JP7501453B2 - 回路モジュール - Google Patents

回路モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP7501453B2
JP7501453B2 JP2021097895A JP2021097895A JP7501453B2 JP 7501453 B2 JP7501453 B2 JP 7501453B2 JP 2021097895 A JP2021097895 A JP 2021097895A JP 2021097895 A JP2021097895 A JP 2021097895A JP 7501453 B2 JP7501453 B2 JP 7501453B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
circuit module
region
recess
main surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021097895A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022189354A (ja
Inventor
隆成 岡田
康孝 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2021097895A priority Critical patent/JP7501453B2/ja
Priority to CN202210340169.6A priority patent/CN115474335A/zh
Priority to US17/750,454 priority patent/US20220399255A1/en
Publication of JP2022189354A publication Critical patent/JP2022189354A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7501453B2 publication Critical patent/JP7501453B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/117Stacked arrangements of devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517Additional leads
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1017All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
    • H01L2225/1023All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the support being an insulating substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1047Details of electrical connections between containers
    • H01L2225/1064Electrical connections provided on a side surface of one or more of the containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1047Details of electrical connections between containers
    • H01L2225/107Indirect electrical connections, e.g. via an interposer, a flexible substrate, using TAB

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Description

本発明は、基板モジュール上に電子部品が実装された回路モジュールに関する。
従来の回路モジュールに関する発明としては、例えば、特許文献1に記載の回路モジュールが知られている。この回路モジュールは、半導体パッケージ本体、エネルギー蓄積要素およびシールド層を備える。半導体パッケージ本体は、上面および導電性要素を含む。導電性要素は、半導体パッケージ本体の上面の上に配置される。エネルギー蓄積要素は、半導体パッケージ本体の上面の上に配置される。エネルギー蓄積要素と半導体パッケージ本体の導電性要素とは、半田を介して、電気的に接続される。シールド層は、半導体パッケージ本体とエネルギー蓄積要素との間に配置される。この時、シールド層は、ボンディング用接着剤により半導体パッケージ本体に固定される。また、シールド層は、ボンディング用接着剤によりエネルギー蓄積要素に固定される。
米国特許出願公開第2013/0001756号明細書(図2)
ところで、特許文献1に記載の回路モジュールでは、半田とボンディング用接着剤とが接触する場合がある。より詳細には、シールド層、半導体パッケージ本体およびエネルギー蓄積要素がボンディング用接着剤により固定された後に、半田が加熱および冷却されることによって、エネルギー蓄積要素と半導体パッケージ本体の導電性要素とが半田を介して、電気的に接続される。この時、溶融した半田が半導体パッケージ本体の上面に広がる場合がある。その結果、溶融した半田がボンディング用接着剤と接触する場合がある。ボンディング用接着剤が導電性を有している場合、半田とボンディング用接着剤との接触により、回路モジュールの誤動作が発生する恐れがある。ボンディング用接着剤が絶縁性を有している場合、熱を帯びている半田とボンディング用接着剤とが接触した時、半田の熱によってボンディング用接着剤が溶融する恐れがある。
そこで、本発明の目的は、半田とボンディング用接着剤との接触を抑制できる回路モジュールを提供することである。
本発明の一形態に係る回路モジュールは、
上下方向に延びる法線を有する上主面を有する基板モジュールと、
前記基板モジュールの上に配置される電子部品と、
前記電子部品を前記上主面に固定するボンディング用接着剤と、を備えており、
前記電子部品は、第1電極を含み、
前記基板モジュールは、前記ボンディング用接着剤より右に配置される第2電極を含み、
前記第1電極は、半田を介して、前記第2電極と電気的に接続されており、
前記上主面には、下方向にくぼんだ形状を有し、かつ、底を有する第1凹部が設けられており、
前記第2電極の上端は、前記底より上に配置され、
前記第1凹部は、第1領域を有し、
上下方向に見て、前記第1領域は、前記第2電極と前記ボンディング接着剤との間に位置しており、
前記第1凹部を形成する部分の材質は、前記上主面を形成する部分の材質と同じである。
本発明によれば、半田とボンディング用接着剤との接触を抑制できる回路モジュールを提供することができる。
図1は、第1の実施形態に係る回路モジュール100の平面図である。 図2は、第1の実施形態に係る回路モジュール100のA-Aにおける断面図である。 図3は、第1の実施形態に係る回路モジュール100のB-Bにおける断面図である。 図4は、第1の変形例に係る回路モジュール100aの平面図である。 図5は、第1の変形例に係る回路モジュール100aのA-Aにおける断面図である。 図6は、第1の変形例に係る回路モジュール100aのB-Bにおける断面図である。 図7は、第2の変形例に係る回路モジュール100bの平面図である。 図8は、第2の変形例に係る回路モジュール100bのA-Aにおける断面図である。 図9は、第2の変形例に係る回路モジュール100bのB-Bにおける断面図である。 図10は、第3の変形例に係る回路モジュール100cの平面図である。 図11は、第3の変形例に係る回路モジュール100cのA-Aにおける断面図である。 図12は、第3の変形例に係る回路モジュール100cのB-Bにおける断面図である。 図13は、第4の変形例に係る回路モジュール100dの平面図である。 図14は、第4の変形例に係る回路モジュール100dのA-Aにおける断面図である。 図15は、第4の変形例に係る回路モジュール100dのB-Bにおける断面図である。 図16は、第5の変形例に係る回路モジュール100eの平面図である。 図17は、第5の変形例に係る回路モジュール100eのA-Aにおける断面図である。 図18は、第5の変形例に係る回路モジュール100eのB-Bにおける断面図である。 図19は、第6の変形例に係る回路モジュール100fのA-Aにおける断面図である。 図20は、第6の変形例に係る回路モジュール100fのD-Dにおける断面図とE-Eにおける断面図である。 図21は、第7の変形例に係る回路モジュール100gの平面図である。 図22は、第7の変形例に係る回路モジュール100gのA-Aにおける断面図である。 図23は、第7の変形例に係る回路モジュール100gのB-Bにおける断面図である。 図24は、第8の変形例に係る回路モジュール100hのA-Aにおける断面図である。 図25は、第9の変形例に係る回路モジュール100iのA-Aにおける断面図である。 図26は、第10の変形例に係る回路モジュール100jのA-Aにおける断面図である。
[第1の実施形態]
以下に、本発明の第1の実施形態に係る回路モジュール100について、図を参照しながら説明する。図1は、第1の実施形態に係る回路モジュール100の平面図である。図2は、第1の実施形態に係る回路モジュール100のA-Aにおける断面図である。図3は、第1の実施形態に係る回路モジュール100のB-Bにおける断面図である。
本明細書において、方向を以下のように定義する。基板モジュール20の上主面S20の法線が伸びている方向を上下方向と定義する。上下方向は、電子部品10および基板モジュール20が並ぶ方向と一致する。また、基板モジュール20の第2電極21Rおよび第2電極21Lが並ぶ方向を左右方向と定義する。上下方向と左右方向とに直交する方向を前後方向と定義する。上下方向、左右方向および前後方向は、互いに直交している。
本明細書において、任意の2つの部材を第1部材および第2部材と定義した場合、第1部材が第2部材の上に配置されるとは、以下の状態を指す。第1部材の少なくとも一部は、第2部材の真上に位置している。したがって、上下方向に見て、第1部材は、第2部材と重なっている。この定義は、上下方向以外の方向にも適用される。
本明細書において、第1部材が第2部材より上に配置されるとは、第1部材の少なくとも一部が第2部材の真上に位置している場合、および、第1部材の全体が第2部材の斜め上に位置している場合を含む。第1部材の少なくとも一部または全体は、第2部材の真上に位置している。斜め上とは、例えば、左上、右上である。この定義は、上下方向以外の方向にも適用される。
本明細書において、特に断りのない場合には、第1部材の各部について以下のように定義する。第1部材の前部とは、第1部材の前半分を意味する。第1部材の後部とは、第1部材の後半分を意味する。第1部材の左部とは、第1部材の左半分を意味する。第1部材の右部とは、第1部材の右半分を意味する。第1部材の上部とは、第1部材の上半分を意味する。第1部材の下部とは、第1部材の下半分を意味する。第1部材の前端とは、第1部材の前方向の端を意味する。第1部材の後端とは、第1部材の後方向の端を意味する。第1部材の左端とは、第1部材の左方向の端を意味する。第1部材の右端とは、第1部材の右方向の端を意味する。第1部材の上端とは、第1部材の上方向の端を意味する。第1部材の下端とは、第1部材の下方向の端を意味する。第1部材の前端部とは、第1部材の前端およびその近傍を意味する。第1部材の後端部とは、第1部材の後端およびその近傍を意味する。第1部材の左端部とは、第1部材の左端およびその近傍を意味する。第1部材の右端部とは、第1部材の右端およびその近傍を意味する。第1部材の上端部とは、第1部材の上端およびその近傍を意味する。第1部材の下端部とは、第1部材の下端およびその近傍を意味する。
本明細書において、「第1部材と第2部材とが電気的に接続される」とは、第1部材と第2部材との間で電気が導通していることを意味する。したがって、第1部材と第2部材とが接触していてもよいし、第1部材と第2部材とが接触していなくてもよい。第1部材と第2部材とが接触していない場合には、第1部材と第2部材との間に導電性を有する第3部材が配置されている。
回路モジュール100は、図1および図2に示すように、電子部品10、基板モジュール20、複数の半田30R,複数の半田30Lおよびボンディング用接着剤40を備えている。
基板モジュール20は、図2および図3に示すように、複数の第2電極21R、複数の第2電極21L、絶縁性封止材22、IC25および基板50を含んでいる。
基板50は、上主面および下主面を有する板形状を有している。基板50の内部には導体層により電気回路が形成されている。基板50は、図2に示すように、複数の第1導電体51、複数の第2導電体52Rおよび複数の第2導電体52Lを含んでいる。なお、図2では、複数の第1導電体51の内の代表的な第1導電体51にのみ参照符号を付した。複数の第1導電体51、複数の第2導電体52Rおよび複数の第2導電体52Lは、それぞれ、導電性を有している。
複数の第1導電体51は、図2に示すように、前後方向に見て、基板50の上主面の中央近傍に配置されている。複数の第1導電体51は、後述するIC(Intagrated Circuit)25を実装するための電極である。複数の第2導電体52Rは、基板50の上主面の右部において前後方向に一列に並んでいる。複数の第2導電体52Lは、基板50の上主面の左部において前後方向に一列に並んでいる。
IC25は、図2に示すように、基板50と接触し、基板50の上に配置されている。本実施形態では、IC25は、例えば、電源ICである。IC25は、電極251を有する。なお、図2では、複数の電極251の内の代表的な電極251にのみ参照符号を付した。電極251は、導電性を有している。電極251の底面は、半田により第1導電体51の上面に固定されている。
絶縁性封止材22は、図2に示すように、基板50の上に配置されている。本実施形態では、絶縁性封止材22は、例えば、樹脂である。絶縁性封止材22は、基板50と接触し、複数の第2電極21Rの下部、複数の第2電極21Lの下部およびIC25を覆っている。本実施形態では、絶縁性封止材22は、上主面S20を有している。換言すれば、基板モジュール20は、上主面S20を有している。
上主面S20は、図2および図3に示すように、上下方向に延びる法線を有する。本実施形態では、電子部品本体10aの底面S10と基板モジュール20の上主面S20とは、上下方向に並んでいる。すなわち、図2に示すように、電子部品本体10aの底面S10と基板モジュール20の上主面S20とは、互いに向かい合っている。本実施形態では、上主面S20を形成する部分の材質は、絶縁性封止材22である。
上主面S20には、図3に示すように、複数の第1凹部23Rおよび複数の第1凹部23Lが設けられている。より詳細には、複数の第1凹部23Rは、前から後へと一列に並んでいる。複数の第1凹部23Lは、それぞれ、複数の第1凹部23Rと左右対称な構造を有する。そのため、複数の第1凹部23Lの説明を省略する。なお、以下では、複数の第1凹部23Rの内の1個の第1凹部23Rに着目して説明する。
第1凹部23Rは、上主面S20の右部に配置されている。第1凹部23Rは、図2に示すように、後述するボンディング用接着剤40より右に配置されている。また、第1凹部23Rは、下方向にくぼんだ形状を有する。本実施形態では、第1凹部23Rは、上主面S20に対して、上下方向の段差を有している。本実施形態では、第1凹部23Rを形成する部分の材質は、絶縁性封止材22であり、上主面S20を形成する部分の材質と同じである。また、第1凹部23Rは、底S23Rを有する。より詳細には、底S23Rは、第1凹部23Rの上下方向の位置が最も低い部分である。本実施形態では、底S23Rは、面である。
第1凹部23Rは、図3に示すように、左右方向に見て、第2電極21Rと重なる第1領域23R1および第2領域23R2を有する。より詳細には、第1領域23R1は、第2電極21Rより左において、左右方向に見て、第1凹部23Rと第2電極21Rとが重なる領域である。第1領域23R1は、上下方向に見て、第2電極21Rと後述するボンディング用接着剤40との間に位置している。第2領域23R2は、第2電極21Rより右において、左右方向に見て、第1凹部23Rと第2電極21Rとが重なる領域である。第2領域23R2は、上下方向に見て、第2電極21Rの右に位置している。本実施形態では、第1領域23R1は、上下方向に見て、第2電極21Rと接触する第1部分23R3を有している。すなわち、第1凹部23Rは、第2電極21Rの左部と接触している。また、第2領域23R2は、上下方向に見て、第2電極21Rと接触する第2部分23R4を有している。すなわち、第1凹部23Rは、第2電極21Rの右部と接触している。本実施形態では、図2に示すように、第1部分23R3の上下方向の位置は、第2部分23R4の上下方向の位置と同じである。
複数の第2電極21Rは、絶縁性封止材22の右部に配置されている。複数の第2電極21Rは、図2に示すように、それぞれ、後述するボンディング用接着剤40より右に配置されている。より詳細には、複数の第2電極21Rは、それぞれ、上下方向に延びる形状を有し、導電性を有している。複数の第2電極21Rは、図3に示すように、前から後へと一列に並んでいる。複数の第2電極21Lは、それぞれ、複数の第2電極21Rと左右対称な構造を有する。そのため、複数の第2電極21Lの説明を省略する。なお、以下では、複数の第2電極21Rの内の1個の第2電極21Rに着目して説明する。
第2電極21Rの上端は、図2に示すように、底S23Rより上に配置されている。本実施形態では、第2電極21Rは、上下方向に見て、第1凹部23R内に配置されている。より詳細には、第2電極21Rは、第1凹部23Rと接触している。また、第2電極21Rの上端部は、後述する半田30Rと接触している。第2電極21Rの底面は、基板50の上面に接触している。第2電極21Rの底面は、半田により第2導電体52Rに固定されている。
電子部品10は、図1に示すように、電子部品本体10a、複数の第1電極11Rおよび複数の第1電極11Lを含んでいる。本実施形態では、電子部品10は、例えば、インダクタである。電子部品10は、図2に示すように、基板モジュール20の上に配置されている。
電子部品本体10aは、図2に示すように、底面S10を有する。本実施形態では、電子部品本体10aは、直方体形状を有している。ただし、電子部品本体10aが底面S10を有していれば、電子部品本体10aは、直方体形状以外の形状を有していてもよい。
複数の第1電極11Rは、図2に示すように、それぞれ、電子部品本体10aの右端部に設けられている。より詳細には、複数の第1電極11Rは、それぞれ、電子部品本体10aの右面から右下方向に延びる形状を有する金属端子である。すなわち、複数の第1電極11Rは、導電性を有している。複数の第1電極11Rの右端は、それぞれ、底面S10より下に配置されている。複数の第1電極11Rは、図3に示すように、前から後へと一列に並んでいる。複数の第1電極11Lは、それぞれ、複数の第1電極11Rと左右対称な構造を有する。そのため、複数の第1電極11Lの説明を省略する。
以上のような電子部品10は、ボンディング用接着剤40、複数の半田30Rおよび複数の半田30Lにより基板モジュール20に実装されている。具体的には、ボンディング用接着剤40は、図2に示すように、前後方向に見て、電子部品本体10aの底面S10と基板モジュール20の上主面S20との間に設けられている。ボンディング用接着剤40は、電子部品10を基板モジュール20の上主面S20に固定している。ボンディング用接着剤40は、導電性を有していてもよいし、絶縁性を有していてもよい。
複数の半田30Rは、図1に示すように、前から後へと一列に並んでいる。複数の半田30Rおよび複数の半田30Lは、それぞれ、加熱されることにより溶融する性質を有している。複数の半田30Lは、それぞれ、複数の半田30Rと左右対称な構造を有する。そのため、複数の半田30Lの説明を省略する。なお、以下では、複数の半田30Rの内の1個の半田30Rに着目して説明する。
半田30Rは、図2に示すように、第1電極11Rの下端部および第2電極21Rの上端部に配置されている。半田30Rは、第1電極11Rの下端部および第2電極21Rの上端部と接触している。すなわち、第1電極11Rは、半田30Rを介して、第2電極21Rと電気的に接続されている。
[効果]
回路モジュール100によれば、半田30Rとボンディング用接着剤40との接触を抑制することができる。より詳細には、ボンディング用接着剤40は、電子部品10を上主面S20に固定している。上主面S20には、ボンディング用接着剤40より右に配置される第1凹部23Rが設けられている。第1凹部23Rは、下方向にくぼんだ形状を有し、かつ、底S23Rを有している。第2電極21Rの上端は、第1凹部23Rの底S23Rより上に配置されている。第1凹部23Rは、上下方向に見て、第2電極21Rとボンディング用接着剤40との間に位置する第1領域23R1を有している。これにより、第2電極21Rの上端部に配置される半田30Rが溶融して上主面S20に広がったとしても、溶融した半田30Rは、第1凹部23Rの第1領域23R1に流れ込む。そのため、回路モジュール100によれば、半田30Rが第1凹部23Rより左に広がることを抑制することができる。その結果、回路モジュール100によれば、半田30Rとボンディング用接着剤40との接触を抑制することができる。
なお、第1凹部23Rを形成する部分の材質は、上主面S20を形成する部分の材質と同じである。そのため、溶融した半田30Rによって、第1凹部23Rが溶融する等のダメージを受けることが抑制される。
また、回路モジュール100によれば、第2電極21Rと第2電極21Lとの間の沿面距離を大きくすることができる。沿面距離は、第2電極21Rと第2電極21Lとの間の上主面S20に沿った距離の内の最短距離である。その結果、回路モジュール100の絶縁性能を確保しやすくなる。
また、回路モジュール100によれば、第1凹部23Rは、上下方向に見て、第2電極21Rの右に位置する第2領域23R2を有している。その結果、半田30Rが第2電極21Rより左に広がることを抑制することができる。
[第1の変形例]
以下に、本発明の第1の変形例に係る回路モジュール100aについて、図を参照しながら説明する。図4は、第1の変形例に係る回路モジュール100aの平面図である。図5は、第1の変形例に係る回路モジュール100aのA-Aにおける断面図である。図6は、第1の変形例に係る回路モジュール100aのB-Bにおける断面図である。なお、第1の変形例に係る回路モジュール100aについては、第1の実施形態に係る回路モジュール100と異なる部分のみ説明し、後は省略する。
回路モジュール100aは、第1凹部23Rの形状、電子部品10の配置、第1電極11Rの形状において、回路モジュール100と相違する。
第1凹部23Rの右端部は、図4乃至図6に示すように、上主面S20の右辺に到達している。
電子部品10は、図5に示すように、基板モジュール20の上に配置されている。また、電子部品本体10aは、上下方向に見て、第2電極21Rと重なる部分を有している。
第1電極11Rは、図5に示すように、電子部品本体10aの右端部に設けられている。より詳細には、第1電極11Rは、電子部品本体10aの右面から電子部品本体10aの底面S10に沿って、延びる形状を有する金属端子である。また、第1電極11Rは、電子部品本体10aの右面および電子部品本体10aの底面S10と接触している。
以上のような回路モジュール100aにおいても、回路モジュール100と同じ効果を奏する。また、回路モジュール100aによれば、右方向に見て、半田30Rの付着状態を外観検査することができる。
[第2の変形例]
以下に、本発明の第2の変形例に係る回路モジュール100bについて、図を参照しながら説明する。図7は、第2の変形例に係る回路モジュール100bの平面図である。図8は、第2の変形例に係る回路モジュール100bのA-Aにおける断面図である。図9は、第2の変形例に係る回路モジュール100bのB-Bにおける断面図である。なお、第2の変形例に係る回路モジュール100bについては、第1の実施形態に係る回路モジュール100と異なる部分のみ説明し、後は省略する。
回路モジュール100bは、第1凹部23Rの形状において、回路モジュール100と相違する。より詳細には、図7乃至図9に示すように、第1凹部23Rは、第2電極21Rの左に配置されている。その結果、図9に示すように、第1凹部23Rは、第2領域23R2を有していない。
以上のような回路モジュール100bにおいても、半田30Rとボンディング用接着剤40との接触を抑制することができる。また、第2電極21Rと第2電極21Lとの間の沿面距離を大きくすることができる。
[第3の変形例]
以下に、本発明の第3の変形例に係る回路モジュール100cについて、図を参照しながら説明する。図10は、第3の変形例に係る回路モジュール100cの平面図である。図11は、第3の変形例に係る回路モジュール100cのA-Aにおける断面図である。図12は、第3の変形例に係る回路モジュール100cのB-Bにおける断面図である。なお、第3の変形例に係る回路モジュール100cについては、第1の実施形態に係る回路モジュール100と異なる部分のみ説明し、後は省略する。
回路モジュール100cは、第1凹部23Rの配置において、回路モジュール100と相違する。より詳細には、図10乃至図12に示すように、第2電極21Rは、第1凹部23Rと接触していない。すなわち、第1領域23R1は、上下方向に見て、第2電極21Rと接触する第1部分23R3を有していない。その結果、図12に示すように、第1領域23R1は、左右方向において、第2電極21Rと間を空けて配置されている。また、第2領域23R2は、上下方向に見て、第2電極21Rと接触する第2部分23R4を有していない。その結果、第2領域23R2は、左右方向において、第2電極21Rと間を空けて配置されている。
以上のような回路モジュール100cにおいても、半田30Rとボンディング用接着剤40との接触を抑制することができる。また、第2電極21Rと第2電極21Lとの間の沿面距離を大きくすることができる。
[第4の変形例]
以下に、本発明の第4の変形例に係る回路モジュール100dについて、図を参照しながら説明する。図13は、第4の変形例に係る回路モジュール100dの平面図である。図14は、第4の変形例に係る回路モジュール100dのA-Aにおける断面図である。図15は、第4の変形例に係る回路モジュール100dのB-Bにおける断面図である。なお、第4の変形例に係る回路モジュール100dについては、第1の実施形態に係る回路モジュール100と異なる部分のみ説明し、後は省略する。
回路モジュール100dは、第1凹部23Rの配置において、回路モジュール100と相違する。より詳細には、図13乃至図15に示すように、第1凹部23Rは、第2電極21Rより左に配置されている。その結果、図15に示すように、第1凹部23Rは、第2領域23R2を有していない。また、第2電極21Rは、第1凹部23Rと接触していない。すなわち、第1領域23R1は、上下方向に見て、第2電極21Rと接触する第1部分23R3を有していない。その結果、図15に示すように、第1領域23R1は、左右方向において、第2電極21Rと間を空けて配置されている。
以上のような回路モジュール100dにおいても、半田30Rとボンディング用接着剤40との接触を抑制することができる。また、第2電極21Rと第2電極21Lとの間の沿面距離を大きくすることができる。
[第5の変形例]
以下に、本発明の第5の変形例に係る回路モジュール100eについて、図を参照しながら説明する。図16は、第5の変形例に係る回路モジュール100eの平面図である。図17は、第5の変形例に係る回路モジュール100eのA-Aにおける断面図である。図18は、第5の変形例に係る回路モジュール100eのB-Bにおける断面図である。なお、第5の変形例に係る回路モジュール100eについては、第1の実施形態に係る回路モジュール100と異なる部分のみ説明し、後は省略する。
回路モジュール100eは、第1凹部23Rが第1凹部23Raおよび第2凹部23Rbに分割されている点において、回路モジュール100と相違する。より詳細には、図16乃至図18に示すように、第1凹部23Raは、第2電極21Rより左に配置されている。その結果、図18に示すように、第1凹部23Raは、第1領域23R1を有している。また、本変形例では、第2電極21Rは、第1凹部23Raと接触していない。すなわち、第1領域23R1は、上下方向に見て、第2電極21Rと接触する第1部分23R3を有していない。その結果、図18に示すように、第1領域23R1は、左右方向において、第2電極21Rと間を空けて配置されている。
第2凹部23Rbは、図16乃至図18に示すように、上主面S20の右部に設けられている。第2凹部23Rbは、図17に示すように、下方向にくぼんだ形状を有する。本変形例では、第2凹部23Rbは、上主面S20に対して、上下方向の段差を有している。本変形例では、第2凹部23Rbを形成する部分の材質は、絶縁性封止材22であり、上主面S20を形成する部分の材質と同じである。また、第2凹部23Rbは、図17に示すように、底S23Rbを有する。より詳細には、底S23Rbは、第2凹部23Rbの上下方向の位置が最も低い部分である。本変形例では、底S23Rbは、面である。第2凹部23Rbは、第2電極21Rより右に配置されている。その結果、図18に示すように、第2凹部23Rbは、第2領域23R2を有している。本変形例では、第2領域23R2は、第2電極21Rより右において、左右方向に見て、第2凹部23Rbと第2電極21Rとが重なる領域である。第2領域23R2は、上下方向に見て、第2電極21Rの右に位置している。本変形例では、第2電極21Rは、第2凹部23Rbと接触していない。すなわち、第2領域23R2は、上下方向に見て、第2電極21Rと接触する第2部分23R4を有していない。その結果、図18に示すように、第2領域23R2は、左右方向において、第2電極21Rと間を空けて配置されている。
以上のような回路モジュール100eにおいても、回路モジュール100cと同じ効果を奏する。
[第6の変形例]
以下に、本発明の第6の変形例に係る回路モジュール100fについて、図を参照しながら説明する。図19は、第6の変形例に係る回路モジュール100fのA-Aにおける断面図である。図20は、第6の変形例に係る回路モジュール100fのD-Dにおける断面図とE-Eにおける断面図である。なお、第6の変形例に係る回路モジュール100fについては、第1の実施形態に係る回路モジュール100と異なる部分のみ説明し、後は省略する。
回路モジュール100fは、第1凹部23Rの形状において、回路モジュール100と相違する。より詳細には、図19に示すように、第1部分23R3の上下方向の位置は、第2部分23R4の上下方向の位置より上である。なお、本変形例では、図20に示すように、第1部分23R3の上下方向の位置および第2部分23R4の上下方向の位置は、均一であるが、不均一であってもよい。第1部分23R3の上下方向の高さおよび第2部分23R4の上下方向の高さが不均一の場合、第1部分23R3の上端の上下方向の位置が第2部分23R4の上端の上下方向の位置より上であってもよいし、第1部分23R3の部分の上下方向の位置が第2部分23R4の部分の上下方向の位置より上であってもよい。
以上のような回路モジュール100fにおいても、回路モジュール100と同じ効果を奏する。また、回路モジュール100fによれば、半田30Rが第2電極21Rより左に広がることをより抑制しやすくなる。
[第7の変形例]
以下に、本発明の第7の変形例に係る回路モジュール100gについて、図を参照しながら説明する。図21は、第7の変形例に係る回路モジュール100gの平面図である。図22は、第7の変形例に係る回路モジュール100gのA-Aにおける断面図である。図23は、第7の変形例に係る回路モジュール100gのB-Bにおける断面図である。なお、第7の変形例に係る回路モジュール100gについては、第3の変形例に係る回路モジュール100cと異なる部分のみ説明し、後は省略する。
回路モジュール100gは、第1凹部23Rの配置において、回路モジュール100cと相違する。より詳細には、図21乃至図23に示すように、第1領域23R1と第2電極21Rとの間の左右方向の距離は、第2領域23R2と第2電極21Rとの間の左右方向の距離より長い。なお、本変形例では、図23に示すように、第1領域23R1と第2電極21Rとの間の左右方向の距離および第2領域23R2と第2電極21Rとの間の左右方向の距離は、不均一である。この場合、第1領域23R1と第2電極21Rとの間の左右方向の最短距離が第2領域23R2と第2電極21Rとの間の左右方向の最短距離より長い。なお、第1領域23R1と第2電極21Rとの間の部分の左右方向の距離が第2領域23R2と第2電極21Rとの間の部分の左右方向の距離より長くてもよい。
以上のような回路モジュール100gにおいても、回路モジュール100cと同じ効果を奏する。また、回路モジュール100gによれば、半田30Rが第2電極21Rより左に広がることをより抑制しやすくなる。
[第8の変形例]
以下に、本発明の第8の変形例に係る回路モジュール100hについて、図を参照しながら説明する。図24は、第8の変形例に係る回路モジュール100hのA-Aにおける断面図である。なお、第8の変形例に係る回路モジュール100hについては、第1の実施形態に係る回路モジュール100と異なる部分のみ説明し、後は省略する。
回路モジュール100hは、第1凹部23Rの形状、電子部品10の配置、電子部品10の形状、第1電極11Rの配置、第1電極11Rの形状および第2電極21Rの形状において、回路モジュール100と相違する。
第1凹部23Rの右端部は、図24に示すように、上主面S20の右辺に到達している。
電子部品10は、図24に示すように、基板モジュール20の上に配置されている。また、電子部品本体10aは、上下方向に見て、第2電極21Rと重なる部分を有している。本変形例では、電子部品10は、例えば、基板である。
第1電極11Rは、図24に示すように、電子部品本体10aの底面S10の下に設けられている。また、第1電極11Rは、電子部品本体10aの底面S10と接触している。なお、第1電極11Rは、電子部品本体10aの下部に配置され、電子部品本体10aの底面S10と接触していてもよい。
第2電極21Rの上端部は、図24に示すように、先細り形状を有している。すなわち、第2電極21Rの上下方向に垂直な断面積は、上に行くにつれて、小さくなっていく。また、第2電極21Rの上下方向に垂直な断面の内の第2電極21Rの上部の上下方向に垂直な断面は、上下方向に見て、第2電極21Rの下部の上下方向に垂直な断面に全て重なる。
以上のような回路モジュール100hにおいても、回路モジュール100と同じ効果を奏する。また、回路モジュール100hによれば、右方向に見て、半田30Rの付着状態を外観検査することができる。また、回路モジュール100hによれば、半田30Rが第2電極21Rより左に広がることをより抑制しやすくなる。また、回路モジュール100hによれば、複数の第1電極11Rの下端の上下方向の位置および複数の第1電極11Lの下端の上下方向の位置のばらつきと複数の第2電極21Rの上端および複数の第2電極21Lの上端の上下方向の位置のばらつきがあっても、複数の半田30Rおよび複数の半田30Lにより、電子部品10を水平に配置しやすくなる。
[第9の変形例]
以下に、本発明の第9の変形例に係る回路モジュール100iについて、図を参照しながら説明する。図25は、第9の変形例に係る回路モジュール100iのA-Aにおける断面図である。なお、第9の変形例に係る回路モジュール100iについては、第1の変形例に係る回路モジュール100aと異なる部分のみ説明し、後は省略する。
回路モジュール100iは、第1凹部23Rの形状において、回路モジュール100aと相違する。より詳細には、図25に示すように、絶縁性封止材22は、第2電極21Rの上端部に存在する。これにより、第2電極21Rは、第1凹部23Rと接触していない。すなわち、第1領域23R1は、上下方向に見て、第2電極21Rと接触する第1部分23R3を有していない。その結果、第1領域23R1は、左右方向において、第2電極21Rと間を空けて配置されている。また、第2領域23R2は、上下方向に見て、第2電極21Rと接触する第2部分23R4を有していない。その結果、第2領域23R2は、左右方向において、第2電極21Rと間を空けて配置されている。
以上のような回路モジュール100iにおいても、回路モジュール100aと同じ効果を奏する。また、回路モジュール100iによれば、右方向に見て、半田30Rの付着状態をより外観検査しやすくすることができる。より詳細には、回路モジュール100aの場合、図5に示すように、Cの位置に見て、半田30Rの色と第2電極21Rの色との差が小さい場合に外観検査をしにくい。一方、回路モジュール100iによれば、図25に示すように、Cの位置に見て、半田30Rの色と絶縁性封止材22の色との差は、大きいため、外観検査を容易に行なうことができる。
[第10の変形例]
以下に、本発明の第10の変形例に係る回路モジュール100jについて、図を参照しながら説明する。図26は、第10の変形例に係る回路モジュール100jのA-Aにおける断面図である。なお、第10の変形例に係る回路モジュール100jについては、第9の変形例に係る回路モジュール100iと異なる部分のみ説明し、後は省略する。
回路モジュール100jは、第1凹部23Rの形状において、回路モジュール100iと相違する。より詳細には、図26に示すように、絶縁性封止材22は、第2電極21Rの上端部に存在していない。これにより、本変形例では、第1領域23R1は、上下方向に見て、第2電極21Rと接触する第1部分23R3を有している。すなわち、第1凹部23Rは、第2電極21Rの左部と接触している。また、第2領域23R2は、上下方向に見て、第2電極21Rと接触する第2部分23R4を有している。すなわち、第1凹部23Rは、第2電極21Rの右部と接触している。
以上のような回路モジュール100jにおいても、回路モジュール100iと同じ効果を奏する。
[その他の実施形態]
本発明に係る回路モジュールは、回路モジュール100,100a~100jに限らず、その要旨の範囲において変更可能である。また、回路モジュール100,100a~100jの構成を任意に組み合わせてもよい。
なお、電子部品10は、インダクタに限らない。電子部品10は、例えば、コンデンサまたは基板でもよい。
なお、第1電極11Rは、1個でもよい。
なお、第1凹部23R,23Raおよび第2凹部23Rbは、それぞれ、1個でもよい。
なお、底S23R,S23Ra,S23Rbは、それぞれ、面に限らない。底S23R,S23Ra,S23Rbは、それぞれ、線であってもよいし、点であってもよい。
なお、第2電極21Rの上端の位置は、上主面S20の上端または上主面S20の上下方向の平均位置より上であってもよいし、下であってもよいし、同じであってもよい。
なお、電子部品本体10aは、上下方向に見て、第2電極21Rと重なる部分を有していてもよいし、上下方向に見て、第2電極21Rの全体と重なっていてもよい。
なお、第1凹部23R,23Raおよび第2凹部23Rbは、上下方向に見て、ボンディング用接着剤40と重なる部分を有していてもよい。
なお、第2電極21Rは、第1凹部23Raおよび第2凹部23Rbと接触していてもよい。この場合、第1領域23R1は、上下方向に見て、第2電極21Rと接触する第1部分23R3を有する。また、第2領域23R2は、上下方向に見て、第2電極21Rと接触する第2部分23R4を有する。第1部分23R3の上下方向の位置は、第2部分23R4の上下方向の位置より高くてもよい。または、第1部分23R3の上端の上下方向の位置が第2部分23R4の上端の上下方向の位置より高くてもよいし、第1部分23R3の部分の上下方向の位置が第2部分23R4の部分の上下方向の位置より上であってもよい。この場合においても、回路モジュール100fと同じ効果を奏する。
なお、第1凹部23Raの第1領域23R1と第2電極21Rとの間の左右方向の距離は、第2凹部23Rbの第2領域23R2と第2電極21Rとの間の左右方向の距離より長くてもよい。または、第1領域23R1と第2電極21Rとの間の左右方向の最短距離が第2領域23R2と第2電極21Rとの間の左右方向の最短距離より長くてもよいし、第1領域23R1と第2電極21Rとの間の部分の左右方向の距離が第2領域23R2と第2電極21Rとの間の部分の左右方向の距離より長くてもよい。この場合においても、回路モジュール100gと同じ効果を奏する。
なお、絶縁性封止材22、IC25、半田30Rおよび基板50は、必須ではない。
なお、絶縁性封止材22は、樹脂に限らない。絶縁性封止材22は、例えば、セラミックでもよい。基板モジュール20は、基板50と絶縁性封止材22との組み合わせでなくてもよい。したがって、基板モジュール20は、基板50を含み、絶縁性封止材22を含んでいなくてもよい。基板50は、例えば、セラミックの基板であってもよいし、ガラスエポキシ樹脂の基板であってもよい。この場合、基板50の上主面は、上主面S20である。
なお、第1導電体51は、第2導電体52Rと接触していてもよい。すなわち、IC25は、第1導電体51および第2導電体52Rを介して、第1電極11Rおよび第2電極21Rと電気的に接続されていてもよい。
なお、IC25は、電源ICに限らない。IC25は、例えば、制御ICであってもよいし、抵抗、コンデンサ、ダイオード等の電子部品であってもよい。
なお、複数の第2導電体52Rは、必ずしも基板50の上主面の右部において前後方向に一列に並んでいなくてもよい。
なお、第1領域23R1および第2領域23R2は、必ずしも左右方向に見て、第1凹部23Rと第2電極21Rとが重なる領域でなくてもよい。上下方向に見て、ボンディング用接着剤40、第1領域23R1および第2電極21Rは、この順に一直線上に並んでいればよい。また、上下方向に見て、ボンディング用接着剤40、第2電極21Rおよび第2領域23R2は、この順に一直線上に並んでいればよい。
10:電子部品
10a:電子部品本体
11L,11R:第1電極
20:基板モジュール
21L,21R:第2電極
22:絶縁性封止材
23L,23R,23Ra:第1凹部
23R1:第1領域
23R2:第2領域
23R3:第1部分
23R4:第2部分
23Rb:第2凹部
30L,30R:半田
40:ボンディング用接着剤
50:基板
51:第1導電体
52L,52R:第2導電体
100,100a,100b,100c,100d,100e,100f,100g,100h,100i,100j:回路モジュール
251:電極
S10:底面
S20:上主面
S23R,S23Rb:底

Claims (13)

  1. 上下方向に延びる法線を有する上主面を有する基板モジュールと、
    前記基板モジュールの上に配置される電子部品と、
    前記電子部品を前記上主面に固定するボンディング用接着剤と、を備えており、
    前記電子部品は、第1電極を含み、
    前記基板モジュールは、前記ボンディング用接着剤より右に配置される第2電極を含み、
    前記第1電極は、半田を介して、前記第2電極と電気的に接続されており、
    前記上主面には、下方向にくぼんだ形状を有し、かつ、底を有する第1凹部が設けられており、
    前記第2電極の上端は、前記底より上に配置され、
    前記第1凹部は、第1領域と、第2領域と、を有し、
    上下方向に見て、前記第1領域は、前記第2電極と前記ボンディング用接着剤との間に位置しており、
    前記第1凹部を形成する部分の材質は、前記上主面を形成する部分の材質と同じであり、
    前記第2領域は、上下方向に見て前記第2電極の右に位置しており、かつ、前記上主面の右辺に到達している、
    回路モジュール。
  2. 前記第1領域は、上下方向に見て、前記第2電極と接触する第1部分を有し、
    前記第2領域は、上下方向に見て、前記第2電極と接触する第2部分を有し、
    前記第1部分の上下方向の位置は、前記第2部分の上下方向の位置より上である、
    請求項1に記載の回路モジュール。
  3. 上下方向に延びる法線を有する上主面を有する基板モジュールと、
    前記基板モジュールの上に配置される電子部品と、
    前記電子部品を前記上主面に固定するボンディング用接着剤と、を備えており、
    前記電子部品は、第1電極を含み、
    前記基板モジュールは、前記ボンディング用接着剤より右に配置される第2電極を含み、
    前記第1電極は、半田を介して、前記第2電極と電気的に接続されており、
    前記上主面には、下方向にくぼんだ形状を有し、かつ、底を有する第1凹部と、下方向にくぼんだ形状を有し、かつ、底を有する第2凹部と、が設けられており、
    前記第2電極の上端は、前記第1凹部の底より上に配置され、
    前記第1凹部は、第1領域を有し、
    上下方向に見て、前記第1領域は、前記第2電極と前記ボンディング用接着剤との間に位置しており、
    前記第1凹部を形成する部分の材質は、前記上主面を形成する部分の材質と同じであり、
    前記第2凹部は、第2領域を有し、
    前記第2領域は、上下方向に見て前記第2電極の右に位置しており、かつ、前記上主面の右辺に到達している、
    回路モジュール。
  4. 前記第2凹部を形成する部分の材質は、前記上主面を形成する部分の材質と同じである、
    請求項に記載の回路モジュール。
  5. 前記第1領域は、左右方向において、前記第2電極と間を空けて配置されている、
    請求項または請求項に記載の回路モジュール。
  6. 前記第2領域は、左右方向において、前記第2電極と間を空けて配置されている、
    請求項乃至請求項のいずれかに記載の回路モジュール。
  7. 前記第1領域は、上下方向に見て、前記第2電極と接触する第1部分を有し、
    前記第2領域は、上下方向に見て、前記第2電極と接触する第2部分を有し、
    前記第1部分の上下方向の位置は、前記第2部分の上下方向の位置より上である、
    請求項または請求項に記載の回路モジュール。
  8. 前記第2領域は、左右方向において、前記第2電極と間を空けて配置され、
    前記第1領域と前記第2電極との間の左右方向の距離は、前記第2領域と前記第2電極との間の左右方向の距離より長い、
    請求項に記載の回路モジュール。
  9. 前記基板モジュールは、絶縁性封止材を含み、
    前記絶縁性封止材は、前記第2電極の上端部に存在する、
    請求項乃至請求項のいずれかに記載の回路モジュール。
  10. 前記第2電極の上端部は、先細り形状を有する、
    請求項1乃至請求項のいずれかに記載の回路モジュール。
  11. 前記電子部品は、電子部品本体を含み、
    前記電子部品本体は、上下方向に見て、前記第2電極と重なる部分を有する、
    請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の回路モジュール。
  12. 前記基板モジュールは、
    基板を、
    更に含み、
    前記第2電極の底面は、前記基板の上面に接触している、
    請求項1乃至請求項11のいずれかに記載の回路モジュール。
  13. 前記基板モジュールは、
    樹脂と、
    ICと、を更に含み、
    前記樹脂は、前記第2電極の下部および前記ICを覆い、
    前記樹脂は、前記上主面を有している、
    請求項1乃至請求項12のいずれかに記載の回路モジュール。
JP2021097895A 2021-06-11 2021-06-11 回路モジュール Active JP7501453B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021097895A JP7501453B2 (ja) 2021-06-11 2021-06-11 回路モジュール
CN202210340169.6A CN115474335A (zh) 2021-06-11 2022-04-01 电路模块
US17/750,454 US20220399255A1 (en) 2021-06-11 2022-05-23 Circuit module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021097895A JP7501453B2 (ja) 2021-06-11 2021-06-11 回路モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022189354A JP2022189354A (ja) 2022-12-22
JP7501453B2 true JP7501453B2 (ja) 2024-06-18

Family

ID=84364514

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021097895A Active JP7501453B2 (ja) 2021-06-11 2021-06-11 回路モジュール

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220399255A1 (ja)
JP (1) JP7501453B2 (ja)
CN (1) CN115474335A (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002270736A (ja) 2001-03-14 2002-09-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2004063679A (ja) 2002-07-26 2004-02-26 Matsushita Electric Works Ltd 立体回路基板の電極端子構造
JP2010153822A (ja) 2008-11-18 2010-07-08 Seiko Epson Corp 電子装置、電子装置の製造方法、電子機器
US20130001756A1 (en) 2007-06-08 2013-01-03 Cyntec Co., Ltd. Three-dimensional package structure

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002270736A (ja) 2001-03-14 2002-09-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2004063679A (ja) 2002-07-26 2004-02-26 Matsushita Electric Works Ltd 立体回路基板の電極端子構造
US20130001756A1 (en) 2007-06-08 2013-01-03 Cyntec Co., Ltd. Three-dimensional package structure
JP2010153822A (ja) 2008-11-18 2010-07-08 Seiko Epson Corp 電子装置、電子装置の製造方法、電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US20220399255A1 (en) 2022-12-15
CN115474335A (zh) 2022-12-13
JP2022189354A (ja) 2022-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8710666B2 (en) Semiconductor device and method for fabricating the same
US9917031B2 (en) Semiconductor device, and method for assembling semiconductor device
JP3750680B2 (ja) パッケージ型半導体装置
JP6032294B2 (ja) 半導体装置
CN103582292B (zh) 印刷线路板、印刷电路板和印刷电路板制造方法
US10461024B2 (en) Semiconductor device
JP5378683B2 (ja) 回路装置およびその製造方法
JP4764692B2 (ja) 半導体モジュール
JP6226068B2 (ja) 半導体装置
CN113924689A (zh) 挠性基板与汇流条的连接构造、布线模块及蓄电模块
KR20120014874A (ko) 도체 캐리어에서 도체 레일들의 도전 접속 방법 및 상기 도체 캐리어를 포함하는 시스템
CN102201402A (zh) 半导体装置
JP7501453B2 (ja) 回路モジュール
JP6668617B2 (ja) サーミスタ搭載装置およびサーミスタ部品
US10109603B2 (en) Semiconductor device
CN105144380B (zh) 光电半导体器件及制造其的方法
JP4471823B2 (ja) 電力半導体装置
US20240006280A1 (en) Intelligent power module and manufacturing method thereof
CN114975342A (zh) 一种功率模块及车载功率电路
US9179568B2 (en) Electronic device
US8791563B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2006278385A (ja) 電子部品及びその製造方法
JP2018534776A (ja) エレクトロニクス部品のためのパッケージ、エレクトロニクス部品、およびエレクトロニクス装置
US20230369725A1 (en) Busbar module
CN103959449A (zh) 用于接触半导体的方法和用于半导体的接触组件

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230130

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20231127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231219

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240227

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240418

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240520

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7501453

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150