JP2002204018A

JP2002204018A - 発光素子、及び発光素子モジュール

Info

Publication number: JP2002204018A
Application number: JP2001000011A
Authority: JP
Inventors: Masao Majima; 正男真島
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-01-04
Filing date: 2001-01-04
Publication date: 2002-07-19

Abstract

(57)【要約】【課題】特性の向上およびコストの低減を可能にした光
出力の温度補償機能を備える発光素子及び発光素子モジ
ュールである。【解決手段】発光素子モジュールは、抵抗が負の温度特
性を有する抵抗素子（サーミスタ）105を電流駆動型の
発光素子101に直列に接続する発光素子駆動方式に適用
される発光素子モジュールである。発光素子101が抵抗
素子105上に積層して実装されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光伝送システムの
光送信機内等に用いられる発光素子モジュール、及び発
光素子に関する。

【０００２】

【従来技術】光伝送システムは、電気による伝送システ
ムに比較して、伝送速度、伝送距離、対電磁誘導雑音等
の特性に優れるという特長を有する。特に短距離におい
ては、多くの光信号を並列して伝送する並列光伝送シス
テムが開発されている。

【０００３】こうした光伝送システムにおいて、低コス
ト化のためには、発光素子および受光素子と光ファイバ
との結合技術(光実装)と並び、送信用の回路及び受信用
の回路の簡易化が必要である。発光素子としてLD(Laser
Diode)を用いる場合、光送信機に用いられる回路とし
て、LD駆動回路、温度制御回路がある。LD駆動回路は、
通常、バイアス電流と変調電流の２つの電流源を備え、
APC(Auto Power Contro1)のためにバイアス電流を制御
する。温度制御回路は、LDキャリア近傍につけられたサ
ーミスタをセンサとして、ペルチェ素子を制御するもの
がある。これらにより、環境温度変化、LDの素子特性の
経時変化に対して、LDの波長、光出力を安定に保つ。短
距離用の光送信機においては、LDの安定性の精度の低下
が許容され、低コスト化のためにこれら温度制御手段を
簡略化あるいは省略することがある。

【０００４】光出力を温度変化に係わりなく安定的に保
つ簡易型温度補償機能付LD駆動方式の例について述べる
（光出力を温度変化に係わりなく安定的に保つことを本
明細書では温度補償などとも言う）。図６に示す特開平
11-121852号公報(富士通)の中の１つの実施例は、ロジ
ック回路702の出力段トランジスタ703でLD701を直接駆
動する場合における光出力の温度補償に関するものであ
る。ここでは、出力段トランジスタ703とLD701の間にサ
ーミスタ704を直列に接続している。

【０００５】一般にLD701は温度上昇に伴いしきい電流
が上昇し、定電流駆動時には光出力が低下する。一方、
サーミスタ704は温度上昇に伴い抵抗値が減少する。し
たがって、ロジック回路702の出力は定電圧出力である
ため、サーミスタ704の抵抗値が減少した場合は、その
出力電流は増加し、その結果、LD701の光出力の温度上
昇に伴う低下は或る程度補償される。これは、温度上昇
に伴いLD701の駆動電流を増加させるフィードフォワー
ドAPCの簡易方式の１つである。

【０００６】上記特開平11-121852号公報の発明は回路
構成に関するもので、サーミスタの実装に関しては特に
記述されていない。通常のLDモジュールでは、サーミス
タはマウント基板に直接実装され、一方、LDはLDキャリ
アを介してマウント基板に実装される。しかし、この実
装形態ではサーミスタとLD間の材料部分の熱抵抗により
温度補償制御に誤差が発生する。

【０００７】これを低減する方法として、特開平08-335
747号公報(アンリツ)ではLDを実装するLDキャリア(特開
平08-335747号公報の明細書中ではヒートシンクと呼ん
でいる)にサーミスタ薄膜を形成し、上記の熱抵抗を低
減している。図７にその構成を示す、LDキャリア602は
非導電性を有する熱伝導性の良好な熱伝導体であり、LD
601の実装個所の近傍にサーミスタ薄膜603が形成されて
いる。サーミスタ薄膜603の電極(図７では省略)はLD601
の電極(図７では省略)とは電気的に絶縁されている（す
なわち、ここでの方式は、上記簡易型温度補償機能付LD
駆動方式とは異なり、LDキャリア近傍につけられたサー
ミスタをセンサとしてペルチェ素子を制御するものであ
る）。そして、サーミスタ薄膜603は温度制御回路(図７
では省略)のセンサ入力に接続される。サーミスタ薄膜6
03の抵抗値としては10ｋΩが例として挙げられている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
11-121852号公報のLD駆動方式に通常のサーミスタ実装
（サーミスタ部品をマウント上に実装するもの）を適用
した場合は、次のような問題がある。１つめは、サーミ
スタとLDとの実装距離によりLDの電流経路が長くなり、
モジュールの周波数特性の向上が難しくなることであ
る。２つめは、サーミスタとLDとの間の熱抵抗のさらな
る低減が難しいことである。３つめは、低コスト化をさ
らに進める場合、サーミスタの部品コスト、実装コスト
が問題となることである。これについては、並列光伝送
モジュール等のアレイLDに適用した場合、問題はさらに
大きくなる。

【０００９】一方、特開平08-335747号公報のサーミス
タ薄膜付のLDキャリアは上記の課題を或る程度解決でき
るが、特開平11-121852号公報のLD駆動方式には適用す
ることはできない。

【００１０】本発明の目的は、特開平11-121852号公報
のLD駆動方式に適したサーミスタ実装方式を提供し、L
D、LEDなどの発光素子の光出力の温度補償機能を備える
簡易な発光素子モジュール、及び特性の向上およびコス
トの低減を可能にした光出力の温度補償機能を備える簡
易な発光素子を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の発光素子モジュールは、抵抗が負の温度特性を有す
る抵抗素子（サーミスタ）を電流駆動型の発光素子（L
D、LEDなどの半導体発光素子である。本発明ではLDにお
いて特に効果的であるがLEDでも一定の効果がある）に
直列に接続する発光素子駆動方式に適用される発光素子
モジュールであって、該発光素子が該抵抗素子上に積層
して実装されていることを特徴とする。

【００１２】これにより、発光素子とサーミスタ間の配
線を無くし、周波数特性を向上できる。また、発光素子
とサーミスタ間熱抵抗を低減でき、サーミスタが発光素
子の温度に正確に反応できるので、温度補償の性能も向
上できる。

【００１３】発光素子キャリアの発光素子実装面にサー
ミスタを形成してもよい。これにより、サーミスタ部品
を別個に準備して実装する必要がないので、部品点数、
実装工数を削減でき、コストを低減できる。

【００１４】サーミスタ（バルク形サーミスタなど）自
体を発光素子キャリアとしてもよい。これによっても、
部品点数、実装工数を削減でき、コストを低減できる。

【００１５】前記発光素子キャリアは、導電性材料で形
成されたり、非導電性材料で形成されて発光素子を実装
する面上にサーミスタ用電極が着けられたりしてもよ
い。

【００１６】アレイ状に集積された発光要素を持つ発光
素子用に、発光素子キャリアの上面に発光要素の数と同
数のサーミスタを形成してもよい。これにより、多チャ
ンネルアレイ光源に適用可能となり、部品点数、実装工
数の削減効果が高まる。

【００１７】この場合、前記複数の発光要素のカソー
ド、アノード側の電極がそれぞれ分離され、発光素子キ
ャリアが非導電性材料で形成されてその上に複数のサー
ミスタ用の電極が電気的に分離して着けられたり、前記
複数の発光要素のカソード、アノード側の電極がそれぞ
れ分離され、発光素子キャリアが導電性材料で形成され
てその上に複数のサーミスタが分離して形成されたりす
る。

【００１８】更に、上記目的を達成する本発明の発光素
子は、抵抗が負の温度特性を有する抵抗素子を電流駆動
型の発光素子に直列に接続する発光素子駆動方式に適用
される発光素子であって、該抵抗素子が該発光素子上に
積層して形成されていることを特徴とする。これによ
り、発光素子とサーミスタ間の配線を無くし、周波数特
性を向上できる。また、発光素子とサーミスタ間熱抵抗
を低減でき、温度補償の性能も向上できる。

【００１９】アレイ状に集積された発光要素をもつ発光
素子用に、発光要素の数と同数のサーミスタを発光素子
に積層して形成してもよい。これにより、多チャンネル
アレイ光源に適用可能となり、部品点数、実装工数の削
減効果が高まる。

【００２０】この場合、前記複数の発光要素のカソー
ド、アノード側の電極がそれぞれ分離され、サーミスタ
がカソード或いはアノード側の該分離した電極上にそれ
ぞれ形成されたりする。

【００２１】

【作用】本出願に係わる発明によれば、発光素子にサー
ミスタを直列接続する発光素子駆動方式において、サー
ミスタと発光素子を近接して実装することができ、発光
素子とサーミスタ間の配線を無くし、また、発光素子と
サーミスタ間熱抵抗を低減できる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を参照しつつ実施例を説明することで説明する。

【００２３】（第1実施例）本発明の第1実施例について
図面とともに説明する。図1は本発明に係る発光素子実
装方法の第1実施例を示している。図1中、101はLD、102
はLD電極(上側)、103はLD電極(下側)、104は少なくとも
表面が導電性材料から成るLDキャリア、105はLDキャリ
ア104上に形成された薄膜サーミスタ、106は薄膜サーミ
スタ105の上面に形成されたサーミスタ電極(上側)であ
る。尚、ここで図面での上下関係は説明の便宜上のもの
であって、本質的なものではない。LD101は端面発光レ
ーザ、面発光レーザの何れでもよいが、ここでは手前の
面から光を出射する端面発光レーザの形態で描いてあ
る。

【００２４】このLD101は、例えば、裏面に電極103の形
成されたn−GaAs基板上に活性層、クラッド層などを積
層した形態を有する。配線は、例えば、電極102の広く
なった部分にワイヤボンディングがなされ、LDキャリア
104の下面がグラウンドに接続された形態を採り得る。L
D101が面発光レーザである場合には共振器方向は図面の
上下方向になり、例えば、上側電極102に光取出し用の
開口部が形成されてここから光が取り出される。

【００２５】本発明はサーミスタ素子とLDを積層実装す
ることを特徴としているが、本実施例では積層実装の方
法として、チップキャリア104上に数μm程度以下の厚さ
の薄膜サーミスタ105、さらに電極106を形成し、そこに
LD101を実装する。

【００２６】チップキャリア104としては、銅あるいは
銅とタングステンの合金の金属材料(全面に金めっきを
施す場合もある)、または全面に金めっきを施した熱伝
導性が良好なセラミック材料(SiC、AlN等)を用いる。薄
膜サーミスタ105としては、Ge、SiCを用いる。これは、
温度上昇とともに抵抗が減少するNTC(Negative Temper
ature Coefficient)特性を持っている。薄膜サーミス
タ105の大きさはLD101のチップサイズより大きくする。
薄膜サーミスタ105の縦横の寸法および膜厚は所望の抵
抗値に合せて設定する。薄膜サーミスタ105の上面の電
極106へのLD101の実装はハンダ付けにより行う。

【００２７】ここで、サーミスタ105の抵抗値につい
て、本発明を適用する図6のサーミスタをLDに直列接続
するLD駆動方式(以下、サーミスタ直列接続LD駆動方式
と呼ぶ)によるLDの光出力の温度補償の動作を含めて説
明する。

【００２８】サーミスタの温度−抵抗特性は次式で表さ
れる。 R_T=R_T25exp{B(1/T-1/T₂₅)} ここで、R_Tは温度T Kのときのサーミスタの抵抗値、R
_T25は温度298.15 K(25℃)のときのサーミスタの抵抗
値、Bはサーミスタ定数である。

【００２９】他方、LDの光出力−電流特性は次式で表さ
れる。 P=η(I-I_th) ここで、Pは駆動電流がIの時の光出力である、I_thはし
きい電流、ηは微分効率である。

【００３０】また、LDのしきい電流の温度依存性は次式
で表される。 I_th=I_oexp(T/T_o) ここで、T_oは特性温度である。I_oは比例係数である。

【００３１】以上の関係に基づいて、例として、T_o=50
K、25℃でのI_th=2.0mAのLD素子の温度が25℃と70℃であ
る場合の光出力について説明する。ηは0.4W/Aとする。
この場合、I_o=5.14×10^-3mAとなり、70℃ではI_th=4.9mA
となる。このLDを4.OmAの定電流(温度補償無し)で駆動
した場合は、25℃では0.8mW（=0.4×(4.0-2.0)）の光出
力が得られるが、70℃ではしきい値（4.9mA）以下にな
り発光しなくなる。

【００３２】サーミスタ直列接続LD駆動方式では以下の
ようになる。サーミスタはB=2000、R_T25=43Ωとする。L
Dの抵抗値を7Ωとし、駆動電圧（定電圧駆動）を200mV
とする。25℃での駆動電流I、光出力Pは I=200/(7+43)=4.OmA、 P=O.4(4.0-2.O)=0.8mW となる。70℃ではI_thが4.9mAに上がるもののサーミスタ
の抵抗値が17.8Ω（=43exp{2000(1/343.15-1/298.1
5)}）に下がるため、抵抗駆動電流I、光出力Pは、 I=200/(7+17.8)=8.06mA、 P=O.4(8.06-4.9)=1.2mW となる。定電流駆動(温度補償無し)に比べて大幅に改善
できることが分かる。

【００３３】サーミスタ直列接続LD駆動方式でのサーミ
スタの抵抗値（上記した様に数十Ω程度）は、通常の温
度センサとして用いられるサーミスタ(抵抗値100Ω〜１
MΩ)より低い。本発明の薄膜サーミスタはこのオーダの
抵抗値の実現にも適している。

【００３４】本発明によれば、本実施例で示したよう
に、LDとサーミスタがハンダおよび電極の薄い層などを
介して面で接触するためLDとサーミスタ間の材料の熱抵
抗を低減できる。よって、外部環境あるいはLD(および
サーミスタ)の発熱による温度上昇に対して、サーミス
タ抵抗の低下(LDの駆動電流の増加)による温度補償機構
の性能を高めることができる。また、サーミスタを配線
を介してLDに接続しないため、寄生インダクタンスによ
る周波数特性の劣化を回避することができる。

【００３５】（第2実施例）本発明の第2実施例を説明す
る。図2は本発明に係る発光素子実装方法の第2実施例を
示している。図2中、201はバルク形サーミスタ、202は
サーミスタ電極(下側)である。他の符号は図1と同じも
のを示す。

【００３６】第1実施例との相違は、バルク形サーミス
タ201を用い、これがLDキャリアを兼ねていることであ
る。サーミスタ201の低抵抗化はその面積の拡大で行
う。バルク形サーミスタ201は、例えば、Mn-Co-Ni酸化
物等の遷移金属酸化物の原料粉末の焼成により作られ
る。

【００３７】本実施例では、サーミスタ201がチップキ
ャリアを兼ねるため、新規なチップキャリアを作製する
ことなく、かつ、部品点数を増やすこと無く、図6のサ
ーミスタ直列接続LD駆動方式を実現することができる。
その他の点は第1実施例と同じである。

【００３８】（第3実施例）次に、本発明の第3実施例に
ついて図面とともに説明する。図3は本発明に係る発光
素子実装方法の第3実施例を示している。図3中、301は4
ch（チャンネル）アレイLD、302〜305は4chアレイLD301
の各LDの電極(上側)、306〜309は4chアレイLD301の各LD
の電極(下側)、310はLDキャリア、311〜314は各LD用の
薄膜サーミスタ、315〜318は各薄膜サーミスタ用の電極
(上側)、319〜322は各薄膜サーミスタ用の電極(下側)で
ある。

【００３９】本実施例は第1実施例を4chアレイLDに適用
したものである。サーミスタ311〜314の電極315〜318、
319〜322および薄膜は、マスクを用いて蒸着によりそれ
ぞれ電極319〜322、サーミスタ311〜314の薄膜、電極31
5〜318と一段ずつ順にLDキャリア310上に一括形成す
る。そして、その上に図3に示す形態の4chアレイLD301
を実装する。

【００４０】駆動回路の極性、LDの実装(カソード、ア
ノードのどちら側をLDキャリア310に実装するか)に対し
て汎用性を持たせるため、アレイLD301はカソード、ア
ノードとも電極を分離し、また、LDキャリア310は非導
電性で熱伝導性が良好なセラミック材料(SiC、AlN等)を
用い、その上面に各サーミスタに対し個別のサーミスタ
電極(下側)319〜322を形成する。サーミスタ電極(下側)
319〜322は露出しており（図3中の奥側の部分）、回路
との接続はこの部分を用いてワイヤボンディングなどで
行う。

【００４１】本発明を適用するLD駆動方式をアレイLDに
適用した場合は、アレイ数分のサーミスタの実装が必要
になり、アレイ数の増加に伴い部品コスト、実装コスト
が増加する。本実施例ではLDキャリア上に一括してサー
ミスタを形成するため、コストの低減が可能である。

【００４２】第1実施例および第3実施例において、サー
ミスタとして蒸着技術による薄膜サーミスタを用いた
が、スクリーン印刷技術による数10μm程度以上の厚さ
の厚膜サーミスタを用いることも可能である。

【００４３】また、第1実施例において、LDキャリアを
導電性としたが、非導電性とし、上面にサーミスタ電極
(下側)を付けることも可能である。この場合はLD駆動方
式、LDの実装に対する極性に関して汎用性が高まる。

【００４４】第3実施例において、LDキャリアを非導電
性とし、サーミスタ電極(下側)を独立にしたが、LD駆動
方式およびLDの実装の極性を限定するならば、LDキャリ
ア側のサーミスタ電極を共通とすることも可能である。
この場合、第1実施例のようにLDキャリアを導電性とし
て、そこに直接、各LDに対応して分離されたサーミスタ
を形成する構成をとることも可能である。

【００４５】第3実施例において、アレイ数として4chの
例を示したが、他のアレイ数も可能である。アレイ数が
多いほど本発明の効果は大きくなる。

【００４６】（第4実施例）次に、本発明の第4実施例に
ついて図面とともに説明する。図4は本発明に係る発光
素子の第4実施例を示している。図4中、401は端面発光
レーザなどのLD、402はLD電極(上側)、403はLD電極(下
側)、404はサーミスタ、405はサーミスタ電極(上側)で
ある。尚、ここでも図面での上下関係は説明の便宜上の
ものであって、本質的なものではない。このLD401も、
例えば、裏面に電極403の形成されたn−GaAs基板上に活
性層、クラッド層などを積層した形態を有する。配線
は、例えば、サーミスタ電極(上側)405にワイヤボンデ
ィングがなされ、LD401の下面の電極403がサブキャリア
などのはんだ箔に固着された形態を採り得る。

【００４７】本実施例はサーミスタ素子をLD電極上に形
成することを特徴としている。サーミスタ404の形成はL
D401をチップに切り出す前に、蒸着あるいはスクリーン
印刷により行う。蒸着によって形成される1乃至10μm程
度以下の厚さの薄膜サーミスタ404としてはGeあるいはS
iCがある。スクリーン印刷によって形成される1乃至10
μm程度以上の厚さの薄膜厚膜サーミスタ404としてはMn
-Co-Ni等の遷移金属酸化物を主成分とするものがある。
これは、第1実施例で述べた様に、温度上昇とともに抵
抗が減少するNTC(Negative Temperature Coefficien
t)特性をもっている。サーミスタ404の縦横の寸法およ
び膜厚は所望の抵抗値に合せて設定する。

【００４８】ここで、サーミスタ404の抵抗値につい
て、本発明を適用する図6のサーミスタ直列接続LD駆動
方式によるLD401の光出力の温度補償の動作を含めて説
明すると、第1実施例のところで述べた通りである。

【００４９】本実施例でも、LD101とサーミスタ104が面
で接触するためLDとサーミスタ間の熱抵抗を低減でき、
外部環境あるいはLD(およびサーミスタ)の発熱による温
度上昇に対して、サーミスタ抵抗の低下(LDの駆動電流
の増加)による温度補償機構の性能を高められる。ま
た、サーミスタを配線を介してLDに接続する必要が無い
ため、寄生インダクタンスによる周波数特性の劣化を回
避できる。

【００５０】（第5実施例）本発明の第5実施例を説明す
る。図5は本発明に係る発光素子の第5実施例を示してい
る。図5中、501は4chアレイLD、502〜505は4chアレイLD
501の各LDの電極(上側)、506〜509は4chアレイLD501の
各LDの電極(下側)、510〜513は各LDの上部に形成された
サーミスタ、514〜517は各サーミスタ用の電極(上側)で
ある。

【００５１】本実施例は第4実施例を4chアレイLDに適用
したものである。サーミスタ510〜513の電極514〜517お
よび薄膜は、マスクを用いて蒸着によりそれぞれサーミ
スタ510〜513の薄膜、電極514〜517と一段ずつ順に4ch
アレイLD501の各LDの電極502〜505上に一括形成する。

【００５２】駆動回路の極性、LDの実装(カソード、ア
ノードのどちら側をLDキャリアに実装するか)に対して
汎用性を持たせるため、アレイLD501はカソード、アノ
ードとも電極を分離している。配線は、例えば、サーミ
スタ510〜513の電極514〜517にワイヤボンディングなど
を施し、4chアレイLD501の各LDの電極(下側) 506〜509
をLDキャリア上のはんだパターンに固着するなどの方法
で行う。

【００５３】上述した様に、本発明を適用するLD駆動方
式をアレイLDに適用した場合は、アレイ数分のサーミス
タの実装が必要になり、アレイ数の増加に伴い部品コス
ト、実装コストが増加するが、本実施例ではアレイLD50
1の各LD上にサーミスタが形成されているため、コスト
の低減が可能である。

【００５４】ここでも、アレイ数として4chの例を示し
たが、他のアレイ数も可能である。アレイ数が多いほど
本実施例の効果は大きくなる。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本出願に係わる発
明によれば、LDなどの発光素子にサーミスタを直列接続
した簡易な温度補償機能を備えたLD駆動方式に適した発
光素子、及び発光素子とサーミスタの実装形態を提供す
ることができる。新たな配線が発生しないため高周波特
性を劣化させず、また、熱抵抗が小さいため温度補償機
能の性能の向上も可能である。さらに、部品コスト、実
装コストの低減も可能である。光並列伝送モジュール内
のアレイLDへ適用した場合の効果は特に大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明に係る発光素子モジュールの第1
実施例を示す図である。

【図２】図２は本発明に係る発光素子モジュールの第2
実施例を示す図である。

【図３】図３は本発明に係る発光素子モジュールの第3
実施例を示す図である。

【図４】図４は本発明に係る発光素子の第4実施例を示
す図である。

【図５】図５は本発明に係る発光素子の第5実施例を示
す図である。

【図６】図６は簡易型温度補償機能付LD駆動方式の回路
例を示す図である。

【図７】図７は従来の発光素子モジュールを示す図であ
る。

【符号の説明】

101、401 LD 102、402 LD電極(上側) 103、403 LD電極(下側) 104、310 LDキャリア 105、311〜314、404、510〜513 薄膜サーミスタ 106、315〜318、405、514〜517 サーミスタ電極
(上側) 201 バルク形サーミスタ 202、319〜322 サーミスタ電極(下側) 301、501 4chアレイLD 302〜305、502〜505 4chアレイLD電極(上側) 306〜309、506〜509 4chアレイLD電極(下側) 601、701 LD 602 LDキャリア 603 サーミスタ薄膜 702 ロジック回路 703 出力段トランジスタ 704 サーミスタ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】抵抗が負の温度特性を有する抵抗素子を電
流駆動型の発光素子に直列に接続する発光素子駆動方式
に適用される発光素子モジュールにおいて、該発光素子
が該抵抗素子上に積層して実装されていることを特徴と
する発光素子モジュール。
【請求項２】前記抵抗素子が発光素子キャリアの前記発
光素子を実装する面上に形成されていることを特徴とす
る請求項１に記載の発光素子モジュール。
【請求項３】前記発光素子キャリアが導電性材料で形成
されていることを特徴とする請求項２に記載の発光素子
モジュール。
【請求項４】前記発光素子キャリアが非導電性材料で形
成され、前記発光素子を実装する面上に前記抵抗素子用
電極が着けられていることを特徴とする請求項２に記載
の発光素子モジュール。
【請求項５】前記発光素子が複数の発光要素をアレイ状
に集積したものであり、集積された発光要素数と同数の
前記抵抗素子が前記発光素子キャリア上に形成され、各
発光要素は各々対応する抵抗素子上に積層して実装され
ていることを特徴とする請求項２に記載の発光素子モジ
ュール。
【請求項６】前記複数の発光要素のカソード、アノード
側の電極がそれぞれ分離され、前記発光素子キャリアが
非導電性材料で形成されてその上に前記複数の抵抗素子
用の電極が電気的に分離して着けられていることを特徴
とする請求項５に記載の発光素子モジュール。
【請求項７】前記複数の発光要素のカソード、アノード
側の電極がそれぞれ分離され、前記発光素子キャリアが
導電性材料で形成されてその上に前記複数の抵抗素子が
分離して形成されていることを特徴とする請求項５に記
載の発光素子モジュール。
【請求項８】前記抵抗素子が薄膜或いは厚膜サーミスタ
であることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載
の発光素子モジュール。
【請求項９】前記抵抗素子が前記発光素子キャリアを兼
ねていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子モ
ジュール。
【請求項１０】前記抵抗素子がバルク形サーミスタであ
ることを特徴とする請求項９に記載の発光素子モジュー
ル。
【請求項１１】抵抗が負の温度特性を有する抵抗素子を
電流駆動型の発光素子に直列に接続する発光素子駆動方
式に適用される発光素子において、該抵抗素子が該発光
素子上に積層して形成されていることを特徴とする発光
素子。
【請求項１２】前記発光素子が複数の発光要素をアレイ
状に集積したものであり、集積された発光要素数と同数
の該抵抗素子が各々対応する発光要素上に積層して形成
されていることを特徴とする請求項1１に記載の発光素
子。
【請求項１３】前記複数の発光要素のカソード、アノー
ド側の電極がそれぞれ分離され、前記抵抗素子がカソー
ド或いはアノード側の該分離した電極上にそれぞれ形成
されていることを特徴とする請求項１２に記載の発光素
子。
【請求項１４】前記抵抗素子が薄膜或いは厚膜サーミス
タであることを特徴とする請求項１１、１２または１３
に記載の発光素子。
【請求項１５】前記発光素子ないし発光要素が半導体レ
ーザであることを特徴とする請求項１乃至１４の何れか
に記載の発光素子。