JP2001046991A - ガラス基板の洗浄方法 - Google Patents
ガラス基板の洗浄方法Info
- Publication number
- JP2001046991A JP2001046991A JP11221883A JP22188399A JP2001046991A JP 2001046991 A JP2001046991 A JP 2001046991A JP 11221883 A JP11221883 A JP 11221883A JP 22188399 A JP22188399 A JP 22188399A JP 2001046991 A JP2001046991 A JP 2001046991A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- cleaning
- washing
- water
- ultrasonic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0075—Cleaning of glass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス基板の表面に付着した研磨粒子の除去
性能が優れたガラス基板の洗浄方法を提供すること。 【解決手段】 ガラス基板を混酸溶液によって洗浄する
本洗浄工程の前段に、前記ガラス基板をｐＨ４以下の酸
性イオン水に浸漬し超音波洗浄する予備洗浄工程を設け
た。また、この際の酸性イオン水の温度を５０〜７０℃
とし、超音波の周波数が３５〜６０ｋＨｚの範囲のもの
を選択することによって、より一層の効果をもたらすこ
とができる。
性能が優れたガラス基板の洗浄方法を提供すること。 【解決手段】 ガラス基板を混酸溶液によって洗浄する
本洗浄工程の前段に、前記ガラス基板をｐＨ４以下の酸
性イオン水に浸漬し超音波洗浄する予備洗浄工程を設け
た。また、この際の酸性イオン水の温度を５０〜７０℃
とし、超音波の周波数が３５〜６０ｋＨｚの範囲のもの
を選択することによって、より一層の効果をもたらすこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はガラス基板の洗浄方
法に係り、特にハードディスクなどに用いられるガラス
基板の洗浄方法に関する。
法に係り、特にハードディスクなどに用いられるガラス
基板の洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば磁気ディスク用ガラス基板の製造
においては、まずディスク加工したガラス基板の表面を
研磨砥粒で研磨した後、ガラス表面に付着残存した研磨
粒子を除去するために精密洗浄を行う工程がある。精密
洗浄の方法は、研磨後のガラス基板を純水に浸漬し超音
波を照射する予備洗浄を行って付着粒子を粗取りした
後、フッ化水素酸溶液等の薬液により本洗浄を行うこと
が知られている。
においては、まずディスク加工したガラス基板の表面を
研磨砥粒で研磨した後、ガラス表面に付着残存した研磨
粒子を除去するために精密洗浄を行う工程がある。精密
洗浄の方法は、研磨後のガラス基板を純水に浸漬し超音
波を照射する予備洗浄を行って付着粒子を粗取りした
後、フッ化水素酸溶液等の薬液により本洗浄を行うこと
が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らの実験によ
れば、上記の精密洗浄においては、予備洗浄の条件が洗
浄の効果に大きく影響し、予備洗浄が不十分であると本
洗浄への負荷が過大となり、所望の清浄面が得られない
ことが判明した。本発明の目的は、上記従来技術の問題
点を改善して、洗浄効果が優れたガラス基板の洗浄方法
を提供することにある。
れば、上記の精密洗浄においては、予備洗浄の条件が洗
浄の効果に大きく影響し、予備洗浄が不十分であると本
洗浄への負荷が過大となり、所望の清浄面が得られない
ことが判明した。本発明の目的は、上記従来技術の問題
点を改善して、洗浄効果が優れたガラス基板の洗浄方法
を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス表面に
研磨粒子が付着したガラス基板から前記研磨粒子を洗浄
除去するガラス基板の洗浄方法であって、前記ガラス基
板を混酸溶液によって洗浄する本洗浄工程の前段に、前
記ガラス基板をｐＨ４以下の酸性イオン水に浸漬し超音
波洗浄する予備洗浄工程を設けたことを特徴とする。
研磨粒子が付着したガラス基板から前記研磨粒子を洗浄
除去するガラス基板の洗浄方法であって、前記ガラス基
板を混酸溶液によって洗浄する本洗浄工程の前段に、前
記ガラス基板をｐＨ４以下の酸性イオン水に浸漬し超音
波洗浄する予備洗浄工程を設けたことを特徴とする。
【０００５】また、本発明は前記予備洗浄工程における
酸性イオン水の温度を５０〜７０℃とすることを特徴と
する。
酸性イオン水の温度を５０〜７０℃とすることを特徴と
する。
【０００６】また、本発明は前記予備洗浄工程における
超音波の周波数を３５〜６０ｋＨｚとすることを特徴と
する。
超音波の周波数を３５〜６０ｋＨｚとすることを特徴と
する。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る精密洗浄工程
の好ましい実施の形態を示したものであり、予備洗浄工
程、本洗浄工程、リンス工程、乾燥工程の４工程からな
る。
の好ましい実施の形態を示したものであり、予備洗浄工
程、本洗浄工程、リンス工程、乾燥工程の４工程からな
る。
【０００８】予備洗浄工程では、基板カセット１４に収
容したガラス基板１２を予備洗浄槽１６内の酸性イオン
水１７に浸漬し、超音波発生装置１８からの超音波によ
り超音波洗浄する。酸性イオン水のｐＨは４以下でとす
る。洗浄時には清浄な酸性イオン水１７を洗浄槽１６の
下部から連続的に補充し、補充した分だけ槽上部のトラ
フ２２から越流させることによって酸性イオン水１７を
更新し、その清浄度を維持する。越流した酸性イオン水
１７は図示しない濾過装置によって、含まれる微細粒子
を除去した後、循環再使用することが好ましい。
容したガラス基板１２を予備洗浄槽１６内の酸性イオン
水１７に浸漬し、超音波発生装置１８からの超音波によ
り超音波洗浄する。酸性イオン水のｐＨは４以下でとす
る。洗浄時には清浄な酸性イオン水１７を洗浄槽１６の
下部から連続的に補充し、補充した分だけ槽上部のトラ
フ２２から越流させることによって酸性イオン水１７を
更新し、その清浄度を維持する。越流した酸性イオン水
１７は図示しない濾過装置によって、含まれる微細粒子
を除去した後、循環再使用することが好ましい。
【０００９】また、酸性イオン水を５０〜７０℃に加温
して、前記予備洗浄を行うことが好ましい。酸性イオン
水を常温付近で用いると洗浄能力が低下する。また、酸
性イオン水の温度が７０℃を超えると前記超音波発生装
置１８の発信子が損傷する恐れがある。酸性イオン水を
加温するには、前記予備洗浄槽１６に加熱手段を直接に
設けてもよく、又は前記酸性イオン水を循環再使用する
際の循環経路の途中に加熱手段を設けてもよい。
して、前記予備洗浄を行うことが好ましい。酸性イオン
水を常温付近で用いると洗浄能力が低下する。また、酸
性イオン水の温度が７０℃を超えると前記超音波発生装
置１８の発信子が損傷する恐れがある。酸性イオン水を
加温するには、前記予備洗浄槽１６に加熱手段を直接に
設けてもよく、又は前記酸性イオン水を循環再使用する
際の循環経路の途中に加熱手段を設けてもよい。
【００１０】前記超音波発生装置１８から発生させる超
音波の周波数は３５〜６０ｋＨｚの範囲に選択すること
が好ましい。
音波の周波数は３５〜６０ｋＨｚの範囲に選択すること
が好ましい。
【００１１】上記の予備洗浄工程によってガラス基板表
面に付着した研磨粒子を粗取りした後、本洗浄工程に移
る。本洗浄工程では、予備洗浄後のガラス基板１２を前
記基板カセット１４に収容した状態で薬液洗浄槽２０内
の混酸溶液２１に浸漬し、超音波発生装置２２からの超
音波により超音波洗浄する。混酸溶液２１としては、例
えば０．０５重量％濃度のフッ化水素酸（ＨＦ）と５重
量％濃度の硫酸（Ｈ2ＳＯ4）とからなる溶液を用いる。
この混酸溶液２１を洗浄時には洗浄槽２０の下部から連
続的に補充し、補充した分だけ槽上部のトラフ２３から
越流させることによって、混酸溶液２１の濃度と清浄度
を維持する。混酸溶液２１の温度は常温でよい。
面に付着した研磨粒子を粗取りした後、本洗浄工程に移
る。本洗浄工程では、予備洗浄後のガラス基板１２を前
記基板カセット１４に収容した状態で薬液洗浄槽２０内
の混酸溶液２１に浸漬し、超音波発生装置２２からの超
音波により超音波洗浄する。混酸溶液２１としては、例
えば０．０５重量％濃度のフッ化水素酸（ＨＦ）と５重
量％濃度の硫酸（Ｈ2ＳＯ4）とからなる溶液を用いる。
この混酸溶液２１を洗浄時には洗浄槽２０の下部から連
続的に補充し、補充した分だけ槽上部のトラフ２３から
越流させることによって、混酸溶液２１の濃度と清浄度
を維持する。混酸溶液２１の温度は常温でよい。
【００１２】次のリンス工程では、前記薬液洗浄槽２０
から引き上げた基板カセット１４を先ず第１リンス槽２
４内の純水に所定時間浸漬し、続いて第２リンス槽２６
内の純水に所定時間浸漬する。これらのリンス槽２４、
２６の構造は前記予備洗浄槽１６や薬液洗浄槽２０と同
様であり、超音波発生装置２７、２８からの超音波によ
り超音波洗浄し、ガラス基板１２に付着している前記混
酸溶液を洗い流す。
から引き上げた基板カセット１４を先ず第１リンス槽２
４内の純水に所定時間浸漬し、続いて第２リンス槽２６
内の純水に所定時間浸漬する。これらのリンス槽２４、
２６の構造は前記予備洗浄槽１６や薬液洗浄槽２０と同
様であり、超音波発生装置２７、２８からの超音波によ
り超音波洗浄し、ガラス基板１２に付着している前記混
酸溶液を洗い流す。
【００１３】この場合、新鮮な純水を後段の第２リンス
槽２６に供給し、この槽のトラフ３０から越流した純水
を前段の第１リンス槽２４に導入し、トラフ２９から越
流させる。
槽２６に供給し、この槽のトラフ３０から越流した純水
を前段の第１リンス槽２４に導入し、トラフ２９から越
流させる。
【００１４】次の乾燥工程では、第２リンス槽２６から
引き上げた基板カセット１４を乾燥ボックス２８に入
れ、公知の手段によってガラス基板１２に付着している
純水を除去する。この乾燥工程によって一連の精密洗浄
が完了する。
引き上げた基板カセット１４を乾燥ボックス２８に入
れ、公知の手段によってガラス基板１２に付着している
純水を除去する。この乾燥工程によって一連の精密洗浄
が完了する。
【００１５】予備洗浄工程で用いる酸性イオン水は、塩
化ナトリウム等の電解質を溶解させた水を電気分解する
ことによって陽極側で得られる。この酸性イオン水を製
造するための原水としては、前記リンス工程で使用済み
の前記純水を用いると精密洗浄に必要な純水のトータル
使用量を節減できる。
化ナトリウム等の電解質を溶解させた水を電気分解する
ことによって陽極側で得られる。この酸性イオン水を製
造するための原水としては、前記リンス工程で使用済み
の前記純水を用いると精密洗浄に必要な純水のトータル
使用量を節減できる。
【００１６】
【実施例１】２.５インチの磁気ディスク用ガラス基板
を研磨砥粒で研磨して、その表面に研磨粒子が付着した
ガラス基板を供試材とした。この時の研磨条件は、研磨
砥粒として粒径０.４〜０.８μｍの酸化セリウムを用
い、この酸化セリウムを純水に１０重量％で懸濁させた
ものを研磨液とした。この研磨液を用いて研磨装置によ
り研磨圧力７５ｇｆ／ｃｍ2、テーブル回転数４０ｒｐ
ｍの条件で、１０分間研磨した。この供試材を図１に示
した一連の工程によって精密洗浄した。予備洗浄工程に
おける洗浄水として、純水および種々のｐＨの酸性イオ
ン水を用い、これらの洗浄水の温度を２０℃、５０℃、
７０℃に変化させ、洗浄水の性状が研磨粒子の除去性能
に及ぼす影響を調べた。酸性イオン水は純水に塩化ナト
リウムを添加し電気分解したものを用いた。
を研磨砥粒で研磨して、その表面に研磨粒子が付着した
ガラス基板を供試材とした。この時の研磨条件は、研磨
砥粒として粒径０.４〜０.８μｍの酸化セリウムを用
い、この酸化セリウムを純水に１０重量％で懸濁させた
ものを研磨液とした。この研磨液を用いて研磨装置によ
り研磨圧力７５ｇｆ／ｃｍ2、テーブル回転数４０ｒｐ
ｍの条件で、１０分間研磨した。この供試材を図１に示
した一連の工程によって精密洗浄した。予備洗浄工程に
おける洗浄水として、純水および種々のｐＨの酸性イオ
ン水を用い、これらの洗浄水の温度を２０℃、５０℃、
７０℃に変化させ、洗浄水の性状が研磨粒子の除去性能
に及ぼす影響を調べた。酸性イオン水は純水に塩化ナト
リウムを添加し電気分解したものを用いた。
【００１７】この時の予備洗浄工程における超音波洗浄
の条件は各試験とも超音波の周波数を４５ｋＨｚ、洗浄
時間を３分間とした。なお、予備洗浄工程以外の本洗浄
工程、リンス工程、乾燥工程は各試験とも同一の条件で
行った。
の条件は各試験とも超音波の周波数を４５ｋＨｚ、洗浄
時間を３分間とした。なお、予備洗浄工程以外の本洗浄
工程、リンス工程、乾燥工程は各試験とも同一の条件で
行った。
【００１８】除去性能の評価は、前記乾燥工程が完了後
の供試材を２００倍の顕微鏡で観察し、暗視野で粒径が
約０.３μｍ以上の粒子の個数を目視で計数した。
の供試材を２００倍の顕微鏡で観察し、暗視野で粒径が
約０.３μｍ以上の粒子の個数を目視で計数した。
【００１９】以上に述べた条件で行った試験の結果を図
２に示す。図２において横軸は洗浄水として用いた純水
（右端）および酸性イオン水のｐＨを示し、縦軸はガラ
ス基板一枚当たりに残留していた粒子の個数を示す。
２に示す。図２において横軸は洗浄水として用いた純水
（右端）および酸性イオン水のｐＨを示し、縦軸はガラ
ス基板一枚当たりに残留していた粒子の個数を示す。
【００２０】この図から明らかなように、予備洗浄工程
における洗浄水としてｐＨ４以下の酸性イオン水を用い
ると残留粒子個数が少なくなり、精密洗浄に好効果をも
たらす。また、洗浄水の温度を５０〜７０℃に加温する
と残留粒子個数が少なくなり、精密洗浄に好効果をもた
らすことが判る。
における洗浄水としてｐＨ４以下の酸性イオン水を用い
ると残留粒子個数が少なくなり、精密洗浄に好効果をも
たらす。また、洗浄水の温度を５０〜７０℃に加温する
と残留粒子個数が少なくなり、精密洗浄に好効果をもた
らすことが判る。
【００２１】
【実施例２】予備洗浄工程における洗浄水としてｐＨ
３.３の酸性イオン水を５０℃に加温して用いるととも
に、超音波の周波数を２８ｋＨｚ，４５ｋＨｚ、１００
ｋＨｚに変化させ、超音波の周波数が研磨粒子の除去性
能に及ぼす影響を調べた。なお、供試材やその他の実験
条件は、すべて前記実施例１と同一の条件で行った。
３.３の酸性イオン水を５０℃に加温して用いるととも
に、超音波の周波数を２８ｋＨｚ，４５ｋＨｚ、１００
ｋＨｚに変化させ、超音波の周波数が研磨粒子の除去性
能に及ぼす影響を調べた。なお、供試材やその他の実験
条件は、すべて前記実施例１と同一の条件で行った。
【００２２】以上に述べた条件で行った試験の結果を図
３に示す。図３において横軸は予備洗浄工程における超
音波の周波数を示し、縦軸はガラス基板一枚当たりに残
留していた粒子の個数を示す。
３に示す。図３において横軸は予備洗浄工程における超
音波の周波数を示し、縦軸はガラス基板一枚当たりに残
留していた粒子の個数を示す。
【００２３】この図から明らかなように、予備洗浄工程
における超音波の周波数として、４５ｋＨｚ近傍のもの
を選択すると残留粒子個数が少なくなり、精密洗浄に好
効果をもたらすことが判る。
における超音波の周波数として、４５ｋＨｚ近傍のもの
を選択すると残留粒子個数が少なくなり、精密洗浄に好
効果をもたらすことが判る。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、ガラス基板を混酸溶液
によって洗浄する本洗浄工程の前段に、前記ガラス基板
をｐＨ４以下の酸性イオン水に浸漬し超音波洗浄する予
備洗浄工程を設けたので、ガラス表面に研磨粒子が付着
したガラス基板から前記研磨粒子を効果的に洗浄除去す
ることができる。また、この際の酸性イオン水の温度を
５０〜７０℃とし、超音波の周波数として３５〜６０ｋ
Ｈｚの範囲のものを選択すると残留粒子個数が少なくな
り、より一層の効果をもたらすことができる。
によって洗浄する本洗浄工程の前段に、前記ガラス基板
をｐＨ４以下の酸性イオン水に浸漬し超音波洗浄する予
備洗浄工程を設けたので、ガラス表面に研磨粒子が付着
したガラス基板から前記研磨粒子を効果的に洗浄除去す
ることができる。また、この際の酸性イオン水の温度を
５０〜７０℃とし、超音波の周波数として３５〜６０ｋ
Ｈｚの範囲のものを選択すると残留粒子個数が少なくな
り、より一層の効果をもたらすことができる。
【図１】本発明を実施するための精密洗浄工程を示す説
明図である。
明図である。
【図２】実施例１の実験結果を示すグラフである。
【図３】実施例２の実験結果を示すグラフである。
１２……ガラス基板 １４……基板カセット １６……予備洗浄槽 １７……酸性イオン水 １８……超音波発生装置 ２０……薬液洗浄槽 ２１……混酸溶液 ２４……第１リンス槽 ２６……第２リンス槽 ３２……乾燥ボックス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3B116 AA02 AB44 BB02 BB82 CA01 CC01 CC03 3B201 AA02 AA03 AB44 BB02 BB82 BB83 BB92 BB96 CA01 CB15
Claims (3)
- 【請求項１】ガラス表面に研磨粒子が付着したガラス基
板から前記研磨粒子を洗浄除去するガラス基板の洗浄方
法であって、前記ガラス基板を混酸溶液によって洗浄す
る本洗浄工程の前段に、前記ガラス基板をｐＨ４以下の
酸性イオン水に浸漬し超音波洗浄する予備洗浄工程を設
けたことを特徴とするガラス基板の洗浄方法。 - 【請求項２】前記予備洗浄工程における酸性イオン水の
温度を５０〜７０℃とすることを特徴とする請求項１に
記載のガラス基板の洗浄方法。 - 【請求項３】前記予備洗浄工程における超音波の周波数
を３５〜６０ｋＨｚとすることを特徴とする請求項１に
記載のガラス基板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11221883A JP2001046991A (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | ガラス基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11221883A JP2001046991A (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | ガラス基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001046991A true JP2001046991A (ja) | 2001-02-20 |
Family
ID=16773683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11221883A Pending JP2001046991A (ja) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | ガラス基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001046991A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001098298A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-10 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | アルミノシリケートガラス基板又はセラミックガラス基板の洗浄液及び洗浄方法 |
| CN103223406A (zh) * | 2012-01-27 | 2013-07-31 | 硅电子股份公司 | 清洗装置、仪器和方法 |
| KR101388283B1 (ko) | 2007-10-09 | 2014-04-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마스크 세정장치 |
| CN104190669A (zh) * | 2014-09-09 | 2014-12-10 | 盐城市华鸥实业有限公司 | 一种玻璃仪器清洗方法 |
| CN105154684A (zh) * | 2015-09-07 | 2015-12-16 | 云南钛业股份有限公司 | 一种电子束冷床炉观察窗耐热玻璃的清洗方法 |
| KR101786485B1 (ko) * | 2016-03-08 | 2017-10-18 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마시스템 |
| CN110665927A (zh) * | 2019-09-16 | 2020-01-10 | 湖北久之洋红外系统股份有限公司 | 一种激光系统用光学玻璃的无损清洗工艺 |
| CN111438087A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-07-24 | 上海市宝山区仁和医院 | 一种全自动免疫组化仪盖片的洗涤方法 |
| CN112794635A (zh) * | 2021-01-08 | 2021-05-14 | 严成都 | 一种3d钢化膜制造加工方法 |
-
1999
- 1999-08-05 JP JP11221883A patent/JP2001046991A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001098298A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-10 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | アルミノシリケートガラス基板又はセラミックガラス基板の洗浄液及び洗浄方法 |
| KR101388283B1 (ko) | 2007-10-09 | 2014-04-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마스크 세정장치 |
| US9662687B2 (en) | 2012-01-27 | 2017-05-30 | Siltronic Ag | Ultrasonic cleaning method |
| CN103223406A (zh) * | 2012-01-27 | 2013-07-31 | 硅电子股份公司 | 清洗装置、仪器和方法 |
| EP2620230A1 (en) * | 2012-01-27 | 2013-07-31 | Siltronic AG | Cleaning apparatus, equipment, and method |
| CN103223406B (zh) * | 2012-01-27 | 2015-09-09 | 硅电子股份公司 | 清洗装置、仪器和方法 |
| TWI501821B (zh) * | 2012-01-27 | 2015-10-01 | Siltronic Ag | 清潔裝置、儀器和方法 |
| US10137483B2 (en) | 2012-01-27 | 2018-11-27 | Siltronic Ag | Ultrasonic cleaning method |
| CN104190669A (zh) * | 2014-09-09 | 2014-12-10 | 盐城市华鸥实业有限公司 | 一种玻璃仪器清洗方法 |
| CN105154684B (zh) * | 2015-09-07 | 2017-05-10 | 云南钛业股份有限公司 | 一种电子束冷床炉观察窗耐热玻璃的清洗方法 |
| CN105154684A (zh) * | 2015-09-07 | 2015-12-16 | 云南钛业股份有限公司 | 一种电子束冷床炉观察窗耐热玻璃的清洗方法 |
| KR101786485B1 (ko) * | 2016-03-08 | 2017-10-18 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마시스템 |
| CN110665927A (zh) * | 2019-09-16 | 2020-01-10 | 湖北久之洋红外系统股份有限公司 | 一种激光系统用光学玻璃的无损清洗工艺 |
| CN111438087A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-07-24 | 上海市宝山区仁和医院 | 一种全自动免疫组化仪盖片的洗涤方法 |
| CN111438087B (zh) * | 2020-03-23 | 2021-12-03 | 上海市宝山区仁和医院 | 一种全自动免疫组化仪盖片的洗涤方法 |
| CN112794635A (zh) * | 2021-01-08 | 2021-05-14 | 严成都 | 一种3d钢化膜制造加工方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW419399B (en) | Post-lapping cleaning process for silicon wafers | |
| TWI447799B (zh) | 基板洗淨方法及基板洗淨裝置 | |
| JP2001046991A (ja) | ガラス基板の洗浄方法 | |
| JP2001276759A (ja) | ガラス基板の洗浄液及び洗浄方法 | |
| JP2006346531A (ja) | 光学素子の洗浄方法 | |
| CN109290279A (zh) | 一种玻璃导光板霉斑清洗工艺 | |
| JP3567971B2 (ja) | ガラス基板の洗浄液及び洗浄方法 | |
| CN108597984A (zh) | 一种单晶硅片的清洗方法及其处理工艺 | |
| JP3575349B2 (ja) | アルミノシリケートガラス基板の洗浄液及び洗浄方法 | |
| JP4482844B2 (ja) | ウェハの洗浄方法 | |
| JP2002203824A (ja) | ウエハ洗浄方法 | |
| JP2002167240A (ja) | 結晶化ガラス基板の洗浄方法 | |
| JPS6072233A (ja) | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 | |
| JP2002158207A (ja) | 銅膜付着シリコン単結晶ウエーハの再生方法および再生ウエーハ | |
| JPH09266194A (ja) | 半導体ウエーハのエッチング方法 | |
| JPH1022245A (ja) | 半導体素子の異物除去方法及びその装置 | |
| JP3575854B2 (ja) | シリコン単結晶ウエーハの洗浄方法および洗浄装置 | |
| JP3337895B2 (ja) | 半導体基板洗浄方法 | |
| JP2000173978A (ja) | 表面処理方法および洗浄装置 | |
| JP4439898B2 (ja) | 有機被膜洗浄液の再生装置及び再生方法並びに有機被膜の洗浄装置及び洗浄方法 | |
| JP3349299B2 (ja) | ウエット処理方法及び処理装置 | |
| JP3579850B2 (ja) | オゾン水排水の処理方法及び処理システム | |
| JP2648556B2 (ja) | シリコンウエーハの表面処理方法 | |
| KR100590268B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP4306217B2 (ja) | 洗浄後の半導体基板の乾燥方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040316 |