JP2002231643A5 - - Google Patents
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- ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を結晶成長させるための基板を保持する基板保持具と、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＩＩＩ族原料を前記基板保持具に保持された基板に向かって吹き出すためのＩＩＩ族原料供給管と、該ＩＩＩ族原料供給管に沿って配置されたＶ族原料を吹き出すためのＶ族原料供給管とを有し、
前記ＩＩＩ族原料供給管は、前記基板保持具に保持された基板の中心軸線に沿った中心線方向ベクトル（基板表面から裏面への方向を正）と、ＩＩＩ族原料供給管のＩＩＩ族原料が吹出される方向に沿ったＩＩＩ族原料吹出し方向ベクトル（ＩＩＩ族原料が吹き出される方向を正）とのなす角度が０°〜４０°の範囲になるように配置されているとともに、
前記基板保持具に保持された基板表面の中心部分と、前記ＩＩＩ族原料供給管のＩＩＩ族原料吹出し部分との距離が５ｍｍ〜２００ｍｍの範囲になるように配置されていることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。 - 前記中心線方向ベクトルと、前記ＩＩＩ族原料吹出し方向ベクトルとのなす角度が５°〜１５°の範囲である、請求項１に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
- ドーピング用の原料を供給するドーピング原料供給管をさらに具備する、請求項１または２に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
- 前記ドーピング原料供給管は、前記ドーピング原料供給管の原料吹出し部分と、前記基板保持具に保持された基板の中心部分との距離が、５ｍｍ〜２００ｍｍの範囲になるように配置されている、請求項３に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
- 前記基板保持具の表面部分、前記ＩＩＩ族原料供給管及び前記Ｖ族原料供給管及び前記ドーピング原料供給管のそれぞれの原料吹出し部分が、ＰＢＮによりコーティングされた材質により構成されている、請求項３または４に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
- 前記基板保持具の表面部分、前記ＩＩＩ族原料供給管及び前記Ｖ族原料供給管及び前記ドーピング原料供給管のそれぞれの原料吹出し部分が、炭化シリコン（ＳｉＣ）、炭化タンタル（ＴａＣ）、ボロン化窒素（ＢＮ）のいずれかによりコーティングされた材質により構成されている、請求項３または４に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物化合物半導体製造装置。
- 前記基板保持具の表面部分、前記ＩＩＩ族原料供給管及び前記Ｖ族原料供給管及び前記ドーピング原料供給管のそれぞれの原料吹出し部分が、炭化シリコン（ＳｉＣ）、炭化タンタル（ＴａＣ）、ボロン化窒素（ＢＮ）のいずれかにより、内部まで浸透された材質により構成されている、請求項３または４に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物化合物半導体製造装置。
- 前記ＩＩＩ族原料供給管から吹出されるＩＩＩ族原料は、ＩＩＩ族元素のハロゲン化物、Ｖ族原料供給管から吹出されるＶ族原料は、ＮＨ3である、請求項１〜７のいずれかに記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
- 請求項１〜７のいずれかのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置を用い、前記ＩＩＩ族原料供給管からＩＩＩ族元素のハロゲン化物を、前記Ｖ族原料供給管からＮＨ3を、それぞれ吹出させることにより製造されることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法。
- 前記基板保持具、前記ＩＩＩ族原料供給管、前記Ｖ族原料供給管、または前記ドーピング原料供給管に付着したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が加熱処理により除去される請求項６または７のいずれかに記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
- 前記Ｖ族原料供給管が前記ＩＩＩ族原料供給管を取り囲むように配置された請求項１に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置。
- 前記ドーピング原料供給管が前記ＩＩＩ族原料供給管を取り囲むように配置されている請求項１１に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
- 不活性ガスを供給する保護ガス供給管が、前記ＩＩＩ族原料供給管を取り囲むように該ＩＩＩ族原料供給管と同心状態で嵌合されている請求項１に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
- 前記ＩＩＩ族原料供給管を内部に同心状態で嵌合するように前記ドーピング原料供給管が配置され、さらに前記ドーピング原料供給管を内部に同心状態で嵌合するように、前記Ｖ族原料供給管が配置されている請求項３に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
- 前記ドーピング原料供給管に代えて保護ガス供給管が配置されている請求項１４に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
- 前記ＩＩＩ族原料供給管の端部が、ＩＩＩ族原料の吹き出される先端側になるにつれて径が広くなっている請求項１に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
- 前記Ｖ族原料供給管の端部の直径が前記基板の直径とほぼ等しい請求項１に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置。
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