JP2000311578A - 電子源アレイと、その製造方法、及び前記電子源アレイまたはその製造方法を用いて形成される画像形成装置 - Google Patents
電子源アレイと、その製造方法、及び前記電子源アレイまたはその製造方法を用いて形成される画像形成装置Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 本発明は、Ｘ−Ｙアドレス駆動が可能な電子
源アレイを提供し、さらには同一基板上に駆動回路を形
成可能な画像形成装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明の電子アレイは、電子放出領域を
電子放出材料とバインダー材料の分散系で構成し、引き
出し電極と、ゲート絶縁層とが基板に溝埋め込まれてい
る構造を有する。
源アレイを提供し、さらには同一基板上に駆動回路を形
成可能な画像形成装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明の電子アレイは、電子放出領域を
電子放出材料とバインダー材料の分散系で構成し、引き
出し電極と、ゲート絶縁層とが基板に溝埋め込まれてい
る構造を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイ、蛍
光表示管、ランプ、電子銃等に用いられ、ＸＹマトリク
ス駆動可能な電子源アレイ及びその製造方法と、これら
を用いて形成される画像生成装置を提供する。
光表示管、ランプ、電子銃等に用いられ、ＸＹマトリク
ス駆動可能な電子源アレイ及びその製造方法と、これら
を用いて形成される画像生成装置を提供する。
【０００２】
【従来の技術】フィールドエミッションディスプレイ
（ＦＥＤ）は自発光型フラットパネルディスプレイへの
応用が期待され、電界放出型電子源の研究、開発が盛ん
に行われている。
（ＦＥＤ）は自発光型フラットパネルディスプレイへの
応用が期待され、電界放出型電子源の研究、開発が盛ん
に行われている。
【０００３】ＦＥＤに用いる電子源アレイとしては、図
５に示すＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔらのピラミッド型の金属
電子源（ＵＳＰ３，６６５，２４１）が良く知られてお
り、その金属電子源は高融点金属材料で形成されている
が、電子源の先端径制御、均一性制御、更には信頼性の
点で大きな問題があった。なお、この図５において、１
０は電子源アレイ、１１は表面処理された電子源アレ
イ、１２はピラミット型形状の電子源アレイを示す。
５に示すＣ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔらのピラミッド型の金属
電子源（ＵＳＰ３，６６５，２４１）が良く知られてお
り、その金属電子源は高融点金属材料で形成されている
が、電子源の先端径制御、均一性制御、更には信頼性の
点で大きな問題があった。なお、この図５において、１
０は電子源アレイ、１１は表面処理された電子源アレ
イ、１２はピラミット型形状の電子源アレイを示す。
【０００４】近年（１９９１年）、飯島らによりカーボ
ンナノチューブ（ＣＮＴ）が発見された（Ｓ．Ｉｉｍ
ａ、Ｎａｔｕｒｅ、３５４、５６、１９９１）。このＣ
ＮＴは、円筒状に巻いたグラファイト層が入れ子状にな
ったもので、その先端径が約１０ｎｍ程度であり、耐酸
化性、耐イオン衝撃性が強い点で電子源アレイとしては
非常に優れた特徴を有する材料と考えられている。実
際、ＣＮＴからの電界放出実験が、１９９５年にＲ．
Ｅ．Ｓｍａｌｌｅｙら（Ａ．Ｇ．Ｒｉｎｚｌｅｒ、Ｓｃ
ｉｅｎｃｅ、２６９、１５５０、１９９９５）とＷ．
Ａ．ｄｅ Ｈｅｅｒら（Ｗ．Ａ．ｄｅ Ｈｅｅｒ、Ｓｃ
ｉｅｎｃｅ、２７０、１１７９、１９９５）の研究グル
ープから報告されている。
ンナノチューブ（ＣＮＴ）が発見された（Ｓ．Ｉｉｍ
ａ、Ｎａｔｕｒｅ、３５４、５６、１９９１）。このＣ
ＮＴは、円筒状に巻いたグラファイト層が入れ子状にな
ったもので、その先端径が約１０ｎｍ程度であり、耐酸
化性、耐イオン衝撃性が強い点で電子源アレイとしては
非常に優れた特徴を有する材料と考えられている。実
際、ＣＮＴからの電界放出実験が、１９９５年にＲ．
Ｅ．Ｓｍａｌｌｅｙら（Ａ．Ｇ．Ｒｉｎｚｌｅｒ、Ｓｃ
ｉｅｎｃｅ、２６９、１５５０、１９９９５）とＷ．
Ａ．ｄｅ Ｈｅｅｒら（Ｗ．Ａ．ｄｅ Ｈｅｅｒ、Ｓｃ
ｉｅｎｃｅ、２７０、１１７９、１９９５）の研究グル
ープから報告されている。
【０００５】このような電界放出実験に於いては、金属
電極上にＣＮＴをキャスト膜として配置し、引き出し電
極として金属板のメッシュを用い、対向電極であるアノ
ードに電子を集めている。
電極上にＣＮＴをキャスト膜として配置し、引き出し電
極として金属板のメッシュを用い、対向電極であるアノ
ードに電子を集めている。
【０００６】一方、特開平１０ー１２１２４号公報に開
示されているように、金属の細孔中にＣＮＴを選択的に
成長し、ＣＮＴを規則正しく配列することで電流強度の
時間的安定性を改良することも知られている。
示されているように、金属の細孔中にＣＮＴを選択的に
成長し、ＣＮＴを規則正しく配列することで電流強度の
時間的安定性を改良することも知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＣＮＴを用いた電子源アレイは、金属電極上にＣＮＴを
キャスト膜として配置しているため、電子源アレイを分
割することができず、ディスプレイのようなＸＹアドレ
スが必要な電子源アレイに応用することが困難であっ
た。
ＣＮＴを用いた電子源アレイは、金属電極上にＣＮＴを
キャスト膜として配置しているため、電子源アレイを分
割することができず、ディスプレイのようなＸＹアドレ
スが必要な電子源アレイに応用することが困難であっ
た。
【０００８】また、特開平１０ー１２１２４号公報のよ
うに、金属の細孔中にＣＮＴを選択的に成長することで
電子源アレイの分割は可能となるが、引き出し電極と電
子源アレイと電気的に接続したカソード配線が互いに平
行に配置されているため、従来のＣＮＴと同様にＸＹア
ドレスができなかった。また、ＣＮＴを成長させるため
の加熱処理温度が１１５０℃程度と高く、支持基板に形
成した駆動回路（ＣＭＯＳ）が劣化し、電子源アレイが
駆動できなくなるという課題があった。
うに、金属の細孔中にＣＮＴを選択的に成長することで
電子源アレイの分割は可能となるが、引き出し電極と電
子源アレイと電気的に接続したカソード配線が互いに平
行に配置されているため、従来のＣＮＴと同様にＸＹア
ドレスができなかった。また、ＣＮＴを成長させるため
の加熱処理温度が１１５０℃程度と高く、支持基板に形
成した駆動回路（ＣＭＯＳ）が劣化し、電子源アレイが
駆動できなくなるという課題があった。
【０００９】本発明は、上記従来技術の問題点を解決す
るものであり、その目的は、Ｘ−Ｙアドレス駆動が可能
な電子源アレイ、及びその製造方法を提供することであ
り、さらには同一基板上に駆動回路を形成可能な画像形
成装置を提供することである。
るものであり、その目的は、Ｘ−Ｙアドレス駆動が可能
な電子源アレイ、及びその製造方法を提供することであ
り、さらには同一基板上に駆動回路を形成可能な画像形
成装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１では、電子源アレイを電子放出材料とバイ
ンダー材料で構成することにより、任意のブロックに分
割可能な電子源アレイを提供すると共に、高温度の加熱
処理を不要にしたことで、同一支持基板上に配設された
駆動回路にダメージを与えない構成にする。
に、請求項１では、電子源アレイを電子放出材料とバイ
ンダー材料で構成することにより、任意のブロックに分
割可能な電子源アレイを提供すると共に、高温度の加熱
処理を不要にしたことで、同一支持基板上に配設された
駆動回路にダメージを与えない構成にする。
【００１１】請求項２では、電子源アレイ、引き出し電
極、及びゲート絶縁層を支持基板の溝に埋め込むことに
より、ゲート絶縁層の上方に引き出し電極、集束電極、
及び駆動回路を形成するＣＭＯＳ等が配設可能な電子源
アレイを提供する。
極、及びゲート絶縁層を支持基板の溝に埋め込むことに
より、ゲート絶縁層の上方に引き出し電極、集束電極、
及び駆動回路を形成するＣＭＯＳ等が配設可能な電子源
アレイを提供する。
【００１２】請求項３では、電子放出材料とバインダー
材料の分散系に界面活性剤を添加することにより、バイ
ンダー材料中に電子放出材料を均一に分散した高品質な
電子放出領域を有する電子源アレイを提供する。
材料の分散系に界面活性剤を添加することにより、バイ
ンダー材料中に電子放出材料を均一に分散した高品質な
電子放出領域を有する電子源アレイを提供する。
【００１３】請求項４では、分散系を電子放出材料の微
粒子、バインダー材料、界面活性剤、導電材料の微粒子
構造とすることにより、絶縁性のバインダー材料を高抵
抗化すると共に、その抵抗を制御し、バインダー材料に
電流制限機構を付与する。
粒子、バインダー材料、界面活性剤、導電材料の微粒子
構造とすることにより、絶縁性のバインダー材料を高抵
抗化すると共に、その抵抗を制御し、バインダー材料に
電流制限機構を付与する。
【００１４】請求項５では、バインダー材料を紫外線硬
化樹脂にすることにより、紫外線照射で分割可能な電子
源アレイを提供する。
化樹脂にすることにより、紫外線照射で分割可能な電子
源アレイを提供する。
【００１５】請求項６では、バインダー材料を電子線硬
化樹脂にすることにより、電子線照射で分割可能な電子
源アレイを提供する。
化樹脂にすることにより、電子線照射で分割可能な電子
源アレイを提供する。
【００１６】請求項７では、バインダー材料を熱硬化樹
脂にすることにより、赤外領域に波長を有するレーザー
照射で分割可能な電子源アレイを提供する。
脂にすることにより、赤外領域に波長を有するレーザー
照射で分割可能な電子源アレイを提供する。
【００１７】請求項８では、バインダー材料としてフリ
ットガラスを用いることにより、真空中のデカスが少な
い、真空系に有利な電子源アレイを提供する。
ットガラスを用いることにより、真空中のデカスが少な
い、真空系に有利な電子源アレイを提供する。
【００１８】請求項９では、電子放出領域を凸凹形状の
表面にすることにより、電子放出材料の露出面積を増加
し、高い電流密度を有する電子源アレイを提供する。
表面にすることにより、電子放出材料の露出面積を増加
し、高い電流密度を有する電子源アレイを提供する。
【００１９】請求項１０では、引き出し電極を薄膜で形
成し、支持基板に埋め込んだゲート絶縁層で機械的に支
持し、引き出し電極とカソード配線を互いに直交する構
造にすることにより、電子源アレイのＸＹマトリクス駆
動を可能にすると共に、金属板等で形成したメッシュ電
極を不要にし、部品数を削減可能な電子源アレイを提供
する。
成し、支持基板に埋め込んだゲート絶縁層で機械的に支
持し、引き出し電極とカソード配線を互いに直交する構
造にすることにより、電子源アレイのＸＹマトリクス駆
動を可能にすると共に、金属板等で形成したメッシュ電
極を不要にし、部品数を削減可能な電子源アレイを提供
する。
【００２０】請求項１１では、カーボンナノチューブ、
ダイアモンド、グラファイト等の炭素材料の微粒子から
構成される電子源アレイを提供する。
ダイアモンド、グラファイト等の炭素材料の微粒子から
構成される電子源アレイを提供する。
【００２１】請求項１２では、ボロンナイトライド、シ
リコン等の半導体材料の微粒子から構成される電子源ア
レイを提供する。
リコン等の半導体材料の微粒子から構成される電子源ア
レイを提供する。
【００２２】請求項１３では、金、白金等の貴金属の微
粒子から構成される電子源アレイを提供する。
粒子から構成される電子源アレイを提供する。
【００２３】請求項１４では、本発明の電子源アレイの
製造方法を提供する。
製造方法を提供する。
【００２４】請求項１５では、基板の溝をサンドブラス
トで形成することにより、フォトリソ及びエッチング工
程が不要な電子源アレイの製造方法を提供する。
トで形成することにより、フォトリソ及びエッチング工
程が不要な電子源アレイの製造方法を提供する。
【００２５】請求項１６では、紫外線照射法で電子源ア
レイを分割する電子源アレイの製造方法を提供する。
レイを分割する電子源アレイの製造方法を提供する。
【００２６】請求項１７では、ホログラム法で電子源ア
レイを分割することで、微細な電子源アレイの製造方法
を提供する。
レイを分割することで、微細な電子源アレイの製造方法
を提供する。
【００２７】請求項１８では、電子線照射法で電子源ア
レイを分割する電子源アレイの製造方法を提供する。
レイを分割する電子源アレイの製造方法を提供する。
【００２８】請求項１９では、赤外領域に波長を有する
レーザー照射法で電子源アレイを分割する電子源アレイ
の製造方法を提供する。
レーザー照射法で電子源アレイを分割する電子源アレイ
の製造方法を提供する。
【００２９】請求項２０では、電子放出領域表面を酸素
プラズマエッチング法で後処理することにより、表面形
状を凸凹にする電子源アレイの製造方法を提供する。
プラズマエッチング法で後処理することにより、表面形
状を凸凹にする電子源アレイの製造方法を提供する。
【００３０】請求項２１では、ゲート絶縁層を平坦化す
ることで、ゲート絶縁層の上方に引き出し電極、集束電
極、及び駆動回路を形成するＣＭＯＳ等が配設を容易に
する電子源アレイの製造方法を提供する。
ることで、ゲート絶縁層の上方に引き出し電極、集束電
極、及び駆動回路を形成するＣＭＯＳ等が配設を容易に
する電子源アレイの製造方法を提供する。
【００３１】請求項２２では、平坦化する工程をＣＭＰ
法とすることで、平坦化の制御性と精度を向上する。
法とすることで、平坦化の制御性と精度を向上する。
【００３２】請求項２３では、本発明のＸＹマトリクス
駆動可能な電子源アレイ及びその製造方法を用いて形成
される画像形成装置を提供する。
駆動可能な電子源アレイ及びその製造方法を用いて形成
される画像形成装置を提供する。
【００３３】
【発明の実施の形態】〈第１実施形態〉図１（ａ）〜
（ｃ）は本発明の電子源アレイの構造を示す。以下、図
１に従い、本発明の電子源アレイの構成を説明する。
（ｃ）は本発明の電子源アレイの構造を示す。以下、図
１に従い、本発明の電子源アレイの構成を説明する。
【００３４】図１（ａ）は本発明の電子源アレイの斜視
図である。電子源アレイを機械的に支持する基板１上に
は、電子源アレイと電気的に接続するカソード配線２が
配設されている。また、カソード配線２と電子源から電
子を真空中に引き出す引き出し電極（ゲート電極）３を
絶縁するゲート絶縁層４（点で表示）は支持基板１に形
成された溝に埋め込まれ、これらのゲート絶縁層４と支
持基板１の上層に、カソード配線とは互いに直交した構
成でゲト電極３が配設されている。
図である。電子源アレイを機械的に支持する基板１上に
は、電子源アレイと電気的に接続するカソード配線２が
配設されている。また、カソード配線２と電子源から電
子を真空中に引き出す引き出し電極（ゲート電極）３を
絶縁するゲート絶縁層４（点で表示）は支持基板１に形
成された溝に埋め込まれ、これらのゲート絶縁層４と支
持基板１の上層に、カソード配線とは互いに直交した構
成でゲト電極３が配設されている。
【００３５】図１（ｂ）、（ｃ）は、図１（ａ）の断面
線Ａ、Ｂでのそれぞれの断面図である。ゲート電極３に
平行な断面線Ａに於ける断面図を示す図１（ｂ）から明
らかなように、ゲート電極３はカソード配線２が配設さ
れる溝部分でゲート絶縁層４で機械的に保持されると共
に、カソード配線３をそれぞれ電気的に絶縁する溝以外
の部分では支持基板１により機械的に保持されている。
一方、カソード配線２に平行な断面線Ｂに於ける断面図
を示す図１（ｃ）を見ると、ゲート電極３はゲート絶縁
層上で電気的に分離され、カソード配線２に直交するよ
うに配設されている。
線Ａ、Ｂでのそれぞれの断面図である。ゲート電極３に
平行な断面線Ａに於ける断面図を示す図１（ｂ）から明
らかなように、ゲート電極３はカソード配線２が配設さ
れる溝部分でゲート絶縁層４で機械的に保持されると共
に、カソード配線３をそれぞれ電気的に絶縁する溝以外
の部分では支持基板１により機械的に保持されている。
一方、カソード配線２に平行な断面線Ｂに於ける断面図
を示す図１（ｃ）を見ると、ゲート電極３はゲート絶縁
層上で電気的に分離され、カソード配線２に直交するよ
うに配設されている。
【００３６】電子源アレイ５は、図１（ｂ）、（ｃ）に
示すように、カソード配線上に正方形（または、長方
形）の形状で、カソード配線２とゲート電極３の交差部
に配置されている。
示すように、カソード配線上に正方形（または、長方
形）の形状で、カソード配線２とゲート電極３の交差部
に配置されている。
【００３７】この電子源アレイ５において、それぞれの
電子源アレイ５の上方のゲート絶縁層及びゲート電極は
除去され、空孔６が形成されており、ゲート電極３で引
き出された電子はこの空孔６を通過してアノードに集め
ることができた。また、空孔６で露出された電子放出領
域７の表面には、無数の電子放出材料が存在し、この表
面を凸凹形状にすることで表面に存在する電子放出材料
の密度が増加でき、アノードに集められた電子、即ちエ
ミッション電流が飛躍的に増加した。また、前記凸凹形
状を更に強調すると、針状の集合体を形成できた。一
方、ゲート電極の開口径８は空孔６よりも小さいため、
ゲート電極に流れる電流が多くなることが懸念される
が、ゲート電流はエミッション電流と比較して小さく、
問題となるレベルではなかった。
電子源アレイ５の上方のゲート絶縁層及びゲート電極は
除去され、空孔６が形成されており、ゲート電極３で引
き出された電子はこの空孔６を通過してアノードに集め
ることができた。また、空孔６で露出された電子放出領
域７の表面には、無数の電子放出材料が存在し、この表
面を凸凹形状にすることで表面に存在する電子放出材料
の密度が増加でき、アノードに集められた電子、即ちエ
ミッション電流が飛躍的に増加した。また、前記凸凹形
状を更に強調すると、針状の集合体を形成できた。一
方、ゲート電極の開口径８は空孔６よりも小さいため、
ゲート電極に流れる電流が多くなることが懸念される
が、ゲート電流はエミッション電流と比較して小さく、
問題となるレベルではなかった。
【００３８】ここで、図２（ａ）〜（ｆ）を用いて、本
実施形態の電子源アレイの製造方法を説明する。
実施形態の電子源アレイの製造方法を説明する。
【００３９】まず、電子源アレイを形成する支持基板１
にライン状の溝９を形成した。この溝９はドライエッチ
ングで形成できる。溝９の幅は５０μｍ〜５００μｍ、
深さは０．５μｍ〜５０μｍ程度の間で適宜形成され
る。本実施形態に於いては、支持基板１として対角５イ
ンチのガラス基板を用い、溝９の幅を２００μｍ、溝の
ピッチを３００μｍとし、溝の深さを５μｍとした。さ
らに、この溝９の底部に金属配線２を形成した。この金
属配線２は印刷配線技術を用いて形成することが好まし
い。金属配線材料を堆積してフォトリソ、エッチングで
形成することも可能であるが、実験を行ったところ、溝
９の中にフォトリソを行うことが難しく、溝９の内部に
形成されたレジスト形状が劣化していた。本実施形態に
於いては、印刷技術を用い、幅：１００μｍ、膜厚：１
μｍの銅配線を形成した（図２（ａ））。
にライン状の溝９を形成した。この溝９はドライエッチ
ングで形成できる。溝９の幅は５０μｍ〜５００μｍ、
深さは０．５μｍ〜５０μｍ程度の間で適宜形成され
る。本実施形態に於いては、支持基板１として対角５イ
ンチのガラス基板を用い、溝９の幅を２００μｍ、溝の
ピッチを３００μｍとし、溝の深さを５μｍとした。さ
らに、この溝９の底部に金属配線２を形成した。この金
属配線２は印刷配線技術を用いて形成することが好まし
い。金属配線材料を堆積してフォトリソ、エッチングで
形成することも可能であるが、実験を行ったところ、溝
９の中にフォトリソを行うことが難しく、溝９の内部に
形成されたレジスト形状が劣化していた。本実施形態に
於いては、印刷技術を用い、幅：１００μｍ、膜厚：１
μｍの銅配線を形成した（図２（ａ））。
【００４０】次に、電子放出材料とバインダー材料の分
散系からなる電子源アレイ１０を形成した。電子放出材
料とバインダー材料は以下のように形成した。
散系からなる電子源アレイ１０を形成した。電子放出材
料とバインダー材料は以下のように形成した。
【００４１】この電子放出材料の微粒子としては、電子
放出する材料の微粒子であればどれでも構わず、例え
ば、単結晶ダイアモンド、グラファイト等の炭素材料の
微粒子、ボロンナイトライド、シリコン等の半導体材料
の微粒子、金、白金等の貴金属材料の微粒子が挙げられ
る。
放出する材料の微粒子であればどれでも構わず、例え
ば、単結晶ダイアモンド、グラファイト等の炭素材料の
微粒子、ボロンナイトライド、シリコン等の半導体材料
の微粒子、金、白金等の貴金属材料の微粒子が挙げられ
る。
【００４２】一方、バインダー材料としては、その単量
体が光、電子、熱等で重合可能なものであればどれでも
構わず、例えば、紫外線硬化樹脂、電子線硬化樹脂、熱
硬化樹脂等が挙げられる。
体が光、電子、熱等で重合可能なものであればどれでも
構わず、例えば、紫外線硬化樹脂、電子線硬化樹脂、熱
硬化樹脂等が挙げられる。
【００４３】本実施形態に於いては、電子放出材料とし
てカーボンナノチューブ（マルチウォールドカーボンナ
ノチューブ、純度：５０％）の微粒子を用い、バインダ
ー材料として紫外線硬化樹脂（アクリル系樹脂）を用い
た。紫外線硬化樹脂としては、粘度が低いものが分散を
容易にする点で好ましい。また、分散の安定性、均一性
の点で界面活性剤を微量添加することが好ましい。
てカーボンナノチューブ（マルチウォールドカーボンナ
ノチューブ、純度：５０％）の微粒子を用い、バインダ
ー材料として紫外線硬化樹脂（アクリル系樹脂）を用い
た。紫外線硬化樹脂としては、粘度が低いものが分散を
容易にする点で好ましい。また、分散の安定性、均一性
の点で界面活性剤を微量添加することが好ましい。
【００４４】本実施形態に於いては、カーボンナノチュ
ーブ：バインダー：界面活性剤を４９：５０：１の混合
比で混合し、分散系とした。この際、バインダーが絶縁
体であるため、金属配線材料２と導通が取れなくなるこ
とが考えられるが、実験結果によれば、導通が取れなく
なることはなかった。この理由として、繊維状のカーボ
ンナノチューブがお互いランダムにどこかの点で接触
し、マクロ的には、導通が取れていると考えられる。し
かし、この場合、カーボンナノチューブの混合量を減少
すると、導電性が劣化することが実験的に明らかになっ
ており、注意が必要である。
ーブ：バインダー：界面活性剤を４９：５０：１の混合
比で混合し、分散系とした。この際、バインダーが絶縁
体であるため、金属配線材料２と導通が取れなくなるこ
とが考えられるが、実験結果によれば、導通が取れなく
なることはなかった。この理由として、繊維状のカーボ
ンナノチューブがお互いランダムにどこかの点で接触
し、マクロ的には、導通が取れていると考えられる。し
かし、この場合、カーボンナノチューブの混合量を減少
すると、導電性が劣化することが実験的に明らかになっ
ており、注意が必要である。
【００４５】繊維状の形態ではないその他の電子放出材
料の場合、念のため、金属微粒子を分散系に添加し、バ
インダーの導電性を取ることが好ましい。もちろん、カ
ーボンナノチューブに対しても、金属微粒子を添加して
導電性を向上しても構わない。
料の場合、念のため、金属微粒子を分散系に添加し、バ
インダーの導電性を取ることが好ましい。もちろん、カ
ーボンナノチューブに対しても、金属微粒子を添加して
導電性を向上しても構わない。
【００４６】このように調製した分散系をスピナーで塗
布した。膜厚は１μｍであった。紫外線を照射すること
により、所定形状の電子源アレイ１０を形成した。本実
施形態では、縦横が１００μｍの正方形の電子源アレイ
１０を形成した（図２（ｂ））。
布した。膜厚は１μｍであった。紫外線を照射すること
により、所定形状の電子源アレイ１０を形成した。本実
施形態では、縦横が１００μｍの正方形の電子源アレイ
１０を形成した（図２（ｂ））。
【００４７】本実施形態においては、典型的な例として
紫外線硬化樹脂を用いたが、電子線硬化樹脂、熱硬化樹
脂においても、紫外線硬化樹脂と同様に分散系の形成、
スピナーによる塗布、所定形状の電子源アレイ１０の形
成が可能であることを実験的に確認した。また、高温の
熱処理が一切不要であるため、ＣＭＯＳから形成される
駆動回路、論理回路、または、保護回路等を同一基板上
に形成しても構わない。
紫外線硬化樹脂を用いたが、電子線硬化樹脂、熱硬化樹
脂においても、紫外線硬化樹脂と同様に分散系の形成、
スピナーによる塗布、所定形状の電子源アレイ１０の形
成が可能であることを実験的に確認した。また、高温の
熱処理が一切不要であるため、ＣＭＯＳから形成される
駆動回路、論理回路、または、保護回路等を同一基板上
に形成しても構わない。
【００４８】次に、ゲート絶縁材料４で基板の溝９を埋
め込んだ。ゲート絶縁材料としては、Ｏ3−ＴＥＯＳ、
ＰＥ−ＴＥＯＳ、ＢＰＳＧ、ＳＯＧ等が好ましい。Ｏ3
−ＴＥＯＳ、ＰＥ−ＴＥＯＳを堆積し、ＣＭＰ（化学的
・機械的研磨）法で平坦化することは、制御性、精度の
点で好ましく、一方、ＢＰＳＧ、または、ＳＯＧを堆積
し、リフローして平坦化することはコストの点で好まし
い。どのゲート絶縁材料を用い、平坦化するかは、適
宜、当業者により決定されるべきことである。本実施形
態に於いては、埋め込む溝の体積が幅：２００μｍ、深
さ：５μｍ、長さ９０ｍｍと大きいことから、ＳＯＧを
塗布して溝を埋め込み、エッチバック法で平坦化を行っ
た（図２（ｃ））。
め込んだ。ゲート絶縁材料としては、Ｏ3−ＴＥＯＳ、
ＰＥ−ＴＥＯＳ、ＢＰＳＧ、ＳＯＧ等が好ましい。Ｏ3
−ＴＥＯＳ、ＰＥ−ＴＥＯＳを堆積し、ＣＭＰ（化学的
・機械的研磨）法で平坦化することは、制御性、精度の
点で好ましく、一方、ＢＰＳＧ、または、ＳＯＧを堆積
し、リフローして平坦化することはコストの点で好まし
い。どのゲート絶縁材料を用い、平坦化するかは、適
宜、当業者により決定されるべきことである。本実施形
態に於いては、埋め込む溝の体積が幅：２００μｍ、深
さ：５μｍ、長さ９０ｍｍと大きいことから、ＳＯＧを
塗布して溝を埋め込み、エッチバック法で平坦化を行っ
た（図２（ｃ））。
【００４９】次に、ゲート電極材料３を堆積した。本実
施形態に於いては、ゲート金属材料としてモリブデンを
用い、ＥＢ蒸着法で０．５μｍ堆積してゲート電極を形
成した（図２（ｄ））。
施形態に於いては、ゲート金属材料としてモリブデンを
用い、ＥＢ蒸着法で０．５μｍ堆積してゲート電極を形
成した（図２（ｄ））。
【００５０】本実施形態においては、平坦化されたゲー
ト絶縁膜上にゲート電極のみを形成しているが、さらに
上方に電子ビームを集束するための集束電極を形成して
も構わない。
ト絶縁膜上にゲート電極のみを形成しているが、さらに
上方に電子ビームを集束するための集束電極を形成して
も構わない。
【００５１】次に、電子源アレイ５を形成する領域のゲ
ート電極にホール８の形成、及びゲート電極配線のパタ
ーニングを行った。ホール８及び配線の形成はフォトリ
ソ及びドライエッチングで容易に形成した（図２
（ｅ））。ホール８の直径は１μｍ、ピッチは５μｍで
あり、ゲート電極配線のライン幅は２００μｍ、ピッチ
は３００μｍとした。
ート電極にホール８の形成、及びゲート電極配線のパタ
ーニングを行った。ホール８及び配線の形成はフォトリ
ソ及びドライエッチングで容易に形成した（図２
（ｅ））。ホール８の直径は１μｍ、ピッチは５μｍで
あり、ゲート電極配線のライン幅は２００μｍ、ピッチ
は３００μｍとした。
【００５２】最後に、ホール８の下方にあるゲート絶縁
層をエッチング除去し、空孔６を形成した。空孔６の形
成はゲート電極配線をエッチングマスクとし、２μｍ相
当をドライエッチングで、１μｍ相当をウエットエッチ
ングでゲート絶縁層を除去して電子放出領域７を形成し
た（図３（ｆ））。
層をエッチング除去し、空孔６を形成した。空孔６の形
成はゲート電極配線をエッチングマスクとし、２μｍ相
当をドライエッチングで、１μｍ相当をウエットエッチ
ングでゲート絶縁層を除去して電子放出領域７を形成し
た（図３（ｆ））。
【００５３】本実施形態において、ドライエッチングと
ウエットエッチングを組み合わせて空孔６を形成したの
は、空孔のピッチが５μｍであるためで、空孔のピッチ
が例えば、１０μｍ程度あれば、ウエットエッチングだ
けを用いることができる。ドライエッチングとウエット
エッチングをどのように組み合わせるかは、ゲート電極
と電子源間のゲート絶縁層の膜厚、及び空孔間のピッチ
で決定することが好ましい。
ウエットエッチングを組み合わせて空孔６を形成したの
は、空孔のピッチが５μｍであるためで、空孔のピッチ
が例えば、１０μｍ程度あれば、ウエットエッチングだ
けを用いることができる。ドライエッチングとウエット
エッチングをどのように組み合わせるかは、ゲート電極
と電子源間のゲート絶縁層の膜厚、及び空孔間のピッチ
で決定することが好ましい。
【００５４】以上のような製造方法により、１００μｍ
角の電子源アレイに約４００個の電子放出領域を形成で
き、１μｍのゲート電極の開口部から電子を放出するこ
とを実験で確認した。この時の、アノード電圧は１Ｋ
Ｖ、ゲート電圧は３００Ｖ、エミッション電流は５μＡ
程度であった。
角の電子源アレイに約４００個の電子放出領域を形成で
き、１μｍのゲート電極の開口部から電子を放出するこ
とを実験で確認した。この時の、アノード電圧は１Ｋ
Ｖ、ゲート電圧は３００Ｖ、エミッション電流は５μＡ
程度であった。
【００５５】また、対角５インチのガラス基板にこのよ
うな電子源アレイを３２０×２４０個配設したところ、
電子源アレイと電気的に接続した金属配線（カソード配
線）２とゲート電極３との選択により任意の電子源アレ
イが選択可能であり、この電子源アレイと対向するアノ
ード電極に蛍光体を配置すると、任意の電子源アレイか
ら放出された電子の衝突により、蛍光体が発光した。 〈第２実施形態〉本実施形態では、電子源アレイの表面
を凸凹形状にする製造方法を図３（ａ）〜（ｃ）を用い
て説明する。
うな電子源アレイを３２０×２４０個配設したところ、
電子源アレイと電気的に接続した金属配線（カソード配
線）２とゲート電極３との選択により任意の電子源アレ
イが選択可能であり、この電子源アレイと対向するアノ
ード電極に蛍光体を配置すると、任意の電子源アレイか
ら放出された電子の衝突により、蛍光体が発光した。 〈第２実施形態〉本実施形態では、電子源アレイの表面
を凸凹形状にする製造方法を図３（ａ）〜（ｃ）を用い
て説明する。
【００５６】支持基板１に金属配線２及び電子源アレイ
１０を形成する方法は図２（ａ）と同様に行うことで、
図３（ａ）に示す断面工程図が得られた。
１０を形成する方法は図２（ａ）と同様に行うことで、
図３（ａ）に示す断面工程図が得られた。
【００５７】次に、電子源アレイ１０の表面を凸凹形状
にした。電子源アレイの表面を凸凹にするためには、電
子放出材料とバインダー材料のエッチングレートの違い
を利用すれば容易であった。本実施形態に於いては、Ｏ
2プラズマエッチング法を用いた。
にした。電子源アレイの表面を凸凹にするためには、電
子放出材料とバインダー材料のエッチングレートの違い
を利用すれば容易であった。本実施形態に於いては、Ｏ
2プラズマエッチング法を用いた。
【００５８】通常のＲＩＥ装置で第１の実施形態で製造
した電子源アレイをＯ2プラズマエッチングすると、バ
インダー材料であるアクリル系樹脂のエッチングレート
はカーボンナノチューブのエッチングレートよりも著し
く速いため、表面処理された電子源アレイの表面１１は
図３（ｂ）のように、凸凹になった。この形状はＳＥＭ
を用いた断面形状の観察で実験的に確認した。
した電子源アレイをＯ2プラズマエッチングすると、バ
インダー材料であるアクリル系樹脂のエッチングレート
はカーボンナノチューブのエッチングレートよりも著し
く速いため、表面処理された電子源アレイの表面１１は
図３（ｂ）のように、凸凹になった。この形状はＳＥＭ
を用いた断面形状の観察で実験的に確認した。
【００５９】最後に、第１の実施形態の図２（ｃ）〜
（ｆ）に従い、ゲート絶縁層４の埋め込み、ゲート電極
３の形成、空孔６の形成を行うことで本実施形態の電子
源アレイ（図３（ｃ））を製造できた。
（ｆ）に従い、ゲート絶縁層４の埋め込み、ゲート電極
３の形成、空孔６の形成を行うことで本実施形態の電子
源アレイ（図３（ｃ））を製造できた。
【００６０】第１の実施形態と同様に、アノード電圧を
１ＫＶ、ゲート電圧を３００Ｖにすると、エミッション
電流は第１の実施形態の少なくとも１．５倍以上である
ことを実験的に確認した。 〈第３実施形態〉本実施形態では、電子源アレイが微細
化可能な製造方法を図４（ａ）〜（ｃ）を用いて説明す
る。
１ＫＶ、ゲート電圧を３００Ｖにすると、エミッション
電流は第１の実施形態の少なくとも１．５倍以上である
ことを実験的に確認した。 〈第３実施形態〉本実施形態では、電子源アレイが微細
化可能な製造方法を図４（ａ）〜（ｃ）を用いて説明す
る。
【００６１】支持基板１に金属配線２及び電子源アレイ
１０を形成する方法は第２の実施形態と同様、第１の実
施形態に従った（図４（ａ））。
１０を形成する方法は第２の実施形態と同様、第１の実
施形態に従った（図４（ａ））。
【００６２】次に、電子源アレイ１０を微細化にするた
めに、電子放出材料とバインダー材料の分散系を塗布
後、ホログラム法を用い、電子源アレイのパターンを形
成した。ホログラムは市販の装置をそのまま用いて形成
した。露光後、電子源アレイをＳＥＭ観察すると、図４
（ｂ）のように、ピラミッド型形状の電子源アレイ１２
が多数存在し、そのピラミッドの大きさを１μｍ以下に
することができた。
めに、電子放出材料とバインダー材料の分散系を塗布
後、ホログラム法を用い、電子源アレイのパターンを形
成した。ホログラムは市販の装置をそのまま用いて形成
した。露光後、電子源アレイをＳＥＭ観察すると、図４
（ｂ）のように、ピラミッド型形状の電子源アレイ１２
が多数存在し、そのピラミッドの大きさを１μｍ以下に
することができた。
【００６３】製造した電子源アレイに、アノード電圧を
１ＫＶ、ゲート電圧を３００Ｖを印加すると、エミッシ
ョン電流は第１の実施形態の少なくとも２倍以上である
ことを実験的に確認した。
１ＫＶ、ゲート電圧を３００Ｖを印加すると、エミッシ
ョン電流は第１の実施形態の少なくとも２倍以上である
ことを実験的に確認した。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば以
下の効果を有する。
下の効果を有する。
【００６５】請求項１及び２では、任意のブロックに分
割可能な電子源アレイを提供し、ＣＭＯＳから形成され
る駆動回路、論理回路、保護回路等が配設可能した。
割可能な電子源アレイを提供し、ＣＭＯＳから形成され
る駆動回路、論理回路、保護回路等が配設可能した。
【００６６】請求項３では、均一に分散した高品質、高
密度な電子放出領域を有する電子源アレイを提供した。
密度な電子放出領域を有する電子源アレイを提供した。
【００６７】請求項４では、絶縁性のバインダー材料を
高抵抗化すると共に、その抵抗を制御し、バインダー材
料に電流制限機構を付与した電子源アレイを提供した。
高抵抗化すると共に、その抵抗を制御し、バインダー材
料に電流制限機構を付与した電子源アレイを提供した。
【００６８】請求項５〜７では、バインダー材料を紫外
線硬化樹脂、電子線硬化樹脂、熱硬化樹脂を用いて、任
意のパターンを有する電子源アレイを提供できた。
線硬化樹脂、電子線硬化樹脂、熱硬化樹脂を用いて、任
意のパターンを有する電子源アレイを提供できた。
【００６９】請求項８では、真空中でのデガスが少な
い、真空系のデバイスに対して有利なバインダー材料を
提供した。
い、真空系のデバイスに対して有利なバインダー材料を
提供した。
【００７０】請求項９では、エミッション電流を向上し
た電子源アレイを提供できた。
た電子源アレイを提供できた。
【００７１】請求項１０では、電子源アレイのＸＹマト
リクス駆動を可能にし、金属板等で形成したメッシュ電
極を不要にした。
リクス駆動を可能にし、金属板等で形成したメッシュ電
極を不要にした。
【００７２】請求項１１〜１３では、カーボンナノチュ
ーブ、ダイアモンド、グラファイト等の炭素材料の微粒
子、ボロンナイトライド、シリコン等の半導体材料の微
粒子、金、白金等の貴金属の微粒子から構成される電子
源アレイを提供できた。
ーブ、ダイアモンド、グラファイト等の炭素材料の微粒
子、ボロンナイトライド、シリコン等の半導体材料の微
粒子、金、白金等の貴金属の微粒子から構成される電子
源アレイを提供できた。
【００７３】請求項１４では、本発明の電子源アレイを
製造できた。
製造できた。
【００７４】請求項１５では、基板を直接研磨するた
め、フォトリソ及びエッチング工程が不要になるため、
工程が簡略化できると共に、真空装置が不要になるた
め、基板面積に製造方法が限定されるようなことがなく
なる。
め、フォトリソ及びエッチング工程が不要になるため、
工程が簡略化できると共に、真空装置が不要になるた
め、基板面積に製造方法が限定されるようなことがなく
なる。
【００７５】請求項１６、１８、及び１９では、電子源
アレイを分割可能な製造方法を提供できた。
アレイを分割可能な製造方法を提供できた。
【００７６】請求項１７では、微細化した電子源アレイ
を製造できた。
を製造できた。
【００７７】請求項２０では、表面形状を凸凹にする電
子源アレイを製造できた。
子源アレイを製造できた。
【００７８】請求項２１では、ゲート絶縁層を平坦化す
ることで、ゲート絶縁層の上方に引き出し電極、集束電
極、及び各種回路を形成できると共に、請求項２２で
は、平坦化する工程をＣＭＰ法とすることで、平坦化の
制御性と精度を向上した。
ることで、ゲート絶縁層の上方に引き出し電極、集束電
極、及び各種回路を形成できると共に、請求項２２で
は、平坦化する工程をＣＭＰ法とすることで、平坦化の
制御性と精度を向上した。
【００７９】請求項２３では、本発明のＸＹマトリクス
駆動可能な電子源アレイ及びその製造方法を用いて形成
される画像形成装置を提供した。
駆動可能な電子源アレイ及びその製造方法を用いて形成
される画像形成装置を提供した。
【図１】本発明に係る電子源アレイの斜視図（ａ）であ
り、（ｂ）は（ａ）の断面線Ａでの電子源アレイの断面
図、（ｃ）は（ａ）の断面線Ｂでの電子源アレイの断面
図である。
り、（ｂ）は（ａ）の断面線Ａでの電子源アレイの断面
図、（ｃ）は（ａ）の断面線Ｂでの電子源アレイの断面
図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は第１の実施形態に於ける工程
断面図である。
断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は第２の実施形態に於ける工程
断面図である。
断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は第３の実施形態に於ける工程
断面図である。
断面図である。
【図５】従来の電子源アレイの斜視図である。
１ 支持基板 ２ カソード配線 ３ 引き出し電極（ゲート電極） ４ ゲート絶縁層 ５ 電子源アレイ ６ 空孔 ７ 電子放出領域 ８ ゲート電極の開口部 ９ ライン状の溝 １０ 電子源アレイ １１ 表面処理された電子源アレイ １２ ピラミッド型形状の電子源アレイ
Claims (23)
- 【請求項１】 ゲート絶縁層上に形成した引き出し電極
によって電子を引き出し放出する機能を有する電子源ア
レイにおいて、 電子放出領域が電子放出材料とバインダー材料の分散系
で構成されることを特徴とする電子源アレイ。 - 【請求項２】 少なくとも前記電子放出領域と、前記ゲ
ート絶縁層とが基板溝に埋め込まれていることを特徴と
する請求項１に記載の電子源アレイ。 - 【請求項３】 前記分散系に界面活性剤を含有すること
を特徴とする請求項１、２のいずれかに記載の電子源ア
レイ。 - 【請求項４】 前記分散系に導電材料の微粒子を含有す
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電
子源アレイ。 - 【請求項５】 前記バインダー材料が紫外線硬化樹脂で
あることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の
電子源アレイ。 - 【請求項６】 前記バインダー材料が電子線硬化樹脂で
あることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の
電子源アレイ。 - 【請求項７】 前記バインダー材料が熱硬化樹脂である
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子
源アレイ。 - 【請求項８】 前記バインダー材料がフリットガラスで
あることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の
電子源アレイ。 - 【請求項９】 前記電子放出領域の表面が凸凹形状であ
ることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の電
子源アレイ。 - 【請求項１０】 前記引き出し電極が１μｍ以下の薄膜
で形成され、前記ゲート絶縁層で機械的に支持され、前
記溝に対して直交するように配設された構造を特徴とす
る請求項１〜９のいずれかに記載の電子源アレイ。 - 【請求項１１】 前記電子放出材料がカーボンナノチュ
ーブ、ダイアモンド、グラファイト等の炭素材料の微粒
子であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに
記載の電子源アレイ。 - 【請求項１２】 前記電子放出材料がボロンナイトライ
ド、シリコン等の半導体材料の微粒子であることを特徴
とする請求項１〜１０のいずれかに記載の電子源アレ
イ。 - 【請求項１３】 前記電子放出材料が金、白金等の貴金
属材料の微粒子であることを特徴とする請求項１〜１０
のいずれかに記載の電子源アレイ。 - 【請求項１４】 基板に溝を形成する工程と、前記溝に
第１の配線を形成する工程と、前記第１の配線に電子放
出材料と単量体の分散系を塗布する工程と、前記単量体
を重合して電子放出領域を形成する工程と、前記電子放
出領域を後処理する工程と、ゲート絶縁層材料を堆積す
る工程と、引き出し電極材料を堆積する工程と、前記引
き出し電極をパターニングする工程と、前記引き出し電
極をマスクとして前記ゲート絶縁層を除去してホールを
形成する工程を含むことを特徴とする電子源アレイの製
造方法。 - 【請求項１５】 前記基板に溝を形成する工程がサンド
ブラスト法であることを特徴とする請求項１４に記載の
電子源アレイの製造方法。 - 【請求項１６】 前記単量体を重合する工程が紫外線照
射法であることを特徴とする請求項１４又は１５に記載
の電子源アレイの製造方法。 - 【請求項１７】 前記単量体を重合する工程がホログラ
ム法であることを特徴とする請求項１４又は１５に記載
の電子源アレイの製造方法。 - 【請求項１８】 前記単量体を重合する工程が電子線照
射法であることを特徴とする請求項１４又は１５に記載
の電子源アレイの製造方法。 - 【請求項１９】 前記単量体を重合する工程が赤外領域
に波長を有するレーザー照射法であることを特徴とする
請求項１４又は１５に記載の電子源アレイの製造方法。 - 【請求項２０】 前記電子放出領域を後処理する工程が
酸素プラズマエッチング法であることを特徴とする請求
項１４〜１９のいずれかに記載の電子源アレイの製造方
法。 - 【請求項２１】 前記ゲート絶縁層堆積後に平坦化する
工程を含むことを特徴とする請求項１４〜２０のいずれ
かに記載の電子源の製造方法。 - 【請求項２２】 前記ゲート絶縁層を平坦化する工程が
ＣＭＰ法であることを特徴とする請求項１４〜２１のい
ずれかに記載の電子源の製造方法。 - 【請求項２３】 請求項１〜２２のいずれかに記載の電
子源アレイまたはその製造方法を用いて形成される画像
形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12109299A JP3553414B2 (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | 電子源アレイと、その製造方法、及び前記電子源アレイまたはその製造方法を用いて形成される画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12109299A JP3553414B2 (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | 電子源アレイと、その製造方法、及び前記電子源アレイまたはその製造方法を用いて形成される画像形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000311578A true JP2000311578A (ja) | 2000-11-07 |
| JP3553414B2 JP3553414B2 (ja) | 2004-08-11 |
Family
ID=14802689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12109299A Expired - Fee Related JP3553414B2 (ja) | 1999-04-28 | 1999-04-28 | 電子源アレイと、その製造方法、及び前記電子源アレイまたはその製造方法を用いて形成される画像形成装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3553414B2 (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002017344A1 (fr) * | 2000-08-25 | 2002-02-28 | Nec Corporation | Dispositif a emission d'electrons de champ et son procede de fabrication |
| WO2002041348A1 (fr) * | 2000-11-20 | 2002-05-23 | Nec Corporation | Film cnt et cathode froide a emission de champ comportant ce film |
| WO2002045113A1 (fr) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Nec Corporation | Procede de formation de motif destine a un nanotube de carbone, cathode froide a emission de champ, et procede de fabrication de cette cathode |
| JP2002170481A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Nec Corp | 電界放出型冷陰極及びその製造方法並びに平面画像表示装置 |
| JP2002190247A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Nec Corp | Ｃｎｔ膜及びその製造方法並びにｃｎｔ膜を用いた電界放出型冷陰極及び画像表示装置 |
| WO2002091417A1 (en) * | 2001-04-25 | 2002-11-14 | Sony Corporation | Electron emitter and its production method, cold-cathode field electron emitter and its production method, and cold-cathode filed electron emission display and its production method |
| CN1725416A (zh) * | 2004-07-22 | 2006-01-25 | 清华大学 | 场发射显示装置及其制备方法 |
| JP2006120636A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出源形成用の組成物、これを利用した電子放出源の製造方法、及び電子放出源 |
| JP2007207568A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | カーボンナノチューブ含有ペーストとカーボンナノチューブ膜の製造方法及びカーボンナノチューブ膜並びに電界電子放出素子 |
| US7276844B2 (en) | 2001-06-15 | 2007-10-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for improving the emission of electron field emitters |
| KR100763893B1 (ko) * | 2006-02-01 | 2007-10-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 굴곡진 ｃｎｔ층을 갖는 전자방출소자의 제조 방법 |
| JP2008226734A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Showa Denko Kk | 薄膜型電子放出材料の形成用組成物、薄膜型電子放出材料、その製造方法及び電界放出型素子 |
| US7449082B2 (en) | 2000-06-21 | 2008-11-11 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Process for improving the emissions of electron field emitters |
| JP2011510431A (ja) * | 2007-07-26 | 2011-03-31 | シーイービーティー・カンパニー・リミティッド | ナノ構造チップを備えた電子放出源及びこれを用いた電子カラム |
| JP2011138795A (ja) * | 2011-04-11 | 2011-07-14 | Nec Corp | エミッタの製造方法及び該エミッタを用いた電界放出型冷陰極並びに平面画像表示装置 |
| JP2011157270A (ja) * | 2011-04-25 | 2011-08-18 | Nec Corp | Ｃｎｔ膜及びその製造方法並びにｃｎｔ膜を用いた電界放出型冷陰極及び画像表示装置 |
| CN102709133A (zh) * | 2012-05-16 | 2012-10-03 | 中山大学 | 一种具有嵌入式电极的冷阴极电子源阵列及其制作方法和应用 |
| FR3053830A1 (fr) * | 2016-07-07 | 2018-01-12 | Thales | Tube electronique sous vide a cathode planaire a base de nanotubes ou nanofils |
-
1999
- 1999-04-28 JP JP12109299A patent/JP3553414B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8070906B2 (en) | 2000-06-21 | 2011-12-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for improving the emission of electron field emitters |
| US7449082B2 (en) | 2000-06-21 | 2008-11-11 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Process for improving the emissions of electron field emitters |
| WO2002017344A1 (fr) * | 2000-08-25 | 2002-02-28 | Nec Corporation | Dispositif a emission d'electrons de champ et son procede de fabrication |
| JP2002140979A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-05-17 | Nec Corp | 電界電子放出装置及びその製造方法 |
| WO2002041348A1 (fr) * | 2000-11-20 | 2002-05-23 | Nec Corporation | Film cnt et cathode froide a emission de champ comportant ce film |
| US7161285B2 (en) | 2000-11-20 | 2007-01-09 | Nec Corporation | CNT film and field-emission cold cathode comprising the same |
| WO2002045113A1 (fr) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Nec Corporation | Procede de formation de motif destine a un nanotube de carbone, cathode froide a emission de champ, et procede de fabrication de cette cathode |
| JP2002170481A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Nec Corp | 電界放出型冷陰極及びその製造方法並びに平面画像表示装置 |
| JP2002190247A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Nec Corp | Ｃｎｔ膜及びその製造方法並びにｃｎｔ膜を用いた電界放出型冷陰極及び画像表示装置 |
| WO2002091417A1 (en) * | 2001-04-25 | 2002-11-14 | Sony Corporation | Electron emitter and its production method, cold-cathode field electron emitter and its production method, and cold-cathode filed electron emission display and its production method |
| US6991949B2 (en) | 2001-04-25 | 2006-01-31 | Sony Corporation | Manufacturing method of an electron emitting apparatus |
| US7276844B2 (en) | 2001-06-15 | 2007-10-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for improving the emission of electron field emitters |
| CN1725416A (zh) * | 2004-07-22 | 2006-01-25 | 清华大学 | 场发射显示装置及其制备方法 |
| JP2006120636A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Samsung Sdi Co Ltd | 電子放出源形成用の組成物、これを利用した電子放出源の製造方法、及び電子放出源 |
| KR100763893B1 (ko) * | 2006-02-01 | 2007-10-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 굴곡진 ｃｎｔ층을 갖는 전자방출소자의 제조 방법 |
| JP2007207568A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | カーボンナノチューブ含有ペーストとカーボンナノチューブ膜の製造方法及びカーボンナノチューブ膜並びに電界電子放出素子 |
| JP2008226734A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Showa Denko Kk | 薄膜型電子放出材料の形成用組成物、薄膜型電子放出材料、その製造方法及び電界放出型素子 |
| JP2011510431A (ja) * | 2007-07-26 | 2011-03-31 | シーイービーティー・カンパニー・リミティッド | ナノ構造チップを備えた電子放出源及びこれを用いた電子カラム |
| JP2011138795A (ja) * | 2011-04-11 | 2011-07-14 | Nec Corp | エミッタの製造方法及び該エミッタを用いた電界放出型冷陰極並びに平面画像表示装置 |
| JP2011157270A (ja) * | 2011-04-25 | 2011-08-18 | Nec Corp | Ｃｎｔ膜及びその製造方法並びにｃｎｔ膜を用いた電界放出型冷陰極及び画像表示装置 |
| CN102709133A (zh) * | 2012-05-16 | 2012-10-03 | 中山大学 | 一种具有嵌入式电极的冷阴极电子源阵列及其制作方法和应用 |
| FR3053830A1 (fr) * | 2016-07-07 | 2018-01-12 | Thales | Tube electronique sous vide a cathode planaire a base de nanotubes ou nanofils |
| EP3267463A3 (fr) * | 2016-07-07 | 2018-04-04 | Thales | Tube electronique sous vide a cathode planaire a base de nanotubes ou nanofils |
| US10720298B2 (en) | 2016-07-07 | 2020-07-21 | Thales | Vacuum electron tube with planar cathode based on nanotubes or nanowires |
| AU2017204507B2 (en) * | 2016-07-07 | 2022-04-14 | Thales | Vacuum electron tube with planar cathode based on nanotubes or nanowires |
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|---|---|
| JP3553414B2 (ja) | 2004-08-11 |
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|
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