JP2002158207A - 銅膜付着シリコン単結晶ウエーハの再生方法および再生ウエーハ - Google Patents
銅膜付着シリコン単結晶ウエーハの再生方法および再生ウエーハInfo
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Abstract
解除去可能なエッチング薬液組成を探索し、効率的で確
実な除去方法と銅汚染の全く無いシリコン単結晶ウエー
ハを得ることができる再生方法を提供する。 【解決手段】 銅膜の付着したシリコン単結晶ウエーハ
を再生する方法であって、少なくとも硫酸−過酸化水素
液で銅膜を溶解除去する工程、銅膜を除去したウエーハ
の表面を鏡面研磨する工程を含むことを特徴とする銅膜
付着シリコン単結晶ウエーハの再生方法およびこの方法
で再生された再生ウエーハ。
Description
した半導体シリコン単結晶ウエーハから銅膜を除去して
ウエーハを再生する方法に関するものである。
ばシリコン単結晶基板上の金属膜の除去を行う工程で
は、従来からフッ酸、硫酸等を使用していた。除去する
金属膜としては、Al、W、Ti等があり、高濃度の上
記酸類にウエーハを浸漬処理することにより容易に除去
することができた。
するため、低抵抗の配線材料として銅配線が実用化され
ており、銅膜を付着したウエーハが多くなってきてい
る。しかし、銅自身は従来の薬品では除去できず、ま
た、銅はシリコン基板バルク内へ容易に拡散してしまう
こと、および再生処理すると工程が銅で汚染され、他の
製品を銅で汚染させる可能性があるため、今までは銅膜
付着シリコン単結晶ウエーハは再生加工できないものと
されていた。
のような従来の問題点に鑑みてなされたもので、シリコ
ン単結晶ウエーハ上の銅膜を容易に溶解除去可能なエッ
チング薬液組成を探索し、効率的で確実な除去方法と銅
汚染の殆ど無いシリコン単結晶ウエーハを得ることがで
きる再生方法を提供することを主たる目的とする。
に、本発明に関わる銅膜付着シリコン単結晶ウエーハの
再生方法は、銅膜の付着したシリコン単結晶ウエーハを
再生する方法であって、少なくとも硫酸−過酸化水素液
で銅膜を溶解除去する工程、銅膜を除去したウエーハの
表面を鏡面研磨する工程を含むことを特徴としている
(請求項1)。
液で銅膜を溶解除去する工程と銅膜を除去したウエーハ
の表面を鏡面研磨する工程とを行えば、銅膜を容易にし
かも急速に溶解、除去することができるとともに、銅汚
染のない、極めて清浄な鏡面ウエーハに再生することが
できる。
積比)を、硫酸(96%):過酸化水素(30%)=
1:10〜40とすることが好ましい(請求項2)。こ
のような組成範囲内では、高いエッチングレートで銅を
選択的に効率よく溶解除去することができる。好ましく
は1:15〜25、さらに好ましくは1:20である。
1:10未満では激しく発熱して反応するとともに銅エ
ッチングレートは急速に低下し、膜除去分布にムラが生
じることがある。1:40を越えるとエッチングレート
が低減し、生産性の低下を招くようになる。また、この
組成ならば薬液を昇温することなく常温にて銅をエッチ
ングすることができるという利点もある。
ンエッチング方式、多段浸漬エッチング方式あるいは銅
分離機能付き浸漬エッチング方式で行うことが好ましい
(請求項3)。これらの方式によれば、処理ウエーハは
エッチング中に、銅を含まない新硫酸−過酸化水素液あ
るいは銅が低濃度の硫酸−過酸化水素液と接触すること
になるので、銅膜が除去されたウエーハ表面や元々銅膜
の無かった裏面が溶解した銅によって再汚染されること
がなく、銅汚染の殆ど無い清浄な再生ウエーハに仕上げ
ることができる。
結晶ウエーハの再生方法は、銅膜付着シリコン単結晶ウ
エーハが、銅膜下層として銅拡散バリア膜またはSiO
2 膜を有するものであることが好ましい(請求項4)。
すなわち、本発明の再生方法が適用される銅膜付着シリ
コン単結晶ウエーハは、その銅膜下層として銅拡散バリ
ア膜を有するもの、銅拡散バリア膜の下層である酸化膜
(SiO2 )やウエーハバルク内部まで銅が拡散浸透
し、汚染されていないものには特に有効である。銅拡散
バリア膜がない場合は、銅膜形成時等に、銅がウエーハ
バルク内部にまで拡散浸透することがあり、著しい場合
はウエーハの再生が困難になることがあるからである。
磨をする前に、銅拡散バリア膜を溶解除去することが好
ましい(請求項5)。このように銅膜を溶解除去した後
に、銅拡散バリア膜を溶解除去すれば、現われた表面に
は銅は全く存在せず、例え存在しても原子レベルのもの
が極めて低濃度で付着しているに過ぎないのでその後の
研磨等の工程で完全に除去され、再生ウエーハとして使
用することができる。
を、フッ酸−過酸化水素液で行うことが有効である(請
求項6)。このように銅拡散バリア膜を、フッ酸−過酸
化水素液でエッチングすれば、容易にかつ急速に溶解除
去することができる。また、銅拡散バリア膜の下層に酸
化膜(SiO2 )が存在する場合は、これもほぼ同時に
容易に溶解除去することができるので効率的である。
去した後、鏡面研磨をする前に、硫酸−過酸化水素液ま
たは硝酸で洗浄することが好ましい(請求項7)。この
ように銅拡散バリア膜を溶解除去した後にウエーハ表面
に原子レベルの銅が付着している場合もあるので、硫酸
−過酸化水素液または硝酸で再度洗浄することによっ
て、表面の銅濃度を所定の原子濃度以下まで確実に低減
することができる。
は硝酸で洗浄した後、鏡面研磨をする前に、アルカリま
たは酸エッチングを行うことが好ましい(請求項8)。
このように、硫酸−過酸化水素液または硝酸で洗浄した
後、仕上げにアルカリまたは酸エッチングを行なえば、
殆ど銅原子汚染の無い清浄なウエーハに再生することが
できる。
エーハは、殆ど銅原子汚染の無い清浄なウエーハとなる
(請求項9)。
シリコンウエーハを再生したウエーハであるにもかかわ
らず、表面銅濃度が1.0×1010atoms/cm2
以下と殆ど銅原子汚染の無い極めて清浄なウエーハとな
る(請求項10)。
はこれらに限定されるものではない。本発明者らは、銅
膜付着シリコン単結晶ウエーハの再生に際し、シリコン
単結晶ウエーハ上の銅膜を容易に溶解除去するために
は、硫酸−過酸化水素液が極めて有効であることを知見
し、諸条件を精査して本発明を完成させたものである。
切な組成を求めた。これまでの各種知見からシリコンウ
エーハを侵さないとともに銅を溶解し得る溶液として硫
酸−過酸化水素液に絞り込み、下記のような試験を行っ
て、銅との反応性を観察し、エッチングレートを求め
た。
理ウエーハ:銅膜蒸着ウエーハ、直径200mm(8イ
ンチ)、銅膜厚さ:10μm、 銅拡散バリア膜:50
Å、 酸化膜:1000Å、銅膜除去用薬液:硫酸(9
6%)と過酸化水素(30%)の組成比(容積)を表1
のように変えて試験した、ウエーハ回転数:1000r
pm、薬液流量:1L/min、 エッチング時間:約
15秒、 温度:常温(22〜28℃)。
後のウエーハの重量変化を取り代に換算することによっ
て求めた。また銅との反応性は、反応状態を目視により
観察した。試験の結果を表1と図1に示す。図1は、硫
酸:過酸化水素の組成比に対するエッチングレートを表
している。
成比が1:10〜40の範囲で銅との反応性がよく、銅
を効率的に溶解除去し、エッチングレートが高いことが
判る。特に1:20前後が好ましい。1:10未満では
全く反応しない(1:0)か、発熱を伴い急激に反応し
た後、直ぐに黒色酸化銅を生成し、溶解反応は停止して
しまう。従って、面内膜除去分布にムラが発生し易い
(1:0〜10未満)。また1:40を越えるとエッチ
ングレートは低下し、遂には溶解反応は起こらなくなる
(0:1)。1:20の反応においては、銅の溶解量1
g/1Lにつき約1℃液温が上昇する発熱反応であるこ
とが判明した。そして上記銅膜溶解除去反応によって得
られた銅膜の全く無いウエーハ表面の銅汚染濃度は、V
PD−AAS法(気相分解−原子吸光分光法)で分析を
行った結果、約1.4×1011atoms/cm2 であ
った。従って、硫酸−過酸化水素液の組成比は、1:1
0〜40の範囲がよく、好ましくは1:15〜25、さ
らに好ましくは1:20とするのがよい。ここでVPD
−AAS法とは、ウエーハ表面をフッ酸蒸気にて気相分
解し、その後酸溶液にてウエーハ表面を液滴走査するこ
とにより不純物イオンを酸溶液中にとりこみ、この酸溶
液(回収液)を原子吸光分析にかける方法である。
存在する場合は、これを溶解除去する必要がある。例え
ば銅拡散バリア膜が厚さ50Åの場合は、フッ酸:過酸
化水素:水=100〜170:1:100〜170によ
って常温で容易に溶解除去することができる。また、銅
拡散バリア膜の下層として酸化膜(厚さ:約1000
Å)が存在する場合は、このフッ酸−過酸化水素液によ
って同時に容易に溶解除去することができる。
膜+酸化膜(SiO2 )の無い銅膜付着ウエーハの場合
は、元々銅膜蒸着時やその後の熱処理等により銅がウエ
ーハバルク部まで深く拡散浸透している場合があり、銅
膜を溶解除去しただけではウエーハ表面からバルク部に
かけて銅が高濃度で残って再生ウエーハを作製すること
が困難な場合がある。すなわち、たとえ、その後の研磨
工程により汚染部分を除去するとしてもウエーハの厚さ
が不足し再生ウエーハを得ることができない場合もあ
る。従って本発明の再生方法は、銅膜の下層に銅拡散バ
リア膜を有する銅膜付着ウエーハに適用するとより有効
である。
後のウエーハ表面にはまだ原子レベルの銅が付着してい
ることがあり、再生ウエーハとするにはこれを除去する
のが好ましい。再生ウエーハとしての目標値をVPD−
AAS法で1.0×1010atoms/cm2 以下、よ
り好ましくは1×109 atoms/cm2 以下として
このような原子レベルの銅を洗浄除去するには、もう一
度硫酸−過酸化水素液(例えば1:20)または硝酸を
用いれば良い。その結果、ウエーハ表面の銅濃度を、容
易に1.0×1010atoms/cm2 以下まで低減す
ることができる。
は硝酸による洗浄で1×109 atoms/cm2 以下
にならないウエーハは、仕上げにアルカリエッチング
(例えばNaOH)または酸エッチングで5〜10μm
エッチングすればほぼ確実に検出限界以下を達成するこ
とができる。従って、銅膜付着ウエーハから、極めて高
品質の再生ウエーハを得ることが可能になる。
殆ど除去されたウエーハは、最後に鏡面研磨を行うこと
によって清浄な銅汚染の無い再生ウエーハに仕上げるこ
とができる。尚、鏡面研磨は、一般的な手法を用いれば
良く、例えば、研磨布を貼り付けた定盤に裏面を保持し
たウエーハの表面を回転させながら摺動するとともに研
磨剤を供給する方式で行えばよい。
した図面に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれ
らに限定されるものではない。ここで、図2は本発明の
一例を示すフロー図である。図3は本発明の銅膜溶解除
去で使用する装置の例を示したもので、(a)スピンエ
ッチング方式、(b)銅分離機能付き浸漬エッチング装
置を説明する概要図である。
図2の(A)は、銅膜溶解除去工程で、銅膜付着シリコ
ン単結晶ウエーハの銅膜を硫酸ー過酸化水素液によって
溶解除去する工程である。(B)は、銅膜の下層として
銅拡散バリア膜あるいは銅拡散バリア膜と酸化膜(Si
O2 )が存在する場合にはフッ酸−過酸化水素液により
これらの膜を溶解除去する工程である。(C)は、銅拡
散バリア膜を溶解除去した後のウエーハ表面にはまだ原
子レベルの銅が付着している場合があり、硫酸ー過酸化
水素液または硝酸で洗浄する工程である。(D)は、ウ
エーハ表面の銅濃度を一層低減し、確実に目標値以下に
する場合に行うアルカリまたは酸エッチング工程であ
る。(E)は、最後に行う鏡面研磨工程で清浄な銅汚染
の無い再生ウエーハに仕上げることができる。
解除去は、スピンエッチング、多段浸漬エッチングまた
は銅分離機能付き浸漬エッチング等で行うことができ
る。スピンエッチングで行うには、図3(a)に示した
ような装置を用いればよい。このスピンエッチングは、
例えば、図3(a)に示すように、ウエーハ支持台10
上にウエーハ11をその表面側がエッチング液供給ノズ
ル12に向けられるように固定し、ウエーハを回転させ
ながら、前記したようなエッチング液を供給する。この
ようなスピンエッチングによれば、エッチング液は表面
側にのみ接触し振り飛ばされるので、裏面の保護の必要
もなく表面側の銅膜のみを簡便に除去することができ
る。
は、銅膜溶解中は絶えず新硫酸−過酸化水素液をかけ流
し、かけ捨てにすれば被エッチングウエーハが再汚染さ
れる恐れはなく、高い生産性で銅膜溶解除去工程を行う
ことができる。
能付き浸漬エッチング装置を用いてもよい。この装置
は、オーバーフロー受け樋4付きの浸漬エッチング槽3
を中心に、薬液供給装置5と循環ポンプ6と銅分離槽7
を配置して構成されている。該浸漬エッチング装置1に
おいて、銅膜溶解除去用の硫酸−過酸化水素液は薬液供
給装置5から浸漬エッチング槽3に供給され、該槽3内
に浸漬されているウエーハ2の銅膜と反応する。銅を溶
存した硫酸−過酸化水素液はオーバーフローされ、オー
バーフロー受け樋4を経て循環ポンプ6で銅分離槽7に
送られて銅を分離した後、浸漬エッチング槽3に戻り再
度オーバーフローとなって循環を続ける。一方、銅膜付
着ウエーハ2は浸漬エッチング槽3内に浸漬され、銅膜
が溶解除去されれば速やかに引上げられてリンス槽(不
図示)に移される。そして新銅膜付着ウエーハ2を新た
に浸漬する。
槽とし、電解をかけて逆メッキして銅イオンを分離す
る。銅を分離した硫酸−過酸化水素液は浸漬エッチング
槽3に戻されて循環する。そして銅を分離した硫酸−過
酸化水素液はその反応性が劣化しているのでその一部を
連続的に系外に排出し、その排出量に見合う量を連続的
に供給して、槽内の銅イオン濃度を再汚染が起こらない
平衡値に保持するようにすれば、銅膜が除去されたウエ
ーハ2が銅イオンによって再汚染される可能性はなくな
ると共に、所定の銅溶解反応性(エッチングレート)を
保持することができる。
浸漬エッチング槽を直列に並べ、各槽内の硫酸−過酸化
水素液中銅イオン濃度を順次低濃度になるように設定し
たものである。例えば3槽から構成されるものとして、
先ず銅イオンが比較的高濃度の第1浸漬エッチング槽に
被エッチングウエーハを浸漬して銅膜の大部分を溶解除
去し、純水リンスを行った後、第1槽より銅の濃度を低
濃度に維持した第2浸漬エッチング槽に浸漬して残りの
大部分を溶解除去し、純水リンスを行った後、さらに第
2槽より低濃度に維持された第3浸漬エッチング槽に浸
漬して残りの全てを溶解除去した後、リンスして引上げ
る方式である。この方式でも、被エッチングウエーハの
銅膜を除去できるとともに槽内の溶出した銅イオンによ
ってウエーハを再汚染される恐れは殆どない。
的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。 (実施例)下記条件の銅膜蒸着シリコンウエーハを、以
下の条件でスピンエッチングすることにより銅膜を溶解
除去した。ウエーハ:直径200mm、 銅膜厚さ:1
0μm、 銅拡散バリア膜:50Å、 酸化膜:100
0Å、エッチング装置:スピンエッチング機、 ウエー
ハ回転数:1000rpm、薬液流量:1L/min、
エッチング時間:約15秒、 温度:常温(22〜2
8℃)。銅膜除去用薬液:硫酸(96%)と過酸化水素
水(30%)の組成比(容積)=1:20。
膜を除去したウエーハ表面の銅汚染濃度は、VPD−A
AS法で分析の結果、約1.4×1011atoms/c
m2であった。
リア膜と酸化膜をスピンエッチング方式により溶解除去
した。銅拡散バリア膜(50Å)と酸化膜(1000
Å)を、フッ酸:過酸化水素:水=100:1:100
によって常温で溶解除去した。
エーハをさらに硫酸−過酸化水素液(1:20)を用い
てスピン洗浄を行った。その結果、表面銅濃度は、1.
0×1010atoms/cm2 まで低減することができ
た。
(NaOH:50%)に浸漬することによって表面を5
μmエッチングを行った。そして、再びVPD−AAS
法で表面濃度を測定したところ、目標の1×109 at
oms/cm2 以下まで低減していた。
(取り代:約5μm)することによって、清浄で銅汚染
の無い再生ウエーハに再生することができた。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
インチの銅膜付着シリコン単結晶ウエーハを再生する場
合につき例を挙げて説明したが、本発明はこれには限定
されず、直径10〜16インチあるいはそれ以上の銅膜
付着シリコン単結晶ウエーハあるいは6インチ以下の銅
膜付着シリコン単結晶ウエーハにも適用できる。
グ方式、多段浸漬エッチング方式または銅分離機能付き
浸漬エッチング方式が有効であると説明したが、本発明
はこれには限定されず、他の方式を用いてもよい。ま
た、本発明の工程には、適宜、純水によるリンスや、研
磨後の洗浄等の工程が付加されることがあり、このよう
な場合にも本発明が及ぶことは言うまでもない。
膜付着シリコン単結晶ウエーハの再生方法によれば、シ
リコン単結晶ウエーハ上の銅膜を容易にかつ確実に溶解
除去することができ、銅膜付着ウエーハの再生を図るこ
とができる。特に、銅拡散バリア膜下層に存在する原子
レベルの銅もほぼ完全にエッチング除去が可能で、銅汚
染の殆ど無い清浄なシリコン単結晶ウエーハに再生する
ことができる。
の関係を示す結果図である。
浸漬エッチング方式。
ハ、3…浸漬エッチング槽、 4…オーバーフロー受け
樋、5…薬液供給装置、 6…循環ポンプ、 7…銅分
離槽、10…ウエーハ支持台、 11…ウエーハ、12
…エッチング液供給ノズル。
Claims (10)
- 【請求項1】 銅膜の付着したシリコン単結晶ウエーハ
を再生する方法であって、少なくとも硫酸−過酸化水素
液で銅膜を溶解除去する工程、銅膜を除去したウエーハ
の表面を鏡面研磨する工程を含むことを特徴とする銅膜
付着シリコン単結晶ウエーハの再生方法。 - 【請求項2】 前記硫酸−過酸化水素液の組成(容積
比)を、硫酸(96%):過酸化水素(30%)=1:
10〜40とすることを特徴とする請求項1に記載した
銅膜付着シリコン単結晶ウエーハの再生方法。 - 【請求項3】 前記銅膜の溶解除去を、スピンエッチン
グ方式、多段浸漬エッチング方式または銅分離機能付き
浸漬エッチング方式で行うことを特徴とする請求項1ま
たは請求項2に記載した銅膜付着シリコン単結晶ウエー
ハの再生方法。 - 【請求項4】 前記銅膜付着シリコン単結晶ウエーハ
は、銅膜下層として銅拡散バリア膜またはSiO2 膜を
有するものであることを特徴とする請求項1ないし請求
項3のいずれか1項に記載した銅膜付着シリコン単結晶
ウエーハの再生方法。 - 【請求項5】 前記銅膜を溶解除去した後、鏡面研磨を
する前に、前記銅拡散バリア膜を溶解除去することを特
徴とする請求項4に記載した銅膜付着シリコン単結晶ウ
エーハの再生方法。 - 【請求項6】 前記銅拡散バリア膜の除去を、フッ酸−
過酸化水素液で行うことを特徴とする請求項5に記載し
た銅膜付着シリコン単結晶ウエーハの再生方法。 - 【請求項7】 前記銅拡散バリア膜を溶解除去した後、
鏡面研磨をする前に、硫酸−過酸化水素液または硝酸で
洗浄することを特徴とする請求項5または請求項6に記
載した銅膜付着シリコン単結晶ウエーハの再生方法。 - 【請求項8】 前記硫酸−過酸化水素液または硝酸で洗
浄した後、鏡面研磨をする前に、アルカリまたは酸エッ
チングを行うことを特徴とする請求項7に記載した銅膜
付着シリコン単結晶ウエーハの再生方法。 - 【請求項9】 請求項1ないし請求項8のいずれか1項
に記載の方法で再生されたことを特徴とする再生ウエー
ハ。 - 【請求項10】 銅膜付着シリコンウエーハを再生した
ウエーハであって、表面銅濃度が1.0×1010ato
ms/cm2 以下であることを特徴とする再生ウエー
ハ。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6884634B2 (en) | 2002-09-27 | 2005-04-26 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Specifying method for Cu contamination processes and detecting method for Cu contamination during reclamation of silicon wafers, and reclamation method of silicon wafers |
CN1329292C (zh) * | 2005-11-11 | 2007-08-01 | 山东大学 | 一种废硅粉复活再生方法 |
US7699997B2 (en) | 2003-10-03 | 2010-04-20 | Kobe Steel, Ltd. | Method of reclaiming silicon wafers |
JP2010267921A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Hamada Heavy Industries Ltd | シリコンウエーハの再生方法 |
CN102496569A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-06-13 | 英利集团有限公司 | 单晶n型太阳能电池片制绒方法 |
JP2013137063A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Toyota Motor Corp | コンロッドの製造方法 |
JP2020194946A (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
2000
- 2000-11-22 JP JP2000355475A patent/JP3426208B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6884634B2 (en) | 2002-09-27 | 2005-04-26 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Specifying method for Cu contamination processes and detecting method for Cu contamination during reclamation of silicon wafers, and reclamation method of silicon wafers |
US7699997B2 (en) | 2003-10-03 | 2010-04-20 | Kobe Steel, Ltd. | Method of reclaiming silicon wafers |
CN1329292C (zh) * | 2005-11-11 | 2007-08-01 | 山东大学 | 一种废硅粉复活再生方法 |
JP2010267921A (ja) * | 2009-05-18 | 2010-11-25 | Hamada Heavy Industries Ltd | シリコンウエーハの再生方法 |
JP2013137063A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Toyota Motor Corp | コンロッドの製造方法 |
CN102496569A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-06-13 | 英利集团有限公司 | 单晶n型太阳能电池片制绒方法 |
JP2020194946A (ja) * | 2019-05-30 | 2020-12-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
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