JP2002164558A - ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄フィルム太陽電池モジュールの再生利用方法 - Google Patents

ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄フィルム太陽電池モジュールの再生利用方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の目的は、ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄フィル
ム太陽電池モジュールの再生利用方法の代替として、経
済的に実施することが可能な新しい再生利用方法を提供
することである。 【解決手段】 ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄フィルム太陽電池モ
ジュールの再生利用方法であって、モジュールは機械的
にモジュールの破片として粉砕され、そのモジュールの
破片は、酸素を含んだ大気に少なくとも３００℃の温度
に触れることによって炭化水素を基礎にしたプラスチッ
ク物質の形態状のモジュールの破片に含まれる接着剤の
熱分解を引き起こし、熱分解中に生じるガス状の分解産
物は放出され、その後、接着剤が除去されたモジュール
の破片は、塩素を含むガスの大気に４００℃より高温度
下にて触れることにより、エッチング工程を引き起こ
し、上記エッチング工程において、生成される塩化カド
ミウムおよび塩化テルルは冷却することにより凝縮し、
沈殿する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣｄＴｅ／ＣｄＳ
薄フィルム太陽電池モジュールの再生利用方法に関連す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄フィルム太陽電池の
形状におけるＣｄＴｅ薄フィルム太陽電池は、米国特許
出願番号５，３０４，４９９に対応する欧州特許出願番
号０５３５ ５２２ Ａ２の例において開示されてい
る。そのような同様の電池の広い面積のモジュールは、
本発明と一致した方法によって継続的に処理されること
ができる。モジュールは、ガラス基板（好ましくは、窓
ガラスの基板（ソーダ石灰ガラス））を有しており、Ｔ
ＣＯ層（好ましくはＩＴＯ層）、薄いＣｄＳ層（例え
ば、１００ｎｍの厚さ）、及びＣｄＴｅ層（例えば、３
〜７μｍの厚さ）によって塗布され、金属（例えばニッ
ケルのような）の蒸気が沈滞した背面の接触層若しくは
半伝導層を形成する二重層（例えば、アンチモンテルル
化物）並びに付加的な金属層が供給される。モジュール
は、その長さ１メートルにつき約１００個の独立したセ
ルから成るような仕組みで、米国特許番号４ ２４３
４３２に示されている原理にしたがって組み立てられ、
処理される。モジュールの光を受ける面と反対側の背面
は、プラスチック接着剤によって接着されたバックガラ
スにて覆われている。接着剤は、炭化水素を基礎にした
塩素を含まないプラスチック接着剤から成り、ほとんど
の場合、エチレン／酢酸ビニルの共重合体（Ｅ／ＶＡ若
しくはＥＶＡ）から成る。バックガラスは、標準的な方
法によるＥＶＡフィルムによって塗布され組み立てられ
た基板のモジュールガラスにしっかりと固定された。セ
ルの外部の接触部に例えば金属バンドの形をして固定さ
れた電気的なコンダクタは、バックガラスの穴を通って
モジュールから引っ張り出される。
【０００３】米国特許出願番号５ ９９７ ７１８が言
及している、例えば米国特許出願番号５ ４５３ １１
１が開示している同様のモジュールは、本発明による方
法で処理することができる。この米国特許出願は、どち
らかというとコストがかかり異なる太陽電池モジュール
の再生利用方法（湿潤化学的方法、乾式冶金方法、湿式
冶金方法など）の分かり易い全体の流れを提供してい
る。米国特許出願番号５９９７ ７１８によるセルは、
例えば、従来のシュレッダー装置にて豆ほどの大きさに
砕かれ、次いで周囲温度と最大１２０℃の間の温度、好
ましくはおよそ８０℃、で湿潤化学的方法にて処理さ
れ、存在する金属を酸化するためにまず最初に希釈した
硝酸で処理され、処理溶液へと送られる。ＥＶＡ層は、
この過程において薄層に分かれ、浸出処理溶液から掬い
取ることができる。基板のガラスに塗布されたＳｎＯ２
層は、希釈した硝酸によって溶解しない。メタリフェラ
ス処理溶液は後に白金電極を使用して、電気分解を受
け、テルルは、陰極に沈着物として回復し、およびカド
ミウムは、溶液中に残る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｃｄ
Ｔｅ／ＣｄＳ薄フィルム太陽電池モジュールの代替とな
る再生利用方法として、経済的に実施することが可能な
新しい再生利用方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本目的は、請求項１の発
明の主題によって解決され、有用なさらなる発展が、従
属クレイムにおいて明らかにされる。
【０００６】ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄フィルム太陽電池モジ
ュールのための本発明による再生利用方法は、モジュー
ルの成分の湿潤化学的分離方法を避け、その代わりとし
て、独占的にガス大気のみを使用し良好な結果にて行わ
れる。モジュールは、機械的な分解若しくは粉砕がまず
最初に行われるが、破片の分解および均一の程度に関す
る必要条件は低い。ガス処理の適用では、数ｃｍから約
１０ｃｍの大きさの粗い粉砕で十分である。
【０００７】
【発明の実施の形態】モジュールの破片は、まず最初
に、少なくとも３００℃の温度下で酸素を含んだ大気に
さらす。３００℃の温度は、破片に含んでいる有機接着
方法の炭化水素を基礎にした塩素を含まない接着剤の形
態（通常、エチレン／酢酸ビニルの共重合体（ＥＶ
Ａ））を熱分解的に分解する。理想的には、水と二酸化
炭素がこの処理中に発生する。しかし、たとえメタンガ
スやメタンガスと類似の炭化水素化合物の残存物が発生
したとしても、熱分解によるすべての分解物は簡単に吸
収され、完全に焼却することができるので、これは重要
な問題ではない。好ましくは、経済的な理由から、空気
が酸素のキャリアーガスとして使用される。しかしなが
ら、本発明による方法は、酸素のキャリアーガスに限る
だけでなく、例えばアルゴンのような他のキャリアーガ
スを空気の圧力よりも高い酸素の分圧下においても働く
ことができる。好ましくは、熱分解は、４００℃から５
２０℃の間の温度にて起こる。一方、燃焼が非常に注意
深く行われるので、カドミウムテルル化物がまだ蒸発し
ないことは保証される。その反面、燃焼は４００℃より
高い温度にて加速され、処置の時間は、およそ５分間く
らいのできるだけ短時間で行うことができる。
【０００８】熱分解中の処置チャンバー内の圧力は、重
要ではない。好ましい実施様態において、空気は、約１
分間に１リットルのポンピング能力がある単純な膜のポ
ンプ法によって管状炉の熱した反応帯を通って送り込ま
れた。
【０００９】接着剤を除去したモジュールの破片は、塩
素及び好ましくは窒素のガス大気に４００℃より高い温
度で触れ、その結果として、エッチング工程を含む。ガ
ス状の塩化カドミウム及び塩化テルルがこのエッチング
工程において生成され、それら生成されたガス状の塩化
カドミウム及び塩化テルルは冷却によって凝縮し沈殿す
る。エッチング工程は、理論的には温度が４００℃より
低くても可能であるが、しかしながら、エネルギー消費
及び処理時間があまりにも高く受け入れることができな
いために不十分である。それゆえ、好ましくは、４５０
℃よりも高い温度がこの工程には使用され、金属層のエ
ッチングにとっては、数分間の処置時間で十分である。
【００１０】エッチング工程（前段階の熱分解も同様
に）の好ましいおよそ５００℃の上限温度は、ソーダ石
灰ガラス（窓ガラス）が基板物質として採用されたモジ
ュールの発明品を試験した結果の実際の温度である。ホ
ウケイ酸ガラス又はホウケイ酸ガラスと同種のような高
温ガラスを使用すると、高温が可能である。原理的に
は、工程段階の温度は、より高く調節できるかもしれな
い。しかしながら、再生利用される各々のモジュールの
ガラスの基板物質の熱耐性及び融点のため、温度には上
限がある。
【００１１】請求項１の段階Ｃにおけるガス大気は、好
ましくは準大気圧若しくは換算気圧に調節される。ガス
の処理量を減少し、エッチング効率を増加するために、
この操作が行われる。一連の実施された試験において、
１００ミリバールから６００ミリバール間の圧力範囲が
適切であることが証明された。しかしながら、特により
高い物質の消費量を受ける場合、圧力範囲は広い範囲で
自由に選ぶことができる。
【００１２】段階Ｃは、好ましくは窒素の付加によって
行われる。塩素ガスの高い反応性の観点からすると、こ
の窒素の付加は、工程の制御を単純化し、より汚染しな
いことが明らかな工程を生み出す。塩素分圧は、ガスの
混合物における窒素分圧と比較して、その差が１％より
大きいことが好ましく、その理由としては、塩素の低い
値におけるエッチング効率がかなり減少するためであ
る。１０％より高い値であれば、絶対的に可能である。
しかしながら、高い物質の消費のために適切ではなく、
なぜなら１０％の窒素分圧の値よりもさらに上昇してい
る塩素分圧によってもエッチング効率がほとんど増加し
ないためである。さらに付け加えると、塩素分圧は、高
温度下において低くすることができる。
【００１３】塩素及び窒素ガス大気におけるエッチング
は、約３０秒から５分間で行うことができる。それらの
値は、異なった圧力状況下における４５０℃から５００
℃の温度範囲において確認された。原理的には、温度の
増加は、エッチングの時間の短縮化を導く。
【００１４】塩化カドミウムは、エッチング工程におい
て生じ、塩化テルルは、冷たい表面に沈殿物として適切
に回復する。上記に掲げた目的のために、温かいガス
は、適切な処理チャンバーの外側に位置するクーリング
若しくは冷却トラップに導かれる。冷却トラップの実用
可能な実施態様は、特に、上記の塩化カドミウムと塩化
テルルの両塩化物が１５０〜２００℃における凝縮によ
り非常に低い蒸気圧を示すため、非常に簡素である。有
用な実施態様では、水で冷却するトラップが使用され
る。
【００１５】エッチング工程で生じる塩化カドミウムと
塩化テルルは、別々に凝縮される。塩化カドミウムと塩
化テルルが凝縮されるために、冷却トラップにポンピン
グマニホルドによって通された温かいガスは、まず最初
に塩化カドミウムのみが沈殿する温度である３５０℃近
辺まで冷却され、次いでさらに塩化テルルが沈殿するお
よそ１５０℃近辺若しくはそれより低い温度まで冷却さ
れる。３５０℃の代わりに、例えば３００℃でも使用で
き、１５０℃の代わりに、また、例えば２００℃でも使
用可能であろう。しかしながら、この作用は、不利的に
２つの温度差の値を縮めてしまうであろう。
【００１６】エッチングされないＴＣＯ層（好ましくは
ＩＴＯ）は、ガラス上に残留するか、塩酸ガスの手法に
よって除去され、それによって、対応する塩化物と水
（ＩｎＣｌ３， ＳｎＣｌ２，４ 及びＨ２Ｏ）が生じ
る。
【００１７】塩素及び好ましくは窒素ガス大気における
本発明によるエッチング工程はまた、ＣｄＴｅ／ＣｄＳ
層を除去するために、分割されていないガラス基板を処
理するのではなく、すでにＣｄＴｅ／ＣｄＳで塗布され
たガラス基板（しかし、まだバックガラスは供給されて
いない）を処理する段階ｂ）による前処理の熱分解なし
で使用することができる。上記に掲げた方法で、湿潤な
化学処理を使用せずに、不十分な上塗りを施したガラス
基板を形成している生産物の廃棄に有利に対処すること
は可能である。
【００１８】同様に、発明段階Ｃによる方法（例えば、
既にインストールされた湿潤化学的工程若しくはサンド
ブラストを伴う処理によって、）とは異なる方法でＣｄ
Ｔｅ／ＣｄＳ層が除去され、また、プラスチック接着剤
の熱分解的解体の段階ｂの方法は、本発明の段階Ｃの方
法なしで有利に適用することができる。
【００１９】
【実施例】発明の方法を記載する下記の実施態様は、よ
り詳細に説明される。
【００２０】本明細書の冒頭で明らかにしている本種類
の太陽電池モジュールは、例えば、ハンマーミルのよう
な打ち砕く道具で数センチの大きさの破片に粉砕され、
クォーツチャンバーに詰められる。このチャンバーは、
ポンピング装置（Ａｌｃａｔｅｌ社の２０３３ ＣＰ＋
及びＣＦＦ Ｔｕｒｂｏ）、いくつかの圧力計（Ｌｅｙ
ｂｏｌｄ Ｈｅｒａｅｕｓ社のＴｈｅｒｍｏｖａｃ Ｔ
Ｍ２０Ｓ及びＰｅｎｎｉｎｇｖａｃＰＭ３１０）、及び
ガスを取り扱うマニホールドを備えている。上記に掲げ
たようなチャンバーは、例えば、太陽電池モジュールの
活性化のために使用された。
【００２１】本発明による方法を成功裡に使用すること
ができるために、モジュールの金属接触部の除去は必要
ない。
【００２２】段階ｂ）の方法において、大気圧下の状態
で、空気は、ポンプで送り出され、チャンバー内を１分
間に１リットルの流率で通過する。熱処理は、任意の種
類の熱処理によって達成される。本実施態様において、
独自で設計した熱耐性を持つ管状炉が使用された。温度
は、約４００℃に調節された。発生した燃焼ガスは、ポ
ンプで吸い出された。およそ１０分から１５分後に、エ
チレン／酢酸ビニルの共重合体（ＥＶＡ）は、実質上、
二酸化炭素と水に分解された。
【００２３】その後、チャンバーは、空にされて、２０
０ミリバールの窒素分圧及び５ミリバールの塩素分圧で
混合された窒素／塩素ガスの混合物がチャンバーに供給
された。上記目的のために供給されたポンピングマニホ
ールドを通して、エッチング工程で生じた塩化カドミウ
ム及び塩化テルルの両ガスは、冷却トラップと冷却トラ
ップの冷却している表面に沈殿物がある別のチャンバー
へとポンプで注ぎ込まれた。
【００２４】段階Ｃ）の方法はまた、分離しているチャ
ンバーにて行われた。分離したチャンバーで行うため
に、熱処理のためのハロゲン照射器を備えている別のチ
ャンバーがさらなる実験にて使用された。
【００２５】代替として、塩化カドミウム及び塩化テル
ルらのガスは、最初の冷却トラップにおいて、まず、塩
化カドミウムのみが沈殿する約３５０℃まで冷却され、
その後、それらは、塩化テルルが沈殿する下流にある第
２の冷却トラップにて約１５０℃若しくはそれよりも低
い温度まで冷却された。
【００２６】ＴＣＯ層があっても無くても残存するガラ
スの破片は、例えば、ガラスを処理する会社等に提供さ
れることができる。特に利点としては、方法の段階Ｃ）
に続くさらなる段階ｄ）において、ＴＣＯ層は塩酸ガス
によってエッチングされる。もし、ＴＣＯ層が酸化スズ
で構成されている場合、唯一塩化スズのみが生じ、もし
ＴＣＯ層がＩＴＯから構成されているならば、段階ｄ）
においてインジウム塩化物が付加的に生じる。同様な方
法で、相当するインジウムを含む沈澱生産物をさらに処
理することによって貴重なインジウムを回復するのが可
能である。塩化スズもまた、沈殿物として冷却トラップ
の手法によって回収されることができる。さらに現在で
は、ガラスを処理する会社は、すべての層が除去された
ガラスの破片を好む。
【００２７】好ましくは、反応性のある塩酸ガスは再び
窒素で希釈され、好ましくはおよそ１：１００に調節し
た塩酸と窒素の最低限の分圧比の塩酸／窒素の混合物が
使用される。温度はまた、４００℃よりも高いのが好ま
しいが、ソーダ石灰ガラスの形態のガラス基板の場合
は、およそ５２０℃よりも低い。
【００２８】本発明による方法を実行する適切な装置
は、例えば、その反応処理中に破片の旋回運動に効果を
与える回転円筒のような大量の物質を処理できる装置で
ある。
【００２９】本実施態様による方法で処理したモジュー
ルは、ニッケルを含んでいる背面接触層を有している。
また、モリブデン又はバナジウムやバナジウムと類似の
物質や化合物のような別の背面接触物質は、段階Ｃ）に
よるエッチング工程にて、すでにエッチングされてい
る。所望であれば、それらはまた、異なる温度に調節さ
れたさらなる冷却トラップの手法によって選択的に沈殿
される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ディーター ボネット ドイツ連邦共和国，61381 フリードリヒ スドルフ，ブレスラオアー・リング ９ア ー (72)発明者 ライナー ゲーゲンヴァルト ドイツ連邦共和国，99084 エルフルト, ダルベルクスヴェーク 33 (72)発明者 ユッタ バイアー ドイツ連邦共和国，65719 ホフハイム, キルシュガルテン・シュトラーセ 10 Ｆターム(参考） 4D004 AA22 BA05 CA04 CA22 CA24 CA32 CA34 CC01 DA03 DA06 DA10 5F051 AA09 BA11 GA03

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄フィルム太陽電池モ
    ジュールにおいて、 ａ）該モジュールは機械的にモジュールの破片として粉
    砕され、 ｂ）該モジュールの破片は、酸素を含んだ大気に少なく
    とも３００℃の温度で触れることによって、炭化水素を
    基礎にしたプラスチック接着剤の形状で該モジュールの
    破片に含まれている接着剤の熱分解を引き起こし、熱分
    解中に生じるガス状の分解産物は放出され、 ｃ）該接着剤が除去された該モジュールの破片は、塩素
    を含むガスの大気に４００℃よりも高い温度で触れるこ
    とにより、エッチング工程を引き起こし、該エッチング
    工程において、生成される塩化カドミウムおよび塩化テ
    ルルは、冷却することにより凝縮し沈殿することを特徴
    とするＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄フィルム太陽電池モジュール
    の再生利用方法。
  2. 【請求項２】 前記段階ｃ）の方法において、塩素及び
    窒素ガス大気が使用されることを特徴とする請求項１に
    よる方法。
  3. 【請求項３】 前記炭化水素に基づいたプラスチック接
    着剤が、エチレン／酢酸ビニル−共重合体（ＥＶＡ）か
    ら成ることを特徴とする請求項１又は２による方法。
  4. 【請求項４】 前記段階Ｃ）に続く更なる段階ｄ）にお
    いて、ガラス上に残存するモジュールの破片のＴＣＯ層
    が、好ましくは窒素で希釈された塩酸ガスの手段によっ
    てエッチングされることを特徴とする請求項１乃至３の
    うちいずれか一項記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記熱分解段階ｂ）及びエッチング段階
    ｄ）が４００℃より高い温度下にて行われることを特徴
    とする請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記段階Ｃ）及び段階ｄ）のガス大気が
    換算圧力に調節されることを特徴とする請求項１乃至５
    のうちいずれか一項記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記塩素及び窒素ガス大気が、塩素及び
    窒素を含み、窒素に対する塩素の分圧比が０．０１から
    ０．１間であることを特徴とする請求項２乃至６のうち
    いずれか一項記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記段階ｂ）の熱分解が１分から１５分
    間で行われることを特徴とする請求項１乃至７のうちい
    ずれか一項記載の方法。
  9. 【請求項９】 塩素及び任意に窒素を含むガス大気での
    前記段階ｃ）及びｄ）における前記エッチング工程がお
    よそ４５０℃若しくはより高温度下で行われることを特
    徴とする請求項１乃至８のうちいずれか一項記載の方
    法。
  10. 【請求項１０】 前記エッチング工程において生成され
    る塩化カドミウム及び塩化テルルが冷却した表面上に沈
    殿物として回収されることを特徴とする請求項１乃至９
    のうちいずれか一項記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記エッチング工程において生成され
    る塩化カドミウム及び塩化テルルが冷却トラップに導か
    れることを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか
    一項記載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記エッチング工程において生成され
    る塩化カドミウム及び塩化テルルが、まず、塩化カドミ
    ウムのみが沈殿する温度まで冷却され、その後、塩化テ
    ルルが沈殿する温度までさらに冷却されることを特徴と
    する請求項１乃至１１のうちいずれか一項記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記段階ａ），ｃ），及び任意な前記
    段階ｄ）の採用を、バックガラスでは覆われてなく、Ｃ
    ｄＴｅ／ＣｄＳで塗布されているガラス基板への適用を
    特徴とする請求項１乃至１２のうちいずれか一項記載の
    方法。
JP2001267298A 2000-09-11 2001-09-04 ＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄フィルム太陽電池モジュールの再生利用方法 Expired - Fee Related JP4790171B2 (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014054593A (ja) * 2012-09-12 2014-03-27 Terumu:Kk 太陽電池パネルのリサイクル装置およびリサイクル方法
JP2014108375A (ja) * 2012-11-30 2014-06-12 Shinryo Corp 太陽電池素子構成材料の回収方法
JP2015071162A (ja) * 2013-10-01 2015-04-16 韓国エネルギー技術研究院Ｋｏｒｅａ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｏｆ Ｅｎｅｒｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ 太陽電池モジュールの解体方法
CN108493302A (zh) * 2018-05-15 2018-09-04 李的根 一种硅太阳能电池板裂片机
JP2019030861A (ja) * 2017-08-07 2019-02-28 五十嵐　五郎 乾留を用いた太陽光発電モジュールの再利用方法
JP2020126990A (ja) * 2019-02-05 2020-08-20 五十嵐　五郎 光電変換層の再生利用方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1433207B8 (en) * 2001-10-05 2009-10-07 SOLAR SYSTEMS & EQUIOMENTS S.R.L. A process for large-scale production of cdte/cds thin film solar cells
US7731920B2 (en) * 2005-06-03 2010-06-08 Brookhaven Science Associates System and method for separating tellurium from cadmium waste
US20070184573A1 (en) * 2006-02-08 2007-08-09 Guardian Industries Corp., Method of making a thermally treated coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating for use in a semiconductor device
US8298380B2 (en) * 2006-05-23 2012-10-30 Guardian Industries Corp. Method of making thermally tempered coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating in color compression configuration, and product made using same
WO2008102457A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Showa Shell Sekiyu K. K. Method of recovering constituent member of cis type thin-film solar cell module
DE102008058530B4 (de) 2008-11-21 2012-10-31 Ulrich Loser Technisches Verfahren zum Recycling von Dünnschichtsolarmodulen
CN101719529B (zh) * 2009-11-17 2011-07-06 广东金刚玻璃科技股份有限公司 Pvb夹层的双玻璃太阳能电池组件中晶体硅电池片的回收方法
US8288680B1 (en) 2010-02-24 2012-10-16 Vinyl Technologies, Inc. Thin film remediation and edge deletion process
CN102151669B (zh) * 2010-11-26 2012-06-20 安阳市凤凰光伏科技有限公司 太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法
US8821711B2 (en) 2011-06-21 2014-09-02 Colorado School Of Mines Process to recycle end of life CDTE modules and manufacturing scrap
FR2977372B1 (fr) * 2011-06-30 2015-12-18 Soc Fr Detecteurs Infrarouges Sofradir Procede pour la realisation d'un detecteur de rayonnement electro-magnetique et detecteur obtenu par ce procede
RU2469112C1 (ru) * 2011-07-11 2012-12-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина Способ извлечения кадмия из вторичного сырья
DE102011109922A1 (de) * 2011-08-10 2013-02-14 Lobbe Industrieservice Gmbh & Co Kg Verfahren und Anlage zur Wiedergewinnung von Metallen aus Verbundmaterialien, insbesondere aus Siliciumsolarmodulen, Dünnschichtsolarmodulen, LCD-Displays od. dgl.
CN103199147B (zh) * 2012-01-10 2016-03-16 龙焱能源科技（杭州）有限公司 一种碲化镉薄膜太阳能电池的回收处理方法
ITVI20120189A1 (it) * 2012-07-30 2014-01-31 Fortom Chimica S R L Metodo per il recupero di materiali da pannelli solari al silicio a fine vita e uso di prodotti ottenuti mediante il suddetto metodo
DE102013009586A1 (de) 2013-02-26 2014-08-28 Ulrich Loser Hydrometallurgisches Verfahren zur Rückgewinnung von lll-V-, ll-Vl- oder l-lll-Vl2- Verbindungshalbleitermaterialien aus High-Tech- bzw, Green-Tech-Abfällen, bzw. Elektro- und Elektronikabfällen
WO2015051977A1 (de) 2013-10-10 2015-04-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum separierenden trennen von schichten eines aus mindestens zwei schichten gebildeten verbundbauteils
CN103866129B (zh) * 2014-03-12 2016-01-20 中国科学院电工研究所 一种CdTe太阳能电池组件的回收方法
DE102021109591B4 (de) 2021-04-16 2023-01-19 Wolfram Palitzsch Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Multischichtverbundmaterialien
CN113564361A (zh) * 2021-05-19 2021-10-29 兰州有色冶金设计研究院有限公司 一种碲化镉薄膜太阳能电池的火法处理回收工艺
CN114005905B (zh) * 2021-10-22 2023-10-17 成都中建材光电材料有限公司 一种碲化镉太阳能电池的连续生产装备
DE102022109249A1 (de) 2022-04-14 2023-10-19 Wolfram Palitzsch Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Multischichtverbundmaterialien

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5453111A (en) * 1992-01-15 1995-09-26 Metals Recycling Technologies, Inc. Method for separation of metals from waste stream
DE4337309A1 (de) * 1993-08-26 1995-03-02 Leybold Ag Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen von dünnen Schichten, vorzugsweise von Indium-Zinn-Oxid-Schichten
NL9400929A (nl) * 1994-06-08 1996-01-02 Tno Werkwijze voor het afscheiden van metalen uit metaalhoudende materialen door pyrohydrolyse.
US5897685A (en) * 1997-05-12 1999-04-27 Drinkard Metalox, Inc. Recycling of CdTe photovoltaic waste
US6129779A (en) * 1997-05-13 2000-10-10 First Solar, Llc Reclaiming metallic material from an article comprising a non-metallic friable substrate
DE19731160C2 (de) * 1997-07-21 1999-05-27 Pilkington Solar Int Gmbh Verfahren zum Trennen der Komponenten einer Verbundglasscheibe
US6063995A (en) * 1998-07-16 2000-05-16 First Solar, Llc Recycling silicon photovoltaic modules
US6348159B1 (en) * 1999-02-15 2002-02-19 First Solar, Llc Method and apparatus for etching coated substrates
US6379421B1 (en) * 1999-02-25 2002-04-30 Hylsa S.A. De C.V. Method and apparatus removing undesirable metals from iron-containing materials

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014054593A (ja) * 2012-09-12 2014-03-27 Terumu:Kk 太陽電池パネルのリサイクル装置およびリサイクル方法
JP2014108375A (ja) * 2012-11-30 2014-06-12 Shinryo Corp 太陽電池素子構成材料の回収方法
JP2015071162A (ja) * 2013-10-01 2015-04-16 韓国エネルギー技術研究院Ｋｏｒｅａ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｏｆ Ｅｎｅｒｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ 太陽電池モジュールの解体方法
JP2019030861A (ja) * 2017-08-07 2019-02-28 五十嵐　五郎 乾留を用いた太陽光発電モジュールの再利用方法
CN108493302A (zh) * 2018-05-15 2018-09-04 李的根 一种硅太阳能电池板裂片机
JP2020126990A (ja) * 2019-02-05 2020-08-20 五十嵐　五郎 光電変換層の再生利用方法

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US6572782B2 (en) 2003-06-03
CZ302626B6 (cs) 2011-08-10
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