JP2002167672A - 成膜方法 - Google Patents
成膜方法Info
- Publication number
- JP2002167672A JP2002167672A JP2000364056A JP2000364056A JP2002167672A JP 2002167672 A JP2002167672 A JP 2002167672A JP 2000364056 A JP2000364056 A JP 2000364056A JP 2000364056 A JP2000364056 A JP 2000364056A JP 2002167672 A JP2002167672 A JP 2002167672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- film forming
- metal
- deposition
- forming method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 成膜表面の段差形状によらずその表面に金属
膜、金属酸化物膜および金属窒化物膜を制御性よく堆積
する。 【解決手段】 バブラー５内に有機金属原料としてＴａ
［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4６を収容し、ヒータ７で暖めながら
Ｈ2ガス流して有機金属原料ガスを成膜室１内に輸送す
る。そしてヒータブロック２上の基板４上にＴａ膜を形
成する。Ｔａ酸化膜を形成する場合には、Ｔａ［Ｎ（Ｃ
2Ｈ5）2］4と共にＯ2を成膜室１内に供給する。またＴ
ａ窒化膜を形成する場合には、Ｔａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4
と共にＮＨ 3を成膜室１内に供給する。
膜、金属酸化物膜および金属窒化物膜を制御性よく堆積
する。 【解決手段】 バブラー５内に有機金属原料としてＴａ
［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4６を収容し、ヒータ７で暖めながら
Ｈ2ガス流して有機金属原料ガスを成膜室１内に輸送す
る。そしてヒータブロック２上の基板４上にＴａ膜を形
成する。Ｔａ酸化膜を形成する場合には、Ｔａ［Ｎ（Ｃ
2Ｈ5）2］4と共にＯ2を成膜室１内に供給する。またＴ
ａ窒化膜を形成する場合には、Ｔａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4
と共にＮＨ 3を成膜室１内に供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置や電子
装置を製造する際に用いる成膜技術に関し、特に、ＣＶ
Ｄ（化学気相成長）法を用いて金属膜、金属酸化物膜お
よび金属窒化物膜を成膜する方法に関するものである。
装置を製造する際に用いる成膜技術に関し、特に、ＣＶ
Ｄ（化学気相成長）法を用いて金属膜、金属酸化物膜お
よび金属窒化物膜を成膜する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体メモリ、ロジックＬＳＩ、システ
ムＬＳＩなどの半導体装置や、液晶ならびにプラズマデ
ィスプレイやプリント基板などの電子装置では、配線や
絶縁膜、バリア膜などを構成する金属（本明細書におい
て金属はＳｉを含むものとする）膜、金属酸化膜、金属
窒化膜が用いられている。これらの膜は、スパッタ法、
真空蒸着法、鍍金法などで成膜されることが多い。これ
らの成膜方法のうち、スパッタ法および真空蒸着法は比
較的簡便な成膜方法であるが、平坦な面上には均一な成
膜が可能なものの、凹凸面への均一な成膜は困難であ
る。特に、深い穴や溝の底および側壁への成膜は困難で
ある。また、鍍金法は凹凸面にも均一な成膜が可能であ
るが、一般に成膜速度が速いため薄膜の形成を制御する
ことが難しい。また、薬液に浸す湿式の成膜方法であ
り、所望しない部分にも金属を含む薬液が回りこみ汚染
の原因となる。
ムＬＳＩなどの半導体装置や、液晶ならびにプラズマデ
ィスプレイやプリント基板などの電子装置では、配線や
絶縁膜、バリア膜などを構成する金属（本明細書におい
て金属はＳｉを含むものとする）膜、金属酸化膜、金属
窒化膜が用いられている。これらの膜は、スパッタ法、
真空蒸着法、鍍金法などで成膜されることが多い。これ
らの成膜方法のうち、スパッタ法および真空蒸着法は比
較的簡便な成膜方法であるが、平坦な面上には均一な成
膜が可能なものの、凹凸面への均一な成膜は困難であ
る。特に、深い穴や溝の底および側壁への成膜は困難で
ある。また、鍍金法は凹凸面にも均一な成膜が可能であ
るが、一般に成膜速度が速いため薄膜の形成を制御する
ことが難しい。また、薬液に浸す湿式の成膜方法であ
り、所望しない部分にも金属を含む薬液が回りこみ汚染
の原因となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これらの方法に対し
て、ＣＶＤ (Chemical Vapor Deposition)法、特に大気
圧以下の雰囲気圧力で成膜するＬＰＣＶＤ（Low Pressu
re CVD）法は、凹凸面にも制御性良く薄膜を堆積するこ
とが出来る成膜方法であるが、気相で原料を成膜面にま
で輸送することが出来る原料が必要である。
て、ＣＶＤ (Chemical Vapor Deposition)法、特に大気
圧以下の雰囲気圧力で成膜するＬＰＣＶＤ（Low Pressu
re CVD）法は、凹凸面にも制御性良く薄膜を堆積するこ
とが出来る成膜方法であるが、気相で原料を成膜面にま
で輸送することが出来る原料が必要である。
【０００４】ＣＶＤ法で金属およびその化合物を堆積す
る方法としては、Ｃｌ（塩素）等のハロゲンを金属と反
応させた金属ハロゲン化物を用いる方法と、ＴＭＡ（ト
リメチルアルミニウム）、ＴＥＡ（トリエチルアルミニ
ウム）等の有機金属を用いるＭＯＣＶＤ（Metal Organi
c CVD）法があるが、金属ハロゲン化物を用いる方法で
は、得られた膜中にＣｌ等のハロゲンが残留するため長
時間の使用のためには腐食などによる劣化が懸念され
る。また、有機金属を用いるＭＯＣＶＤ法は、残留ハロ
ゲンによる劣化の心配はないが、適当な有機金属原料の
選択と合成が重要な課題となり、必ずしも所望の金属材
料に対して適切な有機金属原料が存在しているとは限ら
ない。
る方法としては、Ｃｌ（塩素）等のハロゲンを金属と反
応させた金属ハロゲン化物を用いる方法と、ＴＭＡ（ト
リメチルアルミニウム）、ＴＥＡ（トリエチルアルミニ
ウム）等の有機金属を用いるＭＯＣＶＤ（Metal Organi
c CVD）法があるが、金属ハロゲン化物を用いる方法で
は、得られた膜中にＣｌ等のハロゲンが残留するため長
時間の使用のためには腐食などによる劣化が懸念され
る。また、有機金属を用いるＭＯＣＶＤ法は、残留ハロ
ゲンによる劣化の心配はないが、適当な有機金属原料の
選択と合成が重要な課題となり、必ずしも所望の金属材
料に対して適切な有機金属原料が存在しているとは限ら
ない。
【０００５】本発明の課題は、上述した従来技術の問題
点を解決することであって、その目的は、半導体装置や
電子装置の成膜面に凹凸があっても、金属およびその化
合物を制御性と均一性良く堆積することができるように
して、良好な性能をもつ半導体装置や電子装置を製造で
きるようにすることである。
点を解決することであって、その目的は、半導体装置や
電子装置の成膜面に凹凸があっても、金属およびその化
合物を制御性と均一性良く堆積することができるように
して、良好な性能をもつ半導体装置や電子装置を製造で
きるようにすることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、成膜室内に、少なくとも１種若し
くは複数種のＭ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4（但し、Ｍは金属
（Ｓｉを含む、以下同じ）元素）にて表される有機物原
料を導入し、化学的気相成長（ＣＶＤ）法にて、金属
膜、若しくは、金属化合物膜を堆積し、堆積後に堆積中
の温度よりも高い温度にて熱処理を行うことを特徴とす
る成膜方法、が提供される。そして、好ましくは、前記
Ｍが、Ｈｆ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｉの中の何れかであ
る。そして、金属酸化物膜を形成するときには、前記成
膜室内に、前記有機物原料と同時に、Ｏ2 、Ｎ2Ｏ、Ｎ
Ｏ、Ｈ2Ｏの中の１種若しくは複数種を供給し、また、
金属窒化物膜を形成するときには、前記成膜室内に、前
記有機物原料と同時に、Ｎ2 、ＮＨ3の中の何れか一方
若しくは両方を供給する。
め、本発明によれば、成膜室内に、少なくとも１種若し
くは複数種のＭ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4（但し、Ｍは金属
（Ｓｉを含む、以下同じ）元素）にて表される有機物原
料を導入し、化学的気相成長（ＣＶＤ）法にて、金属
膜、若しくは、金属化合物膜を堆積し、堆積後に堆積中
の温度よりも高い温度にて熱処理を行うことを特徴とす
る成膜方法、が提供される。そして、好ましくは、前記
Ｍが、Ｈｆ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｉの中の何れかであ
る。そして、金属酸化物膜を形成するときには、前記成
膜室内に、前記有機物原料と同時に、Ｏ2 、Ｎ2Ｏ、Ｎ
Ｏ、Ｈ2Ｏの中の１種若しくは複数種を供給し、また、
金属窒化物膜を形成するときには、前記成膜室内に、前
記有機物原料と同時に、Ｎ2 、ＮＨ3の中の何れか一方
若しくは両方を供給する。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形
態を説明するための、成膜装置の一例を示す模式図であ
る。本発明においては、例えば、図１に示すコールドウ
ォール型のＬＰＣＶＤ装置を用いて成膜が行われる。成
膜室１内には、基板を加熱するためのヒータブロック２
が設置されており、その上に基板台３を介して基板４が
搭載される。成膜時の基板４の温度は、ヒータブロック
２内のヒータにより例えば１００〜６００℃に制御す
る。ステップカバレッジが優先される場合には、４５０
℃以下、より好ましくは４００℃以下の基板温度が選択
される。バブラー５内に原料として例えばＴａ［Ｎ（Ｃ
2Ｈ5）2］4６を供給し、ヒータ７で暖めながらキャリア
ガスであるＨ2ガスを流して原料ガスを成膜室１へ輸送
する。原料ガスの供給量は、Ｈ2ガスの流量をマスフロ
ーコントローラ８ａにより調節することにより制御す
る。成膜室１内部は、オリフィス９を介してターボ分子
ポンプ１０とロータリーポンプ１１の組み合わせにより
排気され、膜堆積時の成膜室内圧力はこれらにより例え
ば１〜１００Ｔｏｒｒ（１３３．３〜１３３３２Ｐａ）
に制御される。
施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形
態を説明するための、成膜装置の一例を示す模式図であ
る。本発明においては、例えば、図１に示すコールドウ
ォール型のＬＰＣＶＤ装置を用いて成膜が行われる。成
膜室１内には、基板を加熱するためのヒータブロック２
が設置されており、その上に基板台３を介して基板４が
搭載される。成膜時の基板４の温度は、ヒータブロック
２内のヒータにより例えば１００〜６００℃に制御す
る。ステップカバレッジが優先される場合には、４５０
℃以下、より好ましくは４００℃以下の基板温度が選択
される。バブラー５内に原料として例えばＴａ［Ｎ（Ｃ
2Ｈ5）2］4６を供給し、ヒータ７で暖めながらキャリア
ガスであるＨ2ガスを流して原料ガスを成膜室１へ輸送
する。原料ガスの供給量は、Ｈ2ガスの流量をマスフロ
ーコントローラ８ａにより調節することにより制御す
る。成膜室１内部は、オリフィス９を介してターボ分子
ポンプ１０とロータリーポンプ１１の組み合わせにより
排気され、膜堆積時の成膜室内圧力はこれらにより例え
ば１〜１００Ｔｏｒｒ（１３３．３〜１３３３２Ｐａ）
に制御される。
【０００８】金属膜であるＴａ膜を形成する場合には、
原料ガスとしてはＴａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4のみが供給さ
れる〔但し、後述するようにＴａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4に
はＮＣ2Ｈ5Ｔａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］3が混入している〕。
Ｔａ膜に代え他の金属膜であるＨｆ（ハフニウム）膜、
Ｚｒ（ジルコニウム）膜、Ｔｉ（チタン）膜、Ｓｉ（シ
リコン）膜を形成する場合には、原料ガスとしてＨｆ
［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｚｒ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｔｉ
［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4またはＳｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4を供
給する。また、これらの金属の合金膜を形成する場合に
はこれらの中の複数の原料を同時に供給する。例えばＴ
ｉＳｉを形成する場合にはＴｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4ガス
とＳｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4ガスとを同時に成膜室内に供
給する。金属（合金を含む）膜の成膜後、成膜時の温度
より例えば５０〜２００℃高い温度にて熱処理を行う。
これにより膜中に遊離して残存するＣ、Ｎ等を放出させ
て膜質の緻密化やシート抵抗の低減等を図ることができ
る。この熱処理は、４００℃以上の温度にて行うことが
望ましい。これ以下の温度では膜質の改善を十分に行う
ことが難しいからである。この膜堆積後の熱処理は、成
膜室１内において膜堆積に引き続いて行うことができる
が、成膜室から取り出してランプアニーラ等を用いて熱
処理を行うようにしてもよい。
原料ガスとしてはＴａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4のみが供給さ
れる〔但し、後述するようにＴａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4に
はＮＣ2Ｈ5Ｔａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］3が混入している〕。
Ｔａ膜に代え他の金属膜であるＨｆ（ハフニウム）膜、
Ｚｒ（ジルコニウム）膜、Ｔｉ（チタン）膜、Ｓｉ（シ
リコン）膜を形成する場合には、原料ガスとしてＨｆ
［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｚｒ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｔｉ
［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4またはＳｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4を供
給する。また、これらの金属の合金膜を形成する場合に
はこれらの中の複数の原料を同時に供給する。例えばＴ
ｉＳｉを形成する場合にはＴｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4ガス
とＳｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4ガスとを同時に成膜室内に供
給する。金属（合金を含む）膜の成膜後、成膜時の温度
より例えば５０〜２００℃高い温度にて熱処理を行う。
これにより膜中に遊離して残存するＣ、Ｎ等を放出させ
て膜質の緻密化やシート抵抗の低減等を図ることができ
る。この熱処理は、４００℃以上の温度にて行うことが
望ましい。これ以下の温度では膜質の改善を十分に行う
ことが難しいからである。この膜堆積後の熱処理は、成
膜室１内において膜堆積に引き続いて行うことができる
が、成膜室から取り出してランプアニーラ等を用いて熱
処理を行うようにしてもよい。
【０００９】金属酸化物膜を形成する場合には、Ｍ［Ｎ
（Ｃ2Ｈ5）2］4（但し、Ｍは金属元素）と共に基板４上
に酸素を供給できる原料、例えばＯ2 を成膜室１に供給
する。Ｏ2 ガスの流量はマスフローコントローラ８ｂに
より調整する。例えばＴａ2 Ｏ5 膜を形成する場合に
は、Ｔａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4ガスと共にＯ2 を成膜室へ
導入する。Ｏ2 に代えＮ2Ｏ、ＮＯ、Ｈ2Ｏを用いてもよ
く、またこれらの酸化性ガスの中の複数種を同時に供給
するようにしてもよい。合金の酸化物膜ないし金属酸化
物の混合物膜を形成する場合には、複数種のＭ［Ｎ（Ｃ
2Ｈ5）2］4と共に酸化性ガスを供給する。
（Ｃ2Ｈ5）2］4（但し、Ｍは金属元素）と共に基板４上
に酸素を供給できる原料、例えばＯ2 を成膜室１に供給
する。Ｏ2 ガスの流量はマスフローコントローラ８ｂに
より調整する。例えばＴａ2 Ｏ5 膜を形成する場合に
は、Ｔａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4ガスと共にＯ2 を成膜室へ
導入する。Ｏ2 に代えＮ2Ｏ、ＮＯ、Ｈ2Ｏを用いてもよ
く、またこれらの酸化性ガスの中の複数種を同時に供給
するようにしてもよい。合金の酸化物膜ないし金属酸化
物の混合物膜を形成する場合には、複数種のＭ［Ｎ（Ｃ
2Ｈ5）2］4と共に酸化性ガスを供給する。
【００１０】金属窒化物膜を形成する場合には、Ｍ［Ｎ
（Ｃ2Ｈ5）2］4（但し、Ｍは金属元素）と共に基板４上
に窒素を供給できる原料例えばＮＨ3 を成膜室１に導入
する。ＮＨ3 ガスの流量はマスフローコントローラ８ｃ
により調整する。例えばＴｉＮ膜を形成する場合には、
Ｔｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4ガスと共にＮＨ 3 を成膜室へ導
入する。ＮＨ3 に代えＮ2 を用いてもよく、またＮＨ3
ガスとＮ 2 ガスの両方を同時に供給するようにしてもよ
い。合金の窒化物膜ないし金属窒化物の混合物膜を形成
する場合には、複数種のＭ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4と共に窒
化性ガスを供給する。
（Ｃ2Ｈ5）2］4（但し、Ｍは金属元素）と共に基板４上
に窒素を供給できる原料例えばＮＨ3 を成膜室１に導入
する。ＮＨ3 ガスの流量はマスフローコントローラ８ｃ
により調整する。例えばＴｉＮ膜を形成する場合には、
Ｔｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4ガスと共にＮＨ 3 を成膜室へ導
入する。ＮＨ3 に代えＮ2 を用いてもよく、またＮＨ3
ガスとＮ 2 ガスの両方を同時に供給するようにしてもよ
い。合金の窒化物膜ないし金属窒化物の混合物膜を形成
する場合には、複数種のＭ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4と共に窒
化性ガスを供給する。
【００１１】図２は、Ｍ（金属元素）がＴａである有機
金属原料をクロマトグラフィ法等の手法を用いて分析し
た結果判った分子構造である。この有機原料には実際に
は２種類の異なった構造を持つ分子が混在していること
が明らかとなった。Ｔａの代わりに中心の金属元素Ｍが
Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｉの場合には、図３に示すよう
に、Ｍ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4の構造であった。
金属原料をクロマトグラフィ法等の手法を用いて分析し
た結果判った分子構造である。この有機原料には実際に
は２種類の異なった構造を持つ分子が混在していること
が明らかとなった。Ｔａの代わりに中心の金属元素Ｍが
Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｉの場合には、図３に示すよう
に、Ｍ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4の構造であった。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の好ましい実施例について図面
を参照して詳細に説明する。 ［実施例１］実施例１として、図１に示すＬＰＣＶＤ装
置により、Ｔａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4ガスを原料ガスに用
いてＴａ膜を成膜した。基板４には未処理のＳｉ基板、
Ｓｉ基板表面を熱酸化して作成したＳｉＯ2基板、Ｓｉ
基板に幅２．０μｍ、深さ５μｍ（アスペクト比＝２．
５）の溝を加工した基板を用いた。配管内部での原料ガ
スの液化を防ぐため、バブラー５から成膜室１までの配
管を図示しない手段で約８０℃に加熱した。本実施例に
おいて、基板温度をヒータブロック２内のヒータを制御
して１００〜６００℃と変化させ、ヒータ７の温度を６
０℃に保持し、マスフローコントローラ８ａによりＨ2
ガス流量を１０ｓｃｃｍに調整した。また、成膜室１内
の圧力を１０Ｔｏｒｒ（１３３３Ｐａ）に保持した。膜
堆積後、温度を成膜温度より５０〜２００℃上昇させ
て、１秒から１時間の熱処理を加えた。
を参照して詳細に説明する。 ［実施例１］実施例１として、図１に示すＬＰＣＶＤ装
置により、Ｔａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4ガスを原料ガスに用
いてＴａ膜を成膜した。基板４には未処理のＳｉ基板、
Ｓｉ基板表面を熱酸化して作成したＳｉＯ2基板、Ｓｉ
基板に幅２．０μｍ、深さ５μｍ（アスペクト比＝２．
５）の溝を加工した基板を用いた。配管内部での原料ガ
スの液化を防ぐため、バブラー５から成膜室１までの配
管を図示しない手段で約８０℃に加熱した。本実施例に
おいて、基板温度をヒータブロック２内のヒータを制御
して１００〜６００℃と変化させ、ヒータ７の温度を６
０℃に保持し、マスフローコントローラ８ａによりＨ2
ガス流量を１０ｓｃｃｍに調整した。また、成膜室１内
の圧力を１０Ｔｏｒｒ（１３３３Ｐａ）に保持した。膜
堆積後、温度を成膜温度より５０〜２００℃上昇させ
て、１秒から１時間の熱処理を加えた。
【００１３】堆積した膜の膜厚は段差計およびＳＥＭ
（scanning electron microscope; 走査顕微鏡）観察に
より、膜の抵抗値は４探針法測定により、膜の結晶構造
はＴＥＭ（transparent electron microscope;透過顕微
鏡）観察により、膜中の不純物はＳＩＭＳ（secondary
ion mass spectroscopy; 二次イオン質量分析）によ
り、それぞれ調べた。堆積温度４００℃以下では温度の
減少に伴い成長速度の急速な低下が見られたが、４００
℃以上では基板温度によらずほぼ一定の成長速度が得ら
れた。溝を加工した基板に成膜した後ＳＥＭで観察した
結果によれば、基板温度４００℃以下では溝の上部、底
および側面のどの場所もほぼ一定の膜厚が達成されてい
ることが確認された。この結果は比較のために行った従
来法であるスパッタ法ではまったく達成できない優れた
特徴である。基板温度を４５０℃まで上げると、ステッ
プカバレッジの指標である溝底部膜厚／平坦部膜厚は
０．７５程度にまで低下したが、バリア性を確保するに
必要となる膜厚は十分に得ることができた。
（scanning electron microscope; 走査顕微鏡）観察に
より、膜の抵抗値は４探針法測定により、膜の結晶構造
はＴＥＭ（transparent electron microscope;透過顕微
鏡）観察により、膜中の不純物はＳＩＭＳ（secondary
ion mass spectroscopy; 二次イオン質量分析）によ
り、それぞれ調べた。堆積温度４００℃以下では温度の
減少に伴い成長速度の急速な低下が見られたが、４００
℃以上では基板温度によらずほぼ一定の成長速度が得ら
れた。溝を加工した基板に成膜した後ＳＥＭで観察した
結果によれば、基板温度４００℃以下では溝の上部、底
および側面のどの場所もほぼ一定の膜厚が達成されてい
ることが確認された。この結果は比較のために行った従
来法であるスパッタ法ではまったく達成できない優れた
特徴である。基板温度を４５０℃まで上げると、ステッ
プカバレッジの指標である溝底部膜厚／平坦部膜厚は
０．７５程度にまで低下したが、バリア性を確保するに
必要となる膜厚は十分に得ることができた。
【００１４】膜の抵抗率は基板温度が高いほど低く、基
板温度４００〜６００℃において、０．０１−１．０Ω
・ｃｍを得ることができた。よって、本発明により、Ｌ
ＳＩのバリア膜を形成するに必要となるステップカバレ
ッジと低抵抗の両特性を備えた膜を形成できることが分
かった。但し、堆積後の後熱処理を行わない試料につい
ては、膜中の残留Ｃも多く膜の密度も低いため、抵抗値
も熱処理後の１０〜１００倍の値を示した。ＳＩＭＳを
用いた分析によれば、得られた膜はＴａに少量のＣおよ
びＮが含まれた組成を示し、Ｃｌ等の膜の劣化に寄与す
る成分は見られなかった。また、ＴＥＭによる解析によ
れば４００℃で堆積した膜は非晶質構造であった。
板温度４００〜６００℃において、０．０１−１．０Ω
・ｃｍを得ることができた。よって、本発明により、Ｌ
ＳＩのバリア膜を形成するに必要となるステップカバレ
ッジと低抵抗の両特性を備えた膜を形成できることが分
かった。但し、堆積後の後熱処理を行わない試料につい
ては、膜中の残留Ｃも多く膜の密度も低いため、抵抗値
も熱処理後の１０〜１００倍の値を示した。ＳＩＭＳを
用いた分析によれば、得られた膜はＴａに少量のＣおよ
びＮが含まれた組成を示し、Ｃｌ等の膜の劣化に寄与す
る成分は見られなかった。また、ＴＥＭによる解析によ
れば４００℃で堆積した膜は非晶質構造であった。
【００１５】同じ装置を用いて、Ｈｆ［Ｎ（Ｃ
2Ｈ5）2］4、Ｚｒ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｔｉ［Ｎ（Ｃ2
Ｈ5）2］4、Ｓｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4を用いても、それ
ぞれの特性に応じてバブラー５のヒータ７の温度をそれ
ぞれの原料にふさわしい値に選ぶことで、Ｔａ［Ｎ（Ｃ
2Ｈ5）2］4の場合と同様に成膜を行うことが出来た。さ
らに、２種類以上の原料を同時に供給することで合金膜
を形成することができた。この合金成膜に関しては、他
の方法に比べて、原料の構造が類似するものを使うこと
で、組成の制御が容易であるなどの利点が得られた。
2Ｈ5）2］4、Ｚｒ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｔｉ［Ｎ（Ｃ2
Ｈ5）2］4、Ｓｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4を用いても、それ
ぞれの特性に応じてバブラー５のヒータ７の温度をそれ
ぞれの原料にふさわしい値に選ぶことで、Ｔａ［Ｎ（Ｃ
2Ｈ5）2］4の場合と同様に成膜を行うことが出来た。さ
らに、２種類以上の原料を同時に供給することで合金膜
を形成することができた。この合金成膜に関しては、他
の方法に比べて、原料の構造が類似するものを使うこと
で、組成の制御が容易であるなどの利点が得られた。
【００１６】［実施例２］実施例１の場合と同様に図１
に示すＬＰＣＶＤ装置を用い、その他の条件を同じにし
て、Ｔａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4と同時にＯ2 をマスフロー
コントローラ５ｂにより流量を毎分０．０１〜１０００
ｍｌに調整して成膜室内に供給したところ、Ｔａ酸化物
膜を成膜することができた。膜中の酸素量はＯ2流量の
増加に伴い増加し、化学量論的な値で飽和した。また、
誘電率にも同様の変化が見られた。Ｔａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）
2］4に代え、Ｈｆ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｚｒ［Ｎ（Ｃ2
Ｈ5）2］4、Ｔｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｓｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ
5）2］4等と同時にＯ2を供給したところ、それぞれの材
料の金属酸化物膜を成膜することができた。また、これ
らの材料についても膜中の酸素量はＯ2流量の増加に伴
い増加し、化学量論的な値で飽和した。さらに、実施例
１の場合と同様に、２種類以上の原料を同時に供給する
ことによって、合金の酸化物が得られた。
に示すＬＰＣＶＤ装置を用い、その他の条件を同じにし
て、Ｔａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4と同時にＯ2 をマスフロー
コントローラ５ｂにより流量を毎分０．０１〜１０００
ｍｌに調整して成膜室内に供給したところ、Ｔａ酸化物
膜を成膜することができた。膜中の酸素量はＯ2流量の
増加に伴い増加し、化学量論的な値で飽和した。また、
誘電率にも同様の変化が見られた。Ｔａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）
2］4に代え、Ｈｆ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｚｒ［Ｎ（Ｃ2
Ｈ5）2］4、Ｔｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｓｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ
5）2］4等と同時にＯ2を供給したところ、それぞれの材
料の金属酸化物膜を成膜することができた。また、これ
らの材料についても膜中の酸素量はＯ2流量の増加に伴
い増加し、化学量論的な値で飽和した。さらに、実施例
１の場合と同様に、２種類以上の原料を同時に供給する
ことによって、合金の酸化物が得られた。
【００１７】これらの金属酸化物膜はいずれも高い誘電
率を持ち、半導体装置や電子装置で誘電体として利用す
ることが可能である。また、他の金属とＳｉの合金から
なる酸化物はシリケートと呼ばれ、熱的に安定なことが
知られている。さらにＯ2の代わりに、またはＯ2と同時
にＮ2Ｏ、ＮＯ、Ｈ2Ｏ等を供給しても同様に金属酸化物
膜が得られた。比較のために堆積したスパッタ法による
膜に比べて、トレンチ穴などへの回り込みが良く、どの
ような面にも均一な成膜が出来ることと、Ｃｌ等の信頼
性への影響が懸念される残留不純物が存在しないこと、
さらに堆積後の熱処理によって密度が向上し、そのほか
の特性も改善したことは実施例１と同様であった。
率を持ち、半導体装置や電子装置で誘電体として利用す
ることが可能である。また、他の金属とＳｉの合金から
なる酸化物はシリケートと呼ばれ、熱的に安定なことが
知られている。さらにＯ2の代わりに、またはＯ2と同時
にＮ2Ｏ、ＮＯ、Ｈ2Ｏ等を供給しても同様に金属酸化物
膜が得られた。比較のために堆積したスパッタ法による
膜に比べて、トレンチ穴などへの回り込みが良く、どの
ような面にも均一な成膜が出来ることと、Ｃｌ等の信頼
性への影響が懸念される残留不純物が存在しないこと、
さらに堆積後の熱処理によって密度が向上し、そのほか
の特性も改善したことは実施例１と同様であった。
【００１８】［実施例３］実施例１の場合と同様に図１
に示すＬＰＣＶＤ装置を用い、その他の条件を同じし
て、Ｔａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4と同時に、マスフローコン
トローラ８ｃにより流量を毎分０．０１〜１０００ｍｌ
に調整してＮＨ3を成膜室１内に供給したところ、Ｔａ
窒化物膜が成膜された。膜中の窒素量はＮＨ3流量の増
加に伴い増加し、化学量論的な値で飽和した。また、Ｔ
ａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4に代え、Ｈｆ［Ｎ（Ｃ
2Ｈ5）2］4、Ｚｒ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｔｉ［Ｎ（Ｃ2
Ｈ5）2］4、Ｓｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4等と同時に毎分
０．０１〜１０００ｍｌのＮＨ3を供給したところ、そ
れぞれの材料の金属窒化物膜を成膜することができた。
これらの材料の金属窒化物膜においても膜中の窒素量は
ＮＨ3流量の増加に伴い増加し、化学量論的な値で飽和
した。さらに、実施例１の場合と同様に２種類以上の原
料を同時に供給することによって、合金の窒化物が得ら
れた。
に示すＬＰＣＶＤ装置を用い、その他の条件を同じし
て、Ｔａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4と同時に、マスフローコン
トローラ８ｃにより流量を毎分０．０１〜１０００ｍｌ
に調整してＮＨ3を成膜室１内に供給したところ、Ｔａ
窒化物膜が成膜された。膜中の窒素量はＮＨ3流量の増
加に伴い増加し、化学量論的な値で飽和した。また、Ｔ
ａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4に代え、Ｈｆ［Ｎ（Ｃ
2Ｈ5）2］4、Ｚｒ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｔｉ［Ｎ（Ｃ2
Ｈ5）2］4、Ｓｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4等と同時に毎分
０．０１〜１０００ｍｌのＮＨ3を供給したところ、そ
れぞれの材料の金属窒化物膜を成膜することができた。
これらの材料の金属窒化物膜においても膜中の窒素量は
ＮＨ3流量の増加に伴い増加し、化学量論的な値で飽和
した。さらに、実施例１の場合と同様に２種類以上の原
料を同時に供給することによって、合金の窒化物が得ら
れた。
【００１９】これらの金属窒化物膜はいずれも他の金属
の拡散を阻止する能力が高く、半導体装置や電子装置で
バリア膜として利用することが可能である。図４は、Ｓ
ｉ基板上にＴｉＮ（チタン窒化物）薄膜を４００℃にて
０．１μｍの膜厚に堆積し４７０℃にて３０分の熱処理
を行った後その上にＣｕを堆積し、その後５５０℃、１
時間の後熱処理を行って、ＴｉＮ薄膜のＣｕに対するバ
リア性能を評価した結果を示す図である。横軸に深さを
とり、縦軸にＣｕ濃度をとった。この図から明らかなよ
うに、ＴｉＮ薄膜によりＣｕの拡散が阻止されているこ
とが分かる。また、ＮＨ3の代わりにＮ2 を用いてもあ
るいはＮＨ3と同時にＮ2を供給しても同様に金属窒化物
膜が得られた。比較のために堆積したスパッタ法による
膜に比べて、トレンチ穴などへの回り込みが良く、どの
ような面にも均一な成膜が出来ることと、Ｃｌ等の信頼
性への影響が懸念される残留不純物が存在しないこと、
さらに堆積後の熱処理によって密度が向上し、そのほか
の特性も改善したことは実施例１および実施例２と同様
に確認された。
の拡散を阻止する能力が高く、半導体装置や電子装置で
バリア膜として利用することが可能である。図４は、Ｓ
ｉ基板上にＴｉＮ（チタン窒化物）薄膜を４００℃にて
０．１μｍの膜厚に堆積し４７０℃にて３０分の熱処理
を行った後その上にＣｕを堆積し、その後５５０℃、１
時間の後熱処理を行って、ＴｉＮ薄膜のＣｕに対するバ
リア性能を評価した結果を示す図である。横軸に深さを
とり、縦軸にＣｕ濃度をとった。この図から明らかなよ
うに、ＴｉＮ薄膜によりＣｕの拡散が阻止されているこ
とが分かる。また、ＮＨ3の代わりにＮ2 を用いてもあ
るいはＮＨ3と同時にＮ2を供給しても同様に金属窒化物
膜が得られた。比較のために堆積したスパッタ法による
膜に比べて、トレンチ穴などへの回り込みが良く、どの
ような面にも均一な成膜が出来ることと、Ｃｌ等の信頼
性への影響が懸念される残留不純物が存在しないこと、
さらに堆積後の熱処理によって密度が向上し、そのほか
の特性も改善したことは実施例１および実施例２と同様
に確認された。
【００２０】以上、本発明の好ましい実施例について説
明したが、本発明は、これら実施例に限定されるもので
はなく、本発明の要旨を逸脱することのない範囲内にお
いて適宜の変更が可能なものである。
明したが、本発明は、これら実施例に限定されるもので
はなく、本発明の要旨を逸脱することのない範囲内にお
いて適宜の変更が可能なものである。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による金属
膜、金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜の成膜方法は、
有機金属原料にＨｆ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5 ）2］4、Ｔａ［Ｎ
（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｚｒ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｔｉ［Ｎ
（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｓｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4を用い、さら
にこの各金属膜を堆積後に堆積中の温度より高い温度で
熱処理を行うものであるので、半導体装置や電子装置の
製造に欠かせない、金属およびその化合物（酸化物、窒
化物など）を凹凸面にも制御性良く堆積することが可能
となり、良好な性能をもつ半導体装置および電子装置を
製造することが可能になる。
膜、金属酸化物膜若しくは金属窒化物膜の成膜方法は、
有機金属原料にＨｆ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5 ）2］4、Ｔａ［Ｎ
（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｚｒ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｔｉ［Ｎ
（Ｃ2Ｈ5）2］4、Ｓｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4を用い、さら
にこの各金属膜を堆積後に堆積中の温度より高い温度で
熱処理を行うものであるので、半導体装置や電子装置の
製造に欠かせない、金属およびその化合物（酸化物、窒
化物など）を凹凸面にも制御性良く堆積することが可能
となり、良好な性能をもつ半導体装置および電子装置を
製造することが可能になる。
【図１】 本発明の実施の形態、実施例を説明するため
のＬＰＣＶＤ装置の模式図。
のＬＰＣＶＤ装置の模式図。
【図２】 本発明において用いられる原料の分子構造図
（その１）。
（その１）。
【図３】 本発明において用いられる原料の分子構造図
（その２）。
（その２）。
【図４】 Ｓｉ基板上に形成されたＴｉＮ薄膜のＣｕに
対するバリア性能を表す図。
対するバリア性能を表す図。
１ 成膜室 ２ ヒータブロック ３ 基板台 ４ 基板 ５ バブラー ６ Ｔａ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4 ７ ヒータ ８ａ〜８ｃ マスフローコントローラ ９ オリフィス １０ ターボ分子ポンプ １１ ロータリーポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｘ Ｆターム(参考） 4K030 AA00 AA11 AA13 AA14 AA16 AA17 AA18 BA10 BA17 BA18 BA22 BA29 BA38 BA42 CA04 CA12 DA09 JA10 4M104 BB01 BB13 BB14 BB17 BB29 BB30 BB32 DD45 DD78 DD79 HH13 5F058 BD05 BF04 BF27 BF29
Claims (12)
- 【請求項１】 成膜室内に、少なくとも１種若しくは複
数種のＭ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］4（但し、Ｍは金属（Ｓｉを
含む、以下同じ）元素）にて表される有機物原料を導入
し、化学的気相成長（ＣＶＤ）法にて、金属（合金を含
む）膜、若しくは、金属化合物膜を堆積し、堆積後に堆
積中の温度よりも高い温度にて熱処理を行うことを特徴
とする成膜方法。 - 【請求項２】 前記Ｍが、Ｈｆ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓ
ｉの中の何れかであることを特徴とする請求項１記載の
成膜方法。 - 【請求項３】 前記ＭがＴａであるとき、Ｔａ［Ｎ（Ｃ
2Ｈ5）2］4に加えてＮ（Ｃ2Ｈ5）Ｔａ［Ｎ（Ｃ
2Ｈ5）2］3が成膜室内に導入されることを特徴とする請
求項１記載の成膜方法。 - 【請求項４】 金属膜の堆積を行い、堆積後の前記熱処
理を真空中もしくは酸素を含まない雰囲気中にて行うこ
とを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の成膜方
法。 - 【請求項５】 前記成膜室内に、前記有機物原料と同時
に、Ｏ2 、Ｎ2Ｏ、ＮＯ、Ｈ2Ｏの中の１種若しくは複数
種を供給して金属酸化物膜を堆積することを特徴とする
請求項１〜３の何れかに記載の成膜方法。 - 【請求項６】 金属酸化物膜堆積後の前記熱処理を、酸
素を含む雰囲気中にて行うことを特徴とする請求項５記
載の成膜方法。 - 【請求項７】 前記成膜室内に、前記有機物原料と同時
に、Ｎ2 、ＮＨ3の中の何れか一方若しくは両方を供給
して金属窒化物膜を堆積することを特徴とする請求項１
〜３の何れかに記載の成膜方法。 - 【請求項８】 金属窒化物膜堆積後の前記熱処理を、窒
素を含む雰囲気中にて行うことを特徴とする請求項７記
載の成膜方法。 - 【請求項９】 前記有機物原料に対するキャリアガスと
してＨ2を用いることを特徴とする請求項１〜８の何れ
かに記載の成膜方法。 - 【請求項１０】 膜堆積を４５０℃以下の温度で行うこ
とを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載の成膜方
法。 - 【請求項１１】 前記熱処理を４００℃以上の温度で行
うことを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の成
膜方法。 - 【請求項１２】 前記熱処理を堆積時の温度より５０〜
２００℃高い温度で行うことを特徴とする請求項１〜１
１の何れかに記載の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000364056A JP4644359B2 (ja) | 2000-11-30 | 2000-11-30 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000364056A JP4644359B2 (ja) | 2000-11-30 | 2000-11-30 | 成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002167672A true JP2002167672A (ja) | 2002-06-11 |
| JP4644359B2 JP4644359B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=18835067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000364056A Expired - Fee Related JP4644359B2 (ja) | 2000-11-30 | 2000-11-30 | 成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4644359B2 (ja) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004001833A1 (ja) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Tokyo Electron Limited | 半導体装置の製造方法 |
| US6720027B2 (en) | 2002-04-08 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer |
| US6831004B2 (en) | 2000-06-27 | 2004-12-14 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| JP2005197675A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-07-21 | Mitsubishi Materials Corp | ハフニウム含有膜形成材料及び該材料から作製されたハフニウム含有膜 |
| JP2005534180A (ja) * | 2002-07-19 | 2005-11-10 | アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド | 金属絶縁体金属キャパシタのインシトゥ形成 |
| JP2006190801A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Fujitsu Ltd | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
| US7084023B2 (en) | 2003-10-30 | 2006-08-01 | Tokyo Electron Limited | Method of manufacturing semiconductor device, film-forming apparatus, and storage medium |
| US7659158B2 (en) | 2008-03-31 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices |
| US7732327B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition of tungsten materials |
| US7745333B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-06-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US7794544B2 (en) | 2004-05-12 | 2010-09-14 | Applied Materials, Inc. | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
| US7798096B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool |
| US7964505B2 (en) | 2005-01-19 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tungsten materials |
| US8071167B2 (en) | 2002-06-14 | 2011-12-06 | Applied Materials, Inc. | Surface pre-treatment for enhancement of nucleation of high dielectric constant materials |
| US8119210B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-02-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material |
| US8323754B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-12-04 | Applied Materials, Inc. | Stabilization of high-k dielectric materials |
| JP5128289B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2013-01-23 | 株式会社トリケミカル研究所 | ハフニウム系化合物、ハフニウム系薄膜形成材料、及びハフニウム系薄膜形成方法 |
| US8491967B2 (en) | 2008-09-08 | 2013-07-23 | Applied Materials, Inc. | In-situ chamber treatment and deposition process |
| US9418890B2 (en) | 2008-09-08 | 2016-08-16 | Applied Materials, Inc. | Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process |
| CN111602228A (zh) * | 2017-12-17 | 2020-08-28 | 应用材料公司 | 通过选择性沉积的硅化物膜 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6169969A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-10 | モートン チオコール インコーポレーテツド | 遷移金属窒化物の薄膜蒸着方法 |
| JPH1064849A (ja) * | 1996-08-12 | 1998-03-06 | Anelva Corp | 薄膜作製方法および薄膜作製装置 |
| JP2001203339A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-07-27 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 半導体素子のキャパシタ製造方法 |
| JP2002050588A (ja) * | 2000-06-01 | 2002-02-15 | Sharp Corp | アモルファス導電性拡散バリアを形成する方法 |
-
2000
- 2000-11-30 JP JP2000364056A patent/JP4644359B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6169969A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-10 | モートン チオコール インコーポレーテツド | 遷移金属窒化物の薄膜蒸着方法 |
| JPH1064849A (ja) * | 1996-08-12 | 1998-03-06 | Anelva Corp | 薄膜作製方法および薄膜作製装置 |
| JP2001203339A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-07-27 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 半導体素子のキャパシタ製造方法 |
| JP2002050588A (ja) * | 2000-06-01 | 2002-02-15 | Sharp Corp | アモルファス導電性拡散バリアを形成する方法 |
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6831004B2 (en) | 2000-06-27 | 2004-12-14 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| US7745333B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-06-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques |
| US7732327B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition of tungsten materials |
| US6720027B2 (en) | 2002-04-08 | 2004-04-13 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer |
| US8071167B2 (en) | 2002-06-14 | 2011-12-06 | Applied Materials, Inc. | Surface pre-treatment for enhancement of nucleation of high dielectric constant materials |
| US6953731B2 (en) | 2002-06-19 | 2005-10-11 | Tokyo Electron Limited | Fabrication process of a semiconductor device |
| WO2004001833A1 (ja) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Tokyo Electron Limited | 半導体装置の製造方法 |
| CN100388438C (zh) * | 2002-06-19 | 2008-05-14 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| JP2005534180A (ja) * | 2002-07-19 | 2005-11-10 | アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド | 金属絶縁体金属キャパシタのインシトゥ形成 |
| US7084023B2 (en) | 2003-10-30 | 2006-08-01 | Tokyo Electron Limited | Method of manufacturing semiconductor device, film-forming apparatus, and storage medium |
| JP2005197675A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-07-21 | Mitsubishi Materials Corp | ハフニウム含有膜形成材料及び該材料から作製されたハフニウム含有膜 |
| US8282992B2 (en) | 2004-05-12 | 2012-10-09 | Applied Materials, Inc. | Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials |
| US7794544B2 (en) | 2004-05-12 | 2010-09-14 | Applied Materials, Inc. | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
| US8343279B2 (en) | 2004-05-12 | 2013-01-01 | Applied Materials, Inc. | Apparatuses for atomic layer deposition |
| US8323754B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-12-04 | Applied Materials, Inc. | Stabilization of high-k dielectric materials |
| US8119210B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-02-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material |
| JP2006190801A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Fujitsu Ltd | 成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
| US7964505B2 (en) | 2005-01-19 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition of tungsten materials |
| JP5128289B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2013-01-23 | 株式会社トリケミカル研究所 | ハフニウム系化合物、ハフニウム系薄膜形成材料、及びハフニウム系薄膜形成方法 |
| US7798096B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool |
| US7659158B2 (en) | 2008-03-31 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices |
| US8043907B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-10-25 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices |
| US8491967B2 (en) | 2008-09-08 | 2013-07-23 | Applied Materials, Inc. | In-situ chamber treatment and deposition process |
| US9418890B2 (en) | 2008-09-08 | 2016-08-16 | Applied Materials, Inc. | Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process |
| CN111602228A (zh) * | 2017-12-17 | 2020-08-28 | 应用材料公司 | 通过选择性沉积的硅化物膜 |
| CN111602228B (zh) * | 2017-12-17 | 2023-12-12 | 应用材料公司 | 通过选择性沉积的硅化物膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4644359B2 (ja) | 2011-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4644359B2 (ja) | 成膜方法 | |
| US6468604B1 (en) | Method for manufacturing a titanium nitride thin film | |
| EP0599991B1 (en) | Process for forming low resistivity titanium nitride films | |
| USRE35785E (en) | Low-pressure chemical vapor deposition process for depositing high-density highly-conformal, titanium nitride films of low bulk resistivity | |
| JP3875491B2 (ja) | ルテニウムまたは酸化ルテニウムを化学蒸着するための前駆物質の化学的性質 | |
| US7338900B2 (en) | Method for forming tungsten nitride film | |
| US5695819A (en) | Method of enhancing step coverage of polysilicon deposits | |
| JP2002525432A (ja) | 金属およびケイ素を含有する３成分窒化物薄膜の形成方法 | |
| WO2005093126A1 (en) | Method for forming dielectric or metallic films | |
| JP2003511561A (ja) | 遷移金属窒化物薄膜の堆積方法 | |
| KR20010107782A (ko) | 산질화막 등을 형성하는 방법 및 장치 | |
| JPH05206062A (ja) | 安定で低い電気固有抵抗を有する窒化チタン薄膜を堆積させるための改良減圧化学蒸着法 | |
| JP3563819B2 (ja) | 窒化チタン薄膜の作製方法及びその方法に使用される薄膜作製装置 | |
| US6844271B2 (en) | Process of CVD of Hf and Zr containing oxynitride films | |
| KR100510473B1 (ko) | 원자층 증착법을 이용한 반도체소자의 커패시터 상부 전극 형성방법 | |
| JPH09246214A (ja) | 薄膜形成方法、半導体装置及びその製造方法 | |
| TWI671422B (zh) | 薄膜之形成方法 | |
| JP4338246B2 (ja) | Ｃｕ−ＣＶＤプロセス用原料とＣｕ−ＣＶＤ装置 | |
| US6734100B2 (en) | Method of forming ruthenium thin film using plasma enhanced process | |
| JPH0982666A (ja) | 薄膜形成方法、半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4363383B2 (ja) | 有機金属化学気相成長法用原料液及び該原料液を用いたＨｆ−Ｓｉ含有複合酸化物膜の製造方法 | |
| JP3176069B2 (ja) | 一リン化チタン層の形成方法およびその使用 | |
| JP4212013B2 (ja) | 誘電体膜の作製方法 | |
| JPH07335565A (ja) | 高誘電体薄膜の形成方法 | |
| TWI389219B (zh) | 形成介電或金屬薄膜的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071010 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091202 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100618 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101021 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101130 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101206 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4644359 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |