JP2002231608A5 - - Google Patents
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- 被加工材の上にレジストパターンを形成したのち、オゾンを用いた等方性エッチングによって前記レジストパターンを細く加工する工程と、細く加工されたレジストパターンをマスクとして前記被加工材をエッチングする工程とを同一装置で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 被加工材の上にレジストパターンを形成したのち、オゾンを用いた等方性エッチングによって前記レジストパターンを細く加工する工程と、細く加工されたレジストパターンをマスクとして前記被加工材をエッチングする工程と、その後、オゾンを用いて前記被加工材に防食処理を施す工程とを同一装置で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 被加工材の上にレジストパターンを形成したのち、オゾンを用いた等方性エッチングによって前記レジストパターンを細く加工する工程と、細く加工されたレジストパターンをマスクとして前記被加工材をエッチングする工程とを同一装置で行う半導体装置の製造方法であって、
前記オゾンは、オゾン発生装置からガス供給ユニットを通して前記装置のチャンバ内に導入されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 被加工材の上にレジストパターンを形成したのち、オゾンを用いた等方性エッチングによって前記レジストパターンを細く加工する工程と、細く加工されたレジストパターンをマスクとして前記被加工材をエッチングする工程とを同一装置で行う半導体装置の製造方法であって、
前記オゾンは、前記装置のチャンバ内に導入された酸素にＵＶ光を照射することによって発生させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 被加工材の上にレジストパターンを形成したのち、オゾンを用いた等方性エッチングによって前記レジストパターンを細く加工する工程と、細く加工されたレジストパターンをマスクとして前記被加工材をエッチングする工程とを同一装置で行う半導体装置の製造方法であって、
前記レジストパターンを細く加工する工程で、排ガス中の二酸化炭素濃度または一酸化炭素濃度をモニタリングすることによって前記レジストパターンの寸法シフト量を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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| JP2001026256A JP2002231608A (ja) | 2001-02-02 | 2001-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
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