JP2002204029A5 - 半導体レーザ素子 - Google Patents

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板の上に配置されたｎ型窒化物半導体層と、
   前記ｎ型窒化物半導体層の上に配置された窒化物半導体発光層と、
   前記窒化物半導体発光層の上に配置されストライプ部を有するｐ型窒化物半導体層と、
   を少なくとも備え、
   前記ｐ型窒化物半導体層の厚さはストライプ方向に部分的に異なる半導体レーザ素子。
2. 前記ｐ型窒化物半導体層の一方の端面は他方の端面より薄い請求項１に記載の半導体レーザ素子。
3. 基板と、
   前記基板の上に配置されたｎ型窒化物半導体層と、
   前記ｎ型窒化物半導体層の上に配置された窒化物半導体発光層と、
   前記窒化物半導体発光層の上に配置されストライプ部を有するｐ型窒化物半導体層と、
   を少なくとも備え、
   前記ｐ型窒化物半導体層のシリーズ抵抗値はストライプ方向に部分的に異なる半導体レーザ素子。
4. 前記ｐ型窒化物半導体層の一方の端面は他方の端面よりシリーズ抵抗値が大きい請求項３に記載の半導体レーザ素子。
5. 基板と、
   前記基板の上に配置されたｎ型窒化物半導体層と、
   前記ｎ型窒化物半導体層の上に配置された窒化物半導体発光層と、
   前記窒化物半導体発光層の上に配置されストライプ部を有するｐ型窒化物半導体層と、
   を少なくとも備え、
   前記ストライプ部の不純物濃度は部分的に異なる半導体レーザ素子。
6. 前記ストライプ部の一方の端面は他方の端面より不純物濃度が高い請求項５に記載の半導体レーザ素子。
7. 前記一方の端面は出射端面である請求項２、又は請求項４、又は請求項６に記載の半導体レーザ素子。
8. 前記ストライプ部は凸状である請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。
9. 前記一方の端面の不純物濃度は、前記他方の端面の不純物濃度の１．５倍以上であって且つ３倍以下である請求項６に記載の半導体レーザ素子。
10. 前記ｎ型窒化物半導体層及び前記窒化物半導体発光層及び前記ｐ型窒化物半導体層はＧａＮ系化合物半導体からなる請求項１から請求項９のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子。