JP2002236286A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
ラックマスクやカラーフィルターとして併用することが
可能な液層表示装置を提供する。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板1に、ゲート
信号線2、付加容量電極3、半導体層5、チャネル保護
層6、TFT7、ドレイン信号線12、ソース信号線1
3を形成する。この上に、層間絶縁膜となる有色有機フ
ィルム14を形成する。この有色有機フィルム14は、
赤色フィルム片14R、緑色フィルム片14G、青色フ
ィルム片14Blue、及び遮光性フィルム片14Black
から構成される。更に、コンタクトホール16を形成
し、画素電極15をコンタクトホール16を介してドレ
イン信号線12に接続する。この画素電極15上に配向
膜(図示せず)を形成する。一方、対向基板17の下側
面には、感光性カラーレジスト膜18、対向電極19及
び配向膜(図示せず)を順次積層する。
Description
う液晶表示装置に関する。
2に示す。この図から明らかな様に、各ソース信号線1
01と各ゲート信号線102を直交させ、それぞれの交
差部位に各画素103を設け、これらの画素103をマ
トリクス状に配列している。各画素103は、薄膜トラ
ンジスタ104(以下TFTと称す)と、このTFT1
04のドレインに接続された画素容量105及び付加容
量106を有する。これらの画素103の画素容量10
5は、容量配線107を通じて液晶表示装置の対向電極
(図示せず)に接続されている。
されており、これらの列毎に、1列の各TFT104の
ソースをソース信号線101に接続している。また、各
TFT104は、水平方向の各列に区別されており、こ
れらの列毎に、1列の各TFT104のゲートをゲート
信号線102に接続している。
号線102を順次アクティブに設定し、その度に、水平
方向1列の各TFT104をオンにしている。また、1
列の各TFT104がオンとなる度に、映像信号を各ソ
ース信号線101に割り当てて伝送し、この映像信号を
該列の各TFT104の画素容量105に書き込む。こ
れによって、表示画面上の一映像分の映像信号がマトリ
クス状の全ての各画素容量105に割り当てて書き込ま
れ、この一映像が表示される。
素を拡大して示している。また、図14は、図13の
C’−Cに沿い破断して示す断面図である。
素は、TFT104、付加容量電極113及び矩形の画
素電極114等を有する。画素電極114の上下両端に
沿って、それぞれのゲート信号線102を配置し、画素
電極114の左右両端に沿って、それぞれのソース信号
線101を配置している。
置においては、アクティブマトリクス基板116上に、
ゲート信号線102並びに付加容量電極113(図14
に示さず)を形成し、この上にゲート絶縁膜117を形
成する。この後、半導体層118及びチャネル保護層1
19を形成し、TFT104のソース及びドレインとな
るn+Si層120を形成し、ITO膜を成膜してパタ
ーニングすることにより、ドレイン信号線112及びソ
ース信号線101を形成する。そして、層間絶縁膜12
1を積層し、この層間絶縁膜121にコンタクトホール
122を形成してから、ITO膜をパターニングしてな
る画素電極114を形成し、この画素電極114をコン
タクトホール122を介してドレイン信号線112に接
続している。更に、この画素電極114上に配向膜12
3を形成し、この配向膜123にラビング処理を施す。
性カラーレジスト膜126、対向電極127及び配向膜
128を順次積層する。
及び対向基板125を対向配置し、これらの間に液晶層
124を注入して、この液晶層124を保持する。
101並びに各ゲート信号線102と各画素電極114
間に、層間絶縁膜121を介在させているので、各信号
線101,102と各画素電極114をオーバーラップ
させることができ、このために画素の開口率を向上させ
たり、各信号線に起因する電界を遮蔽して、液晶の配向
不良を抑制することが可能となる(特開昭58−172
685号公報を参照)。
スト膜126を設ける代わりに、層間絶縁膜121をブ
ラックマスクやカラーフィルタとして併用し、これらを
アクティブマトリクス基板116に一体的に形成するこ
とができる(特開平6−242433号公報を参照)。
この場合、ブラックマスクやカラーフィルタを対向基板
125側に設けるのと比較すると、アクティブマトリク
ス基板116と対向基板125の貼り合わせのときに、
アライメント誤差を考慮する必要が無くなり、更には開
口率を向上させることも可能となる。
置の各画素のカラーフィルターを形成するには、一般的
に、染色法、電着法及び顔料分散法等を適用するが、染
色法並びに電着法の場合は、カラーフィルターの耐色性
が劣り、色あせが発生し易い。また、顔料分散法の場合
は、成膜時にスピン塗布法を適用するため、原材料の無
駄が発生し易く、カラーフィルターの低価格化の点で改
善の余地がある。
層間絶縁膜121をブラックマスクやカラーフィルター
として併用する場合も、同様のことが言える。その上、
画素の全容量(画素容量と付加容量の和)に書き込まれ
た電位を一定時間(フレーム周期に略相当する)保持せ
ねばならないので、TFT104上にもブラックマトリ
クスを配置して、このTFT104のフォトコンダクタ
ンスを抑える必要があり、このブラックマトリクスによ
って層間絶縁膜121に含まれるTFT104の特性が
損なわれてはならないことから、この層間絶縁膜121
には、カラーフィルター単体のものと比較すると、絶縁
性及び非分極特性の点で厳しい性能が求められる。
マスクやカラーフィルターとして併用する場合は、染色
法並びに電着法の適用がより困難であり、顔料分散法を
適用するにしても、顔料の選択や顔料によるアクティブ
マトリクス基板の汚染に対して十分に慎重でなければな
らない。
の縁がゲート信号線102とオーバーラップするので、
これらの間の容量による画素容量の電位の引き込みが大
きくなる。一方、顔料分散法に基づくスピン塗布法を適
用した場合には、層間絶縁膜121の膜厚制御が困難で
あって、アクティブマトリクス基板116が大型化する
程(画面の大型化)、この膜厚制御が極めて困難にな
り、層間絶縁膜121の膜厚にむらが発生する。そし
て、この層間絶縁膜121の膜厚の均一性が十分でない
と、画素電極114の縁とゲート信号線102間の容量
による画素容量の電位の引き込みも均一でなくなって、
液晶層の一部分には大きな直流成分が加わり、その部分
で表示品位や信頼性を著しく損なう。
101とオーバーラップする場合は、画素電極114と
ソース信号線101間の容量が大きくなり、ソース信号
線101の映像信号が該容量を通じて画素容量の電位に
作用して、この画素容量の電位が変動する。つまり、こ
のソース信号線101に沿ってクロストークが発生し、
その結果表示画面上でライン状のノイズが現れる。
スクやカラーフィルターとして併用する場合は、層間絶
縁膜121に対して縁性及び非分極特性の点で厳しい性
能が求められるために、染色法並びに電着法の適用が非
常に困難であって、顔料分散法を適用するしかないもの
の、この顔料分散法の場合は、層間絶縁膜121の膜厚
制御が困難であって、様々な制約を招いた。
課題を解決するものであって、表示品質の低下を招かず
に、層間絶縁膜をブラックマスクやカラーフィルターと
して併用することが可能な液層表示装置を提供すること
を目的とする。
るために、この発明は、請求項1に記載の様にアクティ
ブマトリクス基板と、このアクティブマトリクス基板に
対向配置された対向基板と、アクティブマトリクス基板
と対向基板間に介在する液晶層とを備え、アクティブマ
トリクス基板上に、制御信号を伝送する各ゲート信号線
と映像信号を伝送する各ソース信号線を交差させて形成
し、これらの信号線の交差部位に各スイッチング素子を
割り当ててマトリクス状に配列すると共に、これらの信
号線に各スイッチング素子を接続し、各スイッチング素
子及び各信号線上に、層間絶縁膜を形成し、この層間絶
縁膜上に、各画素電極をマトリクス状に形成した液晶表
示装置において、層間絶縁膜として有色有機フィルムを
適用し、この有色有機フィルムをラミネート法によって
貼着してなる。
ムをラミネート法によって貼着して、層間絶縁膜を形成
するので、均一な厚みの層間絶縁膜を得ることができ
る。したがって、層間絶縁膜の厚みのむらに起因する様
々な問題が解決される。
くなっても、これに合わせて、有色有機フィルムの大き
さを変更するだけで良く、層間絶縁膜の厚みの均一性を
一切損なわずに済む。
先に述べた様にアクティブマトリクス基板が大きくなる
程、むらが発生し易く、層間絶縁膜の膜厚制御が困難と
なる。また、顔料分散法に基づくスピン塗布法では、成
膜時に、材料の軟度を確保するために、この材料に一定
の水分を含めておく必要があって、成膜後のベーク処理
によって、層間絶縁膜が乾燥すると、膜厚が変化してし
まう。
フィルムを適用すれば、均一な膜厚を容易に実現するこ
とができる。また、ドライフィルムであって、微小程度
まで重合が進行しているフィルムを適用すれば、バイン
ダ含有量を小さくしておけることから、ベーク処理を施
しても、膜厚が殆ど変化せずに済む。
は、感光性を有し、この有色有機フィルムをラミネート
法によって貼着してから、露光及び現像によって該有色
有機フィルムのパターニングを行う。
性に優れ、コストの低減を図ることができる。
機フィルムをラミネート法によって貼着してから、フォ
トレジストの形成、露光及び現像、この有色有機フィル
ムのエッチングによって該有色有機フィルムのパターニ
ングを行う。
機フィルムを高精度で加工することが可能となる。
法によって貼着してからパターニングする方法と、従来
の顔料分散法に基づくスピン塗布法を比較すると、従来
の場合は、樹脂材料を極めて広い範囲で塗布し、この塗
布した樹脂材料のうち層間絶縁膜としてアクティブマト
リクス基板上に残されるものの割合が少なく、製造コス
トが高いのに対して、この発明の場合は、無駄となる材
料が少なく、製造コストを低くすることができる。
は、例えば各原色フィルム片をマトリクス状に配列した
ものである。これらの原色フィルム片は、各原色に着色
されたそれぞれの透過性有機フィルムをラミネート法に
よって貼着してからパターニングしてなる。
カラーフィルターとしての役目を果たし、各透過性有機
フィルムをラミネート法によって貼着してからパターニ
ングして形成される。
は、各遮光性フィルム片を更に含む。これらの遮光性フ
ィルム片は、遮光性を有する遮光性有機フィルムをラミ
ネート法によって貼着してからパターニングしてなる。
トリクスとしての役目を果たす。例えば、有色有機フィ
ルムの各原色フィルム片は、各画素の境界(例えば各ソ
ース信号線の上方)で境目を有しており、この境目のパ
ターニングの精度が十分でなかったり、各原色フィルム
片の縁のテーパー角度制御が困難なときには、この境目
で、層間絶縁膜の厚さを十分に確保することができず、
光漏れを生じることがある。この様な場合には、各原色
フィルム片の境目に各遮光性フィルム片を配置する。
ルム片の境目に各遮光性フィルム片を配置する代わり
に、各原色フィルム片を各画素の境界で重ね合わせても
構わない。この場合、異なる各色に着色された各原色フ
ィルム片を重ねるので、これらの原色フィルム片が重な
る部分に遮光性を生じ、各画素の境界で光漏れを生じな
い。
原色フィルム片を赤、緑、青に着色し、これらの原色フ
ィルム片を各画素に重ね、これらの画素を除く部分に各
遮光フィルム片を重ねる。また、反射型液晶表示装置、
もしくは補色を用いる必要がある場合は、赤、緑、青の
代わりに、各原色フィルム片をシアン、マゼンダ、イエ
ローに着色する。また、例えば3枚の液層ライトバルブ
を用いたプロジェクション表示装置においても、シア
ン、マゼンダ、イエローを採用し、3枚の液層ライトバ
ルブ毎に、有色有機フィルムを単色の透過性有機フィル
ムから形成するか、又は有色有機フィルムを単色の透過
性有機フィルム及び遮光性フィルムから形成する。
を形成するために、遮光性有機フィルムをラミネート法
によって貼着してから、アクティブマトリクス基板に対
する表面からのパターン露光、及び裏面からの一括露光
を施す。
括露光によって、光漏れを生じる全ての部分で、各遮光
性フィルムを形成することができる。
えばITO)を適用した場合は、請求項8に記載の様
に、ソース信号線の上方に配置される遮光性フィルム片
をパターニングするために、遮光性有機フィルムをラミ
ネート法によって貼着してから、アクティブマトリクス
基板に対する裏面からの一括露光を施せば良い。
色有機フィルムと、感光性を有するオーバーコートフィ
ルムからなり、有色有機フィルム上に、オーバーコート
フィルムをラミネート法によって貼着してから、露光及
び現像によって該オーバーコートフィルムのパターニン
グを行う。
性に優れ、コストの低減を図ることができる。
有色有機フィルムと、オーバーコートフィルムからな
り、有色有機フィルム上に、オーバーコートフィルムを
ラミネート法によって貼着してから、フォトレジストの
形成、露光及び現像、このオーバーコートフィルムのエ
ッチングによって該オーバーコートフイルムのパターニ
ングを行う。
フィルムを高精度で加工することが可能となる。
膜上に形成されるので、この層間絶縁膜の凹凸を覆い隠
し、その表面が平滑となる。このため、オーバーコート
フィルム上の画素電極が切れ難くなって、不良の発生率
が低減する。
びブラックマトリクスとしての役目ばかりでなく、絶縁
膜としての役目を十分に果たし、画素電極と、各ソース
信号線及び各ゲート信号線間の容量を十分に減少させ
る。
ム並びにオーバーコートフィルムを形成してから、フォ
トレジストの形成、露光及び現像、有色有機フィルム並
びにオーバーコートフィルムのエッチングによって、コ
ンタクトホールを形成する。
有機フィルム並びにオーバーコートフィルムを形成して
から、ベーク処理を施し、この後にフォトレジストの形
成、露光及び現像、有色有機フィルム並びにオーバーコ
ートフィルムのエッチングによって、コンタクトホール
を形成する。
コートフィルムのエッチングを施すと、有色有機フィル
ムのベーク処理が事前に行われていても、有色有機フィ
ルムとオーバーコートフィルム間でエッチングレートの
差を小さくすることができる。
ルを付加容量の付加容量電極に重なる部位に設けるのが
好ましい。このコンタクトホールの部位では、カラーフ
ィルター及びブラックマトリクスの機能が果たされない
ので、このコンタクトホールを通過する光は、表示画面
の表示を損なう。このため、この光を付加容量電極によ
って遮断する。また、液晶層に接する面には、コンタク
トホールを原因とする凹凸が形成され、この凹凸によっ
て液晶分子の配列が乱され、リバースティルトドメイン
が発生するものの、このドメインの発生部分が付加容量
電極によって覆い隠されるので、このドメインの発生部
分が表示画面上で視認されることはなく、この表示画面
のコントラストが低下せずに済む。
ルのテーパー角度を45度以下に設定すれば、層間絶縁
膜の表面が滑らかとなるので、画素電極が切れ難くな
る。
ルの内周壁をオーバーコートフィルムによって覆えば、
コンタクトホールの内周壁を滑らかにすることができ
る。
タクトホールの内周壁に、有色有機フィルムの端面、及
びオーバーコートフィルムの端面を露出させ手も良い。
ただし、この場合は、各フィルムの端面間で段差が生じ
ない様にする。
ス信号線をオーバーラップさせ、このオーバーラップの
幅を1μm以上に設定し、ゲート信号線に沿って配列さ
れた1列の各スイッチング素子に対して各ソース信号線
の映像信号が供給されると、次のゲート信号線に沿って
配列された1列の各スイッチング素子に対しては各ソー
ス信号線の映像信号の極性を反転して供給し、各ゲート
信号線毎に、各ソース信号線の映像信号の極性を繰り返
して反転しても良い。
容量を通じて、ソース信号線の映像信号が画素容量の電
位に作用したとしても、この映像信号の極性が頻繁に変
わるので、画素容量の電位の変動が緩和される。つま
り、このソース信号線に沿って発生するクロストークが
抑制される。
画素電極による画素容量と付加容量電極による付加容量
の和に対する該画素電極とソース信号線間の容量の割合
が10パーセント以下であると、先のクロストークの影
響が緩和され、良好な表示品質が得られる。
さが2μm以上であれば、先の画素容量と付加容量の和
に対する該画素電極とソース信号線間の容量の割合を1
0パーセント以下に収めることができる。
図面を参照して説明する。
施形態における画素を拡大して示している。また、図2
は、図1のA’−Aに沿い破断して示す断面図である。
この様な液晶表示装置をその製造方法と共に次ぎに述べ
る。
ート信号線2並びに付加容量電極3を形成し、この上に
ゲート絶縁膜4を形成する。この後、半導体層5及びチ
ャネル保護層6を形成し、TFT7のソース及びドレイ
ンとなるn+Si層8を形成する。
に示す従来のものと同様である。
タ法によって形成し、これらをパターニングすることに
より、ドレイン信号線12及びソース信号線13を形成
する。ソース信号線13を金属層及びITO膜の二重構
造にすることによって、金属層及びITO膜のいずれか
一方に欠損があっても、この欠損を他方によって補うこ
とができるので、このソース信号線13の断線率を低下
させることができる。
に従って、層間絶縁膜、つまり有色有機フィルム14を
構成する赤色フィルム片14R、緑色フィルム片14
G、青色フィルム片14Blue、及び遮光性フィルム片
14Blackを順次形成する。
ルムであって、赤色の顔料が分散され、感光性(ネガ
型)を有する厚さ3μmの透過性有機フィルム21をラ
ミネート法によって貼着し、保護フィルム22を剥離し
てから、赤色を表示する画素からコンタクトホール16
及びTFT7を除いた部分だけを露光し、クッション層
23を現像して、この赤色の透過性有機フィルム21を
アルカリ性の溶液によって現像し、赤色の画素を覆う赤
色フィルム片14Rを形成し、250℃でベーク処理を
施す。
3μm(後で述べる様に少なくとも2μm以上を必要と
する)に設定されている。また、画素電極15を形成す
るITO膜がコンタクトホール16の段差部分で切れ易
いので、このコンタクトホール16のテーパー角度を4
5度となる様に制御し、このコンタクトホール16の内
周面を緩やかなテーパー形状にしている。これによっ
て、後で形成される画素電極15がコンタクトホール1
6の段差部位で切れない様にしている。
ー法によるパターニングのときに、十分に重合しきれな
かった反応基を熱重合させて、液晶表示装置の表示中に
有色有機フィルム14から不純物が液晶層や半導体層に
溶出して、故障や表示品位の低下を招かない様にする意
味合いがあるほか、焼き締めの効果によって、有色有機
フィルム14と下地の密着性を増す狙いがある。250
℃のベーク処理では、顔料の退色も殆どなく、a−Si
に対する影響もない。
性を有する厚さ3μmの緑色の透過性有機フィルムをラ
ミネート法によって貼着し、保護フィルムを剥離してか
ら、緑色を表示する画素からコンタクトホール16及び
TFT7を除いた部分だけを露光し、クッション層を現
像し、この緑色の透過性有機フィルムをアルカリ性の溶
液によって現像し、緑色の画素を覆う緑色フィルム片1
4Gを形成し、ベーク処理を施す。
有する厚さ3μmの青色の透過性有機フィルムをラミネ
ート法によって貼着し、保護フィルムを剥離し、露光及
び現像を行って、青色の画素を覆う青色フィルム片14
Blueを形成し、ベーク処理を施す。
が分散され、感光性を有する厚さ3μmの遮光性有機フ
ィルムをラミネート法によって貼着し、保護フィルムを
剥離し、各色のフィルム片が配置されておらず、かつ下
方に金属膜が配置されていない部分、及びTFT7の部
分を露光し、クッション層を現像し、この遮光性有機フ
ィルムをアルカリ性の溶液によって現像し、黒色の遮光
性フィルム片14Blackを形成する。
ム片14Blackを配置するのは、上方からの入射光がT
FT7に達し、光励起によって、このTFT7のオフ電
流が増加し、画素電極による電荷の保持が悪化するのを
防止するためである。
ず、かつ下方に金属膜が配置されていない部分への露光
は、アクティブマトリクス基板1の裏面から露光するこ
とによりなされ、この部分に遮光性フィルム片14Bla
ckを配置するのは、この部分から表示画面への光漏れを
防止するためである。この場合、アクティブマトリクス
基板1の表側にマスクを被せて露光するのと比較する
と、遮光性フィルム片14Blackのパターニングを高精
度で行うことができ、遮光性フィルム片14Blackの占
有範囲を無駄に拡げずに、光漏れを確実に防止すること
ができる。また、各色のフィルム片に欠陥があっても、
この欠陥にも整合して遮光性フィルム片14Blackが形
成されるので、この欠陥が視認し難くなる。
ている各コンタクトホール16には、遮光性フィルム片
14Blackを配置してはならない。
ず、かつ下方に金属膜が配置されている部分にも、遮光
性フィルム片14Blackを配置しても構わない。この場
合は、各色のフィルム片が配置されていない部分の凹み
を遮光性フィルム片14Blackによって覆うことになる
ので、有色有機フィルム14の凹凸を抑制することがで
き、これによって液晶層19に接する面を滑らかにする
ことができ、液晶分子の配列の乱れによるリバースティ
ルトドメインを抑制することができる。
光性フィルム片14Blackによって覆うと、ソース信号
線13の光反射率が高くても、このソース信号線13に
よる光反射が遮光性フィルム片14Blackによって遮ら
れるので、表示画面の反射率を抑制して、表示品位を向
上させることができる。
るための露光は、ソース信号線13よりもやや狭い範囲
で行い、露光されなかった残りの部分に対しては、アク
ティブマトリクス基板1の裏面からの露光で補えば、ソ
ース信号線13を覆う遮光性フィルム片14Blackを高
精度で形成することができる。
覆う遮光性フィルム片14Blackが大きくても、画素の
開口率に大きな影響を与えないので、ソース信号線13
を覆う遮光性フィルム片14Blackを形成するための表
面からの露光のパターン制御は容易である。
導電膜によって形成した場合は、アクティブマトリクス
基板1の裏面からの露光のみによって、ソース信号線1
3を覆う遮光性フィルム片14Blackを形成することが
できる。
は、遮光性フィルム片14Blackを配置する代わりに、
各色のフィルム片の縁を相互に重ね合わせることによっ
て、遮光を行っても良い。各色のフィルム片が透過光の
分光スペクトルとして異なるそれぞれのピークを有し、
これらの色の純度が十分な場合は、2色のフィルム片が
重なり合う部分の透過率が極めて低く、この部分に十分
な遮光性を得ることができる。また、2つのフィルム片
の縁は、ソース信号線13の上方で重なり合って、この
部分のみで層間絶縁膜が十分に厚くなるので、ソース信
号線13と画素電極15が十分に離間し、画素部分の透
過率を低下させることなく、後に述べるソース信号線1
3と画素電極15間のクロストークを低く抑えることが
できる。
と、図3(e)に示す様に有色有機フィルム14を検査
し、図3(f)に示す様に洗浄及び再度のベーク処理を
施す。
成し、このITO膜をパターニングしてなる画素電極1
5を形成し、この画素電極15をコンタクトホール16
を介してドレイン信号線12に接続する。
オーバーラップしており、その幅が1μmである。これ
によって、画素電極15の面積が増大し、画素の開口率
が向上する。また、画素電極15は、ソース信号線13
に起因する電界を遮蔽して、液晶の配向不良を抑制す
る。
せず)を形成し、この配向膜にラビング処理を施す。
極18及び配向膜(図示せず)を順次積層する。
対向基板17を対向配置し、これらの間に液晶層19を
注入して、この液晶層19を保持する。
性有機フィルム及び遮光性有機フィルムをラミネート法
によって貼着し、これらの有機フィルムをパターニング
することによって、各フィルム片からなる有色有機フィ
ルム14を形成するので、表示画面の大きさにかかわら
ず、この有色有機フィルム14の膜厚制御を簡単に行う
ことができ、層間絶縁膜の厚みのむらに起因する様々な
問題が解決される。
するものを適用しているので、製造工程が簡単であっ
て、量産性に優れ、コストの低減を図ることができる。
mのものを適用しているので、有色有機フィルム14本
来の層間絶縁膜としての特性、つまり絶縁性及び非分極
特性を損なうことがない。
製造するための他の方法を述べる。この他の製造方法で
は、先に述べた製造方法とは有色有機フィルム14の形
成工程のみが異なり、他の工程は全く同様であるため、
有色有機フィルム14の形成工程のみを説明する。
ム片14R、緑色フィルム片14G、青色フィルム片1
4Blue、及び遮光性フィルム片14Blackから構成さ
れる。
の透過性有機フィルムをラミネート法によって貼着す
る。この透過性有機フィルムは、非感光性である。この
ため、この透過性有機フィルム上にフォトレジストを形
成してから、赤色を表示する画素からコンタクトホール
16及びTFT7の部分を除いた部分だけを露光して、
このフォトレジストを現像し、この後に透過性有機フィ
ルムにエッチング処理を施して、この透過性有機フィル
ムをパターニングし、赤色の画素を覆う赤色フィルム片
14Rを形成する。そして、赤色フィルム片14Rに対
してベーク処理を施して、この赤色フィルム片14Rを
固着させる。
機フィルムをラミネート法によって貼着し、この透過性
有機フィルム上にフォトレジストを形成し、この後に緑
色を表示する画素からコンタクトホール16及びTFT
7の部分を除いた部分だけを露光して、このフォトレジ
ストを現像し、この後に透過性有機フィルムにエッチン
グ処理を施して、この透過性有機フィルムをパターニン
グし、緑色の画素を覆う緑色フィルム片14Gを形成す
る。
ィルムをラミネート法によって貼着し、フォトレジスト
の形成、露光及び現像を行い、この後に透過性有機フィ
ルムのエッチング処理を行って、青色の画素を覆う青色
フィルム片14Blueを形成する。
の遮光性有機フィルムをラミネート法によって貼着し、
この遮光性有機フィルム上にフォトレジストを形成し、
この後に各色のフィルム片が配置されておらず、かつ下
方に金属膜が配置されていない部分、及びTFT7の部
分を露光して、このフォトレジストを現像し、この後に
遮光性有機フィルムにエッチング処理を施して、この遮
光性有機フィルムをパターニングし、黒色の遮光性フィ
ルム片14Blackを形成する。
いる製造方法の場合、各有機性フィルムのパターニング
の度に、フォトレジストの形成、露光及び現像を行う必
要があるので、工程数が増加するものの、各有機性フィ
ルムのパターニングを高精度で行うことができる。この
ため、画素の高い開口率を確実に維持しつつ、この画素
を高精度で形成することができる。これに対して、先に
述べた感光性の各有機性フィルムを用いる製造方法の場
合は、顔料を分散した各有機性フィルムに対して直接露
光するので、高い解像度を望むことができず、各有機性
フィルムのパターニングの精度が劣る。
施形態における画素を破断して示す断面図である。
て、図1及び図2に示す液晶表示装置における有色有機
フィルム14の代わりに、有色有機フィルム31並びに
オーバーコートフィルム32を適用している。また、こ
の液晶表示装置の製造方法は、先に述べた各製造方法と
は有色有機フィルム31及びオーバーコートフィルム3
2の形成工程のみが異なり、他の工程は全く同様である
ため、有色有機フィルム31及びオーバーコートフィル
ム32の形成工程のみを説明する。
31R、緑色フィルム片31G、青色フィルム片31B
lue、及び遮光性フィルム片31Blackから構成され
る。
する厚さ1.5μmの透過性有機フィルムをラミネート
法によって貼着し、赤色を表示する画素からコンタクト
ホール33及びTFT7の部分を除いた部分だけを露光
して、この赤色の透過性有機フィルムをアルカリ性の溶
液によって現像し、赤色の画素を覆う赤色フィルム片3
1Rを形成し、ベーク処理を施す。
緑色の透過性有機フィルムをラミネート法によって貼着
し、露光及び現像を行って、緑色の画素を覆う緑色フィ
ルム片31Blueを形成し、ベーク処理を施し、更に、
感光性を有する厚さ1.5μmの青色の透過性有機フィ
ルムをラミネート法によって貼着し、露光及び現像を行
って、青色の画素を覆う青色フィルム片31Blueを形
成し、ベーク処理を施す。
する厚さ1.5μmの遮光性有機フィルムをラミネート
法によって貼着し、各色のフィルム片が配置されておら
ず、かつ下方に金属膜が配置されていない部分、及びT
FT7の部分を露光して、この遮光性有機フィルムをア
ルカリ性の溶液によって現像し、黒色の遮光性フィルム
片31Blackを形成し、ベーク処理を施す。
から、感光性を有する厚さ1.5μmの透明なオーバー
コートフィルム32をラミネート法によって貼着し、各
画素のコンタクトホール33を除いた部分だけを露光し
て、このオーバーコートフィルム32をアルカリ性の溶
液によって現像してパターニングし、ベーク処理を施
す。
フィルム32として、感光性を有するものの代わりに、
非感光性のものを適用しても構わない。この場合は、各
有機性フィルム及びオーバーコートフィルム32のパタ
ーニングの度に、フォトレジストの形成、露光及び現像
を行う必要があるので、工程数が増加するものの、各有
機性フィルム及びオーバーコートフィルム32のパター
ニングを高精度で行うことができる。
トフィルム32のパターニングの度に、各コンタクトホ
ール33を逐一形成せず、この代わりに、各フィルム片
31R,31G,31Blue,31Black、及びオーバ
ーコートフィルム32を形成した後に、各フィルム片及
びオーバーコートフィルム32を同時に貫く各コンタク
トホール33を一括形成しても良い。この場合、少なく
ともオーバーコートフィルム32には非感光性のものを
適用し、このオーバーコートフィルム32のパターニン
グをフォトレジストを用いて行えば、各コンタクトホー
ル33を高精度に形成することができる。このとき、各
有機性フィルム及びオーバーコートフィルム32のエッ
チング溶液として、両者間のエッチングレートが同等の
ものを適用すれば、コンタクトホール33の内周壁にお
いて、有機性フィルムの端面とオーバーコートフィルム
32の端面が滑らかにつながり、この内周壁の面に段差
を生ぜずに済む。また、ベーク処理が既に施された各フ
ィルム片上にオーバーコートフィルム32を形成するの
であれば、同等のエッチングレートをオーバーコートフ
ィルム32に与えるために、オーバーコートフィルム3
2の成膜後にベーク処理を施してから、フォトレジスト
の形成、露光及び現像、エッチング処理を行って、各コ
ンタクトホール33を形成する。
さ1.5μmの薄いものを適用し、この有色有機フィル
ム31に、厚さ1.5μmのオーバーコートフィルム3
2を重ねて、有色有機フィルム31並びにオーバーコー
トフィルム32からなる層の厚さを3.0μmに設定し
た場合、次の様な優位性がある。
有色有機フィルム14を形成する場合、各透過性有機フ
ィルム及び遮光性有機フィルムを順次貼着してパターニ
ングするに際し、2番目以降の有機フィルムについて
は、既に形成されている各フィルム片の段差に対して、
気泡をかませることなく、数μmの近傍まで密着させね
ばならず、これが極めて困難であって、有色有機フィル
ム14の剥がれや、この剥がれを原因とする画素電極1
5とソース信号線13間の信号漏れ、あるいは光漏れが
発生する可能性が高まる。
有機フィルム31を形成する場合、既に形成されている
各フィルム片の段差が小さくなるので、2番目以降の有
機フィルムを該各フィルム片の段差に対して密着させ易
くなる。
グの精度を考えると、各フィルム片31R,31G,3
1Blue,31Blackの境界部分を平坦にすることは困
難であるが、これらの上にオーバーコートフィルム32
を積層すれば、その表面が平坦化されるので、オーバー
コートフィルム32上の画素電極15が切れ難くなっ
て、不良の発生率が低減する。更に、液晶層に接する面
も平坦化されるので、液晶分子の配列の乱れを抑制し
て、リバースティルトドメインを軽減することができ、
このドメインを原因とする表示不良を防止することがで
きる。
にも述べた様に画素電極15が切れない様に、緩やかな
テーパー形状にする必要がある。ここでは、コンタクト
ホール33を有色有機フィルム31並びにオーバーコー
トフィルム32に形成しているので、コンタクトホール
33の断面構造として、図5(a),(b),(c)に
示す様な3つの構造が考えられる。
1の端面とオーバーコートフィルム32の端面を滑らか
につなげるのが理想的であるが、製造上、うまくいくと
は限らない。少なくとも図5(b)に示す様に両者の端
面が上方で拡がってさえいれば、画素電極15の切れを
招かずに済む。しかしながら、図5(b)の場合は、コ
ンタクトホール33の開口部が大きくなり過ぎ、このコ
ンタクトホール33の部位で、液晶層19に接する面に
大きな凹凸が発生して、液晶分子の配列の乱れによるリ
バースティルトドメインの領域が拡がってしまう。この
様なことから、図5(c)に示す様な構造が好ましい。
ここでは、有色有機フィルム31の開口径をオーバーコ
ートフィルム32の開口径よりも十分に小さくし、有色
有機フィルム31の端面をオーバーコートフィルム32
によって覆っている。この場合、コンタクトホール33
の内周をテーパー形状に形成するには、オーバーコート
フィルム32のパターニングのみを制御すれば良く、コ
ンタクトホール33の内周に不連続点を生じ得ない。
施形態における画素を拡大して示している。この第3実
施形態の装置においては、図1の装置と比較すると、コ
ンタクトホール16の位置が異なり、このコンタクトホ
ール16を付加容量電極3に重なる部位に形成し、画素
電極15をコンタクトホール16を介してドレイン信号
線12に接続している。
は、コンタクトホールの部位を除いて、図2又は第4図
に示すものと同様である。
るから、このコンタクトホール16の深さも3μmあ
り、液晶のセルの厚みを4.5μmとしても、このコン
タクトホール16の深さを無視することはできず、この
コンタクトホール16の部位で液晶層19に接する面に
凹凸が形成されると、液晶分子の配列の乱れによるリバ
ースティルトドメインが発生する。このため、少なくと
もコンタクトホール16の開口部全体(内周面を含む)
を付加容量電極3に重ねて、このコンタクトホール16
付近のリバースティルトドメインの領域を覆い隠してい
る。
いては、液晶分子の配列の乱れているので、光漏れが生
じ、表示画面上の色彩の鮮度が低下する。付加容量電極
3は、このリバースティルトドメインの領域の光漏れを
遮蔽する。
いる。ここでは、隣の画素のゲート信号線2を付加容量
電極として併用しており、このゲート信号線2に、コン
タクトホール16を重ねて形成し、画素電極15をコン
タクトホール16を介してドレイン信号線12に接続し
ている。この場合は、ゲート信号電極2によって、コン
タクトホール16付近の光漏れが遮蔽される。
間絶縁膜の厚さを3μmに設定しているが、この層間絶
縁膜の厚さは、少なくとも2μmが好ましく、その必要
性を次に説明する。
オーバーラップさせているため、これらの間では電界の
作用しない液晶部分がなく、かつソース信号線13に遮
光性のものを適用すれば、各画素電極15間が遮光され
るので、各画素電極15間に遮光幕を配置せずに済み、
この結果画素の開口率が向上することは周知である。
製造プロセス上のバラツキを見込むと、このオーバーラ
ップの幅として少なくとも1μmを必要とし、これがソ
ース信号線13と画素電極15間の容量を大きくして、
両者間のクロストークが大きくなり、表示品位の低下を
招く。
の液晶表示装置においては、各画素を縦方向にストライ
プ状に配列することが多く、各画素がソース信号線に沿
って長い長方形となるため、ソース信号線と画素電極間
の容量が極めて大きくなり、両者間のクロストークを原
因とする表示品位の低下を無視することができない。
ストークの影響を低減するには、層間絶縁膜を十分に厚
くして、両者間の容量を小さくするだけでなく、各ソー
ス信号線の映像信号の極性を頻繁に反転すれば良い。す
なわち、ゲート信号線に沿って配列された1列の各スイ
ッチング素子に対して各ソース信号線の映像信号が供給
されると、次のゲート信号線に沿って配列された1列の
各スイッチング素子に対しては各ソース信号線の映像信
号の極性を反転して供給し、各ゲート信号線毎に、各ソ
ース信号線の映像信号の極性を繰り返して反転する(以
下1H反転と称す)。図8は、この映像信号線Sを模式
的に示す。
ソース信号線と画素電極間の容量に対する両者間の充電
率特性Aを示しており、この特性Aと比べるために、表
示画面の各フィールド毎に、各ソース信号線の映像信号
を反転させたときの(以下フィールド反転と称す)ソー
ス信号線と画素電極間の容量に対する充電率特性Bを示
している。
中間調を表示したときの中間調の表示部での充電率と、
図10に示す様な表示画面34に中間調を背景とする縦
方向における占有率33パーセントの黒のウインドーパ
ターンを表示したときの中間調の表示部での充電率との
差を比率で示し、横軸は、次式(1)に示す容量比を示
し、ソース信号線と画素電極間の容量に起因する画素電
極の電圧変動に比例する量を示す。
は、フィールド反転のときよりも、表示画面の表示パタ
ーンの変化に対するソース信号線と画素電極間の充電率
の変動が小さく、この変動が1/5〜1/10程度に低
減されている。これは、1H反転を行ったときは、フィ
ールド反転のときよりも、十分に短い周期で映像信号の
極性が反転され、+極性の映像信号と−極性の映像信号
による双方の表示への影響がキャンセルされるためであ
る。
表示装置では、図9のグラフに示す充電率差が0.6パ
ーセント以上で、クロストークが顕著になり、表示品位
を損なうことが判明した。このため、上式(1)の容量
比は、略10パーセント以下が好ましい。
の厚さをパラメータとして、ソース信号線と画素電極の
オーバーラップの幅に対する上式(1)の容量比の変化
特性を計算して求めたので、これを図11のグラフに示
す。
して、オーバーコートフィルムの比誘電率3.4を適用
している。有色有機フィルムの比誘電率は、4.5程度
であり、これについても同様の計算を試みたが、ほぼ同
じ結果を得たので、比誘電率3.4の場合のみついて述
べる。
号線と画素電極のオーバーラップの幅を少なくとも1μ
mに設定する必要があり、また表示品位を保つための先
の充電率差0.6パーセント未満を実現するには、上式
(1)の容量比を略10パーセント以下に設定せねばな
らないので、図11のグラフから明らかな様に、層間絶
縁膜の厚さを2.0μm以上に設定する必要がある。
ィルム及びオーバーコートフィルムを適用し、ソース信
号線と画素電極のオーバーラップの幅を1μmに設定し
た場合は、表示品位を保つために、層間絶縁膜の厚さを
2μm以上に設定する必要がある。
ス信号の映像信号の極性を頻繁に反転しなくても、表示
画面に縦のクロストークの認められない良好な表示を実
現することができる。
の映像信号の反転周期に同期させて、対向電極19を交
流電圧(振幅5V)で駆動して、容量比に対する充電率
差を求めたので、この特性Cを図9のグラフに示す。こ
の交流駆動の場合、ソース信号線の映像信号の振幅を小
さく抑えらえると言う利点がある。この交流駆動によれ
ば、直流駆動の特性Aと比較して、充電率差が10パー
セント程度大きくなるものの、フィールド駆動と比較す
れば、充電率差が十分に小さくなっており、表示画面に
縦のクロストークの認められない良好な表示を実現する
ことができる。
有色有機フィルムをラミネート法によって貼着して、層
間絶縁膜を形成するので、均一な厚みの層間絶縁膜を得
ることができる。したがって、層間絶縁膜の厚みのむら
に起因する様々な問題が解決される。
布法と比較すると、従来の場合は、樹脂材料を極めて広
い範囲で塗布し、この塗布した樹脂材料のうち層間絶縁
膜としてアクティブマトリクス基板上に残されるものの
割合が少なく、製造コストが高いのに対して、この発明
の場合は、無駄となる材料が少なく、製造コストを低く
することができる。
ピン塗布法の場合は、樹脂材料のうちの90パーセント
以上を廃棄するのに対して、この発明の場合は、ラミネ
ートを行うときに仮止めされるフィルム部分や切り取ら
れるフィルムの端部を除いて殆ど利用され、また貼着領
域に応じてフィルムの大きさを変更すれば良いので、フ
ィルムの有効利用率が極めて高くなる。
布法の場合は、ベーク処理後の膜厚が3.5μm±8.5
パーセントであるのに対して、この発明の場合は、ベー
ク処理後のフィルムの厚さが3.5μm±3.5パーセン
ト程度であって、最大でも±5.0パーセントに留ま
り、層間絶縁膜の厚さのバラツキを小さく抑えることが
できる。
布法の場合は、層間絶縁膜の膜厚制御が困難であって、
この層間絶縁膜の膜厚にむらが発生し、画素電極とゲー
ト信号線の容量による画素容量の電位の引き込みも均一
でなくなって、液晶層の一部分には大きな直流成分が加
わり、その部分で表示品位や信頼性を著しく損なった。
これに対して、この発明の場合は、層間絶縁膜がフィル
ムであって、その厚さが均一なため、画素容量の電位の
引き込みに基づく表示品位や信頼性の低下を十分に改善
することができる。
ーを設ける方法や顔料分散法に基づくスピン塗布法の場
合と比較して、この発明の製造方法は、工程数の格別な
増加が認められない。
ムを適用した場合は、製造工程が簡単であって、量産性
に優れ、コストの低減を図ることができる。
トレジストの形成、露光及び現像、このフィルムのエッ
チングによって該フィルムのパターニングを行う場合
は、工程数が多いものの、フィルムを高精度で加工する
ことが可能となる。
よるパターンの解像度の点で劣り、その解像度が10μ
m程度である。これに対して、フォトレジストの解像度
は、3μm程度であるため、フォトレジストを用いるこ
とによって、高精度のパターニングが可能となる。
ルムに各遮光性フィルム片を含む。これらの遮光性フィ
ルム片は、ブラックマトリクスとしての役目を果たす。
に、遮光性有機フィルムをラミネート法によって貼着し
てから、アクティブマトリクス基板に対する表面からの
パターン露光、及び裏面からの一括露光を施す。
括露光によって、光漏れを生じる全ての部分で、各遮光
性フィルムを形成することができる。
TO)を適用した場合は、ソース信号線の上方に配置さ
れる遮光性フィルム片をパターニングするために、遮光
性有機フィルムをラミネート法によって貼着してから、
アクティブマトリクス基板に対する裏面からの一括露光
を施せば良い。
覆うと、ソース信号線の光反射率が高くても、このソー
ス信号線による光反射が遮光性フィルム片によって遮ら
れるので、表示画面の反射率を抑制して、表示品位を向
上させることができる。
ム片を配置する代わりに、各原色フィルム片を各画素の
境界で重ね合わせても構わない。この場合、異なる各色
に着色された各原色フィルム片を重ねるので、これらの
原色フィルム片が重なる部分に遮光性を生じ、各画素の
境界で光漏れを生じない。しかも、ソース信号線上で、
各原色フィルム片を重ね合わせると、層間絶縁膜が十分
に厚くなるので、ソース信号線と画素電極間の容量を抑
えて、画素部分の透過率を低下させることなく、両者間
のクロストークを低く抑えることができる。
は、有色有機フィルム及びオーバーコートフィルムを積
層してなる。これによって、層間絶縁膜の凹凸が覆い隠
され、その表面が平滑となる。このため、オーバーコー
トフィルム上の画素電極が切れ難くなって、不良の発生
率が低減する。
有機フィルム及びオーバーコートフィルムを薄くできる
ので、これらのフィルムを下地の段差に対して気泡をか
ませることなく数μmの近傍まで密着させることができ
る。
ルム並びにオーバーコートフィルムを形成してから、フ
ォトレジストの形成、露光及び現像、有色有機フィルム
並びにオーバーコートフィルムのエッチングによって、
コンタクトホールを形成する。
ーコートフィルムを形成してから、ベーク処理を施し、
この後にフォトレジストの形成、露光及び現像、有色有
機フィルム並びにオーバーコートフィルムのエッチング
によって、コンタクトホールを形成する。
コートフィルムのエッチングを施すと、有色有機フィル
ムのベーク処理が事前に行われていても、有色有機フィ
ルムとオーバーコートフィルム間でエッチングレートの
差を小さくすることができる。
極に重なる部位に設けるのが好ましい。このコンタクト
ホールの部位では、カラーフィルター及びブラックマト
リクスの機能が果たされないので、この付加容量電極に
よって、このコンタクトホールを通過する光を遮断する
ことができる。また、液晶層に接する面には、コンタク
トホールを原因とする凹凸が形成され、この凹凸によっ
て液晶分子の配列が乱され、リバースティルトドメイン
が発生するものの、このドメインの発生部分が付加容量
電極によって覆い隠されるので、このドメインの発生部
分が表示画面上で視認されることはなく、この表示画面
のコントラストが低下せずに済む。
以下に設定すれば、層間絶縁膜の表面が滑らかとなるの
で、画素電極が切れ難くなる。
トフィルムによって覆えば、コンタクトホールの内周壁
を滑らかにすることができる。
有色有機フィルムの端面、及びオーバーコートフィルム
の端面を露出させ手も良い。ただし、この場合は、各フ
ィルムの端面間で段差が生じない様にする。
ース信号線をオーバーラップさせ、このオーバーラップ
の幅を1μm以上に設定し、ゲート信号線に沿って配列
された1列の各スイッチング素子に対して各ソース信号
線の映像信号が供給されると、次のゲート信号線に沿っ
て配列された1列の各スイッチング素子に対しては各ソ
ース信号線の映像信号の極性を反転して供給し、各ゲー
ト信号線毎に、各ソース信号線の映像信号の極性を繰り
返して反転している。
容量を通じて、ソース信号線の映像信号が画素容量の電
位に作用したとしても、この映像信号の極性が頻繁に変
わるので、画素容量の電位の変動が緩和される。つま
り、このソース信号線に沿って発生するクロストークが
抑制される。
付加容量電極による付加容量の和に対する該画素電極と
ソース信号線間の容量の割合が10パーセント以下であ
ると、先のクロストークの影響が緩和され、良好な表示
品質が得られる。
先の画素容量と付加容量の和に対する該画素電極とソー
ス信号線間の容量の割合を10パーセント以下に収める
ことができる。
る画素を拡大す平面図
色有機フィルムの製造工程を示しており、(a)は、赤
色フィルム片の製造工程を示し、(b)は、緑色フィル
ム片の製造工程を示し、(c)は、青色フィルム片の製
造工程を示し、(d)は、遮光フィルム片の製造工程を
示し、(e)は、検査工程を示し、(f)は、洗浄及び
ベーク処理の工程を示す
る画素を破断して示す断面図
の断面を示しており、(a)は、有色有機フィルムの端
面とオーバーコートフィルムの端面が滑らかにつながる
コンタクトホールの断面を示し、(b)は、開口部が大
きくなり過ぎたコンタクトホールの断面を示し、(c)
は、有色有機フィルムの端面をオーバーコートフィルム
によって覆ったコンタクトホールの断面を示す
る画素を拡大して示す平面図
例を模式的に示す図
と画素電極間の容量に対する両者間の充電率特性を示す
グラフ
示する図
幅に対する容量比の特性を示すグラフ
示す平面図
Claims (20)
- 【請求項1】 アクティブマトリクス基板と、このアク
ティブマトリクス基板に対向配置された対向基板と、ア
クティブマトリクス基板と対向基板間に介在する液晶層
とを備え、アクティブマトリクス基板上に、制御信号を
伝送する各ゲート信号線と映像信号を伝送する各ソース
信号線を交差させて形成し、これらの信号線の交差部位
に各スイッチング素子を割り当ててマトリクス状に配列
すると共に、これらの信号線に各スイッチング素子を接
続し、各スイッチング素子及び各信号線上に、層間絶縁
膜を形成し、この層間絶縁膜上に、各画素電極をマトリ
クス状に形成した液晶表示装置において、 層間絶縁膜として有色有機フィルムを適用し、この有色
有機フィルムをラミネート法によって貼着してなること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の液晶表示装置におい
て、有色有機フィルムは、感光性を有し、 この有色有機フィルムをラミネート法によって貼着して
から、露光及び現像によって該有色有機フィルムのパタ
ーニングを行うことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項3】 請求項1に記載の液晶表示装置におい
て、有色有機フィルムをラミネート法によって貼着して
から、フォトレジストの形成、露光及び現像、この有色
有機フィルムのエッチングによって該有色有機フィルム
のパターニングを行うことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項4】 請求項1に記載の液晶表示装置におい
て、 有色有機フィルムは、各原色フィルム片をマトリクス状
に配列したものであって、これらの原色フィルム片は、
各原色に着色されたそれぞれの透過性有機フィルムをラ
ミネート法によって貼着してからパターニングしてなる
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項5】 請求項4に記載の液晶表示装置におい
て、 各原色フィルム片の縁を相互に重ね合わせることを特徴
とする液晶表示装置。 - 【請求項6】 請求項1に記載の液晶表示装置におい
て、 有色有機フィルムは、各遮光性フィルム片を更に含み、 これらの遮光性フィルム片は、遮光性を有する遮光性有
機フィルムをラミネート法によって貼着してからパター
ニングしてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項7】 請求項6に記載の液晶表示装置におい
て、 遮光性フィルム片を形成するために、遮光性有機フィル
ムをラミネート法によって貼着してから、アクティブマ
トリクス基板に対する表面からのパターン露光、及び裏
面からの一括露光を施すことを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項8】 請求項6記載の液晶表示装置において、 ソース信号線の上方に配置される遮光性フィルム片を形
成するために、遮光性有機フィルムをラミネート法によ
って貼着してから、アクティブマトリクス基板に対する
裏面からの一括露光を施すことを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項9】 請求項1に記載の液晶表示装置におい
て、 層間絶縁膜は、有色有機フィルムと、感光性を有するオ
ーバーコートフィルムからなり、有色有機フィルム上
に、オーバーコートフィルムをラミネート法によって貼
着してから、露光及び現像によって該オーバーコートフ
ィルムのパターニングを行うことを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項10】 請求項1に記載の液晶表示装置におい
て、 層間絶縁膜は、有色有機フィルムと、オーバーコートフ
ィルムからなり、有色有機フィルム上に、オーバーコー
トフィルムをラミネート法によって貼着してから、フォ
トレジストの形成、露光及び現像、このオーバーコート
フィルムのエッチングによって該オーバーコートフイル
ムのパターニングを行うことを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項11】 請求項9又は10に記載の液晶表示装
置において、 有色有機フィルム並びにオーバーコートフィルムを形成
してから、フォトレジストの形成、露光及び現像、有色
有機フィルム並びにオーバーコートフィルムのエッチン
グによって、コンタクトホールを形成することを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項12】 請求項9又は10に記載の液晶表示装
置において、 有色有機フィルム並びにオーバーコートフィルムを形成
してから、ベーク処理を施し、この後にフォトレジスト
の形成、露光及び現像、有色有機フィルム並びにオーバ
ーコートフィルムのエッチングによって、コンタクトホ
ールを形成することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項13】 請求項1乃至12に記載の液晶表示装
置において、 層間絶縁膜に、コンタクトホールを形成し、画素電極を
該コンタクトホールを介してスイッチグ素子に接続した
液晶表示装置。 - 【請求項14】 請求項13に記載の液晶表示装置にお
いて、 付加容量電極を更に備え、この付加容量電極による付加
容量を画素電極による画素容量に並列接続し、 付加容量電極は、コンタクトホールの全域に重なる液晶
表示装置。 - 【請求項15】 請求項13に記載の液晶表示装置にお
いて、 コンタクトホールのテーパー角度は、45度以下である
液晶表示装置。 - 【請求項16】 請求項13に記載の液晶表示装置にお
いて、 コンタクトホールの内周壁は、オーバーコートフィルム
によって覆われる液晶表示装置。 - 【請求項17】 請求項13に記載の液晶表示装置にお
いて、 コンタクトホールの内周壁には、有色有機フィルムの端
面、及びオーバーコートフィルムの端面が露出する液晶
表示装置。 - 【請求項18】 請求項1乃至12に記載の液晶表示装
置において、 画素電極とソース信号線をオーバーラップさせ、このオ
ーバーラップの幅を1μm以上に設定し、 ゲート信号線に沿って配列された1列の各スイッチング
素子に対して各ソース信号線の映像信号が供給される
と、次のゲート信号線に沿って配列された1列の各スイ
ッチング素子に対しては各ソース信号線の映像信号の極
性を反転して供給し、各ゲート信号線毎に、各ソース信
号線の映像信号の極性を繰り返して反転する液晶表示装
置。 - 【請求項19】 請求項1乃至12に記載の液晶表示装
置において、 付加容量電極を更に備え、この付加容量電極による付加
容量を画素電極による画素容量に並列接続し、 中間調表示での画素電極による画素容量と付加容量電極
による付加容量の和に対する該画素電極とソース信号線
間の容量の割合が10パーセント以下である液晶表示装
置。 - 【請求項20】 請求項1乃至12に記載の液晶表示装
置において、 層間絶縁膜の厚さは、2μm以上である液晶表示装置。
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005018080A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置の修理方法 |
US7105462B2 (en) | 2003-07-22 | 2006-09-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Lamination of organic semiconductor |
KR100659912B1 (ko) * | 2003-12-03 | 2006-12-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
US7440073B2 (en) | 2004-08-13 | 2008-10-21 | Fujitsu Limited | Substrate for liquid crystal display device and liquid crystal display device having the same |
US7573538B2 (en) | 2006-12-04 | 2009-08-11 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
KR100924751B1 (ko) * | 2002-12-04 | 2009-11-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100924750B1 (ko) * | 2002-12-06 | 2009-11-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP2014098888A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Samsung Display Co Ltd | 液晶表示装置 |
US9046727B2 (en) | 2008-08-26 | 2015-06-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method of the same |
JP2015111291A (ja) * | 2008-11-28 | 2015-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
CN105529337A (zh) * | 2016-01-28 | 2016-04-27 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 柔性阵列基板结构及其制造方法 |
CN106990632A (zh) * | 2017-04-14 | 2017-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
JP7466745B2 (ja) | 2017-01-11 | 2024-04-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
-
2001
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Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100924751B1 (ko) * | 2002-12-04 | 2009-11-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100924750B1 (ko) * | 2002-12-06 | 2009-11-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP2005018080A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置の修理方法 |
US7847914B2 (en) | 2003-06-26 | 2010-12-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and method for repairing liquid crystal display including the same |
JP4636820B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2011-02-23 | 三星電子株式会社 | 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置の修理方法 |
US7105462B2 (en) | 2003-07-22 | 2006-09-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Lamination of organic semiconductor |
KR100659912B1 (ko) * | 2003-12-03 | 2006-12-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
US7440073B2 (en) | 2004-08-13 | 2008-10-21 | Fujitsu Limited | Substrate for liquid crystal display device and liquid crystal display device having the same |
US7573538B2 (en) | 2006-12-04 | 2009-08-11 | Epson Imaging Devices Corporation | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
US9046727B2 (en) | 2008-08-26 | 2015-06-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method of the same |
US9269729B2 (en) | 2008-08-26 | 2016-02-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method of the same |
US9570477B2 (en) | 2008-08-26 | 2017-02-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method of the same |
JP2015111291A (ja) * | 2008-11-28 | 2015-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US10008608B2 (en) | 2008-11-28 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US10424674B2 (en) | 2008-11-28 | 2019-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US10985282B2 (en) | 2008-11-28 | 2021-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US11869978B2 (en) | 2008-11-28 | 2024-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP2014098888A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Samsung Display Co Ltd | 液晶表示装置 |
CN105529337A (zh) * | 2016-01-28 | 2016-04-27 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 柔性阵列基板结构及其制造方法 |
WO2017128476A1 (zh) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 柔性阵列基板结构及其制造方法 |
JP7466745B2 (ja) | 2017-01-11 | 2024-04-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
CN106990632A (zh) * | 2017-04-14 | 2017-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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