JP2002182049A - 実装用基板及びそれの製造方法並びにその実装用基板を用いたデバイスの搭載構造 - Google Patents
実装用基板及びそれの製造方法並びにその実装用基板を用いたデバイスの搭載構造Info
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- JP2002182049A JP2002182049A JP2000376763A JP2000376763A JP2002182049A JP 2002182049 A JP2002182049 A JP 2002182049A JP 2000376763 A JP2000376763 A JP 2000376763A JP 2000376763 A JP2000376763 A JP 2000376763A JP 2002182049 A JP2002182049 A JP 2002182049A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光デバイスと電子デバイスの両者を混載する
ための実装用基板であって、簡単に製造できる構造の実
装用基板を提供する。 【解決手段】 光デバイスＡと電子デバイスＢを搭載す
る側から基板を貫通して反対側の面に電気配線１６が形
成されているとともに、基板中に光導波路１１が形成さ
れており、その光導波路１１から光デバイスＡの受発光
部ａに向けて光信号を直角に曲げるように全反射ミラー
部１４が形成されている構成とする。金属基材１０の上
に光導波路１１を形成し、その光導波路１１の上に必要
とする電気配線系を積み上げて行き、電気配線系の形成
が完了した後で、金属基材部を取り去るという簡単な工
程で製造することができる。
ための実装用基板であって、簡単に製造できる構造の実
装用基板を提供する。 【解決手段】 光デバイスＡと電子デバイスＢを搭載す
る側から基板を貫通して反対側の面に電気配線１６が形
成されているとともに、基板中に光導波路１１が形成さ
れており、その光導波路１１から光デバイスＡの受発光
部ａに向けて光信号を直角に曲げるように全反射ミラー
部１４が形成されている構成とする。金属基材１０の上
に光導波路１１を形成し、その光導波路１１の上に必要
とする電気配線系を積み上げて行き、電気配線系の形成
が完了した後で、金属基材部を取り去るという簡単な工
程で製造することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光デバイスと電子
デバイスの両者を搭載するオプトエレクトロニクス用の
実装用基板及びそれを用いたデバイスの搭載構造に関す
るものである。
デバイスの両者を搭載するオプトエレクトロニクス用の
実装用基板及びそれを用いたデバイスの搭載構造に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、インターネットの急激な普及によ
り、ネットワーク上の情報量は飛躍的に増大しており、
このため膨大なデータを伝達し処理する技術が必要とな
ってきている。例えば、処理速度を向上するために、Ｃ
ＰＵはクロック速度が１ＧＨｚを越えるようになり、さ
らにより広帯域幅のデータ転送を可能とするために、バ
ス幅を増やしてデータ転送速度を向上させる努力がなさ
れている。
り、ネットワーク上の情報量は飛躍的に増大しており、
このため膨大なデータを伝達し処理する技術が必要とな
ってきている。例えば、処理速度を向上するために、Ｃ
ＰＵはクロック速度が１ＧＨｚを越えるようになり、さ
らにより広帯域幅のデータ転送を可能とするために、バ
ス幅を増やしてデータ転送速度を向上させる努力がなさ
れている。
【０００３】しかしながら、これらの技術的な開発は、
電気信号による能力向上を目指しており、電気配線上の
電気信号の伝達では、信号処理を高速で行うに際して電
気信号特有の課題がある。すなわち、信号の高速化に伴
うＲＣ遅延、クロストークによるノイズ、電磁輻射ノイ
ズ等の解決すべき問題があり、将来の要求に見合う高速
信号処理・伝送が電気信号では困難な状況となり、シス
テムの能力向上のネックとなっている。
電気信号による能力向上を目指しており、電気配線上の
電気信号の伝達では、信号処理を高速で行うに際して電
気信号特有の課題がある。すなわち、信号の高速化に伴
うＲＣ遅延、クロストークによるノイズ、電磁輻射ノイ
ズ等の解決すべき問題があり、将来の要求に見合う高速
信号処理・伝送が電気信号では困難な状況となり、シス
テムの能力向上のネックとなっている。
【０００４】一方、光信号は、高速、低損失、無誘導等
の特徴をもっている。そこで、この特徴を活かし、伝送
部を光信号で行い、処理部を電気信号で行うという光電
子技術（オプトエレクトロニクス）が注目されてきた。
これは、半導体レーザーやフォトダイオードのような光
の受発光素子の着実な進歩によるところがある。
の特徴をもっている。そこで、この特徴を活かし、伝送
部を光信号で行い、処理部を電気信号で行うという光電
子技術（オプトエレクトロニクス）が注目されてきた。
これは、半導体レーザーやフォトダイオードのような光
の受発光素子の着実な進歩によるところがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】光デバイスと電子デバ
イスを同じ基板上に混載してオプトエレクトロニクス用
モジュールを作製するに際し、個々のデバイス、特に光
デバイスは光ファイバーの接続部を持つピッグテールタ
イプが使用されるが、システムの規模が大きくなると、
光デバイスの余丁の光ファイバー部でデバイスを搭載す
る基板が埋め尽くされる事態となる。このため、電子デ
バイスを電気信号配線を形成したプリント基板に搭載す
る表面実装の概念を適用した光表面実装技術（光ＳＭ
Ｔ）が注目されてきた。すなわち、基板表面に電気信号
用の配線と光信号用の光導波路を形成し、電子デバイス
や光デバイスを表面実装しようとするものである。
イスを同じ基板上に混載してオプトエレクトロニクス用
モジュールを作製するに際し、個々のデバイス、特に光
デバイスは光ファイバーの接続部を持つピッグテールタ
イプが使用されるが、システムの規模が大きくなると、
光デバイスの余丁の光ファイバー部でデバイスを搭載す
る基板が埋め尽くされる事態となる。このため、電子デ
バイスを電気信号配線を形成したプリント基板に搭載す
る表面実装の概念を適用した光表面実装技術（光ＳＭ
Ｔ）が注目されてきた。すなわち、基板表面に電気信号
用の配線と光信号用の光導波路を形成し、電子デバイス
や光デバイスを表面実装しようとするものである。
【０００６】この光表面実装技術によれば、基板の表面
に電気信号用の配線及び光信号用の導波路が平面状に形
成されるが、光デバイスは基板上に搭載されるために、
受発光素子部が基板表面に対向することとなる。したが
って、基板表面の光導波路から垂直に光路を形成する必
要がある。このため、光路を曲げるために、４５度の全
反射ミラー部を光導波路部に形成する構造が提案されて
いる（エレクトロニクス実装技術、Vol.16，No.1、三
上、ｐ32−37、「光エレクトロニクス実装技術の現状と
課題」）。
に電気信号用の配線及び光信号用の導波路が平面状に形
成されるが、光デバイスは基板上に搭載されるために、
受発光素子部が基板表面に対向することとなる。したが
って、基板表面の光導波路から垂直に光路を形成する必
要がある。このため、光路を曲げるために、４５度の全
反射ミラー部を光導波路部に形成する構造が提案されて
いる（エレクトロニクス実装技術、Vol.16，No.1、三
上、ｐ32−37、「光エレクトロニクス実装技術の現状と
課題」）。
【０００７】しかしながら、この文献に示された方法で
は、ダイヤモンドブレードにより光導波路を切断して４
５度の端面を作りだすことから、光は基板上面に曲げら
れるのではなく、基板下面方向に曲がることになる。そ
のため、４５度全反射ミラー部を形成した光導波路は、
他の基板に転写して反対向きにしなければならない。と
ころが、転写による光導波路系の形成は、光ファイバー
とのアライメント精度等を考えると非常に困難なものと
なる。
は、ダイヤモンドブレードにより光導波路を切断して４
５度の端面を作りだすことから、光は基板上面に曲げら
れるのではなく、基板下面方向に曲がることになる。そ
のため、４５度全反射ミラー部を形成した光導波路は、
他の基板に転写して反対向きにしなければならない。と
ころが、転写による光導波路系の形成は、光ファイバー
とのアライメント精度等を考えると非常に困難なものと
なる。
【０００８】本発明は、上記のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、４５度全反
射ミラー部を形成した光導波路を反転する必要がなく、
したがって簡単に製造できる構造の実装用基板を提供
し、併せてそれを用いたデバイスの搭載構造を提供する
ことにある。
れたものであり、その目的とするところは、４５度全反
射ミラー部を形成した光導波路を反転する必要がなく、
したがって簡単に製造できる構造の実装用基板を提供
し、併せてそれを用いたデバイスの搭載構造を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、光デバイスと電子デバイスの両者を混載
するための実装用基板であって、光デバイスと電子デバ
イスを搭載する側から基板を貫通して反対側の面に電気
配線系が形成されているとともに、基板中に光導波路が
形成されており、その光導波路から光デバイスの受発光
部に向けて光信号を直角に曲げるように全反射ミラー部
が形成されていることを特徴とする。
め、本発明は、光デバイスと電子デバイスの両者を混載
するための実装用基板であって、光デバイスと電子デバ
イスを搭載する側から基板を貫通して反対側の面に電気
配線系が形成されているとともに、基板中に光導波路が
形成されており、その光導波路から光デバイスの受発光
部に向けて光信号を直角に曲げるように全反射ミラー部
が形成されていることを特徴とする。
【００１０】上記構成の実装用基板は、次の各工程を順
に行うことによって製造することができる。 （１）金属基材の上に光導波路を形成する工程。 （２）光導波路の所定位置に全反射ミラー部を形成する
工程。 （３）光導波路を覆って電気配線系のための絶縁層を形
成する工程。 （４）絶縁層の上に電気配線系を形成する工程。 （５）電気配線系を基板の反対面に導くためのプラグを
形成する工程。 （６）金属基材の不要部分を除去してプラグの先端に端
子部を形成する工程。
に行うことによって製造することができる。 （１）金属基材の上に光導波路を形成する工程。 （２）光導波路の所定位置に全反射ミラー部を形成する
工程。 （３）光導波路を覆って電気配線系のための絶縁層を形
成する工程。 （４）絶縁層の上に電気配線系を形成する工程。 （５）電気配線系を基板の反対面に導くためのプラグを
形成する工程。 （６）金属基材の不要部分を除去してプラグの先端に端
子部を形成する工程。
【００１１】この製造方法では、金属基材として、銅を
主成分とする基材を用いることができる。また、金属基
材として、鉄とニッケルを主成分とする合金からなる基
材を使用し、その表面に予め剥離処理層を形成したもの
を用いることもできる。
主成分とする基材を用いることができる。また、金属基
材として、鉄とニッケルを主成分とする合金からなる基
材を使用し、その表面に予め剥離処理層を形成したもの
を用いることもできる。
【００１２】そして、上記の実装用基板を使用したデバ
イスの搭載構造は、光デバイスの受発光部と光デバイス
搭載面である基板面との間を中空でない構造とすること
が好ましく、具体的には、その光デバイスの受発光部と
光デバイス搭載面である基板面との間を樹脂で充填する
ことが好ましいものである。
イスの搭載構造は、光デバイスの受発光部と光デバイス
搭載面である基板面との間を中空でない構造とすること
が好ましく、具体的には、その光デバイスの受発光部と
光デバイス搭載面である基板面との間を樹脂で充填する
ことが好ましいものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１４】図１〜図２は本発明に係る実装用基板の製
造方法を示す一つの工程図であり、以下にこれらの図面
を参照して製造手順を説明する。
造方法を示す一つの工程図であり、以下にこれらの図面
を参照して製造手順を説明する。
【００１５】まず、図１（ａ）に示すように銅を主成分
とする金属基材１０を用意する。そして、図１（ｂ）に
示す如くその金属基材１０の上に光導波路１１を形成す
る。具体的には、光導波路形成材料（例えば、Ｄｕｐｏ
ｎｔ製「Ｐｏｌｙ Ｇｕｉｄｅ」）を用いて絶縁層１
２，１３にサンドイッチされた状態で光導波路１１を金
属基材１０の上に形成する。次に、図１（ｃ）に示すよ
うに、光導波路１１の所定位置にダイヤモンドブレード
により全反射ミラー部１４を形成した後、これを覆うよ
うにして電気配線のための絶縁層１５を形成する。この
絶縁層１５は基板の平坦化の役目も果たす。
とする金属基材１０を用意する。そして、図１（ｂ）に
示す如くその金属基材１０の上に光導波路１１を形成す
る。具体的には、光導波路形成材料（例えば、Ｄｕｐｏ
ｎｔ製「Ｐｏｌｙ Ｇｕｉｄｅ」）を用いて絶縁層１
２，１３にサンドイッチされた状態で光導波路１１を金
属基材１０の上に形成する。次に、図１（ｃ）に示すよ
うに、光導波路１１の所定位置にダイヤモンドブレード
により全反射ミラー部１４を形成した後、これを覆うよ
うにして電気配線のための絶縁層１５を形成する。この
絶縁層１５は基板の平坦化の役目も果たす。
【００１６】続いて、図２（ａ）に示すように、絶縁層
１５の上に電気配線１６を形成する。この電気配線１６
は、絶縁層１５の上に銅箔を貼り合わせ、エッチングに
て所望パターンに形成してもよいし、或いは、絶縁層１
５の上に給電層を形成し、レジスト製版の後にメッキに
より配線部のみを所定の厚みに形成する所謂アディティ
ブ法で形成するようにしてもよい。
１５の上に電気配線１６を形成する。この電気配線１６
は、絶縁層１５の上に銅箔を貼り合わせ、エッチングに
て所望パターンに形成してもよいし、或いは、絶縁層１
５の上に給電層を形成し、レジスト製版の後にメッキに
より配線部のみを所定の厚みに形成する所謂アディティ
ブ法で形成するようにしてもよい。
【００１７】このように電気配線系を形成した後、図２
（ｂ）に示すように、電気配線１６を反対面に導くため
のプラグ１７を形成する。具体的には、プラグを形成す
べき部分にドリルを用いて貫通孔を開けた後、基板の両
面（電気配線層とデバイス搭載用端子部が形成されてい
る面）にドライフィルムを積層し、ドリルにより孔の開
けられた部分が露出する所定形状のパターンを用いて露
光及び現像を施す。さらに無電界メッキ、電気メッキに
より両面の端子と配線を電気的に接続する。或いは、プ
ラグを形成すべき部分にドリルを用いて貫通孔を形成
し、導電性ペーストを埋め込んでもよい。また、孔開け
方法としてレーザーを用いてもよい。
（ｂ）に示すように、電気配線１６を反対面に導くため
のプラグ１７を形成する。具体的には、プラグを形成す
べき部分にドリルを用いて貫通孔を開けた後、基板の両
面（電気配線層とデバイス搭載用端子部が形成されてい
る面）にドライフィルムを積層し、ドリルにより孔の開
けられた部分が露出する所定形状のパターンを用いて露
光及び現像を施す。さらに無電界メッキ、電気メッキに
より両面の端子と配線を電気的に接続する。或いは、プ
ラグを形成すべき部分にドリルを用いて貫通孔を形成
し、導電性ペーストを埋め込んでもよい。また、孔開け
方法としてレーザーを用いてもよい。
【００１８】次いで、基板の電気配線系とは反対面に、
プラグ１７の先端に位置する端子部１８を形成する。具
体的には、銅の金属基材１０の上にフォトレジストをコ
ーティングしてから、所定のフォトマスクを介しての露
光とそれに続く現像により、パターンされたレジスト膜
を形成した後、銅の金属基材１０をエッチングして端子
部１８を残すようにパターニングする。これにより、図
２（ｃ）に示す如き実装用基板が得られる。
プラグ１７の先端に位置する端子部１８を形成する。具
体的には、銅の金属基材１０の上にフォトレジストをコ
ーティングしてから、所定のフォトマスクを介しての露
光とそれに続く現像により、パターンされたレジスト膜
を形成した後、銅の金属基材１０をエッチングして端子
部１８を残すようにパターニングする。これにより、図
２（ｃ）に示す如き実装用基板が得られる。
【００１９】このようにして作製した実装用基板の所定
位置に、光デバイスＡと半導体デバイスＢをフリップチ
ップアタッチした後、必要に応じてアクリル樹脂等の光
透過率の高い樹脂１９を光デバイスＡと基板との間の空
間に充填することにより、図２（ｄ）に示す如きモジュ
ールを製造することができる。なお、図２（ｄ）では基
板を反転して図示している。
位置に、光デバイスＡと半導体デバイスＢをフリップチ
ップアタッチした後、必要に応じてアクリル樹脂等の光
透過率の高い樹脂１９を光デバイスＡと基板との間の空
間に充填することにより、図２（ｄ）に示す如きモジュ
ールを製造することができる。なお、図２（ｄ）では基
板を反転して図示している。
【００２０】図３〜図４は本発明に係る実装用基板の製
造方法を示すもう一つの工程図であり、以下にこれらの
図面を参照して製造手順を説明する。
造方法を示すもう一つの工程図であり、以下にこれらの
図面を参照して製造手順を説明する。
【００２１】まず、図３（ａ）に示すように、鉄とニッ
ケルを主成分とする合金（４２合金）からなる金属基材
２０を用意し、図３（ｂ）に示す如くその金属基材２０
の表面に剥離処理層２０ａを形成する。この剥離処理層
２０ａは、銅メッキ又は亜鉛メッキを施して形成する。
そして、図３（ｃ）に示す如くその金属基材２０の上に
先の例と同様の光導波路２１を形成する。すなわち、光
導波路形成材料（例えば、Ｄｕｐｏｎｔ製「Ｐｏｌｙ
Ｇｕｉｄｅ」）を用いて絶縁層２２，２３にサンドイッ
チされた状態で光導波路２１を金属基材２０の上に形成
する。次に、図３（ｄ）に示すように、光導波路２１の
所定位置にダイヤモンドブレードにより全反射ミラー部
２４を形成した後、これを覆うようにして電気配線のた
めの絶縁層２５を形成する。この絶縁層２５は基板の平
坦化の役目も果たす。
ケルを主成分とする合金（４２合金）からなる金属基材
２０を用意し、図３（ｂ）に示す如くその金属基材２０
の表面に剥離処理層２０ａを形成する。この剥離処理層
２０ａは、銅メッキ又は亜鉛メッキを施して形成する。
そして、図３（ｃ）に示す如くその金属基材２０の上に
先の例と同様の光導波路２１を形成する。すなわち、光
導波路形成材料（例えば、Ｄｕｐｏｎｔ製「Ｐｏｌｙ
Ｇｕｉｄｅ」）を用いて絶縁層２２，２３にサンドイッ
チされた状態で光導波路２１を金属基材２０の上に形成
する。次に、図３（ｄ）に示すように、光導波路２１の
所定位置にダイヤモンドブレードにより全反射ミラー部
２４を形成した後、これを覆うようにして電気配線のた
めの絶縁層２５を形成する。この絶縁層２５は基板の平
坦化の役目も果たす。
【００２２】続いて、図４（ａ）に示すように、絶縁層
２５の上に先の例と同様にして電気配線２６を形成し、
さらにこれもまた同様にして電気配線２６を反対面に導
くためのプラグ２７を形成する。
２５の上に先の例と同様にして電気配線２６を形成し、
さらにこれもまた同様にして電気配線２６を反対面に導
くためのプラグ２７を形成する。
【００２３】次いで、プラグ２７までを形成した基板を
希塩酸溶液に浸漬して金属基材２０である４２合金を剥
離する。この剥離工程に時間を要する時には、２合金に
ドットパターン或いはメッシュパターンを形成して部分
的にエッチングした後で希塩酸への浸漬工程を実施して
もよい。この剥離工程の後、プラグ２７が露出した端子
部２７ａにニッケル下地の金メッキを行う。これによ
り、図４（ｃ）に示す如き実装用基板が得られる。
希塩酸溶液に浸漬して金属基材２０である４２合金を剥
離する。この剥離工程に時間を要する時には、２合金に
ドットパターン或いはメッシュパターンを形成して部分
的にエッチングした後で希塩酸への浸漬工程を実施して
もよい。この剥離工程の後、プラグ２７が露出した端子
部２７ａにニッケル下地の金メッキを行う。これによ
り、図４（ｃ）に示す如き実装用基板が得られる。
【００２４】このようにして作製した実装用基板の所定
位置に、光デバイスＡと半導体デバイスＢをフリップチ
ップアタッチした後、必要に応じてアクリル樹脂等の光
透過率の高い樹脂２９を光デバイスＡと基板との間の空
間に充填することにより、図４（ｄ）に示す如きモジュ
ールを製造することができる。なお、図４（ｄ）では基
板を反転して図示している。
位置に、光デバイスＡと半導体デバイスＢをフリップチ
ップアタッチした後、必要に応じてアクリル樹脂等の光
透過率の高い樹脂２９を光デバイスＡと基板との間の空
間に充填することにより、図４（ｄ）に示す如きモジュ
ールを製造することができる。なお、図４（ｄ）では基
板を反転して図示している。
【００２５】以上に説明した２つの工程でそれぞれ得ら
れたモジュールは、光デバイスＡと電子デバイスＢを搭
載する側から基板を貫通して反対側の面に電気配線が形
成されているとともに、基板中に光導波路が形成されて
おり、その光導波路から光デバイスの受発光部に向けて
光信号を直角に曲げるように全反射ミラー部が形成され
たものとなる。そして、光信号が光導波路の端部の全反
射ミラー部により垂直に曲げられ、光デバイスに伝わる
ことになる。
れたモジュールは、光デバイスＡと電子デバイスＢを搭
載する側から基板を貫通して反対側の面に電気配線が形
成されているとともに、基板中に光導波路が形成されて
おり、その光導波路から光デバイスの受発光部に向けて
光信号を直角に曲げるように全反射ミラー部が形成され
たものとなる。そして、光信号が光導波路の端部の全反
射ミラー部により垂直に曲げられ、光デバイスに伝わる
ことになる。
【００２６】さらに、上記のような構造を持つ実装用基
板に光デバイスを搭載する際に、光デバイスの受発光部
と基板面の間を中空でない構造、例えば例示した如く樹
脂にて充填すると、光導波路部分を通ってきた光信号が
空間という樹脂とは大きく異なる屈折率を持つ部分を通
ることなく効率よく光デバイスに到達する。
板に光デバイスを搭載する際に、光デバイスの受発光部
と基板面の間を中空でない構造、例えば例示した如く樹
脂にて充填すると、光導波路部分を通ってきた光信号が
空間という樹脂とは大きく異なる屈折率を持つ部分を通
ることなく効率よく光デバイスに到達する。
【００２７】以上、本発明を実施の形態に基づいて詳細
に説明してきたが、本発明による実装用基板は、上記実
施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨
を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であること
は当然のことである。例えば、電気配線部は多層構造で
あってもよい。
に説明してきたが、本発明による実装用基板は、上記実
施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨
を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であること
は当然のことである。例えば、電気配線部は多層構造で
あってもよい。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の実装用基
板は、光デバイスと電子デバイスの両者を混載するため
の実装用基板であって、光デバイスと電子デバイスを搭
載する側から基板を貫通して反対側の面に電気配線が形
成されているとともに、基板中に光導波路が形成されて
おり、その光導波路から光デバイスの受発光部に向けて
光信号を直角に曲げるように全反射ミラー部が形成され
ていることを特徴としているので、金属基材の上に光導
波路を形成し、その光導波路の上に必要とする電気配線
系を積み上げて行き、電気配線系の形成が完了した後
で、金属基材部を取り去るという簡単な工程で製造する
ことができる。
板は、光デバイスと電子デバイスの両者を混載するため
の実装用基板であって、光デバイスと電子デバイスを搭
載する側から基板を貫通して反対側の面に電気配線が形
成されているとともに、基板中に光導波路が形成されて
おり、その光導波路から光デバイスの受発光部に向けて
光信号を直角に曲げるように全反射ミラー部が形成され
ていることを特徴としているので、金属基材の上に光導
波路を形成し、その光導波路の上に必要とする電気配線
系を積み上げて行き、電気配線系の形成が完了した後
で、金属基材部を取り去るという簡単な工程で製造する
ことができる。
【００２９】そして、上記の実装用基板に光デバイスを
搭載する際に、光デバイスの受発光部と基板面の間を中
空でない構造、例えば樹脂にて充填することにより、光
導波路部分を通ってきた光信号が空間という樹脂とは大
きく異なる屈折率を持つ部分を通ることなく効率よく光
デバイスに到達する構造にすることができる。
搭載する際に、光デバイスの受発光部と基板面の間を中
空でない構造、例えば樹脂にて充填することにより、光
導波路部分を通ってきた光信号が空間という樹脂とは大
きく異なる屈折率を持つ部分を通ることなく効率よく光
デバイスに到達する構造にすることができる。
【図１】本発明に係る実装用基板の製造手順を示す一つ
の工程図である。
の工程図である。
【図２】図１に続く工程図である。
【図３】本発明に係る実装用基板の製造手順を示すもう
一つの工程図である。
一つの工程図である。
【図４】図３に続く工程図である。
Ａ 光デバイス ａ 受発光部 Ｂ 電子デバイス １０ 金属基材 １１ 光導波路 １２，１３ 絶縁層 １４ 全反射ミラー部 １５ 絶縁層 １６ 電気配線 １７ プラグ １８ 端子部 １９ 樹脂 ２０ 金属基材 ２０ａ 剥離処理部 ２１ 光導波路 ２２，２３ 絶縁層 ２４ 全反射ミラー部 ２５ 絶縁層 ２６ 電気配線 ２７ プラグ ２７ａ 端子部 ２９ 樹脂
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H047 KA04 LA09 MA07 PA24 QA05 TA43 5E317 AA24 BB05 BB12 CC32 CC33 CD15 5E336 AA04 AA12 BB02 BB16 BC01 CC31 CC42 CC51 CC55 EE03 GG25 5E338 AA02 AA11 BB13 BB25 CC01 EE32
Claims (6)
- 【請求項１】 光デバイスと電子デバイスの両者を混載
するための実装用基板であって、光デバイスと電子デバ
イスを搭載する側から基板を貫通して反対側の面に電気
配線系が形成されているとともに、基板中に光導波路が
形成されており、その光導波路から光デバイスの受発光
部に向けて光信号を直角に曲げるように全反射ミラー部
が形成されていることを特徴とする実装用基板。 - 【請求項２】 請求項１に記載の実装用基板を製造する
方法であって、次の各工程を含むことを特徴とする実装
用基板の製造方法。 （１）金属基材の上に光導波路を形成する工程。 （２）光導波路の所定位置に全反射ミラー部を形成する
工程。 （３）光導波路を覆って電気配線系のための絶縁層を形
成する工程。 （４）絶縁層の上に電気配線系を形成する工程。 （５）電気配線系を基板の反対面に導くためのプラグを
形成する工程。 （６）金属基材の不要部分を除去してプラグの先端に端
子部を形成する工程。 - 【請求項３】 金属基材として、銅を主成分とする基材
を用いることを特徴とする請求項２に記載の実装用基板
の製造方法。 - 【請求項４】 金属基材として、鉄とニッケルを主成分
とする合金からなる基材を使用し、その表面に予め剥離
処理層を形成したことを特徴とする請求項２に記載の実
装用基板の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１に記載の実装用基板を用いたデ
バイスの搭載構造であって、光デバイスの受発光部と光
デバイス搭載面である基板面との間を中空でない構造と
したことを特徴とするデバイスの搭載構造。 - 【請求項６】 請求項１に記載の実装用基板を用いたデ
バイスの搭載構造であって、光デバイスの受発光部と光
デバイス搭載面である基板面との間を樹脂で充填したこ
とを特徴とするデバイスの搭載構造。
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