JP2001127389A - 回路基板用絶縁材と回路基板および回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】インタースティシャルビアアホール構造かつ剛
性のある回路基板とその製造方法及び回路基板を提供
し、その回路基板に使用するための材料である回路基板
用絶縁材を提供する。 【解決手段】熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態にし
た絶縁材402の両表面に補強材401,402を積層した３層以
上の多孔質基材からなり、かつそれらの多孔質基材の空
孔率を最外層401,403と内層402とで異ならせる。最外層
401,403の多孔質基材の空孔率は、内層402の空孔率より
小さいことが好ましい。絶縁層の両面に配線層404を形
成し、配線層404の間は導電性ペースト405が充填されて
導通されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板に用いる
絶縁材と、電子機器に用いる回路基板およびその製造方
法に関するものであり、特にインタースティシャルビア
構造を有する回路基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型軽量化および高機
能化に伴い、半導体パッケージの小型化が要求されてい
る。この要求に伴い、その半導体パッケージのキャリア
である回路基板に実装される半導体素子の実装方法も従
来のワイヤボンディング法から、フリップチップ法に替
わってきている。このフリップチップ法は、半導体素子
のバンプ電極と回路基板の電極とを１対１で接続するた
め、半導体素子のバンプ電極の形成密度にあわせてその
回路基板上の配線を高密度にする必要がある。したがっ
て、回路基板上にファインパターンを形成すると共に、
さらなる半導体パッケージの小型化を図るために多層化
された配線をインタースティシャルビアで接続した多層
回路基板が使用される。

【０００３】この多層回路基板は、図１のような多層回
路基板である。これは、従来のガラスエポキシ回路基板
１をコア回路基板として、その表層にファインパターン
を形成した絶縁層２，３を積み上げ、さらにその層間の
電気的接続をめっきビア４で確保するビルドアップ方式
ガラスエポキシ回路基板１０である。５はスルーホール
である。

【０００４】別構造の多層回路基板として、図２のよう
な全層インタースティシャルビア構造を有する多層回路
基板２０を本出願人はすでに提案している（特許第２６
０１１２８号公報）。この多層回路基板２０の特徴は、
スルーホールを有していないため、配線収容性に特に優
れ、電子機器の小型化は勿論、半導体パッケージの小型
化にも適している。ここで、インタースティシャルビア
構造とは、多層プリント配線板の接続を必要とする２
つ、またはそれ以上の複数の導体層の層間を接続するた
め、多層プリント配線板全体を貫通していない穴に導電
性物質が存在する構造をいう。例えば図２に示すよう
に、回路基板１１の厚さ方向に穴が開けられ、その中に
導電性ペースト１２が充填され、回路基板の厚さ方向に
通電する回路を有する構造である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ビルドアップ方式ガラ
スエポキシ回路基板１０は、コア回路基板であるガラス
エポキシ回路基板１がスルーホール５を有しており、配
線の引き回しの際、このスルーホールが邪魔となるた
め、小型化には一定の限界がある。一方、全層インター
スティシャルビア構造を有する多層回路基板２０は、絶
縁材としてアラミド不織布にエポキシ樹脂を含浸した有
機複合材が用いられている。このため、ガラスエポキシ
基板と比較してその剛性が小さく、回路基板上に半導体
素子を実装する際、回路基板の平坦性の維持等が困難で
ある。このため、その剛性を大きくする手段として、絶
縁層の複合材の厚みを大きくすることが考えられるが、
その材料構成と製造プロセスの関係からある程度厚みが
大きい方に限界がある。以上より、電子機器および半導
体パッケージの小型化の観点から、インタースティシャ
ルビア構造であり、かつ剛性のある回路基板が強く要望
されている。

【０００６】本発明は、前記従来例の問題を解決するた
め、インタースティシャルビア構造でかつ剛性のある回
路基板とその製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【発明を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の回路基板用絶縁材は、補強材に熱硬化性樹
脂を含浸させて半硬化状態にした絶縁材であって、その
補強材が３層以上の多孔質基材からなり、かつそれらの
多孔質基材の空孔率が最外層と内層とで異なることを特
徴とする。この構成の回路基板用絶縁材において、最外
層の多孔質基材の空孔率が内層より小さいことが好まし
い。

【０００８】次に本発明の両面回路基板は、絶縁層の両
面に配線層を具備し、かつインタースティシャルビアに
より前記配線層間を電気的に接続した両面回路基板であ
って、前記絶縁層が３層以上の多孔質基材からなり、か
つ前記多孔質基材の空孔率が最外層と内層とで異なるこ
とを特徴とする。

【０００９】また本発明は、絶縁層の両面に配線層を具
備し、かつインタースティシャルビアによりそれら配線
層間を電気的に接続した構成の両面回路基板と、この両
面回路基板をコア回路基板として、その両面または片面
にインタースティシャルビアによりコア回路基板の配線
層と電気的に接続した配線層を具備した絶縁層を１以上
積層した多層回路基板とにおいて、両面またはコア回路
基板の絶縁層が３層以上の多孔質基材に熱硬化性樹脂を
含浸硬化した複合材からなり、かつそれら多孔質基材の
空孔率が最外層と内層とで異なることを特徴とする。

【００１０】また本発明は、上記した両面回路基板を製
造方法により提供するために、多孔質基材に熱硬化性樹
脂を含浸させて半硬化状態にした絶縁材の１枚以上から
なるコア絶縁材の両面に、そのコア絶縁材の多孔質基材
と空孔率の異なる多孔質基材に熱硬化性樹脂を含浸させ
て半硬化状態にした絶縁材を積層圧着して積層体を形成
する工程、またはコア絶縁材の両面に、そのコア絶縁材
の多孔質基材と空孔率の異なる多孔質基材に熱硬化性樹
脂を含浸させて半硬化状態にした絶縁材を積層のみする
工程のいずれかの工程と、その両外側に離型性フィルム
を積層し圧着して積層体を形成する工程と、その積層体
に貫通孔を形成する工程と、その貫通孔に導電性ペース
トを充填する工程と、その貫通孔に導電性ペーストを充
填した積層体から離型性フィルムを剥離する工程と、そ
の離型性フィルムを剥離した積層体の両面に金属箔を重
ねる工程と、その金属箔を重ねた積層体を加熱加圧して
圧着する工程と、その金属箔に所望の回路パターンを形
成する工程とを有することを特徴とする両面回路基板の
製造方法である。また、多孔質基材に熱硬化性樹脂を含
浸させて半硬化状態にした絶縁材の１枚以上からなるコ
ア絶縁材の両面に、その多孔質基材と空孔率の異なる多
孔質基材に熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態にし、
かつその片面に離型性フィルムを具備した絶縁材をその
離型性フィルムが外側に位置するよう積層圧着して積層
体を形成する工程と、その積層体に貫通孔を形成する工
程と、その貫通孔に導電性ペーストを充填する工程と、
その貫通孔に導電性ペーストを充填した積層体から離型
性フィルムを剥離する工程と、その離型性フィルムを剥
離した積層体の両面に金属箔を重ねる工程と、その金属
箔を重ねた積層体を加熱加圧して圧着する工程と、その
金属箔に所望の回路パターンを形成する工程とを有する
両面回路基板の製造方法である。

【００１１】また本発明は、上記した多層回路基板を製
造方法により提供するために、上記の両面回路基板の両
面または片面に、あらかじめ導電性ペーストを充填した
貫通孔を具備する絶縁材を積層し、さらにその絶縁材の
外側に金属箔を重ねる工程と、その金属箔を重ねた前記
積層体を加熱加圧して圧着する工程と、その金属箔に所
望の回路パターンを形成する工程とを有する多層回路基
板を製造方法である。また、あらかじめ導電性ペースト
を充填した貫通孔を具備する本発明の回路基板用絶縁材
の両面または片面に2層以上からなる回路基板を積層す
る工程と、その積層体を加熱加圧して圧着する工程とを
有することを特徴とする多層回路基板を製造方法であ
る。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の回路基板用絶縁材は、補
強材に熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態にした絶縁
材であって、その補強材が３層以上の多孔質基材からな
り、かつその多孔質基材の空孔率が最外層と内層とで異
なることを特徴とする。また、最外層の多孔質基材の空
孔率が内層の多孔質基材より小さいことが好ましく、さ
らに最外層の多孔質基材の空孔率が１０〜６０vol.%で
あることが好ましい。本発明の回路基板用絶縁材に用い
る材料は、熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂、フェノール樹
脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、メラミン樹脂、
ポリエステル樹脂から選ばれる少なくとも１種以上から
なることが好ましい。一方、補強材である多孔質基材は
有機材料を主成分であることが好ましく、さらにその有
機材料が全芳香族ポリアミド、全芳香族ポリエステル、
ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール、ポリパラ
フェニレンベンゾビスチアゾールから選ばれる少なくと
も１種以上からなることが好ましい。以下に本発明の回
路基板用絶縁材におけるその実施の形態について図を用
いて説明する。

【００１３】（実施の形態１）図３は実施の形態１にお
ける回路基板用絶縁材の構成を模式化して示す断面図で
ある。この回路基板用絶縁材は、空孔率のそれぞれ異な
る多孔質基材の空孔に熱硬化性樹脂が含浸された３０
１、３０２および３０３からなる３層構造となってい
る。そして、この3層構造の絶縁材において、外層３０
１および３０３の多孔質基材の空孔率が内層３０２の多
孔質基材より小さく、かつ３０２の厚みが３０１および
３０３より大きくなっている。

【００１４】実施の形態１の構成において、３０１、３
０２および３０３からなる３層構造を有しているが、い
ずれの層も多孔質基材を補強材としているため、プレス
成形する際、この絶縁材は圧縮する。さらにそれぞれの
多孔質基材の空孔率が異なるため、それぞれの層の圧縮
性も異なる。

【００１５】多孔質基材の空孔率と圧縮性との関係は、
空孔率が大きい場合により圧縮しやすく、小さい場合圧
縮しにくいことである。圧縮性の大きい基材は、導電性
ペーストからなるインタースティシャルビアで層間電気
接続を確保する図２のような回路基板に極めて有効であ
る。すなわち、プレス成形時にインタースティシャルビ
アの導電性ペーストが十分に圧縮されると導電物質が密
に充填されるため、結果的に安定なビアの電気接続を確
保できる。一方、圧縮性の小さい基材は、多孔質基材に
樹脂を含浸するとその表面に樹脂のみの層を容易に形成
することができる。この圧縮性の小さな絶縁材を回路基
板に用いた場合、その表面の樹脂層により配線の十分な
接着強度を確保できる。また、この絶縁材を回路基板の
多層化に用いた場合、例えば、両面回路基板を圧縮性の
小さい基材で挟持して圧着する多層化の場合、その表面
の樹脂層が被着される回路基板の配線の凹凸を埋め込む
ことができ、多層回路基板の平滑化や白化防止に有効で
ある。しかし、これらの特性は、空孔率の大小で相反す
るものであり、例えば、空孔率の大きな基材はビアの電
気接続には有効であるが、配線の接着強度や埋め込み等
には不利であり、一方、空孔率の小さな基材は配線の接
着強度や埋め込み等には優れているが、ビアの電気接続
には不利となる。すなわち、両方の特性のバランスを考
慮すると、導電性ペーストからなるインタースティシャ
ルビアで層間電気接続を確保する回路基板に用いること
ができる絶縁材は、その空孔率および厚み等がある範囲
に限定される。

【００１６】したがって、本発明の回路基板用絶縁材
は、多孔質基材の空孔率の大小のそれぞれの利点を持ち
合わせることができる。実施の形態１は、３０１、３０
２および３０３からなるような３層構造である絶縁材で
あり、３０２に空孔率の大きな多孔質基材と、３０１お
よび３０３に空孔率の小さな多孔質基材とを用いること
で、それぞれの利点を持ち合わせたものとなる。すなわ
ち、実施の形態１は、内層３０２の絶縁材で絶縁材全体
としての圧縮性を十分に確保することができるため、絶
縁材の厚みを大きい方に限定されない。すなわち、絶縁
材の厚みを容易に大きくすることができるため、回路基
板の十分な剛性を確保できる。さらに最外層３０１およ
び３０３の絶縁材では、その表層に容易に樹脂層を形成
することができる。したがって、実施の形態１は、圧縮
性、基板剛性、配線の接着強度および埋め込み性等に優
れる回路基板用絶縁材である。なお、本発明の回路基板
用絶縁材は、実施の形態１の構成および組み合わせに限
定されるものではなく、他の構成についても同様の効果
が得られる。また、本発明の回路基板用絶縁材は、３０
２の位置に相当する内層の絶縁材に厚みの大きな多孔質
基材を使用できるが、その層数を２層以上にしてももよ
く、内層絶縁材の厚みを層数によって変更することがで
きる。さらに内層のそれらの層が同一の空孔率を有する
必要はなく、所望の空孔率のものを用いることができ
る。ただし、最外層の絶縁層より、それら内層の絶縁層
の空孔率が大きいことが好ましい。また、本発明の回路
基板用絶縁材は、その最外層３０１および３０２の多孔
質基材の空孔率が互いに同一であってもよい。

【００１７】次に本発明の両面回路基板について説明す
る。本発明の両面回路基板は、絶縁層の両面に配線層を
具備し、かつインタースティシャルビアによりそれら配
線層間を電気的に接続した構成の両面回路基板であっ
て、その絶縁層が３層以上の多孔質基材に熱硬化性樹脂
を含浸した複合材からなり、かつそれら多孔質基材の空
孔率が最外層と内層とで異なることを特徴とする。この
両面回路基板において、そのインタースティシャルビア
が導電物質と熱硬化性樹脂の複合材からなることが好ま
しく、さらにその導電物質が、金、銀、銀パラジウム、
銅およびこれらの合金から選ばれる少なくとも１種以上
からなることが好ましい。さらに本発明の両面回路基板
に用いる材料であるが、熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂、
フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、メ
ラミン樹脂、ポリエステル樹脂から選ばれる少なくとも
１種以上からなることが好ましい。一方、補強材である
多孔質基材は有機材料を主成分であることが好ましく、
さらにその有機材料が全芳香族ポリアミド、全芳香族ポ
リエステル、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾー
ル、ポリパラフェニレンベンゾビスチアゾールから選ば
れる少なくとも１種以上からなることが好ましい。ま
た、本発明の両面回路基板は、その絶縁層に上記した本
発明の回路基板用絶縁材を用いることで容易に製造する
ことができるが、本発明の回路基板用絶縁材を必ずしも
用いる必要はなく、本発明の両面回路基板の構成を達成
することができる絶縁材、または製造方法を用いてもよ
い。以下に本発明の両面回路基板におけるその実施の形
態について図を用いて説明する。

【００１８】（実施の形態２）図４は実施の形態２にお
ける両面回路基板の構成を模式化して示す断面図であ
る。この両面回路基板の絶縁層は、それぞれ空孔率の異
なる多孔質基材に熱硬化性樹脂が含浸され、かつ硬化さ
れた４０１、４０２および４０３からなる３層構造とな
っている。そして、この3層構造の絶縁層において、外
層４０１および４０３の多孔質基材の空孔率が内層４０
２より小さくなっており、かつ４０２の厚みが４０１お
よび４０３より大きくなっている。また、実施の形態２
は３層構造の絶縁材の両面に配線層４０４を具備し、か
つこの配線層間を導電性ペースト４０５で電気的に接続
した構成になっている。

【００１９】実施の形態２の構成において、絶縁層の内
層４０２に空孔率の大きな多孔質基材を用いているた
め、実施の形態１で説明したようにその圧縮性が十分に
大きく、導電性ペースト４０５による層間の電気的接続
が十分安定した両面回路基板を得ることができる。その
ため、厚みが従来と比較して大きな絶縁材を内層４０２
に使用することができるため、実施の形態２の剛性を十
分に得ることができる。したがって、部品実装の際に回
路基板の平坦性を容易に維持でき、かつインタースティ
シャルビア構造を有するため、高密度実装に極めて優れ
た両面回路基板を提供することができる。さらに最外層
４０１および４０３の多孔質基材は、空孔率の小さなも
のを用いているため、絶縁層の表層に樹脂層を設けるこ
とができる。そのため、実施の形態２における配線層と
絶縁層との間の接着強度を向上させることができる。な
お、本発明の両面回路基板は、実施の形態２の構成およ
び組み合わせに限定されるものではなく、他の構成につ
いても同様の効果が得られる。また、本発明の両面回路
基板は、４０２の位置に相当する内層の絶縁材に厚みの
大きな多孔質基材を使用できるが、その層数を２層以上
にしてももよく、内層絶縁材の厚みを層数によって変更
することができる。さらに内層のそれらの層が同一の空
孔率を有する必要はなく、所望の空孔率のものを用いる
ことができる。ただし、最外層の絶縁層より、それら内
層の絶縁層の空孔率が小さいことが好ましい。また、本
発明の回路基板用絶縁材は、その最外層４０１および４
０２の多孔質基材の空孔率が互いに同一であってもよ
い。

【００２０】次に本発明の多層回路基板について説明す
る。本発明の両面回路基板をコア回路基板として用い、
その両面または片面に、インタースティシャルビアによ
りコア回路基板の配線層と電気的に接続した配線層を具
備した絶縁層を１層以上積層することを特徴とする。こ
の多層回路基板において、そのインタースティシャルビ
アが導電物質と熱硬化性樹脂の複合材からなることが好
ましく、さらにその導電物質が、金、銀、銀パラジウ
ム、銅およびこれらの合金から選ばれる少なくとも１種
以上からなることが好ましい。以下に本発明の多層回路
基板におけるその実施の形態について図を用いて説明す
る。

【００２１】（実施の形態３）図５は実施の形態３にお
ける多層回路基板の構成を模式化して示す断面図であ
る。この多層回路基板は、図4の両面回路基板５０１の
両面に絶縁材５０３を積層し、さらにその最外層にイン
タースティシャルビア５０５で両面回路基板５０１の配
線層５０２と電気的に接続した配線層５０４を具備す
る。

【００２２】実施の形態３の構成において、コア回路基
板に実施の形態２の両面回路基板５０１を用いているた
め、多層回路基板の剛性を十分に得ることができる。し
たがって、部品実装の際に回路基板の平坦性を容易に維
持できる多層回路基板を提供することができる。さら
に、コア回路基板５０１がインタースティシャルビア構
造であるため、それに積層する絶縁層５０３におけるイ
ンタースティシャルビア５０５を自由に配置することが
できる。すなわち、高密度実装に極めて優れた多層回路
基板を提供できる。なお、本発明の多層回路基板は、実
施の形態３の構成および組み合わせに限定されるもので
はなく、他の構成についても同様の効果が得られる。例
えば、絶縁材５０３が絶縁性フィルムであってもよい
し、樹脂層だけでもよい。さらにインタースティシャル
ビア５０５が導電物質と熱硬化性樹脂の複合材からなる
ことが好ましく、さらにその導電物質が、金、銀、銀パ
ラジウム、銅およびこれらの合金から選ばれる少なくと
も１種以上からなることが好ましいが、金属のみから構
成してもよい。

【００２３】次に本発明の両面回路基板の製造方法につ
いて説明する。本発明の両面回路基板を製造方法により
提供する。多孔質基材に熱硬化性樹脂を含浸させて半硬
化状態にした絶縁材の１枚以上からなるコア絶縁材の両
面に、そのコア絶縁材の多孔質基材と空孔率の異なる多
孔質基材に熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態にした
絶縁材を積層圧着して積層体を形成する工程、またはコ
ア絶縁材の両面に、そのコア絶縁材の多孔質基材と空孔
率の異なる多孔質基材に熱硬化性樹脂を含浸させて半硬
化状態にした絶縁材を積層のみする工程と、その両外側
に離型性フィルムを積層し圧着して積層体を形成する工
程と、その積層体に貫通孔を形成する工程と、その貫通
孔に導電性ペーストを充填する工程と、その貫通孔に導
電性ペーストを充填した積層体から離型性フィルムを剥
離する工程と、その離型性フィルムを剥離した積層体の
両面に金属箔を重ねる工程と、その金属箔を重ねた積層
体を加熱加圧して圧着する工程と、その金属箔に所望の
回路パターンを形成する工程とを有することを特徴とす
る。また、多孔質基材に熱硬化性樹脂を含浸させて半硬
化状態にした絶縁材の１枚以上からなるコア絶縁材の両
面に、その多孔質基材と空孔率の異なる多孔質基材に熱
硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態にし、かつその片面
に離型性フィルムを具備した絶縁材をその離型性フィル
ムが外側に位置するよう積層圧着して積層体を形成する
工程と、それらの積層体に貫通孔を形成する工程と、そ
の貫通孔に導電性ペーストを充填する工程と、その貫通
孔に導電性ペーストを充填した積層体から離型性フィル
ムを剥離する工程と、その離型性フィルムを剥離した積
層体の両面に金属箔を重ねる工程と、その金属箔を重ね
た積層体を加熱加圧して圧着する工程と、その金属箔に
所望の回路パターンを形成する工程とを有することを特
徴とする。これらの製造方法において、コア絶縁材の両
面に積層する絶縁材の多孔質基材の空孔率が、そのコア
絶縁材の多孔質基材の空孔率より小さいことが好まし
く、さらに１０〜６０％であることが好ましい。それぞ
れの材料であるが、導電性ペーストは導電物質と熱硬化
性樹脂の複合材からなることが好ましく、その導電物質
が、銀、金、銀パラジウム、銅およびこれらの合金の内
の１種以上からなることが好ましい。多孔質基材は有機
材料を主成分とし、その有機材料が全芳香族ポリアミ
ド、全芳香族ポリエステル、ポリパラフェニレンベンゾ
ビスオキサゾール、ポリパラフェニレンベンゾビスチア
ゾールから少なくとも１種以上選ばれることが好まし
い。熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポ
リイミド樹脂、シリコーン樹脂、メラミン樹脂、ポリエ
ステル樹脂から少なくとも１種以上選ばれることが好ま
しい。以下に本発明の多層回路基板におけるその各実施
の形態についてそれぞれ図を用いて説明する。

【００２４】（実施の形態４）図６（Ａ）〜（Ｈ）は実
施の形態４における両面回路基板の製造方法を模式化し
て示す断面図である。多孔質基材に熱硬化性樹脂を含浸
させて半硬化状態にしたコア絶縁材６０２の両面に、そ
のコア絶縁材６０２の多孔質基材と空孔率の異なる多孔
質基材に熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態にした絶
縁材６０１および６０３を積層し（図６（Ａ））、圧着
して積層体６０４を形成し、積層体６０４の両面に離型
性フィルム６０５を積層し圧着して積層体６０６を形成
し（図６（Ｂ〜Ｃ））、積層体６０６に貫通孔６０７を
形成し（図６（Ｄ））、貫通孔６０７に導電性ペースト
を充填して積層体６０８を形成し（図６（Ｅ））、積層
体６０８から離型性フィルム６０５を剥離して積層体６
０９を形成し、積層体６０９の両面に金属箔６１０を重
ね（図６（Ｆ））、加熱加圧して圧着して積層体６１１
を形成し（図６（Ｇ））、その金属箔６１０に所望の回
路パターンを形成して両面回路基板６１２を製造する
（図６（Ｈ））。

【００２５】（実施の形態５）図７（Ａ）〜（Ｇ）は実
施の形態５における両面回路基板の製造方法を模式化し
て示す断面図である。多孔質基材に熱硬化性樹脂を含浸
させて半硬化状態にしたコア絶縁材７０２の両面に、そ
のコア絶縁材７０２の多孔質基材と空孔率の異なる多孔
質基材に熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態にした絶
縁材７０１および７０３を積層し、さらに離型性フィル
ム７０４を積層し（図７（Ａ））、圧着して積層体７０
５を形成し（図７（Ｂ））、積層体７０５に貫通孔７０
６を形成し（図７（Ｃ））、貫通孔７０６に導電性ペー
ストを充填して積層体７０７を形成し（図７（Ｄ））、
積層体７０７から離型性フィルム７０４を剥離して積層
体７０８を形成し、積層体７０８の両面に金属箔７０９
を重ね（図７（Ｅ））、加熱加圧して圧着して積層体７
１０を形成し（図７（Ｆ））、その金属箔７０９に所望
の回路パターンを形成して両面回路基板７１１を製造す
る（図７（Ｇ））。

【００２６】（実施の形態６）図８（Ａ）〜（Ｇ）は実
施の形態６における両面回路基板の製造方法を模式化し
て示す断面図である。多孔質基材に熱硬化性樹脂を含浸
させて半硬化状態にしたコア絶縁材８０２の両面に、そ
の多孔質基材と空孔率の異なる多孔質基材に熱硬化性樹
脂を含浸させて半硬化状態にし、かつその片面に離型性
フィルム８０４を具備した絶縁材８０１および８０３を
その離型性フィルムが外側に位置するよう積層し（図８
（Ａ））、圧着して積層体８０５を形成し（図８
（Ｂ））、積層体８０５に貫通孔８０６を形成し（図８
（Ｃ））、導電性ペーストを充填して積層体８０７を形
成し（図８（Ｄ））、積層体８０７から離型性フィルム
８０４を剥離して積層体８０８を形成し、積層体８０８
の両面に金属箔８０９を重ね（図８（Ｅ））、加熱加圧
して圧着して積層体８１０を形成し（図８（Ｆ））、そ
の金属箔８０９に所望の回路パターンを形成して両面回
路基板８１１を製造する（図８（Ｇ））。

【００２７】実施の形態４〜６の製造方法において、必
ずしも実施の形態１の回路基板用絶縁材を用いなくとも
実施の形態２の構成の両面回路基板を得ることができ
る。したがって、これらの製造方法で得られる両面回路
基板は、実施の形態２で説明したものとまったく同様で
ある。したがって、実施の形態４〜６の製造方法は、部
品実装の際に回路基板の平坦性を容易に維持でき、かつ
インタースティシャルビア構造を有する高密度実装に極
めて優れ、かつ配線層と絶縁層との間の接着強度を向上
させた両面回路基板を提供するができる。なお、本発明
の両面回路基板の製造方法は、実施の形態４〜６の製造
方法の構成に限定されるものではなく、他の構成につい
ても同様の効果が得られる。また、本発明の両面回路基
板の製造方法は、６０２、７０２および８０２の絶縁材
に厚みの大きなものを使用できるが、その枚数を２枚以
上にしてももよく、両面回路基板の内層絶縁材の厚みを
その枚数によって変更することができる。さらにそれら
の絶縁材が同一の空孔率を有する必要はなく、所望の空
孔率のものを用いることができる。ただし、最外層の絶
縁材６０１および６０３、７０１および７０３、８０１
および８０３より、それら内層の絶縁材の空孔率が小さ
いことが好ましい。また、本発明の両面回路基板の製造
方法は、その最外層の絶縁材６０１および６０３、７０
１および７０３、８０１および８０３の多孔質基材の空
孔率が互いに同一であってもよい。

【００２８】次に本発明の多層回路基板の製造方法につ
いて説明する。本発明の多層回路基板を製造方法により
提供する。本発明の多層回路基板の製造方法は、本発明
の両面回路基板、多層回路基板または両面回路基板の製
造方法によって得られた両面回路基板の両面または片面
に、あらかじめ導電性ペーストを充填した貫通孔を具備
する絶縁材を積層し、さらにその絶縁材の外側に金属箔
を重ねる工程と、その金属箔を重ねた積層体を加熱加圧
して圧着する工程と、その金属箔に所望の回路パターン
を形成する工程とを有することを特徴とする。さらにこ
れらの工程を繰り返すことにより回路基板のさらなる多
層化ができる。また、本発明の多層回路基板の製造方法
は、あらかじめ導電性ペーストを充填した貫通孔を具備
する本発明の回路基板用絶縁材の両面または片面に、２
層以上からなる回路基板を積層して加熱加圧して圧着す
る工程とを有することを特徴とする。以下に本発明の多
層回路基板におけるその各実施の形態についてそれぞれ
図を用いて説明する。

【００２９】（実施の形態７）図９（Ａ）〜（Ｃ）は実
施の形態７における多層回路基板の製造方法を模式化し
て示す断面図である。実施の形態２の両面回路基板９０
１の両面に、あらかじめ導電性ペーストを充填した貫通
孔９０４を具備する絶縁材９０２を積層し、さらにその
外側に金属箔９０３を重ね（図９（Ａ））、加熱加圧し
て圧着して積層体９０５を形成し（図９（Ｂ））、その
金属箔９０３に所望の回路パターンを形成して多層回路
基板９０６を製造する（図９（Ｃ））。

【００３０】（実施の形態８）図１０（Ａ）〜（Ｂ）は
実施の形態８における多層回路基板の製造方法を模式化
して示す断面図である。あらかじめ導電性ペーストを充
填した貫通孔を具備する本発明の回路基板用絶縁材１０
０１の両面に両面回路基板１００２を積層し（図１０
（Ａ））、加熱加圧して圧着して多層回路基板１００３
を製造する（図１０（Ｂ））。

【００３１】実施の形態７および８において、実施の形
態３と同様の構成の多層回路基板を得ることができる。
したがって、部品実装の際に回路基板の平坦性を容易に
維持できる多層回路基板を提供することができる。さら
に、コア回路基板９０１および１００１がインターステ
ィシャルビア構造であるため、それに積層する絶縁層９
０２および１００２におけるインタースティシャルビア
を自由に配置することができる。したがって、高密度実
装に極めて優れた多層回路基板を提供できる。特に実施
の形態８の製造方法によれば、積層する回路基板１００
２の種類、厚み、層数等の限定はなく、あらゆる回路基
板を使用することができる。例えば、ファインラインが
形成された配線層を具備するような薄手の回路基板を積
層することができ、この場合極めて高密度実装に優れた
多層回路基板を提供できる。なお、本発明の多層回路基
板の製造方法は、実施の形態７および８の製造方法の構
成に限定されるものではなく、他の構成についても同様
の効果が得られる。特に実施の形態８の製造方法の場
合、１００２の絶縁材に厚みの大きなものを使用できる
が、その枚数を２枚以上にしてももよく、コア回路基板
の厚みをその枚数によって変更することができる。

【００３２】

【実施例】以下に本発明の回路基板用絶縁材、回路基板
およびその製造方法のそれぞれの具体的な実施例につい
て説明する。

【００３３】まず、本発明の回路基板用絶縁材の実施例
について説明する。

【００３４】（実施例１）デュポン社製のケブラー繊維
（繊維径１．５デニール、繊維長３ｍｍ）を用いて湿式
法によって抄造した後、温度３００℃でカレンダ処理を
行い、厚み２００μｍ、空孔率７０％のアラミド不織布
１枚と厚み１００μｍ、空孔率５０％のアラミド不織布
２枚とを作製した。次に作製した不織布それぞれにＦＲ
５相当のエポキシ樹脂を含浸し、１３０℃で３分乾燥す
ることにより半硬化状態のプリプレグ（絶縁材）を作製
した。そして、厚み２２０μｍになったプリプレグを厚
み１２０μｍになったプリプレグ２枚で挟持し、１２０
℃、圧力３ｋｇ／ｃｍ² で圧着して回路基板用絶縁材を
作製した。なお、ＦＲ５(National Electric Manufactu
rers Associationにおける"ANSI"規格のことで、室温で
曲げ強度、衝撃強度、層間接着強度の機械的強度が優
れ、常態および高湿度条件のもとでの誘電正接、耐電圧
がG-7(ガラスシリコンレジン)より良好、150℃１時間後
の曲げ強度が室温の５０％(150℃測定)）相当のエポキ
シ樹脂の組成は以下の通りであり、空孔率７０％のプリ
プレグで樹脂量６５％、空孔率５０％のプリプレグで樹
脂量４５％である。 （１）臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：３５重
量部(臭素量２３wt%)、エポキシ当量２７０） （２）３官能エポキシ樹脂：３５重量部(臭素量２３wt
%、エポキシ当量２７０) （３）フェノールノボラック型硬化剤：３０重量部（Ｏ
Ｈ当量１２０） （４）２−エチル−４−メチルイミダゾール：０．２重
量部 （実施例２）厚み２００μｍで空孔率８０％のアラミド
不織布１枚と厚み１００μｍで空孔率３０％のアラミド
不織布２枚を作製した以外は、実施例１と同様に回路基
板用絶縁材を作製した。なお、ＦＲ５相当の含浸量は、
空孔率８０％のプリプレグで樹脂量７５％、空孔率３０
％のプリプレグで樹脂量２０％である。

【００３５】（実施例３）実施例１記載の不織布の製造
方法で厚み１００μｍ、空孔率７０％のアラミド不織布
２枚と厚み１００μｍ、空孔率５０％のアラミド不織布
２枚とを作製した。次に実施例１と同様にそれぞれのプ
リプレグを作製した。そして、不織布の空孔率が７０％
である厚み１２０μｍになったプリプレグ２枚を張り合
わせ、それを空孔率が５０％である厚み１２０μｍにな
ったプリプレグ２枚で挟持し、実施例１記載の条件で圧
着して回路基板用絶縁材を作製した。なお、ＦＲ５相当
の含浸量は、空孔率７０％のプリプレグで６５％、空孔
率５０％のプリプレグで４５％である。

【００３６】（比較例１）実施例１記載の不織布の製造
方法で厚み４００μｍ、空孔率７０％のアラミド不織布
を作製した。次に実施例１と同様にそれぞれのプリプレ
グを作製して回路基板用絶縁材を得た。なお、ＦＲ５相
当の樹脂量６５％である。

【００３７】（比較例２）実施例１記載の不織布の製造
方法で厚み４００μｍ、空孔率５０％のアラミド不織布
を作製した。次に実施例１と同様にそれぞれのプリプレ
グを作製して回路基板用絶縁材を得た。なお、ＦＲ５相
当の樹脂量４５％である。

【００３８】上記の実施例１〜３および比較例１〜２の
それぞれを１８μｍの銅箔で挟持して、真空熱プレスに
より圧力５０ｋｇ／ｃｍ² 、温度２００℃で加熱加圧し
て銅張積層板を作製した。次にこれらの銅張積層板の銅
箔を第二塩化鉄３０％水溶液で全面エッチオフした。そ
して、これらのエッチオフされた絶縁材の厚みとプレス
前の回路基板用絶縁材の厚みとからその変化率を求め、
これを圧縮率という指標にして、実施例１〜３および比
較例１〜２における絶縁材の圧縮性を比較した。なお、
この圧縮率は、値が大きいほど成形時における圧縮量が
大きく圧縮性に優れることを示す。一方、それぞれの銅
張積層板を１ｃｍ幅で切り出し、それのピール強度を測
定した。ピール強度の測定法は、短冊状のサンプルを金
属の支持体に両面テープで接着し、被着面と反対側の銅
箔を支持体に対して９０°の角度で引張り、その時の引
張り強度をピール強度とした。各実施例の回路基板用絶
縁材の圧縮率および銅張積層版のピール強度を表１に示
す。

【００３９】

【表１】

【００４０】表１に示したように補強材の空孔率が大き
な回路基板用絶縁材を用いた比較例１は、圧縮率は十分
であるが、ピール強度が小さい。一方、補強材の空孔率
が小さな回路基板用絶縁材を用いた比較例２は、ピール
強度は十分であるが、圧縮率が小さい。先に説明したよ
うに圧縮率と接着強度とは相反する関係にあることがわ
かる。実施例１〜３について、圧縮率およびピール強度
ともに十分であることは明らかである。すなわち、本発
明の回路基板用絶縁材は、十分な圧縮性を有し、かつ接
着強度も確保できる絶縁層を形成できる。実施例１およ
び３において、その相違点は内層に位置する絶縁材が１
枚または２枚ということである。表１より、内層の層数
が異なっていても同様の効果が得られることは明らかで
ある。なお、本発明は、実施例で示した構成のみに限定
されるものではなく、補強材に熱硬化性樹脂を含浸させ
て半硬化状態にした絶縁材であって、その補強材が３層
以上の多孔質基材からなり、かつそれらの多孔質基材の
空孔率が最外層と内層とで異なる構成の回路基板用絶縁
材であれば、どのような構成であってもよいことは勿論
である。

【００４１】次に本発明の両面回路基板およびその製造
方法の実施例について説明する。

【００４２】（実施例４）デュポン社製のケブラー繊維
（繊維径１．５デニール、繊維長３ｍｍ）を用いて湿式
法によって抄造した厚み２００μｍ、空孔率７０％のア
ラミド不織布１枚と、厚み１００μｍ、空孔率５０％の
アラミド不織布２枚のそれぞれににＦＲ５相当のエポキ
シ樹脂を含浸し半硬化状態にしたプリプレグを準備し
た。なお、ＦＲ５相当のエポキシ樹脂は、空孔率７０％
のプリプレグで樹脂量６５％、空孔率５０％のプリプレ
グで樹脂量４５％である。そして、不織布の空孔率が７
０％であるプリプレグを不織布の空孔率が５０％である
プリプレグ２枚で挟持し、１２０℃、圧力３ｋｇ／ｃｍ
² で圧着した。次にこの積層体の両面にポリエチレンテ
レフタレート（ＰＥＴ）フィルムを１３０℃、圧力２ｋ
ｇ／ｃｍ² で圧着し、続いて所望の位置に炭酸ガスレー
ザーで直径２００μｍの貫通孔を形成した。次に銅粉
（平均粒径５μｍ）が８７．５重量部と、ビスフェノー
ルＦ型エポキシ樹脂が３．０重量部と、ダイマー酸をグ
リシジルエステル化したエポキシ樹脂が７．０重量部
と、アミンアダクト型硬化剤が２．５重量部の組成から
なる導電性ペーストを、印刷法でその貫通孔に充填した
後、両面のＰＥＴフィルムを６０℃の温度で剥離した。
そして、これを１８μｍの銅箔で挟持した後、真空熱プ
レスにより圧力５０ｋｇ／ｃｍ² 、温度２００℃で加熱
加圧して銅張積層板を作製した。この銅張積層板をエッ
チング法にて所望の配線パターンを形成して、両面回路
基板を作製した。

【００４３】（実施例５）厚み２００μｍで空孔率８０
％のアラミド不織布１枚と厚み１００μｍで空孔率３０
％のアラミド不織布２枚を補強材としたプリプレグをそ
れぞれ用いた以外は、実施例４と同様に両面回路基板を
作製した。なお、ＦＲ５相当の含浸量は、空孔率８０％
のプリプレグで樹脂量７５％、空孔率３０％のプリプレ
グで樹脂量２０％である。

【００４４】（実施例６）厚み１００μｍ、空孔率７０
％のアラミド不織布２枚と厚み１００μｍ、空孔率５０
％のアラミド不織布２枚とを補強材としたプリプレグを
それぞれ準備した。不織布の空孔率が７０％であるプリ
プレグ２枚を張り合わせ、さらにそれを不織布の空孔率
が５０％であるプリプレグ２枚で挟持して１２０℃、圧
力３ｋｇ／ｃｍ² で圧着した以外は、実施例４と同様に
両面回路基板を作製した。なお、ＦＲ５相当の含浸量
は、空孔率７０％のプリプレグで６５％、空孔率５０％
のプリプレグで４５％である。 （実施例７）デュポン社製のケブラー繊維（繊維径１．
５デニール、繊維長３ｍｍ）を用いて湿式法によって抄
造した厚み２００μｍ、空孔率７０％のアラミド不織布
１枚と、厚み１００μｍ、空孔率５０％のアラミド不織
布２枚のそれぞれににＦＲ５相当のエポキシ樹脂を含浸
し半硬化状態にしたプリプレグを準備した。なお、ＦＲ
５相当のエポキシ樹脂は、空孔率７０％のプリプレグで
樹脂量６５％、空孔率５０％のプリプレグで樹脂量４５
％である。そして、不織布の空孔率が７０％であるプリ
プレグを不織布の空孔率が５０％であるプリプレグ２枚
で挟持し、さらにその両面にＰＥＴフィルムを積層し、
これを１３０℃、圧力２ｋｇ／ｃｍ² で圧着した。続い
て所望の位置に炭酸ガスレーザーで直径２００μｍの貫
通孔を形成した。次に実施例４の組成からなる導電性ペ
ーストを印刷法でその貫通孔に充填した後、両面のＰＥ
Ｔフィルムを６０℃の温度で剥離した。そして、これを
１８μｍの銅箔で挟持した後、真空熱プレスにより圧力
５０ｋｇ／ｃｍ² 、温度２００℃で加熱加圧して銅張積
層版板を作製した。この銅張積層板をエッチング法にて
所望の配線パターンを形成して、両面回路基板を作製し
た。

【００４５】（実施例８）厚み２００μｍで空孔率８０
％のアラミド不織布１枚と厚み１００μｍで空孔率３０
％のアラミド不織布２枚を補強材としたプリプレグをそ
れぞれ用いた以外は、実施例７と同様に両面回路基板を
作製した。なお、ＦＲ５相当の含浸量は、空孔率８０％
のプリプレグで樹脂量７５％、空孔率３０％のプリプレ
グで樹脂量２０％である。

【００４６】（実施例９）厚み１００μｍ、空孔率７０
％のアラミド不織布２枚と厚み１００μｍ、空孔率５０
％のアラミド不織布２枚とを補強材としたプリプレグを
それぞれ準備した。不織布の空孔率が７０％であるプリ
プレグ２枚を張り合わせ、さらにそれを不織布の空孔率
が５０％であるプリプレグ２枚で挟持した以外は、実施
例７と同様に両面回路基板を作製した。なお、ＦＲ５相
当の含浸量は、空孔率７０％のプリプレグで６５％、空
孔率５０％のプリプレグで４５％である。

【００４７】（実施例１０）デュポン社製のケブラー繊
維（繊維径１．５デニール、繊維長３ｍｍ）を用いて湿
式法によって抄造した厚み２００μｍ、空孔率７０％の
アラミド不織布１枚と、厚み１００μｍ、空孔率５０％
のアラミド不織布２枚のそれぞれににＦＲ５相当のエポ
キシ樹脂を含浸し半硬化状態にしたプリプレグを準備し
た。なお、ＦＲ５相当のエポキシ樹脂は、空孔率７０％
のプリプレグで樹脂量６５％、空孔率５０％のプリプレ
グで樹脂量４５％である。さらに不織布の空孔率が５０
％であるプリプレグの片面にＰＥＴフィルムを１３０
℃、圧力２ｋｇ／ｃｍ² のプレスにて圧着した。そし
て、不織布の空孔率が７０％であるプリプレグの両面に
ＰＥＴフィルムを片面に具備した不織布の空孔率が５０
％であるプリプレグ２枚でＰＥＴ面を外側にして挟持
し、これを１３０℃、圧力２ｋｇ／ｃｍ² で圧着した。
続いて所望の位置に炭酸ガスレーザーで直径２００μｍ
の貫通孔を形成し、実施例４の組成からなる導電性ペー
ストを印刷法でその貫通孔に充填した後、両面のＰＥＴ
フィルムを６０℃の温度で剥離した。そして、これを１
８μｍの銅箔で挟持した後、真空熱プレスにより圧力５
０ｋｇ／ｃｍ² 、温度２００℃で加熱加圧して銅張積層
板を作製した。この銅張積層板をエッチング法にて所望
の配線パターンを形成して、両面回路基板を作製した。

【００４８】（実施例１１）厚み２００μｍで空孔率８
０％のアラミド不織布１枚と厚み１００μｍで空孔率３
０％のアラミド不織布２枚を補強材としたプリプレグを
それぞれ用いた以外は、実施例１０と同様に両面回路基
板を作製した。なお、ＦＲ５相当の含浸量は、空孔率８
０％のプリプレグで樹脂量７５％、空孔率３０％のプリ
プレグで樹脂量２０％である。

【００４９】（実施例１２）厚み１００μｍ、空孔率７
０％のアラミド不織布２枚と厚み１００μｍ、空孔率５
０％のアラミド不織布２枚とを補強材としたプリプレグ
をそれぞれ準備した。次に不織布の空孔率５０％である
プリプレグの片面にＰＥＴフィルムを１３０℃、圧力２
ｋｇ／ｃｍ² のプレスにて圧着し、不織布の空孔率が８
０％であるプリプレグを張り合わせた積層体の両面に片
面にＰＥＴフィルムを具備したプリプレグ２枚でＰＥＴ
面を外側にして挟持した以外は、実施例１０と同様に両
面回路基板を作製した。なお、ＦＲ５相当の含浸量は、
空孔率７０％のプリプレグで６５％、空孔率５０％のプ
リプレグで４５％である。

【００５０】（比較例３）デュポン社製のケブラー繊維
（繊維径１．５デニール、繊維長３ｍｍ）を用いて湿式
法によって抄造した厚み４００μｍ、空孔率７０％のア
ラミド不織布にＦＲ５相当のエポキシ樹脂を含浸し半硬
化状態にしたプリプレグを準備した。なお、ＦＲ５相当
のエポキシ樹脂は樹脂量６５％である。そして、このプ
リプレグの両面にＰＥＴフィルムを１３０℃、圧力２ｋ
ｇ／ｃｍ² で圧着し、続いて所望の位置に炭酸ガスレー
ザーで直径２００μｍの貫通孔を形成した。次に実施例
４の組成からなる導電性ペーストを印刷法でその貫通孔
に充填した後、両面のＰＥＴフィルムを６０℃の温度で
剥離した。そして、これを１８μｍの銅箔で挟持した
後、真空熱プレスにより圧力５０ｋｇ／ｃｍ² 、温度２
００℃で加熱加圧して銅張積層版を作製した。この銅張
積層版をエッチング法にて所望の配線パターンを形成し
て、両面回路基板を作製した。

【００５１】（比較例４）デュポン社製のケブラー繊維
（繊維径１．５デニール、繊維長３ｍｍ）を用いて湿式
法によって抄造した厚み４００μｍ、空孔率５０％のア
ラミド不織布を補強材としたプリプレグを用いた以外
は、比較例３と同様に両面回路基板を作製した。

【００５２】実施例４〜１２および比較例３〜４の両面
回路基板について、それぞれのビアホールの初期抵抗値
と液槽熱衝撃試験後における初期からの抵抗変化率の評
価結果を表２にまとめた。なお、各実施例および各比較
例の両面回路基板は、５００穴のビアホールを有してお
り、それらは配線層を介して直列になっている。また、
熱衝撃試験は、−５５℃〜１５０℃を１サイクルとし
て、それを１０００サイクル繰り返した。

【００５３】

【表２】 表２より、比較例４のみ初期抵抗が１０ｍΩを越えてい
る。これは絶縁材の圧縮率が不十分であり、その結果導
電性ペースト中の銅粉の充填度合いが小さくなるためで
ある。その他の両面回路基板については、それらの初期
抵抗値は十分小さく、絶縁材の圧縮率が十分大きいため
導電性ペースト中の銅粉の充填がよくなっていると思わ
れる。

【００５４】次に各両面回路基板の信頼性であるが、表
２の熱衝撃試験後の抵抗値変化率をみると比較例３およ
び４のみ５０％を越えている。比較例４の場合は、上記
したように導電性ペースト中の銅粉の充填度合いが小さ
いため、ペースト中において銅粉周囲の樹脂層が熱衝撃
によるストレスで劣化するためと考えられる。一方、比
較例３の場合は、表２における各実施例の両面回路基板
と異なり、配線層と絶縁層との間に樹脂層が薄いため、
その接着強度が小さくなる。したがって、熱衝撃による
ストレスでビアホール周辺の配線層と絶縁層との間にク
ラック等が発生することが考えられる。これら比較例に
対して、実施例４〜１２の両面回路基板は、そのビアホ
ールの初期抵抗値が十分に小さく、かつ熱衝撃試験の評
価結果からビアホールの電気接続が安定であることは明
らかである。以上より、本発明の両面回路基板は、厚み
に限定がないため、その厚みを大きくすることにより基
板の剛直性を確保することができ、かつ信頼性の優れた
インタースティシャルビアを有する両面回路基板を提供
することができる。なお、本発明は、実施例で示した構
成のみに限定されるものではなく、絶縁層の両面に配線
層を具備し、かつインタースティシャルビアによりそれ
ら配線層間を電気的に接続した構成で、その絶縁層が３
層以上の多孔質基材に熱硬化性樹脂を含浸硬化した複合
材からなる両面回路基板であればよい。また、両面回路
基板の製造方法においても実施例で示した材料に限定さ
れるものではない。

【００５５】次に本発明の多層回路基板およびその製造
方法の実施例について説明する。

【００５６】（実施例１３）あらかじめ実施例４の導電
性ペーストが直径５０μｍの貫通孔に充填された両面接
着剤付きポリイミドフィルム2枚で実施例４の両面回路
基板を挟持し、さらにその外側を１８μｍの銅箔で挟持
した後、真空熱プレスにより圧力５０ｋｇ／ｃｍ² 、温
度２００℃で加熱加圧して銅張積層版を作製した。この
銅張積層版をエッチング法にて所望の配線パターンを形
成して、多層回路基板を作製した。

【００５７】（実施例１４）実施例５の両面回路基板を
用いた以外は、実施例１３と同様に多層回路基板を作製
した。

【００５８】（実施例１５）実施例６の両面回路基板を
用いた以外は、実施例１３と同様に多層回路基板を作製
した。

【００５９】（実施例１６）実施例７の両面回路基板を
用いた以外は、実施例１３と同様に多層回路基板を作製
した。

【００６０】（実施例１７）実施例１０の両面回路基板
を用いた以外は、実施例１３と同様に多層回路基板を作
製した。

【００６１】（実施例１８）実施例４の両面回路基板の
両面にエポキシ樹脂を５０μｍ塗布して乾燥硬化したの
ち、所望の位置に炭酸ガスレーザーでビアホールを形成
した。次にめっき法でビアおよび配線層を形成して多層
回路基板を作製した。

【００６２】（実施例１９）まず、フィルム絶縁層の両
面に配線層を具備し、かつその層間の電気的接続をめっ
きビアによって確保された両面回路基板を２枚準備し
た。そして、実施例１の回路基板用絶縁材の両面をその
フィルム両面回路基板で挟持し、真空熱プレスにより圧
力５０ｋｇ／ｃｍ² 、温度２００℃で加熱加圧して多層
回路基板を作製した。

【００６３】実施例１３〜１９の多層回路基板につい
て、その部品実装性についてそれぞれ２０個づつ確認
し、ダミーチップのバンプ電極と多層回路基板とを導電
性接着剤で実装する際の歩留まりを評価した。その結
果、各実施例の多層回路基板は、実装時にそり、ねじれ
等は起こらず、極めて良好に実装ができた。歩留まりと
してはほぼ１００％に近いものであった。そして、実装
部位および多層回路基板中のビアホールの電気的接続を
確認したところ、断線、異常抵抗等の不良はまったく見
られなかった。以上より、本発明の多層回路基板は、剛
直かつインタースティシャルビアを有する回路基板をコ
アとしているため、実装性に極めて優れた多層回路基板
を提供することができる。また、コア回路基板がインタ
ースティシャルビア構造であるため、その実装密度も極
めて高い。なお、本発明は、実施例で示した構成のみに
限定されるものではなく、絶縁層の両面に配線層を具備
し、かつインタースティシャルビアによりそれら配線層
間を電気的に接続した構成をコア回路基板として、その
両面または片面にインタースティシャルビアによりコア
回路基板の配線層と電気的に接続した配線層を具備した
絶縁層を１以上積層した構成で、そのコア回路基板の絶
縁層が３層以上の多孔質基材に熱硬化性樹脂を含浸硬化
した複合材からなればよい。また、両面回路基板の製造
方法においても実施例で示した材料に限定されるもので
はない。

【００６４】

【発明の効果】以上説明したように本発明の回路基板用
絶縁材は、回路基板作製時のプレス成形時にこの絶縁材
を十分に圧縮することができ、かつ絶縁材の厚みが大き
い方に限定されない。特に導電性ペーストによる層間電
気接続を確保しているインタースティシャルビア構造の
回路基板において、プレス成形時にその絶縁材が圧縮さ
れるのと同時にインタースティシャルビアの導電性ペー
ストも十分に圧縮され、導電物質の充填性が向上するた
め、ビアホールの抵抗値を低くでき、かつ安定化でき
る。さらに絶縁材の最表層に樹脂層を容易に形成するこ
とができるため、配線層と絶縁層との接着強度を向上さ
せることができ、かつこの回路基板用絶縁材を回路基板
の多層化に用いた場合、その樹脂層が配線層の凹凸を埋
め込むことができる。その結果、回路基板の平滑性を確
保できる。したがって、本発明の回路基板用絶縁材を用
いれば、基板剛性が大きく、かつ十分な配線接着強度で
あり、かつ安定した電気接続であるインタースティシャ
ルビア構造の回路基板を提供でき、さらにインターステ
ィシャルビア構造の回路基板の多層化も容易である。

【００６５】また、本発明の両面回路基板は、絶縁層の
両面に配線層を具備し、かつインタースティシャルビア
によりそれら配線層間を電気的に接続した構成の両面回
路基板であって、その絶縁層が３層以上の多孔質基材に
熱硬化性樹脂を含浸した複合材からなり、かつそれら多
孔質基材の空孔率が最外層と内層とで異なる。この構成
であれば、十分な剛性を有しているため部品実装の際に
その回路基板の平坦性を容易に維持でき、かつインター
スティシャルビア構造を有するため高密度実装に極めて
優れた両面回路基板を提供することができる。

【００６６】また、本発明の多層回路基板は、本発明の
両面回路基板の両面または片面に、インタースティシャ
ルビアにより両面回路基板の配線層と電気的に接続した
配線層を具備した絶縁層を１層以上積層することによ
り、本発明の両面回路基板をコア回路基板として用いて
いるため、インタースティシャルビア構造の効果により
多積層化するための絶縁層のインタースティシャルビア
を自由に配置することができる。さらにコア回路基板は
上記したような効果が同様に得られるため、基板剛性お
よび層間接着性に優れる。すなわち、十分な剛性を有
し、かつ高密度実装に極めて優れた多層回路基板を提供
できる。

【００６７】また、本発明の両面回路基板の製造方法に
よって、本発明の両面回路基板の構成を容易に作製する
ことができる。この製造方法によって作製された両面回
路基板は、上記した両面回路基板と同様の効果を得るこ
とができる。

【００６８】また、本発明の多層回路基板の製造方法に
よって、本発明の多層回路基板の構成を容易に作製する
ことができる。この製造方法によって作製された多層回
路基板は、上記した多層回路基板と同様の効果を得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のビルドアップ方式ガラスエポキシ回路基
板を模式化して示す断面図。

【図２】従来の全層インタースティシャルビア構造の回
路基板を模式化して示す断面図。

【図３】本発明の実施の形態１の構成を模式化した断面
図。

【図４】本発明の実施の形態２の構成を模式化した断面
図。

【図５】本発明の実施の形態３の構成を模式化した断面
図。

【図６】(A)-(H)は本発明の実施の形態４の製造方法を
模式化した断面図。

【図７】(A)-(G)は本発明の実施の形態５の製造方法を
模式化した断面図。

【図８】(A)-(G)は本発明の実施の形態６の製造方法を
模式化した断面図。

【図９】(A)-(C)は本発明の実施の形態７の製造方法を
模式化した断面図。

【図１０】(A)-(B)は本発明の実施の形態８の製造方法
を模式化した断面図。

【符号の説明】

1 ガラスエポキシ回路基板 2,3 絶縁層 4 めっきビア 5 スルーホール 10 ビルトアップ方式ガラスエポキシ回路基板 11 絶縁層（絶縁材） 12 導電性ペーストからなるインタースティシャルビア
ホール 20 全層インタースティシャルビア構造を有する多層回
路基板 301,302,303,601,602,603,701,702,703,801,802,803
多孔質基材に熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態にし
た絶縁材 401,402,403 多孔質基材に熱硬化性樹脂を含浸させて
硬化した絶縁材 405 導電性ペーストからなるインタースティシャルビ
アホール 404,502,504 配線層 501,612,711,811,901 本発明の両面回路基板 503,902 絶縁材 505 インタースティシャルビアホール 604 絶縁材のみからなる積層体 605,704,804 離型性フィルム 606,705,805 離型性フィルムを具備した積層体 607,706,806 貫通孔 608,707,807 導電性ペースト充填された貫通孔および
離形性フィルムを具備した積層体 609,708,808,1001 導電性ペーストが充填された貫通孔
を具備した回路基板用絶縁材 610,709,809,903 金属箔 611,710,810 金属箔が圧着され、かつインタースティ
シャルビアホールを具備する積層体 904 導電性ペーストが充填された貫通孔 905 多層積層体 906,1003 本発明の多層回路基板 1002 両面回路基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/40 Ｈ０５Ｋ 3/40 Ｋ 3/46 3/46 Ｔ Ｓ Ｎ Ｇ Ｆターム(参考） 4E351 AA03 AA04 BB01 BB30 BB31 BB33 BB49 CC12 CC19 CC22 DD04 DD05 DD06 DD21 DD22 DD41 DD52 DD54 EE01 EE06 EE11 GG01 GG02 GG20 5E317 AA24 BB02 BB03 BB12 BB13 BB14 BB18 BB19 BB25 CC22 CC25 CC31 CD21 CD32 GG01 GG03 GG14 GG16 5E346 AA02 AA06 AA12 AA15 AA43 BB01 CC05 CC08 CC09 CC10 CC12 CC13 CC32 CC38 CC39 DD02 DD12 DD32 EE02 EE06 EE07 EE13 FF18 FF35 GG15 GG19 GG28 HH02 HH07 HH11

Claims (29)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 補強材に熱硬化性樹脂を含浸させて半硬
   化状態にした絶縁材であって、前記補強材が３層以上の
   多孔質基材からなり、かつ前記多孔質基材の空孔率が最
   外層と内層とで異なることを特徴とする回路基板用絶縁
   材。
2. 【請求項２】 最外層の多孔質基材の空孔率が内層より
   小さい請求項１に記載の回路基板用絶縁材。
3. 【請求項３】 最外層の多孔質基材の空孔率が１０〜６
   ０vol.%の範囲である請求項２に記載の回路基板用絶縁
   材。
4. 【請求項４】 熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、フェノ
   ール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、メラミン
   樹脂及びポリエステル樹脂から選ばれる少なくとも１種
   である請求項１〜３のいずれかに記載の回路基板用絶縁
   材。
5. 【請求項５】 多孔質基材が有機材料を主成分とする請
   求項１〜４のいずれかに記載の回路基板用絶縁材。
6. 【請求項６】 有機材料が全芳香族ポリアミド、全芳香
   族ポリエステル、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサ
   ゾール及びポリパラフェニレンベンゾビスチアゾールか
   ら選ばれる少なくとも１種である請求項５に記載の回路
   基板用絶縁材。
7. 【請求項７】 絶縁層の両面に配線層を具備し、かつイ
   ンタースティシャルビアにより前記配線層間を電気的に
   接続した両面回路基板であって、前記絶縁層が３層以上
   の多孔質基材からなり、かつ前記多孔質基材の空孔率が
   最外層と内層とで異なることを特徴とする両面回路基
   板。
8. 【請求項８】 最外層の多孔質基材の空孔率が内層より
   小さい請求項７に記載の両面回路基板。
9. 【請求項９】 最外層の多孔質基材の空孔率が１０〜６
   ０vol.%の範囲である請求項８に記載の両面回路基板。
10. 【請求項１０】 インタースティシャルビアが導電物質
    と熱硬化性樹脂の複合材からなる請求項７〜９のいずれ
    かに記載の両面回路基板。
11. 【請求項１１】 導電物質が、銀、金、銀パラジウム、
    銅およびこれらの合金の内の１種以上選ばれる請求項１
    ０に記載の両面回路基板。
12. 【請求項１２】 熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、フェ
    ノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、メラミ
    ン樹脂及びポリエステル樹脂から選ばれる少なくとも１
    種である請求項７〜１１のいずれかに記載の両面回路基
    板。
13. 【請求項１３】 多孔質基材が有機材料を主成分とする
    請求項７〜１１のいずれかに記載の両面回路基板。
14. 【請求項１４】 有機材料が全芳香族ポリアミド、全芳
    香族ポリエステル、ポリパラフェニレンベンゾビスオキ
    サゾール及びポリパラフェニレンベンゾビスチアゾール
    から選ばれる少なくとも１種である請求項１３に記載の
    両面回路基板。
15. 【請求項１５】 請求項７〜１４のいずれかに記載の回
    路基板の両面または片面に、インタースティシャルビア
    により前記配線層と電気的に接続した配線層を具備した
    絶縁層を１層以上積層した多層回路基板。
16. 【請求項１６】 インタースティシャルビアが導電物質
    と熱硬化性樹脂の複合材からなる請求項１５に記載の多
    層回路基板。
17. 【請求項１７】 導電物質が、銀、金、銀パラジウム、
    銅およびこれらの合金から選ばれる少なくとも１種であ
    る請求項１６に記載の多層回路基板。
18. 【請求項１８】 多孔質基材に熱硬化性樹脂を含浸させ
    て半硬化状態にした絶縁材の１枚以上からなるコア絶縁
    材の両面に、前記多孔質基材と空孔率の異なる多孔質基
    材に熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態にした絶縁材
    を積層圧着して積層体を形成し、 前記積層体の両面に離型性フィルムを圧着し、 離型性フィルムを具備した前記積層体に貫通孔を形成
    し、 前記貫通孔に導電性ペーストを充填し、 前記貫通孔に前記導電性ペーストを充填した前記積層体
    から前記離型性フィルムを剥離し、 前記離型性フィルムを剥離した前記積層体の両面に金属
    箔を重ね、 前記金属箔を重ねた前記積層体を加熱加圧して圧着し、 前記金属箔に所望の配線パターンを形成することを特徴
    とする両面回路基板の製造方法。
19. 【請求項１９】 多孔質基材に熱硬化性樹脂を含浸させ
    て半硬化状態にした絶縁材の１枚以上からなるコア絶縁
    材の両面に、前記多孔質基材と空孔率の異なる多孔質基
    材に熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態にした絶縁材
    を積層し、さらにその両外側に離型性フィルムを積層し
    圧着して積層体を形成し、 前記積層体に貫通孔を形成し、 前記貫通孔に導電性ペーストを充填し、 前記貫通孔に前記導電性ペーストを充填した前記積層体
    から前記離型性フィルムを剥離し、 前記離型性フィルムを剥離した前記積層体の両面に金属
    箔を重ね、 前記金属箔を重ねた前記積層体を加熱加圧して圧着し、 前記金属箔に所望の配線パターンを形成することを特徴
    とする両面回路基板の製造方法。
20. 【請求項２０】 多孔質基材に熱硬化性樹脂を含浸させ
    て半硬化状態にした絶縁材の１枚以上からなるコア絶縁
    材の両面に、前記多孔質基材と空孔率の異なる多孔質基
    材に熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態にし、かつそ
    の片面に離型性フィルムを具備した絶縁材を、前記離型
    性フィルムが外側に位置するよう積層圧着し、 離形性フィルムを具備した前記積層体に貫通孔を形成
    し、 前記貫通孔に導電性ペーストを充填し、 前記貫通孔に前記導電性ペーストを充填した前記積層体
    から前記離型性フィルムを剥離し、 前記離型性フィルムを剥離した前記積層体の両面に金属
    箔を重ね、 前記金属箔を重ねた前記積層体を加熱加圧して圧着し、 前記金属箔に所望の配線パターンを形成することを特徴
    とする両面回路基板の製造方法。
21. 【請求項２１】 コア絶縁材の両面に積層する絶縁材の
    多孔質基材の空孔率が、前記コア絶縁材の多孔質基材の
    空孔率より小さい請求項１８〜２０のいずれかに記載の
    両面回路基板の製造方法。
22. 【請求項２２】 コア絶縁材の両面に積層する絶縁材の
    多孔質基材の空孔率が、１０〜６０％である請求項２１
    に記載の両面回路基板の製造方法。
23. 【請求項２３】 導電性ペーストが、導電物質と熱硬化
    性樹脂の複合材からなる請求項１８〜２２のいずれかに
    記載の両面回路基板の製造方法。
24. 【請求項２４】 導電物質が、銀、金、銀パラジウム、
    銅およびこれらの合金から選ばれる少なくとも１種であ
    る請求項２３に記載の両面回路基板の製造方法。
25. 【請求項２５】 多孔質基材が有機材料を主成分とする
    請求項１８〜２４のいずれかに記載の両面回路基板の製
    造方法。
26. 【請求項２６】 有機材料が全芳香族ポリアミド、全芳
    香族ポリエステル、ポリパラフェニレンベンゾビスオキ
    サゾール、ポリパラフェニレンベンゾビスチアゾールか
    選ばれるら少なくとも１種である請求項２５に記載の両
    面回路基板の製造方法。
27. 【請求項２７】 熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂、フェノ
    ール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、メラミン
    樹脂及びポリエステル樹脂から選ばれる少なくとも１種
    である請求項１８〜２６のいずれかに記載の両面回路基
    板の製造方法。
28. 【請求項２８】 請求項７〜１７のいずれかに記載の回
    路基板の両面または片面に、あらかじめ導電性ペースト
    を充填した貫通孔を具備する絶縁材を積層し、さらに前
    記絶縁材の外側に金属箔を重ね、前記金属箔を重ねた前
    記積層体を加熱加圧して圧着し、前記金属箔に所望の配
    線パターンを形成する多層回路基板の製造方法。
29. 【請求項２９】 あらかじめ導電性ペーストを充填した
    貫通孔を具備する請求項１〜６のいずれかに記載の回路
    基板用絶縁材の両面あるいは片面に、２層以上からなる
    回路基板を積層し、前記積層体を加熱加圧して圧着する
    多層回路基板の製造方法。