JP2002237496A - 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Abstract
(57)【要約】
【課題】 工程を簡略化と封止時間の短縮が可能で、配
線基板と半導体素子との間隙、バンプ間ピッチが狭くな
る等封止条件に変化があっても、封止樹脂の未充填が防
止される半導体装置の製造装置を得る。 【解決手段】 配線基板１と半導体素子２との間隙４を
包囲したシール部材５に排気孔７と封止樹脂注入孔８と
が設けられているもので、配線基板１上に半導体素子２
を、バンプ３を介してフリップチップ実装した際に生じ
る間隙４に封止樹脂を充填する。シール部材５は、半導
体素子２のバンプ５と反対側の周縁部から配線基板１両
面に密着して設けられており、封止樹脂が半導体素子表
面に漏れることを防止している。シール部材５として
は、パッキンが用いられる。
線基板と半導体素子との間隙、バンプ間ピッチが狭くな
る等封止条件に変化があっても、封止樹脂の未充填が防
止される半導体装置の製造装置を得る。 【解決手段】 配線基板１と半導体素子２との間隙４を
包囲したシール部材５に排気孔７と封止樹脂注入孔８と
が設けられているもので、配線基板１上に半導体素子２
を、バンプ３を介してフリップチップ実装した際に生じ
る間隙４に封止樹脂を充填する。シール部材５は、半導
体素子２のバンプ５と反対側の周縁部から配線基板１両
面に密着して設けられており、封止樹脂が半導体素子表
面に漏れることを防止している。シール部材５として
は、パッキンが用いられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ実
装体のチップと基板間の間隙に封止樹脂を充填する半導
体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造
方法に関するものである。
装体のチップと基板間の間隙に封止樹脂を充填する半導
体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば特開平１１―２３３５３６号公報
に、フリップチップ実装体のチップと基板間の間隙に封
止樹脂を充填するため、チップ実装部にエアー逃し孔を
設けた基板上に封止樹脂をチップの側方周辺の全域にわ
たって塗布した後、大気圧以上の加圧雰囲気下で差圧充
填を行う方法が提案されている。上記充填方法において
はアンダーフィルの不均一性の発生を防止することがで
きると共に、フィラー混入の封止樹脂であっても迅速に
充填し充填時間を大幅に短縮することができ、ボイドの
発生防止も可能であるとする。
に、フリップチップ実装体のチップと基板間の間隙に封
止樹脂を充填するため、チップ実装部にエアー逃し孔を
設けた基板上に封止樹脂をチップの側方周辺の全域にわ
たって塗布した後、大気圧以上の加圧雰囲気下で差圧充
填を行う方法が提案されている。上記充填方法において
はアンダーフィルの不均一性の発生を防止することがで
きると共に、フィラー混入の封止樹脂であっても迅速に
充填し充填時間を大幅に短縮することができ、ボイドの
発生防止も可能であるとする。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法は、大気圧以上の圧力で樹脂を封入するため、
貫通孔を通して基板の裏面へ樹脂が回り込み、アウター
ボールの形成に影響が出る可能性のあること、樹脂中へ
の空気の巻き込みが避けられないのでボイドの発生防止
効果が低いという課題があった。
来の方法は、大気圧以上の圧力で樹脂を封入するため、
貫通孔を通して基板の裏面へ樹脂が回り込み、アウター
ボールの形成に影響が出る可能性のあること、樹脂中へ
の空気の巻き込みが避けられないのでボイドの発生防止
効果が低いという課題があった。
【０００４】本発明はかかる課題を解消するためになさ
れたもので、工程の簡略化と封止時間の短縮が可能で、
配線基板と半導体素子との間隙やバンプ間ピッチが狭く
なる等封止条件に変化があっても、封止樹脂の未充填が
防止された半導体装置の製造装置およびこれを用いた半
導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
れたもので、工程の簡略化と封止時間の短縮が可能で、
配線基板と半導体素子との間隙やバンプ間ピッチが狭く
なる等封止条件に変化があっても、封止樹脂の未充填が
防止された半導体装置の製造装置およびこれを用いた半
導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る第１の半導
体装置の製造装置は、配線基板上に半導体素子を、バン
プを介してフリップチップ実装することによって上記配
線基板と半導体素子との間に生じる間隙に封止樹脂を充
填する半導体装置の製造装置であって、上記半導体素子
のバンプの反対側の周縁部から配線基板面にかけて、上
記間隙を包囲するように設けたシール部材、上記シール
部材に設けられ、上記間隙に封止樹脂を注入する封止樹
脂注入孔、および上記シール部材に上記封止樹脂注入孔
に対向して設けられ、上記間隙を排気して減圧する排気
孔を備えたものである。
体装置の製造装置は、配線基板上に半導体素子を、バン
プを介してフリップチップ実装することによって上記配
線基板と半導体素子との間に生じる間隙に封止樹脂を充
填する半導体装置の製造装置であって、上記半導体素子
のバンプの反対側の周縁部から配線基板面にかけて、上
記間隙を包囲するように設けたシール部材、上記シール
部材に設けられ、上記間隙に封止樹脂を注入する封止樹
脂注入孔、および上記シール部材に上記封止樹脂注入孔
に対向して設けられ、上記間隙を排気して減圧する排気
孔を備えたものである。
【０００６】本発明に係る第２の半導体装置の製造装置
は、上記第１の半導体装置の製造装置において、封止樹
脂を加圧する加圧手段を備えたものである。
は、上記第１の半導体装置の製造装置において、封止樹
脂を加圧する加圧手段を備えたものである。
【０００７】本発明に係る第３の半導体装置の製造装置
は、上記第１または第２の半導体装置の製造装置におい
て、封止樹脂を加熱する加熱手段を備えたものである。
は、上記第１または第２の半導体装置の製造装置におい
て、封止樹脂を加熱する加熱手段を備えたものである。
【０００８】本発明に係る第１の半導体装置の製造方法
は、配線基板上に半導体素子を、バンプを介してフリッ
プチップ実装することによって上記配線基板と半導体素
子との間に生じる間隙に封止樹脂を充填する半導体装置
の製造方法において、上記第１ないし第３のいずれかの
半導体装置の製造装置を配線基板と半導体素子に密着さ
せて、排気孔から上記間隙を排気して減圧する工程、お
よび封止樹脂注入孔から封止樹脂を充填する工程を施す
方法である。
は、配線基板上に半導体素子を、バンプを介してフリッ
プチップ実装することによって上記配線基板と半導体素
子との間に生じる間隙に封止樹脂を充填する半導体装置
の製造方法において、上記第１ないし第３のいずれかの
半導体装置の製造装置を配線基板と半導体素子に密着さ
せて、排気孔から上記間隙を排気して減圧する工程、お
よび封止樹脂注入孔から封止樹脂を充填する工程を施す
方法である。
【０００９】本発明に係る第２の半導体装置の製造方法
は、上記第１の半導体装置の製造方法において、排気す
る工程後、封止樹脂を充填する工程を施す方法である。
は、上記第１の半導体装置の製造方法において、排気す
る工程後、封止樹脂を充填する工程を施す方法である。
【００１０】本発明に係る第３の半導体装置の製造方法
は、上記第１の半導体装置の製造方法において、封止樹
脂を、大気圧と減圧された間隙の圧力との差圧により充
填する方法である。
は、上記第１の半導体装置の製造方法において、封止樹
脂を、大気圧と減圧された間隙の圧力との差圧により充
填する方法である。
【００１１】本発明に係る第４の半導体装置の製造方法
は、上記第１の半導体装置の製造方法において、封止樹
脂を、大気圧およびこれに加圧した圧力と減圧された間
隙の圧力との差圧により充填する方法である。
は、上記第１の半導体装置の製造方法において、封止樹
脂を、大気圧およびこれに加圧した圧力と減圧された間
隙の圧力との差圧により充填する方法である。
【００１２】本発明に係る第５の半導体装置の製造方法
は、上記第１ないし第４のいずれかの半導体装置の製造
方法において、間隙の封止樹脂を加圧しながら硬化する
工程を施す方法である。
は、上記第１ないし第４のいずれかの半導体装置の製造
方法において、間隙の封止樹脂を加圧しながら硬化する
工程を施す方法である。
【００１３】本発明に係る第６の半導体装置の製造方法
は、上記第１ないし第４のいずれかの半導体装置の製造
方法において、間隙の封止樹脂をバッチ処理で硬化する
工程を施す方法である。
は、上記第１ないし第４のいずれかの半導体装置の製造
方法において、間隙の封止樹脂をバッチ処理で硬化する
工程を施す方法である。
【００１４】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は配線基板上
に半導体素子を、バンプを介してフリップチップ実装し
た一般的な半導体装置を示す構成図、図２は図１に示し
た半導体装置を、本発明の実施の形態の半導体装置の製
造装置に設置した状態を示す構成図である。図におい
て、１は配線基板、２は半導体素子、３はバンプ、４は
間隙、５はシール部材、６はフィレットを形成するため
の空間、７は排気孔、８は封止樹脂注入孔、９は排気側
バルブ、１０は給気側バルブ、１１は封止樹脂のディス
ペンサ、１２はヒータ（加熱手段）、１３は冷媒循環
路、１４は加圧手段、１５は冷却ガス導入管、１６はコ
ンプレッサに通じる管、１７は排気ポンプに通じる管、
１８、１９は金型である。
に半導体素子を、バンプを介してフリップチップ実装し
た一般的な半導体装置を示す構成図、図２は図１に示し
た半導体装置を、本発明の実施の形態の半導体装置の製
造装置に設置した状態を示す構成図である。図におい
て、１は配線基板、２は半導体素子、３はバンプ、４は
間隙、５はシール部材、６はフィレットを形成するため
の空間、７は排気孔、８は封止樹脂注入孔、９は排気側
バルブ、１０は給気側バルブ、１１は封止樹脂のディス
ペンサ、１２はヒータ（加熱手段）、１３は冷媒循環
路、１４は加圧手段、１５は冷却ガス導入管、１６はコ
ンプレッサに通じる管、１７は排気ポンプに通じる管、
１８、１９は金型である。
【００１５】半導体装置を設置する本発明の実施の形態
の半導体装置の製造装置は、配線基板１と半導体素子２
との間隙４を包囲したシール部材５に排気孔７と封止樹
脂注入孔８とが設けられ、配線基板１上に半導体素子２
を、バンプ３を介してフリップチップ実装した際に生じ
る間隙４に封止樹脂を充填するものである。上記孔はバ
ルブを介して外部につながり、排気側バルブ９は排気ポ
ンプを介して装置内の空気を排気し、０．００１気圧程
度までの減圧が可能である。また、シール部材５は図２
に示すように、半導体素子２のバンプ５と反対側の周縁
部から配線基板１面に密着して設けられており、封止樹
脂が半導体素子表面に漏れることを防止している。な
お、図２はシール部材５を配線基板１の片面の一部に設
けた場合を示しているが、配線基板１の全面に設けて
も、さらに配線基板１の実装面と反対側の面へ回り込ん
で設けても配線基板との密着性が増すため望ましい。シ
ール部材５としては、耐熱性や弾力性に優れ、半導体素
子および配線基板と密着性に優れ減圧漏れが防止され
た、シリコン系ゴム、シリコンゲルまたはフッ素ゴム等
のパッキンが用いられる。また、間隙４を排気した後、
排気バルブを閉じてから封止樹脂を注入することによ
り、均一に注入することができる。また、排気孔と注入
孔は半導体素子の周縁に設けたシール部材において、対
向して設けられることにより均一に樹脂を注入すること
ができ、なるべく離れた位置に設けることによりその効
果が増す。
の半導体装置の製造装置は、配線基板１と半導体素子２
との間隙４を包囲したシール部材５に排気孔７と封止樹
脂注入孔８とが設けられ、配線基板１上に半導体素子２
を、バンプ３を介してフリップチップ実装した際に生じ
る間隙４に封止樹脂を充填するものである。上記孔はバ
ルブを介して外部につながり、排気側バルブ９は排気ポ
ンプを介して装置内の空気を排気し、０．００１気圧程
度までの減圧が可能である。また、シール部材５は図２
に示すように、半導体素子２のバンプ５と反対側の周縁
部から配線基板１面に密着して設けられており、封止樹
脂が半導体素子表面に漏れることを防止している。な
お、図２はシール部材５を配線基板１の片面の一部に設
けた場合を示しているが、配線基板１の全面に設けて
も、さらに配線基板１の実装面と反対側の面へ回り込ん
で設けても配線基板との密着性が増すため望ましい。シ
ール部材５としては、耐熱性や弾力性に優れ、半導体素
子および配線基板と密着性に優れ減圧漏れが防止され
た、シリコン系ゴム、シリコンゲルまたはフッ素ゴム等
のパッキンが用いられる。また、間隙４を排気した後、
排気バルブを閉じてから封止樹脂を注入することによ
り、均一に注入することができる。また、排気孔と注入
孔は半導体素子の周縁に設けたシール部材において、対
向して設けられることにより均一に樹脂を注入すること
ができ、なるべく離れた位置に設けることによりその効
果が増す。
【００１６】まず、図１のように、配線基板１上にバン
プ３を介して半導体素子２を接合して半導体装置を得
る。次に図２のように半導体装置の間隙４の周囲にフィ
レットを形成するための空間６を設け、本実施の形態の
半導体装置の製造装置に設置する。給気側バルブ１０は
閉じておき、排気側バルブ９を開放して排気孔７を通じ
て間隙４を大気圧以下の減圧状態に保持し、配線基板１
の表面または内部、半導体素子２の表面に吸着している
水分や不純物などを除去する。次に給気側バルブ１０を
封止樹脂ディスペンサ１１側へ開放し、注入孔を通じ
て、封止樹脂を大気圧と間隙４内の減圧された圧力との
差圧を利用して封止樹脂を間隙４とフィレットを形成す
るための空間６に充填する。間隙内部の減圧は、高真空
は微少もれを起こしやすくなるので、１気圧未満で０．
００１気圧以上が望ましい。
プ３を介して半導体素子２を接合して半導体装置を得
る。次に図２のように半導体装置の間隙４の周囲にフィ
レットを形成するための空間６を設け、本実施の形態の
半導体装置の製造装置に設置する。給気側バルブ１０は
閉じておき、排気側バルブ９を開放して排気孔７を通じ
て間隙４を大気圧以下の減圧状態に保持し、配線基板１
の表面または内部、半導体素子２の表面に吸着している
水分や不純物などを除去する。次に給気側バルブ１０を
封止樹脂ディスペンサ１１側へ開放し、注入孔を通じ
て、封止樹脂を大気圧と間隙４内の減圧された圧力との
差圧を利用して封止樹脂を間隙４とフィレットを形成す
るための空間６に充填する。間隙内部の減圧は、高真空
は微少もれを起こしやすくなるので、１気圧未満で０．
００１気圧以上が望ましい。
【００１７】本実施の形態において、半導体装置の半導
体素子２と配線基板１の間隙４を減圧状態に保持するこ
とにより、配線基板１の表面や内部、半導体素子２の表
面に吸着している水分、不純物などを除去することがで
き、従来行っている、封止樹脂充填前の配線基板の乾燥
工程を省略できる。また、封止樹脂を大気圧と、減圧さ
れた間隙の圧力との差圧により充填することにより、従
来の毛細管現象により充填する方法よりも、封止樹脂の
粘度や、配線基板や半導体素子と封止樹脂との濡れ性な
どに大きく依存することなく、また配線基板と半導体素
子との間隙が狭かったり、バンプ間距離が短くなり、よ
り高密度になっても充填可能で、充填速度も従来より速
くなり、配線基板と半導体素子間に封止樹脂の未充填部
が残ることが防止される。
体素子２と配線基板１の間隙４を減圧状態に保持するこ
とにより、配線基板１の表面や内部、半導体素子２の表
面に吸着している水分、不純物などを除去することがで
き、従来行っている、封止樹脂充填前の配線基板の乾燥
工程を省略できる。また、封止樹脂を大気圧と、減圧さ
れた間隙の圧力との差圧により充填することにより、従
来の毛細管現象により充填する方法よりも、封止樹脂の
粘度や、配線基板や半導体素子と封止樹脂との濡れ性な
どに大きく依存することなく、また配線基板と半導体素
子との間隙が狭かったり、バンプ間距離が短くなり、よ
り高密度になっても充填可能で、充填速度も従来より速
くなり、配線基板と半導体素子間に封止樹脂の未充填部
が残ることが防止される。
【００１８】なお、複数の本実施の形態の半導体装置の
製造装置を用い、各々の排気孔と各々の注入孔を一個所
で結合することにより、複数の半導体装置の間隙を同時
に排気と充填を行うことができ効率よく製造できる。
製造装置を用い、各々の排気孔と各々の注入孔を一個所
で結合することにより、複数の半導体装置の間隙を同時
に排気と充填を行うことができ効率よく製造できる。
【００１９】実施の形態２．実施の形態１において、さ
らに、給気側バルブ１０は封止樹脂ディスペンサ１１の
他に、コンプレッサ１６や冷却用ガス１５にも接続して
おり、バルブの切り替えにより樹脂の供給と外部からの
加圧、さらには装置内の冷却とが可能となっている。ま
た、上記半導体装置の製造装置にはヒータ１２が内蔵さ
れて、装置全体を加熱することもできる他、冷媒循環経
路１３を備えることにより装置の急冷も可能である。半
導体装置の封止樹脂の加圧硬化に用いる真空加圧硬化装
置は第１種圧力容器であり、装置内の空気を排気して
０．１気圧程度の減圧が可能であり、またガスを封入し
て１０気圧までの加圧が可能である。さらに容器内部に
はヒータを設置して加熱ができ、また冷媒または冷風循
環による冷却機能も備える。
らに、給気側バルブ１０は封止樹脂ディスペンサ１１の
他に、コンプレッサ１６や冷却用ガス１５にも接続して
おり、バルブの切り替えにより樹脂の供給と外部からの
加圧、さらには装置内の冷却とが可能となっている。ま
た、上記半導体装置の製造装置にはヒータ１２が内蔵さ
れて、装置全体を加熱することもできる他、冷媒循環経
路１３を備えることにより装置の急冷も可能である。半
導体装置の封止樹脂の加圧硬化に用いる真空加圧硬化装
置は第１種圧力容器であり、装置内の空気を排気して
０．１気圧程度の減圧が可能であり、またガスを封入し
て１０気圧までの加圧が可能である。さらに容器内部に
はヒータを設置して加熱ができ、また冷媒または冷風循
環による冷却機能も備える。
【００２０】上記実施の形態１のようにして給気側バル
ブ１０を封止樹脂ディスペンサ１１側へ開放し、注入孔
を通じて、封止樹脂を大気圧と減圧された間隙の圧力と
の差圧を利用して封止樹脂を充填した後、封止樹脂をフ
ィレット形成部６まで充填したら排気側バルブ９を閉
じ、給気側バルブ１０をコンプレッサ側に開放し、間隙
４を加圧し、その後加圧しながら加熱して、封止樹脂を
加圧下でゲル化する。封止樹脂の硬化温度において、封
止樹脂および配線基板の揮発成分や水分が蒸発してボイ
ドが発生することを防止するため加圧を行うが、例えば
５〜７気圧程度の圧力で加圧を行う。また、封止樹脂の
加熱は、封止樹脂をゲル化までを行うには７０℃〜１８
０℃程度の加熱が望ましい。必要に応じて、封止樹脂が
ゲル化した後、半導体装置を半導体装置の製造装置から
取り出し、オーブン内で加熱して、必要な硬化物特性が
得られるまで封止樹脂を硬化する。封止樹脂がゲル化し
て取り出した後は、上記装置内に冷媒を流し、装置を急
冷して次のサイクルに備えることにより、生産性を上げ
る。
ブ１０を封止樹脂ディスペンサ１１側へ開放し、注入孔
を通じて、封止樹脂を大気圧と減圧された間隙の圧力と
の差圧を利用して封止樹脂を充填した後、封止樹脂をフ
ィレット形成部６まで充填したら排気側バルブ９を閉
じ、給気側バルブ１０をコンプレッサ側に開放し、間隙
４を加圧し、その後加圧しながら加熱して、封止樹脂を
加圧下でゲル化する。封止樹脂の硬化温度において、封
止樹脂および配線基板の揮発成分や水分が蒸発してボイ
ドが発生することを防止するため加圧を行うが、例えば
５〜７気圧程度の圧力で加圧を行う。また、封止樹脂の
加熱は、封止樹脂をゲル化までを行うには７０℃〜１８
０℃程度の加熱が望ましい。必要に応じて、封止樹脂が
ゲル化した後、半導体装置を半導体装置の製造装置から
取り出し、オーブン内で加熱して、必要な硬化物特性が
得られるまで封止樹脂を硬化する。封止樹脂がゲル化し
て取り出した後は、上記装置内に冷媒を流し、装置を急
冷して次のサイクルに備えることにより、生産性を上げ
る。
【００２１】本実施の形態において、封止樹脂の加熱・
硬化前に加圧することにより、封止樹脂や配線基板内の
揮発成分、水分、封止樹脂の充填時に巻き込んだ空気な
どが封止樹脂中でボイドとなることを抑制できる。さら
に配線基板と半導体素子との間隙の減圧保持、封止樹脂
の大気圧との差圧による充填、封止樹脂の加圧下でのゲ
ル化の工程が本実施の形態の半導体装置の製造装置で全
て行えるため、製造プロセスの簡略化、時間の短縮がで
き、生産性が向上できる。また、加圧下で封止樹脂をゲ
ル化するため、封止樹脂の硬化温度を上げてもボイドの
発生を抑制できることからも、樹脂の硬化時間を短縮で
き、生産性が向上する。
硬化前に加圧することにより、封止樹脂や配線基板内の
揮発成分、水分、封止樹脂の充填時に巻き込んだ空気な
どが封止樹脂中でボイドとなることを抑制できる。さら
に配線基板と半導体素子との間隙の減圧保持、封止樹脂
の大気圧との差圧による充填、封止樹脂の加圧下でのゲ
ル化の工程が本実施の形態の半導体装置の製造装置で全
て行えるため、製造プロセスの簡略化、時間の短縮がで
き、生産性が向上できる。また、加圧下で封止樹脂をゲ
ル化するため、封止樹脂の硬化温度を上げてもボイドの
発生を抑制できることからも、樹脂の硬化時間を短縮で
き、生産性が向上する。
【００２２】実施の形態３．実施の形態１において、給
気側バルブ１０を封止樹脂ディスペンサ１１側へ開放
し、注入孔を通じて、封止樹脂の大気圧と減圧された間
隙の圧力との差圧を利用して封止樹脂を充填する前に、
内蔵されているヒータを加熱して半導体装置を５０℃〜
１４０℃程度に加熱する。本実施の形態によれば、封止
樹脂充填前に半導体装置を加熱することにより、粘度の
高い封止樹脂も粘度を低下させて、配線基板や半導体素
子との濡れ性も向上して、配線基板と半導体素子との間
隙に充填しやすくなり、差圧も手伝って、充填速度が増
し、封止樹脂内部に混入している空気などの排気も容易
となってボイドの発生を抑制し、生産性、信頼性が向上
する。
気側バルブ１０を封止樹脂ディスペンサ１１側へ開放
し、注入孔を通じて、封止樹脂の大気圧と減圧された間
隙の圧力との差圧を利用して封止樹脂を充填する前に、
内蔵されているヒータを加熱して半導体装置を５０℃〜
１４０℃程度に加熱する。本実施の形態によれば、封止
樹脂充填前に半導体装置を加熱することにより、粘度の
高い封止樹脂も粘度を低下させて、配線基板や半導体素
子との濡れ性も向上して、配線基板と半導体素子との間
隙に充填しやすくなり、差圧も手伝って、充填速度が増
し、封止樹脂内部に混入している空気などの排気も容易
となってボイドの発生を抑制し、生産性、信頼性が向上
する。
【００２３】実施の形態４．実施の形態１において、給
気側バルブ１０を封止樹脂ディスペンサ１１側へ開放
し、注入孔を通じて、封止樹脂を充填する場合に、封止
樹脂ディスペンサ１１を外部から加圧して封止樹脂を吐
出し、減圧された間隙の圧力との差圧を利用して封止樹
脂を充填する。封止樹脂を充填して加圧状態を保持した
まま、その後の工程は、実施の形態１と同様に行い、樹
脂封止した半導体装置を得る。封止樹脂の充填圧は、大
気圧以上であればよいが、半導体装置の製造装置の温度
と封止樹脂の粘度、塗布に要する時間とで調整する。本
実施の形態によれば、封止樹脂は大気圧およびこれに加
圧した圧力と、配線基板１と半導体素子２との間隙の減
圧との差圧で充填するため、樹脂の粘度や、配線基板や
半導体素子との濡れ性等に大きく影響されることなく、
短時間で充填でき、かつ未充填がなく、さらに封止樹脂
中に混入している空気も圧縮して、そのまま封止樹脂を
硬化するため、より生産性が高く、半導体装置の信頼性
も高くなる。
気側バルブ１０を封止樹脂ディスペンサ１１側へ開放
し、注入孔を通じて、封止樹脂を充填する場合に、封止
樹脂ディスペンサ１１を外部から加圧して封止樹脂を吐
出し、減圧された間隙の圧力との差圧を利用して封止樹
脂を充填する。封止樹脂を充填して加圧状態を保持した
まま、その後の工程は、実施の形態１と同様に行い、樹
脂封止した半導体装置を得る。封止樹脂の充填圧は、大
気圧以上であればよいが、半導体装置の製造装置の温度
と封止樹脂の粘度、塗布に要する時間とで調整する。本
実施の形態によれば、封止樹脂は大気圧およびこれに加
圧した圧力と、配線基板１と半導体素子２との間隙の減
圧との差圧で充填するため、樹脂の粘度や、配線基板や
半導体素子との濡れ性等に大きく影響されることなく、
短時間で充填でき、かつ未充填がなく、さらに封止樹脂
中に混入している空気も圧縮して、そのまま封止樹脂を
硬化するため、より生産性が高く、半導体装置の信頼性
も高くなる。
【００２４】実施の形態５．実施の形態１のようにして
減圧された間隙の圧力と大気圧との差圧を利用して封止
樹脂を充填し、その後半導体装置を製造装置から取り出
し、別の加圧硬化炉に入れ、加圧状態を保持したまま、
樹脂の硬化温度まで加熱して封止樹脂をゲル化する。必
要であれば、樹脂のゲル化後もそのまま加熱を続け、必
要な硬化物特性を得る。本実施の形態によれば、配線基
板１と半導体素子２との間隙を差圧で充填する工程と、
治具から取り出して、封止樹脂を加圧ゲル化する工程と
を分けて進めることにより、封止樹脂のゲル化、硬化を
バッチ処理することができ、生産性を向上することがで
きる。
減圧された間隙の圧力と大気圧との差圧を利用して封止
樹脂を充填し、その後半導体装置を製造装置から取り出
し、別の加圧硬化炉に入れ、加圧状態を保持したまま、
樹脂の硬化温度まで加熱して封止樹脂をゲル化する。必
要であれば、樹脂のゲル化後もそのまま加熱を続け、必
要な硬化物特性を得る。本実施の形態によれば、配線基
板１と半導体素子２との間隙を差圧で充填する工程と、
治具から取り出して、封止樹脂を加圧ゲル化する工程と
を分けて進めることにより、封止樹脂のゲル化、硬化を
バッチ処理することができ、生産性を向上することがで
きる。
【００２５】
【実施例】実施例１〜９．表１に示すように、比較的粘
度が低くて配線基板との濡れ性がよく注入性に優れた封
止樹脂Ａと、比較的粘度が高くて配線基板との濡れ性が
悪く注入性に劣る封止樹脂Ｂを用い、実施の形態１〜６
に従って表２に示す条件で、半導体素子を配線基板に実
装し、間隙部に封止樹脂を充填して硬化した。得られた
特性を表２に合わせて記載する。
度が低くて配線基板との濡れ性がよく注入性に優れた封
止樹脂Ａと、比較的粘度が高くて配線基板との濡れ性が
悪く注入性に劣る封止樹脂Ｂを用い、実施の形態１〜６
に従って表２に示す条件で、半導体素子を配線基板に実
装し、間隙部に封止樹脂を充填して硬化した。得られた
特性を表２に合わせて記載する。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】
【００２８】比較例１〜３．図１に示すように、配線基
板１上の所定の接続端子と半導体素子２上の所定の接続
端子とをバンプを介して電気的に接合した半導体装置
を、まずオーブンに入れ、配線基板や半導体素子の表面
や内部に吸着している揮発性物質や水分を乾燥させる。
オーブンから取り出して所定時間内に、加熱したステー
ジ上に設置し、半導体素子の縁にそってディスペンスを
走らせて、Ｌ字状に上記実施例で用いたと同様の樹脂を
塗布する。塗布された封止樹脂は毛細管現象により配線
基板と半導体素子との間隙に充填される。配線基板と半
導体素子との間隙全体に封止樹脂が充填されると、ディ
スペンスで半導体素子全辺に封止樹脂を塗布してフィレ
ットを形成する。しかる後にオーブン中にて所定温度で
常圧で封止樹脂を硬化する。必要に応じてさらにオーブ
ン内で加熱し、必要な硬化物物性を得る。なお、上記樹
脂の充填条件と得られた特性を表２に示す。
板１上の所定の接続端子と半導体素子２上の所定の接続
端子とをバンプを介して電気的に接合した半導体装置
を、まずオーブンに入れ、配線基板や半導体素子の表面
や内部に吸着している揮発性物質や水分を乾燥させる。
オーブンから取り出して所定時間内に、加熱したステー
ジ上に設置し、半導体素子の縁にそってディスペンスを
走らせて、Ｌ字状に上記実施例で用いたと同様の樹脂を
塗布する。塗布された封止樹脂は毛細管現象により配線
基板と半導体素子との間隙に充填される。配線基板と半
導体素子との間隙全体に封止樹脂が充填されると、ディ
スペンスで半導体素子全辺に封止樹脂を塗布してフィレ
ットを形成する。しかる後にオーブン中にて所定温度で
常圧で封止樹脂を硬化する。必要に応じてさらにオーブ
ン内で加熱し、必要な硬化物物性を得る。なお、上記樹
脂の充填条件と得られた特性を表２に示す。
【００２９】表２に示すように、配線基板と半導体素子
との間隙を減圧状態に保持することにより、配線基板や
半導体素子の表面に吸着している水分や揮発成分を、樹
脂封止する前にあらかじめ除去することができるため、
従来封止樹脂中のボイド抑制のため行っていた配線基板
の乾燥工程を省略することができる。また、配線基板と
半導体素子との間隙のみを減圧状態に保持して、差圧を
利用して封止樹脂を充填するので、封止樹脂の粘度や、
配線基板やチップ表面と封止樹脂との濡れ性に制限され
ることなく、配線基板と半導体素子との間隙がさらに狭
くなっても、またバンプ間ピッチが狭くなっていって
も、封止樹脂の未充填がなく（封止樹脂Ａ、Ｂに差な
し）、低温での充填も可能で、充填速度が増大し、充填
時間を大幅に短縮することができる。さらに外部から加
圧し、加圧状態を保持したまま樹脂の硬化温度まで加熱
し、封止樹脂を硬化させることにより、配線基板などの
部材や封止樹脂からの揮発成分の発生を抑えるのでクリ
ーンな環境を保持できると同時に、封止樹脂充填時に巻
き込んだ空気や部材に吸着しているガスや水分などが、
硬化温度において封止樹脂中でボイドとなるのを抑える
ことができる。また加圧に不活性ガスを用いた場合、半
導体装置の酸化劣化を防ぐことができる。さらに硬化温
度を上げて封止樹脂のゲル化時間を短縮できる。その結
果半導体装置の生産性と信頼性を高くすることが可能と
なる。
との間隙を減圧状態に保持することにより、配線基板や
半導体素子の表面に吸着している水分や揮発成分を、樹
脂封止する前にあらかじめ除去することができるため、
従来封止樹脂中のボイド抑制のため行っていた配線基板
の乾燥工程を省略することができる。また、配線基板と
半導体素子との間隙のみを減圧状態に保持して、差圧を
利用して封止樹脂を充填するので、封止樹脂の粘度や、
配線基板やチップ表面と封止樹脂との濡れ性に制限され
ることなく、配線基板と半導体素子との間隙がさらに狭
くなっても、またバンプ間ピッチが狭くなっていって
も、封止樹脂の未充填がなく（封止樹脂Ａ、Ｂに差な
し）、低温での充填も可能で、充填速度が増大し、充填
時間を大幅に短縮することができる。さらに外部から加
圧し、加圧状態を保持したまま樹脂の硬化温度まで加熱
し、封止樹脂を硬化させることにより、配線基板などの
部材や封止樹脂からの揮発成分の発生を抑えるのでクリ
ーンな環境を保持できると同時に、封止樹脂充填時に巻
き込んだ空気や部材に吸着しているガスや水分などが、
硬化温度において封止樹脂中でボイドとなるのを抑える
ことができる。また加圧に不活性ガスを用いた場合、半
導体装置の酸化劣化を防ぐことができる。さらに硬化温
度を上げて封止樹脂のゲル化時間を短縮できる。その結
果半導体装置の生産性と信頼性を高くすることが可能と
なる。
【００３０】
【発明の効果】本発明の第１の半導体装置の製造装置
は、配線基板上に半導体素子を、バンプを介してフリッ
プチップ実装することによって上記配線基板と半導体素
子との間に生じる間隙に封止樹脂を充填する半導体装置
の製造装置であって、上記半導体素子のバンプの反対側
の周縁部から配線基板面にかけて、上記間隙を包囲する
ように設けたシール部材、上記シール部材に設けられ、
上記間隙に封止樹脂を注入する封止樹脂注入孔、および
上記シール部材に上記封止樹脂注入孔に対向して設けら
れ、上記間隙を排気して減圧する排気孔を備えたもの
で、工程の簡略化と封止時間の短縮が可能で、配線基板
と半導体素子との間隙、バンプ間ピッチが狭くなる等封
止条件に変化があっても、封止樹脂の未充填や封止樹脂
への空気の巻き込みが防止されるという効果がある。
は、配線基板上に半導体素子を、バンプを介してフリッ
プチップ実装することによって上記配線基板と半導体素
子との間に生じる間隙に封止樹脂を充填する半導体装置
の製造装置であって、上記半導体素子のバンプの反対側
の周縁部から配線基板面にかけて、上記間隙を包囲する
ように設けたシール部材、上記シール部材に設けられ、
上記間隙に封止樹脂を注入する封止樹脂注入孔、および
上記シール部材に上記封止樹脂注入孔に対向して設けら
れ、上記間隙を排気して減圧する排気孔を備えたもの
で、工程の簡略化と封止時間の短縮が可能で、配線基板
と半導体素子との間隙、バンプ間ピッチが狭くなる等封
止条件に変化があっても、封止樹脂の未充填や封止樹脂
への空気の巻き込みが防止されるという効果がある。
【００３１】本発明の第２の半導体装置の製造装置は、
上記第１の半導体装置の製造装置において、封止樹脂を
加圧する加圧手段を備えたもので、封止樹脂中のボイド
の発生が防止されるという効果がある。
上記第１の半導体装置の製造装置において、封止樹脂を
加圧する加圧手段を備えたもので、封止樹脂中のボイド
の発生が防止されるという効果がある。
【００３２】本発明の第３の半導体装置の製造装置は、
上記第１または第２の半導体装置の製造装置において、
封止樹脂を加熱する加熱手段を備えたもので、粘度の高
い封止樹脂を用いることができる。
上記第１または第２の半導体装置の製造装置において、
封止樹脂を加熱する加熱手段を備えたもので、粘度の高
い封止樹脂を用いることができる。
【００３３】本発明の第１の半導体装置の製造方法は、
配線基板上に半導体素子を、バンプを介してフリップチ
ップ実装することによって上記配線基板と半導体素子と
の間に生じる間隙に封止樹脂を充填する半導体装置の製
造方法において、上記第１ないし第３のいずれかの半導
体装置の製造装置を配線基板と半導体素子に密着させ
て、排気孔から間隙を排気して減圧する工程、および封
止樹脂注入孔から封止樹脂を充填する工程を施す方法
で、工程を簡略化と封止時間の短縮が可能で、配線基板
と半導体素子との間隙、バンプ間ピッチが狭くなる等封
止条件に変化があっても、封止樹脂の未充填や封止樹脂
への空気の巻き込みが防止されるという効果がある。
配線基板上に半導体素子を、バンプを介してフリップチ
ップ実装することによって上記配線基板と半導体素子と
の間に生じる間隙に封止樹脂を充填する半導体装置の製
造方法において、上記第１ないし第３のいずれかの半導
体装置の製造装置を配線基板と半導体素子に密着させ
て、排気孔から間隙を排気して減圧する工程、および封
止樹脂注入孔から封止樹脂を充填する工程を施す方法
で、工程を簡略化と封止時間の短縮が可能で、配線基板
と半導体素子との間隙、バンプ間ピッチが狭くなる等封
止条件に変化があっても、封止樹脂の未充填や封止樹脂
への空気の巻き込みが防止されるという効果がある。
【００３４】本発明の第２の半導体装置の製造方法は、
上記第１の半導体装置の製造方法において、排気する工
程後、封止樹脂を充填する工程を施す方法で、均一に樹
脂を充填できるという効果がある。
上記第１の半導体装置の製造方法において、排気する工
程後、封止樹脂を充填する工程を施す方法で、均一に樹
脂を充填できるという効果がある。
【００３５】本発明の第３の半導体装置の製造方法は、
上記第１の半導体装置の製造方法において、封止樹脂
を、大気圧と減圧された間隙の圧力との差圧により充填
する方法で、工程を簡略化と封止時間の短縮が可能で、
配線基板と半導体素子との間隙、バンプ間ピッチが狭く
なる等封止条件に変化があっても、封止樹脂の未充填が
防止されるという効果がある。
上記第１の半導体装置の製造方法において、封止樹脂
を、大気圧と減圧された間隙の圧力との差圧により充填
する方法で、工程を簡略化と封止時間の短縮が可能で、
配線基板と半導体素子との間隙、バンプ間ピッチが狭く
なる等封止条件に変化があっても、封止樹脂の未充填が
防止されるという効果がある。
【００３６】本発明の第４の半導体装置の製造方法は、
上記第１の半導体装置の製造方法において、封止樹脂
を、加圧と減圧された間隙の圧力との差圧により充填す
る方法で、特に充填時間が短縮されるという効果があ
る。
上記第１の半導体装置の製造方法において、封止樹脂
を、加圧と減圧された間隙の圧力との差圧により充填す
る方法で、特に充填時間が短縮されるという効果があ
る。
【００３７】本発明の第５の半導体装置の製造方法は、
上記第１ないし第４のいずれかの半導体装置の製造方法
において、間隙の封止樹脂を加圧しながら硬化する工程
を施す方法で、特にボイドの発生を抑制するという効果
がある。
上記第１ないし第４のいずれかの半導体装置の製造方法
において、間隙の封止樹脂を加圧しながら硬化する工程
を施す方法で、特にボイドの発生を抑制するという効果
がある。
【００３８】本発明の第６の半導体装置の製造方法は、
上記第１ないし第４のいずれかの半導体装置の製造方法
において、間隙の封止樹脂をバッチ処理で硬化する工程
を施す方法で、特に生産性が向上するという効果があ
る。
上記第１ないし第４のいずれかの半導体装置の製造方法
において、間隙の封止樹脂をバッチ処理で硬化する工程
を施す方法で、特に生産性が向上するという効果があ
る。
【図１】 一般的な半導体装置を示す構成図である。
【図２】 図１の半導体装置を本発明の実施の形態の半
導体装置の製造装置に設置した状態を示す構成図であ
る。
導体装置の製造装置に設置した状態を示す構成図であ
る。
１ 配線基板、２ 半導体素子、３ バンプ、４ シー
ル部材、５ 間隙、７排気孔、８ 封止樹脂注入孔、１
４ 加圧手段。
ル部材、５ 間隙、７排気孔、８ 封止樹脂注入孔、１
４ 加圧手段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡 誠次 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 藤岡 弘文 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 DB07 5E314 AA39 AA40 BB06 CC01 EE01 FF01 FF21 FF27 GG24 5F044 LL11 RR19 5F061 AA01 BA04 CA05
Claims (9)
- 【請求項１】 配線基板上に半導体素子を、バンプを介
してフリップチップ実装することによって上記配線基板
と半導体素子との間に生じる間隙に封止樹脂を充填する
半導体装置の製造装置であって、上記半導体素子のバン
プの反対側の周縁部から配線基板面にかけて、上記間隙
を包囲するように設けたシール部材、上記シール部材に
設けられ、上記間隙に封止樹脂を注入する封止樹脂注入
孔、および上記シール部材に上記封止樹脂注入孔に対向
して設けられ、上記間隙を排気して減圧する排気孔を備
えた半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】 封止樹脂を加圧する加圧手段を備えたこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装
置。 - 【請求項３】 封止樹脂を加熱する加熱手段を備えたこ
とを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体
装置の製造装置。 - 【請求項４】 配線基板上に半導体素子を、バンプを介
してフリップチップ実装することによって上記配線基板
と半導体素子との間に生じる間隙に封止樹脂を充填する
半導体装置の製造方法において、請求項１ないし請求項
３のいずれかに記載の半導体装置の製造装置を配線基板
と半導体素子に密着させて、排気孔から上記間隙を排気
して減圧する工程、および封止樹脂注入孔から封止樹脂
を充填する工程を施す半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 排気する工程後、封止樹脂を充填する工
程を施すことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項６】 封止樹脂を、大気圧と減圧された間隙の
圧力との差圧により充填することを特徴とする請求項４
に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 封止樹脂を、大気圧およびこれに加圧し
た圧力と減圧された間隙の圧力との差圧により充填する
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項８】 間隙の封止樹脂を加圧しながら硬化する
工程を施すことを特徴とする請求項４ないし請求項７の
いずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 間隙の封止樹脂をバッチ処理で硬化する
工程を施すことを特徴とする請求項４ないし請求項７の
いずれかに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001032076A JP2002237496A (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001032076A JP2002237496A (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002237496A true JP2002237496A (ja) | 2002-08-23 |
Family
ID=18896064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001032076A Pending JP2002237496A (ja) | 2001-02-08 | 2001-02-08 | 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002237496A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012959A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多段電子部品の製造方法 |
| JP2008192947A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Apic Yamada Corp | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
| JP2010232671A (ja) * | 2010-06-03 | 2010-10-14 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置のアンダーフィル充填方法 |
| CN111370322A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-03 | 江苏海莱新创医疗科技有限公司 | 将片或板状电子元器件密封的固定于基体上方法 |
| CN113645759A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-11-12 | 维沃移动通信有限公司 | 电路板组件、电子设备和电路板组件的加工方法 |
| CN113784500A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-12-10 | 维沃移动通信有限公司 | 电路板结构及其制作方法 |
-
2001
- 2001-02-08 JP JP2001032076A patent/JP2002237496A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012959A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多段電子部品の製造方法 |
| JP4556788B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2010-10-06 | パナソニック株式会社 | 多段電子部品の製造方法 |
| JP2008192947A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Apic Yamada Corp | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
| JP2010232671A (ja) * | 2010-06-03 | 2010-10-14 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置のアンダーフィル充填方法 |
| CN111370322A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-03 | 江苏海莱新创医疗科技有限公司 | 将片或板状电子元器件密封的固定于基体上方法 |
| CN111370322B (zh) * | 2020-03-24 | 2022-04-01 | 江苏海莱新创医疗科技有限公司 | 将片或板状电子元器件密封的固定于基体上的方法 |
| CN113645759A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-11-12 | 维沃移动通信有限公司 | 电路板组件、电子设备和电路板组件的加工方法 |
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