JP2002275192A - 過剰反応物の除去による保護化2’−デオキシシチジン誘導体の製造法 - Google Patents
過剰反応物の除去による保護化2’−デオキシシチジン誘導体の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来技術における、ハロゲン溶媒を使ったカ
ラムクロマトグラフィーによる精製といった、工業的製
法としての実用面での欠点を解消し、供給量に制限のな
い、効率的な保護化2’−デオキシシチジン誘導体の製
造方法を提供する。 【解決手段】 使用する反応試薬の当量を規定した上で
反応を行い、反応混合物に対して溶解性の溶媒と目的物
である保護化2’−デオキシシチジン誘導体に対して不
溶性の溶媒との特定の混合溶媒を添加して目的物のみを
晶析単離することにより、簡便な製造方法を提供する。
ラムクロマトグラフィーによる精製といった、工業的製
法としての実用面での欠点を解消し、供給量に制限のな
い、効率的な保護化2’−デオキシシチジン誘導体の製
造方法を提供する。 【解決手段】 使用する反応試薬の当量を規定した上で
反応を行い、反応混合物に対して溶解性の溶媒と目的物
である保護化2’−デオキシシチジン誘導体に対して不
溶性の溶媒との特定の混合溶媒を添加して目的物のみを
晶析単離することにより、簡便な製造方法を提供する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般式〔4〕
【0002】
【化5】 (式中、Rは、水素原子またはメチル基を表す。)で表
わされる保護化2’−デオキシシチジン誘導体の製造方
法に関する。近年、この保護化2’−デオキシシチジン
誘導体〔4〕は、各種抗ウイルス剤、抗ガン剤、抗クロ
ーン病剤、抗リュウマチ剤および診断薬として開発され
つつある、オリゴヌクレオチド誘導体やアンチセンスD
NA製造のための重要な中間体化合物として需要が増大
している。
わされる保護化2’−デオキシシチジン誘導体の製造方
法に関する。近年、この保護化2’−デオキシシチジン
誘導体〔4〕は、各種抗ウイルス剤、抗ガン剤、抗クロ
ーン病剤、抗リュウマチ剤および診断薬として開発され
つつある、オリゴヌクレオチド誘導体やアンチセンスD
NA製造のための重要な中間体化合物として需要が増大
している。
【0003】
【従来の技術】従来、保護化2’−デオキシシチジン誘
導体〔4〕の製造法として、次の方法が知られていた。
つまり、ベンゾイル2’−デオキシシチジン誘導体
〔1〕と、〔1〕に対して1当量以上のトリチルハライ
ド〔2〕を反応させて、原料のベンゾイル2’−デオキ
シシチジン誘導体〔1〕をほぼ消失させた後、トリチル
ハライド〔2〕が過剰に置換反応した過剰反応物〔3〕
を、ハロゲン溶媒を用いたカラムクロマトグラフィーに
より除去し、精製する方法である。(例えば、Nuc
l.&Nucl.,4(5),p641(1985)、
Synthesis,p965(1984)、JAC
S,104,p965(1982),Methods
in Enzymology,65,p610(198
1)、蛋白質・核酸・酵素,26(4),p531(1
981))
導体〔4〕の製造法として、次の方法が知られていた。
つまり、ベンゾイル2’−デオキシシチジン誘導体
〔1〕と、〔1〕に対して1当量以上のトリチルハライ
ド〔2〕を反応させて、原料のベンゾイル2’−デオキ
シシチジン誘導体〔1〕をほぼ消失させた後、トリチル
ハライド〔2〕が過剰に置換反応した過剰反応物〔3〕
を、ハロゲン溶媒を用いたカラムクロマトグラフィーに
より除去し、精製する方法である。(例えば、Nuc
l.&Nucl.,4(5),p641(1985)、
Synthesis,p965(1984)、JAC
S,104,p965(1982),Methods
in Enzymology,65,p610(198
1)、蛋白質・核酸・酵素,26(4),p531(1
981))
【0004】
【化6】 (式中、Rは、水素原子またはメチル基を表す。)
【0005】
【化7】 (式中、Xは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子または
沃素原子を表す。)
沃素原子を表す。)
【0006】
【化8】 (式中、Rは、前述と同義である。)
【0007】前記従来技術による保護化2’−デオキシ
シチジン誘導体〔4〕の製造法は、工業的製造法とし
て、次のような問題点がある。
シチジン誘導体〔4〕の製造法は、工業的製造法とし
て、次のような問題点がある。
【0008】1)過剰反応物〔3〕は、非常に脂溶性に
富むため、抽出操作による水洗浄などで除去することは
困難であり、また、通常用いられるような高極性溶媒、
メタノール、エタノールあるいは酢酸エチルなどでの再
結晶はできない。
富むため、抽出操作による水洗浄などで除去することは
困難であり、また、通常用いられるような高極性溶媒、
メタノール、エタノールあるいは酢酸エチルなどでの再
結晶はできない。
【0009】2)そのため、カラムクロマトグラフィー
による精製が唯一の精製単離方法であるが、大量のハロ
ゲン系溶媒を必要とし、供給量が制限される。
による精製が唯一の精製単離方法であるが、大量のハロ
ゲン系溶媒を必要とし、供給量が制限される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】このように従来は、過
剰反応物〔3〕の効率的な除去方法が知られていなかっ
たため、大量のハロゲン系溶媒の使用を避けることがで
きなかった。本発明の目的は、ハロゲン系溶媒を使用す
ることなく、効率的に保護化2’−デオキシシチジン誘
導体〔4〕を大量製造可能な方法を提供することにあ
る。
剰反応物〔3〕の効率的な除去方法が知られていなかっ
たため、大量のハロゲン系溶媒の使用を避けることがで
きなかった。本発明の目的は、ハロゲン系溶媒を使用す
ることなく、効率的に保護化2’−デオキシシチジン誘
導体〔4〕を大量製造可能な方法を提供することにあ
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】従来の欠点を解消し、供
給量に制限のない、効率的な保護化2’−デオキシシチ
ジン誘導体〔4〕の製造法を提供するため、本発明者ら
は鋭意検討を行い、保護化2’−デオキシシチジン誘導
体〔4〕に比較して過剰反応物〔3〕をより良く溶解す
る晶析溶媒を見つけるに至り、本発明を完成させた。す
なわち、本発明は、[1]一般式〔1〕
給量に制限のない、効率的な保護化2’−デオキシシチ
ジン誘導体〔4〕の製造法を提供するため、本発明者ら
は鋭意検討を行い、保護化2’−デオキシシチジン誘導
体〔4〕に比較して過剰反応物〔3〕をより良く溶解す
る晶析溶媒を見つけるに至り、本発明を完成させた。す
なわち、本発明は、[1]一般式〔1〕
【0012】
【化9】 (式中、Rは、水素原子またはメチル基を表す。)で表
されるベンゾイル2’−デオキシシチジン誘導体の1当
量に対し、下記一般式〔2〕
されるベンゾイル2’−デオキシシチジン誘導体の1当
量に対し、下記一般式〔2〕
【0013】
【化10】 (式中、Xは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子または
沃素原子を表す。)で表されるトリチルハライドを1当
量から1.3当量反応させた後、得られた反応混合物か
ら、下記一般式〔3〕
沃素原子を表す。)で表されるトリチルハライドを1当
量から1.3当量反応させた後、得られた反応混合物か
ら、下記一般式〔3〕
【0014】
【化11】 (式中、Rは、前述と同義である。)で表される過剰反
応物を除去することにより、下記一般式〔4〕
応物を除去することにより、下記一般式〔4〕
【0015】
【化12】 (式中、Rは、前述と同義である。)で表される保護化
2’−デオキシシチジン誘導体を製造する方法であっ
て、前記一般式〔3〕で表される過剰反応物の除去を、
前記反応混合物を、可溶性溶媒に溶解した後、前記一般
式〔4〕に対して不溶性の溶媒を添加して、あるいは該
不溶性溶媒に前記反応混合物を添加した後、前記可溶性
溶媒を添加して、前記一般式〔4〕を晶析することによ
り行うことを特徴とする前記方法、
2’−デオキシシチジン誘導体を製造する方法であっ
て、前記一般式〔3〕で表される過剰反応物の除去を、
前記反応混合物を、可溶性溶媒に溶解した後、前記一般
式〔4〕に対して不溶性の溶媒を添加して、あるいは該
不溶性溶媒に前記反応混合物を添加した後、前記可溶性
溶媒を添加して、前記一般式〔4〕を晶析することによ
り行うことを特徴とする前記方法、
【0016】[2]前記可溶性溶媒が芳香族系溶媒であ
り、前記一般式〔4〕に対して不溶性の溶媒がエーテル
系溶媒である[1]に記載の製造方法、[3]芳香族系
溶媒が、トルエン、キシレン、アニソール、クロロアニ
ソールあるいはクメンからなる1種または2種以上の混
合物である[2]に記載の製造方法、[4]エーテル系
溶媒が、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、
t−ブチルメチルエーテルあるいはテトラヒドロフラン
からなる1種または2種以上の混合物である[2]に記
載の製造方法、及び[5]トリチルハライド〔2〕の当
量数が、1.05当量から1.2当量である、[1]〜
[4]のいずれかに記載の製造方法である。
り、前記一般式〔4〕に対して不溶性の溶媒がエーテル
系溶媒である[1]に記載の製造方法、[3]芳香族系
溶媒が、トルエン、キシレン、アニソール、クロロアニ
ソールあるいはクメンからなる1種または2種以上の混
合物である[2]に記載の製造方法、[4]エーテル系
溶媒が、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、
t−ブチルメチルエーテルあるいはテトラヒドロフラン
からなる1種または2種以上の混合物である[2]に記
載の製造方法、及び[5]トリチルハライド〔2〕の当
量数が、1.05当量から1.2当量である、[1]〜
[4]のいずれかに記載の製造方法である。
【0017】
【発明の実施の形態】以下に本発明の方法を詳細に説明
する。原料の一般式〔1〕で表されるベンゾイル2’−
デオキシシチジン誘導体は、市販されている2’−デオ
キシシチジン誘導体のアミノ基を公知の方法によりベン
ゾイル化することで容易に製造できる。ベンゾイル化剤
としては、ベンゾイルクロライドや安息香酸無水物など
があるがこれらに限定されない。また、後述する参考例
に具体的方法を例示するが、本発明で使用する式〔1〕
の化合物はこの方法によって製造されたものに限定され
るものではない。
する。原料の一般式〔1〕で表されるベンゾイル2’−
デオキシシチジン誘導体は、市販されている2’−デオ
キシシチジン誘導体のアミノ基を公知の方法によりベン
ゾイル化することで容易に製造できる。ベンゾイル化剤
としては、ベンゾイルクロライドや安息香酸無水物など
があるがこれらに限定されない。また、後述する参考例
に具体的方法を例示するが、本発明で使用する式〔1〕
の化合物はこの方法によって製造されたものに限定され
るものではない。
【0018】一方のトリチルハライド〔2〕としては、
4,4’−ジメチルトリチルフロリド、4,4’−ジメ
チルトリチルクロリド、4,4’−ジメチルトリチルブ
ロミドおよび4,4’−ジメチルトリチルヨージドが挙
げられる。これらは、同仁化学(株)などから市販品と
して容易に入手できる。
4,4’−ジメチルトリチルフロリド、4,4’−ジメ
チルトリチルクロリド、4,4’−ジメチルトリチルブ
ロミドおよび4,4’−ジメチルトリチルヨージドが挙
げられる。これらは、同仁化学(株)などから市販品と
して容易に入手できる。
【0019】反応に使用する溶媒は、反応を阻害しない
限り限定されないが、具体例としては、テトラヒドロフ
ラン、1,4−ジオキサン、モルホリンなどのエーテル
類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトンなどのケトン類、ピリジン、ピリミジンなどの環
状アミン類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ベン
ゾニトリルなどのニトリル類、ジメチルホルムアミド、
ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホ
キシド、ジエチルスルホキシド、などのスルホキシド
類、およびジメチルイミダゾリジノンなどのイミダゾリ
ジノン類が挙げられ、これらを単独もしくは必要に応じ
て混合して使用することができる。なかでもアセトン、
メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ピリジン、ジメチルホルムアミドを単独ないしは混
合して使用することが好ましい。
限り限定されないが、具体例としては、テトラヒドロフ
ラン、1,4−ジオキサン、モルホリンなどのエーテル
類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトンなどのケトン類、ピリジン、ピリミジンなどの環
状アミン類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ベン
ゾニトリルなどのニトリル類、ジメチルホルムアミド、
ジメチルアセトアミドなどのアミド類、ジメチルスルホ
キシド、ジエチルスルホキシド、などのスルホキシド
類、およびジメチルイミダゾリジノンなどのイミダゾリ
ジノン類が挙げられ、これらを単独もしくは必要に応じ
て混合して使用することができる。なかでもアセトン、
メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ピリジン、ジメチルホルムアミドを単独ないしは混
合して使用することが好ましい。
【0020】ベンゾイル2’−デオキシシチジン誘導体
〔1〕とトリチルハライド〔2〕との反応温度は、−5
℃から50℃の間で可能であるが、0℃から30℃が好
ましい。反応時間は0.1時間から8時間の間が好まし
く、1時間から2時間の間が特に好ましい。
〔1〕とトリチルハライド〔2〕との反応温度は、−5
℃から50℃の間で可能であるが、0℃から30℃が好
ましい。反応時間は0.1時間から8時間の間が好まし
く、1時間から2時間の間が特に好ましい。
【0021】トリチルハライド〔2〕の使用量は、ベン
ゾイル2’−デオキシシチジン誘導体〔1〕に対して
1.0当量から1.3当量の間であるが、好ましくは
1.05当量から1.2当量の間である。反応終了時点
で、ベンゾイル2’−デオキシシチジン誘導体〔1〕な
どの親水性不純物を残さないために、この当量数は重要
である。実際にトリチルハライド〔2〕の当量を最適化
した結果について〔表−1〕に示す。
ゾイル2’−デオキシシチジン誘導体〔1〕に対して
1.0当量から1.3当量の間であるが、好ましくは
1.05当量から1.2当量の間である。反応終了時点
で、ベンゾイル2’−デオキシシチジン誘導体〔1〕な
どの親水性不純物を残さないために、この当量数は重要
である。実際にトリチルハライド〔2〕の当量を最適化
した結果について〔表−1〕に示す。
【0022】
【表1】
【0023】〔表−1〕に示したように、保護化2’−
デオキシシチジン誘導体〔4〕の収率を向上し、過剰反
応物〔3〕の生成を抑えるためには、ベンゾイル2’−
デオキシシチジン誘導体〔1〕に対するトリチルハライ
ド〔2〕の当量数は、1以上1.3以下が好ましい。特
に1.05以上1.2以下が好ましい。トリチルハライ
ド〔2〕の使用量をベンゾイル2’−デオキシシチジン
誘導体〔1〕に対して1.0当量未満にすると、原料で
ある〔1〕の残量が増すため、精製上好ましくない。
デオキシシチジン誘導体〔4〕の収率を向上し、過剰反
応物〔3〕の生成を抑えるためには、ベンゾイル2’−
デオキシシチジン誘導体〔1〕に対するトリチルハライ
ド〔2〕の当量数は、1以上1.3以下が好ましい。特
に1.05以上1.2以下が好ましい。トリチルハライ
ド〔2〕の使用量をベンゾイル2’−デオキシシチジン
誘導体〔1〕に対して1.0当量未満にすると、原料で
ある〔1〕の残量が増すため、精製上好ましくない。
【0024】上記反応は、アルコール類を添加して、少
量残存するトリチルハライド〔2〕を消失させること
で、反応を停止することができる。停止反応に使用する
アルコール類としては、メタノール、エタノール、プロ
パノール、イソプロパノール、ブタノール、t−ブタノ
ール、フェノールなどが挙げられるが、これに限定され
るものではない。アルコール類の量は、トリチルハライ
ド〔2〕の0.1倍モルから10倍モルであり、添加時
の温度は−5℃から50℃の間であり、反応時間は0.
1時間から2時間の間である。
量残存するトリチルハライド〔2〕を消失させること
で、反応を停止することができる。停止反応に使用する
アルコール類としては、メタノール、エタノール、プロ
パノール、イソプロパノール、ブタノール、t−ブタノ
ール、フェノールなどが挙げられるが、これに限定され
るものではない。アルコール類の量は、トリチルハライ
ド〔2〕の0.1倍モルから10倍モルであり、添加時
の温度は−5℃から50℃の間であり、反応時間は0.
1時間から2時間の間である。
【0025】反応を停止したのち、反応液を保護化2’
−デオキシシチジン誘導体〔4〕の理論収量の1倍量か
ら10倍量となるまで40℃以下で減圧濃縮する。
−デオキシシチジン誘導体〔4〕の理論収量の1倍量か
ら10倍量となるまで40℃以下で減圧濃縮する。
【0026】得られた保護化2’−デオキシシチジン誘
導体〔4〕の濃縮溶液を、溶媒に溶解し、水ないしは弱
塩基性水溶液で1回洗浄する。ここで用いる溶媒は、
〔4〕を溶解する限り特に限定されないが、水と2液層
をなす酢酸エチルなどのエステル系溶媒や、ハロゲン系
溶媒が好ましい。洗浄水として弱塩基性水溶液を使用す
る場合は、炭酸水素ナトリウムの0.1モル/Lから2
モル/Lの溶液が好ましいが、これに限定されるもので
はない。
導体〔4〕の濃縮溶液を、溶媒に溶解し、水ないしは弱
塩基性水溶液で1回洗浄する。ここで用いる溶媒は、
〔4〕を溶解する限り特に限定されないが、水と2液層
をなす酢酸エチルなどのエステル系溶媒や、ハロゲン系
溶媒が好ましい。洗浄水として弱塩基性水溶液を使用す
る場合は、炭酸水素ナトリウムの0.1モル/Lから2
モル/Lの溶液が好ましいが、これに限定されるもので
はない。
【0027】得られた反応混合物に特定の溶媒を加える
と、過剰反応物〔3〕を溶液中に残し、保護化2’−デ
オキシシチジン誘導体〔4〕を晶析することができる。
特定の溶媒としては、〔表−2〕に示したような、可溶
性溶媒と不溶性溶媒の組み合わせが好ましい。特に、過
剰反応物〔3〕をより除きやすい溶媒の組み合わせが好
ましく、可溶性溶媒として、トルエン、クロロアニソー
ル、キシレン、アニソール、クメンなどの芳香族溶媒
と、不溶性溶媒として、イソプロピルエーテル、ジエチ
ルエーテル、t−ブチルメチルエーテルなどのエーテル
系溶媒との組み合わせを挙げることができる。なかで
も、アニソールとイソプロピルエーテルの組み合わせが
特に好ましい。過剰反応物〔3〕を2.2%含む保護化
2’−デオキシシチジン誘導体〔4〕を、初めに可溶性
溶媒に溶解した後、不溶性溶媒を加えて結晶を析出さ
せ、得られた結晶中の過剰反応物〔3〕の量を、HPL
Cで分析した結果を〔表−2〕に示す。
と、過剰反応物〔3〕を溶液中に残し、保護化2’−デ
オキシシチジン誘導体〔4〕を晶析することができる。
特定の溶媒としては、〔表−2〕に示したような、可溶
性溶媒と不溶性溶媒の組み合わせが好ましい。特に、過
剰反応物〔3〕をより除きやすい溶媒の組み合わせが好
ましく、可溶性溶媒として、トルエン、クロロアニソー
ル、キシレン、アニソール、クメンなどの芳香族溶媒
と、不溶性溶媒として、イソプロピルエーテル、ジエチ
ルエーテル、t−ブチルメチルエーテルなどのエーテル
系溶媒との組み合わせを挙げることができる。なかで
も、アニソールとイソプロピルエーテルの組み合わせが
特に好ましい。過剰反応物〔3〕を2.2%含む保護化
2’−デオキシシチジン誘導体〔4〕を、初めに可溶性
溶媒に溶解した後、不溶性溶媒を加えて結晶を析出さ
せ、得られた結晶中の過剰反応物〔3〕の量を、HPL
Cで分析した結果を〔表−2〕に示す。
【0028】
【表2】
【0029】〔表−2〕に示したように、保護化2’−
デオキシシチジン誘導体〔4〕に対して2.2%含まれ
ていた過剰反応物〔3〕が、上記処理を経て、結晶中か
ら削減できることがわかる。これら溶媒の使用量として
は、濃縮後重量の1.0倍量から20倍量加える事がで
きる。処理操作としては、可溶性溶媒に溶かした後、不
溶性溶媒を加える方法も可能であるが、逆に不溶性溶媒
に前記反応混合物を添加した後、前記可溶性溶媒を添加
して、過剰反応物〔3〕を除去することも可能である。
デオキシシチジン誘導体〔4〕に対して2.2%含まれ
ていた過剰反応物〔3〕が、上記処理を経て、結晶中か
ら削減できることがわかる。これら溶媒の使用量として
は、濃縮後重量の1.0倍量から20倍量加える事がで
きる。処理操作としては、可溶性溶媒に溶かした後、不
溶性溶媒を加える方法も可能であるが、逆に不溶性溶媒
に前記反応混合物を添加した後、前記可溶性溶媒を添加
して、過剰反応物〔3〕を除去することも可能である。
【0030】
【実施例】以下において、実施例をあげて本発明を説明
するが、本発明はこれらによって限定されるものではな
い。
するが、本発明はこれらによって限定されるものではな
い。
【0031】参考例 N4−ベンゾイル−2’−デオキシシチジン(式〔1〕
中、R=H)の製造 窒素置換した反応器に、2’−デオキシシチジン8.6
2gをピリジン190mlに溶解した溶液を加え、この
溶液を攪拌しながら安息香酸無水物12.8g(デオキ
シシチジンに対して1.5倍モル)を加え、25℃で5
時間攪拌した。原料のデオキシシチジンの消費を薄層ク
ロマト(TLC)で確認した後、減圧下、40℃以下で
溶媒を溜去した。得られたオイル状物を、水100ml
とジエチルエーテル100mlの混合溶液で振とうし
た。生成した結晶をろ取し、減圧下乾燥して、目的のN
4−ベンゾイル−2’−デオキシシチジン10.0gを
得た。収率80%。1 H−NMR δ(DMSO−d6):1.90〜2.
41ppm(2H,m)、3.62ppm(2H,
m)、3.85ppm(1H,m)、4.20ppm
(2H,m)、4.81〜5.40ppm(2H,
m)、6.12ppm(1H,t,J=6.3Hz)、
7.10〜7.40ppm(4H,m)、8.12pp
m(2H,m)、8.21ppm(1H,d,J=7.
5Hz)
中、R=H)の製造 窒素置換した反応器に、2’−デオキシシチジン8.6
2gをピリジン190mlに溶解した溶液を加え、この
溶液を攪拌しながら安息香酸無水物12.8g(デオキ
シシチジンに対して1.5倍モル)を加え、25℃で5
時間攪拌した。原料のデオキシシチジンの消費を薄層ク
ロマト(TLC)で確認した後、減圧下、40℃以下で
溶媒を溜去した。得られたオイル状物を、水100ml
とジエチルエーテル100mlの混合溶液で振とうし
た。生成した結晶をろ取し、減圧下乾燥して、目的のN
4−ベンゾイル−2’−デオキシシチジン10.0gを
得た。収率80%。1 H−NMR δ(DMSO−d6):1.90〜2.
41ppm(2H,m)、3.62ppm(2H,
m)、3.85ppm(1H,m)、4.20ppm
(2H,m)、4.81〜5.40ppm(2H,
m)、6.12ppm(1H,t,J=6.3Hz)、
7.10〜7.40ppm(4H,m)、8.12pp
m(2H,m)、8.21ppm(1H,d,J=7.
5Hz)
【0032】実施例1 N4−ベンゾイル−5’−O−(4,4’−ジメトキシ
トリチル)−2’−デオキシシチジン〔4〕(Rが、水
素原子)の製造 反応器に、予めピリジンと共沸脱水したN4−ベンゾイ
ル−2’−デオキシシチジン1.00g(3.00ミリ
モル)とピリジン24mLを仕込み、室温で攪拌しなが
ら、4,4’−ジメトキシトリチルクロライド1.20
g(3.51ミリモル、1.17当量)を粉体で装入
し、さらに24℃にて3時間攪拌した。反応液を氷冷下
5℃から8℃に冷却してメタノール0.72gを装入
し、さらに徐々に室温に戻して1時間攪拌した。この溶
液を、減圧下40℃にて溶媒を留去したのち、酢酸エチ
ル50mLと水20mL中にあけて溶解し、水層を除いて
水で1回洗浄した。有機層を減圧下に留去し、得られた
残留物にトルエンを加え、さらに減圧下40℃以下で濃
縮し、残存するピリジンを除去した。得られた固体を、
最小量のアニソールに室温で溶解し、その溶液を攪拌し
ながら、使用したアニソールの9倍容積のイソプロピル
エーテルを徐々に加え結晶を析出させた。得られた結晶
をろ取し、少量の、アニソール10%含有イソプロピル
エーテルにて洗浄後、乾燥した。得られた残留物をHP
LCにて分析すると、表題化合物に対して約1.06面
積%の過剰反応物が含まれ、原料のN4−ベンゾイル−
2’−デオキシシチジンは検出されなかった。収量は
1.21g、収率は85%であった。
トリチル)−2’−デオキシシチジン〔4〕(Rが、水
素原子)の製造 反応器に、予めピリジンと共沸脱水したN4−ベンゾイ
ル−2’−デオキシシチジン1.00g(3.00ミリ
モル)とピリジン24mLを仕込み、室温で攪拌しなが
ら、4,4’−ジメトキシトリチルクロライド1.20
g(3.51ミリモル、1.17当量)を粉体で装入
し、さらに24℃にて3時間攪拌した。反応液を氷冷下
5℃から8℃に冷却してメタノール0.72gを装入
し、さらに徐々に室温に戻して1時間攪拌した。この溶
液を、減圧下40℃にて溶媒を留去したのち、酢酸エチ
ル50mLと水20mL中にあけて溶解し、水層を除いて
水で1回洗浄した。有機層を減圧下に留去し、得られた
残留物にトルエンを加え、さらに減圧下40℃以下で濃
縮し、残存するピリジンを除去した。得られた固体を、
最小量のアニソールに室温で溶解し、その溶液を攪拌し
ながら、使用したアニソールの9倍容積のイソプロピル
エーテルを徐々に加え結晶を析出させた。得られた結晶
をろ取し、少量の、アニソール10%含有イソプロピル
エーテルにて洗浄後、乾燥した。得られた残留物をHP
LCにて分析すると、表題化合物に対して約1.06面
積%の過剰反応物が含まれ、原料のN4−ベンゾイル−
2’−デオキシシチジンは検出されなかった。収量は
1.21g、収率は85%であった。
【0033】
【発明の効果】以上、本発明により、保護化2’−デオ
キシシチジン誘導体〔4〕をより効率的に製造できるよ
うになった。
キシシチジン誘導体〔4〕をより効率的に製造できるよ
うになった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河野 敏之 千葉県茂原市東郷1144番地 三井化学株式 会社内 Fターム(参考) 4C057 AA03 BB02 DD01 LL17 LL19
Claims (5)
- 【請求項1】 一般式〔1〕 【化1】 (式中、Rは、水素原子またはメチル基を表す。)で表
されるベンゾイル2’−デオキシシチジン誘導体の1当
量に対し、下記一般式〔2〕 【化2】 (式中、Xは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子または
沃素原子を表す。)で表されるトリチルハライドを1当
量から1.3当量反応させた後、得られた反応混合物か
ら、下記一般式〔3〕 【化3】 (式中、Rは、前述と同義である。)で表される過剰反
応物を除去することにより、下記一般式〔4〕 【化4】 (式中、Rは、前述と同義である。)で表される保護化
2’−デオキシシチジン誘導体を製造する方法であっ
て、前記一般式〔3〕で表される過剰反応物の除去を、
前記反応混合物を、可溶性溶媒に溶解した後、前記一般
式〔4〕に対して不溶性の溶媒を添加して、あるいは該
不溶性溶媒に前記反応混合物を添加した後、前記可溶性
溶媒を添加して、前記一般式〔4〕を晶析することによ
り行うことを特徴とする前記方法。 - 【請求項2】 前記可溶性溶媒が芳香族系溶媒であり、
前記一般式〔4〕に対して不溶性の溶媒がエーテル系溶
媒である請求項1に記載の製造方法。 - 【請求項3】 芳香族系溶媒が、トルエン、キシレン、
アニソール、クロロアニソールあるいはクメンからなる
1種または2種以上の混合物である請求項2に記載の製
造方法。 - 【請求項4】 エーテル系溶媒が、ジエチルエーテル、
ジイソプロピルエーテル、t−ブチルメチルエーテルあ
るいはテトラヒドロフランからなる1種または2種以上
の混合物である請求項2に記載の製造方法。 - 【請求項5】 トリチルハライド〔2〕の当量数が、
1.05当量から1.2当量である、請求項1乃至4の
いずれか1項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001076050A JP2002275192A (ja) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | 過剰反応物の除去による保護化2’−デオキシシチジン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001076050A JP2002275192A (ja) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | 過剰反応物の除去による保護化2’−デオキシシチジン誘導体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002275192A true JP2002275192A (ja) | 2002-09-25 |
Family
ID=18933049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001076050A Withdrawn JP2002275192A (ja) | 2001-03-16 | 2001-03-16 | 過剰反応物の除去による保護化2’−デオキシシチジン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002275192A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005272435A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-10-06 | Mitsui Chemicals Inc | N4−アシルシチジン誘導体の金属塩、およびこの金属塩を用いるn4−アシルシチジン誘導体の製造方法 |
-
2001
- 2001-03-16 JP JP2001076050A patent/JP2002275192A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005272435A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-10-06 | Mitsui Chemicals Inc | N4−アシルシチジン誘導体の金属塩、およびこの金属塩を用いるn4−アシルシチジン誘導体の製造方法 |
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