JP2002175756A - 画像表示装置の製造方法 - Google Patents
画像表示装置の製造方法Info
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
- H01J9/042—Manufacture, activation of the emissive part
- H01J9/045—Activation of assembled cathode
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- H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
- H01J9/26—Sealing together parts of vessels
- H01J9/261—Sealing together parts of vessels the vessel being for a flat panel display
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- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/44—Factory adjustment of completed discharge tubes or lamps to comply with desired tolerances
- H01J9/445—Aging of tubes or lamps, e.g. by "spot knocking"
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子放出素子を用いた画像表示装置において
は、内部の真空度が高い状態を実現する。 【解決手段】 真空雰囲気中での封着を行う構成とし、
その封着に先立って電子放出素子のエージングや選択的
な特性調整を行う。
は、内部の真空度が高い状態を実現する。 【解決手段】 真空雰囲気中での封着を行う構成とし、
その封着に先立って電子放出素子のエージングや選択的
な特性調整を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示装置の製
造方法に関する。特には、電子放出素子を有する部材
と、蛍光体を有する部材とを組み合わせて得られる画像
表示装置の製造方法に関する。
造方法に関する。特には、電子放出素子を有する部材
と、蛍光体を有する部材とを組み合わせて得られる画像
表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電子放出素子としては、大別
して熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子の２種類のも
のが知られている。冷陰極電子放出素子には、電界放出
型（以下、ＦＥ型という）、金属／絶縁層／金属型（以
下、ＭＩＭ型という）、表面伝導型電子放出素子などが
ある。
して熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子の２種類のも
のが知られている。冷陰極電子放出素子には、電界放出
型（以下、ＦＥ型という）、金属／絶縁層／金属型（以
下、ＭＩＭ型という）、表面伝導型電子放出素子などが
ある。
【０００３】ＦＥ型の例としては、Ｗ．Ｐ．Ｄｙｋｅ
＆ Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，”Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉ
ｏｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）、あるいはＣ．
Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，”ＰＨＹＳＩＣＡＬ Ｐｒｏｐｅｒ
ｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ ｅ
ｍｉｓｓｉｏｎ ｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ｍｏｌ
ｙｂｄｅｎｕｍ ｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．，４７，５２４８（１９７６）などに開示されたも
のが知られている。
＆ Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ，”Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉ
ｏｎ”，Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓ，８，８９（１９５６）、あるいはＣ．
Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ，”ＰＨＹＳＩＣＡＬ Ｐｒｏｐｅｒ
ｔｉｅｓ ｏｆ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｆｉｅｌｄ ｅ
ｍｉｓｓｉｏｎ ｃａｔｈｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ｍｏｌ
ｙｂｄｅｎｕｍ ｃｏｎｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．，４７，５２４８（１９７６）などに開示されたも
のが知られている。
【０００４】ＭＩＭ型の例としては、Ｃ．Ａ．Ｍｅａ
ｄ，”Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｔｕｎｎｅｌ−Ｅｍ
ｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．，３２，６４６（１９６１）などに開示されたも
のが知られている。
ｄ，”Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｔｕｎｎｅｌ−Ｅｍ
ｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．，３２，６４６（１９６１）などに開示されたも
のが知られている。
【０００５】表面伝導型電子放出素子型の例としては、
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ．Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０（１９６５）
などに開示されたものがある。
Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ，Ｒａｄｉｏ Ｅｎｇ．Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓ．，１０，１２９０（１９６５）
などに開示されたものがある。
【０００６】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことに
より電子放出が生ずる現象を利用するものである。この
表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等に
よるＳｎＯ2薄膜を用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの
［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：”Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｓ Ｆｉ
ｌｍｓ，”９，３１７（１９７２）］、Ｉｎ2Ｏ3／Ｓｎ
Ｏ2薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ
Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｅ
Ｄ Ｃｏｎｆ．”，５１９（１９７５）］、カーボン薄
膜によるもの［荒木久他：真空、第２６巻、第１号、２
２頁（１９８３）］などが報告されている。
された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことに
より電子放出が生ずる現象を利用するものである。この
表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等に
よるＳｎＯ2薄膜を用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの
［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：”Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｓ Ｆｉ
ｌｍｓ，”９，３１７（１９７２）］、Ｉｎ2Ｏ3／Ｓｎ
Ｏ2薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ ａｎｄ
Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｅ
Ｄ Ｃｏｎｆ．”，５１９（１９７５）］、カーボン薄
膜によるもの［荒木久他：真空、第２６巻、第１号、２
２頁（１９８３）］などが報告されている。
【０００７】上記のような電子放出素子を用いた画像表
示装置の製造には、これら電子放出素子をマトリクス配
置した電子源基板（リアプレート）を用意すると共に、
電子線の励起を受けて発光する蛍光体を設けた蛍光体基
板（フェースプレート）を用意し、電子放出素子と蛍光
体とが内側となるようにして、且つ、間に真空シール構
造を提供する外囲器及び耐大気圧構造を提供するスペー
サを配置して、これらフェースプレートとリアプレート
とを対向配置してから、フリットガラスなどの低融点物
質を封着材として用いて内部をシールし、予め設けてお
いた真空排気管から内部を真空排気した後、真空排気管
を封止して表示パネルとする製造工程が用いられてい
る。
示装置の製造には、これら電子放出素子をマトリクス配
置した電子源基板（リアプレート）を用意すると共に、
電子線の励起を受けて発光する蛍光体を設けた蛍光体基
板（フェースプレート）を用意し、電子放出素子と蛍光
体とが内側となるようにして、且つ、間に真空シール構
造を提供する外囲器及び耐大気圧構造を提供するスペー
サを配置して、これらフェースプレートとリアプレート
とを対向配置してから、フリットガラスなどの低融点物
質を封着材として用いて内部をシールし、予め設けてお
いた真空排気管から内部を真空排気した後、真空排気管
を封止して表示パネルとする製造工程が用いられてい
る。
【０００８】また、従来技術として特開平１１−１３５
０１８号、特開平８−９６７００号、ＥＰＡ０７６７４
８１、ＥＰＡ０７８５５６４、ＥＰＡ０８０３８９２、
特開平４−２４９８２７号に記載の技術がある。
０１８号、特開平８−９６７００号、ＥＰＡ０７６７４
８１、ＥＰＡ０７８５５６４、ＥＰＡ０８０３８９２、
特開平４−２４９８２７号に記載の技術がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このような、電子放出
素子を用いた画像表示装置においては、内部の真空度が
高い状態を実現したいという課題がある。
素子を用いた画像表示装置においては、内部の真空度が
高い状態を実現したいという課題がある。
【００１０】本願発明者等は、電子放出素子を用いた画
像表示装置において、製造工程のひとつとして知られる
いくつかの工程が画像表示装置内部の雰囲気に影響を及
ぼすことを鋭意研究の末見出した。
像表示装置において、製造工程のひとつとして知られる
いくつかの工程が画像表示装置内部の雰囲気に影響を及
ぼすことを鋭意研究の末見出した。
【００１１】本願にかかわる発明は、そのような工程を
製造工程のひとつとして有する場合であっても、内部雰
囲気の良好な画像表示装置を得ることができる製造方法
を実現することを目的とする。
製造工程のひとつとして有する場合であっても、内部雰
囲気の良好な画像表示装置を得ることができる製造方法
を実現することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願にかかわる発明のひ
とつは以下のとおりである。
とつは以下のとおりである。
【００１３】画像表示装置の製造方法であって、電子放
出素子を有する第１の部材と、前記電子放出素子が放出
する電子が照射されて発光する蛍光体を有する第２の部
材とを、真空雰囲気を実現している封着処理室において
封着する工程を有しており、該封着の前に、前記電子放
出素子のエージング工程を行うことを特徴とする画像表
示装置の製造方法。
出素子を有する第１の部材と、前記電子放出素子が放出
する電子が照射されて発光する蛍光体を有する第２の部
材とを、真空雰囲気を実現している封着処理室において
封着する工程を有しており、該封着の前に、前記電子放
出素子のエージング工程を行うことを特徴とする画像表
示装置の製造方法。
【００１４】本願発明者等は電子放出素子のエージング
を行う場合、真空度が高い状態（圧力が低い状態）で行
うと好適であることを確認した。しかしながら本願発明
者等はエージング処理によって真空雰囲気が悪化するこ
とを見出した。
を行う場合、真空度が高い状態（圧力が低い状態）で行
うと好適であることを確認した。しかしながら本願発明
者等はエージング処理によって真空雰囲気が悪化するこ
とを見出した。
【００１５】それらの知見を基に、本願発明者等は真空
雰囲気を実現している封着処理室において封着を行う工
程を採用すると共に、それに先立ってエージング処理を
行うという発明に想到した。
雰囲気を実現している封着処理室において封着を行う工
程を採用すると共に、それに先立ってエージング処理を
行うという発明に想到した。
【００１６】本願発明で言うエージングとは電子放出素
子に画像表示の駆動の際に印加する電圧よりも高い電圧
を印加する、または画像表示の際に電子放出部に照射す
る電子の有するエネルギーよりも高いエネルギーを有す
る電子を予め電子放出部に照射する（この高いエネルギ
ーを有する電子の放出源は画像表示装置の構成要素であ
る電子放出素子に限らず、別途設けた画像表示に寄与し
ない電子ビーム源からの電子の場合も含む）、または放
出部にＵＶ照射を行なう等、電子放出特性を制御する工
程である。この工程を行っておくことにより、以降の、
特には実際の画像表示のための駆動を開始してからの特
性の急激な変化を抑制できるのである。特に、このエー
ジング前の電子放出素子に所定の電圧（これは実際の画
像表示の際に印加される電圧と同じ大きさの電圧であ
り、該画像表示の際に印加される電圧値に幅がある場合
はその範囲内の値を持つ所定の電圧）を印加して得られ
る放出電流量よりもエージング後の該電子放出素子に前
記所定の電圧を印加して得られる放出電流量の方が少な
くなる場合、実際の画像表示のための駆動を開始してか
らの特性の急激な変化を長時間にわたって抑制でき、好
ましい。
子に画像表示の駆動の際に印加する電圧よりも高い電圧
を印加する、または画像表示の際に電子放出部に照射す
る電子の有するエネルギーよりも高いエネルギーを有す
る電子を予め電子放出部に照射する（この高いエネルギ
ーを有する電子の放出源は画像表示装置の構成要素であ
る電子放出素子に限らず、別途設けた画像表示に寄与し
ない電子ビーム源からの電子の場合も含む）、または放
出部にＵＶ照射を行なう等、電子放出特性を制御する工
程である。この工程を行っておくことにより、以降の、
特には実際の画像表示のための駆動を開始してからの特
性の急激な変化を抑制できるのである。特に、このエー
ジング前の電子放出素子に所定の電圧（これは実際の画
像表示の際に印加される電圧と同じ大きさの電圧であ
り、該画像表示の際に印加される電圧値に幅がある場合
はその範囲内の値を持つ所定の電圧）を印加して得られ
る放出電流量よりもエージング後の該電子放出素子に前
記所定の電圧を印加して得られる放出電流量の方が少な
くなる場合、実際の画像表示のための駆動を開始してか
らの特性の急激な変化を長時間にわたって抑制でき、好
ましい。
【００１７】また、本願にかかわる他の発明のひとつは
以下のように構成される。
以下のように構成される。
【００１８】画像表示装置の製造方法であって、複数の
電子放出素子を有する第１の部材と、前記電子放出素子
が放出する電子が照射されて発光する蛍光体を有する第
２の部材とを、真空雰囲気を実現している封着処理室に
おいて封着する工程を有しており、該封着の前に、前記
複数の電子放出素子の選択的な特性調整を行う特性調整
工程を有することを特徴とする画像表示装置の製造方
法。
電子放出素子を有する第１の部材と、前記電子放出素子
が放出する電子が照射されて発光する蛍光体を有する第
２の部材とを、真空雰囲気を実現している封着処理室に
おいて封着する工程を有しており、該封着の前に、前記
複数の電子放出素子の選択的な特性調整を行う特性調整
工程を有することを特徴とする画像表示装置の製造方
法。
【００１９】本願発明者等は電子放出素子の特性調整を
行う場合、真空度が高い状態（圧力が低い状態）で行う
と好適であることを確認した。しかしながら本願発明者
等は特性調整処理によって真空雰囲気が悪化することを
見出した。
行う場合、真空度が高い状態（圧力が低い状態）で行う
と好適であることを確認した。しかしながら本願発明者
等は特性調整処理によって真空雰囲気が悪化することを
見出した。
【００２０】それらの知見を基に、本願発明者等は真空
雰囲気を実現している封着処理室において封着を行う工
程を採用すると共に、それに先立って特性調整処理を行
うという発明に想到した。
雰囲気を実現している封着処理室において封着を行う工
程を採用すると共に、それに先立って特性調整処理を行
うという発明に想到した。
【００２１】ここで、複数の電子放出素子の特性調整を
選択的に行うとは、特定の素子のみに特性調整を行うこ
とや、特性調整の程度を対象素子により異ならせること
を言う。また、ここで言う特性とは、具体的には、印加
電圧の大きさと放出電流量の関係や、印加電圧の大きさ
と電子放出素子に流れる電流量の関係などである。特に
本願に記載の各発明は冷陰極電子放出素子を用いる場合
に特に好適に採用できる。ここで冷陰極電子放出素子に
おいては少なくとも２つの電極間に電圧が印加されるこ
とにより電子が放出される構成となる。該２つの電極間
の間隙部の状態を制御（具体的には間隙部の間隔や材質
（結晶状態など）を制御）することにより前述したよう
な諸特性を調整することが可能である。該間隙部の状態
の制御としては具体的には該２つの電極間に電圧を印加
する構成を好適に採用できる。その際に、特定の素子の
みに電圧を印加したり、素子ごとに印加する電圧を異な
らせることにより選択的な特性調整を行うことができ
る。
選択的に行うとは、特定の素子のみに特性調整を行うこ
とや、特性調整の程度を対象素子により異ならせること
を言う。また、ここで言う特性とは、具体的には、印加
電圧の大きさと放出電流量の関係や、印加電圧の大きさ
と電子放出素子に流れる電流量の関係などである。特に
本願に記載の各発明は冷陰極電子放出素子を用いる場合
に特に好適に採用できる。ここで冷陰極電子放出素子に
おいては少なくとも２つの電極間に電圧が印加されるこ
とにより電子が放出される構成となる。該２つの電極間
の間隙部の状態を制御（具体的には間隙部の間隔や材質
（結晶状態など）を制御）することにより前述したよう
な諸特性を調整することが可能である。該間隙部の状態
の制御としては具体的には該２つの電極間に電圧を印加
する構成を好適に採用できる。その際に、特定の素子の
みに電圧を印加したり、素子ごとに印加する電圧を異な
らせることにより選択的な特性調整を行うことができ
る。
【００２２】また、本願にかかわる他の発明のひとつは
以下のように構成される。
以下のように構成される。
【００２３】画像表示装置の製造方法であって、電子放
出素子を有する第１の部材と、前記電子放出素子が放出
する電子が照射されて発光する蛍光体を有する第２の部
材とを、真空雰囲気を実現している封着処理室において
封着する工程を有しており、活性化工程を行った前記電
子放出素子に対して、前記封着の前に、電圧を印加する
電圧印加工程を行うことを特徴とする画像表示装置の製
造方法。
出素子を有する第１の部材と、前記電子放出素子が放出
する電子が照射されて発光する蛍光体を有する第２の部
材とを、真空雰囲気を実現している封着処理室において
封着する工程を有しており、活性化工程を行った前記電
子放出素子に対して、前記封着の前に、電圧を印加する
電圧印加工程を行うことを特徴とする画像表示装置の製
造方法。
【００２４】また、本願にかかわる他の発明のひとつは
以下のように構成される。
以下のように構成される。
【００２５】画像表示装置の製造方法であって、電子放
出素子を有する第１の部材と、前記電子放出素子が放出
する電子が照射されて発光する蛍光体を有する第２の部
材とを、真空雰囲気を実現している封着処理室において
封着する工程を有しており、電子放出部及び／もしくは
電子放出部近傍に炭素及び／もしくは炭素化合物を有す
る前記電子放出素子に対して、前記封着の前に、電圧を
印加する電圧印加工程を行うことを特徴とする画像表示
装置の製造方法。
出素子を有する第１の部材と、前記電子放出素子が放出
する電子が照射されて発光する蛍光体を有する第２の部
材とを、真空雰囲気を実現している封着処理室において
封着する工程を有しており、電子放出部及び／もしくは
電子放出部近傍に炭素及び／もしくは炭素化合物を有す
る前記電子放出素子に対して、前記封着の前に、電圧を
印加する電圧印加工程を行うことを特徴とする画像表示
装置の製造方法。
【００２６】本願発明者等は活性化工程を経た電子放出
素子、及び／もしくは、炭素及び／もしくは炭素化合物
を電子放出部及び／もしくは電子放出部近傍に有する電
子放出素子、に対して電圧印加を行うことにより良好な
画像表示装置を得ることができることを確認した。この
場合電圧印加は、真空度が高い状態（圧力が低い状態）
で行うと好適であることも確認した。しかしながら本願
発明者等は該電圧印加工程によって真空雰囲気が悪化す
ることを見出した。
素子、及び／もしくは、炭素及び／もしくは炭素化合物
を電子放出部及び／もしくは電子放出部近傍に有する電
子放出素子、に対して電圧印加を行うことにより良好な
画像表示装置を得ることができることを確認した。この
場合電圧印加は、真空度が高い状態（圧力が低い状態）
で行うと好適であることも確認した。しかしながら本願
発明者等は該電圧印加工程によって真空雰囲気が悪化す
ることを見出した。
【００２７】それらの知見を基に、本願発明者等は真空
雰囲気を実現している封着処理室において封着を行う工
程を採用すると共に、それに先立って電圧印加工程を行
うという発明に想到した。なお、ここでいう活性化とは
電子放出素子に対して電圧を印加したときの放出電流量
を増加させる工程であり、活性化を行う前の電子放出素
子に所定の電圧を印加したときの放出電流量よりも、活
性化工程を行った電子放出素子に前記所定の電圧を印加
したときの放出電流量のほうが大きくなる工程である。
特に冷陰極素子であって、２つの電極間に電圧を印加し
て電子を放出せしめる電界放出素子、表面伝導型放出素
子の場合には該２つの電極間の間隙部に堆積物を堆積さ
せることにより活性化を行うことができる。
雰囲気を実現している封着処理室において封着を行う工
程を採用すると共に、それに先立って電圧印加工程を行
うという発明に想到した。なお、ここでいう活性化とは
電子放出素子に対して電圧を印加したときの放出電流量
を増加させる工程であり、活性化を行う前の電子放出素
子に所定の電圧を印加したときの放出電流量よりも、活
性化工程を行った電子放出素子に前記所定の電圧を印加
したときの放出電流量のほうが大きくなる工程である。
特に冷陰極素子であって、２つの電極間に電圧を印加し
て電子を放出せしめる電界放出素子、表面伝導型放出素
子の場合には該２つの電極間の間隙部に堆積物を堆積さ
せることにより活性化を行うことができる。
【００２８】また、本願にかかわる他の発明のひとつは
以下のように構成される。
以下のように構成される。
【００２９】画像表示装置の製造方法であって、電子放
出素子を有する第一の部材と、前記電子放出素子が放出
する電子が照射されて発光する蛍光体を有する第二の部
材とを、真空容器を実現している封着処理室において封
着する工程を有しており、該封着の前に、前記電子放出
素子に画像表示の時に印加される通常の駆動電圧値より
も大きい電圧を印加する電圧印加工程を行うことを特徴
とする画像表示装置の製造方法。
出素子を有する第一の部材と、前記電子放出素子が放出
する電子が照射されて発光する蛍光体を有する第二の部
材とを、真空容器を実現している封着処理室において封
着する工程を有しており、該封着の前に、前記電子放出
素子に画像表示の時に印加される通常の駆動電圧値より
も大きい電圧を印加する電圧印加工程を行うことを特徴
とする画像表示装置の製造方法。
【００３０】上記の発明において、前記エージング工
程、または前記特性調整工程、または前記電圧印加工程
を行った後、前記電子放出素子を大気に曝すことなく前
記封着を行うと好適である。具体的には、前記封着処理
室内で前記エージング又は前記特性調整、又は前記電圧
印加を行う構成や、後述の実施例で示すように電子放出
素子を前記エージングまたは前記特性調整、または前記
電圧印加を行う処理室から大気に曝すことなく封着処理
室に搬送する構成を採用できる。後者の構成を採用する
場合は、これらの処理室と封着処理室を直接もしくは他
の減圧(処理)室を介して連結しておく構成が好適であ
る。
程、または前記特性調整工程、または前記電圧印加工程
を行った後、前記電子放出素子を大気に曝すことなく前
記封着を行うと好適である。具体的には、前記封着処理
室内で前記エージング又は前記特性調整、又は前記電圧
印加を行う構成や、後述の実施例で示すように電子放出
素子を前記エージングまたは前記特性調整、または前記
電圧印加を行う処理室から大気に曝すことなく封着処理
室に搬送する構成を採用できる。後者の構成を採用する
場合は、これらの処理室と封着処理室を直接もしくは他
の減圧(処理)室を介して連結しておく構成が好適であ
る。
【００３１】また、前記エージング工程または前記特性
調整工程、または前記電圧印加工程は、電子放出素子の
電子放出部及び／もしくは電子放出部近傍に堆積する物
質の材料が電子放出素子が存在する領域内で十分に少な
くなっており、堆積が抑制される雰囲気で行うとよい。
具体的には十分に圧力を低くして行うとよい。好適には
１×１０-4Ｐａ以下、特には１×１０-5Ｐａ以下の圧力
になっている状態で行うとよい。また、前記堆積には雰
囲気中の有機物質に由来して生じるものが特に顕著であ
り、そのため、前記エージング工程または前記特性調整
工程、または前記電圧印加工程は雰囲気中の有機物質の
分圧が１×１０-6Ｐａ以下の状態で行うとよい。
調整工程、または前記電圧印加工程は、電子放出素子の
電子放出部及び／もしくは電子放出部近傍に堆積する物
質の材料が電子放出素子が存在する領域内で十分に少な
くなっており、堆積が抑制される雰囲気で行うとよい。
具体的には十分に圧力を低くして行うとよい。好適には
１×１０-4Ｐａ以下、特には１×１０-5Ｐａ以下の圧力
になっている状態で行うとよい。また、前記堆積には雰
囲気中の有機物質に由来して生じるものが特に顕著であ
り、そのため、前記エージング工程または前記特性調整
工程、または前記電圧印加工程は雰囲気中の有機物質の
分圧が１×１０-6Ｐａ以下の状態で行うとよい。
【００３２】また、前記エージング工程または前記特性
調整工程、または前記電圧印加工程の後、前記封着工程
において前記第１の部材と前記第２の部材に挟まれる孤
立空間が形成されるまでの間、前記電子放出素子が存在
する領域内の圧力が実質的に１×１０-4Ｐａ以下、特に
は１×１０-5Ｐａ以下の状態に保たれるようにすると好
適である。ここでいう孤立空間とは、外部雰囲気の気体
分子から直接影響を受けない空間という意味である。ま
た、封着工程においては、該領域の圧力が１×１０-6Ｐ
ａ以下になっているのが好ましい。なおここで、実質的
に特定の真空度の状態、例えば上記のように１×１０-4
Ｐａ以下、特には１×１０-5Ｐａ以下の状態に保つと
は、すなわち、以下の実施例で示すように、ゲッタフラ
ッシュによる一時的な真空度の低下を許容することを意
味する。一時的な真空度の低下があってもその後速やか
に真空度は上昇するので、実質的な影響は無視できる程
度に抑制されるため許容できるのである。
調整工程、または前記電圧印加工程の後、前記封着工程
において前記第１の部材と前記第２の部材に挟まれる孤
立空間が形成されるまでの間、前記電子放出素子が存在
する領域内の圧力が実質的に１×１０-4Ｐａ以下、特に
は１×１０-5Ｐａ以下の状態に保たれるようにすると好
適である。ここでいう孤立空間とは、外部雰囲気の気体
分子から直接影響を受けない空間という意味である。ま
た、封着工程においては、該領域の圧力が１×１０-6Ｐ
ａ以下になっているのが好ましい。なおここで、実質的
に特定の真空度の状態、例えば上記のように１×１０-4
Ｐａ以下、特には１×１０-5Ｐａ以下の状態に保つと
は、すなわち、以下の実施例で示すように、ゲッタフラ
ッシュによる一時的な真空度の低下を許容することを意
味する。一時的な真空度の低下があってもその後速やか
に真空度は上昇するので、実質的な影響は無視できる程
度に抑制されるため許容できるのである。
【００３３】また、前記エージング工程または前記特性
調整工程、または前記電圧印加工程から封着を終えるま
では電子放出素子が存在する領域の有機物質の分圧が低
い状態を保つのが好ましい。好適には該分圧が実質的に
１×１０-6Ｐａ以下に維持されているとよい。また、封
着工程においては、該領域の有機物質の分圧が１×１０
-6Ｐａよりも低くなっているのが好ましい。
調整工程、または前記電圧印加工程から封着を終えるま
では電子放出素子が存在する領域の有機物質の分圧が低
い状態を保つのが好ましい。好適には該分圧が実質的に
１×１０-6Ｐａ以下に維持されているとよい。また、封
着工程においては、該領域の有機物質の分圧が１×１０
-6Ｐａよりも低くなっているのが好ましい。
【００３４】また、前記エージング工程または前記特性
調整工程は、前記電子放出素子に電圧を印加する工程で
あるとよい。尚、前記電圧印加工程も含め、本発明が意
図する、封着の前に前記電子放出素子に印加する電圧値
は、該電子放出素子に画像表示の時に印加される通常の
駆動電圧の電圧値よりも大きいことが好ましい。
調整工程は、前記電子放出素子に電圧を印加する工程で
あるとよい。尚、前記電圧印加工程も含め、本発明が意
図する、封着の前に前記電子放出素子に印加する電圧値
は、該電子放出素子に画像表示の時に印加される通常の
駆動電圧の電圧値よりも大きいことが好ましい。
【００３５】また、前記エージング工程または前記特性
調整工程、または前記電圧印加工程は、前記電子放出素
子から電子を放出させる工程であるとよい。
調整工程、または前記電圧印加工程は、前記電子放出素
子から電子を放出させる工程であるとよい。
【００３６】また、封着工程の前に画像表示装置を構成
する部材、具体的には、フェースプレートやリアプレー
トにゲッタを形成する工程（パネルゲッタ工程）を有す
る場合、このゲッタ形成工程に先立って前記エージング
工程または前記特性調整工程、または前記電圧印加工程
を行なうのが好ましい。これは、パネルゲッタが前記エ
ージング工程または前記特性調整工程、または前記電圧
印加工程で発生するガスに反応し、ゲッタの能力を製造
工程中に消費してしまうことを回避できる点で好まし
い。
する部材、具体的には、フェースプレートやリアプレー
トにゲッタを形成する工程（パネルゲッタ工程）を有す
る場合、このゲッタ形成工程に先立って前記エージング
工程または前記特性調整工程、または前記電圧印加工程
を行なうのが好ましい。これは、パネルゲッタが前記エ
ージング工程または前記特性調整工程、または前記電圧
印加工程で発生するガスに反応し、ゲッタの能力を製造
工程中に消費してしまうことを回避できる点で好まし
い。
【００３７】また、封着工程の前に画像表示装置を構成
する部材、具体的には、フェースプレートやリアプレー
トを洗浄するエレクトロンビームクリーニング工程を有
する場合、このエレクトロンビームクリーニング工程の
後に前記エージング工程または前記特性調整工程、また
は前記電圧印加工程を行なうのが好ましい。これは、エ
レクトロンビームクリーニング工程によるガスの発生が
電子放出素子の特性に影響を及ぼす可能性があるため、
エージング工程または前記特性調整工程、または前記電
圧印加工程に先立ってエレクトロンビームクリーニング
工程を行なうことが好ましい。
する部材、具体的には、フェースプレートやリアプレー
トを洗浄するエレクトロンビームクリーニング工程を有
する場合、このエレクトロンビームクリーニング工程の
後に前記エージング工程または前記特性調整工程、また
は前記電圧印加工程を行なうのが好ましい。これは、エ
レクトロンビームクリーニング工程によるガスの発生が
電子放出素子の特性に影響を及ぼす可能性があるため、
エージング工程または前記特性調整工程、または前記電
圧印加工程に先立ってエレクトロンビームクリーニング
工程を行なうことが好ましい。
【００３８】以上述べてきた全ての発明は、第１の部材
が複数の電子放出素子をもつ場合に特に好適に採用でき
る。好適な画像表示を行うための構成として１０万個以
上の電子放出素子を有する構成において本願にかかわる
発明は特に有効である。また、電子放出素子は行方向と
列方向にマトリックス状に配置されていると特に好適で
ある。
が複数の電子放出素子をもつ場合に特に好適に採用でき
る。好適な画像表示を行うための構成として１０万個以
上の電子放出素子を有する構成において本願にかかわる
発明は特に有効である。また、電子放出素子は行方向と
列方向にマトリックス状に配置されていると特に好適で
ある。
【００３９】また、第１の部材と第２の部材との封着と
は間に例えば枠部材のような他の部材を介在させて封着
することを含むものである。
は間に例えば枠部材のような他の部材を介在させて封着
することを含むものである。
【００４０】なお、本願にかかわる発明における電子放
出素子としては先に述べたように冷陰極電子放出素子を
好適に採用できる。特には、スピント型の電子放出素子
や、以下の実施例で採用している表面伝導型電子放出素
子を好適に採用できる。
出素子としては先に述べたように冷陰極電子放出素子を
好適に採用できる。特には、スピント型の電子放出素子
や、以下の実施例で採用している表面伝導型電子放出素
子を好適に採用できる。
【００４１】
【発明の実施の形態】図１（ａ）は本発明に係る製造装
置を模式的に示した図、図１（ｂ）は画像表示装置のパ
ネル部材、即ち、上述した第１の部材あるいは第２の部
材の温度を示す温度プロファイル、図１（ｃ）は製造装
置内真空度を示す真空度プロファイルである。以下、こ
れらに基づいて本発明に係る製造方法と製造装置の一例
を説明する。
置を模式的に示した図、図１（ｂ）は画像表示装置のパ
ネル部材、即ち、上述した第１の部材あるいは第２の部
材の温度を示す温度プロファイル、図１（ｃ）は製造装
置内真空度を示す真空度プロファイルである。以下、こ
れらに基づいて本発明に係る製造方法と製造装置の一例
を説明する。
【００４２】図１（ａ）において、１０１はパネル部材
であるところのリアプレート（以後ＲＰと表記する）で
あり、蛍光体励起手段として、複数の電子放出素子（活
性化工程により電子放出部及びその近傍にグラファイト
状のカーボンが付与されている表面伝導型電子放出素
子）が複数の行方向配線と複数の列方向配線によってマ
トリクス配線された電子源が形成されている。１０２は
パネル部材であるところのフェィスプレート（以後ＦＰ
と表記する）であり、蛍光体、メタルバックなどが形成
されている。１０３はパネル部材であるところの外枠で
ありＲＰ１０１とＦＰ１０２の間に配置され、ＲＰ１０
１及びＦＰ１０２とともに気密容器であるパネルを構成
する。１０４はスペーサであり、ＲＰ１０１とＦＰ１０
２との間隔を維持するものである。本実施形態では外枠
１０３、とスペーサ１０４は事前にＲＰ１０１上に配置
固定されている場合を図示している。
であるところのリアプレート（以後ＲＰと表記する）で
あり、蛍光体励起手段として、複数の電子放出素子（活
性化工程により電子放出部及びその近傍にグラファイト
状のカーボンが付与されている表面伝導型電子放出素
子）が複数の行方向配線と複数の列方向配線によってマ
トリクス配線された電子源が形成されている。１０２は
パネル部材であるところのフェィスプレート（以後ＦＰ
と表記する）であり、蛍光体、メタルバックなどが形成
されている。１０３はパネル部材であるところの外枠で
ありＲＰ１０１とＦＰ１０２の間に配置され、ＲＰ１０
１及びＦＰ１０２とともに気密容器であるパネルを構成
する。１０４はスペーサであり、ＲＰ１０１とＦＰ１０
２との間隔を維持するものである。本実施形態では外枠
１０３、とスペーサ１０４は事前にＲＰ１０１上に配置
固定されている場合を図示している。
【００４３】１０５は前室、１０６はベーク処理室、１
０７は表面浄化処理室、１００１はエージング及び特性
調整処理室である通電処理室、１０８は第１のゲッタ処
理室（チャンバーゲッタ処理室）、１０９は第２のゲッ
タ処理室（パネルゲッタ処理室）、１１０は封着処理
室、１１１は冷却室であり、順次搬送方向（図中の矢印
１４５）に従って配列接続され、それぞれ不図示の真空
ポンプで排気されて、真空雰囲気が形成されている。
０７は表面浄化処理室、１００１はエージング及び特性
調整処理室である通電処理室、１０８は第１のゲッタ処
理室（チャンバーゲッタ処理室）、１０９は第２のゲッ
タ処理室（パネルゲッタ処理室）、１１０は封着処理
室、１１１は冷却室であり、順次搬送方向（図中の矢印
１４５）に従って配列接続され、それぞれ不図示の真空
ポンプで排気されて、真空雰囲気が形成されている。
【００４４】本実施形態においては、上記表面浄化処理
室１０７は、電子線照射手段が設けられたエレクトロン
・ビーム照射処理室（以後ＥＢ照射処理室と表記。本処
理室においてエレクトロンビームクリーニング工程が行
なわれる）となっている。大気および、各処理室間はゲ
ートバルブ１１２、１１３、１１４、１１５１、１１５
２、１１６、１１７、１１８、１１９で隔てられてお
り、パネル部材であるＲＰ１０１，ＦＰ１０２、外枠１
０３、スペーサ１０４は、まず、ゲートバルブ１１２の
開閉により前室１０５に搬入され、順次、処理室へ各ゲ
ートバルブの開閉によって移動する。１２０はパネル部
材の各処理室への移動用のための搬送ローラーである。
室１０７は、電子線照射手段が設けられたエレクトロン
・ビーム照射処理室（以後ＥＢ照射処理室と表記。本処
理室においてエレクトロンビームクリーニング工程が行
なわれる）となっている。大気および、各処理室間はゲ
ートバルブ１１２、１１３、１１４、１１５１、１１５
２、１１６、１１７、１１８、１１９で隔てられてお
り、パネル部材であるＲＰ１０１，ＦＰ１０２、外枠１
０３、スペーサ１０４は、まず、ゲートバルブ１１２の
開閉により前室１０５に搬入され、順次、処理室へ各ゲ
ートバルブの開閉によって移動する。１２０はパネル部
材の各処理室への移動用のための搬送ローラーである。
【００４５】また、１２１、１２３、１００３、１２
７、１３２、１３６はＲＰ１０１および、これに固定さ
れた外枠１０３とスペーサ１０４を加熱するためのホッ
トプレートである。一方、１２２、１２４、１００２、
１２８、１３３、１３７はＦＰ１０２を加熱するための
ホットプレートである。
７、１３２、１３６はＲＰ１０１および、これに固定さ
れた外枠１０３とスペーサ１０４を加熱するためのホッ
トプレートである。一方、１２２、１２４、１００２、
１２８、１３３、１３７はＦＰ１０２を加熱するための
ホットプレートである。
【００４６】１２５はＥＢ照射処理室１０７内でＥＢ照
射するための電子銃、１２６は電子銃１２５から照射さ
れたエレクトロン・ビームである。
射するための電子銃、１２６は電子銃１２５から照射さ
れたエレクトロン・ビームである。
【００４７】１００４、１００５はプローブであって、
ＲＰ１０１に形成されている複数の行方向配線の両端部
と電気的に接触して電位を印加するためのものである。
またＲＰ１０１に形成されている列方向配線の端部と電
気的に接触して電位を印加するプローブも図示していな
いが設けられている。
ＲＰ１０１に形成されている複数の行方向配線の両端部
と電気的に接触して電位を印加するためのものである。
またＲＰ１０１に形成されている列方向配線の端部と電
気的に接触して電位を印加するプローブも図示していな
いが設けられている。
【００４８】チャンバーゲッタ処理室１０８内におい
て、１２９はチャンバーゲッタフラッシュ装置、１３０
はチャンバーゲッタフラッシュ装置から発生されるチャ
ンバーゲッタフラッシュであり、Ｂａなどの材料を瞬間
的に蒸発させたものである。１３１はチャンバーゲッタ
板であり、チャンバーゲッタフラッシュ１３０が被着
し、チャンバーゲッタとして排気作用を行う、即ち、チ
ャンバーゲッタ処理室１０８内の真空度を上げることが
できる。
て、１２９はチャンバーゲッタフラッシュ装置、１３０
はチャンバーゲッタフラッシュ装置から発生されるチャ
ンバーゲッタフラッシュであり、Ｂａなどの材料を瞬間
的に蒸発させたものである。１３１はチャンバーゲッタ
板であり、チャンバーゲッタフラッシュ１３０が被着
し、チャンバーゲッタとして排気作用を行う、即ち、チ
ャンバーゲッタ処理室１０８内の真空度を上げることが
できる。
【００４９】パネルゲッタ処理室１０９において、１３
４はパネルゲッタフラッシュ装置、１３５はパネルゲッ
タフラッシュ装置１３４から発生されるパネルゲッタフ
ラッシュであり、Ｂａなどの材料を瞬間的に蒸発させた
ものであり、ＦＰ１０２に被着される。そしてこの後、
速やかに封着処理室１１０にてパネル封着を行なう。こ
のパネルゲッタは、パネル封着後のパネル内の真空維持
に作用する。
４はパネルゲッタフラッシュ装置、１３５はパネルゲッ
タフラッシュ装置１３４から発生されるパネルゲッタフ
ラッシュであり、Ｂａなどの材料を瞬間的に蒸発させた
ものであり、ＦＰ１０２に被着される。そしてこの後、
速やかに封着処理室１１０にてパネル封着を行なう。こ
のパネルゲッタは、パネル封着後のパネル内の真空維持
に作用する。
【００５０】１３８、１３９、１００６、１４０、１４
１、１４２は昇降機であり、それぞれ、ホットプレート
１２１、１２３、１００３、１２７、１３２、１３６を
支持しており、ＲＰ１０１を各処理工程に必要な高さに
昇降させる機能を有する。
１、１４２は昇降機であり、それぞれ、ホットプレート
１２１、１２３、１００３、１２７、１３２、１３６を
支持しており、ＲＰ１０１を各処理工程に必要な高さに
昇降させる機能を有する。
【００５１】図１（ｂ）はその横軸が、図１（ａ）の製
造装置における各処理室での工程を示し、縦軸が各処理
室での工程におけるパネル部材の温度プロファイルであ
る。この温度プロファイルは、ＲＰ１０１、ＦＰ１０２
の温度状態を示すものである。また、図１（ｃ）はその
横軸が、図１（ａ）の製造装置における各処理室での工
程を示し、縦軸が各処理室での真空度プロファイルであ
る。
造装置における各処理室での工程を示し、縦軸が各処理
室での工程におけるパネル部材の温度プロファイルであ
る。この温度プロファイルは、ＲＰ１０１、ＦＰ１０２
の温度状態を示すものである。また、図１（ｃ）はその
横軸が、図１（ａ）の製造装置における各処理室での工
程を示し、縦軸が各処理室での真空度プロファイルであ
る。
【００５２】ＲＰ１０１とＦＰ１０２、外枠１０３、ス
ペーサ１０４は、搬送手段である搬送ローラ１２０の駆
動によって、順次、矢印１４５方向に各処理室を通過
し、この通過中に各種の処理が施される。
ペーサ１０４は、搬送手段である搬送ローラ１２０の駆
動によって、順次、矢印１４５方向に各処理室を通過
し、この通過中に各種の処理が施される。
【００５３】本実施形態においては、まず、前室１０５
の真空雰囲気下に、複数の電子放出素子を複数の行方向
配線及び列方向配線によってマトリクス状に接続した電
子源が配置されたＲＰ１０１、外枠１０３、及び、スペ
ーサ１０４からなる第１の部材と、蛍光体及びメタルバ
ックが配置されたＦＰ１０２からなる第２の部材とが用
意され、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、ＥＢ
照射処理室１０７における電子線照射、通電処理室１０
０１におけるエージング及び特性調整処理、チャンバー
ゲッタ処理室１０８におけるチャンバーゲッタ処理によ
る高真空到達、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネ
ルゲッタ処理によるパネルへのゲッタフラッシュ、封着
処理室１１０における加熱封着及び冷却室１１１におけ
る冷却処理の各工程が直列された一ライン上で行われる
ものとなっている。図３に本実施例のＲＰ１０１の平面
図を示す。尚、ＲＰ１０１の構成は図４に示すように複
数のＦＥ素子をマトリクス状に配置したものも適用でき
る。
の真空雰囲気下に、複数の電子放出素子を複数の行方向
配線及び列方向配線によってマトリクス状に接続した電
子源が配置されたＲＰ１０１、外枠１０３、及び、スペ
ーサ１０４からなる第１の部材と、蛍光体及びメタルバ
ックが配置されたＦＰ１０２からなる第２の部材とが用
意され、ベーク処理室１０６におけるベーク処理、ＥＢ
照射処理室１０７における電子線照射、通電処理室１０
０１におけるエージング及び特性調整処理、チャンバー
ゲッタ処理室１０８におけるチャンバーゲッタ処理によ
る高真空到達、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネ
ルゲッタ処理によるパネルへのゲッタフラッシュ、封着
処理室１１０における加熱封着及び冷却室１１１におけ
る冷却処理の各工程が直列された一ライン上で行われる
ものとなっている。図３に本実施例のＲＰ１０１の平面
図を示す。尚、ＲＰ１０１の構成は図４に示すように複
数のＦＥ素子をマトリクス状に配置したものも適用でき
る。
【００５４】図１（ａ）に図示した製造装置の各処理室
間には、前述の通り、ゲートバルブ１１２、１１３、１
１４、１１５１、１１５２、１１６、１１７、１１８、
１１９が配置されており、各処理室は不図示の真空排気
系で真空排気される。本実施形態においては、ゲートバ
ルブ１１２、１１３、１１４、１１５１、１１５２、１
１６、１１７、１１８、１１９を各処理室間毎に配置し
たが、このゲートバルブ配置は図１（ｃ）に図示する真
空度プロファイルの真空度が相違する処理室間および装
置外大気間のみでよく、例えば、チャンバーゲッタ処理
室１０８、パネルゲッタ処理室１０９、封着室１１０の
間のゲートバルブ１１６、１１７、またＥＢ照射処理室
１０７と通電処理室１００１の間のゲートバルブ１１５
１は省略することも可能である。
間には、前述の通り、ゲートバルブ１１２、１１３、１
１４、１１５１、１１５２、１１６、１１７、１１８、
１１９が配置されており、各処理室は不図示の真空排気
系で真空排気される。本実施形態においては、ゲートバ
ルブ１１２、１１３、１１４、１１５１、１１５２、１
１６、１１７、１１８、１１９を各処理室間毎に配置し
たが、このゲートバルブ配置は図１（ｃ）に図示する真
空度プロファイルの真空度が相違する処理室間および装
置外大気間のみでよく、例えば、チャンバーゲッタ処理
室１０８、パネルゲッタ処理室１０９、封着室１１０の
間のゲートバルブ１１６、１１７、またＥＢ照射処理室
１０７と通電処理室１００１の間のゲートバルブ１１５
１は省略することも可能である。
【００５５】上記のように隣接した処理室間にゲートバ
ルブがなく、しかも各処理工程におけるパネル部材の温
度が異なる場合は、該処理工程間には、例えばアルミニ
ウム、クロム、ステンレスなどの反射性金属によって形
成した熱遮蔽部材（板形状、フィルム形状など）が配置
されていることが好ましい。この熱遮蔽部材は、図１
（ｂ）に図示するパネル部材の温度プロファイルの温度
が相違する処理室間、例えば、ベーク処理室１０６とパ
ネルゲッタ処理室１０９との間の何処か、あるいは、パ
ネルゲッタ処理室１０９と封着処理室１１０との間、あ
るいは、上記両方に配置するのが好ましい。また、該熱
遮蔽部材は各処理室間毎に配置してもよい。上記熱遮蔽
部材は、上に載置したＦＰ１０２とＲＰ１０１とが各処
理室間を移動する際には、障害を与えないように設置さ
れる。
ルブがなく、しかも各処理工程におけるパネル部材の温
度が異なる場合は、該処理工程間には、例えばアルミニ
ウム、クロム、ステンレスなどの反射性金属によって形
成した熱遮蔽部材（板形状、フィルム形状など）が配置
されていることが好ましい。この熱遮蔽部材は、図１
（ｂ）に図示するパネル部材の温度プロファイルの温度
が相違する処理室間、例えば、ベーク処理室１０６とパ
ネルゲッタ処理室１０９との間の何処か、あるいは、パ
ネルゲッタ処理室１０９と封着処理室１１０との間、あ
るいは、上記両方に配置するのが好ましい。また、該熱
遮蔽部材は各処理室間毎に配置してもよい。上記熱遮蔽
部材は、上に載置したＦＰ１０２とＲＰ１０１とが各処
理室間を移動する際には、障害を与えないように設置さ
れる。
【００５６】また、本実施形態では、前室１０５に搬入
する前のＲＰ１０１に、予め、真空構造をシールする外
枠１０３及び耐大気圧構造を形成するスペーサ１０４を
固定設置してあるがこれに限るものではない。例えば、
外枠１０３にスペーサ１０４を事前に固定し（例えば外
枠１０３内を横切る板状スペーサ１０４として、その両
端を外枠１０３に固定。）、これを単独の構成部材とし
てＲＰ１０１やＦＰ１０２とは別に本装置内に投入し、
各処理工程を行い、最終的に封着処理工程でパネルの構
成部材として、所望の位置に配置固定することもでき
る。
する前のＲＰ１０１に、予め、真空構造をシールする外
枠１０３及び耐大気圧構造を形成するスペーサ１０４を
固定設置してあるがこれに限るものではない。例えば、
外枠１０３にスペーサ１０４を事前に固定し（例えば外
枠１０３内を横切る板状スペーサ１０４として、その両
端を外枠１０３に固定。）、これを単独の構成部材とし
てＲＰ１０１やＦＰ１０２とは別に本装置内に投入し、
各処理工程を行い、最終的に封着処理工程でパネルの構
成部材として、所望の位置に配置固定することもでき
る。
【００５７】尚、図１（ａ）において１４３は封着材で
あり、ＲＰ１０１に配置された外枠１０３のＦＰ１０２
側端部に事前にフリットガラスなどの低融点物質やイン
ジウムなどの低融点金属又はその合金として設けること
ができる。封着材１４３の配置はこれに限るものではな
く、外枠１０３が接触固定されるＦＰ１０２上の部分に
配置しておいても良い。さらには、外枠１０３を単独の
構成部材として独立して、本装置内に投入する場合は、
外枠１０３のＲＰ１０１側端部及びＦＰ１０２側端部に
封着材１４３を設けても良い。また、封着材１４３は、
外枠１０３が接触固定されるＲＰ１０１およびＦＰ１０
２上の部分に配置されても良い。上記封着材１４３を設
ける部分は、外枠１０３の端部と、この外枠１０３の端
部が接触固定されるＲＰ１０１およびＦＰ１０２上の部
分の少なくともいずれか一方に設けてあれば良い。
あり、ＲＰ１０１に配置された外枠１０３のＦＰ１０２
側端部に事前にフリットガラスなどの低融点物質やイン
ジウムなどの低融点金属又はその合金として設けること
ができる。封着材１４３の配置はこれに限るものではな
く、外枠１０３が接触固定されるＦＰ１０２上の部分に
配置しておいても良い。さらには、外枠１０３を単独の
構成部材として独立して、本装置内に投入する場合は、
外枠１０３のＲＰ１０１側端部及びＦＰ１０２側端部に
封着材１４３を設けても良い。また、封着材１４３は、
外枠１０３が接触固定されるＲＰ１０１およびＦＰ１０
２上の部分に配置されても良い。上記封着材１４３を設
ける部分は、外枠１０３の端部と、この外枠１０３の端
部が接触固定されるＲＰ１０１およびＦＰ１０２上の部
分の少なくともいずれか一方に設けてあれば良い。
【００５８】上記のように構成された装置において、パ
ネルを真空排気して封着する工程を以下に示す。尚、以
下の工程は１枚のパネルを封着する場合を示す場合であ
るが、連続して複数のパネルを連続的に処理して封着す
る場合は、各処理工程の処理時間が異なる場合があり、
処理時間の長い工程については他の処理工程時間と調整
するように、処理工程を複数の処理室に分割すること、
あるいは同一の処理室に処理のための構成要素を、例え
ば、ホットプレート等を複数配置して、同時に処理を行
うことよって可能となる。
ネルを真空排気して封着する工程を以下に示す。尚、以
下の工程は１枚のパネルを封着する場合を示す場合であ
るが、連続して複数のパネルを連続的に処理して封着す
る場合は、各処理工程の処理時間が異なる場合があり、
処理時間の長い工程については他の処理工程時間と調整
するように、処理工程を複数の処理室に分割すること、
あるいは同一の処理室に処理のための構成要素を、例え
ば、ホットプレート等を複数配置して、同時に処理を行
うことよって可能となる。
【００５９】まず、外枠１０３およびスペーサ１０４が
事前に固定され、封着材１４３も事前に配置されたＲＰ
１０１と、ＦＰ１０２を前室１０５に搬入する。搬入に
際しては搬送用の治具に上記のＲＰ１０１とＦＰ１０２
とを配置し、構造上、両者の基板に間隔が形成されるよ
うにしてある。尚、搬入、搬送は治具を用いることに限
るものではなく、ＲＰ１０１、ＦＰ１０２の基板をその
まま、装置本体側の支持搬送ユニットで搬送することも
可能である。
事前に固定され、封着材１４３も事前に配置されたＲＰ
１０１と、ＦＰ１０２を前室１０５に搬入する。搬入に
際しては搬送用の治具に上記のＲＰ１０１とＦＰ１０２
とを配置し、構造上、両者の基板に間隔が形成されるよ
うにしてある。尚、搬入、搬送は治具を用いることに限
るものではなく、ＲＰ１０１、ＦＰ１０２の基板をその
まま、装置本体側の支持搬送ユニットで搬送することも
可能である。
【００６０】搬入が終了したら、搬入口であるゲートバ
ルブ１１２を遮蔽し、この前室１０５の内部を真空排気
する。この間、ベーク処理室１０６以降の処理室は各々
の真空度と温度プロファイルに設定されている。以降、
ＲＰ１０１，ＦＰ１０２の基板の搬送に際して、対応す
る処理室間のゲートバルブ１１３−１１９を順次、開
放、遮断する。
ルブ１１２を遮蔽し、この前室１０５の内部を真空排気
する。この間、ベーク処理室１０６以降の処理室は各々
の真空度と温度プロファイルに設定されている。以降、
ＲＰ１０１，ＦＰ１０２の基板の搬送に際して、対応す
る処理室間のゲートバルブ１１３−１１９を順次、開
放、遮断する。
【００６１】上記前室１０５が１０-5Ｐａ台の真空排気
状態に達したとき、ゲートバルブ１１３を開放し、ＲＰ
１０１とＦＰ１０２とを前室１０５から搬出してベーク
処理室１０６に移動し、この移動終了後にゲートバルブ
１１３を遮断する。
状態に達したとき、ゲートバルブ１１３を開放し、ＲＰ
１０１とＦＰ１０２とを前室１０５から搬出してベーク
処理室１０６に移動し、この移動終了後にゲートバルブ
１１３を遮断する。
【００６２】大気に曝されることなくベーク処理室１０
６に移動されてきたＲＰ１０１とＦＰ１０２は、このベ
ーク処理室１０６内で、ホットプレート１２１，１２２
の加熱処理（ベーク処理）が施される。このベーク処理
によって、ＲＰ１０１とＦＰ１０２に含有、吸着されて
いる水素、酸素、水などの不純物をガス排出させること
ができる。このときのベーク温度は、一般的に、３００
℃〜４００℃、好ましくは３５０℃〜３８０℃である。
このときの真空度は約１０-4Ｐａである。
６に移動されてきたＲＰ１０１とＦＰ１０２は、このベ
ーク処理室１０６内で、ホットプレート１２１，１２２
の加熱処理（ベーク処理）が施される。このベーク処理
によって、ＲＰ１０１とＦＰ１０２に含有、吸着されて
いる水素、酸素、水などの不純物をガス排出させること
ができる。このときのベーク温度は、一般的に、３００
℃〜４００℃、好ましくは３５０℃〜３８０℃である。
このときの真空度は約１０-4Ｐａである。
【００６３】ベーク処理を終了したＲＰ１０１とＦＰ１
０２とをＥＢ照射処理室１０７に移動させ、ＲＰ１０１
をホットプレート１２３に固定し、昇降機１３９によっ
てＥＢ照射処理室１０７の上部へ移動させる。この間、
一時的にＲＰ１０１とＦＰ１０２は加熱源であるベーク
処理室１０６のホットプレート１２１、１２２から離れ
ることになるが、急激な温度低下を発生しないようにし
てＥＢ照射処理室１０７のホットプレート１２３，１２
４に固定し、加熱することで、穏やかに降温を行う。こ
の降温状態の基板温度域において、電子銃１２５からＥ
Ｂ１２６を任意の領域へ放出してＥＢ照射処理（エレク
トロンビームクリーニング処理）を行う。ＥＢ照射処理
は、一般に基板温度域が１００℃からベーク温度までの
範囲において行われる。この時の真空度は約１０-4Ｐａ
から１０-5Ｐａになる。
０２とをＥＢ照射処理室１０７に移動させ、ＲＰ１０１
をホットプレート１２３に固定し、昇降機１３９によっ
てＥＢ照射処理室１０７の上部へ移動させる。この間、
一時的にＲＰ１０１とＦＰ１０２は加熱源であるベーク
処理室１０６のホットプレート１２１、１２２から離れ
ることになるが、急激な温度低下を発生しないようにし
てＥＢ照射処理室１０７のホットプレート１２３，１２
４に固定し、加熱することで、穏やかに降温を行う。こ
の降温状態の基板温度域において、電子銃１２５からＥ
Ｂ１２６を任意の領域へ放出してＥＢ照射処理（エレク
トロンビームクリーニング処理）を行う。ＥＢ照射処理
は、一般に基板温度域が１００℃からベーク温度までの
範囲において行われる。この時の真空度は約１０-4Ｐａ
から１０-5Ｐａになる。
【００６４】ＥＢ照射処理はＲＰ１０１、ＦＰ１０２へ
の照射による吸着不純物のガス脱離による基板クリーニ
ング等の効果がある。また、上述の通り、この際、ベー
ク処理工程での余熱を利用することができるので上記ク
リーニング効果は一層向上する。また、ＥＢ照射はＲＰ
１０１、ＦＰ１０２の両方、または、いずれか一方のみ
の処理でも良い。
の照射による吸着不純物のガス脱離による基板クリーニ
ング等の効果がある。また、上述の通り、この際、ベー
ク処理工程での余熱を利用することができるので上記ク
リーニング効果は一層向上する。また、ＥＢ照射はＲＰ
１０１、ＦＰ１０２の両方、または、いずれか一方のみ
の処理でも良い。
【００６５】また、ＥＢ照射はＲＰ１０１、ＦＰ１０２
に限らず、ＥＢ照射工程チャンバー内の任意の領域に照
射しても良い。ＥＢ照射処理は、基板クリーニング以外
に、チャンバー空間にＥＢ照射することにより、ベーキ
ング、ＥＢ照射基板クリーニングによって脱離したガス
をＥＢ照射によりイオン化し、後工程のゲッタフラッシ
ュ処理工程で、よりゲッタへの吸着を促進することがで
きる効果もある。
に限らず、ＥＢ照射工程チャンバー内の任意の領域に照
射しても良い。ＥＢ照射処理は、基板クリーニング以外
に、チャンバー空間にＥＢ照射することにより、ベーキ
ング、ＥＢ照射基板クリーニングによって脱離したガス
をＥＢ照射によりイオン化し、後工程のゲッタフラッシ
ュ処理工程で、よりゲッタへの吸着を促進することがで
きる効果もある。
【００６６】また、以上述べたＥＢ照射処理室１０７、
あるいは、このＥＢ照射処理室１０７と後述する第１の
ゲッタ処理室１０８（チャンバーゲッタ処理室）とは、
ベーク処理を終了したＲＰ１０１及びＦＰ１０２の降温
を行う、徐冷却処理室としての機能をも果たすものであ
るが、ベーク処理室１０６とＥＢ照射処理室１０７との
間に別個、徐冷処理室を設けることも好ましい形態の一
つである。
あるいは、このＥＢ照射処理室１０７と後述する第１の
ゲッタ処理室１０８（チャンバーゲッタ処理室）とは、
ベーク処理を終了したＲＰ１０１及びＦＰ１０２の降温
を行う、徐冷却処理室としての機能をも果たすものであ
るが、ベーク処理室１０６とＥＢ照射処理室１０７との
間に別個、徐冷処理室を設けることも好ましい形態の一
つである。
【００６７】このような徐冷処理室においては、ベーク
処理時の加熱温度からの急激な温度低下を発生しないよ
うに、ＲＰ１０１及びＦＰ１０２はそれぞれホットプレ
ートに固定され、穏やかに降温を行う。この時のホット
プレートの温度域は１００℃からベーク温度までの範囲
で設定され、真空度は約１０-4Ｐａから１０-5Ｐａの範
囲で設定される。
処理時の加熱温度からの急激な温度低下を発生しないよ
うに、ＲＰ１０１及びＦＰ１０２はそれぞれホットプレ
ートに固定され、穏やかに降温を行う。この時のホット
プレートの温度域は１００℃からベーク温度までの範囲
で設定され、真空度は約１０-4Ｐａから１０-5Ｐａの範
囲で設定される。
【００６８】ＥＢ照射処理が終了した後、昇降機１３９
を降下させてから、ホットプレート１２３からＲＰ１０
１を取り外し、ＦＰ１０２と共に、通電処理室１００１
に移動する。このとき、ＲＰ１０１とＦＰ１０２は通電
処理室１００１に大気に曝すことなく移動される。通電
処理室ではＲＰはホットプレート１００３に保持され上
昇される。その後、行方向配線用プローブ１００４、１
００５及び不図示の列方向配線用プローブがＲＰ１０１
に形成されている行方向配線及び列方向配線の端部に電
気的に接触される。
を降下させてから、ホットプレート１２３からＲＰ１０
１を取り外し、ＦＰ１０２と共に、通電処理室１００１
に移動する。このとき、ＲＰ１０１とＦＰ１０２は通電
処理室１００１に大気に曝すことなく移動される。通電
処理室ではＲＰはホットプレート１００３に保持され上
昇される。その後、行方向配線用プローブ１００４、１
００５及び不図示の列方向配線用プローブがＲＰ１０１
に形成されている行方向配線及び列方向配線の端部に電
気的に接触される。
【００６９】ここで、行方向配線用プローブと列方向配
線用プローブによってそれぞれ行方向配線と列方向配線
に印加される電位の差である電圧が所定の素子に印加さ
れる。すなわち、複数の行方向配線のうちのひとつの行
方向配線にマイナス７．５ボルトの電位が印加され、そ
の他の行方向配線に０ボルトの電位が印加され、列方向
配線の全てに＋７ボルトの電位が印加されると、マイナ
ス７．５ボルトの電位が印加される行方向配線に接続さ
れる電子放出素子には、列方向配線に印加される電位と
の電位差である１４．５ボルトの電圧が印加され、素子
のエージングが進行する。このとき、他の行方向配線に
接続される素子には７ボルトの電圧が印加されるのみで
あるので、エージングの進行は抑制されている。その後
順次マイナス７．５ボルトの電位が印加される行方向配
線を変更しながら全ての電子放出素子に１４．５ボルト
の電圧を経験させる。必要に応じてこのプロセスを繰り
返してエージング処理を行う。なお、本実施例において
は電子放出素子に印加される電圧はパルス状のものと
し、電圧のパルスの幅は６６．８［μｓ］、パルス周期
Ｔｓは１６．６［ｍｓ］とし、各素子に１４．５ボルト
の電圧が１００パルス印加されるようにした。
線用プローブによってそれぞれ行方向配線と列方向配線
に印加される電位の差である電圧が所定の素子に印加さ
れる。すなわち、複数の行方向配線のうちのひとつの行
方向配線にマイナス７．５ボルトの電位が印加され、そ
の他の行方向配線に０ボルトの電位が印加され、列方向
配線の全てに＋７ボルトの電位が印加されると、マイナ
ス７．５ボルトの電位が印加される行方向配線に接続さ
れる電子放出素子には、列方向配線に印加される電位と
の電位差である１４．５ボルトの電圧が印加され、素子
のエージングが進行する。このとき、他の行方向配線に
接続される素子には７ボルトの電圧が印加されるのみで
あるので、エージングの進行は抑制されている。その後
順次マイナス７．５ボルトの電位が印加される行方向配
線を変更しながら全ての電子放出素子に１４．５ボルト
の電圧を経験させる。必要に応じてこのプロセスを繰り
返してエージング処理を行う。なお、本実施例において
は電子放出素子に印加される電圧はパルス状のものと
し、電圧のパルスの幅は６６．８［μｓ］、パルス周期
Ｔｓは１６．６［ｍｓ］とし、各素子に１４．５ボルト
の電圧が１００パルス印加されるようにした。
【００７０】本願発明で言うエージングとは即ち、電子
放出素子に画像表示の駆動の際に印加する電圧よりも高
い電圧を印加する、または画像表示の際に電子放出部に
照射する電子の有するエネルギーよりも高いエネルギー
を有する電子を予め電子放出部に照射する（この高いエ
ネルギーを有する電子の放出源は画像表示装置の構成要
素である電子放出素子に限らず、別途設けた画像表示に
寄与しない電子ビーム源からの電子の場合も含む）、ま
たは放出部にＵＶ照射を行なう等、電子放出特性を制御
する工程である。尚、本実施例における上述のエージン
グ工程においては、エージング前の電子放出素子に所定
の電圧（これは実際の画像表示の際に印加される電圧と
同じ大きさの電圧であり、該画像表示の際に印加される
電圧値に幅がある場合はその範囲内の値を持つ所定の電
圧）を印加して得られる放出電流量よりもエージング後
の該電子放出素子に前記所定の電圧を印加して得られる
放出電流量の方が少なくなっており、実際の画像表示の
ための駆動を開始してからの特性の急激な変化を長期間
に渡って抑制できた。
放出素子に画像表示の駆動の際に印加する電圧よりも高
い電圧を印加する、または画像表示の際に電子放出部に
照射する電子の有するエネルギーよりも高いエネルギー
を有する電子を予め電子放出部に照射する（この高いエ
ネルギーを有する電子の放出源は画像表示装置の構成要
素である電子放出素子に限らず、別途設けた画像表示に
寄与しない電子ビーム源からの電子の場合も含む）、ま
たは放出部にＵＶ照射を行なう等、電子放出特性を制御
する工程である。尚、本実施例における上述のエージン
グ工程においては、エージング前の電子放出素子に所定
の電圧（これは実際の画像表示の際に印加される電圧と
同じ大きさの電圧であり、該画像表示の際に印加される
電圧値に幅がある場合はその範囲内の値を持つ所定の電
圧）を印加して得られる放出電流量よりもエージング後
の該電子放出素子に前記所定の電圧を印加して得られる
放出電流量の方が少なくなっており、実際の画像表示の
ための駆動を開始してからの特性の急激な変化を長期間
に渡って抑制できた。
【００７１】ただし、エージング処理を行うのみでは各
素子の電子放出特性、この実施例においては印加電圧に
対する素子に流れる電流（素子電流）量の特性、が一致
しない場合が多々ある。そこで、本実施例では印加電圧
１４ボルト(実際の画像表示のために印加する電圧の値)
に対する素子電流量が他の素子よりも大きい素子に対し
ては、選択的に更なる電圧印加を行い特性を調整する。
すなわち、前記エージング処理においては全ての列方向
配線にエージングのための電位を与えたのに対して、こ
の選択的な特性調整工程においては特性調整電圧を印加
すべき素子が接続されている列方向配線には徐々に値を
正の方向に大きくしながらパルス電位を与え、特性調整
電圧を印加しない素子が接続されている列方向配線には
０ボルトの電位を与える。これにより特定の素子にのみ
徐々に大きくなる電圧が印加されることになる。なお、
パルス幅とパルス周期は上記エージングのときと同じに
した。なお、パルス電圧の印加と同時に列方向配線に流
れる電流をモニタしておき、流れる電流値が所定の値に
なったら該素子に対する特性調整を終了する。なお、特
性調整する素子を選択するために、行方向配線のほうも
特性調整の対象となる電子放出素子が接続される行方向
配線のみにマイナス７．５ボルトの電位を印加し、他の
行方向配線には０ボルトの電位を与えておく。これらエ
ージング工程、特性調整工程等の電圧印加工程が、どの
ようなメカニズムで電子放出素子の電子放出量を少なく
するのかについては、十分解明されていないが、本発明
者らは、少なくとも電子放出部近傍に炭素及び炭素化合
物を有する素子においては、画像表示装置の通常の表示
駆動に先駆けて、真空雰囲気、より好ましくは有機物質
の分圧が低い雰囲気において、予めエージング工程、特
性調整工程等の電圧印加工程を行なうことで放出電流量
を少なくすることが出来ることを確認している。特に活
性化工程によって電子放出部近傍に炭素及び炭素化合物
を有する表面伝導型放出素子においては、この電圧印加
工程の電圧値を表示駆動時の電圧値より大きくすること
で、放出電流量を少なくすることが出来ることも確認し
ている。
素子の電子放出特性、この実施例においては印加電圧に
対する素子に流れる電流（素子電流）量の特性、が一致
しない場合が多々ある。そこで、本実施例では印加電圧
１４ボルト(実際の画像表示のために印加する電圧の値)
に対する素子電流量が他の素子よりも大きい素子に対し
ては、選択的に更なる電圧印加を行い特性を調整する。
すなわち、前記エージング処理においては全ての列方向
配線にエージングのための電位を与えたのに対して、こ
の選択的な特性調整工程においては特性調整電圧を印加
すべき素子が接続されている列方向配線には徐々に値を
正の方向に大きくしながらパルス電位を与え、特性調整
電圧を印加しない素子が接続されている列方向配線には
０ボルトの電位を与える。これにより特定の素子にのみ
徐々に大きくなる電圧が印加されることになる。なお、
パルス幅とパルス周期は上記エージングのときと同じに
した。なお、パルス電圧の印加と同時に列方向配線に流
れる電流をモニタしておき、流れる電流値が所定の値に
なったら該素子に対する特性調整を終了する。なお、特
性調整する素子を選択するために、行方向配線のほうも
特性調整の対象となる電子放出素子が接続される行方向
配線のみにマイナス７．５ボルトの電位を印加し、他の
行方向配線には０ボルトの電位を与えておく。これらエ
ージング工程、特性調整工程等の電圧印加工程が、どの
ようなメカニズムで電子放出素子の電子放出量を少なく
するのかについては、十分解明されていないが、本発明
者らは、少なくとも電子放出部近傍に炭素及び炭素化合
物を有する素子においては、画像表示装置の通常の表示
駆動に先駆けて、真空雰囲気、より好ましくは有機物質
の分圧が低い雰囲気において、予めエージング工程、特
性調整工程等の電圧印加工程を行なうことで放出電流量
を少なくすることが出来ることを確認している。特に活
性化工程によって電子放出部近傍に炭素及び炭素化合物
を有する表面伝導型放出素子においては、この電圧印加
工程の電圧値を表示駆動時の電圧値より大きくすること
で、放出電流量を少なくすることが出来ることも確認し
ている。
【００７２】なお、このエージング工程、及び特性調整
工程及び電圧印加工程においては、真空雰囲気を維持す
るため真空ポンプによる排気をしながら行う。有機物質
の分圧は１×１０-6Ｐａ以下に維持した。
工程及び電圧印加工程においては、真空雰囲気を維持す
るため真空ポンプによる排気をしながら行う。有機物質
の分圧は１×１０-6Ｐａ以下に維持した。
【００７３】なお、本実施例で製造した電子源は、製造
工程終了後実際に駆動する際にはパルス幅変調を行うも
のとし、実際の画像表示の際の駆動電圧として各素子に
印加される電圧の大きさを１４ボルトとして用いるもの
である。
工程終了後実際に駆動する際にはパルス幅変調を行うも
のとし、実際の画像表示の際の駆動電圧として各素子に
印加される電圧の大きさを１４ボルトとして用いるもの
である。
【００７４】通電処理が終了した後、昇降機１００６を
降下させた後、ホットプレート１００３からＲＰ１０１
を取り外し、ＦＰ１０２と共に、チャンバーゲッタ処理
室１０８へ移動する。このとき、ＲＰ１０１とＦＰ１０
２は、チャンバーゲッタ処理室１０８に大気に曝すこと
なく移動される。このときのチャンバーゲッタフラッシ
ュ装置１２９内に内蔵させていた蒸発型ゲッタ材（例え
ば、バリウムなどのゲッタ材）を抵抗加熱などの方法で
加熱蒸発させてチャンバーゲッタフラッシュ１３０を生
じさせ、パネル部材以外のチャンバー内に配置されたチ
ャンバーゲッタ板１３１の表面にバリウム膜などからな
るゲッタ膜（図示せず）を被着せしめる。この際のパネ
ルゲッタの膜厚は、一般的に５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ま
しくは１０ｎｍ〜２００ｎｍ、より好ましくは、２０ｎ
ｍ〜２００ｎｍである。このチャンバーゲッタ処理工程
により、チャンバーゲッタ板１３１に被着したゲッタ膜
がチャンバー内のガスを吸着排気して、チャンバーゲッ
タ処理室の真空度は１０-6Ｐａ台に到達する。ＲＰ１０
１、ＦＰ１０２の基板温度はベーク温度から１００℃ま
での温度範囲で当該処理が行われる。なお、チャンバー
ゲッタフラッシュ１３０によって、ゲッタ材が蒸発する
ため、一時的にチャンバー内の真空度は低下するが、真
空排気により、高真空へと移行する。
降下させた後、ホットプレート１００３からＲＰ１０１
を取り外し、ＦＰ１０２と共に、チャンバーゲッタ処理
室１０８へ移動する。このとき、ＲＰ１０１とＦＰ１０
２は、チャンバーゲッタ処理室１０８に大気に曝すこと
なく移動される。このときのチャンバーゲッタフラッシ
ュ装置１２９内に内蔵させていた蒸発型ゲッタ材（例え
ば、バリウムなどのゲッタ材）を抵抗加熱などの方法で
加熱蒸発させてチャンバーゲッタフラッシュ１３０を生
じさせ、パネル部材以外のチャンバー内に配置されたチ
ャンバーゲッタ板１３１の表面にバリウム膜などからな
るゲッタ膜（図示せず）を被着せしめる。この際のパネ
ルゲッタの膜厚は、一般的に５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ま
しくは１０ｎｍ〜２００ｎｍ、より好ましくは、２０ｎ
ｍ〜２００ｎｍである。このチャンバーゲッタ処理工程
により、チャンバーゲッタ板１３１に被着したゲッタ膜
がチャンバー内のガスを吸着排気して、チャンバーゲッ
タ処理室の真空度は１０-6Ｐａ台に到達する。ＲＰ１０
１、ＦＰ１０２の基板温度はベーク温度から１００℃ま
での温度範囲で当該処理が行われる。なお、チャンバー
ゲッタフラッシュ１３０によって、ゲッタ材が蒸発する
ため、一時的にチャンバー内の真空度は低下するが、真
空排気により、高真空へと移行する。
【００７５】次に、ＲＰ１０１とＦＰ１０２とをパネル
ゲッタ処理室１０９に移動させ、ＲＰ１０１をホットプ
レート１３２に固定し、昇降機１４１によってパネルゲ
ッタ処理室１０９の上部へ移動させる。パネルゲッタ処
理室は事前に１０-6Ｐａ台に真空排気されている。この
真空度に到達するためには、一般的な真空排気ポンプの
他に、上記、蒸発型ゲッタ材のフラッシュによる排気、
非蒸発ゲッタ材の加熱活性化による排気などによる補助
排気手段を用いることもできる。上記１０-6Ｐａ台に真
空排気方法は、以下に述べる封着処理室１１０、冷却処
理室１１１にも用いることができる。
ゲッタ処理室１０９に移動させ、ＲＰ１０１をホットプ
レート１３２に固定し、昇降機１４１によってパネルゲ
ッタ処理室１０９の上部へ移動させる。パネルゲッタ処
理室は事前に１０-6Ｐａ台に真空排気されている。この
真空度に到達するためには、一般的な真空排気ポンプの
他に、上記、蒸発型ゲッタ材のフラッシュによる排気、
非蒸発ゲッタ材の加熱活性化による排気などによる補助
排気手段を用いることもできる。上記１０-6Ｐａ台に真
空排気方法は、以下に述べる封着処理室１１０、冷却処
理室１１１にも用いることができる。
【００７６】パネルゲッタ処理室１０９ではパネルゲッ
タフラッシュ装置１３４内に内蔵させている蒸発型ゲッ
タ材（例えば、バリウムなどのゲッタ材）を抵抗加熱な
どの方法で加熱蒸発させてパネルゲッタフラッシュ１３
５を生じさせ、ＦＰの表面にバリウム膜などからなるゲ
ッタ膜（図示せず）を被着せしめる。この際のパネルゲ
ッタの膜厚は、一般的に５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましく
は１０ｎｍ〜２００ｎｍ、より好ましくは、２０ｎｍ〜
２００ｎｍである。ここで成膜された蒸発型ゲッタは、
当該処理工程のチャンバーが１０-6Ｐａの高真空である
ためにガス吸着による劣化は小さく、十分にゲッタ真空
排気能力を維持したまま、次の封着処理工程へ移され
る。
タフラッシュ装置１３４内に内蔵させている蒸発型ゲッ
タ材（例えば、バリウムなどのゲッタ材）を抵抗加熱な
どの方法で加熱蒸発させてパネルゲッタフラッシュ１３
５を生じさせ、ＦＰの表面にバリウム膜などからなるゲ
ッタ膜（図示せず）を被着せしめる。この際のパネルゲ
ッタの膜厚は、一般的に５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましく
は１０ｎｍ〜２００ｎｍ、より好ましくは、２０ｎｍ〜
２００ｎｍである。ここで成膜された蒸発型ゲッタは、
当該処理工程のチャンバーが１０-6Ｐａの高真空である
ためにガス吸着による劣化は小さく、十分にゲッタ真空
排気能力を維持したまま、次の封着処理工程へ移され
る。
【００７７】図１（ａ）ではＦＰ１０２上にゲッタ膜を
被着、形成したが、形成する部材はこれに限るものでは
なく、ＲＰ１０１等に形成することも可能である。ただ
し、ゲッタ材は一般に導電性であるため、封着されたパ
ネルの画像表示駆動時に大きなリーク電流の発生や、駆
動電圧の耐圧が維持できないなどの問題が発生する場合
がある。例えば、図１（ａ）のＲＰ１０１にパネルゲッ
タフラッシュを行うと、外枠１０３、スペーサ１０４に
も導電性のゲッタ膜が成膜されるために、駆動時の電気
的な問題が発生する場合がある。この様な場合には、ゲ
ッタ膜を被着成膜してはならない部分をメタル薄板の成
膜マスクで覆い、ゲッタ膜が被着形成されないようにし
ながらＲＰ１０１の必要な部分にのみゲッタ膜を成膜さ
せることができる。なお、パネルゲッタフラッシュによ
って、ゲッタ材が蒸発するため、一時的にチャンバー内
の真空度は低下するが、真空排気により、高真空へと移
行する。
被着、形成したが、形成する部材はこれに限るものでは
なく、ＲＰ１０１等に形成することも可能である。ただ
し、ゲッタ材は一般に導電性であるため、封着されたパ
ネルの画像表示駆動時に大きなリーク電流の発生や、駆
動電圧の耐圧が維持できないなどの問題が発生する場合
がある。例えば、図１（ａ）のＲＰ１０１にパネルゲッ
タフラッシュを行うと、外枠１０３、スペーサ１０４に
も導電性のゲッタ膜が成膜されるために、駆動時の電気
的な問題が発生する場合がある。この様な場合には、ゲ
ッタ膜を被着成膜してはならない部分をメタル薄板の成
膜マスクで覆い、ゲッタ膜が被着形成されないようにし
ながらＲＰ１０１の必要な部分にのみゲッタ膜を成膜さ
せることができる。なお、パネルゲッタフラッシュによ
って、ゲッタ材が蒸発するため、一時的にチャンバー内
の真空度は低下するが、真空排気により、高真空へと移
行する。
【００７８】パネルゲッタ処理工程が終了した後、昇降
機１４１を降下させた後、ホットプレート１３２からＲ
Ｐ１０１を取り外し、ＦＰ１０２と共に、封着処理室１
０８へ移動する。
機１４１を降下させた後、ホットプレート１３２からＲ
Ｐ１０１を取り外し、ＦＰ１０２と共に、封着処理室１
０８へ移動する。
【００７９】ＲＰ１０１、ＦＰ１０２を事前に１０-6Ｐ
ａ台まで真空排気した封着処理室１１０へ移動させ、Ｒ
Ｐ１０１、ＦＰ１０２を各々ホットプレート１３６、１
３７に固定する。この時、ＲＰ１０１に配置固定された
枠１０３上の封着材１４３とスペーサ１０４はＦＰ１０
２と接触せず、わずかに間隔を有して固定される。また
この固定時にＲＰ１０１とＦＰ１０２のパネル封着時の
相対位置が決定される。相対位置の決定は突き当てピン
による端面基準で行うことができるがこれに限るもので
はない。
ａ台まで真空排気した封着処理室１１０へ移動させ、Ｒ
Ｐ１０１、ＦＰ１０２を各々ホットプレート１３６、１
３７に固定する。この時、ＲＰ１０１に配置固定された
枠１０３上の封着材１４３とスペーサ１０４はＦＰ１０
２と接触せず、わずかに間隔を有して固定される。また
この固定時にＲＰ１０１とＦＰ１０２のパネル封着時の
相対位置が決定される。相対位置の決定は突き当てピン
による端面基準で行うことができるがこれに限るもので
はない。
【００８０】この後、昇降機１４２を下降させて、ＲＰ
１０１に配置固定された外枠１０３をＦＰ１０２に接
触、押圧させながら、図１（ｂ）の温度プロファイルに
示すように、基板を、封着材１４３の材料に適した封着
温度まで上昇させ、封着材１４３を軟化、または溶解さ
せてからピーク温度で１０分間保持し、その後、基板温
度を降温させて、封着材料が接着固定される。これによ
り外枠１０３に形成された封着材１４３が軟化、溶解し
て外枠１０３とＦＰ１０２が接着された後、封着材１４
３が硬化して固定される。このとき封着処理室１１０の
真空度は１０-6Ｐａを維持しており、本工程で封着され
たパネル内も１０-6Ｐａの真空度となる。封着材１４３
の接着固定温度は例えば、インジュウム金属であれば加
熱ピーク温度は１６０℃、硬化固定温度を１４０℃に設
定とした。また封着材１４３がフリットガラスの場合は
ピーク温度３９０℃、硬化固定温度は３００℃とした。
加熱の昇温レートは２０℃／分、降温レートは５℃／分
としたがこれに限るものではない。また加熱ピーク温
度、硬化固定温度も上記に限るものではない。
１０１に配置固定された外枠１０３をＦＰ１０２に接
触、押圧させながら、図１（ｂ）の温度プロファイルに
示すように、基板を、封着材１４３の材料に適した封着
温度まで上昇させ、封着材１４３を軟化、または溶解さ
せてからピーク温度で１０分間保持し、その後、基板温
度を降温させて、封着材料が接着固定される。これによ
り外枠１０３に形成された封着材１４３が軟化、溶解し
て外枠１０３とＦＰ１０２が接着された後、封着材１４
３が硬化して固定される。このとき封着処理室１１０の
真空度は１０-6Ｐａを維持しており、本工程で封着され
たパネル内も１０-6Ｐａの真空度となる。封着材１４３
の接着固定温度は例えば、インジュウム金属であれば加
熱ピーク温度は１６０℃、硬化固定温度を１４０℃に設
定とした。また封着材１４３がフリットガラスの場合は
ピーク温度３９０℃、硬化固定温度は３００℃とした。
加熱の昇温レートは２０℃／分、降温レートは５℃／分
としたがこれに限るものではない。また加熱ピーク温
度、硬化固定温度も上記に限るものではない。
【００８１】封着材の硬化固定温度以下に温度が下がっ
た時点で、封着処理が終了し、この後、ホットプレート
１３６からＲＰ１０１部を取り外し、昇降機１４２を上
昇さる。ホットプレート１３７からＦＰ１０２部を取り
外しＲＰ１０１、ＦＰ１０２外枠１０３、スペーサ１０
４で構成された封着パネル１４４を、冷却処理室１１１
へ移動する。この時、冷却処理室１１１は封着処理室の
真空度を維持するために、１０-6Ｐａ台に真空排気され
ている。封着パネル１４４は封着材の硬化固定温度でホ
ットプレートから取りはずされ、冷却処理室１１１で冷
却される。冷却手段としては、水冷による温度制御機能
を有する冷却プレートなどが用いられるがこれに限るも
のではなく、封着パネル１４４の急激な温度降下による
基板損傷などが発生しなければ、冷却処理室１１１内で
自然冷却を行っても良い。
た時点で、封着処理が終了し、この後、ホットプレート
１３６からＲＰ１０１部を取り外し、昇降機１４２を上
昇さる。ホットプレート１３７からＦＰ１０２部を取り
外しＲＰ１０１、ＦＰ１０２外枠１０３、スペーサ１０
４で構成された封着パネル１４４を、冷却処理室１１１
へ移動する。この時、冷却処理室１１１は封着処理室の
真空度を維持するために、１０-6Ｐａ台に真空排気され
ている。封着パネル１４４は封着材の硬化固定温度でホ
ットプレートから取りはずされ、冷却処理室１１１で冷
却される。冷却手段としては、水冷による温度制御機能
を有する冷却プレートなどが用いられるがこれに限るも
のではなく、封着パネル１４４の急激な温度降下による
基板損傷などが発生しなければ、冷却処理室１１１内で
自然冷却を行っても良い。
【００８２】封着パネル１４４の温度が室温、あるいは
室温に近い温度まで降下した段階で、冷却処理室１１１
の真空リークを行い処理室を大気圧にする。その後、装
置外大気側のゲートバルブ１１９を開放し、封着パネル
１４４を装置外へ搬出する。
室温に近い温度まで降下した段階で、冷却処理室１１１
の真空リークを行い処理室を大気圧にする。その後、装
置外大気側のゲートバルブ１１９を開放し、封着パネル
１４４を装置外へ搬出する。
【００８３】本実施形態の製造装置は、上記封着処理室
１１０と冷却室１１１との間に、ゲートバルブ１１８と
を設け、該ゲートバルブの開放時に封着処理室１１０か
ら表示パネルを搬出させ、冷却室１１１に搬入後、該ゲ
ートバルブを遮蔽し、ここで徐冷後、搬出口１１９を開
放し、表示パネルを冷却室１１１から搬出させ、最後に
該搬出口１１９を遮蔽して、全工程を終了する。また、
次の工程の開始前に、冷却室１１１の内部を独立配置し
た真空排気系（図示せず）によって、真空状態に設定し
ておくのがよい。
１１０と冷却室１１１との間に、ゲートバルブ１１８と
を設け、該ゲートバルブの開放時に封着処理室１１０か
ら表示パネルを搬出させ、冷却室１１１に搬入後、該ゲ
ートバルブを遮蔽し、ここで徐冷後、搬出口１１９を開
放し、表示パネルを冷却室１１１から搬出させ、最後に
該搬出口１１９を遮蔽して、全工程を終了する。また、
次の工程の開始前に、冷却室１１１の内部を独立配置し
た真空排気系（図示せず）によって、真空状態に設定し
ておくのがよい。
【００８４】本実施形態では、上述した、蒸発型ゲッタ
材のほかに、ＲＰ１０１又はＲＰ１０２上に、予め、チ
タン材などからなる非蒸発型ゲッタ膜又は非蒸発型ゲッ
タ部材を設けておいてもよい。
材のほかに、ＲＰ１０１又はＲＰ１０２上に、予め、チ
タン材などからなる非蒸発型ゲッタ膜又は非蒸発型ゲッ
タ部材を設けておいてもよい。
【００８５】また、上述のホットプレート１２１、１２
３、１００３、１２７、１３２、１３６は、ＦＰ１０１
が脱落することなく十分な力で固定することができる機
材、例えば、機械的に基板周辺をつかむツメによるチャ
ック方式、静電チャック方式や真空着チャック方式を利
用した機材を用いることができる。
３、１００３、１２７、１３２、１３６は、ＦＰ１０１
が脱落することなく十分な力で固定することができる機
材、例えば、機械的に基板周辺をつかむツメによるチャ
ック方式、静電チャック方式や真空着チャック方式を利
用した機材を用いることができる。
【００８６】上記の例は工程組み合わせの一例であり、
各処理工程の組み合わせによって、様々な処理室の構成
例があげられる。ここで、いずれの構成においても、エ
ージング工程、特性調整工程、電圧印加工程は、パネル
ゲッタ工程に先駆けて行なうのが良い。これは、パネル
ゲッタが前記エージング工程または前記特性調整工程、
または前記電圧印加工程で発生するガスに反応し、ゲッ
タの能力を製造工程中に消費してしまうことを回避でき
る点で好ましいからである。
各処理工程の組み合わせによって、様々な処理室の構成
例があげられる。ここで、いずれの構成においても、エ
ージング工程、特性調整工程、電圧印加工程は、パネル
ゲッタ工程に先駆けて行なうのが良い。これは、パネル
ゲッタが前記エージング工程または前記特性調整工程、
または前記電圧印加工程で発生するガスに反応し、ゲッ
タの能力を製造工程中に消費してしまうことを回避でき
る点で好ましいからである。
【００８７】また、エレクトロンビームクリーニングに
よる洗浄する工程を有する場合、このエレクトロンビー
ムクリーニング工程の後に前記エージング工程または前
記特性調整工程、または前記電圧印加工程を行なうのが
好ましい。これは、エレクトロンビームクリーニング工
程によるガスの発生が電子放出素子の特性に影響を及ぼ
す可能性があるため、エージング工程または前記特性調
整工程、または前記電圧印加工程に先立ってエレクトロ
ンビームクリーニング工程を行なうことが好ましいから
である。
よる洗浄する工程を有する場合、このエレクトロンビー
ムクリーニング工程の後に前記エージング工程または前
記特性調整工程、または前記電圧印加工程を行なうのが
好ましい。これは、エレクトロンビームクリーニング工
程によるガスの発生が電子放出素子の特性に影響を及ぼ
す可能性があるため、エージング工程または前記特性調
整工程、または前記電圧印加工程に先立ってエレクトロ
ンビームクリーニング工程を行なうことが好ましいから
である。
【００８８】尚、具体的な処理工程の変形例としては、
第１の変形例として、前室１０５における真空雰囲気下
での用意、通電処理室１００１での通電処理、パネルゲ
ッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理
室１１０における加熱封着、冷却室１１１における冷却
処理の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例
が挙げられる。
第１の変形例として、前室１０５における真空雰囲気下
での用意、通電処理室１００１での通電処理、パネルゲ
ッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処理
室１１０における加熱封着、冷却室１１１における冷却
処理の順に工程を進めるように各処理室を直列させる例
が挙げられる。
【００８９】第２の変形例としては、前室１０５におけ
る真空雰囲気下での用意、ベーク処理室１０６における
ベーク処理、通電処理室１００１での通電処理、パネル
ゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処
理室１１０における加熱封着、冷却室１１１における冷
却処理の順に工程を進めるように各処理室を直列させる
例が挙げられる。
る真空雰囲気下での用意、ベーク処理室１０６における
ベーク処理、通電処理室１００１での通電処理、パネル
ゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処理、封着処
理室１１０における加熱封着、冷却室１１１における冷
却処理の順に工程を進めるように各処理室を直列させる
例が挙げられる。
【００９０】第３の変形例としては、前室１０５におけ
る真空雰囲気下での用意、ベーク処理室１０６における
ベーク処理、通電処理室１００１での通電処理、チャン
バーゲッタ処理室１０８におけるチャンバーゲッタ処
理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処
理、封着処理室１１０における加熱封着、冷却室１１１
における冷却処理の順に工程を進めるように各処理室を
直列させる例が挙げられる。
る真空雰囲気下での用意、ベーク処理室１０６における
ベーク処理、通電処理室１００１での通電処理、チャン
バーゲッタ処理室１０８におけるチャンバーゲッタ処
理、パネルゲッタ処理室１０９におけるパネルゲッタ処
理、封着処理室１１０における加熱封着、冷却室１１１
における冷却処理の順に工程を進めるように各処理室を
直列させる例が挙げられる。
【００９１】第４の変形例としては、前室１０５におけ
る真空雰囲気下での用意、ＥＢ照射処理室１０７におけ
るＥＢ照射処理、通電処理室１００１での通電処理、チ
ャンバーゲッタ処理室１０８におけるチャンバーゲッタ
処理、封着処理室１１０における加熱封着及び冷却室１
１１における冷却処理の順に工程を進めるように各部屋
を直列させる例が挙げられる。
る真空雰囲気下での用意、ＥＢ照射処理室１０７におけ
るＥＢ照射処理、通電処理室１００１での通電処理、チ
ャンバーゲッタ処理室１０８におけるチャンバーゲッタ
処理、封着処理室１１０における加熱封着及び冷却室１
１１における冷却処理の順に工程を進めるように各部屋
を直列させる例が挙げられる。
【００９２】次に構成部材であるＲＰ１０１、ＦＰ１０
２、外枠１０３、スペーサ１０４の搬送と装置導入の変
形例として、第５の変形例としては、ＲＰ１０１とＦＰ
１０２と外枠１０３へ固定配置したスペーサ１０４と３
個の構成部材として本装置内に投入することもできる。
この場合、外枠１０３の本装置内での封着処理による封
着面はＲＰ１０１、ＦＰ１０２側両面となるために、そ
れぞれの封着面に対して封着材を事前に形成しておくこ
とが必要である。
２、外枠１０３、スペーサ１０４の搬送と装置導入の変
形例として、第５の変形例としては、ＲＰ１０１とＦＰ
１０２と外枠１０３へ固定配置したスペーサ１０４と３
個の構成部材として本装置内に投入することもできる。
この場合、外枠１０３の本装置内での封着処理による封
着面はＲＰ１０１、ＦＰ１０２側両面となるために、そ
れぞれの封着面に対して封着材を事前に形成しておくこ
とが必要である。
【００９３】第６の変形例としては、ＲＰ１０１とＦＰ
１０２へ接着固定配置した外枠１０３、同様にＦＰ１０
２に接着固定配置したスペーサ１０４の２個の構成部材
として本装置に投入することもできる。この場合、外枠
１０３の本装置内での封着処理による封着面はＲＰ１０
１側面となるために、封着面に対して封着材を事前に形
成しておくことが必要である。
１０２へ接着固定配置した外枠１０３、同様にＦＰ１０
２に接着固定配置したスペーサ１０４の２個の構成部材
として本装置に投入することもできる。この場合、外枠
１０３の本装置内での封着処理による封着面はＲＰ１０
１側面となるために、封着面に対して封着材を事前に形
成しておくことが必要である。
【００９４】次に上記構成部材の変形例に対して、装置
の処理室を個別に一列のライン状に並べて、封着処理工
程ですべての構成部材がひとつの処理室に合流して封着
処理が行われる装置構成の変形例として、第７の変形例
としては、ＲＰ１０１とＦＰ１０２と外枠１０３へ固定
配置したスペーサ１０４と３個の構成部材として、前室
１０５以降、パネルゲッタラッシュ処理室１０９までの
各処理室を３ライン並べ、上記３個の構成部材を別々に
装置へ投入し、３つのパネルゲッタ処理室がひとつの封
着処理室に合流するように接続され、該封着処理室で３
個の構成部材を封着処理を行い、冷却処理を行う装置構
成が挙げられる。
の処理室を個別に一列のライン状に並べて、封着処理工
程ですべての構成部材がひとつの処理室に合流して封着
処理が行われる装置構成の変形例として、第７の変形例
としては、ＲＰ１０１とＦＰ１０２と外枠１０３へ固定
配置したスペーサ１０４と３個の構成部材として、前室
１０５以降、パネルゲッタラッシュ処理室１０９までの
各処理室を３ライン並べ、上記３個の構成部材を別々に
装置へ投入し、３つのパネルゲッタ処理室がひとつの封
着処理室に合流するように接続され、該封着処理室で３
個の構成部材を封着処理を行い、冷却処理を行う装置構
成が挙げられる。
【００９５】第８の変形例としては、ＲＰ１０１へ接着
固定配置した外枠１０３、同様にＲＰ１０１に接着固定
配置したスペーサ１０４とＦＰ１０２の２個の構成部
材、あるいは、ＲＰ１０１とＦＰ１０２へ接着固定配置
した外枠１０３、同様にＦＰ１０２に接着固定配置した
スペーサ１０４の２個の構成部材として、前室１０５以
降、パネルゲッタラッシュ処理室１０９までの各処理室
を２ライン並べ、上記２個の構成部材を別々に装置へ投
入し、２つのパネルゲッタ処理室がひとつの封着処理室
に合流するように接続され、該封着処理室で２個の構成
部材の封着処理を行い、冷却処理を行う装置構成が挙げ
られる。
固定配置した外枠１０３、同様にＲＰ１０１に接着固定
配置したスペーサ１０４とＦＰ１０２の２個の構成部
材、あるいは、ＲＰ１０１とＦＰ１０２へ接着固定配置
した外枠１０３、同様にＦＰ１０２に接着固定配置した
スペーサ１０４の２個の構成部材として、前室１０５以
降、パネルゲッタラッシュ処理室１０９までの各処理室
を２ライン並べ、上記２個の構成部材を別々に装置へ投
入し、２つのパネルゲッタ処理室がひとつの封着処理室
に合流するように接続され、該封着処理室で２個の構成
部材の封着処理を行い、冷却処理を行う装置構成が挙げ
られる。
【００９６】上記の変形例７，８に対して、各々の処理
工程ラインの工程設定を変形例１、２、３、４の工程の
組み合わせで設定しても良い。
工程ラインの工程設定を変形例１、２、３、４の工程の
組み合わせで設定しても良い。
【００９７】更に上述の実施態様の説明ではパネルの封
着時の真空度を１０-6Ｐａ台に設定していたが、本発明
はこの数値に限るものではない。すなわち、パネル封着
時の真空度を一般の真空排気ポンプで到達可能な１０-5
Ｐａ台に設定することもできる。この場合、処理室内の
到達真空度を上げるために行われるチャンバーゲッタ処
理室１４０と当該ゲッタ処理工程の省略が可能である。
また１０-6Ｐａに到達するための補助的なゲッタポンプ
による真空排気も省略することができる。
着時の真空度を１０-6Ｐａ台に設定していたが、本発明
はこの数値に限るものではない。すなわち、パネル封着
時の真空度を一般の真空排気ポンプで到達可能な１０-5
Ｐａ台に設定することもできる。この場合、処理室内の
到達真空度を上げるために行われるチャンバーゲッタ処
理室１４０と当該ゲッタ処理工程の省略が可能である。
また１０-6Ｐａに到達するための補助的なゲッタポンプ
による真空排気も省略することができる。
【００９８】以上の処理工程をおこなった封着パネル１
４４は、Ｂａなどの蒸発型ゲッタ材が、例えばＦＰ上に
成膜形成されているにも関わらず、従来の封着パネルで
存在していた蒸発型ゲッタ材の蒸発源である主に高周波
加熱によってゲッタフラッシュを行うゲッタリングや主
に抵抗加熱でゲッタフラッシュするゲッタラインが封着
パネル内に残留しないという構成上の特徴を有してい
る。
４４は、Ｂａなどの蒸発型ゲッタ材が、例えばＦＰ上に
成膜形成されているにも関わらず、従来の封着パネルで
存在していた蒸発型ゲッタ材の蒸発源である主に高周波
加熱によってゲッタフラッシュを行うゲッタリングや主
に抵抗加熱でゲッタフラッシュするゲッタラインが封着
パネル内に残留しないという構成上の特徴を有してい
る。
【００９９】また、以上の処理工程と装置は、パネルゲ
ッタフラッシュ処理工程と連続した封着工程が異なった
処理室で構成されているという特徴を有している。
ッタフラッシュ処理工程と連続した封着工程が異なった
処理室で構成されているという特徴を有している。
【０１００】図２は、本実施形態の製造装置及び製造方
法を用いて作成した画像表示装置の一部を示す断面図で
ある。
法を用いて作成した画像表示装置の一部を示す断面図で
ある。
【０１０１】図中、図１と同一符号は、同一部材であ
る。上記装置及び方法によって作成した画像表示装置
は、ＲＰ１０１とＦＰ１０２と外枠１０３とによって真
空容器又は減圧容器が形成されている。
る。上記装置及び方法によって作成した画像表示装置
は、ＲＰ１０１とＦＰ１０２と外枠１０３とによって真
空容器又は減圧容器が形成されている。
【０１０２】また、真空容器の場合には、１０-5Ｐａ以
上、好ましくは、１０-6Ｐａ以上の高真空に設定するこ
とができる。
上、好ましくは、１０-6Ｐａ以上の高真空に設定するこ
とができる。
【０１０３】上記真空容器又は減圧容器内には、スペー
サ１０４が配置さて耐大気圧構造を形成している。本発
明で用いたスペーサ１０４は、無アルカリガラスなどの
無アルカリ絶縁物質からなる本体３１１と、該本体３１
１の表面を覆って配置した高抵抗物質で成膜された高抵
抗膜３０９と両端に設けた金属（タングステン、銅、
銀、金、モリブデンやこれらの合金など）膜３１０とを
有し、配線３０６上に導電性接着剤３０８を介して電気
的に接続接着されている。スペーサ１０４は、上記前室
１０５に搬入する際には、前もってＲＰ１０１に接着剤
３０８によって接着固定され、封着処理室１１０におい
て処理が終了した時点で、上記スペーサ１０４のもう一
方の端部とＦＰ１０２とは電気的に接続されて接して配
置される。
サ１０４が配置さて耐大気圧構造を形成している。本発
明で用いたスペーサ１０４は、無アルカリガラスなどの
無アルカリ絶縁物質からなる本体３１１と、該本体３１
１の表面を覆って配置した高抵抗物質で成膜された高抵
抗膜３０９と両端に設けた金属（タングステン、銅、
銀、金、モリブデンやこれらの合金など）膜３１０とを
有し、配線３０６上に導電性接着剤３０８を介して電気
的に接続接着されている。スペーサ１０４は、上記前室
１０５に搬入する際には、前もってＲＰ１０１に接着剤
３０８によって接着固定され、封着処理室１１０におい
て処理が終了した時点で、上記スペーサ１０４のもう一
方の端部とＦＰ１０２とは電気的に接続されて接して配
置される。
【０１０４】ＲＰ１０１は、ガラスなどの透明基板３０
４と、ナトリウムなどのアルカリの侵入を防止するため
の下地膜（ＳｉＯ2、ＳｎＯ2など）３０５と、ＸＹマト
リクス配列した複数の電子線放出素子３１２とが配置さ
れている。配線３０６は、電子線放出素子と接続したカ
ソード側ＸＹマトリクス配線の一方のカソード側配線を
構成する。
４と、ナトリウムなどのアルカリの侵入を防止するため
の下地膜（ＳｉＯ2、ＳｎＯ2など）３０５と、ＸＹマト
リクス配列した複数の電子線放出素子３１２とが配置さ
れている。配線３０６は、電子線放出素子と接続したカ
ソード側ＸＹマトリクス配線の一方のカソード側配線を
構成する。
【０１０５】ＦＰ１０２は、ガラスなどの透明基板３０
１と蛍光体層３０２とアノード源（図示せず）に接続し
たアノード金属（アルミニウム、銀、銅など）膜３０３
とが配置されている。
１と蛍光体層３０２とアノード源（図示せず）に接続し
たアノード金属（アルミニウム、銀、銅など）膜３０３
とが配置されている。
【０１０６】外囲器１１３は、上記前室１０５に搬入す
る際には、前もってＲＰ１０１にフリットガラスなどの
低融点接着剤３０７によって接着固定しておき、上記封
着処理室１１０における処理工程で、インジウムやフリ
ットガラスを用いた封着材１４３によって固定接着され
ている。
る際には、前もってＲＰ１０１にフリットガラスなどの
低融点接着剤３０７によって接着固定しておき、上記封
着処理室１１０における処理工程で、インジウムやフリ
ットガラスを用いた封着材１４３によって固定接着され
ている。
【０１０７】以上述べてきた実施例によれば、上記電子
放出素子やプラズマ発生素子をＸＹ方向に１００万画素
以上のように大容量で設け、且つこの大容量画素を対角
サイズ３０インチ以上の大画面に設けた画像表示装置を
製造するに当たって、製造工程時間を大幅に短縮するこ
とができたのと同時に、画像表示装置を構成する真空容
器を１０-6Ｐａ以上のような高真空に達成させることが
できた。
放出素子やプラズマ発生素子をＸＹ方向に１００万画素
以上のように大容量で設け、且つこの大容量画素を対角
サイズ３０インチ以上の大画面に設けた画像表示装置を
製造するに当たって、製造工程時間を大幅に短縮するこ
とができたのと同時に、画像表示装置を構成する真空容
器を１０-6Ｐａ以上のような高真空に達成させることが
できた。
【０１０８】また、以上述べた実施例においては、電子
放出素子のエージング工程や特性調整などの工程、特に
は高真空状態での電圧印加工程を行った上で、封着した
後の内部の真空度が高い画像表示装置を実現することが
できた。
放出素子のエージング工程や特性調整などの工程、特に
は高真空状態での電圧印加工程を行った上で、封着した
後の内部の真空度が高い画像表示装置を実現することが
できた。
【０１０９】
【発明の効果】本願にかかわる発明によって、電子放出
特性の変化が抑制され、及び／もしくは電子放出特性の
均一性が良好で、かつ内部の真空度の高い画像表示装置
を実現することができる。
特性の変化が抑制され、及び／もしくは電子放出特性の
均一性が良好で、かつ内部の真空度の高い画像表示装置
を実現することができる。
【図１】製造装置内のパネル部材の温度プロファイル及
び製造装置内の各室間の真空度プロファイルと共に本発
明に係る製造装置を模式的に示した図である。
び製造装置内の各室間の真空度プロファイルと共に本発
明に係る製造装置を模式的に示した図である。
【図２】本発明の製造装置及び製造方法を用いて作成し
た画像表示装置の一部を示す断面図である。
た画像表示装置の一部を示す断面図である。
【図３】本発明による画像表示装置の構成部材である電
子放出素子を有する第１の部材（リアプレート）の一例
を模式的に示す平面図である。
子放出素子を有する第１の部材（リアプレート）の一例
を模式的に示す平面図である。
【図４】本発明による画像表示装置の構成部材である電
子放出素子を有する第１の部材（リアプレート）の別の
例を模式的に示す平面図である。
子放出素子を有する第１の部材（リアプレート）の別の
例を模式的に示す平面図である。
１０１ リアプレート（ＲＰ） １０２ フェィスプレート（ＦＰ） １０３ 外枠 １０４ スペーサ １０５ 前室 １０６ ベーク処理室 １０７ 表面浄化処理室（ＥＢ照射処理室） １０８ 第１のゲッタ処理室（チャンバーゲッタ処理
室） １０９ 第２のゲッタ処理室（パネルゲッタ処理室） １１０ 封着処理室 １１１ 冷却室 １００１ 通電処理室 １１２〜１１４、１１６〜１１９、１１５１、１１５２
ゲートバルブ １２０ 搬送ローラー １２１，１２３，１２７，１３２，１３６，１００３
ホットプレート（ＲＰ用） １２２，１２４，１２８，１３３，１３７，１００２
ホットプレート（ＦＰ用） １２５ 電子銃 １２６ エレクトロン・ビーム（ＥＢ） １２９ チャンバーゲッタフラッシュ装置 １３０ チャンバーゲッタフラッシュ １３１ チャンバーゲッタ板 １３４ パネルゲッタフラッシュ装置 １３５ パネルゲッタフラッシュ １３８〜１４２ 昇降機 １００４，１００５ 通電用プローブ １４３ 封着材 １４４ 封着パネル １４５ 搬送方向を示す矢印 ３０１ 透明基板 ３０２ 蛍光体層 ３０３ アノード金属膜 ３０４ 透明基板 ３０５ 下地膜 ３０６ 配線 ３０７ 低融点接着剤 ３０８ 金属膜 ３０９ 高抵抗膜 ３１０ 金属膜 ３１１ 本体 ３１２ 電子放出素子
室） １０９ 第２のゲッタ処理室（パネルゲッタ処理室） １１０ 封着処理室 １１１ 冷却室 １００１ 通電処理室 １１２〜１１４、１１６〜１１９、１１５１、１１５２
ゲートバルブ １２０ 搬送ローラー １２１，１２３，１２７，１３２，１３６，１００３
ホットプレート（ＲＰ用） １２２，１２４，１２８，１３３，１３７，１００２
ホットプレート（ＦＰ用） １２５ 電子銃 １２６ エレクトロン・ビーム（ＥＢ） １２９ チャンバーゲッタフラッシュ装置 １３０ チャンバーゲッタフラッシュ １３１ チャンバーゲッタ板 １３４ パネルゲッタフラッシュ装置 １３５ パネルゲッタフラッシュ １３８〜１４２ 昇降機 １００４，１００５ 通電用プローブ １４３ 封着材 １４４ 封着パネル １４５ 搬送方向を示す矢印 ３０１ 透明基板 ３０２ 蛍光体層 ３０３ アノード金属膜 ３０４ 透明基板 ３０５ 下地膜 ３０６ 配線 ３０７ 低融点接着剤 ３０８ 金属膜 ３０９ 高抵抗膜 ３１０ 金属膜 ３１１ 本体 ３１２ 電子放出素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 9/44 Ｈ０１Ｊ 9/44 Ａ 29/04 29/04 (72)発明者 宮崎 俊彦 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 5C012 AA05 AA09 BC03 BC04 BD02 BD04 VV02 VV04 VV10 5C031 DD17 DD19
Claims (30)
- 【請求項１】 画像表示装置の製造方法であって、 電子放出素子を有する第１の部材と、前記電子放出素子
が放出する電子が照射されて発光する蛍光体を有する第
２の部材とを、真空雰囲気を実現している封着処理室に
おいて封着する工程を有しており、 該封着の前に、前記電子放出素子のエージング工程を行
うことを特徴とする画像表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記エージング工程を行った後、前記電
子放出素子を大気に曝すことなく前記封着を行うことを
特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記エージング工程は、前記電子放出素
子が存在する領域内が１×１０-4Ｐａ以下の圧力になっ
ている状態で行うことを特徴とする請求項１もしくは２
に記載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記エージング工程の後、前記封着工程
において前記第１の部材と前記第２の部材に挟まれる孤
立空間が形成されるまでの間、前記電子放出素子が存在
する領域内の圧力が実質的に１×１０-4Ｐａ以下の状態
に保たれることを特徴とする請求項３に記載の画像表示
装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記エージング工程は、前記電子放出素
子が存在する領域内の有機物質の分圧が１×１０-6Ｐａ
以下になっている状態で行うことを特徴とする請求項１
乃至４いずれかに記載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記エージング工程の後、前記封着工程
において前記第１の部材と前記第２の部材に挟まれる孤
立空間が形成されるまでの間、前記電子放出素子が存在
する領域内の有機物質の分圧が実質的に１×１０-6Ｐａ
以下の状態に保たれることを特徴とする請求項５に記載
の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記エージング工程は、前記電子放出素
子に電圧を印加する工程であることを特徴とする請求項
１乃至６いずれかに記載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記電圧を印加する工程は、その電圧値
が前記電子放出素子の画像表示の時に印加される通常の
駆動電圧値よりも大きいことを特徴とする請求項７に記
載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記エージング工程は、前記電子放出素
子から電子を放出させる工程であることを特徴とする請
求項７に記載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記エージング工程と前記封着工程の
間にパネルゲッタ工程を更に有することを特徴とする請
求項１乃至９いずれかに記載の画像表示装置の製造方
法。 - 【請求項１１】 前記エージング工程に先立って、エレ
クトロンビームクリーニング工程を有することを特徴と
する請求項１乃至１０いずれかに記載の画像表示装置の
製造方法。 - 【請求項１２】 画像表示装置の製造方法であって、 複数の電子放出素子を有する第１の部材と、前記電子放
出素子が放出する電子が照射されて発光する蛍光体を有
する第２の部材とを、真空雰囲気を実現している封着処
理室において封着する工程を有しており、 該封着の前に、前記複数の電子放出素子の選択的な特性
調整を行う特性調整工程を有することを特徴とする画像
表示装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記特性調整工程を行った後、前記電
子放出素子を大気に曝すことなく前記封着を行うことを
特徴とする請求項１２に記載の画像表示装置の製造方
法。 - 【請求項１４】 前記特性調整工程は、前記電子放出素
子が存在する領域内の有機物質の分圧が１×１０-6Ｐａ
以下になっている状態で行うことを特徴とする請求項１
２もしくは１３に記載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項１５】 前記特性調整工程は、前記電子放出素
子に電圧を印加する工程であることを特徴とする請求項
１２乃至１４いずれかに記載の画像表示装置の製造方
法。 - 【請求項１６】 前記電圧を印加する工程は、その電圧
値が前記電子放出素子の画像表示の時に印加される通常
の駆動電圧値よりも大きいことを特徴とする請求項１５
に記載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項１７】 前記特性調整工程は、前記電子放出素
子から電子を放出させる工程であることを特徴とする請
求項１５に記載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項１８】 前記特性調整工程と前記封着工程の間
にパネルゲッタ工程を更に有することを特徴とする請求
項１２乃至１７いずれかに記載の画像表示装置の製造方
法。 - 【請求項１９】 前記特性調整工程に先立って、エレク
トロンビームクリーニング工程を有することを特徴とす
る請求項１２乃至１８いずれかに記載の画像表示装置の
製造方法。 - 【請求項２０】 画像表示装置の製造方法であって、 電子放出素子を有する第１の部材と、前記電子放出素子
が放出する電子が照射されて発光する蛍光体を有する第
２の部材とを、真空雰囲気を実現している封着処理室に
おいて封着する工程を有しており、 活性化工程を行った前記電子放出素子に対して、前記封
着の前に、電圧を印加する電圧印加工程を行うことを特
徴とする画像表示装置の製造方法。 - 【請求項２１】 画像表示装置の製造方法であって、 電子放出素子を有する第１の部材と、前記電子放出素子
が放出する電子が照射されて発光する蛍光体を有する第
２の部材とを、真空雰囲気を実現している封着処理室に
おいて封着する工程を有しており、 電子放出部及び／もしくは電子放出部近傍に炭素及び／
もしくは炭素化合物を有する前記電子放出素子に対し
て、前記封着の前に、電圧を印加する電圧印加工程を行
うことを特徴とする画像表示装置の製造方法。 - 【請求項２２】 前記電圧印加工程を行った後、前記電
子放出素子を大気に曝すことなく前記封着を行うことを
特徴とする請求項２０もしくは２１に記載の画像表示装
置の製造方法。 - 【請求項２３】 前記電圧印加工程は、前記電子放出素
子が存在する領域内の有機物質の分圧が１×１０-6Ｐａ
以下になっている状態で行うことを特徴とする請求項２
０乃至２２いずれかに記載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項２４】 前記電圧印加工程は、その電圧値が前
記電子放出素子の画像表示の時に印加される通常の駆動
電圧値よりも大きいことを特徴とする請求項２０乃至２
３いずれかに記載の画像表示装置の製造方法。 - 【請求項２５】 前記電圧印加工程は、前記電子放出素
子から電子を放出させる工程であることを特徴とする請
求項２０乃至２３いずれかに記載の画像表示装置の製造
方法。 - 【請求項２６】 前記電圧印加工程と前記封着工程の間
にパネルゲッタ工程を更に有することを特徴とする請求
項２０乃至２５いずれかに記載の画像表示装置の製造方
法。 - 【請求項２７】 前記電圧印加工程に先立って、エレク
トロンビームクリーニング工程を有することを特徴とす
る請求項２０乃至２６いずれかに記載の画像表示装置の
製造方法。 - 【請求項２８】 画像表示装置の製造方法であって、 電子放出素子を有する第１の部材と、前記電子放出素子
が放出する電子が照射されて発光する蛍光体を有する第
２の部材とを、真空雰囲気を実現している封着処理室に
おいて封着する工程を有しており、 該封着の前に、前記電子放出素子に画像表示の時に印加
される通常の駆動電圧値よりも大きい電圧を印加する電
圧印加工程を行うことを特徴とする画像表示装置の製造
方法。 - 【請求項２９】 前記電圧を印加する工程と前記封着工
程の間にパネルゲッタ工程を更に有することを特徴とす
る請求項２８に記載の画像表示装置の製造方法 - 【請求項３０】 前記電圧を印加する工程に先立って、
エレクトロンビームクリーニング工程を有することを特
徴とする請求項２８もしくは２９に記載の画像表示装置
の製造方法
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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-
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- 2001-09-18 JP JP2001282550A patent/JP3733308B2/ja not_active Expired - Fee Related
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