JP2002258181A - 2次元ビーム書き出し位置検出装置ならびにそれを用いた画像形成装置 - Google Patents
2次元ビーム書き出し位置検出装置ならびにそれを用いた画像形成装置Info
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Abstract
ーム検出器にて各ビームの書き出し信号を分離し、感光
体上の書き出し位置を決定することが可能な2次元ビー
ム書き出し位置検出装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ6より出射されるレーザビ
ームにより感光体12上を走査して静電潜像を形成する
光学系を備え、前記レーザビームが複数個2次元に配置
され、感光体12上に静電潜像を形成するための各レー
ザビームが所定の角度(θ)をもって斜めに走査され
て、前記レーザビームを感光体12上に最初の書き出し
位置決定するためのレーザビームを検出する2次元ビー
ム書き出し位置検出装置1であって、その検出装置1の
ビーム受光面の長手方向が、複数ビームの走査方向の垂
線に対して、前記斜め走査角度(θ)とほぼ同角度(θ
1)傾斜していることを特徴とする。
Description
査光と電子写真プロセスにより印字するレーザビームプ
リンタ等の画像形成装置に係り、特にそれに用いられる
2次元ビーム書き出し位置検出装置に関する。
レーザの露光をオンとオフの2値で行い、感光ドラム上
に画像の静電潜像を形成している。このとき、ビーム検
出器は、感光体上の書き出し位置を決定するため、ビー
ム走査上で感光体の走査線上以外の位置に設けられてい
る。このビーム検出器は、高速応答が高く要求されるた
め、高速型PINホトダイオードが用いられている。
速度の高速化が進み、半導体レーザの多ビーム化が図ら
れ、複数のラインで走査する方式が考えられているが、
半導体レーザの光源が、例えば3×3(9個)の2次元
で配列された場合、ビーム検出器には複数のビームが走
査されることになる。
け、各ビームの間隔がスリットの幅より十分広い間隔で
走査されるのであれば検出が可能であるが、光学系及び
感光体を走査するビームの間隔等の制約上、後述の図1
に示すように、第2列目以降のビームが第1列目のビー
ムと副走査方向に対して重なるような配置となり、スリ
ットを設けてもビーム検出器のホトディテクタ上には少
なくとも2つ以上のビームが副走査方向に重なってしま
う。
を電圧信号に変換し、この電圧の立上がり部とある基準
電圧とを比較することで、感光体上の書き出し位置を決
定するための信号を得るが、前述のように複数のビーム
がスリット内で時間差をおいて重なってしまうため、各
ビームを分離することができない。
の半径分の距離)をおいて走査したときにビーム検出器
からの出力を電圧変換したときの波形を示す。図に示す
よう光信号の立上がり電圧に歪み(階段状の波形)が発
生するため、基準電圧1のレベル(基準レベル1)で
は、ビームB1の検出信号は得られるが、基準電圧2,
3のレベル(基準レベル2,3)では、ビームB1,B
4,B7の光が重なってしまい、本来のビームB4,B
7の位置が検出できないため、ビームの書き出し位置が
不安定となる等の問題が発生した。
点を解消し、多ビーム走査を行なうための2次元レーザ
ダイオードのビームを、1つのビーム検出器にて各ビー
ムの書き出し信号を分離し、感光体上の書き出し位置を
決定することが可能な2次元ビーム書き出し位置検出装
置ならびにそれを用いた画像形成装置を提供することに
ある。
に、第1の手段は、半導体レーザより出射されるレーザ
ビームにより感光体上を走査して静電潜像を形成する光
学系を備え、前記レーザビームが複数個2次元に配置さ
れ、感光体上に静電潜像を形成するための各レーザビー
ムが所定の角度(θ)をもって斜めに走査されて、前記
レーザビームを感光体上に最初の書き出し位置決定する
ためのレーザビームを検出する例えば後述のビーム検出
器などの2次元ビーム書き出し位置検出装置であって、
その検出装置のビーム受光面の長手方向が、複数ビーム
の走査方向の垂線に対して、前記斜め走査角度(θ)と
ほぼ同角度(θ1)傾斜していることを特徴とするもの
である。
いて、前記検出装置のビーム受光面での長手方向の傾斜
角度(θ1)が下式で現せる範囲内にあることを特徴と
するものである。
×主走査方向のビーム本数)〕 式中のP2は副走査方向のビームピッチ 本発明の第3の手段は前記第1の手段または第2の手段
において、検出装置のビーム受光面のレーザビーム副走
査方向の長さS1が、副走査方向のビームピッチP2に
〔(副走査方向のビーム本数)−1〕を乗じた値とビー
ム径を加えた値と同等かそれより広く、ビーム受光面の
レーザビーム走査方向の長さS2が、〔(走査方向のビ
ームピッチP1)−(ビーム直径)〕よりも小さいこと
を特徴とするものである。
し第3の手段のいずれかにおいて、前記検出装置のビー
ム受光面がスリットで区画形成されていることを特徴と
するものである。
し第3の手段のいずれかにおいて、前記検出装置のビー
ム受光面がフォトディテクタで形成されていることを特
徴とするものである。
受光面で第1列目または複数列目の走査方向ビームによ
り検出した信号を、第1列目の走査方向ビームの感光体
上書き出し位置信号とし、第2列目以降の走査方向ビー
ムの感光体上書き出し位置信号は、前記で得られた信号
に対して、感光体上の走査方向書き出し位置が第1列目
のビームと合致するように、ある特定の遅れまたは進み
を持たせた信号とすることを特徴とするものである。
出射されるレーザビームにより感光体上を走査して静電
潜像を形成する光学系を備え、前記半導体レーザビーム
が複数個2次元に配置され、感光体上に静電潜像を形成
するための各レーザビームが所定の角度(θ)をもって
斜めに走査されて、前記レーザビームを感光体上に最初
の書き出し位置決定するためのレーザビームを検出する
2次元ビーム書き出し位置検出装置であって、その検出
装置のビーム受光面で第1列目または複数列目の走査方
向ビームにより検出した信号を、第1列目の走査方向ビ
ームの感光体上書き出し位置信号とし、第2列目以降の
走査方向ビームの感光体上書き出し位置信号は、前記で
得られた信号に対して、感光体上の走査方向書き出し位
置が第1列目のビームと合致するように、ある特定の遅
れまたは進みを持たせた信号とすることを特徴とするも
のである。
いし第7の手段のいずれかの2次元ビーム書き出し位置
検出装置を、ビーム走査上でかつ前記感光体の走査線上
以外の位置に設置したことを特徴とするものである。
基づいて説明する。図6は実施形態に係るレーザプリン
タにおける光学系の構成図である。半導体レーザアレイ
6はレーザダイオードが3個×3個の2次元配列にて9
個で構成され、9本のビームが出射される。9本のビー
ムはコリメータレンズ11を通り、ポリゴンミラー14
に達する。ポリゴンミラー14は、駆動モータ15によ
り回転変動の少ない高速回転で駆動される。
成されたスキャナモータ16は、9本のビームを偏向し
て走査する。走査された9本のビームは、非球面レンズ
13を通りドラム状あるいはベルト状の感光体12上に
達し、感光体12を主走査方向に走査する。このとき9
本のビームが感光体12上に斜めに、ある特定のピッチ
(600dpiのときは約42μm)で配置するよう
に、半導体レーザアレイ6が角度を持って固定されてい
る。
いてオンオフ制御し、感光体12が副走査方向に回転す
ることにより、図のように感光体12上に静電潜像を形
成する。コリメータレンズ11と非球面レンズ13は、
感光体12上のビームを一定に絞るために用いられてい
る。
書き出し位置を決定するため、ビーム走査上でかつ感光
体12の走査幅以外の位置に設けられ、高速応答が高く
要求されるので高速型PINホトダイオードが用いられ
ている。
ーム配置の一例を示す図で、同図に示すように第1列目
にビームB1〜B3が、第2列目にビームB4〜B6
が、第3列目にビームB7〜B9が、それぞれ出射され
る。
走査するビーム位置配列とビーム検出器1の一例を示す
図である。図に示すように、第1列目の走査方向(X方
向)のビームB1〜B3は、各ビームの副走査方向の間
隔P2が所定の間隔(600dpiの場合は約42μm
となる)になるように、θ〔=tan-1(P2/P
1)〕の傾きを持って走査する。また第2列目以降の副
走査方向(Y方向)のビームも図のようなθの角度を持
って走査する。傾斜角θは、光学系の倍率および半導体
レーザアレイの配置によって様々であるが、本例の場合
は0.5度〜10度程度である。
ク図で、ビーム検出器1、半導体レーザアレイ6、レー
ザ変調回路6D、印字データ書込み制御回路8、CPU
9、インターフェース回路10などを有する。前記印字
データ書込み制御回路8は、イメージデータ書込み用の
半導体レーザ6の光変調を行うレーザ変調回路6Dを駆
動制御して、ホスト(図示せず)から転送してきたビデ
オイメージの印字データを感光体12上の所定位置に書
き込むように制御している。
は、印字データ書込み制御回路8に送出している。イン
ターフェース回路10は、ホストへのステータスデータ
の出力、ホストからのコマンドデータ及び印字データの
受け取り等の制御を行う。
PINホトダイオードからなるホトディテクタ2が内蔵
され、その前面にスリット3が設けられて、スリット3
から露呈しているホトディテクタ2の部分がビームの受
光面(白色の領域)となっている。スリット3は、前記
斜め走査角度(θ)とほぼ同角度(θ1)傾斜してい
る。スリット3の傾斜角θ1は走査角度θと等しいこと
が望ましいが、若干ずれても構わない(詳細は後述す
る)。
ば9本のレーザビームB1〜B9がθの角度で走査して
きた場合、このスリット3はθ1≒θの角度を持って傾
いて取り付けてあるため、レーザビームB1、B4、B
7はスリット3内に同時に入射し、ホトディテクタ2か
ら3ビーム分の光強度を持った光信号を得て、電圧に変
換される。この電圧波形は非常に歪みの少ない信号で、
この信号と1つの基準レベルを比較し、書き出し位置の
ための制御信号を得る。書き出し位置を決定するための
制御方法については後述する。
が、基準レベルを1つで行なうため、例えばレーザビー
ムB1、B4、B7のうちの1つのビームが検出できれ
ばよいので、受光面に入射したときに3つのビームの重
ね合わせた光量が、1つのビームのピーク光量より下が
らなければ1つのビームの検出が可能なので、θ1の角
度が少なくともビーム半径以上にビームが遅れなければ
良いことになる。また、逆に進む場合も同じことであ
る。つまり、θ1の角度の範囲として下記の関係式が成
り立つ。
×主走査方向のビーム本数)〕 式中のP2は、図1に示すよう副走査方向(Y方向)に
おけるビームのピッチである。
方向(Y方向)のビーム間隔、例えばB1とB4の間隔
に〔(副走査方向のビーム本数)−1〕を乗じた値とビ
ーム直径を加えた値と同等か、広くする。これによりビ
ームB1、B4、B7を全てスリット3内で同時に受光
することが可能となる。
B8及びビームB3、B6、B9のビームの分離は、主
走査方向のスリット幅S2が、走査方向のビームピッチ
P1からビーム直径を引いた値より狭くすることで分離
可能である。
3と同じ形状であれば、スリット3を設ける必要はな
く、直接ホトディテクタ2でビームを検出することも可
能である。この実施形態ではスリットなしの場合につい
ては説明を省くが、スリット3なしの場合のホトディテ
クタ2は図1に示すS1×S2の形状をしており、ホト
ディテクタ2を取り付けたビーム検出器1を直接θ1だ
け傾けてもよい。
ーム3個を受光面に入射した例を示したが、この他に図
1に示すビームの第1列目あるいは他の列のみを受光面
に入射することでも同様の効果が得られる。
ック図、図4は図3に示す各信号A〜Gのタイミングチ
ャートである。図3、図4を用いて以下、各ビーム書き
出し位置決定方法について説明する。半導体レーザアレ
イ6から9本のビームが出射され、このビームが走査さ
れることによりビーム検出器1に光出力が得られる。こ
の光出力は電圧変換部17を介して比較器19に入力さ
れ、予め設定されている基準レベル18と比較されてA
信号を得る。
初の矩形波信号を、ビームB2、B5、B8にて次の矩
形波信号を、ビームB3、B6、B9にてさらに次の矩
形波信号を順次出力する。次に分離回路7によりこれら
3つの矩形波は分離され、ビームB1、B4、B7によ
る最初の矩形波としてB信号を得る。このB信号は先頭
ビームであるビームB1の書き出し信号として用いら
れ、この信号を得て書き出し制御部5、レーザ変調回路
6Dは時間T後、感光体12上に印字データの信号Cに
てビームB1のレーザの変調をかける(レーザ変調信号
出力)。
1に対して遅れた距離分を時間τ1に換算し、ディレー
回路4でB信号に対してτ1遅らせた信号Dを得る。こ
の信号Dを得て、時間T後、感光体12上に印字データ
の信号EにてビームB4のレーザの変調をかける(レー
ザ変調信号出力)。次にビームB7の書き出し信号はビ
ームB1に対して遅れた距離分を時間τ2に換算し、デ
ィレー回路4でB信号に対してτ2遅らせた信号Fを得
る。この信号Fを得て、時間T後、感光体12上に印字
データの信号GにてビームB7のレーザの変調をかける
(レーザ変調信号出力)。
B1、B4、B7の位置を副走査方向に揃えることがで
きる。ここで、書き出し位置を決める時間Tは、図4で
B、D、F信号の立上がり信号からの時間としたが、立
下がりでも構わない。他のビームも前記と同様の動作を
繰り返すことにより、最終的にビームB1からB9は感
光体12上で副走査方向に揃えることができる。
(b)に示す。同図(a)の例はICのゲート20によ
る遅れを利用した回路で、1つのゲート20の遅れは数
ns〜数十nsとなり、必要な遅れ時間分だけゲート2
0の数を増やすことになる。同図(b)の例はインダク
タ21により遅延させるもので、インダクタ21の容量
や数を変えることで信号の出力を必要時間遅らせること
ができる。
にして他のビームを遅らせたが、他のビームを基準にし
て遅らせても構わない。このとき先頭のビームがB1で
あるから、基準のビーム信号に対しては必要時間進んだ
信号となる。
時に検出したが、多少ビームがずれて検出しても問題は
ない。また、ある特定の列のビームを基準ビームとする
ことも可能である。
次元ビームの構成としたが、2次元のビーム構成であれ
ばビーム本数の組み合わせは任意である。
めの2次元半導体レーザのビームを、1つのビーム検出
器で各ビームの書き出し信号を分離することができ、感
光体上の書き出し位置を決定することが可能となる。こ
の構成は非常に簡単なため、安価に製作できるなどの特
長を有している。
上を走査するビーム位置配列とビーム検出器の一例を示
す図である。
る。
る。
である。
系の構成図である。
図である。
にビーム検出器からの出力を電圧変換したときの波形図
である。
Claims (8)
- 【請求項1】 半導体レーザより出射されるレーザビー
ムにより感光体上を走査して静電潜像を形成する光学系
を備え、前記レーザビームが複数個2次元に配置され、
感光体上に静電潜像を形成するための各レーザビームが
所定の角度(θ)をもって斜めに走査されて、前記レー
ザビームを感光体上に最初の書き出し位置決定するため
のレーザビームを検出する2次元ビーム書き出し位置検
出装置であって、その検出装置のビーム受光面の長手方
向が、複数ビームの走査方向の垂線に対して、前記斜め
走査角度(θ)とほぼ同角度(θ1)傾斜していること
を特徴とする2次元ビーム書き出し位置検出装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の2次元ビーム書き出し位
置検出装置において、前記検出装置のビーム受光面での
長手方向の傾斜角度(θ1)が下式で現せる範囲内にあ
ることを特徴とする2次元ビーム書き出し位置検出装
置。 θ1=θ±tan-1〔ビーム半径/(P2×主走査方向
のビーム本数)〕 式中のP2は副走査方向のビームピッチ。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2記載の2次元ビ
ーム書き出し位置検出装置において、前記検出装置のビ
ーム受光面のレーザビーム副走査方向の長さS1が、副
走査方向のビームピッチP2に〔(副走査方向のビーム
本数)−1〕を乗じた値とビーム径を加えた値と同等か
それより広く、ビーム受光面のレーザビーム走査方向の
長さS2が、〔(走査方向のビームピッチP1)−(ビ
ーム直径)〕よりも小さいことを特徴とする2次元ビー
ム書き出し位置検出装置。 - 【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれか記載
の2次元ビーム書き出し位置検出装置において、前記検
出装置のビーム受光面がスリットで区画形成されている
ことを特徴とする2次元ビーム書き出し位置検出装置。 - 【請求項5】 請求項1ないし請求項3のいずれか記載
の2次元ビーム書き出し位置検出装置において、前記検
出装置のビーム受光面がフォトディテクタで形成されて
いることを特徴とする2次元ビーム書き出し位置検出装
置。 - 【請求項6】 検出装置のビーム受光面で第1列目また
は複数列目の走査方向ビームにより検出した信号を、第
1列目の走査方向ビームの感光体上書き出し位置信号と
し、第2列目以降の走査方向ビームの感光体上書き出し
位置信号は、前記で得られた信号に対して、感光体上の
走査方向書き出し位置が第1列目のビームと合致するよ
うに、ある特定の遅れまたは進みを持たせた信号とする
ことを特徴とする2次元ビーム書き出し位置検出装置。 - 【請求項7】 半導体レーザより出射されるレーザビー
ムにより感光体上を走査して静電潜像を形成する光学系
を備え、前記半導体レーザビームが複数個2次元に配置
され、感光体上に静電潜像を形成するための各レーザビ
ームが所定の角度(θ)をもって斜めに走査されて、前
記レーザビームを感光体上に最初の書き出し位置決定す
るためのレーザビームを検出する2次元ビーム書き出し
位置検出装置であって、 そのビーム受光面で第1列目または複数列目の走査方向
ビームにより検出した信号を、第1列目の走査方向ビー
ムの感光体上書き出し位置信号とし、第2列目以降の走
査方向ビームの感光体上書き出し位置信号は、前記で得
られた信号に対して、感光体上の走査方向書き出し位置
が第1列目のビームと合致するように、ある特定の遅れ
または進みを持たせた信号とすることを特徴とする2次
元ビーム書き出し位置検出装置。 - 【請求項8】 請求項1ないし請求項7のいずれか記載
の2次元ビーム書き出し位置検出装置を、ビーム走査上
でかつ前記感光体の走査線上以外の位置に設置したこと
を特徴とする画像形成装置。
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