JPH02271585A - レーザダイオードモジュール - Google Patents
レーザダイオードモジュールInfo
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- JPH02271585A JPH02271585A JP9258289A JP9258289A JPH02271585A JP H02271585 A JPH02271585 A JP H02271585A JP 9258289 A JP9258289 A JP 9258289A JP 9258289 A JP9258289 A JP 9258289A JP H02271585 A JPH02271585 A JP H02271585A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分舒〕
この発明は、電子部品、特に発光素子と光ファイバを有
する光通信用の電子部品に関するものである。
する光通信用の電子部品に関するものである。
光通信用光源の一つとして、レーザダイオードモジュー
ル（以下ＬＤモジユールという。）が使用されている。
ル（以下ＬＤモジユールという。）が使用されている。
第３図は２例えば昭和６３年電子情報通信学会秋期全国
大会予稿Ｃ−２１５にに記載されている従来のＬＤモジ
ュールを示す断面図であり２図において、（１）はレー
ザダイオード（以下ＬＤという）、（２）はこのＬＤか
らの出射光をコリメートビームとする第１のレンズ、（
３）はこのＬＤからの出射光は通過するが逆にＬＤへ入
射しようとする光は遮断する光アイソレータ、（４）は
上記光アイソレータの通過光を集光する第２のレンズ、
（５）は、上記第２のレンズによる集光ビームを伝播さ
せるシングルモードファイバ、（６）は上記ＬＤからの
背面出射光を受光するモニタ用フォトダイオード、（７
）は上記ＬＤ、第１のレンズ、モニタ用フォトダイオー
ドを保持するチップキャリア、（８）は上記チップキャ
リアの温度を検知するためのサーミスタ、（９）は上記
チップキャリアの温度をコントロールするベルチェ素子
、 Ｑｌは上記ＬＤ等の素子を気密封じするパッケージ
である。
大会予稿Ｃ−２１５にに記載されている従来のＬＤモジ
ュールを示す断面図であり２図において、（１）はレー
ザダイオード（以下ＬＤという）、（２）はこのＬＤか
らの出射光をコリメートビームとする第１のレンズ、（
３）はこのＬＤからの出射光は通過するが逆にＬＤへ入
射しようとする光は遮断する光アイソレータ、（４）は
上記光アイソレータの通過光を集光する第２のレンズ、
（５）は、上記第２のレンズによる集光ビームを伝播さ
せるシングルモードファイバ、（６）は上記ＬＤからの
背面出射光を受光するモニタ用フォトダイオード、（７
）は上記ＬＤ、第１のレンズ、モニタ用フォトダイオー
ドを保持するチップキャリア、（８）は上記チップキャ
リアの温度を検知するためのサーミスタ、（９）は上記
チップキャリアの温度をコントロールするベルチェ素子
、 Ｑｌは上記ＬＤ等の素子を気密封じするパッケージ
である。
次に動作について説明する。Ｌ Ｄ ［１１によって出
射されたレーザビームは、第１のレンズ（２）、光アイ
ソレータ（３１，第２のレンズ（４）を通って、シング
ルモードファイバ（５）の伝播光となる。この伝播光出
力は、これとほぼ比例するＬ Ｄ （１）からの背面光
をモニタ用フォトダイオードで受光することによりモニ
タされる。また、ＬＤ＋１１からの出射光はＬＤの温度
に依存するため、温度検出用のサーミスタ（８）と温度
コントロール用のペルチェ素子（９）によりＬＤの温度
を制御できるようになっている。ＬＤ（１）等の素子を
気密封じしているのが、パッケージα〔である。
射されたレーザビームは、第１のレンズ（２）、光アイ
ソレータ（３１，第２のレンズ（４）を通って、シング
ルモードファイバ（５）の伝播光となる。この伝播光出
力は、これとほぼ比例するＬ Ｄ （１）からの背面光
をモニタ用フォトダイオードで受光することによりモニ
タされる。また、ＬＤ＋１１からの出射光はＬＤの温度
に依存するため、温度検出用のサーミスタ（８）と温度
コントロール用のペルチェ素子（９）によりＬＤの温度
を制御できるようになっている。ＬＤ（１）等の素子を
気密封じしているのが、パッケージα〔である。
次に、ＬＤ＋１）等を保持するチップキャリア（７）に
ついて、より詳細に説明する。第３図に示されるＬＤモ
ジュールは、しばしば、２．４ギガビット以上の高速の
ディジタル光通信や、ＩＧＨｚ以上のマイクロ波光伝送
用光源として用いられるが、この時に重要なのが、ＬＤ
＋１）への給電系である。第４図に、このような用途に
適したＬＤへの給電系を持つチップキャリアの模式図を
示す。第４図において、（１）はＬＤ、（１３）はＬＤ
を搭載するサブマウント、 （１４）はサブマウントを
固定すると−トシンク、 （１５）は上記ヒートシンク
（１４）にろう付けされたセラミック基板、 （１Ｂ）
は上記セラミック基板上に形成されたＡｕのパターン、
（１７）はＬＤ（１１とＡＵのパターン（１６）の間
を電気的に接続するポンディングワイヤである。なお、
第３図に示されていたモニタ用フォトダイオード等は省
略しである。
ついて、より詳細に説明する。第３図に示されるＬＤモ
ジュールは、しばしば、２．４ギガビット以上の高速の
ディジタル光通信や、ＩＧＨｚ以上のマイクロ波光伝送
用光源として用いられるが、この時に重要なのが、ＬＤ
＋１）への給電系である。第４図に、このような用途に
適したＬＤへの給電系を持つチップキャリアの模式図を
示す。第４図において、（１）はＬＤ、（１３）はＬＤ
を搭載するサブマウント、 （１４）はサブマウントを
固定すると−トシンク、 （１５）は上記ヒートシンク
（１４）にろう付けされたセラミック基板、 （１Ｂ）
は上記セラミック基板上に形成されたＡｕのパターン、
（１７）はＬＤ（１１とＡＵのパターン（１６）の間
を電気的に接続するポンディングワイヤである。なお、
第３図に示されていたモニタ用フォトダイオード等は省
略しである。
サブマウント（１３）及び、ヒートシンク（１４）は。
Ａｕメタライズ等の手段により導電性を持たせてあり、
ＬＤへの給電は、Ａｕのパターン（１６）とヒートシン
ク（１４）の間に電流を流すことにより実現される。こ
のとき、Ａｕのパターン（１６）と、ヒートシンク（１
４）により、マイクロ・ストリップ線路が形成されるた
め、チップキャリアへの給電系の特性インピーダンスを
チップキャリア上に形成されたマイクロ・ストリップ線
路の特性インピーダンスと整合させることにより、ＬＤ
への給電系の寄生インダクタンス、寄生キャパシタンス
の影響を除去することができる。この構造を持つチップ
キャリアを内蔵することにより、ＬＤモジュールとして
の高周波特性も改善される。しかるに、上記チップキャ
リア上に形成されたマイクロ・ストリップＩＩ略の特性
インピーダンスとしては、材質上の制約等があり、２５
〜７５Ω程度の値しか現実的ではない。したがってイン
ピーダンスが数Ω程度であるＬＤと、上記マイクロ・ス
トリップ線路との間には、当然インピーダンス整合によ
る信号の反射がおきる。
ＬＤへの給電は、Ａｕのパターン（１６）とヒートシン
ク（１４）の間に電流を流すことにより実現される。こ
のとき、Ａｕのパターン（１６）と、ヒートシンク（１
４）により、マイクロ・ストリップ線路が形成されるた
め、チップキャリアへの給電系の特性インピーダンスを
チップキャリア上に形成されたマイクロ・ストリップ線
路の特性インピーダンスと整合させることにより、ＬＤ
への給電系の寄生インダクタンス、寄生キャパシタンス
の影響を除去することができる。この構造を持つチップ
キャリアを内蔵することにより、ＬＤモジュールとして
の高周波特性も改善される。しかるに、上記チップキャ
リア上に形成されたマイクロ・ストリップＩＩ略の特性
インピーダンスとしては、材質上の制約等があり、２５
〜７５Ω程度の値しか現実的ではない。したがってイン
ピーダンスが数Ω程度であるＬＤと、上記マイクロ・ス
トリップ線路との間には、当然インピーダンス整合によ
る信号の反射がおきる。
このような信号の反射を防ぐ手段として、抵抗体を用い
る方法が一般的に使われている。第５図や第６図は、そ
の具体例として容易に類推されろものである。
る方法が一般的に使われている。第５図や第６図は、そ
の具体例として容易に類推されろものである。
第５図は、Ａｕのパターン（１Ｂ）の一部が薄膜抵抗体
（１８）になっていることを除けば、第４図に示すもの
と同じ構成となっている。このような構成をとることに
より抵抗体（１８）とＬ Ｄ ［１）のインピーダンス
の和と、パターン（１６）の特性インピーダンスをほぼ
合わせることにより、第４図に示すチップキャリアにお
いて発生していたインピーダンス不整合の問題をなくす
ことができる。第６図は。
（１８）になっていることを除けば、第４図に示すもの
と同じ構成となっている。このような構成をとることに
より抵抗体（１８）とＬ Ｄ ［１）のインピーダンス
の和と、パターン（１６）の特性インピーダンスをほぼ
合わせることにより、第４図に示すチップキャリアにお
いて発生していたインピーダンス不整合の問題をなくす
ことができる。第６図は。
第５図における抵抗体（１８）の代わりに、レジスタチ
ップ（１９）が半田付けされているものであり、そのこ
とを除けば、第５図と第６図は同一の構造となっている
。
ップ（１９）が半田付けされているものであり、そのこ
とを除けば、第５図と第６図は同一の構造となっている
。
ＬＤモジュールの高周波特性を向上させるためにＬＤへ
の給電系を考慮した第５図のような実施例においては、
抵抗体の消費電力がＬＤの消費電力と比較して大きなも
のとなり、第３図に示すＬＤモジュールに用いた時には
、チップキャリア（７）を冷却するなめに余分な電力が
必要であるという課題があった。また、当然のことなが
ら、このようなＬＤモジュールを通信用として用いるた
めには、ＬＤドライブ回路として、より高出力のものを
用いる必要があった。
の給電系を考慮した第５図のような実施例においては、
抵抗体の消費電力がＬＤの消費電力と比較して大きなも
のとなり、第３図に示すＬＤモジュールに用いた時には
、チップキャリア（７）を冷却するなめに余分な電力が
必要であるという課題があった。また、当然のことなが
ら、このようなＬＤモジュールを通信用として用いるた
めには、ＬＤドライブ回路として、より高出力のものを
用いる必要があった。
上記のような理由から、マイクロ波等の高周波信号でＬ
Ｄを直接変調するような場合には、ＬＤへ直列に抵抗体
を配置したＬＤモジュールが適しており、また、それ以
下の周波数を・扱う場合には。
Ｄを直接変調するような場合には、ＬＤへ直列に抵抗体
を配置したＬＤモジュールが適しており、また、それ以
下の周波数を・扱う場合には。
消費電力の点から抵抗体を内蔵していないＬＤモジュー
ルが適している。
ルが適している。
第６図に示すチップキャリアは、このような２つの目的
に対応できると思われるものであり、レジスタ（１９）
の代わ口に導電体を用いることによゆ。
に対応できると思われるものであり、レジスタ（１９）
の代わ口に導電体を用いることによゆ。
消費電力の小さいＬＤモジュールを提供することができ
る。しかし、レジスタチップ半田付は部の寄生容量が無
視できず２周波数特性が制限されるという課題があった
。
る。しかし、レジスタチップ半田付は部の寄生容量が無
視できず２周波数特性が制限されるという課題があった
。
本発明の目的は、ＬＤへの入力電気信号のＬＤモジュー
ルからの反射を防ぐために、Ｌ［）へ直列に抵抗体を配
置したＬＤモジュールと、消費電力を低減を優先させて
抵抗体を内蔵していないＬＤモジュールとに、共通して
用いることができるチップキャリアを得るということに
ある。
ルからの反射を防ぐために、Ｌ［）へ直列に抵抗体を配
置したＬＤモジュールと、消費電力を低減を優先させて
抵抗体を内蔵していないＬＤモジュールとに、共通して
用いることができるチップキャリアを得るということに
ある。
この発明におけるＬＤモジュールは、ＬＤモジュールに
内蔵されるチップキャリアとして、マイクロストリップ
線路と薄膜による蒸着抵抗体と。
内蔵されるチップキャリアとして、マイクロストリップ
線路と薄膜による蒸着抵抗体と。
その抵抗体をシリートすべく配線されたワイヤを持つも
のを用いている。
のを用いている。
この発明におけるＬＤモジュールは、ＬＤモジュールに
内蔵されるチップキャリアとして、マイクロストリップ
線路と、Ｆｌ膜による蒸着抵抗体と。
内蔵されるチップキャリアとして、マイクロストリップ
線路と、Ｆｌ膜による蒸着抵抗体と。
その抵抗体をショートすべく配線されたワイヤを持つも
のを用いているため２例えば低周波数で用いるＬＤモジ
ュールには、チップキャリアをそのまま内蔵することに
より、ＬＤへの直列抵抗はないものとして扱うことがで
き、ＬＤと抵抗体が直列に接線されたものと比較して消
費電力が少ない。
のを用いているため２例えば低周波数で用いるＬＤモジ
ュールには、チップキャリアをそのまま内蔵することに
より、ＬＤへの直列抵抗はないものとして扱うことがで
き、ＬＤと抵抗体が直列に接線されたものと比較して消
費電力が少ない。
また、マイクル波帯等の高周波で用いるＬＤモジユール
には、抵抗体をショートさせているワイヤを切断したチ
ップキャリアを用いることにより。
には、抵抗体をショートさせているワイヤを切断したチ
ップキャリアを用いることにより。
ＬＤへの給電線路の特性インピーダンスと、ＬＤ及び抵
抗体で形成される部分のインピーダンスを整合させるこ
とができ、高周波信号でＬＤを直接変調するのに適した
ＬＤモジュールとなる。このように両立しない目的に対
して、同一のチップキャリアを用いることができる。
抗体で形成される部分のインピーダンスを整合させるこ
とができ、高周波信号でＬＤを直接変調するのに適した
ＬＤモジュールとなる。このように両立しない目的に対
して、同一のチップキャリアを用いることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）はＬ Ｄ 、 （５１は上記Ｌ Ｄ
（１１からの出射光を伝播させるシングルモードファ
イバ、（６）は上記ＬＤからの背面出射光を受光するモ
ニタ用フォトダイオード、 （１４）は上記ＬＤ及びモ
ニタ用フォトダイオードを保持するヒートシンク。
図において、（１）はＬ Ｄ 、 （５１は上記Ｌ Ｄ
（１１からの出射光を伝播させるシングルモードファ
イバ、（６）は上記ＬＤからの背面出射光を受光するモ
ニタ用フォトダイオード、 （１４）は上記ＬＤ及びモ
ニタ用フォトダイオードを保持するヒートシンク。
（１５）は上記ヒートシンク（１４）によりろう付けさ
れたセラミック基板、 （１Ｂ）は上記セラミック基板
（１５）上に形成されたＡｕのパターン、 （ｉｆ）は
Ｌ Ｄ （１１とＡｕのパターン（１６）の間を電気的
に接続するポンディングワイヤ、 （１８）はＡｕのパ
ターン（１Ｂ）の一部分に挿入された薄膜抵抗体、 （
２０）は上記薄膜抵抗体（１８）をシンートすべく配線
された第２のポンディングワイヤ、 （２１）は上記Ａ
ｕのパターン（１６）に接続された第２のセラミック基
板。
れたセラミック基板、 （１Ｂ）は上記セラミック基板
（１５）上に形成されたＡｕのパターン、 （ｉｆ）は
Ｌ Ｄ （１１とＡｕのパターン（１６）の間を電気的
に接続するポンディングワイヤ、 （１８）はＡｕのパ
ターン（１Ｂ）の一部分に挿入された薄膜抵抗体、 （
２０）は上記薄膜抵抗体（１８）をシンートすべく配線
された第２のポンディングワイヤ、 （２１）は上記Ａ
ｕのパターン（１６）に接続された第２のセラミック基
板。
（２２）は上記第２のセラミック基板上に形成された第
２のＡｕのパターン、 （２３）は上記Ａｕのパターン
（１６）と、上記第２のＡｕのパターン（２２）を接続
する第３のボンデインクワイヤ、（８）は上記ヒートシ
ンクの温度を検知するためのサーミスタ、（９）は上記
ヒートシンクの温度をコントロールするペルチェ素子、
Ｑｌは上記ＬＤ等の素子を気密封じするパッケージ、
（２４）は上記パッケージを貫通する電極ピン、 （
２５）は上記パッケージを貫通した上記光ファイバ（５
）をヒートシンク（１４）上に固定するファイバ固定部
材である。
２のＡｕのパターン、 （２３）は上記Ａｕのパターン
（１６）と、上記第２のＡｕのパターン（２２）を接続
する第３のボンデインクワイヤ、（８）は上記ヒートシ
ンクの温度を検知するためのサーミスタ、（９）は上記
ヒートシンクの温度をコントロールするペルチェ素子、
Ｑｌは上記ＬＤ等の素子を気密封じするパッケージ、
（２４）は上記パッケージを貫通する電極ピン、 （
２５）は上記パッケージを貫通した上記光ファイバ（５
）をヒートシンク（１４）上に固定するファイバ固定部
材である。
次に動作について説明する。Ｌ Ｄ ＋１１によって出
射されたレーザビームは、シングルモードファイバ（５
）の伝播光となる。この伝播光出力はこれとほぼ比例す
るＬ Ｄ （１１からの背面光をモニタ用フォトダイオ
ード（６）で受光することによりモニタされる。
射されたレーザビームは、シングルモードファイバ（５
）の伝播光となる。この伝播光出力はこれとほぼ比例す
るＬ Ｄ （１１からの背面光をモニタ用フォトダイオ
ード（６）で受光することによりモニタされる。
また、ＬＤ（１）からの出射光はＬＤの温度に依存する
ため、温度検出用のサーミスタ（８）と温度コント四−
ル用のベルチェ素子（９）により、ＬＤの温度を制御で
きるようになっている。Ｌ Ｄ （１）等の素子を気密
封じしているのが、パッケージα〔である。
ため、温度検出用のサーミスタ（８）と温度コント四−
ル用のベルチェ素子（９）により、ＬＤの温度を制御で
きるようになっている。Ｌ Ｄ （１）等の素子を気密
封じしているのが、パッケージα〔である。
次にＬ Ｄ ＋１１への給電系について説明する。先ず
。
。
第１図のモジュールを図示されたまま用いた場合には、
電極ピン（２４）とＬ Ｄ （１１との間に抵抗体の介
在しない、シタがって低消費電力のＬＤモジュルとなる
。ＬＤ（ＩＪの１ノード端子はヒートシンク（１４）に
接続されている。第２のセラミック基板（２１）の裏面
は全面にＡｕメタライズが施されており、このメタライ
ズ面と、パッケージ叫及びヒートシンク（１４）がハン
ダ付けにより接続されている。
電極ピン（２４）とＬ Ｄ （１１との間に抵抗体の介
在しない、シタがって低消費電力のＬＤモジュルとなる
。ＬＤ（ＩＪの１ノード端子はヒートシンク（１４）に
接続されている。第２のセラミック基板（２１）の裏面
は全面にＡｕメタライズが施されており、このメタライ
ズ面と、パッケージ叫及びヒートシンク（１４）がハン
ダ付けにより接続されている。
つまり、ＬＤの１ノード端子はパッケージへ短絡されて
いる。一方Ｌ Ｄ （１）のカソード端子はボンディン
グワイヤ（１７）、第２のボンディングワイヤ（２０）
、Ａｕのパターン（１Ｂ）、第３のボンディングワイヤ
（２３）、第２図のＡｕのパターン（２２）を通して。
いる。一方Ｌ Ｄ （１）のカソード端子はボンディン
グワイヤ（１７）、第２のボンディングワイヤ（２０）
、Ａｕのパターン（１Ｂ）、第３のボンディングワイヤ
（２３）、第２図のＡｕのパターン（２２）を通して。
電極ピン（２４）へ接続されている。したがって、電極
ピン（２４）とパッケージ叫との間に電流を流すことに
よりＬ Ｄ ＋１１に給電される。
ピン（２４）とパッケージ叫との間に電流を流すことに
よりＬ Ｄ ＋１１に給電される。
この場合、抵抗体（１８）には電流が流れないため。
抵抗体（１８）での余分な電力消費はない。また高周波
入力を考えた場合にも、ＬＤ［１１の近傍までマイクロ
ストリップ線路で給電されるため、線路の特性インピー
ダンスが統一されている場合には、線路のＬ生インダン
タンスや、寄生キャパシタンスの影響を除去できる。た
だし、ＬＤＩＩ）のインピーダンスは数Ω程度であり、
２５〜７５Ω程度の特性インピーダンスである線路との
間のインピーダンス不整合は避けられない。したがって
マイクロ波等の高周波伝送には不向きである。
入力を考えた場合にも、ＬＤ［１１の近傍までマイクロ
ストリップ線路で給電されるため、線路の特性インピー
ダンスが統一されている場合には、線路のＬ生インダン
タンスや、寄生キャパシタンスの影響を除去できる。た
だし、ＬＤＩＩ）のインピーダンスは数Ω程度であり、
２５〜７５Ω程度の特性インピーダンスである線路との
間のインピーダンス不整合は避けられない。したがって
マイクロ波等の高周波伝送には不向きである。
このような場合には、第２のボンディングワイヤ（２０
）をビンセット等で切断してやるとよい。そうすること
により、入力インピーダンスは、薄膜抵抗体（１８）と
Ｌ Ｄ ＋１１のインピーダンスの和となり。
）をビンセット等で切断してやるとよい。そうすること
により、入力インピーダンスは、薄膜抵抗体（１８）と
Ｌ Ｄ ＋１１のインピーダンスの和となり。
給電線路とのインピーダンス整合をとることが可能とな
る。すなわち、マイクロ波等の高周波伝送に適したＬＤ
モジュールとなる。
る。すなわち、マイクロ波等の高周波伝送に適したＬＤ
モジュールとなる。
つまり、第２のボンディングワイヤを接続しておくか、
切断するかにより、ＬＤモジュールの適用分野を変える
ことができる。
切断するかにより、ＬＤモジュールの適用分野を変える
ことができる。
第２図には、チップキャリア部分の拡大図を示す。図に
おいて、（１）はＬＤ、（１３）はＬ Ｄ （１１を搭
載するサブマウント、 （１４）はサブマウントを固定
するヒートシンク、 （ｉｓ）はヒートシンク（１４）
にろう付けされたセラミック基板、 （１６）は上記セ
ラミック基板上に形成されたＡｕのパターン、 （１７
）はＬＤ（１）とＡｕのパターン（１６）の間を電気的
に接続するボンディングワイヤ、 （１８１はＡｕのパ
ターン（１６）の位置部分に挿入された薄膜抵抗体１
（２’）は薄膜抵抗体（１８）をショートすべく配線さ
れた第２のボンディングワイヤ、 （２１）はＡｕの
パターン（１６）に接続されｔこ第２のセラミック基板
、 （２２）は第２のセラミック基板上に形成された第
２のＡｕのパターン、 （２３）はＡｕのパターン（１
６）と、第２のＡｕのパターン（２２）を接続するボン
ディングワイヤである。Ｌ Ｄ （１）への給電に関係
のない素子等については省略しである。
おいて、（１）はＬＤ、（１３）はＬ Ｄ （１１を搭
載するサブマウント、 （１４）はサブマウントを固定
するヒートシンク、 （ｉｓ）はヒートシンク（１４）
にろう付けされたセラミック基板、 （１６）は上記セ
ラミック基板上に形成されたＡｕのパターン、 （１７
）はＬＤ（１）とＡｕのパターン（１６）の間を電気的
に接続するボンディングワイヤ、 （１８１はＡｕのパ
ターン（１６）の位置部分に挿入された薄膜抵抗体１
（２’）は薄膜抵抗体（１８）をショートすべく配線さ
れた第２のボンディングワイヤ、 （２１）はＡｕの
パターン（１６）に接続されｔこ第２のセラミック基板
、 （２２）は第２のセラミック基板上に形成された第
２のＡｕのパターン、 （２３）はＡｕのパターン（１
６）と、第２のＡｕのパターン（２２）を接続するボン
ディングワイヤである。Ｌ Ｄ （１）への給電に関係
のない素子等については省略しである。
なお、上記実施例では抵抗体（１８）として薄膜抵抗体
を使用したものを示したが、厚膜の抵抗体を使用しても
同一の効果が期待される。
を使用したものを示したが、厚膜の抵抗体を使用しても
同一の効果が期待される。
また、抵抗体（１８）は１つのものを示したが、複数の
抵抗体とワイヤで構成されていても同様の効果を奏する
。
抵抗体とワイヤで構成されていても同様の効果を奏する
。
また、第２のボンディングワイヤ（２０）として１本の
ものを示したが、高周波特性及び信頼性を向上させるた
めに、複数のワイヤやＡｕのリボンを用いてもよい。
ものを示したが、高周波特性及び信頼性を向上させるた
めに、複数のワイヤやＡｕのリボンを用いてもよい。
以上のようにこの発明によれば、ＬＤモジュールに用い
るチップキャリアとして、マイクロ・ストリップ線路と
薄膜による蒸着抵抗体とその抵抗体をシリートすべく配
線されたワイヤを持つものを用いているため、マイクロ
波等の高周波伝送に適したＬＤモジュールと、低消費電
力のＬＤモジュールを同一のチップキャリアで得られる
効果がある。
るチップキャリアとして、マイクロ・ストリップ線路と
薄膜による蒸着抵抗体とその抵抗体をシリートすべく配
線されたワイヤを持つものを用いているため、マイクロ
波等の高周波伝送に適したＬＤモジュールと、低消費電
力のＬＤモジュールを同一のチップキャリアで得られる
効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるＬＤモジュールを示
す斜視図、第２図は同じくＬＤモジュルのＬＤ給電部示
す斜視図、第３図は従来のＬＤモジュールを示す断面図
、第４図は従来のＬＤモジュールのチップキャリアの一
例を示す斜視図。 第５図は従来のＬＤモジュールのチップキャリアの他の
一例を示す斜視図、第６図は従来のＬＤモジュールのチ
ップキャリアの他の一例を示す斜視図である。 （ｌｌはレーザダイオード、 （５１はシグルモードフ
ァィバ、 （１４）はヒートシンクｊ （Ｉｓ）はセラ
ミック基板、 （１８）は抵抗体、 （２０）は第２の
ボンディングワイヤである。 なお２図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
す斜視図、第２図は同じくＬＤモジュルのＬＤ給電部示
す斜視図、第３図は従来のＬＤモジュールを示す断面図
、第４図は従来のＬＤモジュールのチップキャリアの一
例を示す斜視図。 第５図は従来のＬＤモジュールのチップキャリアの他の
一例を示す斜視図、第６図は従来のＬＤモジュールのチ
ップキャリアの他の一例を示す斜視図である。 （ｌｌはレーザダイオード、 （５１はシグルモードフ
ァィバ、 （１４）はヒートシンクｊ （Ｉｓ）はセラ
ミック基板、 （１８）は抵抗体、 （２０）は第２の
ボンディングワイヤである。 なお２図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- レーザダイオードと上記レーザダイオードを保持するヒ
ートシンクと、上記ヒートシンク上に固定された誘電体
基板と、上記誘電体基板上に蒸着等の手段により形成さ
れた抵抗体と、上記抵抗体を短絡すべく配線されたワイ
ヤ等の導電体と、上記レーザダイオードからの光を伝播
させる光ファイバとを備えたことを特徴とするレーザダ
イオードモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9258289A JPH0719932B2 (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | レーザダイオードモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9258289A JPH0719932B2 (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | レーザダイオードモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02271585A true JPH02271585A (ja) | 1990-11-06 |
| JPH0719932B2 JPH0719932B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=14058427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9258289A Expired - Fee Related JPH0719932B2 (ja) | 1989-04-12 | 1989-04-12 | レーザダイオードモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719932B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04337688A (ja) * | 1991-05-15 | 1992-11-25 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| EP0961372A1 (de) * | 1998-05-26 | 1999-12-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Hochfrequenz-Lasermodul und Verfahren zur Herstellung desselben |
| US6759599B2 (en) | 2001-07-05 | 2004-07-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Circuit board, method for manufacturing same, and high-output module |
| US11986910B2 (en) | 2020-11-18 | 2024-05-21 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Flux and solder paste |
-
1989
- 1989-04-12 JP JP9258289A patent/JPH0719932B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04337688A (ja) * | 1991-05-15 | 1992-11-25 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| EP0961372A1 (de) * | 1998-05-26 | 1999-12-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Hochfrequenz-Lasermodul und Verfahren zur Herstellung desselben |
| US6759599B2 (en) | 2001-07-05 | 2004-07-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Circuit board, method for manufacturing same, and high-output module |
| US11986910B2 (en) | 2020-11-18 | 2024-05-21 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Flux and solder paste |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0719932B2 (ja) | 1995-03-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |