JP2002217030A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2002217030A5 JP2002217030A5 JP2001013958A JP2001013958A JP2002217030A5 JP 2002217030 A5 JP2002217030 A5 JP 2002217030A5 JP 2001013958 A JP2001013958 A JP 2001013958A JP 2001013958 A JP2001013958 A JP 2001013958A JP 2002217030 A5 JP2002217030 A5 JP 2002217030A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- film
- layer
- magnetic sensor
- sensor according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Claims (11)
- 軟磁性層と強磁性層の間に非磁性層が形成された磁気抵抗効果膜と、
前記非磁性層を通って前記軟磁性層と前記強磁性層との間に検出電流を流す電極とを有し、
前記強磁性層から前記軟磁性層に印加するバイアス電圧値Vsが+0.2以上+0.8V以下及び−0.8V以上−0.2以下の範囲において、前記磁気抵抗効果膜の磁気抵抗変化率の絶対値が20%以上の極大値を有することを特徴とする磁気センサー。 - 前記強磁性層がFe3O4を含有することを特徴とする請求項1記載の磁気センサー。
- 前記強磁性層がCrまたはMnの少なくとも一つの酸化物あるいはCrまたはMnを含有する化合物であることを特徴とする請求項1記載の磁気センサー。
- 前記非磁性層がSr、TiまたはTaの少なくとも一つの酸化物であることを特徴とする請求項1乃至3記載の磁気センサー。
- 前記軟磁性層がCo及びFeを含有する合金、または、Co及びFeを含有する合金とNi及びFeを含有する合金とがこの順に積層された積層膜であることを特徴とする請求項1乃至3記載の磁気センサー。
- 0℃以上60℃以下の温度範囲において、前記磁気抵抗変化率のバイアス電圧依存性を有することを特徴とする請求項1記載の磁気センサー。
- ハーフメタル磁性膜とCo及びFeを含有する合金膜との間に、Sr、TiまたはTaの少なくとも一つの酸化物である非磁性絶縁膜が形成され、感知すべき磁界に対して前記ハーフメタル磁性膜の磁化が固定されており、外部の磁界に応じて前記Co及びFeを含有する合金膜の磁化が回転して前記ハーフメタル磁性膜の磁化との相対角度が変わることで磁気抵抗変化を生じる磁気抵抗効果膜と、
前記非磁性絶縁層を通って前記ハーフメタル磁性膜と前記Co及びFeを含有する合金膜との間にトンネル電流を流す電極とを有し、
前記ハーフメタル磁性膜から前記Co及びFeを含有する合金膜に印加するバイアス電圧値Vsが+0.2以上+0.8V以下及び−0.8V以上−0.2以下の範囲において、前記磁気抵抗効果膜の磁気抵抗変化率の絶対値が20%以上の極大値を有することを特徴とする磁気センサー。 - 前記ハーフメタル磁性膜は、CrO2、CrMnAl2またはFe3O4の少なくとも一つからなることを特徴とする請求項7記載の磁気センサー。
- 0℃以上60℃以下の温度範囲において、前記磁気抵抗変化率のバイアス電圧依存性を有することを特徴とする請求項7記載の磁気センサー。
- 請求項1乃至9記載の磁気センサーが一対の磁気シールドの間に設けられ、前記磁気センサーと前記磁気シールドとの間に、前記磁気センサーと前記磁気シールドとを電気的に接続する金属層がそれぞれ設けられていることを特徴とする磁気ヘッド。
- 磁化情報が記録される磁気記録媒体から、請求項1乃至9記載の磁気センサーを用いて前記磁気記録媒体に記録された磁化情報を再生することを特徴とする磁気記録再生装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001013958A JP2002217030A (ja) | 2001-01-23 | 2001-01-23 | 磁気抵抗効果磁気センサー及び磁気記録再生装置 |
US09/911,541 US6657830B2 (en) | 2001-01-23 | 2001-07-25 | Magnetoresistive magnetic sensor with tunnel effect and magnetic storage apparatus |
US10/677,290 US6917499B2 (en) | 2001-01-23 | 2003-10-03 | Magnetoresistive magnetic sensor and magnetic storage apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001013958A JP2002217030A (ja) | 2001-01-23 | 2001-01-23 | 磁気抵抗効果磁気センサー及び磁気記録再生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002217030A JP2002217030A (ja) | 2002-08-02 |
JP2002217030A5 true JP2002217030A5 (ja) | 2005-07-07 |
Family
ID=18880711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001013958A Pending JP2002217030A (ja) | 2001-01-23 | 2001-01-23 | 磁気抵抗効果磁気センサー及び磁気記録再生装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6657830B2 (ja) |
JP (1) | JP2002217030A (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7084467B2 (en) * | 2003-07-25 | 2006-08-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Spin valve transistor with self-pinned antiparallel pinned layer structure |
US7598555B1 (en) | 2003-08-22 | 2009-10-06 | International Business Machines Corporation | MgO tunnel barriers and method of formation |
US7274080B1 (en) | 2003-08-22 | 2007-09-25 | International Business Machines Corporation | MgO-based tunnel spin injectors |
US7252852B1 (en) | 2003-12-12 | 2007-08-07 | International Business Machines Corporation | Mg-Zn oxide tunnel barriers and method of formation |
US7218488B2 (en) * | 2004-03-29 | 2007-05-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus for reducing the thickness of a sensor stack in a current-perpendicular-to-plane GMR/tunnel valve sensor |
JP2005311167A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Tdk Corp | トンネル磁気抵抗効果素子の検査方法及び装置 |
TWI246088B (en) * | 2004-12-29 | 2005-12-21 | Ind Tech Res Inst | High magnetoresistant tunneling magnetoresistance device |
US7453084B2 (en) * | 2005-05-24 | 2008-11-18 | Seagate Technology Llc | Spin transistor with ultra-low energy base-collector barrier |
US7349187B2 (en) * | 2005-09-07 | 2008-03-25 | International Business Machines Corporation | Tunnel barriers based on alkaline earth oxides |
US7719801B2 (en) * | 2006-04-18 | 2010-05-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetoresistive (MR) element having a continuous flux guide defined by the free layer |
US7646569B2 (en) * | 2006-07-20 | 2010-01-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Pinned layer in magnetoresistive sensor |
JP2008159205A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Fujitsu Ltd | 記憶装置、記憶装置用ヘッドの異常検出方法、異常検出プログラム |
KR101527533B1 (ko) * | 2009-01-09 | 2015-06-10 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 소자의 형성방법 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0672303B1 (en) * | 1993-10-06 | 1997-12-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magneto-resistance device, and magnetic head employing such a device |
US5896252A (en) * | 1995-08-11 | 1999-04-20 | Fujitsu Limited | Multilayer spin valve magneto-resistive effect magnetic head with free magnetic layer including two sublayers and magnetic disk drive including same |
US5777542A (en) * | 1995-08-28 | 1998-07-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect device and manufacturing method thereof |
JP3461999B2 (ja) * | 1996-03-28 | 2003-10-27 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子 |
JP2914339B2 (ja) * | 1997-03-18 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気抵抗効果センサ及び磁気抵抗検出システム |
JP3735443B2 (ja) * | 1997-04-03 | 2006-01-18 | 株式会社東芝 | 交換結合膜とそれを用いた磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気記憶装置 |
JP3097667B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2000-10-10 | 日本電気株式会社 | 磁気検出素子 |
US6365286B1 (en) * | 1998-09-11 | 2002-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic element, magnetic memory device, magnetoresistance effect head, and magnetic storage system |
JP2000099922A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Sony Corp | 磁気トンネル素子及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-01-23 JP JP2001013958A patent/JP2002217030A/ja active Pending
- 2001-07-25 US US09/911,541 patent/US6657830B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-10-03 US US10/677,290 patent/US6917499B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5768066A (en) | Magnetoresistive head having an antiferromagnetic layer interposed between first and second magnetoresistive elements | |
US6469873B1 (en) | Magnetic head and magnetic storage apparatus using the same | |
JPH0261572A (ja) | 強磁性薄膜を有する磁場センサ | |
US6331773B1 (en) | Pinned synthetic anti-ferromagnet with oxidation protection layer | |
JP2009026400A (ja) | 差動磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
JP2002217030A5 (ja) | ||
JP5448438B2 (ja) | 磁気リード・ヘッド | |
US20080144228A1 (en) | Magnetic head and magnetic disk apparatus | |
JPH1196515A (ja) | Gmr磁気センサ、その製造方法、および磁気ヘッド | |
JPH1097709A (ja) | スピンバルブ磁気抵抗効果ヘッドとその製造方法及び磁気記録再生装置 | |
US6657830B2 (en) | Magnetoresistive magnetic sensor with tunnel effect and magnetic storage apparatus | |
JPH10162320A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドおよびその使用方法 | |
JPH0877519A (ja) | 磁気抵抗効果型トランスジューサ | |
JP2002246671A (ja) | 磁気検出素子の製造方法 | |
JP2000187816A (ja) | 磁気ヘッド、それを用いた磁気記録再生装置及び磁性メモリ装置 | |
JPH0845030A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
JP2985964B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその初期化方法 | |
JP2000340859A5 (ja) | ||
JP2861714B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディスク装置 | |
JP3175176B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
JPH0887715A (ja) | 垂直磁気ヘッド | |
JPH01315016A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
JP2003006818A (ja) | 反平行に結合した2枚の強磁性膜を用いた磁気抵抗再生ヘッド | |
JP3040892B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
JP2004179579A (ja) | 磁気センサおよびそれを用いた磁気記録再生装置 |