JP2002175933A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 積層体に機械的負荷を加えることなく静電容
量を調整できる積層セラミックコンデンサを提供するこ
とを目的とするものである。 【解決手段】 本発明の積層セラミックコンデンサ１
は、積層体の前面と背面に前記内部電極５〜２２に接続
し対向する一対の外部電極を複数並設してこの一対の外
部電極間のそれぞれにコンデンサを形成し、積層体の前
面と背面に相隣接する２つの外部電極間を接続する接続
電極を前面と後面で１列ずつずらして形成することによ
り、積層体の前面と背面に並設する一対の外部電極間の
コンデンサを複数、直列に接続した構成を得るので、任
意の外部電極を選択することで直列に接続したコンデン
サに見合う静電容量を得ることができるという効果が得
られる。
量を調整できる積層セラミックコンデンサを提供するこ
とを目的とするものである。 【解決手段】 本発明の積層セラミックコンデンサ１
は、積層体の前面と背面に前記内部電極５〜２２に接続
し対向する一対の外部電極を複数並設してこの一対の外
部電極間のそれぞれにコンデンサを形成し、積層体の前
面と背面に相隣接する２つの外部電極間を接続する接続
電極を前面と後面で１列ずつずらして形成することによ
り、積層体の前面と背面に並設する一対の外部電極間の
コンデンサを複数、直列に接続した構成を得るので、任
意の外部電極を選択することで直列に接続したコンデン
サに見合う静電容量を得ることができるという効果が得
られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は積層体の両面に複数
の外部電極を形成し、静電容量を調整できる積層セラミ
ックコンデンサに関するものである。
の外部電極を形成し、静電容量を調整できる積層セラミ
ックコンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の積層セラミックコンデンサは、特
開平７−１０６１９６号公報に記載されたものが知られ
ている。
開平７−１０６１９６号公報に記載されたものが知られ
ている。
【０００３】図１１は従来の積層セラミックコンデンサ
の分解斜視図、図１２は同従来の積層セラミックコンデ
ンサの外観斜視図である。
の分解斜視図、図１２は同従来の積層セラミックコンデ
ンサの外観斜視図である。
【０００４】図１１，図１２において、１００は積層セ
ラミックコンデンサであり、この積層セラミックコンデ
ンサ１００は、複数のセラミック層１０１と複数の内部
電極１０２，１０３とを交互に積層して積層体１０４を
形成し、この積層体１０４の対向する両面に前記内部電
極１０２，１０３と接続される外部電極１０５，１０６
を形成し、この外部電極１０５と１０６の間に前記内部
電極１０２と１０３との重なり面積に依存する静電容量
を発現している。そして、積層体１０４の上面側から、
積層体１０４の一部を例えばレーザを用いて所定の深さ
まで切削溝１０７を形成することにより、所定枚数の内
部電極１０２，１０３を切断して静電容量の調整を行う
ものである。
ラミックコンデンサであり、この積層セラミックコンデ
ンサ１００は、複数のセラミック層１０１と複数の内部
電極１０２，１０３とを交互に積層して積層体１０４を
形成し、この積層体１０４の対向する両面に前記内部電
極１０２，１０３と接続される外部電極１０５，１０６
を形成し、この外部電極１０５と１０６の間に前記内部
電極１０２と１０３との重なり面積に依存する静電容量
を発現している。そして、積層体１０４の上面側から、
積層体１０４の一部を例えばレーザを用いて所定の深さ
まで切削溝１０７を形成することにより、所定枚数の内
部電極１０２，１０３を切断して静電容量の調整を行う
ものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の積層セラミ
ックコンデンサの静電容量の調整方法によれば、積層体
１０４に切削加工により積層体１０４の欠け、割れ、セ
ラミック層１０１と内部電極１０２，１０３間の剥離や
歪みなどの欠陥が発生し易く、品質を損ないやすいとい
う問題があった。
ックコンデンサの静電容量の調整方法によれば、積層体
１０４に切削加工により積層体１０４の欠け、割れ、セ
ラミック層１０１と内部電極１０２，１０３間の剥離や
歪みなどの欠陥が発生し易く、品質を損ないやすいとい
う問題があった。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、積層体を切削するなどの機械的負荷を加えることな
く静電容量を調整できる積層セラミックコンデンサを提
供することを目的とするものである。
で、積層体を切削するなどの機械的負荷を加えることな
く静電容量を調整できる積層セラミックコンデンサを提
供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、以下の構成を有するものである。
に、以下の構成を有するものである。
【０００８】本発明の請求項１に記載の発明は、内部電
極とセラミック層とを積層した積層体の前面と背面に前
記内部電極に接続し対向する一対の外部電極を複数並設
してこの一対の外部電極間のそれぞれにコンデンサを形
成した積層セラミックコンデンサにおいて、前記積層体
の前面と背面に相隣接する２つの外部電極間を接続する
接続電極を前面と後面で１列ずつずらして形成した積層
セラミックコンデンサであり、これにより、積層体の前
面と背面に並設する一対の外部電極間のコンデンサを複
数、直列に接続した構成を得るので、任意の外部電極を
選択することで直列に接続したコンデンサに見合う静電
容量を得ることができるという作用、効果が得られる。
極とセラミック層とを積層した積層体の前面と背面に前
記内部電極に接続し対向する一対の外部電極を複数並設
してこの一対の外部電極間のそれぞれにコンデンサを形
成した積層セラミックコンデンサにおいて、前記積層体
の前面と背面に相隣接する２つの外部電極間を接続する
接続電極を前面と後面で１列ずつずらして形成した積層
セラミックコンデンサであり、これにより、積層体の前
面と背面に並設する一対の外部電極間のコンデンサを複
数、直列に接続した構成を得るので、任意の外部電極を
選択することで直列に接続したコンデンサに見合う静電
容量を得ることができるという作用、効果が得られる。
【０００９】本発明の請求項２に記載の発明は、一対の
外部電極間のコンデンサ容量が並設方向に暫減する構成
とした請求項１に記載の積層セラミックコンデンサであ
り、これにより、コンデンサを直列に増やすごとに容量
の変化幅が小さくなるのでコンデンサ容量を精度良く調
整できるという作用、効果が得られる。
外部電極間のコンデンサ容量が並設方向に暫減する構成
とした請求項１に記載の積層セラミックコンデンサであ
り、これにより、コンデンサを直列に増やすごとに容量
の変化幅が小さくなるのでコンデンサ容量を精度良く調
整できるという作用、効果が得られる。
【００１０】本発明の請求項３に記載の発明は、積層体
の前面と背面に接続電極を形成した請求項１に記載の積
層セラミックコンデンサであり、これにより、セラミッ
ク層と内部電極とを積層した積層体の外部電極を容易に
接続でき、静電容量の異なる種々の積層セラミックコン
デンサを得ることができるという作用、効果が得られ
る。
の前面と背面に接続電極を形成した請求項１に記載の積
層セラミックコンデンサであり、これにより、セラミッ
ク層と内部電極とを積層した積層体の外部電極を容易に
接続でき、静電容量の異なる種々の積層セラミックコン
デンサを得ることができるという作用、効果が得られ
る。
【００１１】本発明の請求項４に記載の発明は、積層体
の上面又は下面の少なくとも一つの面に接続電極を形成
した請求項１に記載の積層セラミックコンデンサであ
り、これにより、積層体の外部電極の形成面となる前
面、背面と異なる面に接続電極を形成したため回路基板
に半田付けする際に接続電極を損なうことが無く高信頼
性を維持することができるという作用、効果が得られ、
且つ、回路基板に実装した後も接続電極の位置を容易に
検知できるので所定の静電容量を得るための外部電極の
選択を確実に行うことができるという作用、効果が得ら
れる。
の上面又は下面の少なくとも一つの面に接続電極を形成
した請求項１に記載の積層セラミックコンデンサであ
り、これにより、積層体の外部電極の形成面となる前
面、背面と異なる面に接続電極を形成したため回路基板
に半田付けする際に接続電極を損なうことが無く高信頼
性を維持することができるという作用、効果が得られ、
且つ、回路基板に実装した後も接続電極の位置を容易に
検知できるので所定の静電容量を得るための外部電極の
選択を確実に行うことができるという作用、効果が得ら
れる。
【００１２】本発明の請求項５に記載の発明は、積層体
の内部のセラミック層の上面に接続電極を形成した請求
項１に記載の積層セラミックコンデンサであり、これに
より、回路基板に外部電極を半田付けする際に接続電極
を損なうことが無く高信頼性を維持することができる。
の内部のセラミック層の上面に接続電極を形成した請求
項１に記載の積層セラミックコンデンサであり、これに
より、回路基板に外部電極を半田付けする際に接続電極
を損なうことが無く高信頼性を維持することができる。
【００１３】本発明の請求項６に記載の発明は、粒界絶
縁型半導体でセラミック層を形成した請求項１に記載の
積層セラミックコンデンサであり、これにより、外部電
極間に高電圧パルスを吸収するバリスタ機能を有すると
ともに、コンデンサ容量を調整でき、多種のノイズを吸
収できるという作用、効果が得られる。
縁型半導体でセラミック層を形成した請求項１に記載の
積層セラミックコンデンサであり、これにより、外部電
極間に高電圧パルスを吸収するバリスタ機能を有すると
ともに、コンデンサ容量を調整でき、多種のノイズを吸
収できるという作用、効果が得られる。
【００１４】本発明の請求項７に記載の発明は、複数の
セラミック層を積層して積層体とし、この積層体が誘電
体及び電圧依存性抵抗体からなるセラミック層をそれぞ
れ、少なくとも１層以上備えた請求項１に記載の積層セ
ラミックコンデンサであり、これにより、外部電極間に
コンデンサと電圧依存性抵抗の機能を兼ね備え、外部電
極を選択することでコンデンサと電圧依存性抵抗の組み
合わせ特性を容易に調整できてノイズ除去に優れた積層
セラミックコンデンサを得ることができるという作用、
効果が得られる。
セラミック層を積層して積層体とし、この積層体が誘電
体及び電圧依存性抵抗体からなるセラミック層をそれぞ
れ、少なくとも１層以上備えた請求項１に記載の積層セ
ラミックコンデンサであり、これにより、外部電極間に
コンデンサと電圧依存性抵抗の機能を兼ね備え、外部電
極を選択することでコンデンサと電圧依存性抵抗の組み
合わせ特性を容易に調整できてノイズ除去に優れた積層
セラミックコンデンサを得ることができるという作用、
効果が得られる。
【００１５】本発明の請求項８に記載の発明は、幅小の
線路で接続電極を形成してインダクタンスを構成した請
求項１に記載の積層セラミックコンデンサであり、これ
により、直列に接続したコンデンサ間にインダクタンス
を挿入し、周波数の帯域フィルタを備えた積層セラミッ
クコンデンサを得ることができるという作用、効果が得
られる。
線路で接続電極を形成してインダクタンスを構成した請
求項１に記載の積層セラミックコンデンサであり、これ
により、直列に接続したコンデンサ間にインダクタンス
を挿入し、周波数の帯域フィルタを備えた積層セラミッ
クコンデンサを得ることができるという作用、効果が得
られる。
【００１６】本発明の請求項９に記載の発明は、積層体
の相対向する両側面に対向する第二の外部電極を形成し
た請求項１に記載の積層セラミックコンデンサであり、
これにより、第二の外部電極と機器の回路基板と機械的
に接続できるので、回路基板との接続が補強されて信頼
性が優れたものになるという作用、効果が得られる。
の相対向する両側面に対向する第二の外部電極を形成し
た請求項１に記載の積層セラミックコンデンサであり、
これにより、第二の外部電極と機器の回路基板と機械的
に接続できるので、回路基板との接続が補強されて信頼
性が優れたものになるという作用、効果が得られる。
【００１７】本発明の請求項１０に記載の発明は、第二
の外部電極の一方を積層体の前面又は背面の外部電極に
接続した請求項９に記載の積層セラミックコンデンサで
あり、これにより、内部電極と接続し積層体の前面、背
面に並設した外部電極の一方を機器の回路基板に半田付
けすることなく、前記第二の外部電極を用いて接続して
所定のコンデンサを得ることができるので、内部電極と
外部電極の接続部が半田熱や回路基板の歪みで損傷する
ことなく、信頼性が優れたものになるという作用、効果
が得られる。
の外部電極の一方を積層体の前面又は背面の外部電極に
接続した請求項９に記載の積層セラミックコンデンサで
あり、これにより、内部電極と接続し積層体の前面、背
面に並設した外部電極の一方を機器の回路基板に半田付
けすることなく、前記第二の外部電極を用いて接続して
所定のコンデンサを得ることができるので、内部電極と
外部電極の接続部が半田熱や回路基板の歪みで損傷する
ことなく、信頼性が優れたものになるという作用、効果
が得られる。
【００１８】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、実施の形
態１を用いて、本発明の特に請求項１〜３に記載の発明
について説明する。
態１を用いて、本発明の特に請求項１〜３に記載の発明
について説明する。
【００１９】図１は本発明の実施の形態１における積層
セラミックコンデンサの分解斜視図、図２は同実施の形
態１における積層セラミックコンデンサの断面図、図３
は同実施の形態１における積層セラミックコンデンサの
外観斜視図、図４は同実施の形態１における積層セラミ
ックコンデンサの等価回路図である。
セラミックコンデンサの分解斜視図、図２は同実施の形
態１における積層セラミックコンデンサの断面図、図３
は同実施の形態１における積層セラミックコンデンサの
外観斜視図、図４は同実施の形態１における積層セラミ
ックコンデンサの等価回路図である。
【００２０】図１〜図３において、１は積層セラミック
コンデンサであり、この積層セラミックコンデンサ１は
内部電極５〜１３，１４〜２２を複数並設したセラミッ
ク層２，３を交互に積層して積層体４を形成し、この積
層体４の前面２３と背面２４には、前記内部電極５〜１
３に接続した外部電極２５〜３３及び前記内部電極１４
〜２２に接続した外部電極３４〜４２を形成している。
コンデンサであり、この積層セラミックコンデンサ１は
内部電極５〜１３，１４〜２２を複数並設したセラミッ
ク層２，３を交互に積層して積層体４を形成し、この積
層体４の前面２３と背面２４には、前記内部電極５〜１
３に接続した外部電極２５〜３３及び前記内部電極１４
〜２２に接続した外部電極３４〜４２を形成している。
【００２１】前記内部電極５〜１３，１４〜２２は並設
方向にその面積を暫減するように形成し、セラミック層
２，３を介して重なり合う内部電極５と１４、６と１
５、７と１６、８と１７、９と１８、１０と１９、１１
と２０、１２と２１、１３と２２との間にコンデンサ容
量を有し、コンデンサ容量を内部電極５〜１３、１４〜
２２の並設方向に暫減する構成としている。
方向にその面積を暫減するように形成し、セラミック層
２，３を介して重なり合う内部電極５と１４、６と１
５、７と１６、８と１７、９と１８、１０と１９、１１
と２０、１２と２１、１３と２２との間にコンデンサ容
量を有し、コンデンサ容量を内部電極５〜１３、１４〜
２２の並設方向に暫減する構成としている。
【００２２】また、前記積層体４の前面２３において、
相隣接する外部電極２６と２７、２８と２９、３０と３
１、３２と３３をそれぞれ積層４に設けた接続電極４
３，４４，４５，４６により接続し、積層体４の背面２
４において、前記接続電極４３〜４６と１列ずつずらし
て接続電極４７，４８，４９，５０を形成し、相隣接す
る外部電極３４と３５、３６と３７、３８と３９、４０
と４１をそれぞれ接続した構成としている。
相隣接する外部電極２６と２７、２８と２９、３０と３
１、３２と３３をそれぞれ積層４に設けた接続電極４
３，４４，４５，４６により接続し、積層体４の背面２
４において、前記接続電極４３〜４６と１列ずつずらし
て接続電極４７，４８，４９，５０を形成し、相隣接す
る外部電極３４と３５、３６と３７、３８と３９、４０
と４１をそれぞれ接続した構成としている。
【００２３】これにより、外部電極２５と３４、２６と
３５、２７と３６、２８と３７、２９と３８、３０と３
９、３１と４０、３２と４１、３３と４２の間にそれぞ
れ形成されたコンデンサ容量Ｃ1〜Ｃ9が直列に接続した
構成とし、コンデンサ容量は外部電極２５と３４にＣ
１、外部電極２５と３５にＣ１×Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ
２）、外部電極２５と３６にＣ１×Ｃ２×Ｃ３／（Ｃ１
＋Ｃ２＋Ｃ３）、外部電極２５と４２にＣ１×Ｃ２×Ｃ
３×Ｃ４×Ｃ５×Ｃ６×Ｃ７×Ｃ８×Ｃ９／（Ｃ１＋Ｃ
２＋Ｃ３＋Ｃ４＋Ｃ５＋Ｃ６＋Ｃ７＋Ｃ８＋Ｃ９）と暫
減して発現し、その暫減する変化量は徐々に小さくな
る。
３５、２７と３６、２８と３７、２９と３８、３０と３
９、３１と４０、３２と４１、３３と４２の間にそれぞ
れ形成されたコンデンサ容量Ｃ1〜Ｃ9が直列に接続した
構成とし、コンデンサ容量は外部電極２５と３４にＣ
１、外部電極２５と３５にＣ１×Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ
２）、外部電極２５と３６にＣ１×Ｃ２×Ｃ３／（Ｃ１
＋Ｃ２＋Ｃ３）、外部電極２５と４２にＣ１×Ｃ２×Ｃ
３×Ｃ４×Ｃ５×Ｃ６×Ｃ７×Ｃ８×Ｃ９／（Ｃ１＋Ｃ
２＋Ｃ３＋Ｃ４＋Ｃ５＋Ｃ６＋Ｃ７＋Ｃ８＋Ｃ９）と暫
減して発現し、その暫減する変化量は徐々に小さくな
る。
【００２４】また、回路基板に接続する外部電極の２５
〜４２の一方が前記外部電極２５に制約されるものでな
く、任意の外部電極の組み合わせを選択することで更に
多くのコンデンサ容量を設定できる。
〜４２の一方が前記外部電極２５に制約されるものでな
く、任意の外部電極の組み合わせを選択することで更に
多くのコンデンサ容量を設定できる。
【００２５】（実施の形態２）以下、実施の形態２を用
いて、本発明の特に請求項４に記載の発明について説明
する。尚、前記実施の形態１と共通となる基本構成は詳
細な記述を省きここでは特徴とする部分について記載す
る。
いて、本発明の特に請求項４に記載の発明について説明
する。尚、前記実施の形態１と共通となる基本構成は詳
細な記述を省きここでは特徴とする部分について記載す
る。
【００２６】図５は本発明の実施の形態２における積層
セラミックコンデンサの外観斜視図である。
セラミックコンデンサの外観斜視図である。
【００２７】図５において５１〜５４、５５〜５８は接
続電極であり、積層体４の上面５９、及び下面６０に形
成し、前記積層体４の前面２３において、相隣接する外
部電極２６と２７、２８と２９、３０と３１、３２と３
３をそれぞれ積層４の上面５９又は下面６０に設けた接
続電極５１〜５４により接続し、積層体４の背面２４に
おいて、前記接続電極５１〜５４と１列ずつずらして接
続電極５６〜５８を積層体４の上面５９、及び下面６０
に形成し、相隣接する外部電極３４と３５、３６と３
７、３８と３９、４０と４１をそれぞれ接続した構成と
している。
続電極であり、積層体４の上面５９、及び下面６０に形
成し、前記積層体４の前面２３において、相隣接する外
部電極２６と２７、２８と２９、３０と３１、３２と３
３をそれぞれ積層４の上面５９又は下面６０に設けた接
続電極５１〜５４により接続し、積層体４の背面２４に
おいて、前記接続電極５１〜５４と１列ずつずらして接
続電極５６〜５８を積層体４の上面５９、及び下面６０
に形成し、相隣接する外部電極３４と３５、３６と３
７、３８と３９、４０と４１をそれぞれ接続した構成と
している。
【００２８】これにより、回路基板に外部電極２５〜３
３、３４〜４２を半田付けする際に接続電極５１〜５８
を損なうことが無く高信頼性を維持することができる。
且つ、回路基板に実装した後も接続電極５１〜５８の位
置を容易に検知できるので容易に所定の静電容量を得る
ことができる。
３、３４〜４２を半田付けする際に接続電極５１〜５８
を損なうことが無く高信頼性を維持することができる。
且つ、回路基板に実装した後も接続電極５１〜５８の位
置を容易に検知できるので容易に所定の静電容量を得る
ことができる。
【００２９】（実施の形態３）以下、実施の形態３を用
いて、本発明の特に請求項５，６，８に記載の発明につ
いて説明する。尚、前記実施の形態１と共通となる基本
構成は詳細な記述を省きここでは特徴とする部分につい
て記載する。
いて、本発明の特に請求項５，６，８に記載の発明につ
いて説明する。尚、前記実施の形態１と共通となる基本
構成は詳細な記述を省きここでは特徴とする部分につい
て記載する。
【００３０】図６は本発明の実施の形態３における積層
セラミックコンデンサの分解斜視図、図７は同実施の形
態３における積層セラミックコンデンサの断面図であ
る。
セラミックコンデンサの分解斜視図、図７は同実施の形
態３における積層セラミックコンデンサの断面図であ
る。
【００３１】図６、図７において、６１，６２はチタン
酸ストロンチウム・バリウムを主原料とする粒界絶縁型
半導体で形成したセラミック層であり、このセラミック
層６１，６２上に形成した相隣接する２つの内部電極６
と７、８と９、１０と１１、１２と１３、１４と１５、
１６と１７、１８と１９、２０と２１を接続電極６３，
６４で接続し、このセラミック層６１と６２とを交互に
複数枚積層して積層体４を形成し、この積層体４の前面
２３と背面２４に前記内部電極５〜１３、１４〜２２と
接続した外部電極２５〜３３、３４〜４２を形成してい
る。また、前記接続電極６３，６４は幅小の線路で形成
しており、インダクタンスを形成している。
酸ストロンチウム・バリウムを主原料とする粒界絶縁型
半導体で形成したセラミック層であり、このセラミック
層６１，６２上に形成した相隣接する２つの内部電極６
と７、８と９、１０と１１、１２と１３、１４と１５、
１６と１７、１８と１９、２０と２１を接続電極６３，
６４で接続し、このセラミック層６１と６２とを交互に
複数枚積層して積層体４を形成し、この積層体４の前面
２３と背面２４に前記内部電極５〜１３、１４〜２２と
接続した外部電極２５〜３３、３４〜４２を形成してい
る。また、前記接続電極６３，６４は幅小の線路で形成
しており、インダクタンスを形成している。
【００３２】これにより、積層セラミックコンデンサ１
を回路基板に実装し、外部電極２５〜３３、３４〜４２
を半田付けする際に前記接続電極６１，６２を損なうこ
とがなく、優れた信頼性を維持することができ、バリス
タ特性を有しながら、コンデンサ容量を調整でき所定帯
域の周波数を遮断する帯域フィルタを構成できる。
を回路基板に実装し、外部電極２５〜３３、３４〜４２
を半田付けする際に前記接続電極６１，６２を損なうこ
とがなく、優れた信頼性を維持することができ、バリス
タ特性を有しながら、コンデンサ容量を調整でき所定帯
域の周波数を遮断する帯域フィルタを構成できる。
【００３３】（実施の形態４）以下、実施の形態４を用
いて、本発明の特に請求項７に記載の発明について説明
する。尚、前記実施の形態１と共通となる基本構成は詳
細な記述を省きここでは特徴とする部分について記載す
る。
いて、本発明の特に請求項７に記載の発明について説明
する。尚、前記実施の形態１と共通となる基本構成は詳
細な記述を省きここでは特徴とする部分について記載す
る。
【００３４】図８は本発明の実施の形態４における積層
セラミックコンデンサの分解斜視図である。
セラミックコンデンサの分解斜視図である。
【００３５】図８において、６５は誘電体からなるセラ
ミック層、６６は酸化亜鉛を主成分とする電圧依存性抵
抗体からなるセラミック層であり、このセラミック層６
５，６６上に内部電極を形成し、このセラミック層６
５，６６上に形成した相隣接する２つの内部電極６と
７、８と９、１０と１１、１２と１３、１４と１５、１
６と１７、１８と１９、２０と２１を接続電極６３，６
４で接続し、このセラミック層６５と６６とを複数枚積
層して積層体とした後に、積層体の前面と背面に前記内
部電極５〜２２のそれぞれに接続した外部電極を形成し
ている。
ミック層、６６は酸化亜鉛を主成分とする電圧依存性抵
抗体からなるセラミック層であり、このセラミック層６
５，６６上に内部電極を形成し、このセラミック層６
５，６６上に形成した相隣接する２つの内部電極６と
７、８と９、１０と１１、１２と１３、１４と１５、１
６と１７、１８と１９、２０と２１を接続電極６３，６
４で接続し、このセラミック層６５と６６とを複数枚積
層して積層体とした後に、積層体の前面と背面に前記内
部電極５〜２２のそれぞれに接続した外部電極を形成し
ている。
【００３６】これにより、バリスタ特性を有し、コンデ
ンサ容量を調整できる積層セラミックコンデンサを得る
ことができる。
ンサ容量を調整できる積層セラミックコンデンサを得る
ことができる。
【００３７】（実施の形態５）以下、実施の形態５を用
いて、本発明の特に請求項９、請求項１０に記載の発明
について説明する。尚、前記実施の形態１と共通となる
基本構成は詳細な記述を省きここでは特徴とする部分に
ついて記載する。
いて、本発明の特に請求項９、請求項１０に記載の発明
について説明する。尚、前記実施の形態１と共通となる
基本構成は詳細な記述を省きここでは特徴とする部分に
ついて記載する。
【００３８】図９は本発明の実施の形態５における積層
セラミックコンデンサの分解斜視図である。図１０は同
実施の形態５の積層セラミックコンデンサの外観斜視図
である。
セラミックコンデンサの分解斜視図である。図１０は同
実施の形態５の積層セラミックコンデンサの外観斜視図
である。
【００３９】図９〜図１０において１は積層セラミック
コンデンサであり、セラミック層３に並設した内部電極
の内、端部の内部電極５がこのセラミック層３の端部に
設けた端面電極７１に接続され、このセラミック層２と
３とを交互に積層して積層体４を構成している。この積
層体４の相対向する両面６７，６８に第二の外部電極６
９，７０を形成し、この第二の外部電極６９は前記端面
電極６５と積層体４の外部電極２５に接続した構成とし
ている。
コンデンサであり、セラミック層３に並設した内部電極
の内、端部の内部電極５がこのセラミック層３の端部に
設けた端面電極７１に接続され、このセラミック層２と
３とを交互に積層して積層体４を構成している。この積
層体４の相対向する両面６７，６８に第二の外部電極６
９，７０を形成し、この第二の外部電極６９は前記端面
電極６５と積層体４の外部電極２５に接続した構成とし
ている。
【００４０】前記積層体４の第二の外部電極６９，７０
を機器の回路基板と機械的に接続することにより回路基
板との接続が良好となる。
を機器の回路基板と機械的に接続することにより回路基
板との接続が良好となる。
【００４１】また、積層体４の前面２３、背面２４に並
設した外部電極の一方を機器の回路基板に半田付けする
ことなく、前記第二の外部電極６９を用いて接続し所定
のコンデンサを得ることができるので、内部電極５〜２
２と外部電極との接続部に加えられる半田熱を低減で
き、回路基板の歪みによる損傷も防止できる。
設した外部電極の一方を機器の回路基板に半田付けする
ことなく、前記第二の外部電極６９を用いて接続し所定
のコンデンサを得ることができるので、内部電極５〜２
２と外部電極との接続部に加えられる半田熱を低減で
き、回路基板の歪みによる損傷も防止できる。
【００４２】
【発明の効果】以上のように本発明の積層セラミックコ
ンデンサは、積層体の前面と背面に前記内部電極に接続
し対向する一対の外部電極を複数並設してこの一対の外
部電極間のそれぞれにコンデンサを形成し、積層体の前
面と背面に相隣接する２つの外部電極間を接続する接続
電極を前面と後面で１列ずつずらして形成することによ
り、積層体の前面と背面に並設する一対の外部電極間の
コンデンサを複数、直列に接続した構成を得るので、任
意の外部電極を選択することで直列に接続したコンデン
サに見合う静電容量を得ることができるという効果が得
られる。
ンデンサは、積層体の前面と背面に前記内部電極に接続
し対向する一対の外部電極を複数並設してこの一対の外
部電極間のそれぞれにコンデンサを形成し、積層体の前
面と背面に相隣接する２つの外部電極間を接続する接続
電極を前面と後面で１列ずつずらして形成することによ
り、積層体の前面と背面に並設する一対の外部電極間の
コンデンサを複数、直列に接続した構成を得るので、任
意の外部電極を選択することで直列に接続したコンデン
サに見合う静電容量を得ることができるという効果が得
られる。
【図１】本発明の実施の形態１における積層セラミック
コンデンサの分解斜視図
コンデンサの分解斜視図
【図２】同実施の形態１における積層セラミックコンデ
ンサの断面図
ンサの断面図
【図３】同実施の形態１における積層セラミックコンデ
ンサの外観斜視図
ンサの外観斜視図
【図４】同実施の形態１における積層セラミックコンデ
ンサの等価回路図
ンサの等価回路図
【図５】本発明の実施の形態２における積層セラミック
コンデンサの外観斜視図
コンデンサの外観斜視図
【図６】本発明の実施の形態３における積層セラミック
コンデンサの分解斜視図
コンデンサの分解斜視図
【図７】同実施の形態３における積層セラミックコンデ
ンサの断面図
ンサの断面図
【図８】本発明の実施の形態４における積層セラミック
コンデンサの分解斜視図
コンデンサの分解斜視図
【図９】本発明の実施の形態５における積層セラミック
コンデンサの分解斜視図
コンデンサの分解斜視図
【図１０】同実施の形態５における積層セラミックコン
デンサの外観斜視図
デンサの外観斜視図
【図１１】従来の積層セラミックコンデンサの分解斜視
図
図
【図１２】同従来の積層セラミックコンデンサの外観斜
視図
視図
１ 積層セラミックコンデンサ ２，３ セラミック層 ４ 積層体 ５〜２２ 内部電極 ２３ 前面 ２４ 背面 ２５〜４２ 外部電極 ５１〜５８，６３，６４ 接続電極 ５９ 上面 ６０ 下面 ６１，６２ 粒界絶縁型半導体からなるセラミック層 ６５ 誘電体からなるセラミック層 ６６ 電圧依存性抵抗体からなるセラミック層 ６７，６８ 相対向する両面 ６９，７０ 第二の外部電極 ７１ 端面電極
Claims (10)
- 【請求項１】 内部電極とセラミック層とを積層した積
層体の前面と背面に前記内部電極に接続し対向する一対
の外部電極を複数並設してこの一対の外部電極間のそれ
ぞれにコンデンサを形成した積層セラミックコンデンサ
において、前記積層体の前面と背面に相隣接する２つの
外部電極間を接続する接続電極を前面と後面で１列ずつ
ずらして形成した積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項２】 一対の外部電極間のコンデンサ容量が並
設方向に暫減する構成とした請求項１に記載の積層セラ
ミックコンデンサ。 - 【請求項３】 積層体の前面と背面に接続電極を形成し
た請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項４】 積層体の上面又は下面の少なくとも一つ
の面に接続電極を形成した請求項１に記載の積層セラミ
ックコンデンサ。 - 【請求項５】 積層体の内部のセラミック層の上面に接
続電極を形成した請求項１に記載の積層セラミックコン
デンサ。 - 【請求項６】 粒界絶縁型半導体でセラミック層を形成
した請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項７】 複数のセラミック層を積層して積層体と
し、この積層体が誘電体及び電圧依存性抵抗体からなる
セラミック層をそれぞれ、少なくとも１層以上備えた請
求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項８】 幅小の線路で接続電極を形成してインダ
クタンスを構成した請求項１に記載の積層セラミックコ
ンデンサ。 - 【請求項９】 積層体の相対向する両側面に対向する第
二の外部電極を形成した請求項１に記載の積層セラミッ
クコンデンサ。 - 【請求項１０】 第二の外部電極の一方を積層体の前面
又は背面の外部電極に接続した請求項９に記載の積層セ
ラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000372640A JP2002175933A (ja) | 2000-12-07 | 2000-12-07 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000372640A JP2002175933A (ja) | 2000-12-07 | 2000-12-07 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002175933A true JP2002175933A (ja) | 2002-06-21 |
Family
ID=18842149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000372640A Pending JP2002175933A (ja) | 2000-12-07 | 2000-12-07 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002175933A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008044376A1 (fr) * | 2006-10-06 | 2008-04-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dispositif électrique |
| JP2013055124A (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及び選択方法 |
-
2000
- 2000-12-07 JP JP2000372640A patent/JP2002175933A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008044376A1 (fr) * | 2006-10-06 | 2008-04-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dispositif électrique |
| US8098478B2 (en) | 2006-10-06 | 2012-01-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electric element |
| JP2013055124A (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及び選択方法 |
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