JP2002141630A - 回路基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】金属箔の一部が前記絶縁層のコア層に接するま
で埋め込み、導電性ペ−ストの部分を選択的に圧縮で
き、安定した層間接続を可能とする回路基板を提供す
る。 【解決手段】絶縁体層101が有機樹脂と、前記有機樹脂
よりも熱膨張係数の小さい材料を含む複合材料であり、
前記有機樹脂の構成比が高い表面部分105と、前記有機
樹脂の構成比が低いコア部分106とが、表面部分105／コ
ア部分106／表面部分105の順に形成されており、前記配
線層の前記インナービア導電体102と接続しているラン
ド部分103は、前記コア部分106とほぼ接するまで埋設さ
れており、前記インナービア導電体102の厚みは、前記
コア部分106の厚みと略同一である回路基板とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、接続信頼性に優
れ、かつ、配線パターンの接着強度に優れた回路基板お
よびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型・軽量化、高機能
・高性能化に伴い、産業用にとどまらず、広く民生用機
器の分野においても、ＬＳＩ等の半導体チップを高密度
に実装することのできる多層回路基板を安価に供給する
ことが強く要望されている。

【０００３】このような市場の要望に対しては、従来の
セラミック多層基板の代わりに、より安価に供給するこ
とが可能な樹脂多層回路基板を、高密度実装に好適な基
板にする技術開発が行われている。

【０００４】このような回路基板としては、例えば、全
層インナービアホール構造の回路基板が提案されている
（特開平６−２６８３４５号公報）。この回路基板は、
絶縁体層にアラミド不織布補強材とエポキシ樹脂との複
合材料を用いた樹脂多層基板であるため、比較的安価に
供給することが可能である。また、任意の配線層の任意
の位置を導電ペーストによって接続することができるイ
ンナービア接続法、すなわち全層インナービアホール構
造を採用しているため、高密度実装に好適なものであ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような回路基板で
は、インナービアの接続信頼性の確保が重要であるが、
インナービアの接続信頼性に関しては、以下のような課
題があった。

【０００６】すなわち、インナービアは、絶縁体層とは
構成材料が異なるために当然その物性値（熱膨張係数、
湿度膨張係数など）が異なり、特に、比較的大きな熱膨
張係数を有する絶縁体層の有機樹脂材料と比較的小さな
熱膨張係数を有する金属を主構成材料とするインナービ
ア材料とのミスマッチのために、「温度サイクルによ
り、インナービア材料の内部に厚み方向の引っ張り応力
が発生し、過度のストレスが付加された場合には、イン
ナービアの破壊を招き、接続信頼性が劣化してしまう」
という課題があった。

【０００７】このような課題に対しては、絶縁体層とイ
ンナービアに使用する構成材料の物性値の差を小さくす
ることにより、インナービアの破壊を起こさせないよう
にすることが対策として考えられる。つまり、絶縁体層
の樹脂にシリカなどの無機フィラーを充填し、絶縁体層
の樹脂分を少なくして、熱膨張係数を小さくするという
ものである。

【０００８】しかし、絶縁体層の樹脂は、配線層と絶縁
体層を強固に接着する役目を担っており、絶縁体層の表
層部分の樹脂分が少なくなって接着力が小さくなれば、
配線層が剥離したり、部品実装面で実装された部品がパ
ッドもろとも剥離してしまうなどの弊害が生じてしま
い、十分な解決策とはなり得ない。

【０００９】本発明は、従来技術における前記課題を解
決するためになされたものであり、配線層と絶縁体層が
十分な接着強度を有し、かつ、優れたインナービア接続
信頼性を実現することのできる回路基板およびその製造
方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の回路基板は、二層以上の配線層と、前記配
線層間を電気的に絶縁するための絶縁体層と、前記絶縁
体層の厚さ方向に形成され、かつ前記配線層同士を電気
的に接続するためのインナービア導電体を備え、前記絶
縁体層は、有機樹脂と、前記有機樹脂よりも熱膨張係数
の小さい材料を含む複合材料であり、前記有機樹脂の構
成比が高い表面部分と、前記有機樹脂の構成比が低いコ
ア部分とが、表面部分／コア部分／表面部分の順に形成
されており、前記配線層の前記インナービア導電体と接
続しているランド部分は、前記コア部分とほぼ接するま
で埋設されており、前記インナービア導電体の厚みは、
前記コア部分の厚みと略同一であるという構成からな
る。

【００１１】次に本発明の第１番目の回路基板の製造方
法は、二層以上の配線層と、前記配線層間を電気的に絶
縁するための絶縁体層と、前記絶縁体層の厚さ方向に形
成され、かつ前記配線層同士を電気的に接続するための
インナービア導電体を備えた回路基板の製造方法であっ
て、前記絶縁体層は、有機樹脂と、前記有機樹脂よりも
熱膨張係数の小さい材料を含む複合材料であり、前記有
機樹脂の構成比が高い表面部分と、前記有機樹脂の構成
比が低いコア部分とが、表面部分／コア部分／表面部分
の順に形成されており、前記絶縁体層の厚さ方向にイン
ナービアホールを開けて導電性ペーストを充填し、前記
絶縁体層の両側に金属箔を配置する際、前記導電性ペー
スト充填部に合致するように所定の部分に凸部を設けた
金属箔を配置し、前記金属箔の外側から熱プレスで加熱
加圧し、前記金属箔の凸部を前記絶縁体層のコア部分と
ほぼ接するまで押し込み、前記インナービア導電体の厚
みを、前記コア部分の厚みと略同一とし、その後、前記
金属箔をエッチングして前記凸部をランド部分として残
す、ことを特徴とする。

【００１２】次に本発明の第２番目の回路基板の製造方
法は、二層以上の配線層と、前記配線層間を電気的に絶
縁するための絶縁体層と、前記絶縁体層の厚さ方向に形
成され、かつ前記配線層同士を電気的に接続するための
インナービア導電体を備えた回路基板の製造方法であっ
て、前記絶縁体層は、有機樹脂と、前記有機樹脂よりも
熱膨張係数の小さい材料を含む複合材料であり、前記有
機樹脂の構成比が高い表面部分と、前記有機樹脂の構成
比が低いコア部分とが、表面部分／コア部分／表面部分
の順に形成されており、前記絶縁体層の厚さ方向にイン
ナービアホールを開けて導電性ペーストを充填し、前記
絶縁体層の両側に、前記導電性ペースト充填部に合致す
るように、所定の部分に金属箔をパターニングした転写
基材を配置し、前記転写基材の外側から熱プレスで加熱
加圧し、前記金属箔を前記絶縁体層のコア部分とほぼ接
するまで押し込み、前記インナービア導電体の厚みを、
前記コア部分の厚みと略同一とする、ことを特徴とす
る。

【００１３】前記において、インナービア導電体の厚み
は、前記コア部分の厚みと略同一とは、インナービア導
電体の厚みはコア部分の厚みと同一若しくは１０％を越
えて厚くはないこと、又は、コアの厚みより５μｍを越
えて厚くはないことを意味する。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の回路基板の構成において
は、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料が無機
繊維の織布であるのが好ましい。この好ましい例によれ
ば、十分な接着強度と優れたインナービア接続信頼性に
加えて、回路基板全体の剛性を高め、機械的強度に優れ
た回路基板を実現することができる。また、この場合に
は、前記織布がガラス織布であるのが好ましい。

【００１５】また、前記本発明の回路基板の構成におい
ては、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料が無
機繊維の不織布であるのが好ましい。この好ましい例に
よれば、十分な接着強度と優れたインナービア接続信頼
性に加えて、機械的強度に優れた回路基板を安価に実現
することができる。また、この場合には、前記不織布が
ガラス不織布であるのが好ましい。

【００１６】また、前記本発明の回路基板の構成におい
ては、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料が有
機フィルムであるのが好ましい。この好ましい例によれ
ば、十分な接着強度と優れたインナービア接続信頼性に
加えて、容易に均一な厚みの絶縁体層を得ることがで
き、インピーダンスコントロールの容易な回路基板を実
現することができる。また、この場合には、前記有機フ
ィルムが、ポリイミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテ
ン）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、アラ
ミド、ＰＢＯ（ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾ
ール）及び全芳香族ポリエステルからなる群から選ばれ
る少なくとも１種の有機フィルムであるのが好ましい。

【００１７】また、前記本発明の回路基板の構成におい
ては、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料が無
機フィラーであるのが好ましい。この好ましい例によれ
ば、十分な接着強度と優れたインナービア接続信頼性に
加えて、無機フィラーの種類と構成比を選ぶことによっ
て熱伝導性などの性質を付与した回路基板を容易に実現
することができる。また、この場合には、前記無機フィ
ラーが、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム（アル
ミナ）、二酸化珪素（シリカ）及び窒化珪素からなる群
から選ばれる少なくとも１種の無機フィラーであるのが
好ましい。

【００１８】また、前記本発明の回路基板の構成におい
ては、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料が多
孔質体であるのが好ましい。この好ましい例によれば、
十分な接着強度と優れたインナービア接続信頼性に加え
て、回路基板全体の剛性を高め、機械的強度に優れた回
路基板を実現することができる。また、この場合には、
有機樹脂からなる前記多孔質体に、無機フィラーと有機
樹脂の組成物とを含浸して前記コア部分が構成されてい
るのが好ましい。この場合にはさらに、前記有機樹脂か
らなる前記多孔質体が、フッ素樹脂からなる多孔質体で
あり、前記無機フィラーが、水酸化アルミニウム、酸化
アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）及び
窒化珪素からなる群から選ばれる少なくとも１種の無機
フィラーであるのが好ましい。フッ素樹脂は、誘電率が
低く高周波回路に好適である。

【００１９】また、前記本発明の回路基板の構成におい
ては、前記有機樹脂が、エポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂、シアネートエステル樹脂、フェノールレゾール樹
脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ＰＰＥ（ポリフェニレ
ンエーテル）樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂及び
フッ素樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種の有
機樹脂であるのが好ましい。また、この場合には、前記
有機樹脂に、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム
（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）及び窒化珪素から
なる群から選ばれる少なくとも１種の無機フィラーを含
有させるのが好ましい。

【００２０】また、前記本発明の回路基板の構成におい
ては、前記インナービアが、導電性フィラーと有機樹脂
との複合材料からなるのが好ましい。また、この場合に
は、前記導電性フィラーが、金、銀、銅、ニッケル、パ
ラジウム、鉛、錫、インジウム及びビスマスからなる群
から選ばれる少なくとも１種の金属、あるいはこれらの
合金、又は混合物からなるフィラーであるのが好まし
い。

【００２１】以下、実施の形態を用いて本発明をさらに
具体的に説明する。

【００２２】図１は本発明の回路基板（両面回路基板）
を示す断面模式図である。図１に示すように、本発明の
回路基板は、絶縁体層１０１と、絶縁体層１０１中に形
成され、金属を主成分とするインナービア１０２と、絶
縁体層１０１に埋設されたランド１０３とにより構成さ
れている。ここで、絶縁体層１０１は、有機樹脂からな
る表面部分１０５とコア部分１０６とからなり、ランド
１０３のインナービア１０２に面した面１０４は、表面
部分１０５とコア部分１０６の界面と略同一面にある。
また、インナービア１０２の厚みは、コア部分１０６の
厚みと略同一となっている。前記コア部分の厚みは５〜
２００μｍの範囲が好ましい。また前記コア部分の樹脂
含有率は０〜５０重量％の範囲が好ましい。

【００２３】絶縁体層１０１の表面部分１０５は、有機
樹脂層により構成され、ランド１０３を保持・接着する
役目を担っている。この有機樹脂層の厚さは、２〜５０
μｍの範囲が好ましい。尚、有機樹脂に例えば無機フィ
ラーが分散したり、コア部分１０６の熱膨張係数の小さ
な材料が混入していても、十分な接着強度を発現するこ
とができれば、本発明の回路基板の表面部分とすること
ができる。

【００２４】図１において、インナービア１０２（導電
体）が充填されている貫通孔は、断面から見て上側が広
いテーパー状であり、広い方から導電体ペーストが充填
されている。上側の広い開口部から導電体ペーストを充
填すれば、充填しやすい。図１のような上側が広い開口
部を形成するには、例えばコア部分１０６が樹脂含浸ガ
ラスクロスである場合、波長９．４μｍまたは１０．６
μｍの炭酸ガスレーザーを用いて、１から３ショット照
射することにより形成できる。

【００２５】次に、本発明の回路基板で用いることがで
きる有機樹脂、配線層とインナービアの構成材料につい
て説明する。 （ａ）有機樹脂 本発明の有機樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド
樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノールレゾール樹
脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ＰＰＥ（ポリフェニレ
ンエーテル）樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、フ
ッ素樹脂等の熱可塑性又は熱硬化性の有機樹脂を用いる
ことができる。また、これらの有機樹脂に水酸化アルミ
ニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素
（シリカ）、窒化珪素などの無機フィラーを含有させた
組成物も用いることができる。無機フィラーを含有させ
た樹脂組成物を用いる場合、無機フィラーの量は７０体
積％以下とするのが望ましい。無機フィラーが７０体積
％よりも大きくなると、樹脂組成物中の有機樹脂の量が
配線層を保持するには不十分となり、配線層と樹脂組成
物との接着力が極端に小さくなるからである。 （ｂ）インナービアの構成材料 本発明のインナービアは、導電性フィラーを含有する導
電性樹脂組成物によって構成することができる。

【００２６】導電性フィラーとしては、金、銀、銅、ニ
ッケル、パラジウム、鉛、錫、インジウム、ビスマスか
ら選ばれる少なくとも１種の金属、あるいはこれらの合
金、又は混合物からなるフィラーを用いることができ
る。また、前記した金属・合金あるいはアルミナ、シリ
カなどの酸化物、あるいは有機合成樹脂などからなるボ
ールに前記した金属・合金をコートしたコートフィラー
を用いることもできる。

【００２７】形状は特に限定されるものではなく、粉
体、繊維状フィラー、粉体の造粒体、球状ボールあるい
はこれらの混合物などを用いることができる。

【００２８】樹脂組成物のバインダーに用いる樹脂とし
ては、液状のエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネー
トエステル樹脂、フェノールレゾール樹脂などを用いる
ことができる。エポキシ樹脂としては、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、
ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂等のグリシジルエー
テル型のエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジ
ルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキ
シ樹脂等のエポキシ基を２つ以上含有するエポキシ樹脂
などを用いることができる。

【００２９】必要に応じて、ブチルセルソルブ、エチル
セルソルブ、ブチルカルビトール、エチルカルビトー
ル、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトー
ルアセテート、α−ターピネオール等の溶剤や分散剤な
どの添加剤を含有させることもできる。

【００３０】インナービアの構成材料は、導電性組成物
のみに限定されるものではない。例えば、めっき等の湿
式プロセスや、スパッタ蒸着などの真空プロセスによっ
て形成した金属ビアポストや、金属ボールを充填して
も、本発明の回路基板のインナービアとすることができ
る。 （ｃ）配線層 本発明の回路基板の配線層には、銅箔等の金属箔を用い
ることができる。絶縁体層１０１の表面部分１０５の厚
みよりも少なくとも厚い銅箔を用いれば、厚みに制限は
なく、通常の回路基板に用いられている３〜３５μｍの
ものを用いることができる。もちろんこれ以上厚い金属
箔も使用できる。前記金属箔を電気的絶縁層の表層に埋
め込む深さは、前記金属箔の厚さの５−５０％程度が好
ましい。

【００３１】金属箔には、支持基板（キャリア）に金属
箔を形成した、いわゆるキャリア付き金属箔を用いるこ
とができる。キャリア付き金属箔の例としては、アルミ
キャリアに離型層を介して銅箔が積層されたものなどが
市販されている。本発明の実施の形態に用いる場合に
は、銅箔を塩化鉄水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液な
どでエッチングにより予めパターニングして、配線パタ
ーンを絶縁体層１０１に埋設するように積層した後、ア
ルミキャリアを塩酸などでエッチングして除去すること
ができる。キャリア付き金属箔を用いると、金属箔の厚
みを選ぶことによりランド１０３部分が絶縁体層１０１
の表面から突出しない構造とすることもできる。すなわ
ち、表層の樹脂層をぼぼ同一の厚みの金属箔を用いれ
ば、絶縁体層表面からランドが突出しない構造にするこ
とができ、表層の樹脂層よりも厚い金属箔を用いれば、
ランドを突出させることができる。

【００３２】このように、支持基板に形成した配線パタ
ーンを絶縁基材に転写して回路基板を作成する方法を転
写法と呼ぶ。また、キャリアに配線パターンを形成した
ものを転写形成材と呼ぶ。転写法に用いるキャリア付き
金属箔は、前記したアルミキャリアと金属箔の組み合わ
せに限定されず、例えば、樹脂基板（キャリア）に金属
箔を形成しても用いてもよい。キャリアはサンドブラス
トなどで除去できる。また、キャリアと配線パターン形
成用金属箔を接着シートで仮接着してキャリア付き金属
箔とすることもできる。例えば、接着シートとして熱に
より容易に接着力がなくなる”リバアルファ”（商品
名：日東電工社製）を用いれば、配線基板形成後に１５
０℃程度の加熱により、キャリアが容易に除去できる。

【００３３】また、配線層の別の形成方法としては、通
常の金属箔をハーフエッチングして配線パターンを形成
する方法（ハーフエッチング法）がある。以下に、金属
箔として銅箔を用いた場合を例に挙げて具体的に説明す
る。

【００３４】まず、銅箔の一方の面から約半分の厚みま
でを塩化鉄水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液などでエ
ッチングして配線パターンを形成する。次いで、配線パ
ターンを絶縁体層１０１に埋設するように積層した後、
残りの銅箔を塩化鉄水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液
などでエッチングによりパターン形成する。ハーフエッ
チング法を用いれば、ランド１０３部分が絶縁体層１０
１の表面から突出した構造とすることができる。従っ
て、ハーフエッチング法は、多層配線板を作製するのに
好適である。

【００３５】また、本発明の配線層は、めっきなどの湿
式プロセスやスパッタ蒸着などの真空プロセスによって
形成してもよい。

【００３６】（第１の実施の形態）図２は本発明の第１
の実施の形態における回路基板（両面回路基板）を示す
断面模式図である。図２に示すように、本実施の形態の
回路基板は、有機樹脂と無機繊維の織布（有機樹脂より
も熱膨張係数が小さい材料）とからなる絶縁体層２０１
と、絶縁体層２０１中に形成されたインナービア２０２
と、絶縁体層２０１に埋設されたランド２０３とにより
構成されている。ここで、絶縁体層２０１は、有機樹脂
を主成分とする（有機樹脂の構成比が高い）表面部分２
０５と無機繊維の織布を主成分とする（有機樹脂の構成
比が低い）コア部分２０６とからなり、ランド２０３の
インナービア２０２に面した面２０４は、表面部分２０
５とコア部分２０６の界面と略同一面にある。また、イ
ンナービア２０２の厚みは、コア部分２０６の厚みと略
同一となっている。

【００３７】次に、本実施の形態の回路基板を、絶縁体
層２０１にガラスエポキシ基材、インナービア２０２の
構成材料に銅とエポキシ樹脂の組成物、配線層に銅箔を
用いる場合を例に挙げて、さらに具体的に説明する。

【００３８】まず、図３Ａに示すように、プリプレグ状
態（半硬化状態）のガラスエポキシ基材（以下『ガラス
エポキシプリプレグ』という。コア層の厚み１００μ
ｍ、両表面の樹脂層の厚みはそれぞれ１０μｍ）２０８
の所望の位置に貫通孔を形成し、当該貫通孔に印刷法な
どによってペースト状の銅−エポキシ樹脂組成物２０９
を充填する。

【００３９】貫通孔は、通常の回路基板の孔あけ法によ
って形成することができる。孔あけ法としては、例え
ば、ドリルやパンチャーなどを用いた機械孔加工法、炭
酸ガスレーザー、エキシマレーザー、ＹＡＧレーザーな
どを用いたレーザー孔加工法等が挙げられる。この中で
も、図３Ａに示すようなテーパー状の孔をあけるには、
上側から波長９．４μｍまたは１０．６μｍの炭酸ガス
レーザーを用いて、１から３ショット照射する。

【００４０】次に、配線層を、上記したハーフエッチン
グ法によって形成する。まず、銅箔２１０の一方の面か
ら約半分の厚みまでを塩化鉄水溶液、過硫酸アンモニウ
ム水溶液などでエッチングして配線パターンを形成する
（図３Ｂ）。

【００４１】次いで、図３Ｂに示すように、ペースト状
の銅−エポキシ樹脂組成物２０９が充填されたガラスエ
ポキシプリプレグ２０８の両側に、配線パターンの形成
された部分がガラスエポキシプリプレグ２０８の側を向
くようにして銅箔２１０を重ね、熱プレスによって加熱
・加圧する。その条件は、例えば、加熱温度は１８０℃
〜２５０℃、圧力は３０〜２００kgf/cm²、加熱時間は
０．５〜２時間である。

【００４２】この工程において、熱硬化性樹脂であるエ
ポキシ樹脂の硬化と、ガラスエポキシプリプレグ２０８
と配線パターンとの接着が図れる。エポキシ樹脂が硬化
した後のガラスエポキシプリプレグ２０８であるガラス
エポキシ基材が絶縁体層である。また、この工程におい
て、銅箔２１０が、配線パターンが形成された側の表面
がエポキシ樹脂の構成比が高い絶縁体層の表面部分とガ
ラス織布の構成比が高い（エポキシ樹脂の構成比が低
い）絶縁体層のコア部分の界面と略同一になるように絶
縁体層に埋め込まれ、インナービア２０９による配線層
間の電気導通が図られる（図２）。

【００４３】次に、図３Ｃに示すように、銅箔２１０の
外側表面部分に配線パターンを形成して、ランド２１１
を構成する。以上により、両面回路基板２１２（図３
Ｄ）が完成する。

【００４４】多層回路基板は、以下のようにして作製す
ることができる。

【００４５】すなわち、図３Ｄ−図３Ｅに示すように、
上記した両面回路基板２１２の両側に、ペースト状の銅
−エポキシ樹脂組成物が充填されたガラスエポキシプリ
プレグ２１３を重ね、さらにその外側にハーフエッチン
グによって配線パターが形成された銅箔２１４を重ね、
熱プレス等によって加熱・加圧した後、最表面の銅箔２
１４をパターニングして作製する。

【００４６】尚、本実施の形態の絶縁体層は、ガラスエ
ポキシ基材に限定されるものではなく、有機樹脂と無機
繊維の織布とにより構成される複合材料であればよい。
前記有機樹脂を主成分とする表面部分と前記織布を主成
分とするコア部分は、表面部分／コア部分／表面部分の
順に積層された構成となっている複合材料を用いること
ができる。

【００４７】織布としては、ガラス繊維等の無機繊維か
らなる織布を用いることができる。

【００４８】また、有機樹脂に熱可塑性樹脂を用いる場
合には、熱プレス工程で熱可塑性樹脂の軟化を図り、所
望の形状・状態にインナービア、絶縁体層、配線パター
ンを成形することにより、本実施の形態の回路基板が得
られる。

【００４９】（第２の実施の形態）図４は本発明の第２
の実施の形態における回路基板（両面回路基板）を示す
断面模式図である。図４に示すように、本実施の形態の
回路基板は、有機樹脂と無機繊維の不織布（有機樹脂よ
りも熱膨張係数が小さい材料）とからなる絶縁体層３０
１と、絶縁体層３０１中に形成されたインナービア３０
２と、絶縁体層３０１に埋設されたランド３０３とによ
り構成されている。ここで、絶縁体層３０１は、有機樹
脂を主成分とする（有機樹脂の構成比が高い）表面部分
３０５と無機繊維の不織布を主成分とする（有機樹脂の
構成比が低い）コア部分３０６とからなり、ランド３０
３のインナービア３０２に面した面３０４は、表面部分
３０５とコア部分３０６の界面と略同一面にある。ま
た、インナービア３０２の厚みは、コア部分３０６の厚
みと略同一となっている。

【００５０】本実施の形態の回路基板は、絶縁体層が有
機樹脂と無機繊維の不織布とにより構成される複合材料
であって、前記有機樹脂を主成分とする表面部分と前記
不織布を主成分とするコア部分が表面部分／コア部分／
表面部分の順に積層された構成となっている複合材料を
用いる以外は、上記第１の実施の形態と同様にして作製
することができる。

【００５１】不織布としては、ガラス繊維等の無機繊維
からなる不織布を用いることができる。

【００５２】（第３の実施の形態）図５は本発明の第３
の実施の形態における回路基板（両面回路基板）を示す
断面模式図である。図５に示すように、本実施の形態の
回路基板は、有機樹脂と有機フィルム（有機樹脂よりも
熱膨張係数が小さい材料）とからなる絶縁体層４０１
と、絶縁体層４０１中に形成されたインナービア４０２
と、絶縁体層４０１に埋設されたランド４０３とにより
構成されている。ここで、絶縁体層４０１は、有機樹脂
を主成分とする（有機樹脂の構成比が高い）表面部分４
０５と有機フィルムを主成分とする（有機樹脂の構成比
が低い）コア部分４０６とからなり、ランド４０３のイ
ンナービア４０２に面した面４０４は、表面部分４０５
とコア部分４０６の界面と略同一面にある。また、イン
ナービア４０２の厚みは、コア部分４０６の厚みと略同
一となっている。

【００５３】本実施の形態の回路基板は、絶縁体層が有
機樹脂と有機フィルムとにより構成される複合材料であ
って、前記有機樹脂を主成分とする表面部分と前記有機
フィルムを主成分とするコア部分が表面部分／コア部分
／表面部分の順に積層された構成となっている複合材料
を用いる以外は、上記第１の実施の形態と同様にして作
製することができる。

【００５４】コア層に用いる有機フィルムとしては、ポ
リイミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、ＰＴＦＥ
（ポリテトラフルオロエチレン）、アラミド、ＰＢＯ
（ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール）又は全
芳香族ポリエステルなどのような合成樹脂から作製され
た有機物シート又はフィルム、あるいは、セラミックな
どの無機絶縁材料のフィルム又はシートなどを用いるこ
とができる。両層に形成する樹脂層はエポキシ樹脂やポ
リイミド樹脂などを使用することができる。

【００５５】（第４の実施の形態）図６は本発明の第４
の実施の形態における回路基板（両面回路基板）を示す
断面模式図である。図６に示すように、本実施の形態の
回路基板は、有機樹脂と無機フィラー（有機樹脂よりも
熱膨張係数が小さい材料）とからなる絶縁体層５０１
と、絶縁体層５０１中に形成されたインナービア５０２
と、絶縁体層５０１に埋設されたランド５０３とにより
構成されている。ここで、絶縁体層５０１は、有機樹脂
を主成分とする（有機樹脂の構成比が高い）表面部分５
０５と無機フィラーを主成分とする（有機樹脂の構成比
が低い）コア部分５０６とからなり、ランド５０３のイ
ンナービア５０２に面した面５０４は、表面部分５０５
とコア部分５０６の界面と略同一面にある。また、イン
ナービア５０２の厚みは、コア部分５０６の厚みと略同
一となっている。

【００５６】本実施の形態の回路基板は、絶縁体層が有
機樹脂と無機フィラーとにより構成される複合材料であ
って、前記有機樹脂を主成分とする表面部分と前記無機
フィラーを主成分とするコア部分が表面部分／コア部分
／表面部分の順に積層された構成となっている複合材料
を用いる以外は、上記第１の実施の形態と同様にして作
製することができる。

【００５７】無機フィラーとしては、水酸化アルミニウ
ム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリ
カ）、窒化珪素などを用いることができる。

【００５８】（第５の実施の形態）図７は本発明の第５
の実施の形態における回路基板（両面回路基板）を示す
断面模式図である。図７に示すように、本実施の形態の
回路基板は、有機樹脂と多孔質体（有機樹脂よりも熱膨
張係数が小さい材料）とからなる絶縁体層６０１と、絶
縁体層６０１中に形成されたインナービア６０２と、絶
縁体層６０１に埋設されたランド６０３とにより構成さ
れている。ここで、絶縁体層６０１は、有機樹脂を主成
分とする（有機樹脂の構成比が高い）表面部分６０５と
多孔質体を主成分とする（有機樹脂の構成比が低い）コ
ア部分６０６とからなり、ランド６０３のインナービア
６０２に面した面６０４は、表面部分６０５とコア部分
６０６の界面と略同一面にある。また、インナービア６
０２の厚みは、コア部分６０６の厚みと略同一となって
いる。

【００５９】本実施の形態の回路基板は、絶縁体層が有
機樹脂と多孔質体とにより構成される複合材料であっ
て、前記有機樹脂を主成分とする表面部分と前記多孔質
体を主成分とするコア部分が表面部分／コア部分／表面
部分の順に積層された構成となっている複合材料を用い
る以外は、上記第１の実施の形態と同様にして作製する
ことができる。

【００６０】多孔質体を主成分とするコア部分として
は、フッ素樹脂などの多孔質体に前記した有機樹脂を含
浸させ、場合によっては無機フィラーも加えたシートな
どを用いることができる。

【００６１】（評価試験）上記第１〜第５の実施の形態
によって作製した回路基板の接続信頼性と配線パターン
の接着強度の評価を行った。接続信頼性の評価は、１２
１℃、０．２ＭＰａの飽和水蒸気中にサンプルを放置す
る加速試験・プレッシャクッカー試験によって行った。
接着強度の評価は、１ｃｍの配線パターンの９０度剥離
試験によって行った。インナービアの構成材料として
は、銅粉とエポキシ樹脂の組成物を用いた。銅粉は平均
粒径５μｍの球状銅粉（８５質量％）、エポキシ樹脂組
成物（１５質量％）はダイマー酸ジグリシジルエステル
型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混
合物に硬化剤としてアミンアダクト型粉末硬化剤（味の
素製アミキュアＭＹ−２４）を１５部配合したものであ
る。この組成物の熱膨張係数は２０ｐｐｍである。

【００６２】第１の実施の形態では、絶縁体層２０１と
して、ガラス織布（厚み９０μｍ、熱膨張係数：５ｐｐ
ｍ）にエポキシ樹脂（熱膨張係数：６０ｐｐｍ）を含浸
し、表面部分２０５のエポキシ樹脂層を各々１０μｍと
したガラスエポキシ基材を用いた。また、配線層として
は、厚み１８μｍの電解銅箔を用いた。インナービア２
０２の上孔径は２００μｍ、下孔径は１８０μｍである
（実施例１）。

【００６３】実施例２〜４では、ガラス織布の厚みをそ
れぞれ５０μｍ（実施例２）、１５０μｍ（実施例
３）、２００μｍ（実施例４）とした以外は実施例１と
同様である。

【００６４】第３の実施の形態では、絶縁体層４０１と
して、コア部分４０６にポリイミドフィルム（厚み１
２．５μｍ、熱膨張係数：８０ｐｐｍ）、表面部分４０
５にポリイミド系接着剤（厚み５μｍ、熱膨張係数：１
９０ｐｐｍ）を用いた。また、配線層としては、厚み９
μｍの電解銅箔を用いた。インナービア４０２の上孔径
は５０μｍ、下孔径は４５μｍである（実施例５）。

【００６５】実施例６〜８では、ポリイミドフィルムの
厚みをそれぞれ３μｍ（実施例６）、９μｍ（実施例
７）、２５μｍ（実施例８）とした以外は実施例５と同
様である。

【００６６】第４の実施の形態では、絶縁体層５０１と
して、コア部分５０６に粒径１０μｍのアルミナフィラ
ー（７０体積％）をエポキシ樹脂に分散したアルミナエ
ポキシコンポジット材（厚み５０μｍ、熱膨張係数：１
８ｐｐｍ）を、表面部分５０５にエポキシ樹脂（厚み５
μｍ、熱膨張係数：６０ｐｐｍ）を用いた。また、配線
層としては、厚み９μｍの電解銅箔を用いた。インナー
ビア５０２の上孔径は１５０μｍ、下孔径は１４０μｍ
である（実施例９）。

【００６７】実施例１０〜１２では、アルミナエポキシ
コンポジット材の厚みを２０μｍ（実施例１０）、７０
μｍ（実施例１１）、１００μｍ（実施例１２）とした
以外は実施例９と同様である。

【００６８】第５の実施の形態では、絶縁体層６０１と
して、コア部分６０６に、フッ素樹脂（ポリテトラフル
オロエチレン）の多孔質シートにエポキシ樹脂にシリカ
を分散した組成物を含浸した複合材料（厚み３５μｍ、
熱膨張係数：２６ｐｐｍ）を、表面部分６０５に、エポ
キシ樹脂（厚み５μｍ、熱膨張係数：６０ｐｐｍ）を用
いた。また、配線層としては、厚み９μｍの電解銅箔を
用いた。インナービア６０２の上孔径は５０μｍ、下孔
径は４５μｍである（実施例１３）。

【００６９】実施例１４〜１６では、多孔質シートにエ
ポキシ樹脂にシリカを分散した組成物を含浸した複合材
料の厚みを１０μｍ（実施例１４）、２０μｍ（実施例
１５）、５０μｍ（実施例１６）とした以外は実施例１
３と同様である。

【００７０】また、第１の実施の形態では、絶縁体層２
０１として、ガラス織布（厚み９０μｍ、熱膨張係数：
５ｐｐｍ）に、エポキシ樹脂にシリカフィラー（粒径３
μｍ）を分散させた樹脂組成物を含浸し、表面部分２０
５のエポキシ樹脂層を各々５μｍとしたフィラー入りガ
ラスエポキシ基板を用いた。表面部分２０５のシリカフ
ィラーの含有率は５体積％（実施例１７）、２０体積％
（実施例１８）、５０体積％（実施例１９）、７０体積
％（実施例２０）とした。

【００７１】また、実施例１〜２０に対する比較とし
て、各実施の形態の回路基板と同じ材料を用いて、図８
に示すような構造の回路基板を作製し、試験に供した。
（比較例１〜２０） 図８に示す回路基板においては、絶縁体層７０１に埋設
されたランド７０３のインナービア７０２に面した面７
０４が表面層７０５の内部にあり、インナービア７０２
の厚みは、コア部分７０６の厚みよりも大きくなってい
る。

【００７２】さらに、実施例１７〜２０に対する比較例
として、実施例１７〜２０と同じ構成でシリカフィラー
の含有率たけが８５体積％と異なる回路基板を作製した
（比較例２１）。

【００７３】下記表１に、評価結果を示す。

【００７４】

【表１】

【００７５】評価基準は、プレッシャクッカー試験で
は、１６８時間後にインナービアを含む配線回路が断線
した場合を×、抵抗値変化が１０％以内の場合を○とし
た。剥離強度は、１５Ｎ以上の場合を○、１５Ｎ未満の
場合を×とした。

【００７６】上記（表１）から分かるように、本発明の
第１〜第５の実施の形態によれば、接続信頼性に優れ、
かつ、配線パターンの接着強度に優れた回路基板を実現
することができる。

【００７７】尚、本実施の形態で説明した他の絶縁体層
材料を用いた場合においても、実施例１〜２０の場合と
同様に、接続信頼性に優れ、かつ、配線パターンの接着
強度に優れた回路基板を実現することができる。

【００７８】（第６の実施の形態）図９Ａ−Ｅは、本実
施の形態における回路基板の製造方法を工程順に示した
断面図である。

【００７９】まず、図９Ａに示すように、厚手銅箔１３
（３５μｍ）上に金属膜１６（Ｎｉ）をメッキ法や蒸着
法、スパッター法などで形成し、その上にレジスト１４
を形成した。次に、前記金属箔と厚手銅箔を所定の厚み
までエッチングを行った後、レジスト１４を除去し、図
９Ｂに示す金属膜付き厚手銅箔１７を得た。前記金属膜
として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎの
少なくとも一つからなる材料を用いても良い。

【００８０】次に、図９Ｃに示すように、充填済みプリ
プレグ基材１０の両面に金属膜付き厚手銅箔１７を配置
した。その後、図９Ｄに示すように、プレス機でプリプ
レグ基材の所定の硬化温度で所定の圧力を加え完全に接
着し、銅箔をパターン形成して図９Ｅに示す両面基板１
８を得た。

【００８１】この後、実施形態３と同様に順次多層化が
可能であるが省略する。

【００８２】また、図９Ｂの作成時にエッチングで除去
した部分に、黒化処理やクロメ−ト処理または、粗化処
理などを行った厚手銅箔を用いることも有効である。

【００８３】以上のように、本発明の実施の形態によれ
ば、層間の電気接続を導電性ペーストで行う回路基板に
おいて、プリプレグ基材に貫通穴を開け導電性ペ−スト
を充填した後、両側に銅箔を配置して熱プレスにより、
前記導電性ペ−ストによりプリプレグ基材両側配置した
銅箔間を電気的に接続する回路基板において、ガラスエ
ポキシ基材などでは、被圧縮性が少なく安定した層間接
続を確保することができない課題があったが、厚手銅箔
にハ−フエッチングを行い凸部を設け、前記突起部で導
電性ペ−スト部を圧縮することにより安定した層間接続
を行うことができる。

【００８４】内層コアから順次多層化する逐次方式で
は、前記内層コアの両面に凸部を設ける事により、次の
層では前記凸部で導電性ペ−ストを圧縮する事が可能と
なり、以降は、通常の電解銅箔（例えば古河サ−キット
ホイ−ル製のＧＴ−ＧＬＤ１８μｍ）を用いる事ができ
る。

【００８５】従って、全層被圧縮性の低い、例えばガラ
スエポキシ基材ＦＲ−４（日立化成社製）基材でも構成
する事ができる。すなわち、高帯域性や高信頼性など各
性能に合わせた基材構成が可能になる。

【００８６】また、ハ−フエッチングする際、凸部以外
の部分に黒化処理、クロメ−ト処理などを行う事によっ
て、導電性ペ−スト部の含まれる金属フィラと銅箔を凝
着しやすくし、前記処理を行った部分では、銅箔の接着
力を強固にする事ができる。

【００８７】さらに、ハ−フエッチングする際、突起部
以外の銅箔部の表面粗さを大きくする事により前記と同
様に接着力を強固にする事ができ、逆に小さくするとパ
タ−ン形成におけるファイン化に有利になり任意に顧客
の要望に合わせた製品化が可能となる。

【００８８】本実施の形態においては、金属箔としてハ
ーフエッチングによる凸部がランドとなる配線基板の例
を示した。しかしながら、犠牲基板の上で完全エッチン
グしてランドとなるパターン配線を形成しておき、これ
を用いても同様に本発明の回路基板を製造できる。

【００８９】（第７の実施の形態）図１０Ａ−Ｅは本発
明の第７の実施の形態における回路基板（両面回路基
板）を示す断面模式図である。本実施の形態の回路基板
は、有機樹脂と無機繊維の織布（有機樹脂よりも熱膨張
係数が小さい材料）とからなる絶縁体層２０１と、絶縁
体層２０１中に形成されたインナービア２０２と、絶縁
体層２０１に埋設されたランド２０３とにより構成され
ている。ここで、絶縁体層２０１は、有機樹脂を主成分
とする（有機樹脂の構成比が高い）表面部分２０５と無
機繊維の織布を主成分とする（有機樹脂の構成比が低
い）コア部分２０６とからなり、ランド２０３のインナ
ービア２０２に面した面２０４は、表面部分２０５とコ
ア部分２０６の界面と略同一面にある。また、インナー
ビア２０２の厚みは、コア部分２０６の厚みと略同一と
なっている。

【００９０】次に、本実施の形態の回路基板を、絶縁体
層２０１にガラスエポキシ基材、インナービア２０２の
構成材料に銅とエポキシ樹脂の組成物、配線層に銅箔を
用いる場合を例に挙げて、さらに具体的に説明する。

【００９１】まず、図１０Ａに示すように、プリプレグ
状態（半硬化状態）のガラスエポキシプリプレグ（コア
層の厚み１００μｍ、両表面の樹脂層の厚みはそれぞれ
１０μｍ）２０８の所望の位置に、上側から波長９．４
μｍまたは１０．６μｍの炭酸ガスレーザーを用いて、
１から３ショット照射して貫通孔を形成し、当該貫通孔
の広い開口部側から印刷法などによってペースト状の銅
−エポキシ樹脂組成物２０９を充填する。

【００９２】次に、転写形成材８０３として、キャリア
８０１として厚み５０μｍのアルミニウム板の表面に厚
み１８μｍの銅箔８０２が付着されているものを用い
た。このようにすると、ランドがガラスエポキシプリプ
レグ基材２０８から突出し、次に積層する絶縁体層に突
出部分を埋設することができる。この転写形成材８０３
を図１０Ｂに示すようにガラスエポキシプリプレグ基材
２０８の両側に配置する。

【００９３】次に、熱プレスによって加熱・加圧する。
その条件は、例えば、加熱温度は１８０℃〜２５０℃、
圧力は３０〜２００kgf/cm²、加熱時間は０．５〜２時
間である。

【００９４】この工程において、熱硬化性樹脂であるエ
ポキシ樹脂の硬化と、ガラスエポキシプリプレグ２０８
と配線パターン８０２との接着が図れる。エポキシ樹脂
が硬化した後のガラスエポキシプリプレグ２０８である
ガラスエポキシ基材が絶縁体層である。また、この工程
において、銅箔８０２が、配線パターンが形成された側
の表面がエポキシ樹脂の構成比が高い絶縁体層の表面部
分とガラス織布の構成比が高い（エポキシ樹脂の構成比
が低い）絶縁体層のコア部分の界面と略同一になるよう
に絶縁体層に埋め込まれ、インナービア２０９による配
線層間の電気導通が図れる（図１０Ｃ）。次いで、塩酸
でアルミニウム製キャリア８０１全部をエッチングして
除去する。以上により、両面回路基板２１２（図１０
Ｄ）が完成する。

【００９５】多層回路基板は、以下のようにして作製す
ることができる。

【００９６】すなわち、図１０Ｄ−図１０Ｅに示すよう
に、上記した両面回路基板２１２の両側に、ペースト状
の銅−エポキシ樹脂組成物が充填されたガラスエポキシ
プリプレグ２１３を重ね、さらにその外側に前記と同様
に転写材８０３を重ね、熱プレス等によって加熱・加圧
した後、アルミニウム製キャリア８０１を除去する。

【００９７】

【発明の効果】本発明によれば、接着性に優れた有機樹
脂によって配線層を保持しながら、しかも、熱膨張係数
のミスマッチが生じにくいために、配線層と絶縁体層が
十分な接着強度を有し、かつ、優れたインナービア接続
信頼性を実現することのできる回路基板およびその製造
方法を提供することができる。また、金属箔の一部が前
記絶縁層のコア層に接するまで埋め込まれているので、
導電性ペ−ストの部分を選択的に圧縮でき、安定した層
間接続を可能とする回路基板とその製造方法を提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の回路基板を示す断面模式図
である。

【図２】本発明の第１の実施の形態における回路基板を
示す断面模式図である。

【図３】Ａ−Ｅは本発明の第１の実施の形態における回
路基板の製造方法を示す工程断面図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態における回路基板を
示す断面模式図である。

【図５】本発明の第３の実施の形態における回路基板を
示す断面模式図である。

【図６】本発明の第４の実施の形態における回路基板を
示す断面模式図である。

【図７】本発明の第５の実施の形態における回路基板を
示す断面模式図である。

【図８】比較例の回路基板を示す断面模式図である。

【図９】Ａ−Ｅは本発明の第６の実施の形態における回
路基板の製造方法を示す工程断面図である。

【図１０】Ａ−Ｅは本発明の第７の実施の形態における
両面回路基板の製造方法を示す工程断面図である。

【符号の説明】

101,201,301,401,501,601,701 絶縁体層 102,202,302,402,502,602,702 インナービア 103,203,303,403,503,603,703 ランド 104,204,304,404,504,604,704 ランドのインナービア
に接する面 105,205,305,405,505,605,705 表面部分 106,206,306,406,506,606,706 コア部分 208,213 ガラスエポキシプリプレグ 209 インナービア 210,214 銅箔 211 ランド 212 両面回路基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｇ Ｎ Ｔ (72)発明者 別所 芳宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 留河 悟 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 仲谷 安広 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 越後 文雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 上田 洋二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 松岡 進 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 安藤 大蔵 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB02 BB03 BB11 BB12 BB19 CC22 CC25 CD01 CD05 CD21 CD25 CD32 GG03 GG11 5E346 AA06 AA12 AA15 AA22 AA32 AA35 AA43 BB01 BB15 BB16 CC02 CC04 CC05 CC08 CC09 CC10 CC12 CC14 CC16 CC32 DD02 DD12 DD32 EE02 EE06 EE07 EE09 EE13 EE18 FF18 FF35 GG22 GG28 HH07

Claims (26)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 二層以上の配線層と、 前記配線層間を電気的に絶縁するための絶縁体層と、 前記絶縁体層の厚さ方向に形成され、かつ前記配線層同
   士を電気的に接続するためのインナービア導電体を備
   え、 前記絶縁体層は、有機樹脂と、前記有機樹脂よりも熱膨
   張係数の小さい材料を含む複合材料であり、 前記有機樹脂の構成比が高い表面部分と、前記有機樹脂
   の構成比が低いコア部分とが、表面部分／コア部分／表
   面部分の順に形成されており、 前記配線層の前記インナービア導電体と接続しているラ
   ンド部分は、前記コア部分とほぼ接するまで埋設されて
   おり、 前記インナービア導電体の厚みは、前記コア部分の厚み
   と略同一である回路基板。
2. 【請求項２】 前記ランド部分の埋設深さは、２〜５０
   μｍの範囲である請求項１に記載の回路基板。
3. 【請求項３】 前記ランド部分は、前記有機樹脂の表面
   部分より突出している請求項１に記載の回路基板。
4. 【請求項４】 前記ランド部分の突出長さが２〜５０μ
   ｍの範囲である請求項３に記載の回路基板。
5. 【請求項５】 前記コア部分が、無機繊維の織布、無機
   繊維の不織布および合成樹脂フィルムから選ばれる少な
   くとも一つである請求項１に記載の回路基板。
6. 【請求項６】 前記無機繊維がガラスである請求項５に
   記載の回路基板。
7. 【請求項７】 前記合成樹脂フィルムが、ポリイミド、
   ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、ＰＴＦＥ（ポリテトラ
   フルオロエチレン）、アラミド、ＰＢＯ（ポリパラフェ
   ニレンベンゾビスオキサゾール）および全芳香族ポリエ
   ステルから選ばれる少なくとも１種のフィルムである請
   求項５に記載の回路基板。
8. 【請求項８】 前記コア部分に、さらに無機フィラーを
   含む請求項５に記載の回路基板。
9. 【請求項９】 前記無機フィラーが、水酸化アルミニウ
   ム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリ
   カ）および窒化珪素から選ばれる少なくとも１種のフィ
   ラーである請求項８に記載の回路基板。
10. 【請求項１０】 前記合成樹脂フィルムが多孔質体であ
    る請求項３に記載の回路基板。
11. 【請求項１１】 前記多孔質体に、無機フィラーと有機
    樹脂の組成物が含浸されている請求項１０に記載の回路
    基板。
12. 【請求項１２】 前記多孔質体が、フッ素樹脂からな
    り、前記無機フィラーが、水酸化アミニウム、酸化アル
    ミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）および窒
    化珪素から選ばれる少なくとも１種のフィラーである請
    求項１１に記載の回路基板。
13. 【請求項１３】 前記有機樹脂が、エポキシ樹脂、ポリ
    イミド樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノールレゾ
    ール樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ＰＰＥ（ポリフ
    ェニレンエーテル）樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹
    脂及びフッ素樹脂から選ばれる少なくとも１種の樹脂で
    ある請求項１に記載に回路基板。
14. 【請求項１４】 前記有機樹脂に、さらに水酸化アルミ
    ニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素
    （シリカ）および窒化珪素から選ばれる少なくとも１種
    のフィラーを含有させた請求項１３に記載の回路基板。
15. 【請求項１５】 前記インナービア導電体が、導電性フ
    ィラーと有機樹脂との組成物からなる請求項１に記載の
    回路基板。
16. 【請求項１６】 前記導電性フィラーが、金、銀、銅、
    ニッケル、パラジウム、鉛、錫、インジウムおよびビス
    マスから選ばれる少なくとも１種の金属、あるいはこれ
    らの合金、又は混合物からなるフィラーである請求項１
    ５に記載の回路基板。
17. 【請求項１７】 前記インナービア導電体が充填されて
    いる貫通孔が、断面から見てテーパー状であり、広い方
    から導電体が充填されている請求項１５に記載の回路基
    板。
18. 【請求項１８】 二層以上の配線層と、 前記配線層間を電気的に絶縁するための絶縁体層と、 前記絶縁体層の厚さ方向に形成され、かつ前記配線層同
    士を電気的に接続するためのインナービア導電体を備え
    た回路基板の製造方法であって、 前記絶縁体層は、有機樹脂と、前記有機樹脂よりも熱膨
    張係数の小さい材料を含む複合材料であり、前記有機樹
    脂の構成比が高い表面部分と、前記有機樹脂の構成比が
    低いコア部分とが、表面部分／コア部分／表面部分の順
    に形成されており、 前記絶縁体層の厚さ方向にインナービアホールを開けて
    導電性物質を充填し、 前記絶縁体層の両側に金属箔を配置する際、前記インナ
    ービアホールの導電性物質充填部に合致するように所定
    の部分に凸部を設けた金属箔を配置し、 前記金属箔の外側から熱プレスで加熱加圧し、前記金属
    箔の凸部を前記絶縁体層のコア部分とほぼ接するまで押
    し込み、前記インナービア導電体の厚みを、前記コア部
    分の厚みと略同一とし、 その後、前記金属箔をエッチングして前記凸部をランド
    部分として残す、 回路基板の製造方法。
19. 【請求項１９】 前記金属箔の凸部を、エッチングでパ
    ターン形成して作成する請求項１８に記載の回路基板の
    製造方法。
20. 【請求項２０】 前記金属箔が銅箔であり、所定の厚み
    までエッチングでパターン形成を行った厚手金属箔のエ
    ッチングで除去した凹部に、黒化処理及びクロメート処
    理から選ばれる防錆処理を行う請求項１８に記載の回路
    基板の製造方法。
21. 【請求項２１】 所定の厚みまでエッチングでパターン
    形成を行った厚手金属箔のエッチングで除去した凹部
    に、粗化処理を行う請求項１８に記載の回路基板の製造
    方法。
22. 【請求項２２】 前記インナービアホールが、断面から
    見てテーパー状であり、広い方から導電性ペーストが充
    填されている請求項１８に記載の回路基板の製造方法。
23. 【請求項２３】 前記導電性物質が導電体ペーストであ
    る請求項１８に記載の回路基板の製造方法。
24. 【請求項２４】 二層以上の配線層と、 前記配線層間を電気的に絶縁するための絶縁体層と、 前記絶縁体層の厚さ方向に形成され、かつ前記配線層同
    士を電気的に接続するためのインナービア導電体を備え
    た回路基板の製造方法であって、 前記絶縁体層は、有機樹脂と、前記有機樹脂よりも熱膨
    張係数の小さい材料を含む複合材料であり、前記有機樹
    脂の構成比が高い表面部分と、前記有機樹脂の構成比が
    低いコア部分とが、表面部分／コア部分／表面部分の順
    に形成されており、 前記絶縁体層の厚さ方向にインナービアホールを開けて
    導電性物質を充填し、 前記絶縁体層の両側に、前記インナービアホールの導電
    性物質充填部に合致するように、所定の部分に金属箔を
    パターニングした転写基材を配置し、 前記転写基材の外側から熱プレスで加熱加圧し、前記金
    属箔を前記絶縁体層のコア部分とほぼ接するまで押し込
    み、前記インナービア導電体の厚みを、前記コア部分の
    厚みと略同一とする、 回路基板の製造方法。
25. 【請求項２５】 前記インナービアホールが、断面から
    見てテーパー状であり、広い方から導電性物質が充填さ
    れている請求項２４に記載の回路基板の製造方法。
26. 【請求項２６】 前記導電性物質が導電性ペーストであ
    る請求項２４に記載の回路基板の製造方法。