジング５４内の気温を所望の温度に
するようにクーラ１１０の運転を制御してよい。

【００３９】また、湿度測定部１０２が水蒸気圧の測定
値を求めるものである場合は、制御部９６において温度
測定値Ｔmから当該温度に対応する飽和水蒸気圧を割り
出して、水蒸気圧測定値と飽和水蒸気圧とから相対湿度
の測定値を求めることができる。

【００４０】次に、この実施形態における電解銅メッキ
装置の作用を説明する。

【００４１】銅メッキ処理を受けるべき基板Ｗがハンド
リング機構１２によって装置内に搬入されている間に、
メッキ液供給部１４より所要の組成および濃度を有する
メッキ液Ｍが電解メッキ槽１０に供給され、内槽１８に
メッキ液Ｍがほぼオーバーフロー状態に満たされる。

【００４２】ハンドリング機構１２では、図３のように
して基板Ｗが基板保持体２２に装着された後に、回転駆
動部２６ないし基板保持体２２の全体が下降して、基板
Ｗの被処理面が内槽１８内のメッキ浴にフェースダウン
で浸けられる。

【００４３】図１に示すように、基板Ｗの被処理面が内
槽１８のメッキ浴に浸かった状態で、基板保持体２２の
外周と内槽１８の側壁との間に隙間１１６が形成され、
内槽１８内で噴出管４４の上端開口から湧いてくるメッ
キ液Ｍはこの隙間１１６から内槽１８の外に溢れて溝５
２の中に落ちる。

【００４４】上記のようにして基板Ｗの被処理面を内槽
１８のメッキ浴に浸けた際に、メッキ浴中で気泡が発生
して基板Ｗの被処理面の下に滞留することがある。そこ
で、回転駆動部２６を作動させて、基板保持体２２と一
体に基板Ｗを所定の回転速度（たとえば０〜３００ｒｐ
ｍ）でスピン回転させる。この基板回転運動により、基
板Ｗに付いている気泡を下から湧いてくるメッキ液と一
緒に内槽１８の外へ追い出すことができる。

【００４５】そして、基板回転運動を継続したまま、電
解メッキ用電源３１のスイッチ４８をオンにして、内槽
１８内のアノード４６と基板保持体２２内のカソード電
極２８との間に直流の電圧を印加する。この直流電圧の
印加により、基板Ｗの被処理面（より正確には被処理面
上のＣｕシード層）がカソードとなり、内槽１８内のア
ノード４６とメッキ液Ｍを介して対向する。こうして、
アノード４６と基板Ｗの被処理面との間でイオン電導が
生じ、基板被処理面ではカソード反応または電気メッキ
反応が起こって銅が析出する。

【００４６】上記のような銅メッキ処理が終了すると、
電解メッキ用電源３１のスイッチ４８がオフになり、ハ
ンドリング機構１２では基板回転運動が停止し、基板Ｗ
がメッキ槽１０から引き上げられる。しかる後、この実
施形態では、外部搬送アーム３６（図３）により基板Ｗ
が基板保持体２２から搬出され、隣接する洗浄処理ユニ
ット（図示せず）で基板Ｗに対してたとえば純水を用い
るメッキ後洗浄処理が施される。

【００４７】あるいは、この電解メッキ装置内に洗浄部
や乾燥部を設け、銅メッキ処理の後に電解メッキ槽１０
の上方で洗浄処理および乾燥処理を順次行うことも可能
である。その場合、洗浄処理では、洗浄液に純水を使用
してよく、基板Ｗの洗浄に供された洗浄液（純水）が電
解メッキ槽１０に落ちて槽内のメッキ液Ｍに混じっても
メッキ液Ｍの組成が変わることはない。もっとも、適当
なメッキ液回収機構（図示せず）により、上記のような
銅メッキ工程の終了後に電解メッキ槽１０からメッキ液
Ｍをいったん抜き取ることも可能である。

【００４８】メッキ液供給部１４では、第１および第２
のメッキ液循環供給部５６，５８等の各流体機器または
配管の流路内で、銅メッキ処理が行われる時はメッキ液
Ｍが流れ、銅メッキ処理が行われない間もメッキ液Ｍが
滞留したりする。この実施形態では、上記したように、
メッキ液供給部１４をハウジング５４内に設けて外気か
ら湿度的に遮断した内部空間ＳＰの雰囲気中に各流体機
器・配管を配することで、各流体機器・配管の継手部を
いわば二重構造化しており、メッキ液の水分が外気また
は大気へ蒸発するのを防止している。さらに、そのよう
な二重構造の中間の空間つまりハウジング５４の内部空
間ＳＰにおける湿度または水蒸気圧を水蒸気圧管理部６
０により所望の値に、好ましくは飽和レベル付近の値に
制御するようにしたので、各流体機器・配管の継手部か
らの水分の蒸発を実質的に絶ち、シール機能を安定に維
持することが可能であり、メンテナンス性を維持しつつ
従来問題となっていたメッキ液の漏れを効果的に防止す
ることができる。また、メッキ液タンク６２，６３等の
液面からメッキ液の水分が蒸発するのを防止ないし抑制
できるため、メッキ液の濃度管理を向上させることがで
きる。

【００４９】上記した実施形態では、メッキ液供給部１
４の全体または大部分をハウジング５４内に設ける構成
であった。しかし、メッキ液供給部１４における一部、
特に各々または一部の流体機器・配管の継手部を個別的
に上記と同様の原理で二重構造化し、さらには上記と同
様の原理で内部空間の水蒸気圧を制御する構成とするこ
とも可能である。

【００５０】上記した実施形態における各部の構成、特
に電解メッキ槽１０、ハンドリング機構１２、メッキ液
供給部１４、水蒸気圧管理部６０における各部の構成は
一例であり、本発明の技術思想の範囲内で種々の変形・
変更が可能である。

【００５１】上記した実施形態における電界銅メッキ装
置はフェースダウン方式で構成した。しかし、基板Ｗの
被処理面を上に向けるフェースアップ方式の構成に変形
することも可能である。

【００５２】上記実施形態では半導体ウエハを被処理基
板としたが、ＬＣＤ基板等の他の基板も可能である。本
発明は銅メッキだけでなく、他の金属メッキにも適用可
能である。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の電解メッ
キ装置によれば、メンテナンス性を確保しつつメッキ液
供給系におけるメッキ液の液漏れを効果的に防止するこ
とができる。さらには、メッキ液供給系におけるメッキ
液水分の蒸発を防止ないし抑制することで、メッキ液の
濃度管理を向上させることもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態における電解銅メッキ装置
の全体の構成を示す図である。

【図２】実施形態の電解銅メッキ装置における基板保持
体の基板保持部を拡大して示す拡大部分断面図である。

【図３】実施形態の電解銅メッキ装置における基板保持
体内の基板搬入動作を示す図である。

【図４】実施形態の電解銅メッキ装置におけるメッキ液
供給部および水蒸気圧管理部の具体的な構成例を示す図
である。

【図５】実施形態の電解銅メッキ装置におけるメッキ液
リーク防止機能を説明するための図である。

【符号の説明】

１０ 電解メッキ槽 １２ ハンドリング機構 １４ メッキ液供給部 ２２ 基板保持体 ５４ ハウジング ５６，５８ メッキ液循環供給部 ６０ 水蒸気圧管理部 ９４ 水蒸気発生部 ９６ 制御部 １００ 湿度センサ １０２ 湿度測定部 １１０ クーラ １１２ 温度センサ １１４ 温度測定部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板の被処理面に電解メッキ浴を
   与えるための電解メッキ槽と、 前記電解メッキ浴を構成するためのメッキ液を前記電解
   メッキ槽に供給するメッキ液供給部と、 前記メッキ液供給部においてメッキ液を流す流路または
   メッキ液を貯留する容器の一部または全部の周囲を包囲
   してその包囲した空間内の湿度を外気の湿度から遮断す
   るための湿度遮断手段とを有する電解メッキ装置。
2. 【請求項２】 前記包囲空間の水蒸気圧を可変制御する
   ための水蒸気圧制御手段を有する請求項１に記載の電解
   メッキ装置。
3. 【請求項３】 前記水蒸気圧制御手段が、前記包囲空間
   内に供給するための水蒸気を発生する水蒸気発生手段
   と、前記包囲空間内の湿度を測定する湿度測定手段と、
   前記湿度測定手段より得られる湿度測定値を設定値に一
   致させるように前記水蒸気発生手段における水蒸気の発
   生量を制御する制御手段とを有する請求項２に記載の電
   解メッキ装置。
4. 【請求項４】 前記包囲空間の水蒸気圧を飽和水蒸気圧
   付近に制御する請求項２または３に記載の電解メッキ装
   置。
5. 【請求項５】 前記包囲空間の温度を可変制御するため
   の温度制御部を有する請求項１〜４のいずれかに記載の
   電解メッキ装置。
6. 【請求項６】 前記メッキ液供給部が、メッキ液を貯留
   するためのメッキ液タンクと、前記メッキ液タンクと前
   記電解メッキ槽との間でメッキ液を循環させるためのメ
   ッキ液循環手段とを有する請求項１〜５のいずれかに記
   載の電解メッキ装置。