JP2002236222A - 芳香族スルフィド化合物を用いた光学材料及び光学部品ならびに芳香族スルフィド化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐熱性の改善された光学材料、特にドーパン
トタイプのＧＩ型ＰＯＦを提供する。 【解決手段】 一般式（１）で表される芳香族スルフィ
ド化合物を少なくとも１種含有してなる光学材料。 【化１】 [式中、 ｎは２〜１２の整数を表し、ｋは１〜ｎの整
数を表す。Ａは、置換基を有していても良い、ｎ価の炭
素環式芳香族環または複素環式芳香族環を表し、Ｂ¹〜
Ｂⁿは、それぞれ独立に、置換基を有していても良い、
炭素環式芳香族基または複素環式芳香族基を表す。]

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、芳香族スルフィド
化合物を用いた光学材料及び光学部品ならびに芳香族ス
ルフィド化合物に関し、特にポリマー光ファイバーに関
する。

【０００２】

【従来の技術】光学材料は以前はガラスであったが、近
年透明性ポリマー材料が普及し始めている。特に、光学
レンズ、光ディスク、光ファイバー、ロッドレンズ、光
導波路、光スイッチ、光ピックアップレンズ等の分野で
用いられている。光学用ポリマー材料は、透明化、高屈
折率化、低分散化、低複屈折率化、高耐熱化などと高機
能化を追及し、進化してきた。その中でもポリマー光フ
ァイバー（ＰＯＦ）は、ＬＡＮ（local area networ
k）、ＩＳＤＮ（integrated service digital networ
k）等の次世代通信網構想において、重要性が増大して
いる。

【０００３】ＰＯＦはコア部ならびにクラッド部が共に
ポリマーから構成されており、石英光ファイバーに比べ
て加工や取り扱いが容易で、材料が低コストであること
から、伝送損失が実質的に問題にされない程度に短距離
の光伝送路として多用されている。

【０００４】階段状に屈折率分布が変化するステップイ
ンデックス型（ＳＩ型）のＰＯＦが５０ｍ程度の短距離
伝送用として既に実用化されているが、伝送容量が少な
いために光通信用途には適していない。それに対して、
半径方向に屈折率分布が変化するグレイテッドインデッ
クス型（ＧＩ型）のＰＯＦはＳＩ型に比べて伝送容量が
大きいので光通信用途に適しており、この屈折率分布が
滑らかになるほどファイバーの伝送容量が大きくなる。

【０００５】ＧＩ型ＰＯＦの作製方法としては二つのタ
イプがある。一つは、例えばＷＯ93/08488号に開示され
ているようなドーパントタイプで、マトリックス用のポ
リマーに、当該ポリマーに対して反応性を有しない低分
子化合物を添加し、この低分子化合物の拡散により濃度
勾配を形成させることで屈折率分布を得る。他方は、例
えば、特開平5-173025号や特開平5-173026号に開示され
ている共重合タイプで、二種類のモノマーを共重合させ
る際に、両モノマーの反応性比の相違を利用して濃度勾
配を形成させることで屈折率分布を得る。

【０００６】共重合タイプの場合には、共重合組成の違
いによるミクロな不均一構造の発生を避けがたく、これ
に起因する透明性の問題が生じやすい。そのため、現状
で可能な伝送距離は50ｍ程度に留まり、家庭内ＬＡＮな
どで要求される伝送距離を十分に満足させることができ
ない。一方、ドーパントタイプの場合には、ドーパント
の大きさが数Åオーダーであるので波長に対して極めて
透明性は高いが、耐熱性に問題がある。ある温度よりも
高温雰囲気下で使用すると、ドーパントの分布に変動し
やすくなり、そのため屈折率分布が変化し易く屈折率分
布の耐熱安定性に劣るという問題点を有する。

【０００７】その原因は、ドーパントによる可塑効果に
よりコア材料のガラス転移点が低下するためである。従
来のＰＯＦに用いられているＰＭＭＡのガラス転移点は
１０５℃前後であるが、ドーパントを添加するとガラス
転移点が室温付近まで低下してしまう。例えば安息香酸
ベンジル、フタル酸ベンジルｎ−ブチル、サリチル酸ベ
ンジル、ブロモベンゼン、ベンジルフェニルエーテル、
フタル酸ジフェニル、ジフェニルメタン、ジフェニルエ
ーテル、ジフェニル、ジフェニルスルフィド、フェニル
ベンゾエート、リン酸トリフェニル、リン酸トリクレシ
ルなどがＧＩ型ＰＯＦのドーパントとして知られてい
る。これらの中でも、ジフェニルスルフィドが可塑効果
と高屈折率化を両立するドーパントとして特開平１１−
１４２６５７に開示されている。しかしながら、このド
ーパントを用いても耐熱性を十分に満足させることが出
来なかった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の状況を
背景になされたものであり、光学材料に有用な芳香族ス
ルフィド化合物を提供することを目的としている。さら
に詳しくは、耐熱性の改善されたドーパントタイプのＧ
Ｉ型ＰＯＦを提供するしようとするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記した
問題点を解決するために鋭意し、特定構造を有する芳香
族スルフィド化合物を光学材料のドーパントとして用い
ることにより、コア材料のガラス転移点が低下すること
を抑制することができ、耐熱性が改善され、ある温度よ
りも高温雰囲気下で使用し得ることを見出し、本発明を
完成した。

【００１０】すなわち、本発明は、[１] 一般式（１）
で表される芳香族スルフィド化合物を少なくとも１種含
有してなる光学材料であり、また、

【００１１】

【化５】 [式中、 ｎは２〜１２の整数を表し、ｋは１〜ｎの整
数を表す。Ａは、置換基を有していても良い、ｎ価の炭
素環式芳香族環または複素環式芳香族環を表し、Ｂ¹〜
Ｂⁿは、それぞれ独立に、置換基を有していても良い、
炭素環式芳香族基または複素環式芳香族基を表す。]

【００１２】[２] 一般式（１）において、ｎが２〜４
の整数であり、かつＡは置換基を有していても良い複素
環式芳香族環である[１]記載の光学材料であり、また、
[３] 一般式（１）において、Ｂ¹〜Ｂⁿが、それぞれ独
立に、置換基を有していても良いフェニル基、置換基を
有していても良いピリミジル基、置換基を有していても
良いナフチル基、置換基を有していても良いチエニル
基、置換基を有していても良いベンゾチアゾリル基、置
換基を有していても良いベンゾオキサゾリル基、置換基
を有していても良いチアジアゾリル基、置換基を有して
いても良いチアゾリル基のいずれかである[２]記載の光
学材料であり、また、

【００１３】[４] 一般式（１）において、Ａは置換基
を有していても良いチオフェン環、置換基を有していて
も良いチオフェン−1,1−ジオキシド環、置換基を有し
ていても良いチオフェンチアジアゾール基、置換基を有
していても良いチエノ[３，２−ｂ]チオフェン環、置換
基を有していても良いトリアジン環、置換基を有してい
ても良いピリミジン環のいずれかから選ばれる２価の複
素環式芳香族環である[２]記載の光学材料であり、ま
た、[５] 一般式（１）において、Ｂ¹〜Ｂⁿが、それぞ
れ独立に、置換基を有していても良いフェニル基、置換
基を有していても良いピリミジル基、置換基を有してい
ても良いナフチル基、置換基を有していても良いチエニ
ル基、置換基を有していても良いベンゾチアゾリル基、
置換基を有していても良いベンゾオキサゾリル基、置換
基を有していても良いチアジアゾリル基、置換基を有し
ていても良いチアゾリル基のいずれかである[４]記載の
光学材料であり、また、

【００１４】[６] 一般式（１）において、Ａが置換基
を有していても良いチオフェン環、置換基を有していて
も良いトリアジン環、置換基を有していても良いピリミ
ジン基のいずれかから選ばれる３価の複素環式芳香族環
である[２]記載の光学材料であり、また、[７] 一般式
（１）において、Ｂ¹〜Ｂⁿが、それぞれ独立に、置換基
を有していても良いフェニル基、置換基を有していても
良いピリミジル基、置換基を有していても良いナフチル
基、置換基を有していても良いチエニル基、置換基を有
していても良いベンゾチアゾリル基、置換基を有してい
ても良いベンゾオキサゾリル基、置換基を有していても
良いチアジアゾリル基、置換基を有していても良いチア
ゾリル基のいずれかである[６]記載の光学材料であり、
また、

【００１５】[８] 一般式（１）において、Ａは置換基
を有していても良いチオフェン環、置換基を有していて
も良いチエノ[３，２−ｂ]チオフェン環のいずれかから
選ばれる４価の複素環式芳香族環である[２]記載の光学
材料であり、また、[９] 一般式（１）において、Ｂ¹
〜Ｂⁿが、それぞれ独立に、置換基を有していても良い
フェニル基、置換基を有していても良いピリミジル基、
置換基を有していても良いナフチル基、置換基を有して
いても良いチエニル基、置換基を有していても良いベン
ゾチアゾリル基、置換基を有していても良いベンゾオキ
サゾリル基、置換基を有していても良いチアジアゾリル
基、置換基を有していても良いチアゾリル基のいずれか
である[８]記載の光学材料であり、また、

【００１６】[１０] 一般式（１）において、ｎが２〜
６の整数であり、かつＡが置換基を有していても良い炭
素環式芳香族環である[１]記載の光学材料であり、ま
た、[１１] 一般式（１）において、Ｂ¹〜Ｂⁿが、それ
ぞれ独立に、置換基を有していても良いフェニル基、置
換基を有していても良いピリミジル基、置換基を有して
いても良いナフチル基、置換基を有していても良いチエ
ニル基、置換基を有していても良いベンゾチアゾリル
基、置換基を有していても良いベンゾオキサゾリル基、
置換基を有していても良いチアジアゾリル基、置換基を
有していても良いチアゾリル基のいずれかである[１０]
記載の光学材料であり、また、

【００１７】[１２] 一般式（１）において、Ａが置換
基を有していても良いベンゼン環、置換基を有していて
も良いナフタレン環、置換基を有していても良いフルオ
レン環、置換基を有していても良いビフェニル環のいず
れかから選ばれる２価の炭素環式芳香族環である[１０]
記載の光学材料であり、また、[１３] 一般式（１）に
おいて、Ｂ¹〜Ｂⁿが、それぞれ独立に、置換基を有して
いても良いフェニル基、置換基を有していても良いピリ
ミジル基、置換基を有していても良いナフチル基、置換
基を有していても良いチエニル基、置換基を有していて
も良いベンゾチアゾリル基、置換基を有していても良い
ベンゾオキサゾリル基、置換基を有していても良いチア
ジアゾリル基、置換基を有していても良いチアゾリル基
のいずれかである[１２]記載の光学材料であり、また、

【００１８】[１４] 一般式（１）において、Ａが置換
基を有していても良いベンゼン環、置換基を有していて
も良いフルオレン環のいずれかから選ばれる３価の炭素
環式芳香族環である[１０]記載の光学材料であり、ま
た、[１５] 一般式（１）において、Ｂ¹〜Ｂⁿが、それ
ぞれ独立に、置換基を有していても良いフェニル基、置
換基を有していても良いピリミジル基、置換基を有して
いても良いナフチル基、置換基を有していても良いチエ
ニル基、置換基を有していても良いベンゾチアゾリル
基、置換基を有していても良いベンゾオキサゾリル基、
置換基を有していても良いチアジアゾリル基、置換基を
有していても良いチアゾリル基のいずれかである[１４]
記載の光学材料であり、また、

【００１９】[１６] 一般式（１）において、Ａが置換
基を有していても良いベンゼン環、置換基を有していて
も良いビフェニル環のいずれかから選ばれる４価の炭素
環式芳香族環である[１０]記載の光学材料であり、ま
た、[１７] 一般式（１）において、Ｂ¹〜Ｂⁿが、それ
ぞれ独立に、置換基を有していても良いフェニル基、置
換基を有していても良いピリミジル基、置換基を有して
いても良いナフチル基、置換基を有していても良いチエ
ニル基、置換基を有していても良いベンゾチアゾリル
基、置換基を有していても良いベンゾオキサゾリル基、
置換基を有していても良いチアジアゾリル基、置換基を
有していても良いチアゾリル基のいずれかである[１６]
記載の光学材料であり、また、

【００２０】[１８] 光学材料がポリマー光ファイバー
材料である[１]〜[１７]記載の光学材料であり、また、
[１９] 光学材料がポリマー光ファイバーである[１]〜
[１７]記載の光学材料であり、また、[２０] ポリマー
光ファイバーがＧＩ型ポリマー光ファイバーである[１]
〜[１７]記載の光学材料であり、また、

【００２１】[２１] 一般式（１ａ）で表される芳香族
スルフィド化合物であり、また、

【００２２】

【化６】 [式中、 ｋは１〜２の整数を表す。Ａは、置換されて
いても良いベンゼン環、置換されていても良いナフタレ
ン環、置換されていても良いフルオレン環、置換基を有
していて良いビフェニル環、置換されていても良いチオ
フェン環、置換されていても良いチオフェン−1,1−ジ
オキシド環、置換されていても良いチオフェンチアジア
ゾール環、置換基を有していても良いチエノ[３，２−
ｂ]チオフェン環、置換基を有していても良いトリアジ
ン環、置換基を有していても良いピリミジン環から選ば
れる２価の炭素環式芳香族環または複素環式芳香族環を
表し、Ｂ¹、Ｂ²は、それぞれ独立に、置換されていても
良いフェニル基、置換されていても良いピリミジル基、
置換されていても良いナフチル基、置換されていても良
いチエニル基、置換されていても良いベンゾチアゾリル
基、置換されていても良いベンゾオキサゾリル基、置換
されていても良いチアジアゾリル基、置換されていても
良いチアゾリル基から選ばれる炭素環式芳香族基または
複素環式芳香族基を表す。]

【００２３】[２２] 一般式（１ｂ）で表される芳香族
スルフィド化合物であり、また、

【００２４】

【化７】 [式中、 ｋは１〜３の整数を表す。Ａは、置換されて
いても良いベンゼン環、置換されていても良いフルオレ
ン環、置換されていても良いチオフェン環、置換されて
いても良いトリアジン環、置換されていても良いピリミ
ジン環から選ばれる３価の炭素環式芳香族環または複素
環式芳香族環を表し、Ｂ¹、Ｂ²、Ｂ³は、それぞれ独立
に、置換されていても良いフェニル基、置換されていて
も良いピリミジル基、置換されていても良いナフチル
基、置換されていても良いチエニル基、置換されていて
も良いベンゾチアゾリル基、置換されていても良いベン
ゾオキサゾリル基、置換されていても良いチアジアゾリ
ル基、置換されていても良いチアゾリル基から選ばれる
炭素環式芳香族基または複素環式芳香族基を表す。]

【００２５】[２３] 一般式（１ｃ）で表される芳香族
スルフィド化合物である。

【００２６】

【化８】 [式中、 ｋは１〜４の整数を表す。Ａは、置換されて
いても良いベンゼン環、置換されていても良いビフェニ
ル環、置換されていても良いチオフェン環、置換されて
いても良いチエノ[３，２−ｂ]チオフェン環から選ばれ
る炭素環式芳香族環または複素環式芳香族環を表し、Ｂ
¹、Ｂ²、Ｂ³、Ｂ⁴は、それぞれ独立に、置換されていて
も良いフェニル基、置換されていても良いピリミジル
基、置換されていても良いナフチル基、置換されていて
も良いチエニル基、置換されていても良いベンゾチアゾ
リル基、置換されていても良いベンゾオキサゾリル基、
置換されていても良いチアジアゾリル基、置換されてい
ても良いチアゾリル基から選ばれる炭素環式芳香族基ま
たは複素環式芳香族基を表す。]

【００２７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明を詳細に説明す
る。本発明の光学材料は、 （ａ）透明性ポリマー （ｂ）芳香族スルフィド化合物が含有されていることを
特徴とする。本発明の光学材料は、一般式（１）で表さ
れる芳香族スルフィド化合物を少なくとも１種含有して
なることを特徴とする。

【００２８】

【化９】 式中、 ｎは２〜１２の整数を表し、ｋは１〜ｎの整数
を表す。Ａは、置換基を有していても良い、ｎ価の炭素
環式芳香族環または複素環式芳香族環を表し、Ｂ¹〜Ｂⁿ
は、それぞれ独立に、置換基を有していても良い、炭素
環式芳香族基または複素環式芳香族基を表す。

【００２９】まず、中心骨格を形成する一般式（１）の
Ａについて説明する。複素環式芳香族環は、２種または
それ以上の元素の原子から芳香族環が構成されている。
２種以上の元素の原子としては炭素原子、酸素原子、リ
ン原子、硫黄原子、窒素原子などが挙げられる。好まし
くは２〜５種の元素の原子で構成されており、より好ま
しくは２〜４種の元素の原子で構成されている。なお、
炭素原子以外の原子をヘテロ原子と記載する。

【００３０】複素環式芳香族環は、五員環あるいは六員
環から構成される。好ましくは単環又は２〜４個の芳香
族環が縮合して構成されており、より好ましくは単環又
は２〜３個の芳香族環が縮合して構成されている。

【００３１】複素環式芳香族環に含有される炭素数は、
好ましくは４〜１４個であり、より好ましくは４〜１１
個である。

【００３２】さらに好ましい複素環式芳香族環の具体的
例示として記載する。まず、一般式（２）に示すヘテロ
原子１個を含む五員環が挙げられる。一般式（２）にお
いて、Ｚ＝Ｏのフラン環であり、Ｚ＝Ｓのチオフェン環
であり、Ｚ＝ＮＨのピロール環が挙げられる。これらの
中で好ましくはチオフェン環、フラン環であり、より好
ましくはチオフェン環である。

【００３３】

【化１０】

【００３４】また、一般式（２）にベンゼン環が縮合し
た一般式（３）が挙げられる。一般式（３）において、
Ｚ＝ＮＨのインドール環であり、Ｚ＝Ｏのベンゾフラン
環であり、Ｚ＝Ｓのベンゾチオフェン環が挙げられる。

【００３５】

【化１１】

【００３６】また、一般式（２）のＺ＝Ｓのチオフェン
環に芳香環が縮合した式（４ａ）〜（４ｆ）が挙げられ
る。これらの中で好ましくは、イソチアナフテン環、チ
エノチアジアゾール環、チエノ[３，２−ｂ]チオフェン
環であり、より好ましくはチエノチアジアゾール環、チ
エノ[３，２−ｂ]チオフェン環である。

【００３７】

【化１２】

【００３８】次に、一般式（５ａ）又は（５ｂ）に示す
ヘテロ原子２個を含む五員環が挙げられる。一般式（５
ａ）において、Ｚ¹＝Ｏのオキサゾール環であり、Ｚ¹＝
Ｓのチアゾール環であり、Ｚ¹＝ＮＨのイミダゾール環
が挙げられる。また、一般式（５ｂ）において、Ｚ²＝
Ｏのイソオキサゾール環であり、Ｚ²＝Ｓのイソチアゾ
ール環であり、Ｚ²＝ＮＨのピラゾール環が挙げられ
る。これらの中で好ましくはオキサゾール環、チアゾー
ル環であり、より好ましくはチアゾール環である。

【００３９】

【化１３】

【００４０】また、一般式（５ａ）又は（５ｂ）の五員
環にベンゼン環が縮合した一般式（６ａ）又は（６ｂ）
が挙げられる。一般式（６ａ）において、Ｚ¹＝Ｏのベ
ンゾオキサゾール環であり、Ｚ¹＝Ｓのベンゾチアゾー
ル環であり、Ｚ¹＝ＮＨのベンゾイミダゾール環が挙げ
られる。また、一般式（６ｂ）において、Ｚ²＝Ｏのベ
ンゾイソオキサゾール環であり、Ｚ²＝Ｓのベンゾイソ
チアゾール環であり、Ｚ²＝ＮＨのベンゾピラゾール環
が挙げられる。

【００４１】

【化１４】

【００４２】ヘテロ原子３個以上含む五員環として、ｎ
−トリアゾール環、ｓ−トリアゾール環、1,2,4−オキ
サジアゾール環、1,3,5−オキサジアゾール環、1,2,5−
オキサジアゾール環、1,2,4−チアジアゾール環、1,3,5
−チアジアゾール環、1,2,5−チアジアゾール環、テト
ラゾール環が挙げられる。これらの中で好ましいのは、
1,3,5−オキサジアゾール環、1,3,5−チアジアゾール環
であり、より好ましいのは1,3,5−チアジアゾール環で
ある。

【００４３】ヘテロ原子１個含有する六員環として、ピ
リジン環が挙げられる。さらに、ピリジン環にベンゼン
環が縮合したキノリン環、イソキノリン環を挙げられ
る。

【００４４】次に、ヘテロ原子２個含有する六員環とし
て、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環が挙げら
れる。また、これらの六員環にベンゼン環が縮合したベ
ンゾ[ｄ]ピリダジン環、ベンゾ[ｃ]ピリダジン環、キナ
ゾリン環、キノキサリン環が挙げられる。

【００４５】さらに、ヘテロ原子３個含有する六員環と
して、トリアジン環が挙げられる。

【００４６】また、一般式（１）におけるＡは多環系で
あっても良い。具体的には、一般式（７）に示すよう
な、複数の環系が単結合１本ずつで一次元的に連結され
た多環系である。

【００４７】ここで、Ｚは酸素原子または硫黄原子を表
す。また、ｍは０〜２の整数を表す。これらの中で好ま
しくは、Ｚが硫黄原子である。また、ｍの好ましい範囲
は０または１であり、より好ましい範囲は０である。

【００４８】

【化１５】

【００４９】一般式（１）におけるＡの炭素環式芳香族
環は、芳香族環を構成する原子が全て炭素原子である環
式化合物である。炭素環式芳香族環は、五員環あるいは
六員環から構成される。好ましくは単環又は２〜５個の
芳香族環が縮合して構成されており、より好ましくは単
環又は２〜４個の芳香族環が縮合して構成されている。

【００５０】炭素環式芳香族環に含有される炭素数は、
好ましくは６〜２２個であり、より好ましくは６〜１８
個である。

【００５１】このような炭素環式芳香族環の具体的例示
として、縮合多環式芳香族環が挙げられる。ペンタレン
環、フェナレン環、トリフェニレン環、ペリレン環、イ
ンデン環、アズレン環、フェナントレン環、ピレン環、
ピセン環などが挙げられる。その中でもアセン形芳香族
環が好ましい。具体的な例示としては、ベンゼン環、ナ
フタレン環、アントラセン環、ナフタセン環、ペンタセ
ン環などが挙げられる。これらの中でより好ましくはベ
ンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環であり、さら
に好ましくはベンゼン環、ナフタレン環である。

【００５２】次に、一般式（１）におけるＡは多環系で
あっても良い。具体的には、一般式（８）に示すよう
な、複数の環系が単結合１本ずつで一次元的に連結され
た多環系である。ここで、ｍは０〜２の整数である。ま
た、ｍの好ましい範囲は０または１であり、より好まし
い範囲は０である。

【００５３】

【化１６】

【００５４】さらに、一般式（１）におけるＡは一般式
（９）で示すような構造であっても良い。具体的例示と
しては、Ｚ³＝ＮＨのカルバゾール環、Ｚ³＝Ｏのジベン
ゾフラン環、Ｚ³＝Ｓのジベンゾチオフェン環、Ｚ³＝Ｃ
Ｈ₂のフルオレン環、Ｚ³＝ＣＯのフルオレノン環、Ｚ³
＝ＳＯ₂のジベンゾチオフェンスルフォン環が挙げられ
る。これらの中で、好ましくはジベンゾチオフェン環、
フルオレン環、フルオレノン環、ジベンゾチオフェンス
ルフォン環であり、より好ましくはジベンゾチオフェン
環、フルオレン環、フルオレノン環である。

【００５５】

【化１７】

【００５６】Ａで示される炭素環式芳香族環または複素
環式芳香族環として好ましい構造は、下記の構造式であ
る。

【００５７】

【化１８】

【００５８】一般式（１）におけるＡで示される複素環
式芳香族環または炭素環式芳香族環は置換基を有してい
ても良い。置換基としては、アルキル基、アルコキシ
基、ハロゲン原子などが挙げられる。

【００５９】アルキル基としては、炭素数１〜４のアル
キル基が好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基の直鎖状のものと、イソ
プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基の分岐状のも
のが好ましい。

【００６０】アルコキシ基としては、炭素数１〜３のア
ルコキシ基が好ましい。具体的には、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基が好ましい。

【００６１】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。好ましく
は、フッ素原子、塩素原子である。

【００６２】これらの置換基は、融点やポリマーへの相
溶性等を考慮して決められる。ポリマーへの相溶性が悪
い場合には、嵩高いｔ−ブチル基等を導入するのが効果
的である。

【００６３】次に、一般式（１）のＢ¹〜Ｂⁿについて説
明する。Ｂ¹〜Ｂⁿは、それぞれ独立に、置換基を有して
いても良い、炭素環式芳香族基または複素環式芳香族基
を表す。

【００６４】複素環式芳香族基は、２種またはそれ以上
の元素の原子から芳香族環が構成されている。２種以上
の元素の原子としては炭素原子、酸素原子、リン原子、
硫黄原子、窒素原子などが挙げられる。好ましくは２〜
５種の元素の原子で構成されており、より好ましくは２
〜４種の元素の原子で構成されている。なお、炭素原子
以外の原子をヘテロ原子と記載する。

【００６５】複素環式芳香族基は、五員環あるいは六員
環から構成される。好ましくは１〜４個の芳香族環が縮
合して構成されており、より好ましくは１〜３個の芳香
族環が縮合して構成されている。

【００６６】複素環式芳香族基に含有される炭素数は、
好ましくは４〜１４個であり、より好ましくは４〜１１
個である。

【００６７】このような複素環式芳香族基の具体的例示
としては、まず、一般式（１０）に示すヘテロ原子１個
を含む五員環を挙げられる。一般式（１０）において、
Ｚ＝Ｏのフリル基であり、Ｚ＝Ｓのチエニル基であり、
Ｚ＝ＮＨのピロリル基が挙げられる。これらの中で好ま
しくはチエニル基、フリル基であり、より好ましくはチ
エニル基である。

【００６８】

【化１９】

【００６９】また、一般式（１０）にベンゼン環が縮合
した一般式（１１）が挙げられる。一般式（１１）にお
いて、Ｚ＝ＮＨのインドリル基であり、Ｚ＝Ｏのベンゾ
フリル基であり、Ｚ＝Ｓのベンゾチエニル基が挙げられ
る。これらの中で好ましくはベンゾチエニル基、ベンゾ
フリル基であり、より好ましくはベンゾチエニル基であ
る。

【００７０】

【化２０】

【００７１】次に、一般式（１２ａ）又は（１２ｂ）に
示すヘテロ原子２個を含む五員環が挙げられる。一般式
（１２ａ）において、Ｚ¹＝Ｏのオキサゾリル基であ
り、Ｚ¹＝Ｓのチアゾリル基であり、Ｚ¹＝ＮＨのイミダ
ゾリル基が挙げられる。また、一般式（１２ｂ）におい
て、Ｚ²＝Ｏのイソオキサゾリル基であり、Ｚ²＝Ｓのイ
ソチアゾリル基であり、Ｚ²＝ＮＨのピラゾリル基が挙
げられる。これらの中で好ましくはオキサゾリル基、チ
アゾリル基であり、より好ましくはチアゾリル基であ
る。

【００７２】

【化２１】

【００７３】また、一般式（１２ａ）又は（１２ｂ）に
示す五員環にベンゼン環が縮合した一般式（１３ａ）又
は（１３ｂ）が挙げられる。一般式（１３ａ）におい
て、Ｚ ¹＝Ｏのベンゾオキサゾリル基であり、Ｚ¹＝Ｓの
ベンゾチアゾリル基であり、Ｚ ¹＝ＮＨのベンゾイミダ
ゾリル基が挙げられる。また、一般式（１３ｂ）におい
て、Ｚ²＝Ｏのベンゾイソオキサゾリル基であり、Ｚ²＝
Ｓのベンゾイソチアゾリル基であり、Ｚ²＝ＮＨのベン
ゾピラゾリル基が挙げられる。これらの中で好ましくは
ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基であり、よ
り好ましくはベンゾチアゾリル基である。

【００７４】

【化２２】

【００７５】ヘテロ原子３個以上含有する五員環とし
て、ｎ−トリアジル基、ｓ−トリアジル基、1,2,4−オ
キサジアゾリル基、1,3,5−オキサジアゾリル基、1,2,5
−オキサジアゾリル基、1,2,4−チアジアゾリル基、1,
3,5−チアジアゾリル基、1,2,5−チアジアゾリル基、テ
トラゾリル基が挙げられる。これらの中で好ましいの
は、1,3,5−オキサジアゾリル基、1,3,5−チアジアゾリ
ル基であり、より好ましいのは1,3,5−チアジアゾリル
基である。

【００７６】ヘテロ原子１個含有する六員環として、ピ
リジル基が挙げられる。また、ピリジル基にベンゼン環
が縮合したキノリル基、イソキノリル基が挙げられる。
好ましいのはピリジル基である。

【００７７】次に、ヘテロ原子２個含有する六員環とし
て、ピリダジル基、ピリミジル基、ピラジル基が挙げら
れる。また、これらの六員環にベンゼン環が縮合したベ
ンゾ[ｄ]ピリダジル基、ベンゾ[ｃ]ピリダジル基、キナ
ゾリル基、キノキサリニル基が挙げられる。

【００７８】さらに、ヘテロ原子３個含有する六員環と
して、トリアジル基が挙げられる。

【００７９】一般式（１）におけるＢ¹〜Ｂⁿの炭素環式
芳香族基は、芳香族環を構成する原子が全て炭素原子で
ある環式化合物基である。炭素環式芳香族基は、五員環
あるいは六員環から構成される。好ましくは単環又は２
〜５個の芳香族環が縮合して構成されており、より好ま
しくは単環又は２〜４個の芳香族環が縮合して構成され
ている。

【００８０】炭素環式芳香族基に含有される炭素数は、
好ましくは６〜２２個であり、より好ましくは６〜１８
個である。

【００８１】このような炭素環式芳香族基の具体的例示
として、縮合多環式芳香族基が挙げられる。ペンタレニ
ル基、フェナレニル基、トリフェニレニル基、ペリレニ
ル基、インデニル基、アズレニル基、フェナントリル
基、ピレニル基、ピセニル基などが挙げられる。その中
でもアセン形芳香族基が好ましい。具体的な例示として
は、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ナフタセ
ニル基、ペンタセニル基などが挙げられる。これらの中
で好ましくはフェニル基、ナフチル基、アントラセニル
基であり、より好ましくは、フェニル基、ナフチル基で
ある。

【００８２】一般式（１）におけるＢ¹〜Ｂⁿの好ましい
構造は、下記の構造式である。

【００８３】

【化２３】

【００８４】一般式（１）においてＢ¹〜Ｂⁿは、全て同
じであっても良いし、全て異なっていても良い。

【００８５】Ｂ¹〜Ｂⁿで示される炭素環式芳香族基また
は複素環式芳香族基は置換されていても良い。置換基と
しては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子など
を挙げることができる。

【００８６】アルキル基としては、炭素数１〜４のアル
キル基が好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基の直鎖状のものと、イソ
プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基の分岐状のも
のが好ましく、特に好ましくはメチル基、エチル基、ｎ
−ブチル基、ｔ−ブチル基である。

【００８７】アルコキシ基としては、炭素数１〜３のア
ルコキシ基が好ましい。具体的には、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基が好ましく、
メトキシ基は特に好ましい。

【００８８】ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。好ましく
は、フッ素原子、塩素原子、特に好ましくはフッ素原子
である。

【００８９】これらの置換基は、融点やポリマーへの相
溶性等を考慮して決められる。ポリマーへの相溶性が悪
い場合には、嵩高いｔ−ブチル基等を導入するのが効果
的である。また、直鎖状アルキル基においては、非対称
の位置、例えばフェニル基にメチル基を導入する場合に
はパラ位よりもメタ位の方が好ましい。

【００９０】一般式（１）においてｎは２〜１２の整数
を表す。ｎはＡの分子構造により決まるもので、特に限
定されるものではない。Ａが複素環式芳香族環である場
合には、ｎの好ましい範囲は２〜６であり、より好まし
い範囲は２〜４である。また、Ａが炭素環式芳香族環で
ある場合には、ｎの好ましい範囲は２〜１０であり、よ
り好ましい範囲は２〜６である。

【００９１】一般式（１）においてｋは１〜ｎの整数を
表す。置換位置は、できるだけ分子の対称性が高くなる
ように導入するのが好ましい。具体的には、ｎ＝３の場
合に、ベンゼン環の１，２，４−位よりも１，３，５−
位に置換基を導入することが好ましい。

【００９２】本発明にかかる芳香族スルフィド化合物を
用いた光学材料は、レンズや光学フィルターなどの材
料、あるいは低屈折率な材料と組み合わせて積層フィル
ムとすることにより、反射防止膜として利用することも
できる。また、一般カメラ用レンズ、ビデオカメラ用レ
ンズ、レーザーピックアップレンズ、レーザブリンター
用ｆθレンズ、フレネルレンズ、液晶プロジェクター用
レンズ、眼鏡用レンズ等のレンズ、プロジェクター用ス
クリーン、光ファイバー、光導波路、プリズム等の光学
部品などへの適用が挙げられる。これらの中でもＰＯＦ
の材料として好適に用いることができる。

【００９３】このような光学部品において、透明性ポリ
マーとドーパントが均一に分散されている場合と分布を
持つ場合に分けられる。屈折率分布を持つ場合にはGI型
POFと複写機に使用されているアレイレンズへの適用が
好ましい。

【００９４】本発明の光学材料の製造方法としては、射
出成形法、圧縮成形法、マイクロモールド法、フローテ
ィングモールド法、ローリンクス法、注型法等の公知の
成形法を利用することができる。注型法においては、部
分的に重合を進めた後、型に注入し、最終的な重合を行
って、成形品を得ると同時に本発明に係わる光学材料を
製造してもよい。また、成型用サンプルは、射出成形法
の場合には熱可塑性樹脂にドーパントを配合して均一に
なるまで撹拌することにより得ることができ、注入法の
場合には例えばＵＶ硬化性モノマーにドーパントを添加
して均一になるまで撹拌することにより得ることができ
る。

【００９５】さらに、上記のような成形法により得られ
た成形品表面に、ＭｇＦ₂、ＳｉＯ₂などの無機化合物を
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法などによってコーティングすること、また、成形品表
面にシランカップリング剤などの有機シリコン化合物、
ビニルモノマー、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素
系樹脂、シリコーン樹脂などをハードコートすることな
どによって、耐湿性、光学特性、耐薬品性、耐磨耗性、
曇り止めなどを向上させることができる。

【００９６】以下、ＧＩ型ＰＯＦの材料として本発明の
芳香族スルフィド化合物を用いる場合についてより詳細
に説明する。

【００９７】かかる用途として、本発明の芳香族スルフ
ィド化合物を用いる場合は、高屈折率ドーパントとして
用いられることが一般的であるため、屈折率が１．６０
〜２．０の範囲であることが好ましく、１．６３〜１．
９０の範囲であることがより好ましい。

【００９８】なお、これらの高屈折率ドーパントは、コ
ア部に単独で含まれていても良く、これらの中から複数
選択してコア部に含まれていても良く、または、他の公
知のドーパントとこれらの１つないし複数とがコア部に
含まれていても良い。

【００９９】ＰＯＦのコア部に含まれる高屈折率ドーパ
ントの含有量は、所望の屈折率分布が得られ、かつファ
イバーの機械的強度等を損なわなければ特に制限される
ものではない。好ましくは、高屈折率ドーパントはＰＯ
Ｆ材料が重合により製造される際に、コア部を構成する
重合体のモノマーに添加され、このモノマーと高屈折率
ドーパントとの混合物に対して重合反応を行うことによ
り製造されたＰＯＦ材料のコア部に含まれる。ＰＯＦの
コア部における高屈折率ドーパントの含有量は、好まし
くは６０質量％以下であり、より好ましくは５０質量％
以下であり、さらに好ましくは４５質量％以下である。

【０１００】本発明のＰＯＦに使用される高屈折率ドー
パント化合物の分子体積は、使用するコア部ＰＯＦ材料
のモノマーとの組み合わせにより決定されるものであ
り、特に限定されるものではない。従来のＰＯＦで用い
られているメタクリル酸メチルの分子体積は１０１ų
程度であることを考慮すると、メタクリル酸メチルをコ
ア部母材モノマーとして用いる場合には、１００〜５０
０ųの範囲であることが好ましく、１５０〜４００ų
の範囲であることがより好ましい。

【０１０１】光ファイバの中心部と外周部とに高屈折率
差があることは、開口数を大きくさせ、伝送損失を低く
するだけでなく、結合損失及び曲げ損失を低くするので
好ましい。本発明のプラスチック光ファイバーにおける
開口数は、好ましくは０．１５〜０．４０の範囲であ
り、より好ましくは０．１８〜０．３０の範囲である。

【０１０２】以上説明したように、本発明に係る芳香族
スルフィド化合物は、一般式（１）で表される骨格を有
する化合物からなり、このような芳香族スルフィド化合
物としては、具体的には次表に記載した化合物を挙げる
ことができる。

【０１０３】

【表１】

【０１０４】

【表２】

【０１０５】

【表３】

【０１０６】

【表４】

【０１０７】

【表５】

【０１０８】

【表６】

【０１０９】

【表７】

【０１１０】

【表８】

【０１１１】

【表９】

【０１１２】

【表１０】

【０１１３】

【表１１】

【０１１４】

【表１２】

【０１１５】

【表１３】

【０１１６】

【表１４】

【０１１７】

【表１５】

【０１１８】

【表１６】

【０１１９】

【表１７】

【０１２０】

【表１８】

【０１２１】

【表１９】

【０１２２】

【表２０】

【０１２３】

【表２１】

【０１２４】

【表２２】

【０１２５】

【表２３】

【０１２６】

【表２４】

【０１２７】

【表２５】

【０１２８】

【表２６】

【０１２９】

【表２７】

【０１３０】

【表２８】

【０１３１】

【表２９】

【０１３２】

【表３０】

【０１３３】

【表３１】

【０１３４】

【表３２】

【０１３５】

【表３３】

【０１３６】

【表３４】

【０１３７】

【表３５】

【０１３８】

【表３６】

【０１３９】

【表３７】

【０１４０】

【表３８】

【０１４１】

【表３９】

【０１４２】

【表４０】

【０１４３】

【表４１】

【０１４４】本発明の芳香族スルフィド化合物は、ハロ
ゲン体とチオール体とを塩基下にて反応させることによ
り得ることが出来る。

【０１４５】

【化２４】

【０１４６】次に本発明のｎ＝２の場合の芳香族スルフ
ィド化合物の製造方法について詳しく説明する。製造方
法として、上記いずれの合成経路でも製造可能である
が、これらに限定されるものではない。

【０１４７】以下、方法Ｉについて詳細に説明する。即
ち、本発明のＰＯＦに含有する芳香族スルフィド化合物
は、ジハロゲン体とチオール体とを塩基の存在下にて反
応させることにより得ることができる。

【０１４８】反応に用いられるジハロゲン体は、目的と
する芳香族化合物をハロゲン化することにより容易に得
ることができる。

【０１４９】反応に用いられるチオール体は、例えばCa
n. J. Chem., 53, 1480 (1975)等に記載されているよう
なジアゾニウム塩と硫化アニオンとの求核置換反応によ
り容易に得られる。チオール体の合計使用量はジハロゲ
ン体に対して２〜５倍モル、好ましくは２〜３倍モルで
ある。

【０１５０】本発明に用いられる塩基としては、例えば
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の金属水酸化物、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の金属炭酸塩、トリメ
チルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、
トリブチルアミン、Ｎ,Ｎ―ジメチルアニリン等の第３
級アミン、ナトリウムメチラートやナトリウムエチラー
ト、カリウムtert−ブチラート等の金属アルコラート等
が挙げられる。好ましくは、ナトリウムメチラートやナ
トリウムエチラート等の金属アルコラートである。

【０１５１】塩基の使用量はジハロゲン体に対して２〜
５倍モル、好ましくは２〜３倍モルである。

【０１５２】反応温度は、１００〜２００℃の範囲であ
り、好ましくは１３０〜１８０℃の範囲である。反応温
度が１８０℃を超えると副生成物が増加し、目的とする
芳香族スルフィド化合物の収率が低下する。また、反応
温度が１００℃より低いと反応速度が遅くて実用的では
ない。

【０１５３】反応溶媒は極性有機溶媒を用いることが好
ましい。極性有機溶媒としては、例えば、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、ジメ
チルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシド等を挙げることができる。

【０１５４】その他の製造方法としては、例えばTetrah
edron Lett., 39, 543 (1998)に記載の方法により製造
することができる。

【０１５５】なお、上記方法は本発明で高屈折率ドーパ
ントとして用いられる芳香族スルフィド化合物の製造方
法の一例であって、本発明で高屈折率ドーパントとして
用いられる芳香族スルフィド化合物は、この製造方法で
のみ得られる化合物に限定されるものではない。

【０１５６】本発明のＰＯＦ材料は、コア部と、コア部
の中心部より低い屈折率を有するクラッド部とから構成
されている。

【０１５７】本発明のＰＯＦのコア部を構成する重合体
は、透明な重合体を形成しうるものであれば特に制限は
なく使用することが可能である。例えば、メタクリル酸
メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ−プロピ
ル、メタクリル酸イソプロピル、メタクリル酸ｎ−ブチ
ル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸ｓ−ブチ
ル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸シクロヘキ
シル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸フェニル、
メタクリル酸ボルニル、メタクリル酸アダマンチル、メ
タクリル酸トリシクロデシル、メタクリル酸ジシクロペ
ンタニル、メタクリル酸２，２，２−トリフルオロエチ
ル、メタクリル酸２，２，３，３−テトラフルオロプロ
ピル、メタクリル酸２，２，３，３、３−ペンタフルオ
ロプロピル、メタクリル酸２，２，３，４，４，４−ヘ
キサフルオロブチル、メタクリル酸１−トリフルオロメ
チル−２，２，２−トリフルオロエチル、メタクリル酸
１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオルペンチル等のメタク
リル酸エステル類の単独重合体あるいは共重合体もしく
はこれらのブレンド重合体、置換基としてメチル基、エ
チル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シク
ロヘキシル基等を有する脂肪族のＮ−置換マレイミド単
量体類の単独重合体あるいは共重合体もしくはこれらの
ブレンド重合体、スチレン及びその誘導体の単独重合体
あるいは共重合体もしくはこれらのブレンド重合体等が
挙げられる。

【０１５８】本発明のＰＯＦのクラッド部を構成する重
合体には、透明な重合体を形成しうるものであれば特に
制限はなく使用することが可能である。例えば、ポリメ
タクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（Ｐ
Ｃ）、メタクリル酸あるいはメタクリル酸メチルと他の
単量体との透明な共重合体が用いられる。他の単量体と
しては、単官能の（メタ）アクリレート類、フッ素化ア
ルキル（メタ）アクリレート類、アクリル酸、メタクリ
ル酸等のアクリル系単量体などが使用可能である。

【０１５９】本発明のＰＯＦは公知の方法にて製造する
ことができるが、一般的には以下に例示する２通りの方
法で製造される。一つはプリフォーム（母材）からファ
イバーを熱延伸する方法で、他方はプリフォームを介さ
ずに連続的にファイバーを成形する方法である。なお、
ポリマー光ファイバーへと紡糸する前の状態の光学材料
をＰＯＦ母材と定義する。

【０１６０】プリフォーム法では、予め作製しておいた
重合体製中空管の中空内に、その中空管の重合体を溶解
しかつ非重合性低分子化合物を分散含有する重合性溶液
（単量体成分、重合開始剤、分子量調整剤を含む単量体
混合物）を充填させ、外部から加熱または光照射により
単量体を外部から重合させ、ロッド状のプリフォームを
得、その後に、所望の径になるように加熱延伸する方法
である。この際の重合体製中空管は、非重合性の低分子
化合物を含有しない以外は中空部内に充填した物と同じ
単量体混合物から形成してもよいし、また、その主成分
となる単量体が同じであれば異なる単量体混合物から形
成してもよい。

【０１６１】また、分子量調整剤としてはｎ−ブチルメ
ルカプタン等のメルカプタン類等の通常のラジカル連鎖
移動剤が用いられる。また、重合開始剤としてはアゾビ
スイソブチロニトリル等のアゾ化合物、過酸化ベンゾイ
ル等の過酸化物等の通常のラジカル重合開始剤が用いら
れる。このとき、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイル
等の、約４０℃〜約１００℃で有効にラジカルを発生す
るいわゆる中温開始剤が好適に使用可能である。従っ
て、このような中温開始剤を用いた場合、重合反応の温
度条件は、好適には約４０℃〜約１００℃である。反応
熱や反応自体による膨脹収縮によって重合反応中若しく
は反応後ポリマーにクラック等が生じないように、並び
に、反応熱によってモノマーが反応中に沸騰することの
ないように、重合反応速度は調節される必要があり、こ
れは重合温度と開始剤濃度との組み合わせにより調節可
能である。ラジカル重合反応の開始剤の添加量は、約４
０℃〜約１００℃の重合反応開始の条件に関して、系全
体に対して０．００１〜１０質量％程度、更には０．０
１〜０．３質量％程度であればよい。尚、このような熱
エネルギーによる塊状重合以外にも、光エネルギーを用
いた塊状重合等も使用可能である。この場合においても
同様に、温度等の入力エネルギー量と開始剤濃度との組
み合わせにより、重合反応速度を調節することが可能で
ある。

【０１６２】ＰＯＦ母材を加熱溶融してＰＯＦへと紡糸
する際の線引きの作業性の点から、ＰＯＦ母材のコア部
とクラッド部とを構成する重合体の重量平均分子量が、
１０，０００以上３００，０００以下であることが好ま
しく、更には３０，０００以上２５０，０００以下であ
ることが好ましく、特に５０，０００以上２００，００
０以下であることが好ましい。

【０１６３】プラスチック光ファイバ材料のコア又はク
ラッド部が、加熱により開始する重合反応により製造さ
れる場合には、コア又はクラッド部の製造に用いられる
製造装置は、ＰＯＦ母材を回転可能で、且つ温度制御の
機能をもつ加熱手段を有する装置であれば、形態を問わ
ず、本発明に好適に使用できる。但し、この重合反応に
は、空気中の酸素に反応の進行が阻害される場合もある
ため、ＰＯＦ母材をモールドに挿入して設置する際、そ
の両端を封止できる機能が具備されることが好ましい。

【０１６４】また、連続方式としては、非重合性化合物
を含有する低重合度重合体と非重合性化合物を含まぬ高
重合度重合体を、非重合性化合物を含まぬ高重合度重合
体を外側にして、複合紡糸し、内部の非重合性化合物を
加熱拡散する方法も採用できる。

【０１６５】このように作製したＧＩ型ＰＯＦの外周部
に被覆層（ジャケット層）を設けることができる。被覆
層は２層以上の多層構造とすることができる。被覆層
（ジャケット層）にはポリエチレン、ポリ塩化ビニル、
塩素化ポリエチレン、架橋ポリエチレン、ポリオレフィ
ンエラストマ、ポリウレタン、ナイロン樹脂、エチレン
−酢酸ビニル共重合体等の公知の物を使用できる。

【０１６６】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。本発明に係る芳香族スルフィド化合物の合成例を実
施例１〜７に示す。

【０１６７】本発明の光学材料の屈折率測定は、以下の
ように行なった。ＰＭＭＡ（アルドリッチ製試薬、Ｍｗ
＝120,000）中に組成比を変えたサンプルをシリコン基
板上にスピンコートし、プリズムカプラ法（波長６３３
ｎｍ）により屈折率を測定した。また、組成比と屈折率
との関係から、本発明に係る芳香族スルフィド化合物の
屈折率を算出した。

【０１６８】本発明の光学材料のガラス転移温度は、マ
ックサイエンス社製ＤＳＣを用いて昇温速度１０℃/ｍ
ｉｎにて測定した。

【０１６９】本発明に係る芳香族スルフィド化合物を用
いたＰＯＦの光学部品としての性能を実施例１６〜２１
に示す。屈折率分布の測定は、カールツアイス社製イン
ターファコ干渉顕微鏡を用いて公知の方法で測定した。
光伝送損失はHe−Neレーザー光（波長６３３ｎｍ）を用
いてカットバック法により測定した。

【０１７０】実施例１：２，５−ビス（フェニルチオ）
チオフェンの合成 ２，５−ジブロモチオフェン１２．１０ｇ（０．０５０
ｍｏｌ）、チオフェノール１２．１２ｇ（０．１１０ｍ
ｏｌ）、酸化銅（Ｉ）３．５８ｇ（０．０２５ｍｏｌ）
をピリジン／キノリン（１/４）１００ｍｌに入れて１
６０℃で４２時間還流させた。反応液を６Ｎ塩酸で処理
し、トルエンで抽出した。有機層を取り出してエバポレ
ーターで溶媒を除去して、淡黄色の液体を得た。得られ
た液体をエタノールから再結晶することにより、目的物
を得た。収量：１０．１ｇ（収率６７．０％）。融点：
４７〜４８℃。

【０１７１】

【化２５】

【０１７２】実施例２：４，４’−ビス（フェニルチ
オ）ビフェニルの合成 ４，４’−ジブロモビフェニル12.50ｇ（0.040ｍｏ
ｌ）、チオフェノール9.70ｇ（0.088ｍｏｌ）、KOH4.94
ｇ（0.088ｍｏｌ）をDMI100ｍｌに入れて、１６０℃で6
2時間反応させた。反応液をトルエンで抽出後、溶媒を
除去して白色固体を得た。これをトルエン/ヘキサン（2
/8）を展開溶媒としてカラム精製を行い、白色固体を得
た。IPA/酢酸エチル（9/1）から再結晶を行い、光沢の
ある薄板状の白色固体の目的物を得た。収量：１１．５
ｇ（収率７８．０％）。融点：１１７．７℃。

【０１７３】

【化２６】

【０１７４】実施例３：１，４−ビス（フェニルチオ）
ベンゼンの合成 ｐ−ジブロモベンゼン11.80ｇ（0.050ｍｏｌ）、チオフ
ェノール13.22ｇ（0.120ｍｏｌ）、KOH6.73ｇ（0.120ｍ
ｏｌ）をDMI100ｍｌに入れて、１６０℃で57時間反応さ
せた。反応液をトルエンで抽出後、溶媒を除去して白色
固体を得た。これをトルエン/ヘキサン（1/9）を展開溶
媒としてカラムクロマトグラフィーを行い、淡黄色の固
体を得た。エタノールから再結晶を行い、光沢のある薄
板状の白色固体の目的物を得た。収量７．１８ｇ（収率
４９．０％）。融点：８０〜８１℃。

【０１７５】

【化２７】

【０１７６】実施例４：１，３，５−トリス（フェニル
チオ）ベンゼンの合成 １，３，５−トリブロモベンゼン15.40ｇ（0.0489ｍｏ
ｌ）、チオフェノール16.43ｇ（0.149ｍｏｌ）、酸化銅
（Ｉ）3.56ｇ（0.025ｍｏｌ）をピリジン/キノリン（１
/４）100ｍｌに入れて１６０℃で57時間還流させた。反
応液（固体）をトルエンに溶解させて水洗した。その
後、６Ｎ塩酸で洗浄し、トルエン層を抽出して溶媒を除
去し、淡黄色の液体を得た。トルエン/ヘキサン（2/8）
を展開液としてカラムクロマトグラフィーを行い、白色
固体の目的物を得た。収量：１３．０ｇ（収率６６．０
％）。融点：４０〜４１℃。

【０１７７】

【化２８】

【０１７８】実施例５：２，５’−ビス（フェニルチ
オ）ビチオフェンの合成 撹拌機、温度計、ジムロート型冷却菅を備えた４つ口フ
ラスコに5,5’−ジブロモ-2,2’−ジチオフェン4.86ｇ
（0.015ｍｏｌ）、チオフェノール6.78ｇ（0.062ｍｏ
ｌ）、水酸化カリウム4.04ｇ（0.072ｍｏｌ）、脱水Ｄ
ＭＩ50ｍｌを仕込み、反応温度130℃で13時間30分、160
℃で6時間30分還流させた。この反応液に、水500ｇを加
えて撹拌し、さらにトルエンを加えて撹拌し、反応液を
分液した。有機層を飽和ＮａＣｌ水溶液で洗浄した後、
無水硫酸マグネシウムで脱水し、トルエンを留去して淡
黄色の固体を得た。この固体をＩＰＡから再結晶して精
製することにより、淡黄色の針状結晶の目的物を得た。
収量：５．２３ｇ（収率９１．１％）。融点：１１０〜
１１２℃。

【０１７９】

【化２９】

【０１８０】実施例６：４，６−ビス（フェニルチオ）
ピリミジンの合成 撹拌機、温度計、ジムロート型冷却菅を備えた４つ口フ
ラスコに４，６−ジクロロピリミジン7.45ｇ（0.050ｍ
ｏｌ）、チオフェノール22.12ｇ（0.201ｍｏｌ）、水酸
化カリウム11.32ｇ（0.202ｍｏｌ）、脱水ＤＭＩ80ｍｌ
を仕込み、反応温度130℃で１時間50分、150℃で4時間3
0分還流させた。この反応液に、水1000ｇを加えて撹拌
し、さらに酢酸エチルを加えて撹拌し、反応液を分液し
た。有機層を飽和ＮａＣｌ水溶液で洗浄した後、無水硫
酸マグネシウムで脱水し、酢酸エチルを留去して茶色の
固体と液体の混合物を得た。この液体をトルエン/酢酸
エチル（8/2）でカラム精製を行い、黄色固体を得た。
この固体と先の固体をＩＰＡから再結晶して精製するこ
とにより、淡黄色の結晶の目的物を得た。収量：７．７
５ｇ（収率52.3％）。融点：117℃。

【０１８１】

【化３０】

【０１８２】実施例７：１，３，５−トリス（フェニル
チオ）トリアジンの合成 撹拌機、温度計、ジムロート型冷却菅を備えた４つ口フ
ラスコに、チオフェノール16.58ｇ（0.150ｍｏｌ）、水
酸化カリウム9.90ｇ（0.176ｍｏｌ）、脱水ＤＭＩ80ｍ
ｌを仕込み、反応温度80℃で2時間加熱した。この反応
液に、塩化シアヌル9.22ｇ（0.050ｍｏｌ）を加えて反
応温度120℃で3時間、140℃で9時間還流させた。この反
応液に水を加えて撹拌し、さらに酢酸エチルを加えて撹
拌し、反応液を分液した。有機層を飽和ＮａＣｌ水溶液
で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで脱水し、酢酸エ
チルを留去して黄色の粘性のある液体を得た。この液体
をトルエン/ヘキサン（6/4）でカラム精製を行い、黄色
の粘性のある液体を得た。（放置後結晶化）この固体を
ＩＰＡから再結晶して精製することにより、白色の針状
結晶の目的物を得た。収量：8.79ｇ（収率：43.3％）。
融点：97〜99℃。

【０１８３】

【化３１】

【０１８４】［屈折率の測定］ 実施例８ 実施例４に記載した１，３，５−トリス（フェニルチ
オ）ベンゼンをＰＭＭＡ中に組成比を変えて分散させた
スピンコート膜の屈折率をプリズムカプラー法により測
定した。結果を図１に示す。この直線を外挿することに
より、１，３，５−トリス（フェニルチオ）ベンゼンは
ｎ＝１．７０２の屈折率を有することが分かった。

【０１８５】比較例１ ジフェニルスルフィドをＰＭＭＡ中に分散させたスピン
コート膜の屈折率を実施例８と同様に測定した。結果を
図１に示す。外挿よりジフェニルスルフィドはｎ＝１．
６１５の屈折率を有することが分かった。

【０１８６】実施例９〜１４ 実施例８と同様にして屈折率の組成比依存性を測定し、
直線を外挿して本発明化合物の屈折率を算出した。結果
を表４２に示す。いずれの化合物もジフェニルスルフィ
ドより高屈折率であることがわかった。

【０１８７】

【表４２】

【０１８８】[ガラス転移温度の測定] 実施例１５ 実施例４に記載した１，３，５−トリス（フェニルチ
オ）ベンゼンをＰＭＭＡ中に組成比を変えて分散させた
フィルムのガラス転移温度を測定した。図２に測定した
ガラス転移温度を屈折率に対してプロットした結果を示
した。

【０１８９】比較例２ ジフェニルスルフィドをＰＭＭＡ中に分散させたフィル
ムのガラス転移温度を実施例１５と同様に測定した。結
果を図２に示した。

【０１９０】[光学部品] 実施例１６ 水平に保持した長さ５００ｍｍ、内径１８ｍｍのガラス
管にモノマーとしてメタクリル酸メチル（ＭＭＡ）１１
２ｇ、重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイド０．
５６ｇ、連鎖移動剤としてｎ−ブチルメルカプタン３５
０μリットルを充填した。ガラス管の両端をシールした
後、３０００ｒｐｍで回転させながら７０℃で２０時間
加熱し、その後回転を止め９０℃で１０時間加熱し重合
してポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）からなる重合
管を作製した。このポリマーロッドの中心にドリルで５
ｍｍ径の中空部を形成して中空管を得た。

【０１９１】このＰＭＭＡ製中空管の片端を封じ、ＭＭ
Ａ４８ｇ、下記に示した高屈折率ドーパント１２ｇ、重
合開始剤としてジ−ｔ−ブチルパーオキサイド５４μリ
ットル、連鎖移動剤としてｎ−ラウリルメルカプタン１
６０μリットルを充填し、他端を封じた後、水平に保持
し、１０ｒｐｍで回転させながら９５℃で２４時間加
熱、その後回転を止め１１０℃で４８時間加熱し重合し
て外径１８ｍｍのロッドを得た。

【０１９２】

【化３２】

【０１９３】このロッドをロッドフィード装置に垂直に
取り付け、２２０℃の円筒状加熱炉で加熱溶融しつつ一
定速度で引き取り、捲き取ることにより溶融紡糸し、直
径０．７５ｍｍの光ファイバを得た。得られた光ファイ
バのファイバ断面の屈折率分布を測定したところ、屈折
率が中心部から外側方向に連続的に減少していた。得ら
れた光ファイバの１００ｍ長における伝送特性を評価し
たところ、伝送損失が波長６５０ｎｍにおいて１７．８
ｄＢ、伝送帯域が３．４ＧＨｚであり、屈折率分布型Ｐ
ＯＦとして良好な性能を有していた。また、得られた光
ファイバを８５℃のオーブンに入れて加熱試験を行い、
３０００時間後における屈折率分布を測定したところ、
初期の屈折率分布を保持していた。

【０１９４】実施例１７ 実施例１６と同様に作製したＰＭＭＡ製中空管を用い、
このＰＭＭＡ製中空管にＭＭＡ４８ｇ、下記に示した高
屈折率ドーパント１２ｇ、重合開始剤としてジ−ｔ−ブ
チルパーオキサイド５４μリットル、連鎖移動剤として
ｎ−ラウリルメルカプタン１６０μリットルを充填し、
他端を封じた後、水平に保持し、１０ｒｐｍで回転させ
ながら９５℃で２４時間加熱、その後回転を止め１１０
℃で４８時間加熱し重合して外径１８ｍｍのロッドを得
た。

【０１９５】

【化３３】

【０１９６】このロッドをロッドフィード装置に垂直に
取り付け、２２０℃の円筒状加熱炉で加熱溶融しつつ一
定速度で引き取り、捲き取ることにより溶融紡糸し、直
径０．７５ｍｍの光ファイバを得た。得られた光ファイ
バのファイバ断面の屈折率分布を測定したところ、屈折
率が中心部から外側方向になだらかに減少していた。得
られた光ファイバの１００ｍ長における伝送特性を評価
したところ、伝送損失が波長６５０ｎｍにおいて１５．
３ｄＢ、伝送帯域が３．１ＧＨｚであり、屈折率分布型
プラスチック光ファイバとして良好な性能を有してい
た。また、得られた光ファイバを８５℃のオーブンに入
れて加熱試験を行い、３０００時間後における屈折率分
布を測定したところ、初期の屈折率分布を保持してい
た。

【０１９７】実施例１８ 実施例１６と同様に作製したＰＭＭＡ製中空管を用い、
このＰＭＭＡ製中空管にＭＭＡ４８ｇ、下記に示した高
屈折率ドーパント１２ｇ、重合開始剤としてジ−ｔ−ブ
チルパーオキサイド５４μリットル、連鎖移動剤として
ｎ−ラウリルメルカプタン１６０μリットルを充填し、
片端を封じた後、水平に保持し、１０ｒｐｍで回転させ
ながら９５℃で２４時間加熱、その後回転を止め１１０
℃で４８時間加熱し重合して外径１７．６ｍｍのロッド
を得た。

【０１９８】

【化３４】

【０１９９】このロッドをロッドフィード装置に垂直に
取り付け、２２０℃の円筒状加熱炉で加熱溶融しつつ一
定速度で引き取り、捲き取ることにより溶融紡糸し、直
径０．７５ｍｍの光ファイバを得た。得られた光ファイ
バのファイバ断面の屈折率分布を測定したところ、屈折
率が中心部から外側方向になだらかに減少していた。得
られた光ファイバの１００ｍ長における伝送特性を評価
したところ、伝送損失が波長６５０ｎｍにおいて１４．
５ｄＢ、伝送帯域が２．３ＧＨｚであり、屈折率分布型
プラスチック光ファイバとして良好な性能を有してい
た。また、得られた光ファイバを８５℃のオーブンに入
れて加熱試験を行い、３０００時間後における屈折率分
布を測定したところ、初期の屈折率分布を保持してい
た。

【０２００】実施例１９ 実施例１６と同様に作製したＰＭＭＡ製中空管を用い、
このＰＭＭＡ製中空管にＭＭＡ４８ｇ、下記に示した高
屈折率ドーパント１２ｇ、重合開始剤としてジ−ｔ−ブ
チルパーオキサイド５４μリットル、連鎖移動剤として
ｎ−ラウリルメルカプタン１６０μリットルを充填し、
他端を封じた後、水平に保持し、１０ｒｐｍで回転させ
ながら９５℃で２４時間加熱、その後回転を止め１１０
℃で４８時間加熱し重合して外径１８ｍｍのロッドを得
た。

【０２０１】

【化３５】

【０２０２】このロッドをロッドフィード装置に垂直に
取り付け、２２０℃の円筒状加熱炉で加熱溶融しつつ一
定速度で引き取り、捲き取ることにより溶融紡糸し、直
径０．７５ｍｍの光ファイバを得た。得られた光ファイ
バのファイバ断面の屈折率分布を測定したところ、屈折
率が中心部から外側方向に連続的に減少していた。得ら
れた光ファイバの１００ｍ長における伝送特性を評価し
たところ、伝送損失が波長６５０ｎｍにおいて１７．８
ｄＢ、伝送帯域が３．５ＧＨｚであり、屈折率分布型Ｐ
ＯＦとして良好な性能を有していた。また、得られた光
ファイバを８５℃のオーブンに入れて加熱試験を行い、
３０００時間後における屈折率分布を測定したところ、
初期の屈折率分布を保持していた。

【０２０３】実施例２０ 実施例１６と同様に作製したＰＭＭＡ製中空管を用い、
このＰＭＭＡ製中空管にＭＭＡ４８ｇ、下記に示した高
屈折率ドーパント１２ｇ、重合開始剤としてジ−ｔ−ブ
チルパーオキサイド５４μリットル、連鎖移動剤として
ｎ−ラウリルメルカプタン１６０μリットルを充填し、
他端を封じた後、水平に保持し、１０ｒｐｍで回転させ
ながら９５℃で２４時間加熱、その後回転を止め１１０
℃で４８時間加熱し重合して外径１８ｍｍのロッドを得
た。

【０２０４】

【化３６】

【０２０５】このロッドをロッドフィード装置に垂直に
取り付け、２２０℃の円筒状加熱炉で加熱溶融しつつ一
定速度で引き取り、捲き取ることにより溶融紡糸し、直
径０．７５ｍｍの光ファイバを得た。得られた光ファイ
バのファイバ断面の屈折率分布を測定したところ、屈折
率が中心部から外側方向になだらかに減少していた。得
られた光ファイバの１００ｍ長における伝送特性を評価
したところ、伝送損失が波長６５０ｎｍにおいて１６．
２ｄＢ、伝送帯域が３．１ＧＨｚであり、屈折率分布型
プラスチック光ファイバとして良好な性能を有してい
た。また、得られた光ファイバを８５℃のオーブンに入
れて加熱試験を行い、３０００時間後における屈折率分
布を測定したところ、初期の屈折率分布を保持してい
た。

【０２０６】実施例２１ 実施例１に記載した２，５−ビス（フェニルチオ）チオ
フェンをＰＭＭＡに２０ｗｔ％添加し、乳鉢で１０分間
混合した。この試料を熱プレス機によりフィルムを得て
光学物性を測定したところ、全光線透過率９１％、色相
３．５、ｎｄ１．５１８７、アッべ数４６．７のフィル
ムを得ることができた。PMMA単独の透過率や色相をあま
り変化させずに屈折率を向上させることがわかった。

【０２０７】

【発明の効果】本発明の光学材料は、従来知られていた
ドーパントよりも効率良く高屈折率化できるものであ
り、可塑効果が小さく耐熱性に優れており、光学材料と
しての信頼性を向上させるものである。

【０２０８】また、本発明の光学部品の一種であるGI型
POFは、従来のものに比べ屈折率分布の耐熱安定性に優
れたもであり、光ファイバとしての伝送特性の信頼性を
向上させたものである。

【０２０９】したがって、本発明のPOFは、従来のPOFで
は使用できなかった自動車のエンジンルーム等の耐熱性
が要求される分野においても長期的に使用が可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例８及び比較例１で測定したドーパント濃
度の変化によるスピンコート膜の屈折率の変化を示すグ
ラフである。

【図２】実施例１５及び比較例２で測定したガラス転移
温度と屈折率との関係を示すグラフである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｄ 277/74 Ｃ０７Ｄ 277/74 ４Ｃ０７１ 285/125 307/66 ４Ｃ０７２ 307/66 333/18 ４Ｈ００６ 333/18 333/34 ４Ｊ００２ 333/34 333/48 333/48 333/62 333/62 403/14 403/14 405/14 405/14 409/12 409/12 409/14 409/14 413/12 413/12 413/14 413/14 417/12 417/12 417/14 417/14 495/04 １０１ 495/04 １０１ 513/04 ３０１ 513/04 ３０１ Ｃ０８Ｋ 5/372 Ｃ０８Ｋ 5/372 Ｃ０８Ｌ 33/10 Ｃ０８Ｌ 33/10 Ｃ０７Ｄ 285/12 Ｄ (72)発明者 大辻 淳夫 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 東京都千代田区霞が関三丁目２番５号 三 井化学株式会社内 Ｆターム(参考） 2H050 AB42Z AB43Z AB50Z AC05 AD00 4C033 AE09 AE17 4C036 AD08 AD27 4C056 AA01 AB01 AC02 AD03 AE03 CA19 CC01 4C063 AA03 AA05 BB08 CC43 CC62 CC67 CC75 CC92 DD29 DD52 DD62 DD67 DD75 EE10 4C071 AA01 BB01 CC21 DD04 EE13 FF23 HH11 JJ01 LL05 4C072 AA01 BB02 CC02 CC17 EE12 FF19 GG07 HH02 UU05 4H006 AA01 AA03 AB92 TA04 TB73 4J002 AA011 BG051 BG061 EV056

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（１）で表される芳香族スルフィ
   ド化合物を少なくとも１種含有してなる光学材料。 【化１】 [式中、 ｎは２〜１２の整数を表し、ｋは１〜ｎの整
   数を表す。Ａは、置換基を有していても良い、ｎ価の炭
   素環式芳香族環または複素環式芳香族環を表し、 Ｂ¹〜Ｂⁿは、それぞれ独立に、置換基を有していても良
   い、炭素環式芳香族基または複素環式芳香族基を表
   す。]
2. 【請求項２】 一般式（１）において、ｎは２〜４の整
   数であり、かつＡは置換基を有していても良い複素環式
   芳香族環である請求項１記載の光学材料。
3. 【請求項３】 一般式（１）において、Ｂ¹〜Ｂⁿが、そ
   れぞれ独立に、置換基を有していても良いフェニル基、
   置換基を有していても良いピリミジル基、置換基を有し
   ていても良いナフチル基、置換基を有していても良いチ
   エニル基、置換基を有していても良いベンゾチアゾリル
   基、置換基を有していても良いベンゾオキサゾリル基、
   置換基を有していても良いチアジアゾリル基、置換基を
   有していても良いチアゾリル基のいずれかである請求項
   ２記載の光学材料。
4. 【請求項４】 一般式（１）において、Ａは置換基を有
   していても良いチオフェン環、置換基を有していても良
   いチオフェン−１，１−ジオキシド環、置換基を有して
   いても良いチオフェンチアジアゾール環、置換基を有し
   ていても良いチエノ[３，２−ｂ]チオフェン環、置換基
   を有していても良いトリアジン環、置換基を有していて
   も良いピリミジン環のいずれかから選ばれる２価の複素
   環式芳香族環である請求項２記載の光学材料。
5. 【請求項５】 一般式（１）において、Ｂ¹〜Ｂⁿが、そ
   れぞれ独立に、置換基を有していても良いフェニル基、
   置換基を有していても良いピリミジル基、置換基を有し
   ていても良いナフチル基、置換基を有していても良いチ
   エニル基、置換基を有していても良いベンゾチアゾリル
   基、置換基を有していても良いベンゾオキサゾリル基、
   置換基を有していても良いチアジアゾリル基、置換基を
   有していても良いチアゾリル基のいずれかである請求項
   ４記載の光学材料。
6. 【請求項６】 一般式（１）において、Ａが置換基を有
   していても良いチオフェン環、置換基を有していても良
   いトリアジン環、置換基を有していても良いピリミジン
   基のいずれかから選ばれる３価の複素環式芳香族環であ
   る請求項２記載の光学材料。
7. 【請求項７】 一般式（１）において、Ｂ¹〜Ｂⁿが、そ
   れぞれ独立に、置換基を有していても良いフェニル基、
   置換基を有していても良いピリミジル基、置換基を有し
   ていても良いナフチル基、置換基を有していても良いチ
   エニル基、置換基を有していても良いベンゾチアゾリル
   基、置換基を有していても良いベンゾオキサゾリル基、
   置換基を有していても良いチアジアゾリル基、置換基を
   有していても良いチアゾリル基のいずれかである請求項
   ６記載の光学材料。
8. 【請求項８】 一般式（１）において、Ａは置換基を有
   していても良いチオフェン環、置換基を有していても良
   いチエノ[３，２−ｂ]チオフェン環のいずれかから選ば
   れる４価の複素環式芳香族環である請求項２記載の光学
   材料。
9. 【請求項９】 一般式（１）において、Ｂ¹〜Ｂⁿが、そ
   れぞれ独立に、置換基を有していても良いフェニル基、
   置換基を有していても良いピリミジル基、置換基を有し
   ていても良いナフチル基、置換基を有していても良いチ
   エニル基、置換基を有していても良いベンゾチアゾリル
   基、置換基を有していても良いベンゾオキサゾリル基、
   置換基を有していても良いチアジアゾリル基、置換基を
   有していても良いチアゾリル基のいずれかである請求項
   ８記載の光学材料。
10. 【請求項１０】 一般式（１）において、ｎが２〜６の
    整数であり、かつＡは置換基を有していても良い炭素環
    式芳香族環である請求項１記載の光学材料。
11. 【請求項１１】 一般式（１）において、Ｂ¹〜Ｂⁿが、
    それぞれ独立に、置換基を有していても良いフェニル
    基、置換基を有していても良いピリミジル基、置換基を
    有していても良いナフチル基、置換基を有していても良
    いチエニル基、置換基を有していても良いベンゾチアゾ
    リル基、置換基を有していても良いベンゾオキサゾリル
    基、置換基を有していても良いチアジアゾリル基、置換
    基を有していても良いチアゾリル基のいずれかである請
    求項１０記載の光学材料。
12. 【請求項１２】 一般式（１）において、Ａが置換基を
    有していても良いベンゼン環、置換基を有していても良
    いナフタレン環、置換基を有していても良いフルオレン
    環、置換基を有していても良いビフェニル環のいずれか
    から選ばれる２価の炭素環式芳香族環である請求項１０
    記載の光学材料。
13. 【請求項１３】 一般式（１）において、Ｂ¹〜Ｂⁿが、
    それぞれ独立に、置換基を有していても良いフェニル
    基、置換基を有していても良いピリミジル基、置換基を
    有していても良いナフチル基、置換基を有していても良
    いチエニル基、置換基を有していても良いベンゾチアゾ
    リル基、置換基を有していても良いベンゾオキサゾリル
    基、置換基を有していても良いチアジアゾリル基、置換
    基を有していても良いチアゾリル基のいずれかである請
    求項１２記載の光学材料。
14. 【請求項１４】 一般式（１）において、Ａが置換基を
    有していても良いベンゼン環、置換基を有していても良
    いフルオレン環のいずれかから選ばれる３価の炭素環式
    芳香族環である請求項１０記載の光学材料。
15. 【請求項１５】 一般式（１）において、Ｂ¹〜Ｂⁿが、
    それぞれ独立に、置換基を有していても良いフェニル
    基、置換基を有していても良いピリミジル基、置換基を
    有していても良いナフチル基、置換基を有していても良
    いチエニル基、置換基を有していても良いベンゾチアゾ
    リル基、置換基を有していても良いベンゾオキサゾリル
    基、置換基を有していても良いチアジアゾリル基、置換
    基を有していても良いチアゾリル基のいずれかである請
    求項１４記載の光学材料。
16. 【請求項１６】 一般式（１）において、Ａが置換基を
    有していても良いベンゼン環、置換基を有していても良
    いビフェニル環のいずれかから選ばれる４価の炭素環式
    芳香族環である請求項１０記載の光学材料。
17. 【請求項１７】 一般式（１）において、Ｂ¹〜Ｂⁿが、
    それぞれ独立に、置換基を有していても良いフェニル
    基、置換基を有していても良いピリミジル基、置換基を
    有していても良いナフチル基、置換基を有していても良
    いチエニル基、置換基を有していても良いベンゾチアゾ
    リル基、置換基を有していても良いベンゾオキサゾリル
    基、置換基を有していても良いチアジアゾリル基、置換
    基を有していても良いチアゾリル基のいずれかである請
    求項１６記載の光学材料。
18. 【請求項１８】 ポリマー光ファイバー材料である請求
    項１〜１７記載の光学材料。
19. 【請求項１９】 請求項１８記載のポリマー光ファイバ
    ー材料からなる光学部品。
20. 【請求項２０】 ＧＩ型ポリマー光ファイバーである請
    求項１９記載の光学部品。
21. 【請求項２１】 一般式（１ａ）で表される芳香族スル
    フィド化合物。 【化２】 [式中、 ｋは１〜２の整数を表す。Ａは、置換されて
    いても良いベンゼン環、置換されていても良いナフタレ
    ン環、置換されていても良いフルオレン環、置換基を有
    していて良いビフェニル環、置換されていても良いチオ
    フェン環、置換されていても良いチオフェン−1,1−ジ
    オキシド環、置換されていても良いチオフェンチアジア
    ゾール環、置換基を有していても良いチエノ[３，２−
    ｂ]チオフェン環、置換基を有していても良いトリアジ
    ン環、置換基を有していても良いピリミジン環から選ば
    れる２価の炭素環式芳香族環または複素環式芳香族環を
    表し、 Ｂ¹、Ｂ²は、それぞれ独立に、置換されていても良いフ
    ェニル基、置換されていても良いピリミジル基、置換さ
    れていても良いナフチル基、置換されていても良いチエ
    ニル基、置換されていても良いベンゾチアゾリル基、置
    換されていても良いベンゾオキサゾリル基、置換されて
    いても良いチアジアゾリル基、置換されていても良いチ
    アゾリル基から選ばれる炭素環式芳香族基または複素環
    式芳香族基を表す。]
22. 【請求項２２】 一般式（１ｂ）で表される芳香族スル
    フィド化合物。 【化３】 [式中、 ｋは１〜３の整数を表す。Ａは、置換されて
    いても良いベンゼン環、置換されていても良いフルオレ
    ン環、置換されていても良いチオフェン環、置換されて
    いても良いトリアジン環、置換されていても良いピリミ
    ジン環から選ばれる３価の炭素環式芳香族環または複素
    環式芳香族環を表し、 Ｂ¹、Ｂ²、Ｂ³は、それぞれ独立に、置換されていても
    良いフェニル基、置換されていても良いピリミジル基、
    置換されていても良いナフチル基、置換されていても良
    いチエニル基、置換されていても良いベンゾチアゾリル
    基、置換されていても良いベンゾオキサゾリル基、置換
    されていても良いチアジアゾリル基、置換されていても
    良いチアゾリル基から選ばれる炭素環式芳香族基または
    複素環式芳香族基を表す。]
23. 【請求項２３】 一般式（１ｃ）で表される芳香族スル
    フィド化合物。 【化４】 [式中、 ｋは１〜４の整数を表す。Ａは、置換されて
    いても良いベンゼン環、置換されていても良いビフェニ
    ル環、置換されていても良いチオフェン環、置換されて
    いても良いチエノ[３，２−ｂ]チオフェン環から選ばれ
    る炭素環式芳香族環または複素環式芳香族環を表し、 Ｂ¹、Ｂ²、Ｂ³、Ｂ⁴は、それぞれ独立に、置換されてい
    ても良いフェニル基、置換されていても良いピリミジル
    基、置換されていても良いナフチル基、置換されていて
    も良いチエニル基、置換されていても良いベンゾチアゾ
    リル基、置換されていても良いベンゾオキサゾリル基、
    置換されていても良いチアジアゾリル基、置換されてい
    ても良いチアゾリル基から選ばれる炭素環式芳香族基ま
    たは複素環式芳香族基を表す。]