JP2002270736A5 - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3740116B2 (ja) 2002-11-11 2006-02-01 三菱電機株式会社 モールド樹脂封止型パワー半導体装置及びその製造方法
JP2004349347A (ja) 2003-05-20 2004-12-09 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP4015975B2 (ja) 2003-08-27 2007-11-28 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2006114716A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
JP4784150B2 (ja) * 2004-11-10 2011-10-05 富士電機株式会社 半導体装置および、半導体装置の製造方法
JP5415823B2 (ja) * 2008-05-16 2014-02-12 株式会社デンソー 電子回路装置及びその製造方法
JP5947537B2 (ja) 2011-04-19 2016-07-06 トヨタ自動車株式会社 半導体装置及びその製造方法
CN102522340A (zh) * 2011-12-21 2012-06-27 杭州士兰集成电路有限公司 一种大功率模块的散热片安装方法
JP2013171891A (ja) * 2012-02-17 2013-09-02 Toshiba Corp 半導体装置、半導体モジュール、及び半導体モジュールの製造方法
US9312211B2 (en) 2012-03-07 2016-04-12 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor device and manufacturing method thereof
DE112014004421B4 (de) * 2013-09-27 2021-07-08 Mitsubishi Electric Corporation Verpresster Kühlkörper und Leistungsmodul mit integriertem Kühlkörper
JP6294110B2 (ja) 2014-03-10 2018-03-14 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP5892184B2 (ja) 2014-03-18 2016-03-23 トヨタ自動車株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
WO2016030955A1 (ja) * 2014-08-25 2016-03-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および電子装置
JP6152842B2 (ja) 2014-11-04 2017-06-28 トヨタ自動車株式会社 半導体装置とその製造方法
JP2017103434A (ja) 2015-12-04 2017-06-08 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
DE102015122259B4 (de) * 2015-12-18 2020-12-24 Infineon Technologies Austria Ag Halbleitervorrichtungen mit einer porösen Isolationsschicht
JP7501453B2 (ja) 2021-06-11 2024-06-18 株式会社村田製作所 回路モジュール

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