JP2002190247A

JP2002190247A - Ｃｎｔ膜及びその製造方法並びにｃｎｔ膜を用いた電界放出型冷陰極及び画像表示装置

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Publication number: JP2002190247A
Application number: JP2000386669A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Konuma; 和夫小沼; Fuminori Ito; 文則伊藤; Akihiko Okamoto; 明彦岡本; Yoshinori Tomihari; 美徳富張; Hiroko Okada; 裕子岡田
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 2000-12-20
Filing date: 2000-12-20
Publication date: 2002-07-05
Anticipated expiration: 2020-12-20
Also published as: JP4770017B2

Abstract

(57)【要約】【課題】有機バインダのみに依存せずに機械的膜強度
が確保でき、平坦形状が簡便に得られ膜内に気泡を抱え
込むことがなく、また、ナノチューブ以外の不純物を必
要以上に除去するような複雑なＣＮＴ精製工程を無くす
ことを可能とし、バンドル径増大による電子放出特性の
劣化を軽減できるＣＮＴ膜を提供する。【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ（ＣＮ
Ｔ）及び粒子状不純物を含むＣＮＴ膜１２は、断面及び
表面構造におけるＣＮＴ１２ａと粒子状不純物との面積
比が０．５：９９．５〜４０：６０の範囲に設定されて
いる。このようなＣＮＴ膜１２において、粒子状不純物
を、ＣＮＴ１２ａを製造する際にＣＮＴ１２ａと共に得
られる不純物で構成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばフィールド
・エミッション・ディスプレィ(以下、ＦＥＤとも呼ぶ)
等における電界放出型冷陰極に使用されるカーボンナノ
チューブ（以下、ＣＮＴとも呼ぶ）膜の製造方法に関
し、特に、良好なエミッション特性を発揮できる電界放
出型冷陰極を実現するＣＮＴ膜及びその製造・加工方
法、並びに、このようなＣＮＴ膜を用いた電界放出型冷
陰極及び電界放出型画像表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、新しい炭素材料であるカーボンナ
ノチューブが、特に電界放出型冷陰極等のエミッタ材料
としての応用において期待されている。ＣＮＴは、炭素
原子が規則的に配列されたグラフェンシートをチューブ
状に丸めた中空の円筒形状を有し、外径がナノメートル
（ｎｍ）オーダーで、長さが０．５〜数１０μｍという
極めてアスペクト比が高い微小な物質である。このよう
な形状のＣＮＴでは、先端部分に電界集中が起こり易
く、高い放出電流密度が期待できる。また、ＣＮＴは、
化学的、物理的安定性が高い特性を有するので、動作真
空中の残留ガスの吸着やイオン衝撃等に対して安定であ
ることが予想される。

【０００３】ＣＮＴには、単層ナノチューブ及び多層ナ
ノチューブの２種類が存在する。単層ナノチューブは、
１枚のグラフェン（単原子層の炭素六角網面）が円筒状
に閉じた単原子層厚さのチューブであり、その直径はお
よそ２ｎｍである。多層ナノチューブは、円筒状グラフ
ェンが多層に積み重なったもので、その外径が５〜５０
ｎｍ、中心空洞の直径が３〜１０ｎｍである。エミッタ
としての使用頻度が高い単層ナノチューブは、炭素棒を
電極とするアーク放電によって生成できる。

【０００４】上記単層ナノチューブの生成法は、Nature
Vol.354(1991)p.56〜58等の文献に記載されている。こ
の記載中に、真空チャンバ内を６６５００Ｐａ（５００
Torr）のヘリウム又はアルゴンガスの雰囲気で満たし、
触媒金属として鉄、コバルトやニッケルを添加した炭素
棒を用い、この炭素棒の端部を相互に対向させて電極に
接続した状態でアーク放電を行う旨の記述がある。ＣＮ
Ｔは、触媒金属の種類によって生成場所が異なる。例え
ば、触媒金属に鉄とコバルトを添加した際には、ＣＮＴ
はチャンバ内壁に付着する煤中に生成される。

【０００５】特開平10-120409号公報には、上記単層ナ
ノチューブの精製法が記載されている。この精製法で
は、アーク放電法等で生成した単層ナノチューブを含有
するカーボン原料に、予め極性溶媒分子による衝撃処理
を施しておき、更に焼成処理、酸処理を施した後、超音
波処理を施すことにより、99重量％以上の単層ナノチュ
ーブの高純度化を実現している。

【０００６】特開平6-252056号公報には、ＣＮＴをレジ
スト中に分散して基板上に塗布して、フィルム状のＣＮ
Ｔ膜を得る方法が記載されている。この方法では、膜厚
の均一性が必要な場合にはスピンコーティングを用い
る。その後、レジストに必要な焼成を施すことにより、
基板上にＣＮＴ膜を固定する。

【０００７】また、ＣＮＴを電子放出として活用する試
みがある。例えば、Jpn. J. Appl.Phys. Vol. 36 (199
7), L1340-L1342ページには、上記精製法によって高純
度化した単層ナノチューブを電子放出源として用いた際
の特性が報告されている。特願平11-145900号には、精
製後の単層ナノチューブをレジスト等のバインダ中に混
合し、スピンコート、スクリーン印刷及び噴霧等の手法
でナノチューブ層を形成し、それらを電子源として用い
た電界放出型冷陰極及び平面ディスプレイの製造方法が
記載されている。

【０００８】図１６に示すように、３極管構造のＦＥＤ
では、電界放出型冷陰極に、ＣＮＴ膜を用いたエミッタ
１２ｂを使用し、エミッタ１２ｂとアノード電極２４と
の間にゲート電極２５が配設される。ガラス基板1０上
には、導電性基板又は導電層１１が形成され、導電層１
１上にＣＮＴ膜１２が堆積され、ＣＮＴ膜１２上に絶縁
膜２３を介してゲート電極２５が形成されている。ゲー
ト電極２５及び絶縁膜２３を貫通するゲート開口１７に
より、ＣＮＴ膜１２の一部が露出して、エミッタ１２ｂ
をなしている。ＣＮＴ膜１２及びゲート電極２５等を含
むガラス基板1０の上方には所定の距離をあけてアノー
ド電極２４が配置され、双方の間の空間は真空に保持さ
れる。

【０００９】上記３極管構造のディスプレイでは、ＣＮ
Ｔ膜１２に負電位を、アノード電極２４及びゲート電極
２５に正電位を夫々印加することにより、ゲート開口１
７内に露出したエミッタ１２ｂからアノード電極２４に
向けて電子を放出させる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従来のＣＮＴ膜は、精
製した後に、有機バインダ材を用いることでＣＮＴをフ
ィルム状に固定し、機械的膜強度を確保していた。しか
し、ＣＮＴが有機バインダ材のみで固められると、有機
バインダから発生する放出ガスでＣＮＴ膜が気泡を抱え
込むことになって装置内の真空度が損なわれる。このよ
うなＣＮＴ膜をＦＥＤのエミッタに用いると、真空中で
の動作が必要なＦＥＤではＣＮＴ膜内に存在する気泡が
障害となり、短時間で真空状態を得ることができない状
況が生じる。

【００１１】また、有機バインダは無機物であるＣＮＴ
と比較してイオン照射、電子照射、加熱といった方法で
エネルギーを与えられた場合にその成分が気化してガス
を放出しやすい。このため、有機バインダを多く含んだ
ＣＮＴ膜では、たとえその初期状態で気泡が少ない場合
でもエネルギー付与後には気泡が増えてしまう問題も抱
えている。更に、有機バインダはその構成分子が大きな
分子であるので気泡に含まれるガスの分子も大きな分子
である場合がある。

【００１２】このように大きな分子がイオン化した場合
には小さな分子がイオン化した場合よりも同じ電界にお
いて大きな運動エネルギーを持つことになり、この大き
なイオンが衝突した物質に大きなダメージを与えること
になる。更に、大きな分子が分解して小さな気体分子に
なる場合には気体分子がその分だけ増えることになり、
気泡が更に、増えることになる。

【００１３】また、上述のように、レジストに必要なプ
リベーキングを施すことで基板上にＣＮＴ膜を固定する
際には、ベーキングによって、ＣＮＴ膜に含浸する有機
バインダ成分であるアクリル等の多くが焼失し、これに
起因する体積減少でＣＮＴ膜表面が凹凸化し、或いは、
隙間が発生するといった問題が生じる。

【００１４】また、電子放出の観点からは、以下に示す
問題点があった。つまり、従来エミッタ形成前に用いら
れる精製工程は、ナノチューブ以外の不純物を排除し、
ナノチューブの高純度化を実現する上で効果的である
が、その際に、ナノチューブの束（バンドル）の径が増
大して電子放出特性（エミッション特性）が劣化するこ
とがある。アーク放電やレーザーアブレーション等で形
成した単層ナノチューブは通常、ナノチューブ同士が比
較的弱い結合力（ファンデルワールス力）によって直径
20〜30ｎｍ程度のバンドルを形成する。

【００１５】ナノチューブの精製工程では、前述した特
開平10-120409号公報に示されるように、複数の工程を
経ると同時に、次第にナノチューブ以外の不純物が排除
されるため、隣接するナノチューブの接触回数が増加
し、バンドル化が促進する。すなわち、バンドル径が増
大する。電界電子放出ではエミッタ先端部、ここではナ
ノチューブのバンドル径が小さいほど低電界でより多く
の電子を放出することが可能である。しかし、精製工程
を経たナノチューブはそのバンドル径の増大により、電
子放出特性が劣化する。

【００１６】ナノチューブ精製工程では別の課題もあ
る。粒子状不純物はファンデルワールス力又は化学結合
でＣＮＴに付着しているので、この粒子状不純物を除去
しようとする場合には、上記ファンデルワールス力又は
化学結合力以上のエネルギー、別の言い方をすればＣＮ
Ｔと粒子状不純物とを結合させている以上の活性化エネ
ルギーを与えなければならない。このエネルギー付与に
よって、ＣＮＴの結合にダメージが生じることが懸念さ
れる。

【００１７】ダメージを受けたＣＮＴは、その後に自身
から電子放出する際に自身の結晶構造が破壊して初期の
電子放出特性を長時間維持できないという問題も抱えて
いる。粒子状不純物を昇華させ、或いは、粒子状不純物
を液中に溶解させて除去する場合には、昇華エネルギー
付与や溶解エネルギー付与によってＣＮＴにダメージを
与える懸念がある。バンドルを形成しているシングルウ
ォールナノチューブにおいてはその端面で1本又は数本
のナノチューブが他のバンドル構成ナノチューブよりも
飛び出している状態がその特性に重要な影響を与える場
合がある。

【００１８】電界電子放出特性の場合には、複数本が束
ねてあるバンドル状態では束の直径が太く電界が集中し
にくいことに対して、端部でアンテナ状に1本又は数本
のナノチューブが飛び出していると鋭利な先端となるの
で電界が集中して低電界で電子放出がなされる。このア
ンテナ状に飛び出したナノチューブが精製工程で消失し
てしまう場合があるので、その点でもナノチューブの精
製を行わずに済ませたい。前記アンテナ状先端は電界電
子放出の観点だけでなく、ＣＮＴの端部の構造を用いた
測定器や触媒反応においても重要である。

【００１９】また、精製後のカーボンナノチューブは、
それ以外の不純物がほとんど存在しないため、ナノチュ
ーブ膜表面の単位面積に占めるナノチューブの割合が増
大する。すなわち、電子放出源であるナノチューブ先端
部がエミッタ表面に密に配列する。しかし、隣接するナ
ノチューブ先端部の間隔が極端に小さくなると、先端部
周辺に電位が浸透しなくなるため、電界集中は低下す
る。従って、電子放出特性が劣化する原因になる。

【００２０】本発明は、上記に鑑み、有機バインダのみ
に依存せずに機械的膜強度が確保でき、平坦形状が簡便
に得られ膜内に気泡を抱え込むことがなく、また、ナノ
チューブ以外の不純物を必要以上に除去するような複雑
なＣＮＴ精製工程を無くすことを可能とし、バンドル径
増大による電子放出特性の劣化を軽減できるＣＮＴ膜を
提供すること、及び、良好な電子放出特性を有するＣＮ
Ｔ膜の製造方法を提供することを目的とする。

【００２１】本発明は更に、このようなＣＮＴ膜を用い
た電界放出型冷陰極、及び、該電界放出型冷陰極を用い
た画像表示装置を提供することを目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】例えば、アーク放電法等
でＣＮＴを生成する場合、チャンバ内壁に付着する煤中
にはＣＮＴと共に粒子状不純物が存在する。粒子状不純
物は５００ナノメートル以下でサブナノメートル以上の
範囲を示す。本発明者らは、ＣＮＴ膜の形成時に不要な
ものとして廃棄される粒子状不純物を充填材として用い
れば、従来の有機系バインダ材のみに依存することな
く、ＣＮＴ間の隙間を埋め込んで膜強度を確保した緻密
な充填状態を得ることができると共に、他のバインダ材
を加えて有機バインダ材を使用したとしても、有機バイ
ンダ成分が少ないために放出ガスで真空度が損なわれる
おそれが極めて少ないという作用効果が得られる点に着
目し、鋭意研究を重ね、本発明をなすに至った。上記煤
は炭素原料がＣＮＴ構造にその原子配列を組み直す高エ
ネルギー過程を経て真空装置内部に形成されているの
で、その煤に含有される粒子状不純物は形成過程でガス
を放出しており、それ以降ガスを放出しにくい状態とな
っている。予めガス放出しにくい状態になっている粒子
状不純物を廃棄せずに使用することで工程を増やすこと
なく放出ガスの少ない充填材を得る効果がある。

【００２３】上記目的を達成するために、本発明のＣＮ
Ｔ膜は、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）及び粒子状不
純物を含むＣＮＴ膜であって、断面及び表面構造におけ
るＣＮＴと粒子状不純物との面積比が０．５：９９．５
〜４０：６０の範囲に設定されていることを特徴とす
る。

【００２４】本発明のＣＮＴ膜では、粒子状不純物を上
記面積比でＣＮＴ相互間の隙間を埋め込んだので、有機
バインダのみに依存せずに機械的膜強度が確保でき、膜
内に気泡を抱え込むことがない平坦形状が簡便に得られ
る。また、ナノチューブ以外の不純物を必要以上に除去
するような複雑なＣＮＴ精製工程を無くすことが可能と
なり、バンドル径増大による電子放出特性の劣化を軽減
することができる。

【００２５】ここで、前記粒子状不純物が、前記ＣＮＴ
を製造する際に該ＣＮＴと共に得られる不純物から成る
ことが好ましい。この場合、工程が簡便になるととも
に、基板との付着力が高く、かつ良好なエミッション特
性を有するＣＮＴ膜を形成できるという効果を奏するこ
とができる。

【００２６】また、前記粒子状不純物がＣＮＴ相互間の
隙間を埋め込むバインダ材として機能し、該バインダ材
とは別のバインダ材が更に添加されることも好ましい態
様である。この場合、基板との付着力が更に、高く、か
つ良好なエミッション特性を有するＣＮＴ膜を形成する
ことができる。

【００２７】好ましくは、前記バインダ材が有機物で構
成される。これにより、低温での焼成が可能になり、更
に、ＣＮＴのパターニングが容易になるという効果を奏
することができる。

【００２８】具体的には、前記有機物を、アクリル、ニ
トロセルロース、及びポリイミド樹脂の内の少なくとも
１つを含む材料で構成することができる。この場合、Ｃ
ＮＴの基板への固着状態をより確実にすることができ
る。

【００２９】また、ＣＮＴ相互間の隙間を埋め込む前記
粒子状不純物の充填率が７０％以上であることが望まし
い。この場合には、ＣＮＴ膜が緻密になるためガスが内
部に残存することがなく、また前記ＣＮＴ膜上に良好な
絶縁層を形成可能であるという効果を奏することができ
る。

【００３０】前記ＣＮＴ膜が、順次に積層された２層以
上の積層膜で構成され、該積層膜の各層におけるＣＮ
Ｔ、粒子状不純物及びバインダ材の含有比率が夫々別個
に設定されていることが好ましい。例えば、３層から成
る積層膜の場合に、主に基板に固着する機能が必要な最
下層、ＣＮＴ相互間の隙間を埋め込む機能が必要な中間
層、及び、ＣＮＴ膜から直立するようなＣＮＴを必要と
する最上層に対し、夫々最適な状態を形成することが可
能になる。

【００３１】特に、前記ＣＮＴ、粒子状不純物及び別の
バインダ材の内で、上層ほどＣＮＴの含有比率が高く、
下層ほど前記粒子状不純物及び別のバインダ材の含有比
率が高いことが望ましい。具体的には、最上層における
ＣＮＴの含有比率を８０〜９０％に、最上層以下の層に
おけるＣＮＴ以外の含有比率を７０〜８０％に、最下層
における前記別のバインダ材の含有比率を６０〜７０％
に夫々設定することができる。

【００３２】ここで、前記ＣＮＴ膜を用いて電界放出型
冷陰極を形成することが好ましい。その場合、ＣＮＴ膜
と基板との付着力が強く、均一な絶縁層が形成可能であ
るため、安定で長寿命なエミッション特性を有する電界
放出型冷陰極を得ることができる。

【００３３】本発明のＣＮＴ膜の製造方法は、前記ＣＮ
Ｔ膜を製造する製造方法であって、前記粒子状不純物か
ら成るバインダ材及び／又は前記別のバインダ材をＣＮ
Ｔのエッチングレートよりも速い材料で構成して、前記
ＣＮＴ膜をパターニングすることを特徴とする。

【００３４】本発明のＣＮＴ膜の製造方法では、ＣＮＴ
膜のパターニングの際に、バインダ材及び／又は別のバ
インダ材のエッチングレートがＣＮＴよりも速いので、
ＣＮＴ膜の除去工程が極めて簡便になる。また、所望の
領域のＣＮＴを残存させ該領域以外のＣＮＴ膜を除去す
る場合に、残存させる領域におけるバインダ材及び／又
は別のバインダ材も残存させると、基板に対してＣＮＴ
膜をプロセス後も堅固に固着させることができる。

【００３５】ここで、相互に同じ工程で同時に得られた
ＣＮＴ及び粒子状不純物を用いることが好ましい。これ
により、工程が簡便に強固なＣＮＴを形成できるという
効果が得られる。或いは、これに代えて、相互に異なる
工程で得られたＣＮＴ及び粒子状不純物を用いることも
好ましい態様である。この場合、ＣＮＴ及び粒子状不純
物混合比をより正確に制御することができる。

【００３６】また、本発明のＣＮＴ膜の製造方法は、チ
ャンバ内で相互に対向する一対の炭素棒を用いてアーク
放電を行い、前記チャンバ内の天板、側板及び底板の夫
々にＣＮＴ及び粒子状不純物を堆積させ、該堆積物を用
いてＣＮＴ膜を製造する製造方法であって、前記チャン
バ内の天板及び側板に夫々堆積した天板堆積物及び側板
堆積物を回収し、回収した前記天板堆積物及び側板堆積
物の双方を所定の重量比率で混合して混合材料を生成
し、該混合材料における前記粒子状不純物を該混合材料
中のＣＮＴ相互間の隙間を埋める材料として用いたこと
を特徴とする。

【００３７】本発明のＣＮＴ膜の製造方法では、天板及
び側板から回収した天板堆積物及び側板堆積物を所定の
重量比率で混合させ、更にその混合材料における粒子状
不純物を該混合材料中のＣＮＴ相互間の隙間を埋める材
料として用いたので、有機バインダのみに依存せずに機
械的膜強度が確保でき、膜内に気泡を抱え込むことがな
い平坦状のＣＮＴ膜を簡便に得ることができる。また、
ナノチューブ以外の不純物を必要以上に除去するような
複雑なＣＮＴ精製工程を無くすことができるので、バン
ドル径増大による電子放出特性の劣化を軽減することが
できる。

【００３８】具体的には、前記側板堆積物と前記天板堆
積物とを用いて、断面及び表面構造におけるＣＮＴと粒
子状不純物との面積比が０．５：９９．５〜４０：６０
の範囲を満たすようにＣＮＴと粒子状不純物との含有量
を調整することができる。この場合、ＣＮＴと粒子状不
純物との面積比を０．５：９９．５〜４０：６０の範囲
に設定してＣＮＴ相互間の隙間を埋め込むことにより、
有機バインダのみに依存せずに機械的膜強度を確保する
ことができると共に、膜内に気泡を抱え込むことのない
平坦形状が簡便に得られる。

【００３９】ここで、前記ＣＮＴ膜の製造方法で製造さ
れたＣＮＴ膜を用いることにより、ＣＮＴ膜と基板との
付着力が強く、均一な絶縁層が形成可能であるため、安
定で長寿命なエミッション特性を有する電界放出型冷陰
極を得ることができる。その場合、ＣＮＴ膜がＣＮＴ及
び粒子状不純物を含有する電子放出面を構成し、該電子
放出面には５００ｎｍを超える粒径の粒子状不純物は含
まれないように構成することができる。また、電子放出
面に５００ｎｍ以下の粒径の粒子状不純物を用いること
により平坦な表面が得られ、良好なエミッション効果を
奏する電界放出型冷陰極を得ることができる。

【００４０】また、側板堆積物に対する天板堆積物の混
合比率を５０％以下にしたＣＮＴ膜を形成することによ
り、電界放出型画像表示装置（平面画像表示装置）に好
適に使用できる電界放出型冷陰極を得ることができる。
このような電子放出型冷陰極を用いた電界放出型画像表
示装置は、高画質で均一な表示ができ、歩留まりも良好
になる。

【００４１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照し、本発明の一
実施形態例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。図
１は、本発明の第１実施形態例に係る製造方法で製造さ
れたＣＮＴ膜をエミッタに適用したＦＥＤ等の平面画像
表示装置を示す斜視図である。

【００４２】平面画像表示装置は、ガラス基板１０上
に、図１の左右方向に相互に平行に延在する複数の帯状
の導電層１１を有している。各導電層１１上には夫々、
同じ幅のＣＮＴ膜１２が堆積されてカソード（エミッ
タ）ライン１５が形成されている。また、ＣＮＴ膜１２
を含むガラス基板１０の全面を覆うように、ＳＯＧ（Sp
inOn Glass）、若しくは、ポリイミド、アクリル樹脂等
が滴下・塗布（スピンコート）されてゲート絶縁膜１３
が形成されている。

【００４３】ゲート絶縁膜１３上には、帯状のゲート電
極１６がカソードライン１５と直交する方向に且つ相互
に平行に延在してゲートラインをなしている。カソード
ライン１５とゲートラインとの交差部分には、電子放出
部を構成する所定径のゲート開口１７が形成されてお
り、このゲート開口１７に露出するＣＮＴ膜１２がエミ
ッタを構成する。

【００４４】電子放出部が形成された上記ガラス基板１
０の上方には、ＲＧＢ（赤、緑、青）の蛍光体が塗布さ
れたアノードパネル（図１６参照）が、ガラス基板1０
と所定の間隔をあけて対向して配置されている。これに
より、カソードライン１５及びゲートラインに選択的に
電圧を印加することによって表示動作を行う平面画像表
示装置が構成される。また、ガラス基板1０とアノード
パネルとの間の空間は、真空に保持される。

【００４５】図２は、ＦＥＤの製造プロセスを示す一部
断面にした斜視図であり、（ａ）〜（ｄ）は各工程を段
階的に示す。図３は、図２の各工程に対応する工程を示
すフローチャートである。

【００４６】まず、ステップＳ１では、ガラス基板1０
上に導電層１１を介してＣＮＴ膜１２を堆積する（（図
２(ａ)）。次いで、ステップＳ２で、ＣＮＴ膜１２上に
絶縁膜形成液をスピンコートした後に、焼きしめを行っ
てゲート絶縁膜１３を形成する（図２（ｂ））。

【００４７】引き続き、ステップＳ３で、目合わせ露光
と現像とを実施するパターニングにより、ゲート開口
（エミッタホール）１７を形成する（図２(ｃ)）。更
に、ステップＳ４で、ゲート開口１７が形成されたゲー
ト絶縁膜１３上にメタル配線を施して、ゲート電極１６
に形成する（図２（ｄ））。これにより、ＣＮＴ膜を用
いたＦＥＤの電界放出型冷陰極（カソードパネル）が完
成する。

【００４８】ところで、図２（ａ）においてＣＮＴ膜１
２が凹凸状となり、或いは、ＣＮＴ間の隙間が多く存在
する場合には、図２（ｂ）に示したスピンコート工程
で、次のような問題が発生することがある。つまり、ゲ
ート絶縁膜１３の表面が凹凸状に形成されると、スピン
コーティングされる絶縁膜液体材料が均一に延びること
ができず、完成時のゲート絶縁膜１３の膜厚が不均一に
なる。また、表面の凹凸やＣＮＴの隙間に気泡３６が溜
まって絶縁膜液体材料中に拡散し、気泡３６を含んだゲ
ート絶縁膜１３が形成されることになる。この場合に、
良好な絶縁特性が損なわれ、機械的強度も低下すること
になる。

【００４９】また、ＣＮＴ膜１２を導電層１１上に形成
する際に、有機バインダを含有しなければＣＮＴ膜１２
の強度を十分に確保できないが、その場合には、有機バ
インダから放出するガスにより、完成後のＦＥＤにおけ
る真空度が損なわれるおそれがある。更に、ベーキング
を施すことでガラス基板上にＣＮＴ膜を固定する際に
は、ベーキングによって、ＣＮＴ膜に含浸する有機バイ
ンダ成分が焼失し、膜成分として残存しないため、これ
による体積減少でＣＮＴ膜１２表面が凹凸化し、又はＣ
ＮＴ間に隙間が発生する等の問題が発生し、平坦状のＣ
ＮＴ膜の形成が困難になる。

【００５０】図４に、ＦＥＤの断面構造をより詳細に示
す。ＦＥＤは、ガラス基板1０上に、導電層１１（カソ
ード電極）と電子放出源としてのＣＮＴ膜１２とをこの
順に有する。ＣＮＴ膜１２上方には、厚み２０μｍ程度
のゲート絶縁膜１３を介してゲート電極１６が形成され
ている。ゲート電極１６及びゲート絶縁膜１３には、所
定のエッチング工程で円柱状に貫通されたゲート開口１
７が形成されており、ゲート開口１７底面におけるＣＮ
Ｔ膜１２表面には、直立配向したＣＮＴ１２ａが存在
し、このＣＮＴ１２ａから電子が放出される。ここで、
「直立配向」とは、ＣＮＴ膜１２におけるＣＮＴ１２ａ
の先端部分がガラス基板1０における法線に対して５０
度以下の角度で配向された状態を示す。

【００５１】ここで、ＣＮＴ膜１２内に、ＣＮＴの生成
時に混入した大粒不純物１４がある場合には次のような
問題が生じる。この大粒不純物１４が数μｍを超える粒
径を有するような場合には、ＣＮＴ膜１２表面の凹凸形
状化を招く。この凹凸形状がゲート開口１７内に出現し
た場合には、ＣＮＴ膜１２表面の電位分布が歪むことに
なる。

【００５２】例えば、ゲート電極１６に３０Ｖ、導電層
１１を含むエミッタ（１２）に０Ｖ、ゲート電極１６上
に設けられたアノード電極（図１６参照）に１ＫＶの電
圧を夫々印加した場合、図４に示すように等電位面１８
が発生する。この際に、大粒不純物１４が表面に存在す
るＣＮＴ膜１２表面では、等電位面１８が大きく歪む。

【００５３】図４におけるゲート開口１７内の左端側で
は、大粒不純物１４が存在するため、その分だけゲート
絶縁膜１３が薄くなり、或いは、大粒不純物１４の突出
形状により電界が異常に集中する現象が発生し、ゲート
電極１６と導電層１１との間の絶縁耐性が低下すること
になる。また、大粒不純物１４の影響でゲート電極１６
が持ち上げられたような構造では、ゲート電極１６と直
立配向のＣＮＴ１２ａとの距離が必要以上に離れ、電子
放出が困難になり、電子軌跡１９が歪むという問題が生
じる。ＦＥＤでは、各電子放出構造から均一に電子放出
することが期待されるが、大粒不純物１４が存在する
と、均一性が失われることになる。

【００５４】次に、上記問題点を解消する、本実施形態
例に係るＣＮＴ膜のＣＮＴを生成するためのアーク放電
装置を説明する。図５は、このアーク放電装置を示す断
面図である。

【００５５】アーク放電装置２０は、水冷されるシール
ド板を成す真空チャンバ２１と、真空チャンバ２１の外
側を覆う箱体２２とを備えている。真空チャンバ２１
は、相互に対向する矩形状の天板２１ａ及び底板２１ｃ
と、上下端部が夫々天板２１ａ及び底板２１ｃの各辺に
接合される４つの側板２１ｂとで略立方体状に構成され
る。なお、真空チャンバ２１は、略立方体状に限らず、
略円筒形状に構成されても良い。

【００５６】真空チャンバ２１の側板２１ｂの一部を貫
通する孔２１ｄと、各孔２１ｄに対応する箱体２２の側
面に形成された孔２６とには、真空チャンバ２１の内方
に先端部を突出させた炭素棒２９ａ、２９ｂの各後端部
をクランプした放電電極３０ａ、３０ｂが嵌合される。
炭素棒２９ａ、２９ｂは、所定の触媒金属が含有されて
おり、各先端部が所定の距離をあけて対向した状態で保
持される。放電電極３０ａ、３０ｂと孔２７内周面との
間にはシーリング部材２７が嵌め込まれ、これにより箱
体２２内方が大気と遮断されている。放電電極３０ａ、
３０ｂは夫々リード線３１を介して、矩形波方式のアー
ク放電電源３２に接続されている。

【００５７】次に、アーク放電装置２０を用いたＣＮＴ
の生成法について具体的に説明する。図６は、この生成
法を示すフローチャートである。まず、ステップＳ１１
では、真空チャンバ２１内を排気して１×１０^-1Ｐａ以
下の圧力に保持した後、真空チャンバ２１内にヘリウム
（Ｈｅ）ガスを導入して６．７×１０⁵Ｐａの圧力に保
持する。更に、この圧力下で、アーク放電電源３２から
放電電極３０ａ及び３０ｂに矩形波を印加し、炭素棒２
９ａ、２９ｂの各先端部間でアーク放電を発生させる。
この際に、真空チャンバ２１内では、Ｈｅガスによる対
流が生じている。

【００５８】アーク放電によって炭素棒２９ａ、２９ｂ
の各先端が高温に加熱されると、炭素棒２９ａ、２９ｂ
自身の炭素と、炭素棒２９ａ、２９ｂに微量含有する金
属不純物（触媒金属）とが昇華して、Ｈｅガスによる対
流に乗り真空チャンバ２１内方で煙状に舞い上がる。つ
まり、アーク放電による昇華と昇華したガス分子とがＨ
ｅ分子に衝突して急冷されて結晶化することで、ＣＮ
Ｔ、種々の炭素系粒子、及び、炭素と後述の粒子状不純
物との化合物や混合物が生成される。また、金属不純物
の含有率は、炭素を１００％とする際の重量比で、ニッ
ケル（Ｎｉ）が５％、及びイットリウム（Ｙ）が５％で
ある。

【００５９】煙状のＣＮＴ等が真空チャンバ２１内面に
到達すると、天板２１ａ、側板２１ｂ及び底板２１ｃの
夫々に煤状に固着して堆積する。この際に、天板２１
ａ、側板２１ｂ及び底板２１ｃでは、堆積する結晶の種
類や形状が夫々に異なる。ステップＳ１２では、真空チ
ャンバ２１内における天板２１ａに堆積した生成粉末
（以下、天板堆積物と呼ぶ）と、側板２１ｂに堆積した
生成粉末（以下、側板堆積物と呼ぶ）とを回収する。こ
の際に、底板２１ｃに堆積する生成粉末（以下、底板堆
積物と呼ぶ）は、回収しても使用せずに廃棄する。

【００６０】例えば、アーク放電法で１０分間放電させ
ると、天板堆積物と側板堆積物とを合わせて１グラムの
堆積物を回収することができる。天板堆積物と側板堆積
物との重量比率は、およそ３０：７０であることが多
い。ステップＳ１３では、天板堆積物と側板堆積物とを
３０：７０等の重量比で混合させた混合粉末を作製す
る。この混合処理は、混合ミキサーを用いて乾式で混ぜ
合わせる。また、１５分間で１グラムの堆積物が得られ
るように炭素棒２９ａ、２９ｂ間の距離を調整すると、
天板堆積物と側板堆積物との重量比率が４０：６０にで
きる。

【００６１】次いで、ステップＳ１４では、混合粉末
１：エタノール２００の重量比で、混合液を生成する。
つまり、混合粉末１グラムに対してエタノール２００グ
ラムを用意し、このエタノール中に混合粉末を混ぜ込
む。この場合、粉末は溶解しないが、極めて微細な粒子
なのでエタノール中にほぼ均一に分散する。

【００６２】更に、ステップＳ１５では、ステップＳ１
３で作製した混合粉末を用いてＣＮＴ膜１２を形成す
る。ここで、アクリル等の有機バインダを混合させて膜
強度を高め、或いは、有機バインダによりガラス基板1
０との付着率を高めることができる。また、有機バイン
ダを全く使用しない場合でも、ＣＮＴと粒子状不純物と
の分子間力で基板に固着することが可能である。基板の
表面に凹凸をつけることで表面積を増やすことで有機バ
インダがある場合でもない場合でもその付着率を向上さ
せることができる。

【００６３】図７は、真空チャンバ内の天板、側板及び
底板の夫々に堆積する生成粉末の典型的な形状を示す図
であり、（ａ）は天板堆積物を、（ｂ）は側板堆積物
を、（ｃ）は底板堆積物を夫々示す。

【００６４】図７（ａ）に示すように、天板堆積物で
は、金属微粒子の周りを亀の子結合の炭素ネットワーク
が取り囲んだ形状を有する粒子状不純物１２ｃが観察さ
れる。この粒子状不純物１２ｃからは単層のＣＮＴ１２
ａが生えている。ＣＮＴ１２ａは、髪の毛のように細長
く、複数本が束ねられたバンドル状態にされることが多
く、また複数本生えている場合もある。天板堆積物中に
は、ＣＮＴ１２ａと離れた位置にある粒子状不純物１２
ｄと、ＣＮＴ１２ａに固着する粒子状不純物１２ｅも観
察される。ここで、天板堆積物にエタノールを添加し、
ガラスに液滴して電子顕微鏡で観察した。その場合のＣ
ＮＴ１２ａと粒子状不純物との存在割合は、面積比でお
よそ８０：２０であった。

【００６５】図７（ｂ）に示すように、側板堆積物は、
内容的には天板堆積物とほぼ同様であるが、側板堆積物
では、ＣＮＴ１２ａの存在割合が、天板堆積物に比して
少なく、面積比で全体の約０．５％であった。

【００６６】図７（ｃ）に示すように、底板堆積物は、
上記天板堆積物及び側板堆積物における堆積物の種類に
加えて、数μｍ以上の粒径を有する大粒不純物１４が観
察された。

【００６７】図８は、図６のステップＳ１５におけるＣ
ＮＴ膜形成工程で形成されたＣＮＴ膜の拡大形状を模式
的に示す図であり、（ａ）は天板堆積物を１００％使用
した場合、（ｂ）は天板堆積物３０％と側板堆積物７０
％とを混合させて使用した場合、（ｃ）は側板堆積物を
１００％使用した場合を夫々示す。

【００６８】ここで、天板堆積物と側板堆積物との混合
重量比率と、ＣＮＴ層の断面を電子顕微鏡で観察した際
の面積比とを測定したところ、以下の結果が得られた。
つまり、天板堆積物：側板堆積物の重量比が０：１００のと
き、ＣＮＴ：粒子状不純物の面積比は０．５：９９．
５、天板堆積物：側板堆積物の重量比が１０：９０のと
き、ＣＮＴ：粒子状不純物の面積比は１０：９０、天板堆積物：側板堆積物の重量比が３０：７０のと
き、ＣＮＴ：粒子状不純物の面積比は２５：７５、天板堆積物：側板堆積物の重量比が５０：５０のと
き、ＣＮＴ：粒子状不純物の面積比は４０：６０、天板堆積物：側板堆積物の重量比が１００：０のと
き、ＣＮＴ：粒子状不純物の面積比は８０：２０であっ
た。

【００６９】ところで、直径平均３０nmの粒子状不純物
での電子顕微鏡下観察でのＣＮＴと粒子状不純物の面積
比が４０：６０の場合、体積比は２：９８程度で有るこ
とがわかった。また、０．５：９９．５の場合、体積比
は１×１０^-7：１となる。ＣＮＴと粒子状不純物との体
積比ＶＲは、電子顕微鏡下（視野1.2×1.0μｍ²）で撮
影したＣＮＴと粒子状不純物との面積を夫々Ｓ（ＣＮ
Ｔ）nm²、Ｓ（ＮＰ）nm²とすると、ＣＮＴの平均直径Ｄ
ｎ nmとＳ（ＣＮＴ）とに比例し、Ｓ（ＮＰ）の１．５
乗に反比例することがわかった。つまり、ＶＲ＝係数×Ｄｎ×Ｓ（ＣＮＴ）/Ｓ（ＮＰ）^1.5（但
し、係数＝１．０２）である。従って、上式を用いて計算することによりＣＮ
Ｔの平均太さがわかると、体積比に換算することができ
る。

【００７０】本実施形態例に係るＣＮＴ膜は、断面及び
表面構造におけるＣＮＴと粒子状不純物との面積比を
０．５：９９．５〜４０：６０の範囲に設定することが
望ましい。この場合、ＣＮＴと粒子状不純物との面積比
を０．５：９９．５〜４０：６０の範囲に設定してＣＮ
Ｔ相互間の隙間を埋め込むことにより、有機バインダの
みに依存せずに機械的膜強度を確保することができると
共に、膜内に気泡を抱え込むことない平坦形状が簡便に
得られる。また、ナノチューブ以外の不純物を必要以上
に除去するような複雑なＣＮＴ精製工程を無くすことが
可能となり、バンドル径増大による電子放出特性の劣化
を軽減することができる。

【００７１】図８（ａ）に示すように、天板堆積物を１
００％使用した場合には、粒子状不純物に対してＣＮＴ
の割合が相対的に多いため、より多くのＣＮＴが導電層
１１から垂直方向に直立配向する（ＣＮＴ１２ａ）。ま
た、膜中には横倒しの配向状態になったＣＮＴ１２ｂ、
及びＣＮＴ同士が癒着し、バンドル径が増加したＣＮＴ
も観察される。ここで、「横倒し」とは、ガラス基板1
０（図１参照）に沿って倒れた状態を意味する。ＣＮＴ
を使用した電子放出源としてエミッタを構成する場合
に、直立配向の姿勢が最も電界集中し易く、電子放出源
として良好に機能するので、直立配向のＣＮＴ１２ａが
如何に多いかが重要である。ＡはＣＮＴ膜１２の平均膜
厚を示す。

【００７２】図８（ｂ）に示すように、天板堆積物３０
％と側板堆積物７０％とを混合させて使用した場合に
は、図８（ａ）と比較して、直立配向のＣＮＴ１２ａが
若干少ないが、癒着したＣＮＴはほとんど見られない。
また、ＣＮＴの周りには粒子状不純物１２ｅや１２ｄが
付着した形状を示す。

【００７３】図８（ｃ）に示すように、側板堆積物を１
００％使用した場合には、直立配向のＣＮＴ１２ａが極
めて少なく、逆に、粒子状不純物１２ｃ、１２ｄ、１２
ｅが増大している。

【００７４】本発明では従来の手法と比較して、複雑な
ＣＮＴの精製工程を行わないため、精製工程中もしくは
膜形成時のＣＮＴのバンドル化を抑制することができ
る。また、本発明では従来不要な構成物として排除して
いたＣＮＴ製造過程で混入する粒子状不純物の混入量を
積極的に制御することで隣接ＣＮＴ間の接触を少なく
し、バンドル化を抑制することができる。すなわち、バ
ンドル径増大によるエミッション特性の劣化を軽減する
ことができる。

【００７５】具体的には、図８（ａ）に示すように、Ｃ
ＮＴを取り巻く粒子状不純物１２ｅと１２ｄとがＣＮＴ
に対して相対的に少ないため、ＣＮＴ同士が付着しやす
く、バンドル径が増大しやすい。しかし、図８（ｂ）で
は、ＣＮＴを取り巻く粒子状不純物が適度に存在するた
め、隣接するＣＮＴは粒子状不純物が障害になり、接触
しにくい。従って、バンドル径の増大は抑制される。

【００７６】更に、ＣＮＴと粒子状不純物との混合比を
所望の値に制御することで、ＣＮＴ膜表面に存在するＣ
ＮＴ先端部の間隔（密度）を制御することができる。従
来、エミッタ形成前に用いられる精製工程では、ナノチ
ューブ以外の不純物を排除していた。これは、ナノチュ
ーブの高純度化を実現する上で効果的であるが、ナノチ
ューブ膜表面の単位面積に占めるナノチューブの割合が
増大し、隣接するナノチューブ先端部の間隔が密にな
る。精製工程を経てＣＮＴ膜表面に突出する隣接ＣＮＴ
の間隔は、およそ１μｍ以下になる。一方、ＣＮＴ中に
粒子状不純物を配合した場合、すなわち、図８（ａ）で
はその間隔は２μｍ、図８（ｂ）は４μｍ、図８（ｃ）
では２０μｍとなる。

【００７７】図９は、本発明に係る製造方法で得られた
ＣＮＴ膜をエミッタに用いた際の電子放出特性を蛍光ス
クリーン３３で測定する際の状態を示す図である。この
測定時、膜厚Ｌ１のＣＮＴ膜１２の下部に位置する導電
層１１（カソード電極）と、対向する蛍光スクリーン３
３との間の距離Ｌ２を１ｍｍに設定し、真空中で、電源
３７から導電層１１に負の電圧を、蛍光スクリーン３３
に正の電圧を夫々印加した。この際に、直立配向のＣＮ
Ｔ１２ａから電子が軌跡３５のように放出された。蛍光
スクリーン３３と導電層１１との間に流れる電流を電流
計３６で測定した。

【００７８】図１０は、図９の測定で求めた電界と電流
密度との相関関係を示すグラフ図である。グラフの結果
は、蛍光スクリーン３３と導電層１１との間の距離Ｌ２
と、電界印加電圧とから求めた。電流密度は、ＣＮＴ膜
１２の面積をエミッタ面積として、電流計３６で得られ
た電流をこの面積で割ることによって求めた。

【００７９】図１０では、天板堆積物と側板堆積物との
混合重量比率を３０：７０にしたＣＮＴ膜１２、つま
り、天板比率３０％のＣＮＴ膜１２を用いた結果をグラ
フＡ、天板堆積物を含まない側板堆積物１００％のＣＮ
Ｔ膜１２を用いた結果をグラフＢ、天板堆積物１００％
を用いて形成したＣＮＴ膜１２を用いた結果をグラフＣ
で夫々示した。測定の結果、グラフＡが、最も低い電界
で電子を放出し、また、同じ電界では最も高い電流密度
の電子を放出した。グラフＡ〜Ｃの各ＣＮＴ膜１２に関
して２ｍA/cm²の電流密度が得られる電界は、夫々、
１．５V/μm、２V/μm、及び、２．７V/μmであった。

【００８０】図１１は、天板堆積物比率を１０％刻みで
測定した際の混合比率依存性を示すグラフである。グラ
フでは、天板堆積物比率３０％のときが最も低い１．５
ｍA/cm²の電子放出が得られ、天板堆積物比率１００％
のときが最も高い２．７V/μmの電子放出電界が得られ
ることが分かる。例えば、２ｍA/cm²の電流密度とは、
蛍光スクリーン３３にＰ２２蛍光体（つまり、ＺｎＳ：
Ｃｕ，Ａｌ）を用いて５ｋＶの高圧を印加した場合に７
００cd/m²の輝度が得られる値である。これは、ＦＥＤ
で７００cd/m²という十分に明るい画面を得るのに、ド
ライブ電界が僅か１．５V/μmで十分あることを意味す
る。

【００８１】図１１で、天板堆積物１００％のＣＮＴ膜
１２を用いた場合に電子放出電界が上がった上記結果
は、図８（ａ）に示すように、ＣＮＴを取り巻く粒子状
不純物１２ｅと１２ｄがＣＮＴに対して相対的に少ない
ため、ＣＮＴ同士が付着しやすく、バンドル径が増加し
やすいことと、ＣＮＴ膜表面から突出したＣＮＴ間の距
離が短いことによる。粒子状不純物は隣接ＣＮＴ間の付
着によるバンドル径の増大を抑制する役割を果たすが、
この場合にはその作用が小さいために、局所的にＣＮＴ
同士もしくはＣＮＴバンドル同士が癒着し、結果的にバ
ンドル径を増大させる。電子放出電界は電界集中度が高
いほど、すなわちバンドル径が小さいほど低くなるが、
ここでのＣＮＴと粒子状不純物の配合比ではバンドル径
を増大する方向に作用するため、電子放出電界は高くな
る。

【００８２】また、天板堆積物の混合割合を高め、或い
は、製造後のＣＮＴを精製することによってＣＮＴの純
度を高めた場合には、ＣＮＴ膜表面に存在するＣＮＴの
密度は増加する。よって、ＣＮＴ膜表面から突出したＣ
ＮＴ間の距離が短くなる。例えば、図８（ａ）に示すＣ
ＮＴ膜表面に突出した隣接ＣＮＴの間隔は、先述したよ
うにおよそ２μｍ程度で、精製したＣＮＴ膜ではそれ以
下になる。

【００８３】このように、隣接ＣＮＴ間の距離が短くな
ると、ＣＮＴ先端もしくはバンドル先端に電界集中が起
こりにくくなる。ＣＮＴは金属もしくは半導体的な伝導
を示す物質なので、外部電界はＣＮＴ中に浸透せずにそ
の表面を這うような電界分布をとる。例えば、基板上に
１本のＣＮＴが孤立して直立配向している場合には、電
界が基板表面から鋭利なＣＮＴ先端部を覆うように分布
するため、ＣＮＴ先端部の電界集中は大きくなる。しか
しながら、複数本のＣＮＴが密に配列している場合に
は、個々のＣＮＴで電界が遮蔽されるため、ＣＮＴ先端
部での電界集中は孤立した１本のＣＮＴの場合よりも小
さくなる。このような電界集中の抑制効果は、隣接ＣＮ
Ｔ間の距離が小さくなるほど大きくなる。

【００８４】本発明者らは、上記のような電界集中の抑
制効果を更に詳細に調べるために、電界放出電界の隣接
ＣＮＴ間距離依存性を計算した。具体的には、一定面積
内にＣＮＴの数を増加（隣接ＣＮＴ間の距離を小さく）
させ、そのときのＣＮＴ先端近傍の電界分布及び電界集
中度を計算し、電界放出電界を算出した。なお、配列し
たＣＮＴの高さは１μｍ、ＣＮＴ（バンドル）の径を２
０ｎｍとした。その結果、電界放出電界は隣接ＣＮＴ間
の距離を無限大から２．４μｍまで小さくする間では、
低下する傾向を示した。これは電子放出点（ＣＮＴ）が
単純に増加したためである。しかし、隣接ＣＮＴ間の距
離が２．４μｍ以下になると、逆に個々のＣＮＴの電界
集中度が減少し、電界放出電界が増加する傾向を示し
た。この結果は、過度にＣＮＴを密に配列しても逆に特
性を劣化させることを意味する。

【００８５】一方、図１１において天板堆積物３０％以
下で電子放出電界が上昇する要因は、計算結果からも示
唆されるように、電子放出に寄与するＣＮＴが実質的に
少なくなるためである。

【００８６】以上のように、ＣＮＴの密度を増加させて
も電界集中の抑制効果を受けず、且つ、ＣＮＴが癒着し
ないための条件は、天板堆積物比率が５０％以下であっ
た。５０％のときのＣＮＴ間の距離は約２．５μｍであ
り、上記の電界集中の抑制効果が働く際のしきい値に相
当する配合比である。

【００８７】ただし、天板堆積物比率が小さくなりすぎ
ると、電界放出電界が大きくなると同時に、電流安定性
及び均一性が劣化する。これは、ＣＮＴの数が実質的に
減少することにより、単位面積当たりの電子放出点が減
少し、個々のＣＮＴからの放出電流の揺らぎが統計的に
平均化されないためである。放出電流が、肉眼によって
充分に安定であると認識できるのは天板堆積物比率が１
０％以上のときであった。

【００８８】従って、電子放出の観点からは、天板堆積
物比率は１０％以上が望ましく、１０％以上且つ５０％
以下がより望ましい。また、ＣＮＴ及び粒子状不純物の
総面積に占めるＣＮＴ面積比で言いかえると、ＣＮＴ含
有率はおよそ１０％以上が望ましく、１０％以上且つ４
０％以下がより望ましい。

【００８９】図１２に示すように、ガラス基板1０上に
堆積したＣＮＴ膜１２を、厚みＦが０．５μｍの形状に
スライスして、同図の手前側から奥側に向かって目視観
察した場合に、どの程度の隙間が見られるかによりＣＮ
Ｔ膜１２の充填率を測定した。隙間が見えない場合は充
填率１００％、全て隙間の場合は充填率０％とする。

【００９０】図１３は、天板堆積物の比率と充填率との
関係を示すグラフ図である。ＣＮＴ膜の充填率の評価に
際して、実際には充填率０％は有り得ない。グラフから
分かるように、側板堆積物のみを用いてＣＮＴ膜１２を
作成した場合（天板堆積物比率０％）には、充填率９５
％という極めて高い結果が得られる。これは、球形に近
い粒子状不純物が、分散するＣＮＴの隙間に侵入するこ
とにより充填率が上がったことを意味する。逆に、天板
堆積物の重量比率を高めると、ＣＮＴの存在割合が増大
し、ＣＮＴが相互に絡まって隙間が増大することにな
る。つまり、充填率が高ければ、ＣＮＴ膜１２としては
凹凸が少なく良好なものとなるので、ＣＮＴ膜１２上
に、ゲート絶縁膜１３及びゲート電極１６（又はグリッ
ド電極）を配設する際に好適である。逆に充填率が低い
場合には、絶縁膜１３中に気泡が発生する原因にも繋が
る。充填率が高いＣＮＴ膜１２が良好であるという観点
では、側板堆積物の比率が高いほど良い。

【００９１】具体的には、天板堆積物の混合比率が３０
％の場合に充填率は８０％であったが、これが実用上最
も好ましい値である。また、充填率が７０％よりも小さ
い場合、つまり、天板堆積物比率が５０％よりも大きい
場合には、ＣＮＴ膜上層に絶縁層を形成する際に気泡が
発生し易く、膜形成後に凹凸が発生し、或いは、異常電
子放出の発生のおそれがある。従って、ＣＮＴ膜上に構
造を形成し、電界放出型冷陰極を形成する際には、粒子
状不純物の充填率が７０％以上、すなわち天板堆積物比
率５０％以下に制御することが望ましい。この場合、安
定でかつ、絶縁特性に優れた絶縁層をＣＮＴ膜上に形成
可能であるという効果が得られる。先に述べた電界放出
に最適な条件（天板堆積物含有比率１０％以上且つ５０
％以下）を考慮すると、良好な電子放出特性を保持し、
かつ電界放出型冷陰極を形成可能な条件は天板堆積物比
率が１０％以上５０％以下であることがわかる。

【００９２】次に、図２及び図４を参照して、本実施形
態例の具体例について説明する。この具体例では、ＣＮ
Ｔ−ＦＥＤを形成する。つまり、本発明のＣＮＴ膜を用
いると、ＣＮＴ膜１２表面の凹凸が抑制されているこ
と、及び、ＣＮＴ間の隙間が少ないことにより、ゲート
絶縁膜１３に気泡が入りにくいという効果が得られる。

【００９３】本具体例では、図２に示すように、ゲート
絶縁膜１３を厚み５μｍに設定してＣＮＴ−ＦＥＤを形
成した。ゲート絶縁膜１３を５μｍという薄さにするた
めに、天板堆積物の混合比率を５０％以下にした。これ
は先に示したように充填率が７０％以上になる条件であ
る。

【００９４】一方、混合比を５０％以上にすると、表面
の凹凸と膜中の隙間が増加し、５μｍのゲート絶縁層で
は充分な絶縁耐性を確保することができない。この場
合、充分な絶縁耐圧を有する絶縁層を形成するには少な
くとも１５μｍ以上の膜厚が必要である。これに対し、
混合比を５０％以下にすれば、粒子状不純物が膜中の隙
間を塞ぎ、気泡が発生し難く、均一で薄い良好な絶縁層
を形成することが可能となる。

【００９５】ゲート絶縁膜１３の薄膜化は、ゲート電極
１６とエミッタ１２ｂとの間の印加電圧（ドライブ電
圧）を低電圧化させる。例えば、ゲート絶縁膜１３の厚
みを２０μｍから５μｍへと２５％低減すると、印加電
圧は２５％減の電圧で良いことになる。従って、絶縁層
の薄膜化が可能な上記条件（天板堆積物の混合比率５０
％以下）は低電圧動作においても有効である。

【００９６】５μｍの膜厚のゲート絶縁膜を用い、且つ
混合比３０：７０のＣＮＴ膜を採用したＦＥＤでは、図
１１からも明らかなように、１．５V/μm×５μｍ＝７．５Ｖの印加電圧が必要であるのに対し、０：１００の混合比
率を採用したＦＥＤでは、２．０V/μm×５μｍ＝１０Ｖの印加電圧が必要である。更に、図１１には図示してい
ないが、精製したＣＮＴを用いた場合（図１１の比率１
００％よりも右側）には電子放出電界が２．８Ｖ/μｍ
であり、そのときの印加電圧は、２．８V/μm×５μｍ＝１４Ｖとなる。従って、絶縁層膜厚が５μｍの場合、電子放出
電界が２Ｖ／μｍ以下では１０Ｖ以下の低印加電圧で素
子を駆動させることが可能となる。

【００９７】しかし、精製後のＣＮＴのように、電子放
出電界が２Ｖ／μｍよりも大きくなると、１０Ｖよりも
大きい印加電圧となり、低価格液晶用駆動ドライバが使
用できなくなり、新たな駆動ドライバを開発する必要が
生じる。これにより、ドライバ価格が高くなり、ドライ
バを含むディスプレイのモジュールとしての価格が高く
なる。従って、電子放出電界は２Ｖ/μｍ以下が望まし
い。また、５μｍよりも薄いゲート絶縁膜を用いること
で２Ｖ/μｍ以上の電界放出電界でも１０Ｖ以下の駆動
が可能になるが、この場合、長時間駆動する間に絶縁膜
中の絶縁劣化が生じやすいため、膜厚は５μｍ以上が望
ましい。

【００９８】以上の結果から、ＦＥＤとして最適なＣＮ
Ｔ膜の組成は、０％以上且つ５０％以下の範囲内の天板
堆積物比率が望ましい。また、ＣＮＴ同士の癒着等の問
題を考慮するときは１０％以上且つ５０％以下の範囲内
の天板堆積物比率が望ましい。これらの条件をＣＮＴ及
び粒子状不純物の総面積に占めるＣＮＴ面積比で言いか
えると、ＣＮＴ含有率は０．５％以上且つ４０％以下が
望ましく、１０％以上且つ４０％以下がより望ましい。

【００９９】次に、本発明に係る第２実施形態例につい
て説明する。図１４は、本実施形態例における成膜工程
を示す断面図である。本実施形態例では、ＣＮＴ膜１２
を厚み方向で、第１層１２Ａ、第２層１２Ｂ、及び第３
層１２Ｃの３段階に分割している。

【０１００】ＣＮＴ膜１２は、ＣＮＴ１２ａと粒子状不
純物とを含有しており、その機械的強度の増大や、ガラ
ス基板1０との接着特性を向上させるために、アクリル
やニトロセルロース、ポリイミド樹脂等の有機バインダ
材を含浸させることができる。ここで、有機バインダを
用いた理由は低温プロセス（３００度以下）で焼成可能
であることと、後述するようにＣＮＴ膜のパターニング
が容易になるためである。この点に鑑み、本実施形態例
では、ＣＮＴ膜１２の３つの部分毎にその組成比を調整
している。

【０１０１】電子放出面を構成する第１層１２Ａには、
直立配向のＣＮＴ１２ａが増大する比率を採用した。第
２層１２Ｂでは、粒子状不純物が多くＣＮＴ膜１２の充
填率が高くなる組成比を採用した。第３層１２Ｃでは、
アクリルが多くガラス基板1０への接着特性がより優
れ、ＣＮＴ膜１２の充填率がより向上する組成比を採用
した。

【０１０２】具体的には、ＣＮＴ：粒子状不純物：アク
リルの組成比を、第１層１２Ａでは、２０：８０：０の
比率に、第２層１２Ｂでは５：８０：１５の比率に、第
３層１２Ｃでは１：２９：７０の比率に夫々設定するこ
とができる。

【０１０３】また、ＣＮＴ膜１２をスプレーで塗布しつ
つ作製する際には、塗布溶液を３種類用意して、第３層
１２Ｃに相当する初期塗布では、１：２９：７０の第３
の比率パターンの材料を０．２μｍ厚に塗布し、その乾
燥後に、５：８０：１５の第２の比率パターンの材料を
１μｍの膜厚で塗布し、これを乾燥させずにそのまま、
２０：８０：０の第１の比率パターンの材料を０．５μ
ｍの厚みに塗布する。

【０１０４】なお、上層ほどバインダの混入量を減少さ
せているのは、バインダの表面張力による膜表面の直立
配向ＣＮＴの横倒、及びＣＮＴ表面へのバインダ成分の
付着による仕事関数の増加を軽減するためである。この
ように、上層ほどＣＮＴの含有量が高く、下層ほどＣＮ
Ｔ以外の材料の含有量を高く設計することで電子放出特
性を劣化させることなく、固着力の強いＣＮＴ膜を形成
することができる。

【０１０５】また、上記組成比の各材料を良好にスプレ
ー塗布するためにエタノールを添加しているが、エタノ
ールは塗布直後に蒸発するので、組成比としては考慮し
ない。本実施形態例では、アクリル成分も膜の構成物と
してそのまま残存させてＦＥＤパネルを形成する。

【０１０６】次に、本発明に係る第３実施形態例につい
て説明する。図１５は、ＣＮＴ膜をパターニングする状
態を示す断面図である。本実施形態例では、ＣＮＴ膜１
２における残存させるべき部分の表面をマスク材３５で
被覆し、除去すべき部分３６をアセトン等で溶解させる
ことで除去する。その場合に、ＣＮＴ及び粒子状不純物
はアセトンで溶解しないが、アクリルは溶解する。

【０１０７】したがって、上記の方法を用いることによ
り、ＣＮＴ膜のパターニングを行うことができる。この
場合、パターニングで除去する隙間距離よりも含有ＣＮ
Ｔの長さを短くしておくことにより、残存したＣＮＴが
架橋となって分離できないという不具合を招くことなく
パターニングすることができる。

【０１０８】ＣＮＴが隙間距離よりも長い場合には、Ｃ
ＮＴが架橋とならないようにその隙間部分を機械的に擦
ることで、一時的に架橋状態になっているＣＮＴを除去
できる。この場合には、ＣＮＴを支えているバインダが
アセトンで溶解して強度が落ちているので、簡単に架橋
ＣＮＴが除去される。架橋ＣＮＴを除去する方法として
は、パターニング後に隣接パターン間に通電して架橋Ｃ
ＮＴの根元を溶断させる方法もある。

【０１０９】架橋ＣＮＴが無ければ、隣接パターン間が
絶縁である場面では、隣接パターン間に電圧印加したこ
とによる電流が架橋ＣＮＴを通じて流れることになる。
細いＣＮＴ部分に電流が流れることで、架橋ＣＮＴとＣ
ＮＴ膜との境界部分である根元が発熱して溶断できるこ
とを発見した。このように、本来絶縁された隣接配線間
に架橋ＣＮＴが残存する場合には、通電除去という方法
を適用することができる。

【０１１０】図１４で説明したＣＮＴ：粒子状不純物：
アクリルの組成比に設定すれば、第２層１２Ｂ、及び第
３層１２Ｃに夫々、７０％及び１５％ずつ含浸されたア
クリルが溶解することになる。つまり、アセトンにより
ＣＮＴ膜１２の下面部分から全体をエッチング除去する
ことができる。このように上記組成比に設定すれば、パ
ターニングに適した比率で調合されるので、パターニン
グを上記ウエットエッチングではなく、プラズマ法（酸
素プラズマ処理）やミリング法等を用いたドライエッチ
ングによっても、ＣＮＴ膜のパターニングが可能とな
る。

【０１１１】例えば、プラズマ法を用いると、図１５の
場合と同様に、残存部分をマスク材で覆ってプラズマ中
に晒すことで上記アクリルを焼失させて、パターニング
することができる。ＣＮＴ１２ａ及び粒子状不純物は、
酸素プラズマ中でアクリル等の有機バインダと一緒に焼
失するので、除去後の成分がガラス基板1０に再付着す
ることがない。

【０１１２】この際には、バインダ材（別のバインダ
材）のエッチングレートが少なくともＣＮＴのそれより
も大きい（速い）ことが望ましい。例えば、ＳＯＧや水
ガラス等の無機材料を主成分とするバインダを用いた場
合、それらは酸素プラズマに対してはほとんどエッチン
グされないため、パターニングを行うことが困難にな
る。また、バインダ材のエッチングレートがＣＮＴのそ
れよりも小さい場合には、ＣＮＴのみのエッチングが優
先的に進行するため、マスク材３５の下のＣＮＴ１２Ａ
及びその下層のＣＮＴがエッチング領域３６を形成する
前に、酸素プラズマによって焼失してしまう。したがっ
て、パターニングされたＣＮＴ膜上に電界を印加しても
充分な放出電流を得ることができない。

【０１１３】しかし、バインダ材のエッチングレートが
少なくともＣＮＴのそれよりも大きい（速い）場合に
は、バインダが優先的にエッチングされるために、エッ
チング領域３６を形成する時間はＣＮＴのエッチングレ
ートのみに依存する。したがって、エッチング時間を最
小限に抑えることができ、マスク材３５下のＣＮＴ層の
エッチングを軽減することができる。また、ミリング法
においてもバインダに有機系のバインダを用いること
で、バインダ材のエッチングレートがＣＮＴのそれより
も大きくなり、上記の効果が得られる。これらの作用効
果は、ＣＮＴのエッチングレートよりも大きい材料であ
る粒子状不純物をバインダ材として用いた場合にも、同
様に得ることができる。

【０１１４】以上のように、本実施形態例に係る製造方
法は、粒子状不純物から成るバインダ材及び／又は別の
バインダ材をＣＮＴ１２ａのエッチングレートよりも大
きい材料で構成してＣＮＴ膜１２をパターニングする。
つまり、本製造方法では、少なくともＣＮＴ１２ａのエ
ッチングレートよりも大きなエッチングレートを有する
バインダ材を用い、プラズマ法又はミリング法で用いる
エッチングガスに対して、バインダ材及び／又は別のバ
インダ材をＣＮＴ１２ａと同時もしくはＣＮＴ１２ａよ
りも早く消失させることができるので、ＣＮＴ膜１２の
除去工程が極めて簡便になり、電子放出特性を劣化させ
ることなくＣＮＴ膜１２のパターニングを行うことがで
きる。更に、所望の領域のＣＮＴ１２ａを残存させ該領
域以外のＣＮＴ膜１２を除去する際に、残存させる領域
における粒子状不純物（バインダ材）及び／又はアクリ
ル等のバインダ材（別のバインダ材）をも残存させるこ
とにより、ガラス基板１０に対してＣＮＴ膜１２をプロ
セス後も堅固に固着させることができる。

【０１１５】ところで、ＣＮＴ膜１２中には、ＣＮＴ生
成時に炭素棒に含有させたニッケル等の金属性不純物が
存在する。この金属性不純物は、酸化され絶縁物として
上記除去部分３６に残存するので、電気的には絶縁とな
り、機能上問題がない。この金属性不純物を除去する際
には、酸性溶液を用いてウエットエッチングすればよ
い。その場合に、金属製不純物を取り囲んでいた炭素が
既に焼失しているので、容易にエッチングすることがで
きる。

【０１１６】また、粒子状不純物は後から添加すること
もできる。例えば、ＣＮＴを製造した後に粒子状不純物
を除去して精製したＣＮＴに、５００ｎｍ以下の炭素か
ら成る不純物や、金属微粒子、無機微粒子、有機微粒子
を添加することによっても、上記各実施形態例における
粒子状不純物を含んだＣＮＴ膜１２と同様の機能を備え
たＣＮＴ膜を形成することができる。この場合、ＣＮＴ
製造時に同時に生成される粒子状不純物よりも粒径の揃
った微粒子を混入させることができ、また、配合比の制
御性も良好になる。なお、精製したＣＮＴは癒着等の影
響で電子放出の観点からは不向きであるが、微粒子を添
加し、充分に分散させることで、ＣＮＴの癒着等の問題
を回避することができる。

【０１１７】以上のように、上記各実施形態例による
と、ＣＮＴ膜１２がＣＮＴ１２ａと共に粒子状不純物１
２ｃ〜１２ｅを含有することにより、バインダ成分に依
存することなくＣＮＴ膜１２を緻密に形成することがで
きる。ＣＮＴ膜１２が緻密になることにより、ＣＮＴ膜
１２上への成膜過程においてゲート絶縁膜１３内方に気
泡が侵入するような現象を回避できる。このように形成
したＣＮＴ膜１２をＦＥＤに用いた場合、ＦＥＤを真空
中で動作させることになるが、その際にＣＮＴ膜１２に
隙間があると、その隙間に侵入していた空気を排気する
ことに多大な時間を要することになる。しかし、本発明
によるＣＮＴ膜１２では、緻密で隙間が極めて少ないの
で、短時間で真空状態にすることができる。

【０１１８】また、ＣＮＴ膜１２が粒子状不純物で緻密
に充填されることにより、有機バインダに依存せずに、
十分な膜強度を確保することができる。更に、有機バイ
ンダ成分を減少できるので、有機バインダからの放出ガ
スで真空度が損なわれるおそれがない。また、ＣＮＴ膜
１２に含浸するバインダ成分（アクリル等）を焼失させ
ることなく膜成分として残存させるので、バインダ成分
が焼失する際の体積減少により膜表面が凹凸化し、或い
は、隙間が発生するという問題を回避できる。これによ
り、平坦な表面を有するＣＮＴ膜１２が容易に形成でき
る。

【０１１９】以上、本発明をその好適な実施形態例に基
づいて説明したが、本発明のＣＮＴ膜及びその製造方法
並びにＣＮＴ膜を用いた電界放出型冷陰極及び画像表示
装置は、上記実施形態例の構成にのみ限定されるもので
はなく、上記実施形態例の構成から種々の修正及び変更
を施したＣＮＴ膜及びその製造方法並びにＣＮＴ膜を用
いた電界放出型冷陰極及び画像表示装置も、本発明の範
囲に含まれる。

【０１２０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
有機バインダのみに依存せずに機械的膜強度が確保で
き、平坦形状が簡便に得られ膜内に気泡を抱え込むこと
がなく、また、ナノチューブ以外の不純物を必要以上に
除去するような複雑なＣＮＴ精製工程を無くすことを可
能とし、バンドル径増大による電子放出特性の劣化を軽
減できるＣＮＴ膜を得ることができる。また、良好な電
子放出特性を有するＣＮＴ膜の製造方法を得ることがで
きる。更に、このようなＣＮＴ膜を用いた良好な電子放
出特性を有する電界放出型冷陰極、及び、該電界放出型
冷陰極を用いた電界放出型画像表示装置を得ることがで
きる。また、ＣＮＴ膜の充填材として前記粒子状不純物
を含ませることで有機バインダ成分を減少させ、これに
より、ＣＮＴ膜から電界電子放出をさせた際に生じるＣ
ＮＴ膜の温度上昇やイオン照射に対してＣＮＴ膜からの
ガス放出が抑制できる効果を得ることができる。電界電
子放出型画像表示装置においては、真空容器内残留ガス
や蛍光体がイオン化及び加速されてＣＮＴ膜表面に照射
される。この場合には、特にＣＮＴ膜表面がイオン照射
で分解しにくいＣＮＴを多く含むことでガス放出の問題
が軽減される。多層構造で上層よりも下層で有機バイン
ダの含有率が高い場合には、有機バインダよりも耐イオ
ン性が高い粒子状不純物が表面付近を充填していること
で耐イオン性の高い表面層が有機バインダを多く含む下
層の表面を保護する効果も得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態例に係る製造方法で製造
されたＣＮＴ膜をエミッタに適用したＦＥＤ等の平面画
像表示装置を示す斜視図である。

【図２】第１実施形態例におけるＦＥＤの製造プロセス
を示す一部断面した斜視図であり、（ａ）〜（ｄ）は各
工程を段階的に示す。

【図３】図２の各工程に対応する工程を示すフローチャ
ートである。

【図４】ＦＥＤの断面構造をより詳細に示す図である。

【図５】アーク放電装置を示す断面図である。

【図６】アーク放電による生成法を示すフローチャート
である。

【図７】真空チャンバ内に堆積する生成粉末の典型的な
形状を示す図であり、（ａ）は天板堆積物を、（ｂ）は
側板堆積物を、（ｃ）は底板堆積物を夫々示す。

【図８】図６のＣＮＴ膜形成工程で形成されたＣＮＴ膜
の拡大形状を示す図であり、（ａ）は天板堆積物を１０
０％使用した場合、（ｂ）は天板堆積物３０％と側板堆
積物７０％とを混合させて使用した場合、（ｃ）は側板
堆積物を１００％使用した場合を夫々示す。

【図９】本発明によるＣＮＴ膜をエミッタに用いた際の
電子放出特性を蛍光スクリーンで測定する際の状態を示
す図である。

【図１０】図９の測定で求めた電界と電流密度との相関
関係を示すグラフ図である。

【図１１】天板堆積物比率を測定した際の混合比率依存
性を示すグラフである。

【図１２】ガラス基板上に堆積したＣＮＴ膜をスライス
した状態を示す斜視図である。

【図１３】天板堆積物の比率と充填率との関係を示すグ
ラフ図である。

【図１４】本発明の第２実施形態例における成膜工程を
示す断面図である。

【図１５】本発明の第３実施形態例に係るＣＮＴ膜をパ
ターニングする状態を示す断面図である。

【図１６】従来の３極管構造の一例を模式的に示す図で
ある。

【符号の説明】

１０：ガラス基板１１：導電層１２：ＣＮＴ膜１２ａ：ＣＮＴ１２ｃ〜１２ｅ：粒子状不純物１２Ａ：第１層１２Ｂ：第２層１２Ｃ：第３層１３：ゲート絶縁膜１４：大粒不純物１５：カソードライン１６：ゲート電極１７：ゲート開口２０：アーク放電装置２１：真空チャンバ２１ａ：天板２１ｂ：側板２１ｃ：底板２２：箱体２９ａ、２９ｂ：炭素棒３０ａ、３０ｂ：放電電極３３：蛍光スクリーン

フロントページの続き (72)発明者岡本明彦東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内 (72)発明者富張美徳東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内 (72)発明者岡田裕子東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内Ｆターム(参考） 4G046 CA00 CB03 CC10 5C031 DD17 5C036 EE01 EF01 EF06 EF08 EG02 EG12 EH21

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）及び粒
子状不純物を含むＣＮＴ膜であって、断面及び表面構造
におけるＣＮＴと粒子状不純物との面積比が０．５：９
９．５〜４０：６０の範囲に設定されていることを特徴
とするＣＮＴ膜。
【請求項２】前記粒子状不純物が、前記ＣＮＴを製造
する際に該ＣＮＴと共に得られる不純物から成ることを
特徴とする請求項１に記載のＣＮＴ膜。
【請求項３】前記粒子状不純物が、ＣＮＴ相互間の隙
間を埋め込むバインダ材として機能し、該バインダ材と
は別のバインダ材が更に添加されることを特徴とする請
求項１又は２に記載のＣＮＴ膜。
【請求項４】前記別のバインダ材が有機物から成るこ
とを特徴とする請求項３に記載のＣＮＴ膜。
【請求項５】前記有機物が、アクリル、ニトロセルロ
ース、及びポリイミド樹脂の内の少なくとも１つを含む
材料で構成されることを特徴とする請求項４に記載のＣ
ＮＴ膜。
【請求項６】ＣＮＴと前記粒子状不純物とが前記ＣＮ
Ｔ膜中に占める充填率が７０％以上であることを特徴と
する、請求項１〜５に記載のＣＮＴ膜。
【請求項７】前記ＣＮＴ膜が、順次に積層された２層
以上の積層膜で構成され、該積層膜の各層におけるＣＮ
Ｔ、粒子状不純物及び別のバインダ材の含有比率が夫々
別個に設定されていることを特徴とする請求項３〜６の
内の何れか１項に記載のＣＮＴ膜。
【請求項８】前記ＣＮＴ、粒子状不純物及び別のバイ
ンダ材の内で、上層ほどＣＮＴの含有比率が高く、下層
ほど前記粒子状不純物及び別のバインダ材の含有比率が
高いことを特徴とする請求項７に記載のＣＮＴ膜の製造
方法。
【請求項９】最上層におけるＣＮＴの含有比率が８０
〜９０％、最上層以下の層におけるＣＮＴ以外の含有比
率が７０〜８０％、最下層における前記別のバインダ材
の含有比率が６０〜７０％であることを特徴とする請求
項８に記載のＣＮＴ膜。
【請求項１０】請求項１〜９の内の何れか１項に記載
のＣＮＴ膜を用いたことを特徴とする電界放射型冷陰
極。
【請求項１１】請求項１〜１０の内の何れか１項に記
載のＣＮＴ膜を製造する製造方法であって、前記粒子状不純物から成るバインダ材及び／又は前記別
のバインダ材をＣＮＴのエッチングレートよりも速い材
料で構成して、前記ＣＮＴ膜をパターニングすることを
特徴とするＣＮＴ膜の製造方法。
【請求項１２】前記ＣＮＴ膜のパターニング工程にお
いて残存させたＣＮＴ膜領域では、ＣＮＴと共に前記バ
インダ材及び／又は別のバインダ材も残存させることを
特徴とする請求項１１に記載のＣＮＴ膜の製造方法。
【請求項１３】相互に同じ工程で同時に得られたＣＮ
Ｔ及び粒子状不純物を用いることを特徴とする請求項１
１又は１２に記載のＣＮＴ膜の製造方法。
【請求項１４】相互に異なる工程で得られたＣＮＴ及
び粒子状不純物を用いることを特徴とする請求項１１又
は１２に記載のＣＮＴ膜の製造方法。
【請求項１５】チャンバ内で相互に対向する一対の炭
素棒を用いてアーク放電を行い、前記チャンバ内の天
板、側板及び底板の夫々にＣＮＴ及び粒子状不純物を堆
積させ、該堆積物を用いてＣＮＴ膜を製造する製造方法
であって、前記チャンバ内の天板及び側板に夫々堆積した天板堆積
物及び側板堆積物を回収し、回収した前記天板堆積物及
び側板堆積物の双方を所定の重量比率で混合して混合材
料を生成し、該混合材料における前記粒子状不純物を該
混合材料中のＣＮＴ相互間の隙間を埋める材料として用
いたことを特徴とするＣＮＴ膜の製造方法。
【請求項１６】前記側板堆積物と前記天板堆積物とを
用いて、断面及び表面構造におけるＣＮＴと粒子状不純
物との面積比が０．５：９９．５〜４０：６０の範囲を
満たすようにＣＮＴと粒子状不純物との含有量を調整す
ることを特徴とする請求項１５に記載のＣＮＴ膜の製造
方法。
【請求項１７】請求項１１〜１６の内の何れか１項に
記載のＣＮＴ膜の製造方法によって製造されたＣＮＴ膜
を用いたことを特徴とする電界放射型冷陰極。
【請求項１８】前記ＣＮＴ膜が前記ＣＮＴ及び粒子状
不純物を含有する電子放出面を構成し、該電子放出面に
は５００ｎｍを超える粒径の粒子状不純物は含まれない
ことを特徴とする請求項１７に記載の電子放出型冷陰
極。
【請求項１９】請求項１８に記載の電子放出型冷陰極
を用いたことを特徴とする電界放出型画像表示装置。