JP2002168898A - 電源用半導体装置の温度特性検査方法 - Google Patents
電源用半導体装置の温度特性検査方法Info
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- JP2002168898A JP2002168898A JP2000369926A JP2000369926A JP2002168898A JP 2002168898 A JP2002168898 A JP 2002168898A JP 2000369926 A JP2000369926 A JP 2000369926A JP 2000369926 A JP2000369926 A JP 2000369926A JP 2002168898 A JP2002168898 A JP 2002168898A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単に製品検査を正しく行うことができる電
源用半導体装置の温度特性検査方法を提供する。 【解決手段】 電源ＩＣ１は、高精度電源回路２、記憶
素子３、その他の機能回路４から構成されている。電源
ＩＣ１の温度特性を検査するには、測定温度範囲（−４
０゜Ｃ〜１１０゜Ｃ）の最高温度（１１０゜Ｃ）におけ
る電源ＩＣ１からの出力電圧を記憶素子３に記憶する。
そして、基準室温（２５゜Ｃ）における電源ＩＣ１から
の出力電圧を測定したときは、その出力電圧と記憶素子
３に記憶されている出力電圧との電圧差及び最高温度と
基準室温との温度差に基づいて測定温度範囲における出
力電圧の変動幅を予測し、その変動幅及び基準室温の出
力電圧が温度仕様を満足したときは電源ＩＣ１は良品で
あると判断する。
源用半導体装置の温度特性検査方法を提供する。 【解決手段】 電源ＩＣ１は、高精度電源回路２、記憶
素子３、その他の機能回路４から構成されている。電源
ＩＣ１の温度特性を検査するには、測定温度範囲（−４
０゜Ｃ〜１１０゜Ｃ）の最高温度（１１０゜Ｃ）におけ
る電源ＩＣ１からの出力電圧を記憶素子３に記憶する。
そして、基準室温（２５゜Ｃ）における電源ＩＣ１から
の出力電圧を測定したときは、その出力電圧と記憶素子
３に記憶されている出力電圧との電圧差及び最高温度と
基準室温との温度差に基づいて測定温度範囲における出
力電圧の変動幅を予測し、その変動幅及び基準室温の出
力電圧が温度仕様を満足したときは電源ＩＣ１は良品で
あると判断する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電源用半導体装置
からの出力電圧の温度特性を予測することを特徴とする
電源用半導体装置の温度特性検査方法に関する。
からの出力電圧の温度特性を予測することを特徴とする
電源用半導体装置の温度特性検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】精度の高い直流電圧を出力する電源ＩＣ
の温度特性検査においては、所定の検査温度範囲におけ
る電源ＩＣからの出力電圧の変動幅と、基準室温おける
電源ＩＣの出力電圧との両方が所定の温度仕様を満足す
る必要がある。
の温度特性検査においては、所定の検査温度範囲におけ
る電源ＩＣからの出力電圧の変動幅と、基準室温おける
電源ＩＣの出力電圧との両方が所定の温度仕様を満足す
る必要がある。
【０００３】ところが、各電源ＩＣについてこのような
温度特性検査を実施して良否判定することは製作効率の
点から困難であることから、全ての電源ＩＣの検査規格
を例えば５Ｖ±１５ｍｖと設定して絞り込み検査してい
た。つまり、図４に示すように仕様上限電圧と仕様下限
電圧との間に検査上限電圧と検査下限電圧とを設定し、
それらの出力電圧範囲に検査温度範囲全体にわたって電
源ＩＣの出力電圧が収まった電源ＩＣ（サンプル１）を
合格として出荷するようにしている。
温度特性検査を実施して良否判定することは製作効率の
点から困難であることから、全ての電源ＩＣの検査規格
を例えば５Ｖ±１５ｍｖと設定して絞り込み検査してい
た。つまり、図４に示すように仕様上限電圧と仕様下限
電圧との間に検査上限電圧と検査下限電圧とを設定し、
それらの出力電圧範囲に検査温度範囲全体にわたって電
源ＩＣの出力電圧が収まった電源ＩＣ（サンプル１）を
合格として出荷するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示すサンプル２の電源ＩＣに着目すると、温度特性を満
足しているにもかかわらず、高温測定における出力電圧
が検査上限電圧を上回っていることから、本来良品であ
るものが不良品と判断されてしまい、製品の歩留り低下
の要因となっている。
示すサンプル２の電源ＩＣに着目すると、温度特性を満
足しているにもかかわらず、高温測定における出力電圧
が検査上限電圧を上回っていることから、本来良品であ
るものが不良品と判断されてしまい、製品の歩留り低下
の要因となっている。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、簡単に製品検査を正しく行うことがで
きる電源用半導体装置の温度特性検査方法を提供するこ
とにある。
で、その目的は、簡単に製品検査を正しく行うことがで
きる電源用半導体装置の温度特性検査方法を提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば、電源用半導体装置の温度特性を検査するには、ま
ず、第１の測定を実行することにより所定の検査温度範
囲の最高温度若しくは最低温度において電源用半導体装
置から出力された出力電圧を測定して記憶手段に記憶す
る。続いて、第２の測定を実行することにより基準室温
において電源用半導体装置からの出力電圧を測定する。
ば、電源用半導体装置の温度特性を検査するには、ま
ず、第１の測定を実行することにより所定の検査温度範
囲の最高温度若しくは最低温度において電源用半導体装
置から出力された出力電圧を測定して記憶手段に記憶す
る。続いて、第２の測定を実行することにより基準室温
において電源用半導体装置からの出力電圧を測定する。
【０００７】そして、第２の測定による出力電圧と記憶
手段に記憶されている出力電圧との電圧差及び第１の測
定を実行したときの温度と基準室温との温度差を求め
る。この場合、第２の測定による出力電圧と記憶手段に
記憶されている出力電圧との電圧差は、検査温度範囲の
最高温度若しくは最低温度と基準室温とにおいて電源用
半導体からの出力電圧差を示している。また、第１の測
定を実行したときの温度と基準室温との温度差は、検査
温度範囲の最高温度若しくは最低温度と基準室温との温
度差を示している。従って、このようにして求めた電圧
差を温度差で除算して温度勾配を求めることにより、検
査温度範囲における電源用半導体からの出力電圧の変動
幅を求めることができるので、その変動幅及び基準室温
における出力電圧の何れもが所定の温度仕様を満足する
ときは電源用半導体装置は良品であると判断することが
できる。
手段に記憶されている出力電圧との電圧差及び第１の測
定を実行したときの温度と基準室温との温度差を求め
る。この場合、第２の測定による出力電圧と記憶手段に
記憶されている出力電圧との電圧差は、検査温度範囲の
最高温度若しくは最低温度と基準室温とにおいて電源用
半導体からの出力電圧差を示している。また、第１の測
定を実行したときの温度と基準室温との温度差は、検査
温度範囲の最高温度若しくは最低温度と基準室温との温
度差を示している。従って、このようにして求めた電圧
差を温度差で除算して温度勾配を求めることにより、検
査温度範囲における電源用半導体からの出力電圧の変動
幅を求めることができるので、その変動幅及び基準室温
における出力電圧の何れもが所定の温度仕様を満足する
ときは電源用半導体装置は良品であると判断することが
できる。
【０００８】請求項２の発明によれば、電源用半導体装
置の温度特性を検査するには、まず、第１の測定を実行
することにより基準室温において電源用半導体装置から
出力された出力電圧を測定して記憶手段に記憶する。続
いて、第２の測定を実行することにより所定の検査温度
範囲の最高温度若しくは最低温度において電源用半導体
装置から出力された出力電圧を測定する。
置の温度特性を検査するには、まず、第１の測定を実行
することにより基準室温において電源用半導体装置から
出力された出力電圧を測定して記憶手段に記憶する。続
いて、第２の測定を実行することにより所定の検査温度
範囲の最高温度若しくは最低温度において電源用半導体
装置から出力された出力電圧を測定する。
【０００９】そして、第２の測定による出力電圧と記憶
手段に記憶されている出力電圧との電圧差及び第２の測
定を実行したときの温度と基準室温との温度差を求め
る。この場合、第２の測定による出力電圧と記憶手段に
記憶されている出力電圧との電圧差は、検査温度範囲の
最高温度若しくは最低温度と基準室温とにおいて電源用
半導体からの出力電圧差を示している。また、第２の測
定を実行したときの温度と基準室温との温度差は、検査
温度範囲の最高温度若しくは最低温度と基準室温との温
度差を示している。従って、このようにして求めた電圧
差を温度差で除算して温度勾配を求めることにより、検
査温度範囲における電源用半導体からの出力電圧の変動
幅を求めることができるので、その変動幅及び基準室温
における出力電圧の何れもが所定の温度仕様を満足する
ときは電源用半導体装置は良品であると判断することが
できる。
手段に記憶されている出力電圧との電圧差及び第２の測
定を実行したときの温度と基準室温との温度差を求め
る。この場合、第２の測定による出力電圧と記憶手段に
記憶されている出力電圧との電圧差は、検査温度範囲の
最高温度若しくは最低温度と基準室温とにおいて電源用
半導体からの出力電圧差を示している。また、第２の測
定を実行したときの温度と基準室温との温度差は、検査
温度範囲の最高温度若しくは最低温度と基準室温との温
度差を示している。従って、このようにして求めた電圧
差を温度差で除算して温度勾配を求めることにより、検
査温度範囲における電源用半導体からの出力電圧の変動
幅を求めることができるので、その変動幅及び基準室温
における出力電圧の何れもが所定の温度仕様を満足する
ときは電源用半導体装置は良品であると判断することが
できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を車両用電源ＩＣに
適用した一実施の形態を図１乃至図３を参照して説明す
る。図１は車両のＥＣＵ（Electronic Control Unit ）
に搭載される電子回路用の電源ＩＣの構成を概略的に示
している。この図１において、電源ＩＣ（電源用半導体
装置に相当）１は、高精度電源回路２、記憶素子（記憶
手段に相当）３、その他の機能回路４から構成されてお
り、高精度電源回路２は、車両用バッテリの電圧から高
精度な直流電圧を生成してＥＣＵを構成する各種電子回
路に出力する。記憶素子３は６ビットの消去可能なＥＰ
ＲＯＭであり、外部から６ビットのデジタルデータを書
込んだり、読出し可能に構成されている。
適用した一実施の形態を図１乃至図３を参照して説明す
る。図１は車両のＥＣＵ（Electronic Control Unit ）
に搭載される電子回路用の電源ＩＣの構成を概略的に示
している。この図１において、電源ＩＣ（電源用半導体
装置に相当）１は、高精度電源回路２、記憶素子（記憶
手段に相当）３、その他の機能回路４から構成されてお
り、高精度電源回路２は、車両用バッテリの電圧から高
精度な直流電圧を生成してＥＣＵを構成する各種電子回
路に出力する。記憶素子３は６ビットの消去可能なＥＰ
ＲＯＭであり、外部から６ビットのデジタルデータを書
込んだり、読出し可能に構成されている。
【００１１】ここで、電源ＩＣ１の製品仕様は、基準室
温（例えば２５゜Ｃ）における出力電圧変動が５Ｖ±１
５ｍＶ、検査温度範囲（例えば−４０〜１１０゜Ｃ）に
おける出力電圧変動が１５ｍＶに設定されており、斯様
な温度仕様を満足した電源ＩＣ１が良品として出荷され
る。
温（例えば２５゜Ｃ）における出力電圧変動が５Ｖ±１
５ｍＶ、検査温度範囲（例えば−４０〜１１０゜Ｃ）に
おける出力電圧変動が１５ｍＶに設定されており、斯様
な温度仕様を満足した電源ＩＣ１が良品として出荷され
る。
【００１２】ところで、上記温度仕様を製品毎に検査す
ることは困難であることから、本実施の形態では、次の
ようにして製品の温度仕様を簡単に検査できるようにし
た。まず、第１の測定を実行する。つまり、所定の検査
温度範囲（−４０゜Ｃ〜１１０゜Ｃ）の高温温度（１１
０゜Ｃ）若しくは低温温度（−４０゜Ｃ）の何れかの温
度における電源ＩＣ１の出力電圧を測定するもので、本
実施の形態では、高温測定結果の出力電圧を記憶素子３
に記憶する。
ることは困難であることから、本実施の形態では、次の
ようにして製品の温度仕様を簡単に検査できるようにし
た。まず、第１の測定を実行する。つまり、所定の検査
温度範囲（−４０゜Ｃ〜１１０゜Ｃ）の高温温度（１１
０゜Ｃ）若しくは低温温度（−４０゜Ｃ）の何れかの温
度における電源ＩＣ１の出力電圧を測定するもので、本
実施の形態では、高温測定結果の出力電圧を記憶素子３
に記憶する。
【００１３】この場合、記憶素子３として必要な記憶容
量は次のようにして求めることができる。即ち、本実施
の形態における電源ＩＣ１の温度仕様は、基準室温２５
゜Ｃにおける出力電圧の公差が±１５ｍＶ、検査温度範
囲における温度勾配が０．１ｍＶ／゜Ｃ以内であるか
ら、電源ＩＣ１の基準室温における出力電圧が温度公差
の最高温度である５．０１５Ｖであると仮定した場合、
斯様な電源ＩＣ１が高温測定で良品となる最高電圧は、
０．１（ｍＶ／゜Ｃ）×（１１０−２５）（゜Ｃ）＝
０．００８５（ｍＶ）に基づいて、５．０１５（Ｖ）＋
０．００８５（Ｖ）＝５．０２３５（Ｖ）と求めること
ができる。また、電源ＩＣ１の基準室温における出力電
圧が温度公差の最低温度である４．９８５Ｖであると仮
定した場合、斯様な電源ＩＣ１が高温測定で良品となる
最低電圧は、温度勾配が０ｍＶ／゜Ｃであるとすると、
４．９８５Ｖとなる。従って、高温測定結果を記憶素子
３に記憶する場合は、記憶素子３としては４．９８５Ｖ
〜５．０２３５Ｖの電圧をデジタルで記録可能なものを
用いればよいことになる。この場合、高温測定時に斯様
な電圧範囲から外れた製品は不良品であると判断して次
の温度仕様の検査を行う必要はない。
量は次のようにして求めることができる。即ち、本実施
の形態における電源ＩＣ１の温度仕様は、基準室温２５
゜Ｃにおける出力電圧の公差が±１５ｍＶ、検査温度範
囲における温度勾配が０．１ｍＶ／゜Ｃ以内であるか
ら、電源ＩＣ１の基準室温における出力電圧が温度公差
の最高温度である５．０１５Ｖであると仮定した場合、
斯様な電源ＩＣ１が高温測定で良品となる最高電圧は、
０．１（ｍＶ／゜Ｃ）×（１１０−２５）（゜Ｃ）＝
０．００８５（ｍＶ）に基づいて、５．０１５（Ｖ）＋
０．００８５（Ｖ）＝５．０２３５（Ｖ）と求めること
ができる。また、電源ＩＣ１の基準室温における出力電
圧が温度公差の最低温度である４．９８５Ｖであると仮
定した場合、斯様な電源ＩＣ１が高温測定で良品となる
最低電圧は、温度勾配が０ｍＶ／゜Ｃであるとすると、
４．９８５Ｖとなる。従って、高温測定結果を記憶素子
３に記憶する場合は、記憶素子３としては４．９８５Ｖ
〜５．０２３５Ｖの電圧をデジタルで記録可能なものを
用いればよいことになる。この場合、高温測定時に斯様
な電圧範囲から外れた製品は不良品であると判断して次
の温度仕様の検査を行う必要はない。
【００１４】尚、検査温度範囲の低温温度における電源
ＩＣ１の出力電圧を記憶素子３に記憶する場合は、電源
ＩＣ１の基準室温における出力電圧が温度公差の最低温
度である４．９８５Ｖであると仮定した場合、斯様な電
源ＩＣが低温測定で良品となる最高電圧は、０．１（ｍ
Ｖ／゜Ｃ）×（２５−（−４０）（゜Ｃ）＝０．００６
５（ｍＶ）に基づいて、４．９８５（Ｖ）−０．００６
５（Ｖ）＝４．９７８５Ｖと求めることができる。ま
た、電源ＩＣ１の基準室温における出力電圧が温度公差
の最高温度である５．０１５Ｖと仮定した場合、斯様な
電源ＩＣ１が低温測定で良品となる最低電圧は、温度勾
配が０ｍＶ／゜Ｃであるとすると、５．０１５Ｖとな
る。従って、低温測定結果を記憶素子３に記憶する場合
は、記憶素子３としては４．９７８５Ｖ〜５．０１５Ｖ
の電圧をデジタルで記録可能なものを用いればよいこと
になる。
ＩＣ１の出力電圧を記憶素子３に記憶する場合は、電源
ＩＣ１の基準室温における出力電圧が温度公差の最低温
度である４．９８５Ｖであると仮定した場合、斯様な電
源ＩＣが低温測定で良品となる最高電圧は、０．１（ｍ
Ｖ／゜Ｃ）×（２５−（−４０）（゜Ｃ）＝０．００６
５（ｍＶ）に基づいて、４．９８５（Ｖ）−０．００６
５（Ｖ）＝４．９７８５Ｖと求めることができる。ま
た、電源ＩＣ１の基準室温における出力電圧が温度公差
の最高温度である５．０１５Ｖと仮定した場合、斯様な
電源ＩＣ１が低温測定で良品となる最低電圧は、温度勾
配が０ｍＶ／゜Ｃであるとすると、５．０１５Ｖとな
る。従って、低温測定結果を記憶素子３に記憶する場合
は、記憶素子３としては４．９７８５Ｖ〜５．０１５Ｖ
の電圧をデジタルで記録可能なものを用いればよいこと
になる。
【００１５】さらに、検査温度範囲の高温温度若しくは
低温温度の何れでも記憶可能とするには、４．９７８５
Ｖ〜５．０２３５Ｖの電圧をデジタルで記憶可能なもの
を用いればよいことになる。
低温温度の何れでも記憶可能とするには、４．９７８５
Ｖ〜５．０２３５Ｖの電圧をデジタルで記憶可能なもの
を用いればよいことになる。
【００１６】ここで、図２は、高温測定結果と、記憶素
子３に書込むデジタルデータと、読出したときの電圧値
との関係を示している。この図２に示すように高温測定
結果が例えば５．００８２Ｖであった場合は、記憶素子
３に「００１００１」と書込む。
子３に書込むデジタルデータと、読出したときの電圧値
との関係を示している。この図２に示すように高温測定
結果が例えば５．００８２Ｖであった場合は、記憶素子
３に「００１００１」と書込む。
【００１７】次に、上述した第１の測定による高温測定
結果が良品であると判断された製品に関して、第２の測
定を実行する。つまり、基準室温（２５゜Ｃ）における
電源ＩＣからの出力電圧を測定し、測定が終了したとき
は、記憶素子３に予め記憶してある高温測定結果を読取
る。この場合、高温測定結果を５．００８２Ｖとして記
憶した記憶素子３から読出した高温測定結果は図２に示
すように５．００９Ｖとなり、基準室温時における出力
電圧は５．００１１Ｖであるから、温度勾配は、（５．
００９（Ｖ）−５．００１１（Ｖ））／（１１０（゜
Ｃ）−２５（゜Ｃ））＝０．０９３（ｍＶ／゜Ｃ）とな
る。従って、温度勾配が０．０９３ｍＶ／゜Ｃであるこ
とに基づいて検査温度範囲における出力電圧の変動幅は
０．０９３（ｍＶ／゜Ｃ）×１５０（゜Ｃ）＝１３．９
５（ｍＶ）と予測できるので、検査温度範囲での変動量
１５ｍＶ以下を保証することができ、製品として合格と
なる。
結果が良品であると判断された製品に関して、第２の測
定を実行する。つまり、基準室温（２５゜Ｃ）における
電源ＩＣからの出力電圧を測定し、測定が終了したとき
は、記憶素子３に予め記憶してある高温測定結果を読取
る。この場合、高温測定結果を５．００８２Ｖとして記
憶した記憶素子３から読出した高温測定結果は図２に示
すように５．００９Ｖとなり、基準室温時における出力
電圧は５．００１１Ｖであるから、温度勾配は、（５．
００９（Ｖ）−５．００１１（Ｖ））／（１１０（゜
Ｃ）−２５（゜Ｃ））＝０．０９３（ｍＶ／゜Ｃ）とな
る。従って、温度勾配が０．０９３ｍＶ／゜Ｃであるこ
とに基づいて検査温度範囲における出力電圧の変動幅は
０．０９３（ｍＶ／゜Ｃ）×１５０（゜Ｃ）＝１３．９
５（ｍＶ）と予測できるので、検査温度範囲での変動量
１５ｍＶ以下を保証することができ、製品として合格と
なる。
【００１８】同様にして、記憶素子３に低温測定結果を
記憶した場合は、その低温測定結果と基準室温における
電源ＩＣ１の出力電圧とに基づいて検査温度範囲におけ
る出力電圧の変動幅を予測することにより製品の良否を
判断することができる。
記憶した場合は、その低温測定結果と基準室温における
電源ＩＣ１の出力電圧とに基づいて検査温度範囲におけ
る出力電圧の変動幅を予測することにより製品の良否を
判断することができる。
【００１９】ところで、記憶素子３が６ビットの場合
は、上述したように記憶素子３に記憶した高温測定結果
（５．００８２Ｖ）を読出したときは５．００９Ｖとな
り、大きな誤差は生じないものの、記憶素子３が５ビッ
トの場合は、記憶素子３に記憶した高温測定結果（５．
００８２Ｖ）を読出したときは、図２に示すように５．
０１０Ｖとなってしまう。このため、上記電源ＩＣ１の
温度変動幅は、（５．０１０（Ｖ）−５．００１１
（Ｖ））／（１１０（゜Ｃ）−２５（゜Ｃ））に基づい
て０．１０４ｍＶ／゜Ｃとなり、検査温度範囲における
出力電圧の変動幅を０．１０４（ｍＶ／゜Ｃ）×１５０
（゜Ｃ）＝１６．１（ｍＶ）と予測することができる。
このため、全温度範囲での変動量１５ｍＶ以下を保証す
ることができなくなり、本来良品と判断されるべき製品
が不良品と判断されてしまう。
は、上述したように記憶素子３に記憶した高温測定結果
（５．００８２Ｖ）を読出したときは５．００９Ｖとな
り、大きな誤差は生じないものの、記憶素子３が５ビッ
トの場合は、記憶素子３に記憶した高温測定結果（５．
００８２Ｖ）を読出したときは、図２に示すように５．
０１０Ｖとなってしまう。このため、上記電源ＩＣ１の
温度変動幅は、（５．０１０（Ｖ）−５．００１１
（Ｖ））／（１１０（゜Ｃ）−２５（゜Ｃ））に基づい
て０．１０４ｍＶ／゜Ｃとなり、検査温度範囲における
出力電圧の変動幅を０．１０４（ｍＶ／゜Ｃ）×１５０
（゜Ｃ）＝１６．１（ｍＶ）と予測することができる。
このため、全温度範囲での変動量１５ｍＶ以下を保証す
ることができなくなり、本来良品と判断されるべき製品
が不良品と判断されてしまう。
【００２０】しかるに、記憶素子３から読出したデータ
の信頼性を担保するには、アナログデータとデジタルデ
ータとの変換時に誤差が大きく生じないように変換精度
を高くすることが重要であり、斯様な変換精度の向上に
は記憶素子３として大きなビット数のもとを用いること
が必要である。
の信頼性を担保するには、アナログデータとデジタルデ
ータとの変換時に誤差が大きく生じないように変換精度
を高くすることが重要であり、斯様な変換精度の向上に
は記憶素子３として大きなビット数のもとを用いること
が必要である。
【００２１】このような本実施の形態によれば、電源Ｉ
Ｃ１の温度特性を検査する際に、電源ＩＣ１に設けられ
た記憶素子３に高温測定時における電源ＩＣ１の出力電
圧を記憶しておき、基準室温測定時における電源ＩＣ１
の出力電圧を測定した際に、その出力電圧と記憶素子３
に記憶した出力電圧とに基づいて温度測定範囲における
出力電圧の変動幅を予測することにより製品の合否を判
断するようにしたので、検査上限及び検査下限を設けて
絞り込み検査を行っている従来方法に比較して、製品の
検査精度が向上して歩留まりを高めることができる。
Ｃ１の温度特性を検査する際に、電源ＩＣ１に設けられ
た記憶素子３に高温測定時における電源ＩＣ１の出力電
圧を記憶しておき、基準室温測定時における電源ＩＣ１
の出力電圧を測定した際に、その出力電圧と記憶素子３
に記憶した出力電圧とに基づいて温度測定範囲における
出力電圧の変動幅を予測することにより製品の合否を判
断するようにしたので、検査上限及び検査下限を設けて
絞り込み検査を行っている従来方法に比較して、製品の
検査精度が向上して歩留まりを高めることができる。
【００２２】本発明は、上記実施の形態に限定されるも
のではなく、次のように変形または拡張できる。基準室
温における電源ＩＣ１の出力電圧を記憶素子３に記憶し
ておき、高温測定若しくは低温測定における電源ＩＣ１
からの出力電圧を測定した際に、その出力電圧と記憶素
子３に記憶されている出力電圧とに基づいて製品の合否
を判断するようにしてもよい。
のではなく、次のように変形または拡張できる。基準室
温における電源ＩＣ１の出力電圧を記憶素子３に記憶し
ておき、高温測定若しくは低温測定における電源ＩＣ１
からの出力電圧を測定した際に、その出力電圧と記憶素
子３に記憶されている出力電圧とに基づいて製品の合否
を判断するようにしてもよい。
【００２３】高温測定若しくは低温測定時に電源ＩＣ１
から温度仕様を満足する適正な出力電圧を出力した製品
のみの出力電圧を記憶するのではなく、温度仕様を外れ
た出力電圧を出力する電源ＩＣ１からの出力電圧も記憶
しておき、基準室温測定時に高温測定若しくは低温測定
結果の合否を併せて判断するようにしてもよい。
から温度仕様を満足する適正な出力電圧を出力した製品
のみの出力電圧を記憶するのではなく、温度仕様を外れ
た出力電圧を出力する電源ＩＣ１からの出力電圧も記憶
しておき、基準室温測定時に高温測定若しくは低温測定
結果の合否を併せて判断するようにしてもよい。
【００２４】記憶素子としては、Ｅ2 ＲＯＭ、ＦＬＡＳ
Ｈメモリ、ＭＲＡＭなどのメモリ素子の他に、特性調整
用に利用する抵抗のレーザトリミングを利用してもよ
く、また、ヒューズ、ツェナザッフなど一般的に特性調
整に用いられる手段を利用する用にしてもよい。この場
合、これらの記憶素子としては、製品出荷前の特性保持
に利用されるだけであるので、特に素子の信頼性は要求
されない。
Ｈメモリ、ＭＲＡＭなどのメモリ素子の他に、特性調整
用に利用する抵抗のレーザトリミングを利用してもよ
く、また、ヒューズ、ツェナザッフなど一般的に特性調
整に用いられる手段を利用する用にしてもよい。この場
合、これらの記憶素子としては、製品出荷前の特性保持
に利用されるだけであるので、特に素子の信頼性は要求
されない。
【図１】本発明の一実施の形態における電源ＩＣを示す
概略図
概略図
【図２】電源ＩＣの記憶素子のビット数と読み出しデー
タとの関係を示す図
タとの関係を示す図
【図３】検査温度時における電源ＩＣからの出力電圧を
示す図
示す図
【図４】従来例を示す図３相当図
１は電源ＩＣ、２は高精度電源回路、３は記憶素子であ
る。
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 所定の検査温度範囲の最高温度若しくは
最低温度において電源用半導体装置から出力された出力
電圧を記憶手段に記憶する第１の測定を実行し、 基準室温において前記電源用半導体装置から出力された
出力電圧を測定する第２の測定を実行し、 この第２の測定による出力電圧と前記記憶手段に記憶さ
れている出力電圧との電圧差及び第１の測定を実行した
ときの温度と基準室温との温度差に基づいて所定の検査
温度範囲における前記電源用半導体装置からの出力電圧
の変動幅を予測し、その変動幅及び基準室温における出
力電圧の何れもが所定の温度仕様を満足するときは前記
電源用半導体装置は良品であると判断することを特徴と
する電源用半導体装置の温度特性検査方法。 - 【請求項２】 基準室温において電源用半導体装置から
出力された出力電圧を記憶手段に記憶する第１の測定を
実行し、 所定の検査温度範囲の最高温度若しくは最低温度におい
て前記電源用半導体装置から出力された出力電圧を測定
する第２の測定を実行し、 この第２の測定による出力電圧と前記記憶手段に記憶さ
れている出力電圧との電圧差及び第２の測定を実行した
ときの温度と基準室温との温度差に基づいて所定の検査
温度範囲における前記電源用半導体装置からの出力電圧
の変動幅を予測し、その変動幅及び基準室温における出
力電圧の何れもが所定の温度仕様を満足するときは前記
電源用半導体装置は良品であると判断することを特徴と
する電源用半導体装置の温度特性検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000369926A JP4240804B2 (ja) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 電源用半導体装置の温度特性検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000369926A JP4240804B2 (ja) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 電源用半導体装置の温度特性検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002168898A true JP2002168898A (ja) | 2002-06-14 |
| JP4240804B2 JP4240804B2 (ja) | 2009-03-18 |
Family
ID=18839888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000369926A Expired - Fee Related JP4240804B2 (ja) | 2000-12-05 | 2000-12-05 | 電源用半導体装置の温度特性検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4240804B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113157015A (zh) * | 2020-01-22 | 2021-07-23 | 广州汽车集团股份有限公司 | 热管理系统测试方法、平台、计算机设备及可读存储介质 |
-
2000
- 2000-12-05 JP JP2000369926A patent/JP4240804B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113157015A (zh) * | 2020-01-22 | 2021-07-23 | 广州汽车集团股份有限公司 | 热管理系统测试方法、平台、计算机设备及可读存储介质 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4240804B2 (ja) | 2009-03-18 |
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