JP2002252299A - 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子の作動時に発生する熱を効率良く
外部電気回路のヒートシンク部や大気中に放散し、また
半導体パッケージを外部電気回路にネジ止めにより強固
に固定する。 【解決手段】 上面に半導体素子１が載置される載置部
２ａを有する基体２および載置部２ａを囲繞するように
基体２の上面に接合された枠体３は、一方向性炭素繊維
ｌの集合体が分散された炭素質母材ｍに銅および／また
は銀ｎが含浸された金属炭素複合体Aから成る基材の表
面に銅メッキ層Ｂが被着されて成る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の
半導体集積回路素子、電界効果型トランジスタ（ＦＥ
Ｔ：Field Effect Transistor）、半導体レーザ（Ｌ
Ｄ），フォトダイオード（ＰＤ）等の各種半導体素子を
収容するための半導体素子収納用パッケージ、およびそ
の半導体素子収納用パッケージを用いた半導体装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体素子収納用パッケージ（以
下、半導体パッケージという）の一種である光半導体パ
ッケージを、図４，図５，図６にそれぞれ平面図，断面
図および部分拡大断面図で示す（特開２０００−１５０
７４６号公報参照）。尚、同図においては、光ファイバ
および光ファイバを取り付けるための筒状の光ファイバ
固定部材を省略している。

【０００３】この光半導体パッケージは、上面に光半導
体素子１０１がペルチェ素子等の熱電冷却素子１０５を
介して載置される載置部１０２ａを有するとともに、対
向する辺部に貫通穴または切欠から成るネジ取付部１０
２ｂを有する略四角形の基体１０２を有する。また、基
体１０２の上面に載置部１０２ａを囲繞するように銀ロ
ウ等のロウ材で接合されるとともに、側部に貫通孔また
は切欠部から成る入出力端子１０６の取付部１０３ａが
設けられた枠体１０３を有しており、取付部１０３ａに
嵌着された入出力端子１０６を具備したものである。

【０００４】また、この入出力端子１０６には、メタラ
イズ層１０６ａが枠体１０３を挿通するように形成され
るとともに、外部電気回路（図示せず）に接合されるリ
ード端子１０７が枠体１０３外部側のメタライズ層１０
６ａに銀ロウ等のロウ材を介して接合される。

【０００５】また、シールリング１０４は、ほぼ面一と
なる、枠体１０３上面と入出力端子１０６上面に銀ロウ
等のロウ材で接合され、光半導体パッケージに蓋体（図
示せず）をシーム溶接やロウ接合する際の接合媒体とし
て機能する。

【０００６】なお、基体１０２は、その上面側から下面
側にかけて一方向に配列した一方向性炭素繊維を炭素で
結合した一方向性炭素複合材料から成る基材の上下面
に、クロム（Ｃｒ）−Ｆｅ合金層から成る第１層と、銅
（Ｃｕ）層から成る第２層と、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金層
から成る第３層の３層構造を有する金属層を被着する構
成である。この一方向性炭素複合材料は、横方向（一方
向性炭素繊維の方向に垂直な方向）の弾性率が非常に低
く、かつその熱膨張係数が約７ｐｐｍ／℃であり、上記
金属層を被着することで、横方向の熱膨張係数が１０〜
１３ｐｐｍ／℃に調整された基体１０２となる。なお、
基体１０２の縦方向（一方向性炭素繊維の方向に平行な
方向）の熱膨張係数は、一方向性炭素繊維の縦方向の弾
性率が非常に高いため、一方向性炭素繊維の縦方向の熱
膨張係数（ほとんど０ｐｐｍ／℃である）に近似したも
のとなる。

【０００７】また、基体１０２は、縦方向の熱伝導率が
約３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上と非常に高いのに対し、横方向
の熱伝導率は、それぞれの一方向性炭素繊維の間に非常
に多くの気孔を有しているため約３０Ｗ／ｍ・Ｋ以下と
非常に低くなっており、縦方向と横方向とで熱伝導率が
大きく異なっている。

【０００８】このような基体１０２は、ネジ取付部１０
２ｂを介して外部電気回路のヒートシンク部にネジ止め
されるとともに密着固定されることにより、光半導体素
子１０１が作動時に発する熱を効率良くヒートシンク部
に伝える所謂放熱板としての機能を有する。

【０００９】このような基体１０２を有する光半導体パ
ッケージに光半導体素子１０１を載置固定した後、光半
導体素子１０１とメタライズ層１０６ａとをボンディン
グワイヤ（図示せず）で電気的に接続し、蓋体により光
半導体素子１０１を気密に封止することにより、製品と
しての光半導体装置となる。なお、光半導体素子１０１
は、外部電気回路から入力される高周波信号、または光
ファイバから入力される光信号により作動する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光半導
体素子１０１の作動時に発する熱量が非常に大きい場
合、その熱は、基体１０２上面の熱電冷却素子１０５が
接合されている接合部（載置部２ａ）からほぼ直下のみ
にしか熱が伝えられないことと、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金
等から成る枠体１０３の熱伝導率が約１７Ｗ／ｍ・Ｋで
あり基体１０２に比して非常に低いことから、基体１０
２と枠体１０３とで構成される空所（内部空間）に熱が
蓄熱され、その結果光半導体素子１０１の作動性が損な
われたり、熱破壊されるといった問題点を有していた。

【００１１】このような問題点を解決する手段として、
熱電冷却素子１０５を大型化し熱伝達の効率を向上させ
ることも考えられるが、この場合、光半導体パッケージ
が大型化し近時の小型化，軽量化といった動向から外れ
ることになる。

【００１２】また、光半導体パッケージと外部電気回路
のヒートシンク部との密着固定を強固なものとし、ヒー
トシンク部への熱伝達効率を高めるために、ネジ取付部
１０２ｂをネジでヒートシンク部に高いトルクで締め付
けると、圧縮強度が金属に比べて桁違いに小さいネジ取
付部１０２ｂが厚さ方向に潰れてしまい、光半導体パッ
ケージとヒートシンク部との密着固定ができない。その
ため、光半導体素子１０１の発する熱をヒートシンク部
に伝達できなくなり、光半導体素子１０１の作動性を損
なわせたり、熱破壊させたりする等の問題点を有してい
た。

【００１３】これらの問題点は、上記光半導体パッケー
ジに限らず、基体１０２を放熱板として機能させる、Ｉ
Ｃ，ＬＳＩ等の半導体集積回路素子やＦＥＴ等の各種半
導体素子を収納する半導体パッケージに関しても同様で
ある。

【００１４】従って、本発明は、上記問題点に鑑み完成
されたものであり、その目的は、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体集積回路素子、およびＦＥＴ，ＬＤ，ＰＤ等の各種半
導体素子の作動時に発する熱を効率良くヒートシンク部
に伝えることにより、半導体素子を長期間にわたり正常
かつ安定に作動させ得ることである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体パッケー
ジは、上面に半導体素子が載置される載置部を有すると
ともに対向する辺部に貫通穴または切欠から成るネジ取
付部を有する略四角形の基体と、該基体の上面に前記載
置部を囲繞するように取着され、側部に貫通孔または切
欠部から成る入出力端子の取付部を有する枠体と、前記
取付部に嵌着された入出力端子とを具備した半導体素子
収納用パッケージにおいて、前記基体および前記枠体
は、一方向性炭素繊維の集合体が分散された炭素質母材
に銅および／または銀が含浸された金属炭素複合体から
成る基材の表面に銅メッキ層が被着されて成ることを特
徴とする。

【００１６】本発明は、上記構成により、半導体パッケ
ージを外部電気回路に強固に密着固定できるとともに、
半導体素子の作動時に発する熱量が非常に大きい場合で
も、その熱をランダムな方向に伝え得る基体を介して効
率良くヒートシンク部に伝えることができ、更には枠体
からも外部（大気中）に放散できる。そのため、基体お
よび枠体の全体で効率よく熱を放散でき、半導体パッケ
ージ内部に収納する半導体素子を長期間にわたり正常か
つ安定に作動させ得る。

【００１７】また、本発明の光半導体装置は、上記本発
明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置
固定されるとともに前記入出力端子に電気的に接続され
た半導体素子と、前記枠体の上面に接合された蓋体とを
具備したことを特徴とする。

【００１８】本発明は、このような構成により、上記光
半導体パッケージを用いた信頼性の高い半導体装置を提
供できる。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の半導体パッケージを以下
に詳細に説明する。図１〜図３は本発明の半導体パッケ
ージについて実施の形態の一例を示すものであり、図１
は半導体パッケージの断面図、図２は半導体パッケージ
の基体の部分拡大断面図、図３は基体と枠体が一体成形
された半導体パッケージの断面図を示す。

【００２０】図１において、１は半導体素子、２は金属
炭素複合体Ａから成る基材の表面に銅メッキ層Ｂが形成
された基体、３は金属炭素複合体Ａから成る基材の表面
に銅メッキ層Ｂが形成された枠体、４は枠体３上面に接
合されたシールリング、５は枠体３の取付部３ａに嵌合
された入出力端子であり、これら基体２，枠体３，シー
ルリング４，入出力端子５とで半導体素子１を収容する
容器が主に構成される。

【００２１】また、図２は基体２および枠体３の部分拡
大断面図を示し、同図において、Ｂは銅メッキ層、ｌは
一方向性炭素繊維、ｍは炭素質母材、ｎは銅および／ま
たは銀、Ａは一方向性炭素繊維ｌ，炭素質母材ｍ，銅お
よび／または銀ｎから成る金属炭素複合体であり、基体
２および枠体３は金属炭素複合体Ａから成る基材の表面
に銅メッキ層Ｂが被着されて構成される。

【００２２】図２に示すように、金属炭素複合体Ａは、
一方向性炭素繊維ｌの集合体が分散された炭素質母材ｍ
に銅および／または銀ｎが含浸されたものである。この
ような金属炭素複合体Ａは、例えば以下の工程［１］〜
［６］のようにして作製される。

【００２３】［１］一方向性炭素繊維ｌの束を炭素で結
合したブロックを小さな炭素繊維の集合体に破砕し、破
砕された炭素繊維の集合体を集めて固体のピッチあるい
はコークス等の微粉末を分散させたフェノール樹脂等の
熱硬化性樹脂の溶液中に浸す。なお、ブロックを破砕し
て得られる小塊の大きさは矩形のものに換算して一辺が
約０．１〜１ｍｍ程度である。

【００２４】［２］これを乾燥させて所定の圧力を加え
るとともに加熱して熱硬化性樹脂部分を硬化させる。

【００２５】［３］不活性雰囲気中、高温で焼成するこ
とでフェノール樹脂とピッチあるいはコークスの微粉末
を炭化させて炭素質母材ｍとする。炭素質母材ｍは、そ
れ自体２００〜３００Ｗ／ｍ・Ｋの大きな熱伝導率を有
し、半導体素子１の発する熱の伝熱経路としても機能す
る。

【００２６】［４］炭素質母材ｍ内に銅および／または
銀ｎを高温，高圧のもとで溶融させて含浸させたブロッ
クとなす。含浸された銅および／または銀ｎは塊状また
は薄板状で炭素質母材ｍ内に分散されている。このブロ
ックを板状に切り出して金属炭素複合体Ａとなる板が作
製され、この板の寸法は、例えば厚さが０．５〜２ｍｍ
程度、平視面における縦×横の寸法が１００ｍｍ角程度
である。

【００２７】［５］この板を所望の形状に加工して金属
炭素複合体Ａから成る基材を作製する。

【００２８】［６］金属炭素複合体Ａから成る基材の上
下面に、銅メッキ層Ｂを被着形成させる。

【００２９】本発明の金属炭素複合体Ａは、その熱膨張
係数は銅および／または銀ｎが含浸されていることによ
り、８〜１０ｐｐｍ／℃となっている。また銅および／
または銀ｎが含浸されていることにより、金属炭素複合
体Ａの剛性が高くなり、半導体パッケージをネジ取付部
２ｄを介して外部電気回路にネジ止めにより固定する場
合、金属炭素複合体Ａが潰れることなく強固に固定でき
る。

【００３０】銅および／または銀ｎは、その熱膨張係数
が１７〜２０ｐｐｍ／℃、熱伝導率が３９０Ｗ／ｍ・Ｋ
以上、弾性率が８０ＧＰａ以上、融点が９００℃以上と
それらの特性が半導体パッケージの製作上および特性上
から好ましいといった観点から用いられる。

【００３１】具体的には、熱膨張係数について、銅およ
び／または銀ｎを炭素質母材ｍ内に適当な含有量で含浸
させれば、金属炭素複合体Ａとしての熱膨張係数が半導
体素子１と大幅に異なる程度に上昇することは無い。ま
た、熱伝導率は非常に高いため半導体素子１の作動時に
発する熱を伝えるのに有利である。また、弾性率につい
て、従来に比して銅および／または銀ｎがネジを締め付
けた際の緩衝材として機能するため、基体２の破損を有
効に防止する。

【００３２】また、銅および／または銀ｎの融点は非常
に高いため、半導体パッケージを融点が７８０℃程度以
上の銀ロウ等のロウ材で組み立てても溶融されることが
無く、常に炭素質母材ｍ内を安定させておくことができ
る。なお、溶融されるような金属の場合は基体２や枠体
３の端面から溶け出す場合があり、半導体パッケージと
しては不適なものである。

【００３３】また、基体２および枠体３は図２に示すよ
うに、基体２および枠体３の表面に銅メッキ層Ｂが被着
形成されている。この銅メッキ層Ｂは、金属炭素複合体
Ａ表面に露出している一方向性炭素繊維ｌの気孔を完全
に被覆し、半導体パッケージ内部の気密性を保持する機
能を有するとともに、半導体素子１の作動時に発する熱
を横方向に伝える所謂伝熱媒体として機能する。更に
は、基体２や枠体３に接合させる部材を金（Ａｕ）−錫
（Ｓｎ）や銀（Ａｇ）ロウ等のロウ材で接合する際のロ
ウ材の濡れ性を向上させる所謂濡れ性向上媒体として機
能する。

【００３４】また銅メッキ層Ｂは、半導体パッケージ内
部の気密性をヘリウム（Ｈｅ）を使用して検査した際、
Ｈｅの一部が一方向性炭素繊維ｌの気孔中にトラップさ
れるのを有効に防止し検査に対して適格なものとなる。
更に、銅メッキ層Ｂは、半導体素子１の作動時に発する
熱を、半導体素子１が接合（載置）されている接合部
（載置部２ａ）から銅メッキ層Ｂに沿って伝えることに
よって、半導体パッケージ内部全域から半導体パッケー
ジ外表面全面、そしてヒートシンク部および大気中へと
効率良く放散させ得る。また、半導体素子１や入出力端
子５等を基体２や枠体３にロウ材で接合する際に、ロウ
材の濡れ性を良好とすることにより、半導体素子１作動
時の発する熱を効率良く基体２に伝えたり、半導体パッ
ケージ内部の気密性を保持する機能をも有する入出力端
子５を良好に接合させ得る。

【００３５】この銅メッキ層Ｂは、厚さが０．５〜５μ
ｍであることが良い。０．５μｍ未満の場合、半導体素
子１や入出力端子５をＡｕ−ＳｎやＡｇロウ等のロウ材
で接合する際、ロウ材の濡れ性が損なわれ易く、また伝
熱媒体としての機能が損なわれたり、半導体パッケージ
内部の気密性検査の際に気密性が不安定となる。一方、
５μｍを超える場合、金属炭素複合体Ａと銅メッキ層Ｂ
との間に発生する熱応力による歪みが大きなものとな
り、銅メッキ層Ｂが剥離し易くなる。

【００３６】また、基体２上面に、熱伝導率の非常に高
い銀ロウ等のロウ材を介して接合される枠体３も基体２
と同一の材質で構成されているため、半導体素子１の発
する熱が基体２から枠体３に伝わっても枠体３から効率
良く外部（大気中）に放散される。即ち、半導体素子１
の作動時に発する熱量が非常に多い場合であっても、基
体２から枠体３を介して大気中に伝わる経路と基体２か
らヒートシンク部に伝わる経路との２経路により効率良
く放散させ得る。

【００３７】なお、図３に示すように、基体２と枠体３
とが一体成形された容器２ｃであっても良い。即ち、基
体２と枠体３との間に銀ロウ等のロウ材を介さずに構成
されたものであっても、上記と同様に半導体素子１の作
動時に発する熱を効率良く放散させ得る。

【００３８】また、平面視形状が略四角形の枠体３は、
半導体素子１を囲繞する４つの側壁がそれぞれ独立した
個片から形成されていても良い。即ち、それぞれの個片
が銀ロウ等のロウ材を介して接合されたものであって
も、上記と同様に、半導体素子１の作動時に発する熱を
効率良く放散させ得る。なお、それぞれの個片は４つに
限らず、２つの側壁が連続したもので２つの個片を銀ロ
ウ等のロウ材で接合したもの、３つの側壁が連続したコ
字状のものでそのコ字状の開口に１つの固片をロウ材で
接合したもの、または１つの側壁が２つ以上に分割され
たものをロウ材で接合したものであっても良い。

【００３９】また、基体２および枠体３は、半導体素子
１の載置部２ａの面に垂直な方向において３５０〜４０
０Ｗ／ｍ・Ｋ程度の熱伝導率が得られるとともに、半導
体素子１の載置部２ａの面に平行な方向においては２０
０〜２５０Ｗ／ｍ・Ｋ程度の熱伝導率が得られる。その
結果、半導体素子１の作動時に発する熱量が非常に大き
い場合であっても、その熱は基体２から枠体３に効率良
くランダムに伝わり、最終的に大気中に伝わる経路と基
体２からランダムにヒートシンク部に伝わる経路との２
経路により効率良く放散させ得る。

【００４０】従って、基体２のネジ取付部２ｂを介して
半導体パッケージを外部電気回路にネジ止めにより強固
に密着固定できるとともに、半導体素子１の作動時に発
する熱を効率良く基体２からヒートシンク部にランダム
な方向に伝えることができ、更には基体２から枠体３に
熱がランダムに伝わり最終的に大気中に放散できる。

【００４１】このような枠体３側部には入出力端子５の
取付部３ａが設けられており、この取付部３ａ内周面に
入出力端子５が銅メッキ層Ｂを介してＡｇロウ等のロウ
材で嵌着されている。この入出力端子５は、絶縁性のセ
ラミック基板に導電性のメタライズ層５ａが被着された
ものであり、半導体パッケージ内部の気密性を保持する
機能を有するとともに、半導体パッケージと外部電気回
路との高周波信号の入出力を行う機能を有する。なお、
セラミック基板の材料は、その誘電率や熱膨張係数等の
特性に応じて、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）セラミックスや窒
化アルミニウム（ＡｌＮ）セラミックス等のセラミック
ス材料が適宜選定される。

【００４２】入出力端子５は、メタライズ層５ａとなる
タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン
（Ｍｎ）等の粉末に有機溶剤，溶媒を添加混合して得た
金属ペーストを、セラミック基板となる原料粉末に適当
な有機バインダや溶剤等を添加混合しペースト状と成す
とともに、このペーストをドクターブレード法やカレン
ダーロール法によって成形されたセラミックグリーンシ
ートに、予め従来周知のスクリーン印刷法により所望の
形状に印刷、塗布し、約１６００℃の高温で焼結するこ
とにより製作される。

【００４３】また、枠体３の上面には、蓋体６をシーム
溶接やＡｕ−Ｓｎ接合するための媒体として機能する、
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等の金属から成
るシールリング４がＡｇロウ等のロウ材で接合されてい
る。シールリング４は、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金か
ら成る場合、この合金のインゴットに圧延加工やプレス
加工等の金属加工を施すことにより所定の形状に製作さ
れる。また、その表面には酸化腐食を有効に防止するた
めに、０．５〜９μｍのＮｉ層や０．５〜５μｍのＡｕ
層等の金属層をメッキ法により被着させておくと良い。

【００４４】また、シールリング４の上面には、Ｆｅ−
Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等から成る金属や、Ａ
ｌ₂Ｏ₃セラミックス，ＡｌＮセラミックス等から成るセ
ラミックスが蓋体６として接合され、半導体パッケージ
内部を気密に封止する。

【００４５】このように、本発明の半導体パッケージ
は、半導体素子１が載置される載置部２ａとネジ取付部
２ｂとを有する基体２と、載置部２ａを囲繞するととも
に側部に入出力端子５を嵌着する取付部３ａを有する枠
体３とが、一方向性炭素繊維ｌの集合体が分散された炭
素質母材ｍに銅および／または銀ｎが含浸された金属炭
素複合体Ａから成る基材の表面に銅メッキ層Ｂが被着さ
れて成る。また、取付部３ａ内周面にロウ材を介して嵌
着される入出力端子５を具備し、枠体３上面にシールリ
ング４が接合される。

【００４６】また、本発明の半導体パッケージと、載置
部２ａに載置固定され入出力端子５に電気的に接続され
る半導体素子１と、枠体３の上面に接合され半導体素子
１を封止する蓋体６とを具備することにより、製品とし
ての半導体装置となる。

【００４７】具体的には、載置部２ａ上面に半導体素子
１をガラス，樹脂，ロウ材等の接着剤を介して接着固定
するとともに、半導体素子１の電極をボンディングワイ
ヤを介して所定のメタライズ層５ａに電気的に接続させ
る。しかる後、シールリング４上面に蓋体６をガラス，
樹脂，ロウ材，シーム溶接等により接合させることによ
り、基体２，枠体３，シールリング４，入出力端子５か
ら成る半導体パッケージの内部に半導体素子１を気密に
収容し、この半導体パッケージの上面に蓋体６を接合す
ることにより製品としての半導体装置となる。

【００４８】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内にお
いて種々の変更を行うことは何等支障ない。例えば、半
導体パッケージは、その内部に収納される半導体素子１
がＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子の場合、枠体３の側部に
光ファイバ固定用の光ファイバ固定部材と、この光ファ
イバ固定部材に接着固定される光ファイバとを具備する
光半導体パッケージとなる。この光半導体パッケージ上
面に接合され、光半導体素子を封止する蓋体６を具備す
ることにより、製品としての光半導体装置となる。

【００４９】このような光半導体装置は、例えば外部電
気回路から供給される高周波信号により光半導体素子を
光励起させ励起したレーザ光等の光を、光ファイバ固定
部材に接着固定され集光レンズとして機能する透光性部
材を通して光ファイバに授受させるとともに光ファイバ
内を伝送させることにより、大容量の情報を高速に伝送
できる光電変換装置として機能し、光通信分野等に多く
用いることができる。

【００５０】

【発明の効果】本発明は、上面に半導体素子が載置され
る載置部を有するとともに対向する辺部に貫通穴または
切欠から成るネジ取付部を有する略四角形の基体と、基
体の上面に載置部を囲繞するように取着され、側部に貫
通孔または切欠部から成る入出力端子の取付部を有する
枠体と、取付部に嵌着された入出力端子とを具備し、基
体および枠体は、一方向性炭素繊維の集合体が分散され
た炭素質母材に銅および／または銀が含浸された金属炭
素複合体から成る基材の表面に銅メッキ層が被着されて
成ることから、半導体パッケージを外部電気回路にネジ
止めにより強固に密着固定できるとともに、半導体素子
の作動時に発する熱が基体中および枠体中をランダムな
方向に効率良く伝わり外部電気回路のヒートシンク部や
大気中に放散し得る。

【００５１】また、本発明の半導体装置は、本発明の半
導体素子収納用パッケージと、載置部に載置固定される
とともに入出力端子に電気的に接続された半導体素子
と、枠体の上面に接合された蓋体とを具備したことによ
り、上記作用効果を有する半導体パッケージを用いた信
頼性の高い半導体装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体パッケージについて実施の形態
の一例を示す断面図である。

【図２】図1の半導体パッケージにおける基体および枠
体の部分拡大断面図である。

【図３】図１の基体と枠体が一体成形された半導体パッ
ケージの断面図である。

【図４】従来の半導体パッケージの平面図である。

【図５】従来の半導体パッケージの断面図である。

【図６】従来の半導体パッケージにおける基体の部分拡
大断面図である。

【符号の説明】

１：半導体素子 ２：基体 ２ａ：載置部 ２ｂ：ネジ取付部 ３：枠体 ３ａ：取付部 ５：入出力端子 ６：蓋体 ｌ：一方向性炭素繊維 ｍ：炭素質母材 ｎ：銅および／または銀 Ａ：金属炭素複合体 Ｂ：銅メッキ層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上面に半導体素子が載置される載置部を
   有するとともに対向する辺部に貫通穴または切欠から成
   るネジ取付部を有する略四角形の基体と、該基体の上面
   に前記載置部を囲繞するように取着され、側部に貫通孔
   または切欠部から成る入出力端子の取付部を有する枠体
   と、前記取付部に嵌着された入出力端子とを具備した半
   導体素子収納用パッケージにおいて、前記基体および前
   記枠体は、一方向性炭素繊維の集合体が分散された炭素
   質母材に銅および／または銀が含浸された金属炭素複合
   体から成る基材の表面に銅メッキ層が被着されて成るこ
   とを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子収納用パッケ
   ージと、前記載置部に載置固定されるとともに前記入出
   力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の
   上面に接合された蓋体とを具備したことを特徴とする半
   導体装置。