JP2002252265A - 半導体基板を移送および検査するための方法および装置 - Google Patents

半導体基板を移送および検査するための方法および装置

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JP2002252265A JP2002012949A JP2002012949A JP2002252265A JP 2002252265 A JP2002252265 A JP 2002252265A JP 2002012949 A JP2002012949 A JP 2002012949A JP 2002012949 A JP2002012949 A JP 2002012949A JP 2002252265 A JP2002252265 A JP 2002252265A
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exchanger
substrate
work station
inspection
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ビルクナー アンドレアス
Frank Bernhardt
ベルンハルト フランク
Knut Hiltawski
ヒルタウスキー クヌート
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Leica Microsystems Jena GmbH
Leica Microsystems CMS GmbH
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 時間をかけずにウエーハ形状の対象物が操作
され得て、ウエーハ形状の対象物の高い処理量が可能と
される方法を創作すること。 【解決手段】 以下のステップを含むこと。装置（３）
に少なくとも３つの作業ステーション（８、１０、１
２）を設けるステップ。交換器（１４）を上昇させ、其
々の半導体基板（６）を他の作業ステーション（８、１
０、１２）に供給するために、所定の角度値分の回転運
動を実施するステップ。少なくとも１つの半導体基板
（６）を其々の作業ステーション（８、１０、１２）の
少なくとも１つに引き渡すステップ。交換器（１４）を
下降させ、半導体基板（６）が交換器（１４）上に載置
されていない状態で、前記と同様の角度値分の反対方向
の回転運動を実施するステップ。基板・供給モジュール
（１）から新たな半導体基板（６）を引き取るステッ
プ。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板を移送
および検査するための方法に関する。
【０００２】更に本発明は、半導体基板を移送および検
査するための装置に関する。本発明は、特に請求項９の
前提部に記載した装置に関する。
【０００３】
【従来の技術】米国特許第５８６３１７０号公報には半
導体のモジュール式プロセスシステムが開示されてい
る。ウエーハを操作するためのこのシステムは、モジュ
ール式で構成されていて、ウエーハが供給される多数の
プロセスステーションを有する。ウエーハはプロセスス
テーションからプロセスステーションへと中央の回転ラ
ックを用いて転送される。プロセスステーションではウ
エーハにおいて異なるプロセスステップが実施される。
この装置は異なるプロセスステーションにおける処理の
ためにだけに使用され得る。ウエーハの管理と検査につ
いては考慮されていない。
【０００４】米国特許第５８０７０６２号公報ではウエ
ーハ形状の対象物を操作するための装置が開示されてい
る。ウエーハはマガジンからマガジンへと装置内を移行
する。装置自体内には３つの作業ステーションが配設さ
れている。第１作業ステーションではウエーハ形状の対
象物が平面と角度に関して方向付けられる。次の作業ス
テーションは検査顕微鏡のｘ／ｙ・テーブルである。第
３作業ステーションは、操作オペレータがウエーハ形状
の対象物を視覚的に管理、即ち目視管理するために用い
られる。これらの作業ステーションは１２０°の角度を
置いて其々互いに配設されている。作業ステーションの
間には交換器（チェンジャ）が設けられていて、その３
つのアームを用いてウエーハ形状の対象物が個々の作業
ステーションに供給される。この交換器は、３つのアー
ム、及び、ウエーハ形状の対象物を精密に位置決めする
ための追加的な手段を有する。そのために交換器の軸線
上には歯車が設けられていて、この歯車には同様の歯を
有するつかみが係合し、それにより交換器の精密な位置
調節が可能である。この装置における短所は、この装置
が万能的に使用可能であるというわけではなく、精密な
位置決めには比較的長い時間が要求されてしまうという
ことである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の基礎を成す課
題は、時間をかけずにウエーハ形状の対象物が操作され
得て、ウエーハ形状の対象物の高い処理量が可能とされ
る方法を創作することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題は、請求項１に
記載したステップにより特徴付けられている方法によっ
て解決される。
【０００７】また、本発明の他の課題は、時間のかから
ない簡単な方式でウエーハ形状の対象物を視覚的に及び
微視的に評価する装置を創作することである。更にこの
装置は不正確に位置決めされているウエーハ形状の対象
物を用いても作動し得るべきである。また本発明によっ
て様々な大きさのウエーハ形状の対象物も処理されるべ
きである。
【０００８】前記課題は、請求項６に記載した特徴によ
って解決される。
【０００９】半導体基板を移送および検査するための装
置が３つの作業ステーションを有するように形成されて
いると有利である。個々の作業ステーションの間には交
換器が設けられていて、この交換器は少なくとも３つの
アームを有し、これらのアームは個々の作業ステーショ
ンに半導体基板を供給するために形成されていて、この
際、それらの作業ステーションは交換器の回転軸線と同
軸に配設されている。第１作業ステーションは引き渡し
ポジションを定義し、この引き渡しポジションでは、半
導体基板が基板・供給モジュールから装置内に導入可能
であり、ないしは、半導体基板が装置から基板・供給モ
ジュールに引き渡し可能である。第２作業ステーション
には測定装置が設けられていて、この測定装置は半導体
基板の実際のポジションの目標ポジションからの偏倚を
測定して決定し、この偏倚を装置の半導体基板の更なる
検査のために使用可能とする。この際、交換器は目標ポ
ジションに半導体基板を運ぶための手段を伴わずに形成
されている。第３作業ステーションは、ミクロ検査部で
あり、ｘ／ｙ・テーブルを含み、このｘ／ｙ・テーブル
は半導体基板を顕微鏡に供給し、場合によってはｚ方向
の位置調節を可能とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】図面には本発明の実施形態が示さ
れていて、次に、これらの図面を用いて本発明の実施形
態を説明する。
【００１１】図１には、複数の作業ステーション８、１
０、１２を備えた装置３に対して基板・供給モジュール
１が側面に付設されている様子が示されている。この実
施形態において基板・供給モジュール１は装置３に対し
て次のように配位されている。即ち、基板・供給モジュ
ール１の前面２から１つ又は複数の装填口（ロード・ポ
ート）２ａ、２ｂを介して基板・供給モジュール１に基
板が装填され得るようにである。通常は２つの装填口２
ａ、２ｂが設けられている。この際、オープン式に形成
されている又はクローズ式のカセット４が使用され、カ
セット４は利用者により手動で又は例えばロボットを用
いた自動化によって装填口２ａ、２ｂに導入される。こ
れらのカセット４には半導体基板６が充填され得るが、
予定されている作業経過に応じて空としてもよい。例え
ば、全てのカセット４が充填され得て、半導体基板６が
先ずは１つのカセット４から取り出され、装置３に導入
され、装置３における処理と管理の後に再び同じカセッ
ト４に戻される。引き続いて次のカセット４のために前
記の過程が繰り返され、それに対して利用者は処理され
た半導体基板６を有するカセット４を取り外し、その代
わりに、半導体基板６を有する新たなカセット４を空い
ている装填口２ａ、２ｂに導入する。基板・供給モジュ
ール１内には移送ロボット５が設けられていて、この移
送ロボット５は半導体基板６を装置３内に移す。図１に
おける基板・供給モジュール１の装置は複数の構成可能
性のうちの１つである。また、基板・供給モジュール１
は９０°回転され得て、その場合にはカセットは装置３
から離れる方向に向かう。
【００１２】既述したように装置３には複数の作業ステ
ーション８、１０、１２が設けられている。これらの作
業ステーション８、１０、１２では半導体基板６におい
て対応的な評価、管理、検査が実施される。この実施形
態では装置３に３つの作業ステーション、即ち、第１作
業ステーション８、第２作業ステーション１０、第３作
業ステーション１２が設けられている。これらの作業ス
テーション８、１０、１２の間の中央には半導体基板６
のための交換器１４が配設されている。交換器１４は３
つのアーム１４ａ、１４ｂ、１４ｃを有し、これらのア
ームを用いて個々の作業ステーション８、１０、１２に
は半導体基板６が同時に提供され得る。第１作業ステー
ション８は、基板・供給モジュール１からの半導体基板
の引き取り、ないしは、基板・供給モジュール１への半
導体基板の引き渡しのために用いられる。第２作業ステ
ーション１０は、半導体基板６の方向付けのため、半導
体基板６の位置を測定して決定するため、並びに、半導
体基板６を視覚的に検査、即ち目視検査するために用い
られる。半導体基板６の方向付けのために第２作業ステ
ーション１０には測定装置１５が付設されていて、測定
装置１５は半導体基板６に設けられているマーカを検知
し、半導体基板のコードを測定して決定する。更に測定
装置１５は第２作業ステーション１０内の半導体基板６
において位置に関して正確な置き場からの偏倚を検出す
る。そのようにして検出されたデータは中央処理ユニッ
ト（非図示）に転送される。第３作業ステーション１２
は半導体基板６のミクロ検査のために形成されている。
第３作業ステーション１２はｘ／ｙ・テーブル１７を有
し、ｘ／ｙ・テーブル１７は半導体基板６をミクロ検査
のために顕微鏡１６へと供給する。ｚ方向・位置調節は
ｘ／ｙ・テーブル１７により同様に可能である。装置３
はケーシング１８により取り囲まれていて、ケーシング
１８は３つの作業ステーション８、１０、１２並びに顕
微鏡１６を周囲空気に対して遮断し、対応的に要求され
るクリーンルーム条件を作り出す。更にケーシング１８
によって装置３内への利用者の介入の可能性が同様に阻
止されていて、このことは追加的な安全観点を表してい
る。ここで開示されている実施形態において顕微鏡１６
には接眼レンズ２０が設けられていて、接眼レンズ２０
は、評価すべき半導体基板６の視覚的なミクロ検査を実
施するという可能性を利用者に提供する。当然のことで
あるが第３作業ステーション１２内の半導体基板６は顕
微鏡１６を用いて自動的に検査され得る。装置３のケー
シング１８と基板・供給モジュール１はドッキング要素
２２を有し、ドッキング要素２２は基板・供給モジュー
ル１と装置３との付設を可変なものとすることができ
る。
【００１３】この可変の付設の実施形態が図２に示され
ていて、装置３と基板・供給モジュール１との可能な配
置が示されている。装置３は、半導体基板６が基板・供
給モジュール１から装置３内に取り込まれる引き渡しポ
ジション２４を定義している。それに対して対応的な方
式でドッキング要素２２が装置３のケーシング１８に接
するように又は装置３のケーシング１８内に備え付けら
れている。半導体基板６はカセット４から装填口２ａ、
２ｂを介して基板・供給モジュール１内に達し、基板・
供給モジュール１から移送ロボット５を用いて装置３の
引き渡しポジション２４に達する。
【００１４】図３には、作業ステーションの構成が光学
的な検査顕微鏡１６の領域で側面図として示されてい
る。交換器１４は回転軸線１３を中心に自由に回転可能
である。更に交換器１４は、軸方向に昇降運動可能であ
り、それにより半導体基板６を受け取り、ないしは、半
導体基板６を第３作業ステーション１２に置く。交換器
１４の軸方向の運動、即ちｚ方向の運動に対応するこの
運動は、双方向矢印Ａ−Ａで示されている。上昇ポジシ
ョン１４ｕｐにおいて交換器１４は破線で示されてい
る。交換器１４の上昇ポジション１４ｕｐにおいて、交
換器１４はそのアームと共に、作業ステーション１２に
置かれたウエーハにより定義されている平面１９の上方
で運動し得る。図３において平面１９は太い破線で示さ
れている。更に作業ステーション１２は凹部２１を有
し、凹部２１を通じて交換器１４はそのアーム１４ａ及
び１４ｂを自由に回転し得る。凹部２１は、交換器１４
が下降ポジションで前方方向および後方方向に自由に回
転可能であることを可能とする。第２作業ステーション
１０は基本位置において図３では同様に実線で示されて
いる。第２作業ステーション１０は中間ポジション１０
ｍ及び上昇ポジション１０ｕｐに移動され得る。中間ポ
ジション１０ｍにおいて第２作業ステーション１０は平
面１９の高さに位置する。図１を用いて既述したよう
に、第２及び第３作業ステーション１０及び１２は、こ
れらの作業ステーションに半導体基板６が交換器１４の
アーム１４ａ及び１４ｂにより提供され得るように空間
的に配設されている。
【００１５】図４には、半導体基板６のフローを明確化
するために装置３の俯瞰図が示されている。図４内の矢
印２６は、半導体基板６が装置３内に取り込まれる位置
をマークしている。有利な実施形態において交換器１４
は３つのアーム１４ａ、１４ｂ、１４ｃを有し、これら
のアームは其々１２０°の角度を置いて配設されてい
る。交換器１４は半導体基板６を個々の作業ステーショ
ン８、１０、１２に供給する。第１作業ステーション８
は引き渡しポジション８ａ、第２作業ステーション１０
はマクロ検査部１０ａ、第３作業ステーション１２はミ
クロ検査部１２ａに対応する。引き渡しポジション８
ａ、マクロ検査部１０ａ、ミクロ検査部１２ａは、交換
器１４の位置を定義し、これらの位置では、半導体基板
６が作業ステーション８、１０、１２から引き取られ、
ないしは、半導体基板６が作業ステーション８、１０、
１２に引き渡される。最善の効率は装置３において３つ
の半導体基板が同時に扱われる場合であり、同時的なマ
クロ検査部１０ａおよびミクロ検査部１２ａの使用が可
能である。図４内にて破線で描かれた円は交換器１４上
に載置されている半導体基板６と共に交換器１４の外側
の運動円２８を定義する。半導体基板６の其々は標識３
０とノッチ３２とを有する。標識３０は例えばバーコー
ド、数字標識、数字・文字標識、またはそれらの組み合
わせたものを含む。ノッチ３２は、半導体基板６の方位
を検出するために用いられ、従ってその正確な空間的な
方向付けのためにも用いられる。
【００１６】図５には、装置３内の半導体基板６のフロ
ーの可能な場面における２つのサイクルｎ及びｎ＋１が
グラフで示されている。ｘ軸線上では図５及び図６〜８
において時間ｔが表されている。図５〜８の図は図式的
に見られるべきであり、時間間隔はおおよそ作業ステー
ションにおける半導体基板の処理時間の長さである。図
５に示されている実施形態では同時に３つの半導体基板
６が装置３内に配置されている。この実施形態において
操作オペレータによる視覚的なマクロ検査、即ち目視マ
クロ検査は実施されない。装置３内の半導体基板６のフ
ローの開始時には、第１半導体基板６１が引き渡しポジ
ション８ａに位置し、第２半導体基板６ ２がマクロ検査
部１０ａに位置し、第３半導体基板６３がミクロ検査部
１２ａに位置する。図５〜８において、引き渡しポジシ
ョン８ａ、マクロ検査部１０ａ、ミクロ検査部１２ａは
破線で示されている。図５〜８において、半導体基板の
滞在時間は垂直線で特徴付けられていて、中間空間は現
在処理されている半導体基板または半導体基板の符号で
示されている。
【００１７】交換器１４は、軸方向におけるリフティン
グ（図５〜８では其々上方に向かう矢印で示されてい
る）を行い、第２及び第３半導体基板６２及び６３をマ
クロ検査部１０ａ並びにミクロ検査部１２ａから取り外
す。交換器１４が回転し、それにより、第１半導体基板
６１がマクロ検査部１０ａに達し、第２半導体基板６２
がミクロ検査部１２ａに達し、第３半導体基板６３が最
終的に引き渡しポジション８ａに移送されて基板・供給
モジュール１に引き渡される。引き続いて交換器１４が
下降し（図５〜８では其々下方に向かう矢印で示されて
いる）アームが空の状態で−１２０°逆回転される。空
のアームには引き渡しポジション８ａにおいて基板・供
給モジュール１から第４半導体基板６４が供給される。
この交換が行われる以前に、第２及び第３作業ステーシ
ョン１０及び１２における第１及び第２半導体基板６１
及び６２では必要な検査が実施されている。ある一定の
時間の後、交換器１４は、サイクルｎ＋１を導入するた
めに、再び軸方向のリフティングを実施する。即ち、交
換器１４は再び軸方向のリフティングを行って＋１２０
°の回転を実施する。それにより、第４半導体基板６４
がマクロ検査部１０ａに達し、第１半導体基板６１がミ
クロ検査部１２ａに供給される。交換器１４の運動経過
は既に上述したものと同一である。引き渡しポジション
８ａでは第５半導体基板６５に対する第２半導体基板６
２の交換が行われる。この第５半導体基板６５はその後
の引き続くサイクルにて装置３内の作業ステーション
８、１０、１２を通る。
【００１８】図６には、装置３内の半導体基板６の操作
の他の実施形態が開示されている。ここでは利用者によ
って追加的にマクロ検査が実施される。装置３内の半導
体基板６のフローの開始時には図５にて開示されている
ものと同様に、第１半導体基板６１が引き渡しポジショ
ン８ａに位置し、第２半導体基板６２がマクロ検査部１
０ａに位置し、第３半導体基板６３がミクロ検査部１２
ａに位置する。交換器１４は、軸方向のリフティングを
行い、第２及び第３半導体基板６２及び６３をマクロ検
査部１０ａ並びにミクロ検査部１２ａから取り外す。交
換器１４が＋１２０°回転し、それにより、第１半導体
基板６１がマクロ検査部１０ａに達し、第２半導体基板
６２がミクロ検査部１２ａに達し、第３半導体基板６３
が最終的に引き渡しポジション８ａに移送されて基板・
供給モジュール１に引き渡される。第３作業ステーショ
ン１２においてミクロ検査部１２ａを通じてミクロ検査
が実施される間、交換器１４は軸方向に下降していて−
６０°回転される。それにより、交換器１４は第２作業
ステーション１０の作業領域外に運ばれる。このことは
次の理由から必要である。即ち、半導体基板６上におい
て起こり得る肉眼で見える欠陥を認識するために第２作
業ステーション１０内の半導体基板６が操作オペレータ
の視野領域内で旋回および回転されるためである。視覚
的なマクロ検査、即ち目視マクロ検査が終了すると、未
だに下降されている交換器１４は更に−６０°回転し、
そのアームには引き渡しポジション８ａにおいて基板・
供給モジュール１から第４半導体基板６４が供給され
る。この交換が行われる以前に、第２及び第３作業ステ
ーション１０及び１２における第１及び第２半導体基板
６ １及び６２では必要な検査が実施されている。ある一
定の時間の後、交換器１４は、サイクルｎ＋１を導入す
るために、再び軸方向のリフティングを実施する。即
ち、交換器１４は再び軸方向のリフティング及び＋１２
０°の回転を行う。それにより、第４半導体基板６４が
マクロ検査部１０ａに達し、第１半導体基板６ １がミク
ロ検査部１２ａに供給される。交換器１４の運動経過は
既に上述したものと同一である。引き渡しポジション８
ａでは第５半導体基板６５に対する第２半導体基板６２
の交換が行われる。この第５半導体基板６５はその後の
引き続くサイクルにて装置３内の作業ステーション８、
１０、１２を通る。
【００１９】図７には、粗悪な半導体基板が視覚的なマ
クロ検査で発見された場合の１つのサイクルが示されて
いる。ここでは、図６を用いて既に示されているよう
に、利用者によって視覚的なマクロ検査、即ち目視マク
ロ検査が実施される。装置３内の半導体基板６のフロー
の開始時には図５にて開示されているものと同様に、第
１半導体基板６１が引き渡しポジション８ａに位置し、
第２半導体基板６２がマクロ検査部１０ａに位置し、第
３半導体基板６３がミクロ検査部１２ａに位置する。交
換器１４は、軸方向のリフティングを行い、第２及び第
３半導体基板６２及び６３をマクロ検査部１０ａ並びに
ミクロ検査部１２ａから取り外す。交換器１４が＋１２
０°回転し、それにより、第１半導体基板６１がマクロ
検査部１０ａに達し、第２半導体基板６２がミクロ検査
部１２ａに達し、第３半導体基板６ ３が最終的に引き渡
しポジション８ａに移送されて基板・供給モジュール１
に引き渡され、この際、交換器１４は軸方向に下降され
る。第３作業ステーション１２においてミクロ検査部１
２ａを通じてミクロ検査が実施される間、交換器１４は
−６０°回転される。それにより、図６を用いて既に述
べたように、交換器１４は第２作業ステーション１０の
作業領域外に運ばれる。視覚的なマクロ検査において第
１半導体基板６１が欠陥有りと特徴付けられたとする。
場合によっては既に引き渡しポジション８ａにおいて交
換器１４に引き渡されている第４半導体基板６４は再び
基板・供給モジュール１に逆移送される。交換器１４は
軸方向に下降していて更に＋６０°回転する。交換器１
４のアームは第２作業ステーション１０の基本位置への
下降により第１半導体基板６１を引き取る。基本位置へ
の第２作業ステーション１０の下降は、交換器１４が自
由に回転可能であるために必要である。交換器１４は下
降した状態で−１２０°回転し、それにより第１半導体
基板６１を引き渡しポジション８ａへと運ぶ。第２半導
体基板６２は未だに第３作業ステーション１２ないしは
ミクロ検査部１２ａに位置している。引き渡しポジショ
ン８ａでは欠陥の有る第１半導体基板６１が基板・供給
モジュール１に引き渡され、基板・供給モジュール１か
ら第４半導体基板６４が交換器１４上に置かれる。更
に、交換器１４は下降していて＋１２０°回転し、第４
半導体基板６４を第２作業ステーション１０へと運ぶ。
第５半導体基板６５が引き渡しポジション８ａにおいて
変換機１４に引き渡される。引き続いて交換器１４は、
第２作業ステーション１０の作用領域をフリーにするた
めに、下降していて−６０°回転する。第１作業ステー
ション１０では第４半導体基板６４において視覚的なマ
クロ検査が実施される。視覚的なマクロ検査の終了後、
交換器１４は新たに−６０°回転し、引き続いて、装置
３内に位置する半導体基板の交換が既に図５及び図６を
用いて説明した方法で行う。
【００２０】図８には、装置３内にてサイクル毎に１つ
の半導体基板６だけが評価される、半導体基板を操作す
るための方法の実施形態が示されている。視覚的なマク
ロ検査、即ち目視マクロ検査は実施されない。第１半導
体基板６１が基板・供給モジュール１から交換器１４に
引き渡される。交換器１４が＋１２０°回転し、第１半
導体基板６１が第２作業ステーション１０に引き渡され
る。第２作業ステーション１０では第１半導体基板６１
の方向付けが検出され、引き続いて第１半導体基板６１
における標識３０が読み取られる。その間に、交換器１
４は軸方向に下降していて−１２０°回転する。交換器
１４は引き続いてｚ方向のリフティングを行い、第１半
導体基板６１を第２作業ステーション１０から取り出
す。交換器１４が＋１２０°回転し、第１半導体基板６
１をミクロ検査が実施される第３作業ステーション１２
に引き渡す。ミクロ検査後に、交換器１４は、新たなｚ
方向のリフティングを行い、第１半導体基板６１を第３
作業ステーション１２から取り出し、−１２０°回転す
る。第１半導体基板６１は再び第２作業ステーション１
０に達し、第２作業ステーション１０にてノッチ３２が
測定されて決定され、それにより第１半導体基板６１の
方向付けが達成される。その間に、交換器１４は軸方向
に下降していて＋１２０°回転する。引き続いて交換器
１４は、軸方向のリフティングを行い、第１半導体基板
６１を第２作業ステーション１０から取り出し、−１２
０°回転する。ここで、第１半導体基板６１は、引き渡
しポジション８ａに位置し、基板・供給モジュール１に
引き渡される。基板・供給モジュール１から第２半導体
基板６２が取り出され、この第２半導体基板６２を用い
て、第１半導体基板６１のために既に上記した方法が実
施される。
【００２１】当然のことであるが、装置３内の半導体基
板６の数量に応じて、または、例えば欠陥の有る半導体
基板６の取り出しのような装置３における半導体基板６
のフローの変化に応じて、個々の作業ステーションにお
ける半導体基板６の滞在時間は変化し得る。このことは
従ってサイクル時間に対して影響を及ぼす。
【００２２】個々の実施形態に関連して本発明を説明し
たが、この際、請求項の保護範囲を逸脱することなく変
更および変形が成され得ることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図１】ウエーハ形状の対象物のための基板・供給モジ
ュールと連結されている本発明による装置を示す図であ
る。
【図２】本発明による装置と基板・供給モジュールの可
能な配置のための他の実施形態を示す図である。
【図３】作業ステーションの構成を光学的な検査顕微鏡
の領域で側面図として示す図である。
【図４】半導体基板のフローを明確化するために本発明
による装置を俯瞰で示す図である。
【図５】本発明による装置内の半導体基板のフローの可
能な場面における２つのサイクルを示す図であり、この
際、利用者によるマクロ検査は省略される。
【図６】本発明による装置内の半導体基板のフローの他
の場面における２つのサイクルを示す図であり、この
際、追加的にマクロ検査が実施される。
【図７】粗悪な半導体基板が視覚的なマクロ検査で発見
された場合の１つのサイクルを示す図である。
【図８】本発明による装置内にてサイクル毎に１つの半
導体基板だけが評価される半導体基板の操作を示す図で
あり、この際、視覚的なマクロ検査は行われない。
【符号の説明】
１ 基板・供給モジュール ２ 基板・供給モジュールの前面 ２ａ 装填口（ロード・ポート） ２ｂ 装填口（ロード・ポート） ３ 半導体基板を移送および検査するための装置 ４ カセット ５ 移送ロボット ６ 半導体基板（６１〜６５：第１半導体基板〜第
５半導体基板） ８ 第１作業ステーション ８ａ 引き渡しポジション １０ 第２作業ステーション １０ｍ 第２作業ステーションの中間ポジション １０ｕｐ 第２作業ステーションの上昇ポジション １０ａ マクロ検査部 １２ 第３作業ステーション １２ａ ミクロ検査部 １３ 交換器の回転軸線 １４ 交換器 １４ａ 交換器のアーム １４ｂ 交換器のアーム １４ｃ 交換器のアーム １４ｕｐ 交換器の上昇ポジション １５ 測定装置 １６ 顕微鏡 １７ ｘ／ｙ・テーブル １８ ケーシング １９ 平面 ２０ 接眼レンズ ２１ 凹部 ２２ ドッキング要素 ２４ 引き渡しポジション ２６ 半導体基板が装置内に取り込まれる位置を示
す矢印 ２８ 交換器の外側の運動円（半導体基板を含む） ３０ 半導体基板の標識 ３２ 半導体基板のノッチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フランク ベルンハルト ドイツ連邦共和国 デー・07768 カーラ シェーンブリック ヌンマー ８ (72)発明者 クヌート ヒルタウスキー ドイツ連邦共和国 デー・07318 ザール フェルト ドルフアンガー ３ Ｆターム(参考） 5F031 CA02 FA01 FA09 FA12 FA14 GA47 GA49 GA50 HA53 HA60 JA01 JA27 JA35 JA50 MA04 MA13 MA33 NA02 NA07 PA02

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板を移送および検査するための方
    法において、以下のステップを含むことを特徴とする方
    法： − 装置（３）に少なくとも３つの作業ステーション
    （８、１０、１２）を設けるステップであり、これらの
    全ての作業ステーションに其々１つの半導体基板（６）
    が提供され得るように交換器（１４）が配設されている
    こと、 − 交換器（１４）を上昇させ、其々の半導体基板
    （６）を他の作業ステーション（８、１０、１２）に供
    給するために、所定の角度値分の回転運動を実施するス
    テップ、 − 少なくとも１つの半導体基板（６）を其々の作業ス
    テーション（８、１０、１２）の少なくとも１つに引き
    渡すステップであり、半導体基板（６）の移送、または
    検査、または移送及び検査が行われること、 − 交換器（１４）を下降させ、半導体基板（６）が交
    換器（１４）上に載置されていない状態で、前記と同様
    の角度値分の反対方向の回転運動を実施するステップ、
    及び、 − 基板・供給モジュール（１）から新たな半導体基板
    （６）を引き取るステップ。
  2. 【請求項２】前記角度値が１２０°であることを特徴と
    する、請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】第１作業ステーション（８）が引き渡しポ
    ジション（８ａ）を定義し、この引き渡しポジション
    （８ａ）において、半導体基板（６）が基板・供給モジ
    ュール（１）から装置（３）内に移され、ないしは、半
    導体基板（６）が装置（３）から基板・供給モジュール
    （１）内に逆移送されることを特徴とする、請求項１に
    記載の方法。
  4. 【請求項４】第２作業ステーション（１０）がマクロ検
    査部（１０ａ）を定義し、このマクロ検査部（１０ａ）
    を用いて、半導体基板（６）の実際のポジションの偏倚
    を測定して決定し、この偏倚を装置（３）の半導体基板
    （６）の更なる検査のために使用可能とし、この際、第
    ２作業ステーション（１０）における半導体基板（６）
    のポジション変更が行われないことを特徴とする、請求
    項１に記載の方法。
  5. 【請求項５】第３作業ステーション（１２）がミクロ検
    査部（１２ａ）を定義し、このミクロ検査部（１２ａ）
    を用いて、半導体基板（６）の定義位置が顕微鏡（１
    ６）を用いて欠陥に関して評価されることを特徴とす
    る、請求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】半導体基板（６）を移送および検査するた
    めの装置であって、この装置が少なくとも３つの作業ス
    テーション（８、１０、１２）及び交換器（１４）を備
    えていて、この交換器（１４）が、個々の作業ステーシ
    ョン（８、１０、１２）に半導体基板（６）を供給する
    ために形成されている少なくとも３つのアーム（１４
    ａ、１４ｂ、１４ｃ）を有し、それらの作業ステーショ
    ンが交換器（１４）の回転軸線と同軸に配設されている
    前記装置において、第２作業ステーション（１０）には
    測定装置（１５）が付設されていて、この測定装置（１
    ５）が半導体基板（６）の実際のポジションの目標ポジ
    ションからの偏倚を測定して決定し、この偏倚を装置
    （３）の半導体基板（６）の更なる検査のために使用可
    能とすること、及び、交換器（１４）が目標ポジション
    に半導体基板（６）を運ぶための手段を伴わずに形成さ
    れていることを特徴とする装置。
  7. 【請求項７】３つの作業ステーション（８、１０、１
    ２）が設けられていること、及び、第１作業ステーショ
    ン（８）が引き渡しポジション（８ａ）を定義し、この
    引き渡しポジション（８ａ）において、半導体基板
    （６）が基板・供給モジュール（１）から装置（３）内
    に導入可能であり、ないしは、半導体基板（６）が装置
    （３）から基板・供給モジュール（１）に引き渡し可能
    であることを特徴とする、請求項６に記載の装置。
  8. 【請求項８】第３作業ステーション（１２）がミクロ検
    査部（１２ａ）を定義し、ｘ／ｙ・テーブル（１７）を
    含み、このｘ／ｙ・テーブル（１７）が半導体基板
    （６）を顕微鏡（１６）に供給し、場合によってはｚ方
    向の位置調節を可能とすることを特徴とする、請求項６
    に記載の装置。
  9. 【請求項９】ｘ／ｙ・テーブル（１７）が凹部（２１）
    を有し、この凹部（２１）が、下降されている交換器
    （１４）に自由な回転のために自由空間を使用可能とさ
    せることを特徴とする、請求項８に記載の装置。
  10. 【請求項１０】装置（３）がケーシング（１８）によっ
    て取り囲まれていて、このケーシング（１８）が全装置
    （３）のために所定のクリーンルーム条件を使用可能と
    させることを特徴とする、請求項６に記載の装置。
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