JP2002151275A - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
有機電界発光素子及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高いコントラストと高い輝度とを有した有機
電界発光素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明は有機電界発光素子及びその製造
方法に関するものである。有機電界発光素子はピクセル
領域を有した表示領域と非表示領域を有した透明基板
と、透明基板の表示領域に形成されていて相互離隔され
た第１電極と、ピクセル領域に対応する第１電極の一部
を除いた表示領域の一部上に形成された層間絶縁膜と、
第１電極と直交する方向に層間絶縁膜上に形成されたカ
ソード分離壁と、ピクセル領域に対応して二つの隣接す
るカソード分離壁間の第１電極の一部上に形成された有
機電界発光層と、内部に光吸収層を有しており、表示領
域上に形成された第２電極とを含んでいる。
電界発光素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明は有機電界発光素子及びその製造
方法に関するものである。有機電界発光素子はピクセル
領域を有した表示領域と非表示領域を有した透明基板
と、透明基板の表示領域に形成されていて相互離隔され
た第１電極と、ピクセル領域に対応する第１電極の一部
を除いた表示領域の一部上に形成された層間絶縁膜と、
第１電極と直交する方向に層間絶縁膜上に形成されたカ
ソード分離壁と、ピクセル領域に対応して二つの隣接す
るカソード分離壁間の第１電極の一部上に形成された有
機電界発光層と、内部に光吸収層を有しており、表示領
域上に形成された第２電極とを含んでいる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機電界発光素子及
びその製造方法に関するものであり、特に、素子内部に
入射された外部光がカソード電極で用いる金属を通して
反射されてコントラストが低下することを防止する有機
電界発光素子に関するものである。
びその製造方法に関するものであり、特に、素子内部に
入射された外部光がカソード電極で用いる金属を通して
反射されてコントラストが低下することを防止する有機
電界発光素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、エレクトロルミネセンス(Ｅ
Ｌ：Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ)とい
うことは、電子(ｅｌｅｃｔｒｏｎ)と正孔(hｏｌｅ）が
半導体(ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)内で電子−正孔対
を作ったりキャリア(ｃａｒｒｉｅｒ)がさらに高いエネ
ルギー状態に励起された後再び安定化状態であるそれら
の平衡状態(ｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍ ｓｔａｔｅ)に落
ちる過程を通して光が生じるがこのような現像をＥＬと
いう。
Ｌ：Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ)とい
うことは、電子(ｅｌｅｃｔｒｏｎ)と正孔(hｏｌｅ）が
半導体(ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)内で電子−正孔対
を作ったりキャリア(ｃａｒｒｉｅｒ)がさらに高いエネ
ルギー状態に励起された後再び安定化状態であるそれら
の平衡状態(ｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍ ｓｔａｔｅ)に落
ちる過程を通して光が生じるがこのような現像をＥＬと
いう。
【０００３】図１は、上述したＥＬ現像を利用した一般
的なＥＬ素子の断面を図示した図面であり、電子と正孔
が形成される半導体層を有機物質として用いる有機ＥＬ
(Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃ
ｅｎｃｅ)素子を図示した断面図である。
的なＥＬ素子の断面を図示した図面であり、電子と正孔
が形成される半導体層を有機物質として用いる有機ＥＬ
(Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃ
ｅｎｃｅ)素子を図示した断面図である。
【０００４】有機ＥＬ素子１０の積層構造を見れば、基
板１１と、前記基板１１上に陽極(Ａｎｏｄｅ:１３）が
形成され、前記陽極１３上部には陰極(Ｃａｔhｏｄｅ:
１５）が形成されて、前記陰極１５と陽極１３間に発光
層１７が形成される。
板１１と、前記基板１１上に陽極(Ａｎｏｄｅ:１３）が
形成され、前記陽極１３上部には陰極(Ｃａｔhｏｄｅ:
１５）が形成されて、前記陰極１５と陽極１３間に発光
層１７が形成される。
【０００５】前記陽極は透明材料で構成され、前記陰極
はメタルで構成される。
はメタルで構成される。
【０００６】しかし、上述した有機電界発光素子は、外
部光がメタルで構成された前記陰極を通して反射されて
コントラストが低下するという問題点があった。
部光がメタルで構成された前記陰極を通して反射されて
コントラストが低下するという問題点があった。
【０００７】従来には上述した問題点を解決するために
図２に図示したように基板１１表面に偏光板１８とλ／
４位相差板１９を付けて外部光が素子内部に入って前記
カソード１５を通して反射された後λ／４位相差板１９
によって位相差が誘導されて外部に出ることができなく
て消滅干渉を起こすようになっている。
図２に図示したように基板１１表面に偏光板１８とλ／
４位相差板１９を付けて外部光が素子内部に入って前記
カソード１５を通して反射された後λ／４位相差板１９
によって位相差が誘導されて外部に出ることができなく
て消滅干渉を起こすようになっている。
【０００８】すなわち、偏光板を通して特定波長(例え
ば、水平波)のみ通過すれば、その通過した水平波はλ
／４位相差板１９によって位相が変更されてカソード１
５面によって反射される。
ば、水平波)のみ通過すれば、その通過した水平波はλ
／４位相差板１９によって位相が変更されてカソード１
５面によって反射される。
【０００９】この時、その位相が変更されて反射されて
出る垂直波は水平波のみを通過させる偏光板１８を通過
できなくて消滅するようになる。
出る垂直波は水平波のみを通過させる偏光板１８を通過
できなくて消滅するようになる。
【００１０】このように構成される有機電界発光素子は
光透過率が５０％以下であり外部光を遮断する効果を有
するようになるが有機電界発光素子内部で発光する輝度
が半分以下に減少するという短所がある。
光透過率が５０％以下であり外部光を遮断する効果を有
するようになるが有機電界発光素子内部で発光する輝度
が半分以下に減少するという短所がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した問題
点を解決するために案出されたものであり、本発明の目
的は、高いコントラストと高い輝度とを有した有機電界
発光素子及びその製造方法を提供することにある。
点を解決するために案出されたものであり、本発明の目
的は、高いコントラストと高い輝度とを有した有機電界
発光素子及びその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の望ましい実施例は有機電界発光素子を提供
する。透明基板はピクセル領域を有した表示領域と非表
示領域とを有している。第１電極は前記透明基板の表示
領域に形成されていて互いに離間されている。層間絶縁
膜が前記ピクセル領域に対応する前記第１電極の一部を
除いた前記表示領域の一部上に形成されている。カソー
ド分離壁が前記第１電極と直交する方向に前記層間絶縁
膜上に形成されている。有機電界発光層が前記ピクセル
領域に対応して前記二つの隣接するカソード分離壁間の
前記第１電極の一部上に形成されている。第２電極は内
部に光吸収層を有しており、前記表示領域上に形成され
ている。
に、本発明の望ましい実施例は有機電界発光素子を提供
する。透明基板はピクセル領域を有した表示領域と非表
示領域とを有している。第１電極は前記透明基板の表示
領域に形成されていて互いに離間されている。層間絶縁
膜が前記ピクセル領域に対応する前記第１電極の一部を
除いた前記表示領域の一部上に形成されている。カソー
ド分離壁が前記第１電極と直交する方向に前記層間絶縁
膜上に形成されている。有機電界発光層が前記ピクセル
領域に対応して前記二つの隣接するカソード分離壁間の
前記第１電極の一部上に形成されている。第２電極は内
部に光吸収層を有しており、前記表示領域上に形成され
ている。
【００１３】前記第２電極は、前記光吸収層をその間に
有している第１及び第２層を有している。前記第２電極
の前記第１層は前記有機電界発光層に隣接してあって、
周辺光の一部を通過させるのに十分に厚い厚さを有して
おり、望ましくは厚さが１００Å以下である。前記第２
電極層は前記第１電極より厚い。前記光吸収層は前記ピ
クセル領域に対応する位置に形成されている。前記光吸
収層は周辺光を吸収する物質で作られ、望ましくは周辺
光を吸収できるカーボン、無機材料、有機材料中いずれ
か一つで作られる。
有している第１及び第２層を有している。前記第２電極
の前記第１層は前記有機電界発光層に隣接してあって、
周辺光の一部を通過させるのに十分に厚い厚さを有して
おり、望ましくは厚さが１００Å以下である。前記第２
電極層は前記第１電極より厚い。前記光吸収層は前記ピ
クセル領域に対応する位置に形成されている。前記光吸
収層は周辺光を吸収する物質で作られ、望ましくは周辺
光を吸収できるカーボン、無機材料、有機材料中いずれ
か一つで作られる。
【００１４】前記有機電界発光素子は、前記基板の非表
示領域上に形成されており、前記第２電極と電気的に連
結されたカソードリード電極をさらに含んでいる。前記
層間絶縁膜はコンタクトホールを有しており、前記カソ
ードリード電極は前記コンタクトホールを通して前記第
２電極と電気的に連結される。前記第１電極はインジウ
ムスズオキサイド(ＩＴＯ)で作られる。前記第２電極は
望ましくはＡｌ、Ｌｉ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｃａまたは
Ｂａで作られる。
示領域上に形成されており、前記第２電極と電気的に連
結されたカソードリード電極をさらに含んでいる。前記
層間絶縁膜はコンタクトホールを有しており、前記カソ
ードリード電極は前記コンタクトホールを通して前記第
２電極と電気的に連結される。前記第１電極はインジウ
ムスズオキサイド(ＩＴＯ)で作られる。前記第２電極は
望ましくはＡｌ、Ｌｉ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｃａまたは
Ｂａで作られる。
【００１５】本発明の望ましい実施例は、ピクセル領域
を有した表示領域と非表示領域とに分けられた透明基板
を準備する段階と、相互離隔されるように前記透明基板
上に第１電極を形成する段階と、前記ピクセル領域に対
応する前記第１電極の一部を除いた前記表示領域の一部
上に層間絶縁膜を形成する段階と、前記第１電極と直交
する方向に前記層間絶縁膜上にオーバーハング模型のカ
ソード分離壁を形成する段階と、前記ピクセル領域に対
応して前記隣接した二つのカソード分離壁間の前記第１
電極の一部上に有機電界発光層を形成する段階と、前記
表示領域上に、内部に光吸収層を有した第２電極を形成
する段階を含む有機電界発光素子の製造方法を提供して
いる。
を有した表示領域と非表示領域とに分けられた透明基板
を準備する段階と、相互離隔されるように前記透明基板
上に第１電極を形成する段階と、前記ピクセル領域に対
応する前記第１電極の一部を除いた前記表示領域の一部
上に層間絶縁膜を形成する段階と、前記第１電極と直交
する方向に前記層間絶縁膜上にオーバーハング模型のカ
ソード分離壁を形成する段階と、前記ピクセル領域に対
応して前記隣接した二つのカソード分離壁間の前記第１
電極の一部上に有機電界発光層を形成する段階と、前記
表示領域上に、内部に光吸収層を有した第２電極を形成
する段階を含む有機電界発光素子の製造方法を提供して
いる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照しなが
ら本発明の構成及び作用を詳細に説明する。
ら本発明の構成及び作用を詳細に説明する。
【００１７】図３は、本発明による有機電界発光素子の
構成を図示した斜視図である。図３に図示されたよう
に、ストライプ形状を有して、所定の間隔で相互離隔さ
れている複数個のアノード電極１２０が透明基板１１０
上に形成されている。ここで、前記透明基板１１０は表
示領域“Ｄ”と非表示領域“ＮＤ”を有しており、前記
表示領域“Ｄ”は複数個のピクセル領域(１４１;図５Ｂ
参照)を有している。カソードリード電極１３０が前記
アノード電極１２０と直交する方向に非表示領域“Ｎ
Ｄ”上に形成されている。層間絶縁層１４０がピクセル
領域１４１を除いた残り領域上に形成されており、カソ
ードリード電極１３０の端部をオーバーラップしてい
る。前記層間絶縁膜は隣接した二つのアノード電極１２
０を絶縁させて、前記ピクセル領域１４１を定義（規
定）する役割をし、前記カソードリード電極１３０の一
部にコンタクトホールを有している。カソード分離壁１
５０が前記アノード電極１２０と直交する方向にピクセ
ル領域１４１でない層間絶縁膜１４０の一部上に形成さ
れている。前記カソード分離壁は逆はしご模型の断面を
有している。ここで、前記層間絶縁膜１４０と前記カソ
ード分離壁１５０とは望ましくはＳｉＮｘまたはＳｉＯ
ｘで作られる。有機電界発光層(図示せず）がピクセル
領域１４１に対応するアノード電極１２０の一部上に形
成されている。前記有機電界発光層は正孔輸送層、発光
層、及び電子輸送層を含んでいる。第１カソード電極
(図示せず)と第２カソード電極１７３とがその間に光吸
収層(図示せず)を有して前記有機電界発光層上に形成さ
れている。前記第１カソード電極は周辺光の一部を通過
させる程に厚い厚さ(例えば、１００Å以下)を有してい
る反面、前記第２カソード電極は相対的に薄い厚さを有
している。前記第１及び第２カソード電極は望ましくは
Ａｌ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｃａ、Ｂａ中の一つで作られ、前記
コンタクトホール１４３を通して前記カソードリード電
極１３０と電気的に連結されている。前記光吸収層は望
ましくはカーボン(ｃａｒｂｏｎ)、無機物または有機物
で作られて、前記第１カソード電極を通過する周辺光を
吸収する役割をする。したがって、周辺光の反射効果を
防止できる。その結果、有機電界発光素子の対照比(ｃ
ｏｎｔｒａｓｔ ｒａｔｉｏ)と輝度とが向上できる。
構成を図示した斜視図である。図３に図示されたよう
に、ストライプ形状を有して、所定の間隔で相互離隔さ
れている複数個のアノード電極１２０が透明基板１１０
上に形成されている。ここで、前記透明基板１１０は表
示領域“Ｄ”と非表示領域“ＮＤ”を有しており、前記
表示領域“Ｄ”は複数個のピクセル領域(１４１;図５Ｂ
参照)を有している。カソードリード電極１３０が前記
アノード電極１２０と直交する方向に非表示領域“Ｎ
Ｄ”上に形成されている。層間絶縁層１４０がピクセル
領域１４１を除いた残り領域上に形成されており、カソ
ードリード電極１３０の端部をオーバーラップしてい
る。前記層間絶縁膜は隣接した二つのアノード電極１２
０を絶縁させて、前記ピクセル領域１４１を定義（規
定）する役割をし、前記カソードリード電極１３０の一
部にコンタクトホールを有している。カソード分離壁１
５０が前記アノード電極１２０と直交する方向にピクセ
ル領域１４１でない層間絶縁膜１４０の一部上に形成さ
れている。前記カソード分離壁は逆はしご模型の断面を
有している。ここで、前記層間絶縁膜１４０と前記カソ
ード分離壁１５０とは望ましくはＳｉＮｘまたはＳｉＯ
ｘで作られる。有機電界発光層(図示せず）がピクセル
領域１４１に対応するアノード電極１２０の一部上に形
成されている。前記有機電界発光層は正孔輸送層、発光
層、及び電子輸送層を含んでいる。第１カソード電極
(図示せず)と第２カソード電極１７３とがその間に光吸
収層(図示せず)を有して前記有機電界発光層上に形成さ
れている。前記第１カソード電極は周辺光の一部を通過
させる程に厚い厚さ(例えば、１００Å以下)を有してい
る反面、前記第２カソード電極は相対的に薄い厚さを有
している。前記第１及び第２カソード電極は望ましくは
Ａｌ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｃａ、Ｂａ中の一つで作られ、前記
コンタクトホール１４３を通して前記カソードリード電
極１３０と電気的に連結されている。前記光吸収層は望
ましくはカーボン(ｃａｒｂｏｎ)、無機物または有機物
で作られて、前記第１カソード電極を通過する周辺光を
吸収する役割をする。したがって、周辺光の反射効果を
防止できる。その結果、有機電界発光素子の対照比(ｃ
ｏｎｔｒａｓｔ ｒａｔｉｏ)と輝度とが向上できる。
【００１８】以下、本発明の望ましい実施例による有機
電界発光素子の製造方法を図４Ａないし図４Ｆと、図５
Ａないし図５Ｆを参照して詳細に説明する。図４Ａない
し図４Ｆと、図５Ａないし図５Ｆは図３のＩＶ−ＩＶラ
インと、Ｖ−Ｖラインを沿って各々切断された断面図と
して、本発明による有機電界発光素子の製造工程を示し
ている。
電界発光素子の製造方法を図４Ａないし図４Ｆと、図５
Ａないし図５Ｆを参照して詳細に説明する。図４Ａない
し図４Ｆと、図５Ａないし図５Ｆは図３のＩＶ−ＩＶラ
インと、Ｖ−Ｖラインを沿って各々切断された断面図と
して、本発明による有機電界発光素子の製造工程を示し
ている。
【００１９】まず、図４Ａ及び図５Ａに図示されたよう
に、第１電極層が前記基板に形成されて前記アノード電
極１２０と前記カソードリード電極１３０にパターンさ
れる。望ましくは前記アノード電極とカソードリード電
極とはインジウムスズ酸化物(ＩＴＯ)で作られる。
に、第１電極層が前記基板に形成されて前記アノード電
極１２０と前記カソードリード電極１３０にパターンさ
れる。望ましくは前記アノード電極とカソードリード電
極とはインジウムスズ酸化物(ＩＴＯ)で作られる。
【００２０】図４Ｂ及び図５Ｂに図示されたように、絶
縁物質層が形成されて層間絶縁膜１４０にパターンされ
る。前記ピクセル電極１４１に対応する前記アノード電
極１２０の一部が露出されて、前記層間絶縁膜１４０は
前記アノード電極１２０の端部をオーバーラップしてお
り、前記カソードリード電極１３０の一部上に形成され
た前記コンタクトホール１４３を含んでいる。その後、
カソード分離壁１５０が、図５Ｂに図示されたように、
前記アノード電極１２０と直交する方向に前記層間絶縁
膜１４０上に形成される。前記層間絶縁膜１４０と前記
カソード分離壁１５０は望ましくはフォトレジスト、Ｓ
ｉＮｘ、またはＳｉＯｘで作られる。前記カソード分離
壁が従来のフォトリソグラフィ工程によって予め形成さ
れるため、パターンされたカソードを蒸着するために微
細なシャドウマスクが必要としなく、隣接した二つのカ
ソード間の短絡を防止できる。
縁物質層が形成されて層間絶縁膜１４０にパターンされ
る。前記ピクセル電極１４１に対応する前記アノード電
極１２０の一部が露出されて、前記層間絶縁膜１４０は
前記アノード電極１２０の端部をオーバーラップしてお
り、前記カソードリード電極１３０の一部上に形成され
た前記コンタクトホール１４３を含んでいる。その後、
カソード分離壁１５０が、図５Ｂに図示されたように、
前記アノード電極１２０と直交する方向に前記層間絶縁
膜１４０上に形成される。前記層間絶縁膜１４０と前記
カソード分離壁１５０は望ましくはフォトレジスト、Ｓ
ｉＮｘ、またはＳｉＯｘで作られる。前記カソード分離
壁が従来のフォトリソグラフィ工程によって予め形成さ
れるため、パターンされたカソードを蒸着するために微
細なシャドウマスクが必要としなく、隣接した二つのカ
ソード間の短絡を防止できる。
【００２１】引続き、図４Ｃ及び図５Ｃに図示されたよ
うに、有機電界発光層１６０が、前記層間絶縁膜１４０
を覆いながら、前記カソード分離壁１５０間表示領域
“Ｄ”の一部上に形成される。
うに、有機電界発光層１６０が、前記層間絶縁膜１４０
を覆いながら、前記カソード分離壁１５０間表示領域
“Ｄ”の一部上に形成される。
【００２２】その後、図４Ｄ及び図５Ｄに図示されたよ
うに、前記第１カソード電極１７１が、前記コンタクト
ホール１４３を通して前記カソードリード電極１３０と
連結されるように前記有機電界発光層１６０上に形成さ
れる。前記第１カソード電極１７１は周辺光の一部のみ
を通過させるのに十分に厚い厚さを有しており、望まし
くは１００Å以下の厚さを有している。
うに、前記第１カソード電極１７１が、前記コンタクト
ホール１４３を通して前記カソードリード電極１３０と
連結されるように前記有機電界発光層１６０上に形成さ
れる。前記第１カソード電極１７１は周辺光の一部のみ
を通過させるのに十分に厚い厚さを有しており、望まし
くは１００Å以下の厚さを有している。
【００２３】次に、図４Ｅ及び図５Ｅに図示されたよう
に、光吸収層１８０が前記コンタクトホール１４３の一
部を除いた前記有機電界発光層１６０に対応する前記第
１カソード電極１７１の一部上に形成される。前記光吸
収層１８０は可視光線を吸収できる物質で作られ、望ま
しくは周辺光を吸収するカーボン(Ｃａｒｂｏｎ)、有機
物または無機物で作られる。したがって、周辺光がカソ
ード電極から反射することを防止できる。
に、光吸収層１８０が前記コンタクトホール１４３の一
部を除いた前記有機電界発光層１６０に対応する前記第
１カソード電極１７１の一部上に形成される。前記光吸
収層１８０は可視光線を吸収できる物質で作られ、望ま
しくは周辺光を吸収するカーボン(Ｃａｒｂｏｎ)、有機
物または無機物で作られる。したがって、周辺光がカソ
ード電極から反射することを防止できる。
【００２４】最後に、図４Ｆ及び５Ｆに図示されたよう
に、第２カソード電極１７３が前記コンタクトホール１
４３を覆っている前記第１カソード電極１７１上に形成
されており、前記光吸収層１８０は前記コンタクトホー
ル１４３に対応する部分を除いた前記第１カソード電極
１７１上に形成されている。前記第２カソード電極１７
３は前記第１カソード電極１７１より厚い厚さ(例え
ば、数百から数千Å)を有している。前記第１及び第２
カソード電極１７１及び１７３は望ましくはＡｌ、Ｍ
ｇ、Ａｇ、Ｂａ、またはＣａで作られる。したがって、
本発明の望ましい実施例による有機電界発光素子の大部
分の構成要素が完成される。
に、第２カソード電極１７３が前記コンタクトホール１
４３を覆っている前記第１カソード電極１７１上に形成
されており、前記光吸収層１８０は前記コンタクトホー
ル１４３に対応する部分を除いた前記第１カソード電極
１７１上に形成されている。前記第２カソード電極１７
３は前記第１カソード電極１７１より厚い厚さ(例え
ば、数百から数千Å)を有している。前記第１及び第２
カソード電極１７１及び１７３は望ましくはＡｌ、Ｍ
ｇ、Ａｇ、Ｂａ、またはＣａで作られる。したがって、
本発明の望ましい実施例による有機電界発光素子の大部
分の構成要素が完成される。
【００２５】
【発明の効果】上述したように、周辺光が厚い第１カソ
ード電極層１７１を通して部分的に通過して、引続き光
吸収層によって吸収されるために対照比が増加して、輝
度が高まる。
ード電極層１７１を通して部分的に通過して、引続き光
吸収層によって吸収されるために対照比が増加して、輝
度が高まる。
【図１】 従来の有機電界発光素子の断面を図示した図
である。
である。
【図２】 従来の有機電界発光素子の変形例を図示した
図である。
図である。
【図３】 本発明による有機電界発光素子の構成を図示
した斜視図である。
した斜視図である。
【図４】 （Ａ）本発明の望ましい実施形態による有機
電界発光素子の製造方法を説明するための図であって、
第１の段階を示す図３のＩＶ−ＩＶラインによって切断
された断面図である。（Ｂ）（Ａ）の段階の次の段階を
示す断面図である。（Ｃ）（Ｂ）の段階の次の段階を示
す断面図である。（Ｄ）（Ｃ）の段階の次の段階を示す
断面図である。（Ｅ）（Ｄ）の段階の次の段階を示す断
面図である。（Ｆ）（Ｅ）の段階の次の段階を示す断面
図である。
電界発光素子の製造方法を説明するための図であって、
第１の段階を示す図３のＩＶ−ＩＶラインによって切断
された断面図である。（Ｂ）（Ａ）の段階の次の段階を
示す断面図である。（Ｃ）（Ｂ）の段階の次の段階を示
す断面図である。（Ｄ）（Ｃ）の段階の次の段階を示す
断面図である。（Ｅ）（Ｄ）の段階の次の段階を示す断
面図である。（Ｆ）（Ｅ）の段階の次の段階を示す断面
図である。
【図５】 （Ａ）本発明の望ましい実施形態による有機
電界発光素子の製造方法を説明するための図であって、
第１の段階を示す図３のＶ−Ｖラインによって切断され
た断面図である。（Ｂ）（Ａ）の段階の次の段階を示す
断面図である。（Ｃ）（Ｂ）の段階の次の段階を示す断
面図である。（Ｄ）（Ｃ）の段階の次の段階を示す断面
図である。（Ｅ）（Ｄ）の段階の次の段階を示す断面図
である。（Ｆ）（Ｅ）の段階の次の段階を示す断面図で
ある。
電界発光素子の製造方法を説明するための図であって、
第１の段階を示す図３のＶ−Ｖラインによって切断され
た断面図である。（Ｂ）（Ａ）の段階の次の段階を示す
断面図である。（Ｃ）（Ｂ）の段階の次の段階を示す断
面図である。（Ｄ）（Ｃ）の段階の次の段階を示す断面
図である。（Ｅ）（Ｄ）の段階の次の段階を示す断面図
である。（Ｆ）（Ｅ）の段階の次の段階を示す断面図で
ある。
１１０ 透明基板 １２０ アノード電極 １３０ カソードリード電極 １４０ 層間絶縁層 １４１ ピクセル領域 １４３ コンタクトホール １５０ カソード分離壁 １６０ 有機電界発光層 １７１、１７３ 第1、２カソード電極 １８０ 光吸収層
【手続補正書】
【提出日】平成１３年８月１７日（２００１．８．１
７）
７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年８月２０日（２００１．８．２
０）
０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 33/26 33/26 Ｚ Ｆターム(参考） 3K007 AB17 AB18 BA06 CB01 CC02 DA01 DB03 EA00 EB00 FA01 FA02 5C094 AA06 AA25 AA31 AA43 AA48 BA27 CA19 DA13 DB02 DB04 EA04 EA05 EA10 EB02 EC10 ED15 FA01 FA02 FB02 FB12 FB15 GB10 JA08
Claims (20)
- 【請求項１】 ピクセル領域を有した表示領域と非表示
領域を有した透明基板と、 前記透明基板の表示領域に形成されていて相互離隔され
た第１電極と、 前記ピクセル領域に対応する前記第１電極の一部を除い
た前記表示領域の一部上に形成された層間絶縁膜と、 前記第１電極と直交する方向に前記層間絶縁膜上に形成
されたカソード分離壁と、 前記ピクセル領域に対応して前記二つの隣接するカソー
ド分離壁間の前記第１電極の一部上に形成された有機電
界発光層と、 内部に光吸収層を有しており、前記表示領域上に形成さ
れた第２電極を含むことを特徴とする有機電界発光素
子。 - 【請求項２】 前記第２電極は、前記光吸収層をその間
に有している第１及び第２層を有したことを特徴とする
請求項１に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項３】 前記第２電極の前記第１層は、前記有機
電界発光層に隣接してあって、周辺光の一部を通過させ
るのに十分に厚い厚さを有したことを特徴とする請求項
２に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項４】 前記第２電極の前記第１層は、厚さが１
００Å以下であることを特徴とする請求項３に記載の有
機電界発光素子。 - 【請求項５】 前記第２電極層は、前記第１電極より厚
いことを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素
子。 - 【請求項６】 前記光吸収層は、前記ピクセル領域に対
応する位置に形成されたことを特徴とする請求項１に記
載の有機電界発光素子。 - 【請求項７】 前記光吸収層は、周辺光を吸収する物質
で作られたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界
発光素子。 - 【請求項８】 前記光吸収層は、カーボン、無機材料、
有機材料中いずれか一つでなったことを特徴とする請求
項１に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項９】 前記基板の非表示領域上に形成されてお
り、前記第２電極と電気的に接続されたカソードリード
電極をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有
機電界発光素子。 - 【請求項１０】 前記層間絶縁膜は、コンタクトホール
を有しており、前記カソードリード電極は前記コンタク
トホールを通して前記第２電極と電気的に連結されたこ
とを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項１１】 前記第１電極は、インジウムスズオキ
サイド(ＩＴＯ)で作られたことを特徴とする請求項１に
記載の有機電界発光素子。 - 【請求項１２】 前記第２電極は、Ａｌ、Ｌｉ、Ｉｎ、
Ｍｇ、Ａｇ、ＣａまたはＢａで作られたことを特徴とす
る請求項１に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項１３】 ピクセル領域を有した表示領域と非表
示領域とに分けた透明基板を準備する段階と、 相互離隔されるように前記透明基板上に第１電極を形成
する段階と、 前記ピクセル領域に対応する前記第１電極の一部を除い
た前記表示領域の一部上に層間絶縁膜を形成する段階
と、 前記第１電極と直交する方向に前記層間絶縁膜上にオー
バーハング模型のカソード分離壁を形成する段階と、 前記ピクセル領域に対応して前記隣接した二つのカソー
ド分離壁間の前記第1電極の一部上に有機電界発光層を
形成する段階と、 前記表示領域上に、内部に光吸収層を有した第２電極を
形成する段階とを含む有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項１４】 前記第２電極は、前記光吸収層をその
間に有している第１及び第２層を有したことを特徴とす
る請求項１３に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項１５】 前記第２電極の前記第１層は、前記有
機電界発光層に隣接してあって、周辺光の一部を通過さ
せるのに十分に厚い厚さを有したことを特徴とする請求
項１３に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項１６】 前記第２電極の前記第１層は、厚さが
１００Å以下であることを特徴とする請求項１５に記載
の有機電界発光素子。 - 【請求項１７】 前記第２電極層は、前記第１電極より
厚いことを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光
素子。 - 【請求項１８】 前記光吸収層は、前記ピクセル領域に
対応する位置に形成されたことを特徴とする請求項１３
に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項１９】 前記光吸収層は、周辺光を吸収する物
質で作られたことを特徴とする請求項１３に記載の有機
電界発光素子。 - 【請求項２０】 前記光吸収層は、カーボン、無機材
料、有機材料中いずれか一つでなったことを特徴とする
請求項１９に記載の有機電界発光素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0060524A KR100388271B1 (ko) | 2000-10-14 | 2000-10-14 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR200060524 | 2000-10-14 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002151275A true JP2002151275A (ja) | 2002-05-24 |
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ID=19693522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001151551A Pending JP2002151275A (ja) | 2000-10-14 | 2001-05-21 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
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|---|---|
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- 2001-05-21 JP JP2001151551A patent/JP2002151275A/ja active Pending
- 2001-10-05 US US09/970,993 patent/US6781293B2/en not_active Expired - Fee Related
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