JP2002151969A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2002151969A JP2002151969A JP2000348306A JP2000348306A JP2002151969A JP 2002151969 A JP2002151969 A JP 2002151969A JP 2000348306 A JP2000348306 A JP 2000348306A JP 2000348306 A JP2000348306 A JP 2000348306A JP 2002151969 A JP2002151969 A JP 2002151969A
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- esr
- phase compensation
- semiconductor device
- resistor
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/14—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of neutralising means
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来、等価直列抵抗成分（ＥＳＲ成分）が小
さい低ＥＳＲコンデンサを位相補償用コンデンサとして
半導体装置の出力端子に接続する場合、前記低ＥＳＲコ
ンデンサと直列に抵抗を外部接続する必要があり部品点
数が増加する。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置１０は、半導体
装置１０の内部に形成され一端が出力端子Ｔ１に接続さ
れた抵抗ＲESRと、抵抗ＲESRの他端に接続されたコンデ
ンサ接続用端子Ｔ２とを有しており、コンデンサ接続用
端子Ｔ２に外部接続される低ＥＳＲコンデンサＣ１のＥ
ＳＲ成分を抵抗ＲESRで補う構成である。
さい低ＥＳＲコンデンサを位相補償用コンデンサとして
半導体装置の出力端子に接続する場合、前記低ＥＳＲコ
ンデンサと直列に抵抗を外部接続する必要があり部品点
数が増加する。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置１０は、半導体
装置１０の内部に形成され一端が出力端子Ｔ１に接続さ
れた抵抗ＲESRと、抵抗ＲESRの他端に接続されたコンデ
ンサ接続用端子Ｔ２とを有しており、コンデンサ接続用
端子Ｔ２に外部接続される低ＥＳＲコンデンサＣ１のＥ
ＳＲ成分を抵抗ＲESRで補う構成である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、増幅器やレギュレ
ータなど、出力端子に位相補償用コンデンサを接続する
必要がある半導体装置に関する。
ータなど、出力端子に位相補償用コンデンサを接続する
必要がある半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】出力端子に位相補償用コンデンサを接続
する必要がある半導体装置の一従来例として、ここでは
電源ＩＣを例に挙げて説明を行う。図３、図４は従来の
電源ＩＣの概略構成を示す回路図である。図３に示す電
源ＩＣ１０’’はドライバ回路１１の出力を出力端子Ｔ
１から負荷Ｚ１に対して送出する半導体装置であり、ド
ライバ回路１１は例えば複数の増幅段（図示せず）から
構成されている。
する必要がある半導体装置の一従来例として、ここでは
電源ＩＣを例に挙げて説明を行う。図３、図４は従来の
電源ＩＣの概略構成を示す回路図である。図３に示す電
源ＩＣ１０’’はドライバ回路１１の出力を出力端子Ｔ
１から負荷Ｚ１に対して送出する半導体装置であり、ド
ライバ回路１１は例えば複数の増幅段（図示せず）から
構成されている。
【０００３】また、出力端子Ｔ１には負荷Ｚ１と並列
に、位相補償用コンデンサＣ１が外部接続されている。
この位相補償用コンデンサＣ１はドライバ回路１１の異
常発振を抑制する目的で接続されており、入力に対する
出力の位相特性におけるゼロ点（位相０°）でのゲイン
が１以上とならないように、出力の位相が遅れ始める極
（１次ポール）をより低周波域で形成し、高周波側での
ゲインを下げることで位相補償を行っている。
に、位相補償用コンデンサＣ１が外部接続されている。
この位相補償用コンデンサＣ１はドライバ回路１１の異
常発振を抑制する目的で接続されており、入力に対する
出力の位相特性におけるゼロ点（位相０°）でのゲイン
が１以上とならないように、出力の位相が遅れ始める極
（１次ポール）をより低周波域で形成し、高周波側での
ゲインを下げることで位相補償を行っている。
【０００４】なお、従来では位相補償用コンデンサＣ１
として１０μＦ程度の電解コンデンサやタンタルコンデ
ンサが多く用いられてきたが、これらの電解コンデンサ
は極性を持っているため、実装時に誤って逆接続すると
発煙や破壊等が生じてしまうといった課題を有してい
る。そのため、近年では極性を持たないコンデンサ（特
にセラミックコンデンサ）が位相補償用コンデンサＣ１
として積極的に使用され始めている。
として１０μＦ程度の電解コンデンサやタンタルコンデ
ンサが多く用いられてきたが、これらの電解コンデンサ
は極性を持っているため、実装時に誤って逆接続すると
発煙や破壊等が生じてしまうといった課題を有してい
る。そのため、近年では極性を持たないコンデンサ（特
にセラミックコンデンサ）が位相補償用コンデンサＣ１
として積極的に使用され始めている。
【０００５】ただし、前記セラミックコンデンサはその
等価直列抵抗成分（以下、ＥＳＲ成分（Equivalent ser
ies resistance）と呼ぶ）が電解コンデンサやタンタル
コンデンサに比べて極めて小さい低ＥＳＲコンデンサで
ある。また、前記セラミックコンデンサの位相特性は一
般の低ＥＳＲコンデンサの位相特性と異なり、もともと
低いＥＳＲ成分が所定の周波数でさらに低下するといっ
た独特の特性を示す。
等価直列抵抗成分（以下、ＥＳＲ成分（Equivalent ser
ies resistance）と呼ぶ）が電解コンデンサやタンタル
コンデンサに比べて極めて小さい低ＥＳＲコンデンサで
ある。また、前記セラミックコンデンサの位相特性は一
般の低ＥＳＲコンデンサの位相特性と異なり、もともと
低いＥＳＲ成分が所定の周波数でさらに低下するといっ
た独特の特性を示す。
【０００６】このようにＥＳＲ成分があまりに小さ過ぎ
る低ＥＳＲコンデンサをそのまま位相補償用コンデンサ
Ｃ１として用いると、ドライバ回路１１の位相まわりが
変化して高周波側で位相特性におけるゼロ点ができてし
まう。従って、そこでゲインを上げてしまうためにドラ
イバ回路１１が不安定となり、発振してしまう傾向があ
る。
る低ＥＳＲコンデンサをそのまま位相補償用コンデンサ
Ｃ１として用いると、ドライバ回路１１の位相まわりが
変化して高周波側で位相特性におけるゼロ点ができてし
まう。従って、そこでゲインを上げてしまうためにドラ
イバ回路１１が不安定となり、発振してしまう傾向があ
る。
【０００７】ここで、前記ゼロ点の発生する周波数は次
の（１）式で求めることができる。
の（１）式で求めることができる。
【数１】 なお、上式中におけるＣ0は位相補償用コンデンサＣ１
の静電容量を示しており、ＥＳＲは位相補償用コンデン
サＣ１の等価直列抵抗成分を示している。
の静電容量を示しており、ＥＳＲは位相補償用コンデン
サＣ１の等価直列抵抗成分を示している。
【０００８】上記の（１）式から分かるように、位相補
償用コンデンサＣ１のＥＳＲ成分を大きくすれば前記ゼ
ロ点の発生周波数は低周波側へ移動することになるた
め、位相マージンが取れるようになり、発振が起こりに
くくなる。
償用コンデンサＣ１のＥＳＲ成分を大きくすれば前記ゼ
ロ点の発生周波数は低周波側へ移動することになるた
め、位相マージンが取れるようになり、発振が起こりに
くくなる。
【０００９】従って、セラミックコンデンサ等の低ＥＳ
Ｒコンデンサを位相補償用トランジスタＣ１として使用
する場合には、図４に示すように位相補償用コンデンサ
Ｃ１に対して直列に抵抗Ｒ１を外部接続し、低ＥＳＲコ
ンデンサのＥＳＲ成分を補う必要がある。
Ｒコンデンサを位相補償用トランジスタＣ１として使用
する場合には、図４に示すように位相補償用コンデンサ
Ｃ１に対して直列に抵抗Ｒ１を外部接続し、低ＥＳＲコ
ンデンサのＥＳＲ成分を補う必要がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、出力
端子Ｔ１に接続される位相補償用コンデンサＣ１として
極性を持たないセラミックコンデンサ等の低ＥＳＲコン
デンサを使用すれば、逆接続による発煙等の心配がない
ので実装時におけるトラブルの発生を低減することがで
き、コンデンサ実装工程の円滑化を図ることが可能とな
る。
端子Ｔ１に接続される位相補償用コンデンサＣ１として
極性を持たないセラミックコンデンサ等の低ＥＳＲコン
デンサを使用すれば、逆接続による発煙等の心配がない
ので実装時におけるトラブルの発生を低減することがで
き、コンデンサ実装工程の円滑化を図ることが可能とな
る。
【００１１】しかしながら、位相補償用コンデンサＣ１
として低ＥＳＲコンデンサを用いるためには、電解コン
デンサ等を用いていれば設ける必要のない抵抗Ｒ１を余
分に外部接続しなければならないために部品点数が増大
し、接続箇所の増加による信頼性の低下や実装スペース
増、コスト増等が課題となっている。
として低ＥＳＲコンデンサを用いるためには、電解コン
デンサ等を用いていれば設ける必要のない抵抗Ｒ１を余
分に外部接続しなければならないために部品点数が増大
し、接続箇所の増加による信頼性の低下や実装スペース
増、コスト増等が課題となっている。
【００１２】本発明は上記の問題点に鑑み、等価直列抵
抗成分が小さい低ＥＳＲコンデンサを前記位相補償用コ
ンデンサとして用いながらも、実装時における省スペー
ス化等を実現することができる半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
抗成分が小さい低ＥＳＲコンデンサを前記位相補償用コ
ンデンサとして用いながらも、実装時における省スペー
ス化等を実現することができる半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体装置においては、出力端子に位
相補償用コンデンサを接続する必要がある半導体装置に
おいて、等価直列抵抗成分が小さい低ＥＳＲコンデンサ
を前記位相補償用コンデンサとして用いるために、前記
半導体装置に形成され一端が前記出力端子及び出力トラ
ンジスタに接続された抵抗と、前記抵抗の他端に接続さ
れたコンデンサ接続用端子とを設け、該コンデンサ接続
用端子に前記低ＥＳＲコンデンサを外部接続することに
より、前記低ＥＳＲコンデンサの等価直列抵抗成分を前
記抵抗によって補う構成としたことを特徴としている。
に、本発明に係る半導体装置においては、出力端子に位
相補償用コンデンサを接続する必要がある半導体装置に
おいて、等価直列抵抗成分が小さい低ＥＳＲコンデンサ
を前記位相補償用コンデンサとして用いるために、前記
半導体装置に形成され一端が前記出力端子及び出力トラ
ンジスタに接続された抵抗と、前記抵抗の他端に接続さ
れたコンデンサ接続用端子とを設け、該コンデンサ接続
用端子に前記低ＥＳＲコンデンサを外部接続することに
より、前記低ＥＳＲコンデンサの等価直列抵抗成分を前
記抵抗によって補う構成としたことを特徴としている。
【００１４】もしくは、前記半導体装置に形成され一端
が接地された抵抗と、前記抵抗の他端に接続されたコン
デンサ接続用端子とを設け、前記出力端子と前記コンデ
ンサ接続用端子との間に前記低ＥＳＲコンデンサを外部
接続することにより、前記低ＥＳＲコンデンサの直列抵
抗成分を前記抵抗によって補う構成としてもよい。
が接地された抵抗と、前記抵抗の他端に接続されたコン
デンサ接続用端子とを設け、前記出力端子と前記コンデ
ンサ接続用端子との間に前記低ＥＳＲコンデンサを外部
接続することにより、前記低ＥＳＲコンデンサの直列抵
抗成分を前記抵抗によって補う構成としてもよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】ここでは、本発明に係る半導体装
置として電源ＩＣを例に挙げて説明を行う。図１は本発
明に係る電源ＩＣの第１実施形態を示す回路図である。
なお、本実施形態における電源ＩＣ１０において、従来
の電源ＩＣ１０’’（図３、図４参照）と同様の構成及
び動作を有する部分については図３、図４と同一の符号
を付すことで説明を省略し、以下では本実施形態の新規
部分に重点を置いた説明を行うことにする。
置として電源ＩＣを例に挙げて説明を行う。図１は本発
明に係る電源ＩＣの第１実施形態を示す回路図である。
なお、本実施形態における電源ＩＣ１０において、従来
の電源ＩＣ１０’’（図３、図４参照）と同様の構成及
び動作を有する部分については図３、図４と同一の符号
を付すことで説明を省略し、以下では本実施形態の新規
部分に重点を置いた説明を行うことにする。
【００１６】本図に示すように、本実施形態における電
源ＩＣ１０には、一端が出力端子Ｔ１及びドライバ回路
１１を構成する出力トランジスタのコレクタに接続され
た抵抗ＲESRが形成されており、この抵抗ＲESRの他端は
出力端子Ｔ１とは別に設けられたコンデンサ接続用端子
Ｔ２に接続されている。位相補償用コンデンサＣ１はこ
のコンデンサ接続用端子Ｔ２とグランド間に接続され
る。
源ＩＣ１０には、一端が出力端子Ｔ１及びドライバ回路
１１を構成する出力トランジスタのコレクタに接続され
た抵抗ＲESRが形成されており、この抵抗ＲESRの他端は
出力端子Ｔ１とは別に設けられたコンデンサ接続用端子
Ｔ２に接続されている。位相補償用コンデンサＣ１はこ
のコンデンサ接続用端子Ｔ２とグランド間に接続され
る。
【００１７】このように出力端子Ｔ１とは別にコンデン
サ接続用端子Ｔ２を設け、その内部に接続された抵抗Ｒ
ESRによって位相補償用コンデンサＣ１のＥＳＲ成分を
補う構成とすることにより、位相補償用コンデンサＣ１
として低ＥＳＲコンデンサを用いる場合であっても、従
来のようにＥＳＲ成分を補うための抵抗Ｒ１（図４参
照）を外部接続する必要がない。従って、電源ＩＣ１０
を搭載するセットの省スペース化やコスト削減を実現す
ることができる。
サ接続用端子Ｔ２を設け、その内部に接続された抵抗Ｒ
ESRによって位相補償用コンデンサＣ１のＥＳＲ成分を
補う構成とすることにより、位相補償用コンデンサＣ１
として低ＥＳＲコンデンサを用いる場合であっても、従
来のようにＥＳＲ成分を補うための抵抗Ｒ１（図４参
照）を外部接続する必要がない。従って、電源ＩＣ１０
を搭載するセットの省スペース化やコスト削減を実現す
ることができる。
【００１８】また、位相補償用コンデンサＣ１としてＥ
ＳＲ成分が小さいセラミックコンデンサ（無極性）が使
用可能となるので、電解コンデンサやタンタルコンデン
サを実装する際に生じていた逆接続による発煙等の問題
が改善され、信頼性の向上にもつながる。加えて、前記
セラミックコンデンサの占有面積は電解コンデンサやタ
ンタルコンデンサよりも小さいため、位相補償用コンデ
ンサＣ１として電解コンデンサ等を使用した場合と比べ
てもセットの省スペース化を実現することができる。
ＳＲ成分が小さいセラミックコンデンサ（無極性）が使
用可能となるので、電解コンデンサやタンタルコンデン
サを実装する際に生じていた逆接続による発煙等の問題
が改善され、信頼性の向上にもつながる。加えて、前記
セラミックコンデンサの占有面積は電解コンデンサやタ
ンタルコンデンサよりも小さいため、位相補償用コンデ
ンサＣ１として電解コンデンサ等を使用した場合と比べ
てもセットの省スペース化を実現することができる。
【００１９】続いて、本発明に係る電源ＩＣの第２実施
形態について説明を行う。図２は本発明に係る電源ＩＣ
の第２実施形態を示す回路図である。なお、本実施形態
における電源ＩＣ１０’は、前述の第１実施形態におけ
る電源ＩＣ１０（図１参照）とほぼ同様の構成から成っ
ている。そこで、第１実施形態と同様の構成及び動作を
有する部分については図１と同一の符号を付すことで説
明を省略し、以下では本実施形態の新規部分に重点を置
いた説明を行うことにする。
形態について説明を行う。図２は本発明に係る電源ＩＣ
の第２実施形態を示す回路図である。なお、本実施形態
における電源ＩＣ１０’は、前述の第１実施形態におけ
る電源ＩＣ１０（図１参照）とほぼ同様の構成から成っ
ている。そこで、第１実施形態と同様の構成及び動作を
有する部分については図１と同一の符号を付すことで説
明を省略し、以下では本実施形態の新規部分に重点を置
いた説明を行うことにする。
【００２０】本図に示すように、本実施形態における電
源ＩＣ１０’の内部には、一端がグランド端子Ｔ３を介
して接地された抵抗ＲESRが形成されており、この抵抗
ＲESRの他端は出力端子Ｔ１とは別に設けられたコンデ
ンサ接続用端子Ｔ２に接続されている。そして、位相補
償用コンデンサＣ１は出力端子Ｔ１とコンデンサ接続用
端子Ｔ２の間に接続される。このような構成とすること
でも、前述した第１実施形態と同様の効果を得ることが
できる。
源ＩＣ１０’の内部には、一端がグランド端子Ｔ３を介
して接地された抵抗ＲESRが形成されており、この抵抗
ＲESRの他端は出力端子Ｔ１とは別に設けられたコンデ
ンサ接続用端子Ｔ２に接続されている。そして、位相補
償用コンデンサＣ１は出力端子Ｔ１とコンデンサ接続用
端子Ｔ２の間に接続される。このような構成とすること
でも、前述した第１実施形態と同様の効果を得ることが
できる。
【００２１】上記した第１、第２実施形態の電源ＩＣ１
０、１０’において、セラミックコンデンサ等の低ＥＳ
Ｒコンデンサを１０μＦ程度の位相補償用コンデンサＣ
１として使用した場合に、抵抗ＲESRによって補うべき
ＥＳＲ成分は一般的に数１０ｍΩ〜数Ω程度の非常に小
さい値である。そのため、電源ＩＣ１０、１０’の内部
には実際に抵抗素子を形成することなく抵抗ＲESRを実
現することも可能である。
０、１０’において、セラミックコンデンサ等の低ＥＳ
Ｒコンデンサを１０μＦ程度の位相補償用コンデンサＣ
１として使用した場合に、抵抗ＲESRによって補うべき
ＥＳＲ成分は一般的に数１０ｍΩ〜数Ω程度の非常に小
さい値である。そのため、電源ＩＣ１０、１０’の内部
には実際に抵抗素子を形成することなく抵抗ＲESRを実
現することも可能である。
【００２２】例えば、出力端子Ｔ１からコンデンサ接続
用端子Ｔ２（或いはコンデンサ接続用端子Ｔ２からグラ
ンド端子Ｔ３）までのアルミニウムやポリシリコン等に
よる内部配線またはワイヤボンディング等の長さや幅を
調整して、その配線抵抗を積極的に活用することにより
抵抗ＲESRを実現できる。
用端子Ｔ２（或いはコンデンサ接続用端子Ｔ２からグラ
ンド端子Ｔ３）までのアルミニウムやポリシリコン等に
よる内部配線またはワイヤボンディング等の長さや幅を
調整して、その配線抵抗を積極的に活用することにより
抵抗ＲESRを実現できる。
【００２３】また、ＥＳＲ成分の大きな電解コンデンサ
を位相補償用コンデンサＣ１として使用する場合には、
従来通り出力端子Ｔ１に前記電解コンデンサを直接接続
すればよい。もしくは、前記電解コンデンサを低ＥＳＲ
コンデンサ接続用端子Ｔ２に接続して、出力端子Ｔ１と
低ＥＳＲコンデンサ接続用端子Ｔ２（或いは低ＥＳＲコ
ンデンサ接続用端子Ｔ２とグランド端子Ｔ３）を外部で
短絡することでも従来と同等の特性を得ることができ
る。このように、上記した第１、第２実施形態における
電源ＩＣ１０、１０’では位相補償用コンデンサＣ１を
ＥＳＲ成分の大小に関わらず任意に選択できるので汎用
性が高く、非常に使い勝手がよい。
を位相補償用コンデンサＣ１として使用する場合には、
従来通り出力端子Ｔ１に前記電解コンデンサを直接接続
すればよい。もしくは、前記電解コンデンサを低ＥＳＲ
コンデンサ接続用端子Ｔ２に接続して、出力端子Ｔ１と
低ＥＳＲコンデンサ接続用端子Ｔ２（或いは低ＥＳＲコ
ンデンサ接続用端子Ｔ２とグランド端子Ｔ３）を外部で
短絡することでも従来と同等の特性を得ることができ
る。このように、上記した第１、第２実施形態における
電源ＩＣ１０、１０’では位相補償用コンデンサＣ１を
ＥＳＲ成分の大小に関わらず任意に選択できるので汎用
性が高く、非常に使い勝手がよい。
【００２４】なお、上記した第１、第２実施形態ではい
ずれも本発明を電源ＩＣに適用した例を挙げて説明を行
ったが、本発明は電源ＩＣに限らず、出力端子に位相補
償用コンデンサを接続する必要がある半導体装置に広く
適用することができる。
ずれも本発明を電源ＩＣに適用した例を挙げて説明を行
ったが、本発明は電源ＩＣに限らず、出力端子に位相補
償用コンデンサを接続する必要がある半導体装置に広く
適用することができる。
【００２５】
【発明の効果】上記したように、本発明に係る半導体装
置においては、出力端子に位相補償用コンデンサを接続
する必要がある半導体装置において、等価直列抵抗成分
が小さい低ＥＳＲコンデンサを前記位相補償用コンデン
サとして用いるために、前記半導体装置に形成され一端
が前記出力端子及び出力トランジスタ、または基準電位
に接続された抵抗と、前記抵抗の他端に接続されたコン
デンサ接続用端子とを設け、該コンデンサ接続用端子に
前記低ＥＳＲコンデンサを外部接続することにより、前
記低ＥＳＲコンデンサの等価直列抵抗成分を前記抵抗に
よって補う構成としたことを特徴としている。
置においては、出力端子に位相補償用コンデンサを接続
する必要がある半導体装置において、等価直列抵抗成分
が小さい低ＥＳＲコンデンサを前記位相補償用コンデン
サとして用いるために、前記半導体装置に形成され一端
が前記出力端子及び出力トランジスタ、または基準電位
に接続された抵抗と、前記抵抗の他端に接続されたコン
デンサ接続用端子とを設け、該コンデンサ接続用端子に
前記低ＥＳＲコンデンサを外部接続することにより、前
記低ＥＳＲコンデンサの等価直列抵抗成分を前記抵抗に
よって補う構成としたことを特徴としている。
【００２６】このような構成とすることにより、前記位
相補償用コンデンサとして前記低ＥＳＲコンデンサを用
いる場合であっても、従来のように等価直列抵抗成分を
補うための抵抗を外部接続する必要がない。従って、前
記半導体装置を搭載するセットの省スペース化やコスト
削減を実現することができる。
相補償用コンデンサとして前記低ＥＳＲコンデンサを用
いる場合であっても、従来のように等価直列抵抗成分を
補うための抵抗を外部接続する必要がない。従って、前
記半導体装置を搭載するセットの省スペース化やコスト
削減を実現することができる。
【００２７】また、前記位相補償用コンデンサとして等
価直列抵抗成分が小さいセラミックコンデンサ（無極
性）を使用可能となるので、極性を持つ電解コンデンサ
を実装する際に発生していた逆接続による発煙等の問題
が改善され、信頼性の向上にもつながる。加えて、前記
セラミックコンデンサの占有スペースは前記電解コンデ
ンサよりも小さいため、前記位相補償用コンデンサとし
て前記電解コンデンサを使用した場合と比較してもセッ
トの省スペース化を実現することができる。さらに、本
発明に係る半導体装置では前記位相補償用コンデンサを
等価直列抵抗成分の大小に関わらず任意に選択できるの
で汎用性が高く、非常に使い勝手がよい。
価直列抵抗成分が小さいセラミックコンデンサ（無極
性）を使用可能となるので、極性を持つ電解コンデンサ
を実装する際に発生していた逆接続による発煙等の問題
が改善され、信頼性の向上にもつながる。加えて、前記
セラミックコンデンサの占有スペースは前記電解コンデ
ンサよりも小さいため、前記位相補償用コンデンサとし
て前記電解コンデンサを使用した場合と比較してもセッ
トの省スペース化を実現することができる。さらに、本
発明に係る半導体装置では前記位相補償用コンデンサを
等価直列抵抗成分の大小に関わらず任意に選択できるの
で汎用性が高く、非常に使い勝手がよい。
【図１】 本発明に係る電源ＩＣの第１実施形態を示す
回路図である。
回路図である。
【図２】 本発明に係る電源ＩＣの第２実施形態を示す
回路図である。
回路図である。
【図３】 従来の電源ＩＣの概略構成を示す回路図であ
る。
る。
【図４】 従来の電源ＩＣの概略構成を示す回路図であ
る。
る。
１０、１０’ 電源ＩＣ １１ ドライバ回路 Ｔ１ 出力端子 Ｔ２ コンデンサ接続用端子 Ｔ３ グランド端子 Ｃ１ 位相補償用コンデンサ Ｚ１ 負荷 ＲESR 抵抗（ＥＳＲ成分）
Claims (1)
- 【請求項１】出力端子に位相補償用コンデンサを接続す
る必要がある半導体装置において、 等価直列抵抗成分が小さい低ＥＳＲコンデンサを前記位
相補償用コンデンサとして用いるために、前記半導体装
置に形成され一端が前記出力端子及び出力トランジス
タ、または基準電位に接続された抵抗と、前記抵抗の他
端に接続されたコンデンサ接続用端子とを設け、該コン
デンサ接続用端子に前記低ＥＳＲコンデンサを外部接続
することにより、前記低ＥＳＲコンデンサの等価直列抵
抗成分を前記抵抗によって補う構成としたことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000348306A JP2002151969A (ja) | 2000-11-15 | 2000-11-15 | 半導体装置 |
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Applications Claiming Priority (1)
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