JP2002141626A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JP2002141626A JP2002141626A JP2000331545A JP2000331545A JP2002141626A JP 2002141626 A JP2002141626 A JP 2002141626A JP 2000331545 A JP2000331545 A JP 2000331545A JP 2000331545 A JP2000331545 A JP 2000331545A JP 2002141626 A JP2002141626 A JP 2002141626A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】貫通孔の内面全面で薄膜導体層の厚さを略均一
にして信号の伝送損失を小さくでき、また貫通孔の両開
口端部とも貫通孔の内面と絶縁基板の主面とのなす角の
角度が鋭角になっていないため、両開口端部で薄膜導体
層が薄くなったり欠け等が生じ難くなり、薄膜導体層が
断線したり導通不良を起こすのを防ぐようにすること。 【解決手段】絶縁基板１と、絶縁基板１の表面に形成さ
れた薄膜配線導体層２と、絶縁基板１に形成された貫通
孔４の内面に被着され、薄膜配線導体層２に接続された
薄膜薄膜導体層３とを有し、貫通孔４は、絶縁基板１の
両主面における開口の幅が異なり、一方の開口から開口
の幅の１／２〜２倍の深さまで筒状部４ａとされ、かつ
筒状部４ａから他方の開口に向かって幅が漸次広がって
いる。
にして信号の伝送損失を小さくでき、また貫通孔の両開
口端部とも貫通孔の内面と絶縁基板の主面とのなす角の
角度が鋭角になっていないため、両開口端部で薄膜導体
層が薄くなったり欠け等が生じ難くなり、薄膜導体層が
断線したり導通不良を起こすのを防ぐようにすること。 【解決手段】絶縁基板１と、絶縁基板１の表面に形成さ
れた薄膜配線導体層２と、絶縁基板１に形成された貫通
孔４の内面に被着され、薄膜配線導体層２に接続された
薄膜薄膜導体層３とを有し、貫通孔４は、絶縁基板１の
両主面における開口の幅が異なり、一方の開口から開口
の幅の１／２〜２倍の深さまで筒状部４ａとされ、かつ
筒状部４ａから他方の開口に向かって幅が漸次広がって
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁基板の両主面
に形成された薄膜配線導体層間を導通させるための貫通
孔を有する配線基板に関する。
に形成された薄膜配線導体層間を導通させるための貫通
孔を有する配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
素子等を搭載する配線基板は、絶縁基板用のセラミック
グリーンシートの所定位置に打ち抜き法により貫通孔を
形成し、その貫通孔内およびセラミックグリーンシート
の表面にタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）等か
らなる金属ペーストをスクリーン印刷法により所定パタ
ーンに印刷塗布し、その後約１６００℃の温度の還元雰
囲気中で焼成することによって、絶縁基板の表面に形成
された配線導体層と貫通孔の内面に被着された導体層と
が形成される。
素子等を搭載する配線基板は、絶縁基板用のセラミック
グリーンシートの所定位置に打ち抜き法により貫通孔を
形成し、その貫通孔内およびセラミックグリーンシート
の表面にタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）等か
らなる金属ペーストをスクリーン印刷法により所定パタ
ーンに印刷塗布し、その後約１６００℃の温度の還元雰
囲気中で焼成することによって、絶縁基板の表面に形成
された配線導体層と貫通孔の内面に被着された導体層と
が形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板においては、配線導体層および導体層がス
クリーン印刷法によって形成されるため、その微細化が
困難であり、高密度に形成することが出来ないという問
題点を有していた。
来の配線基板においては、配線導体層および導体層がス
クリーン印刷法によって形成されるため、その微細化が
困難であり、高密度に形成することが出来ないという問
題点を有していた。
【０００４】この問題点を解決するために、配線導体層
および導体層をスクリーン印刷法等の厚膜形成法を用い
て形成するのに代えて、微細化が可能なスパッタリング
法等の薄膜形成法を用いて薄膜配線導体層および貫通孔
内の薄膜導体層を形成することが考えられる。しかし、
さらなる配線基板の小型化、高密度化の要求に対しては
貫通孔の径を小さくすることで対応できるが、貫通孔の
径を小さくすると、アスペクト比｛（貫通孔の幅）／
（貫通孔の深さ）｝が小さくなり、即ち貫通孔が細長い
形状となり、イオンプレーティング法、真空蒸着法、ス
パッタリング法等の薄膜形成法では貫通孔の内面への薄
膜導体層の付き廻りが悪くなって、薄膜導体層に断線や
導通不良が発生するという問題点があった。
および導体層をスクリーン印刷法等の厚膜形成法を用い
て形成するのに代えて、微細化が可能なスパッタリング
法等の薄膜形成法を用いて薄膜配線導体層および貫通孔
内の薄膜導体層を形成することが考えられる。しかし、
さらなる配線基板の小型化、高密度化の要求に対しては
貫通孔の径を小さくすることで対応できるが、貫通孔の
径を小さくすると、アスペクト比｛（貫通孔の幅）／
（貫通孔の深さ）｝が小さくなり、即ち貫通孔が細長い
形状となり、イオンプレーティング法、真空蒸着法、ス
パッタリング法等の薄膜形成法では貫通孔の内面への薄
膜導体層の付き廻りが悪くなって、薄膜導体層に断線や
導通不良が発生するという問題点があった。
【０００５】本出願人は、上記問題を解決するために、
貫通孔の形状をその径が長さ方向の中央域から両開口端
に向かって順次広がっている構造としたもの、また貫通
孔の径が一方の開口端から他方の開口端に向かって順次
広がっている構造としたものを提案した（特開平１１−
２４３２６７号公報参照）。このように、貫通孔の内面
の中央部を開口端よりも内側に突出させた凸状にした
り、あるいは貫通孔の内面に傾斜を持たせたことから、
薄膜形成法によって薄膜導体層を被着させると、貫通孔
の内面への薄膜導体層の付き廻りが良くなって薄膜導体
層に断線や導通不良が発生するのが有効に防止される。
貫通孔の形状をその径が長さ方向の中央域から両開口端
に向かって順次広がっている構造としたもの、また貫通
孔の径が一方の開口端から他方の開口端に向かって順次
広がっている構造としたものを提案した（特開平１１−
２４３２６７号公報参照）。このように、貫通孔の内面
の中央部を開口端よりも内側に突出させた凸状にした
り、あるいは貫通孔の内面に傾斜を持たせたことから、
薄膜形成法によって薄膜導体層を被着させると、貫通孔
の内面への薄膜導体層の付き廻りが良くなって薄膜導体
層に断線や導通不良が発生するのが有効に防止される。
【０００６】しかしながら、貫通孔の内面の中央部を開
口端よりも内側に突出させた構造の場合、イオンプレー
ティング法や真空蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形
成法によって薄膜導体層を形成する際、貫通孔の内面の
中央部の最も突出した部分は薄膜導体層が薄くなりやす
く導通抵抗が高くなってしまう傾向にあった。さらに、
イオンプレーティング法や真空蒸着法、スパッタリング
法等の薄膜形成法によって薄膜導体層を形成する際、１
回の成膜では貫通孔の内面の突出した部分までしか薄膜
導体層が被着されないため、絶縁基板の両主面から２回
成膜を行う必要があった。
口端よりも内側に突出させた構造の場合、イオンプレー
ティング法や真空蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形
成法によって薄膜導体層を形成する際、貫通孔の内面の
中央部の最も突出した部分は薄膜導体層が薄くなりやす
く導通抵抗が高くなってしまう傾向にあった。さらに、
イオンプレーティング法や真空蒸着法、スパッタリング
法等の薄膜形成法によって薄膜導体層を形成する際、１
回の成膜では貫通孔の内面の突出した部分までしか薄膜
導体層が被着されないため、絶縁基板の両主面から２回
成膜を行う必要があった。
【０００７】また、貫通孔の内面に傾斜を持たせた構造
の場合、貫通孔の一方の開口端は、貫通孔の内面と絶縁
基板の１主面とのなす角の角度が鋭角になっているた
め、その開口端部で薄膜導体層が薄くなりやすく、導通
抵抗が高くなる傾向にあった。さらに、この鋭角になっ
ている開口端部は、欠け等が発生する可能性があり、そ
のため薄膜導体層が断線に至る危険性があった。
の場合、貫通孔の一方の開口端は、貫通孔の内面と絶縁
基板の１主面とのなす角の角度が鋭角になっているた
め、その開口端部で薄膜導体層が薄くなりやすく、導通
抵抗が高くなる傾向にあった。さらに、この鋭角になっ
ている開口端部は、欠け等が発生する可能性があり、そ
のため薄膜導体層が断線に至る危険性があった。
【０００８】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、薄膜形成法によって貫通
孔の内面に薄膜導体層を略均一な厚さで形成でき、また
薄膜導体層を形成するために絶縁基板の両主面において
それぞれ成膜するが必要ない配線基板を提供することに
ある。
れたものであり、その目的は、薄膜形成法によって貫通
孔の内面に薄膜導体層を略均一な厚さで形成でき、また
薄膜導体層を形成するために絶縁基板の両主面において
それぞれ成膜するが必要ない配線基板を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、絶
縁基板と、該絶縁基板の表面に形成された薄膜配線導体
層と、前記絶縁基板に形成された貫通孔の内面に被着さ
れ、前記薄膜配線導体層に接続された薄膜導体層とを有
する配線基板であって、前記貫通孔は、前記絶縁基板の
両主面における開口の幅が異なり、一方の開口から該開
口の幅の１／２〜２倍の深さまで筒状部とされ、かつ該
筒状部から他方の開口に向かって幅が漸次広がっている
ことを特徴とする。
縁基板と、該絶縁基板の表面に形成された薄膜配線導体
層と、前記絶縁基板に形成された貫通孔の内面に被着さ
れ、前記薄膜配線導体層に接続された薄膜導体層とを有
する配線基板であって、前記貫通孔は、前記絶縁基板の
両主面における開口の幅が異なり、一方の開口から該開
口の幅の１／２〜２倍の深さまで筒状部とされ、かつ該
筒状部から他方の開口に向かって幅が漸次広がっている
ことを特徴とする。
【００１０】本発明は、上記の構成により、貫通孔の開
口の幅が大きい方の主面においてイオンプレーティング
法、真空蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成法によ
って貫通孔の内面に薄膜導体層を形成すると、薄膜導体
層は貫通孔の幅が漸次広がっている部分（漏斗状の部
分）には容易に均一に形成され、また貫通孔の筒状部に
は成膜成分が廻り込み、漏斗状の部分と略同じ厚さで形
成される。また、貫通孔の両開口端とも、貫通孔の内面
と絶縁基板の主面とのなす角の角度が鋭角になっていな
いので、薄膜導体層が開口端部で薄くなったり欠け等が
発生し難いものとなり、その結果薄膜導体層が断線した
り導通不良となるのを防ぐことができる。
口の幅が大きい方の主面においてイオンプレーティング
法、真空蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成法によ
って貫通孔の内面に薄膜導体層を形成すると、薄膜導体
層は貫通孔の幅が漸次広がっている部分（漏斗状の部
分）には容易に均一に形成され、また貫通孔の筒状部に
は成膜成分が廻り込み、漏斗状の部分と略同じ厚さで形
成される。また、貫通孔の両開口端とも、貫通孔の内面
と絶縁基板の主面とのなす角の角度が鋭角になっていな
いので、薄膜導体層が開口端部で薄くなったり欠け等が
発生し難いものとなり、その結果薄膜導体層が断線した
り導通不良となるのを防ぐことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の配線基板について以下に
説明する。図１は、本発明の配線基板における貫通孔部
の断面図である。同図において、１は絶縁基板、２は薄
膜配線導体層、３は貫通孔４の内面の薄膜導体層、４は
貫通孔である。絶縁基板１はその両主面に薄膜配線導体
層２が所定のパターンに被着形成され、薄膜導体層３が
貫通孔４の内面に形成されている。
説明する。図１は、本発明の配線基板における貫通孔部
の断面図である。同図において、１は絶縁基板、２は薄
膜配線導体層、３は貫通孔４の内面の薄膜導体層、４は
貫通孔である。絶縁基板１はその両主面に薄膜配線導体
層２が所定のパターンに被着形成され、薄膜導体層３が
貫通孔４の内面に形成されている。
【００１２】本発明において、絶縁基板１は、酸化アル
ミニウム（Ａｌ2Ｏ3）質焼結体、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3
・２ＳｉＯ2）質焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）
質焼結体、炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体、ガラスセラミ
ックス焼結体等のセラミック焼結体によって形成され。
例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成される場合、
酸化アルミニウム、酸化珪素（ＳｉＯ2）、酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原材
料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状と
成し、これをドクターブレード法等によってセラミック
グリーンシートを形成し、しかる後、セラミックグリー
ンシートに適当な打ち抜き加工を施し、所定の形状と成
して高温で焼成することによって製作される。
ミニウム（Ａｌ2Ｏ3）質焼結体、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3
・２ＳｉＯ2）質焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）
質焼結体、炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体、ガラスセラミ
ックス焼結体等のセラミック焼結体によって形成され。
例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成される場合、
酸化アルミニウム、酸化珪素（ＳｉＯ2）、酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原材
料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状と
成し、これをドクターブレード法等によってセラミック
グリーンシートを形成し、しかる後、セラミックグリー
ンシートに適当な打ち抜き加工を施し、所定の形状と成
して高温で焼成することによって製作される。
【００１３】また、絶縁基板１の例えば上面には所定の
パターンの薄膜配線導体層２が被着されており、この薄
膜配線導体層２は、例えば密着金属層、拡散防止層およ
び主導体層を順次積層させた３層構造を有している。
パターンの薄膜配線導体層２が被着されており、この薄
膜配線導体層２は、例えば密着金属層、拡散防止層およ
び主導体層を順次積層させた３層構造を有している。
【００１４】密着金属層は、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｎｂ，
Ｔａ2Ｎ，Ｎｉ−Ｃｒ合金等のうち少なくとも１種より
成るのがよく、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法等の薄膜形成法により被着され、フォトリ
ソグラフィ法により所定のパターンに形成される。密着
金属層の厚さは０．０１〜０．２μｍ程度が良く、０．
０１μｍ未満では、絶縁基板１の表面に強固に被着させ
ることが困難となり、０．２μｍを超えると、成膜時の
内部応力によって剥離が生じ易くなる。
Ｔａ2Ｎ，Ｎｉ−Ｃｒ合金等のうち少なくとも１種より
成るのがよく、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法等の薄膜形成法により被着され、フォトリ
ソグラフィ法により所定のパターンに形成される。密着
金属層の厚さは０．０１〜０．２μｍ程度が良く、０．
０１μｍ未満では、絶縁基板１の表面に強固に被着させ
ることが困難となり、０．２μｍを超えると、成膜時の
内部応力によって剥離が生じ易くなる。
【００１５】拡散防止層は、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，
Ｎｉ，Ｎｉ−Ｃｒ合金，Ｔｉ−Ｗ合金等のうち少なくと
も１種より成るのがよく、その厚さは０．０５〜１μｍ
程度が好ましい。０．０５μｍ未満ではピンホール等の
欠陥が発生して拡散防止層としての機能を果たし難くな
り、１μｍを超えると成膜時の内部応力によって剥離が
生じ易くなる。
Ｎｉ，Ｎｉ−Ｃｒ合金，Ｔｉ−Ｗ合金等のうち少なくと
も１種より成るのがよく、その厚さは０．０５〜１μｍ
程度が好ましい。０．０５μｍ未満ではピンホール等の
欠陥が発生して拡散防止層としての機能を果たし難くな
り、１μｍを超えると成膜時の内部応力によって剥離が
生じ易くなる。
【００１６】主導体層は、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等のうち少
なくとも１種より成るのがよく、その厚さは０．１〜５
μｍ程度がよい。０．１μｍ未満では、電気抵抗が大き
くなる傾向にあり、５μｍを超えると成膜時の内部応力
により剥離を生じ易くなる。また、Ｃｕを用いる場合
は、表面酸化防止のためにメッキ法によりＮｉ層とＡｕ
層が順次形成される。
なくとも１種より成るのがよく、その厚さは０．１〜５
μｍ程度がよい。０．１μｍ未満では、電気抵抗が大き
くなる傾向にあり、５μｍを超えると成膜時の内部応力
により剥離を生じ易くなる。また、Ｃｕを用いる場合
は、表面酸化防止のためにメッキ法によりＮｉ層とＡｕ
層が順次形成される。
【００１７】薄膜配線導体層２としてＡｌを用いる場合
は、上記のような３層構造ではなく、１層のみで形成す
ることが可能である。Ａｌの厚さは０．１〜５μｍ程度
がよく、０．１μｍ未満では電気抵抗が大きくなる傾向
にあり、５μｍを超えると成膜時の内部応力により剥離
を生じ易くなる。
は、上記のような３層構造ではなく、１層のみで形成す
ることが可能である。Ａｌの厚さは０．１〜５μｍ程度
がよく、０．１μｍ未満では電気抵抗が大きくなる傾向
にあり、５μｍを超えると成膜時の内部応力により剥離
を生じ易くなる。
【００１８】貫通孔４は、絶縁基板１の両主面に形成さ
れる薄膜配線導体層２を電気的に接続するものであり、
貫通孔４の内面には薄膜導体層３が被着される。貫通孔
４は、絶縁基板１の両主面における開口の幅が異なり、
一方の開口（幅の小さい方の開口）４ｃからその開口の
幅の１／２〜２倍の深さまで筒状部４ａとされ、かつ筒
状部４ａから他方の開口（幅の大きい方の開口）４ｄに
向かって幅が漸次広がっている。
れる薄膜配線導体層２を電気的に接続するものであり、
貫通孔４の内面には薄膜導体層３が被着される。貫通孔
４は、絶縁基板１の両主面における開口の幅が異なり、
一方の開口（幅の小さい方の開口）４ｃからその開口の
幅の１／２〜２倍の深さまで筒状部４ａとされ、かつ筒
状部４ａから他方の開口（幅の大きい方の開口）４ｄに
向かって幅が漸次広がっている。
【００１９】筒状部４ａの深さが幅の小さい方の開口４
ｃの幅の１／２未満の場合、開口端部において薄膜導体
層３が薄くなったりクラック、欠け等が生じ、薄膜導体
層３の電気抵抗が大きくなったり断線等を生じ易くな
る。２倍以上の場合、貫通孔４の内面への成膜成分の付
き廻りが悪く、貫通孔４の内面全面に薄膜導体層３を略
均一な厚さで被着することが困難となる。
ｃの幅の１／２未満の場合、開口端部において薄膜導体
層３が薄くなったりクラック、欠け等が生じ、薄膜導体
層３の電気抵抗が大きくなったり断線等を生じ易くな
る。２倍以上の場合、貫通孔４の内面への成膜成分の付
き廻りが悪く、貫通孔４の内面全面に薄膜導体層３を略
均一な厚さで被着することが困難となる。
【００２０】この貫通孔４は、絶縁基板１の一方主面ま
たは両主面からレーザやドリル等により全体が筒状の一
次貫通孔を開けた後、幅の大きい方の開口４ｄが形成さ
れる主面の開口端部に、一次貫通孔の開口の幅よりも大
きな幅の開口を持つマスクまたはレジスト膜等を設け、
サンドブラスト法等によって一次貫通孔の開口から深さ
方向に研削し、開口および内面を広げることによって漏
斗状部４ｂが形成される。
たは両主面からレーザやドリル等により全体が筒状の一
次貫通孔を開けた後、幅の大きい方の開口４ｄが形成さ
れる主面の開口端部に、一次貫通孔の開口の幅よりも大
きな幅の開口を持つマスクまたはレジスト膜等を設け、
サンドブラスト法等によって一次貫通孔の開口から深さ
方向に研削し、開口および内面を広げることによって漏
斗状部４ｂが形成される。
【００２１】本発明において、貫通孔４の漏斗状部４ｂ
の筒状部４ａに対する角度θ（傾斜角度）は１０〜６０
°がよく、１０°未満では、貫通孔４の内面への成膜成
分の付き廻りが悪く、貫通孔４の内面全面に薄膜導体層
３を略均一な厚さで被着することが困難となり、６０°
を超えると、開口４ｄの幅が大きくなって、配線基板の
小型化が困難となる。
の筒状部４ａに対する角度θ（傾斜角度）は１０〜６０
°がよく、１０°未満では、貫通孔４の内面への成膜成
分の付き廻りが悪く、貫通孔４の内面全面に薄膜導体層
３を略均一な厚さで被着することが困難となり、６０°
を超えると、開口４ｄの幅が大きくなって、配線基板の
小型化が困難となる。
【００２２】また、貫通孔４の大きな幅の開口４ｄの幅
と小さな幅の開口４ｃの幅の比は、（開口４ｄの幅）／
（開口４ｃの幅）＝１．５〜５がよく、この比が１．５
未満では、貫通孔４の内面への成膜成分の付き廻りが悪
く、貫通孔４の内面全面に薄膜導体層３を略均一な厚さ
で被着することが困難となり、この比が５を超えると、
一方の開口４ｄの幅が大きくなり過ぎて、配線基板の小
型化が困難となる。
と小さな幅の開口４ｃの幅の比は、（開口４ｄの幅）／
（開口４ｃの幅）＝１．５〜５がよく、この比が１．５
未満では、貫通孔４の内面への成膜成分の付き廻りが悪
く、貫通孔４の内面全面に薄膜導体層３を略均一な厚さ
で被着することが困難となり、この比が５を超えると、
一方の開口４ｄの幅が大きくなり過ぎて、配線基板の小
型化が困難となる。
【００２３】さらに、貫通孔４の漏斗状部４ｂの深さと
筒状部４ａの深さの比は、（漏斗状部４ｂの深さ）／
（筒状部４ａの深さ）＝０．５〜５がよく、この比が
０．５未満では、筒状部４ａの深さが深いものとなり、
貫通孔４の内面への成膜成分の付き廻りが悪く、貫通孔
４の内面全面に薄膜導体層３を略均一な厚さで被着する
ことが困難となる。この比が５を超えると、漏斗状部４
ｂをサンドブラスト法等で形成するのに時間がかかり生
産性が低下し、また漏斗状部４ｂが凹状の曲面となり漏
斗状部４ｂで薄膜導体層３の厚さが不均一になり易い。
筒状部４ａの深さの比は、（漏斗状部４ｂの深さ）／
（筒状部４ａの深さ）＝０．５〜５がよく、この比が
０．５未満では、筒状部４ａの深さが深いものとなり、
貫通孔４の内面への成膜成分の付き廻りが悪く、貫通孔
４の内面全面に薄膜導体層３を略均一な厚さで被着する
ことが困難となる。この比が５を超えると、漏斗状部４
ｂをサンドブラスト法等で形成するのに時間がかかり生
産性が低下し、また漏斗状部４ｂが凹状の曲面となり漏
斗状部４ｂで薄膜導体層３の厚さが不均一になり易い。
【００２４】貫通孔４の断面形状は、円形、楕円形、長
円形、四角形等の多角形、菱形等の種々の形状とし得る
が、内面に薄膜導体層３が均一に被着され易く、強度的
にも有利な円形が好ましい。
円形、四角形等の多角形、菱形等の種々の形状とし得る
が、内面に薄膜導体層３が均一に被着され易く、強度的
にも有利な円形が好ましい。
【００２５】また、薄膜導体層３は、電気抵抗の増大を
抑えるといった目的等から薄膜配線導体層２と実質的に
同じ材料から成るのがよく、その場合薄膜配線導体層２
が被着形成される際、同時に絶縁基板１に設けた貫通孔
４の内面に被着形成される。
抑えるといった目的等から薄膜配線導体層２と実質的に
同じ材料から成るのがよく、その場合薄膜配線導体層２
が被着形成される際、同時に絶縁基板１に設けた貫通孔
４の内面に被着形成される。
【００２６】また、貫通孔４と同じ位置に略同じ大きさ
の開口を持つ金属製マスクで絶縁基板１を覆った状態
で、薄膜形成法により薄膜導体層３を成膜した後、金属
製マスクを外して再び成膜することにより、薄膜導体層
３の厚さが薄膜配線導体層２の厚さよりも厚い配線基板
を作製することができる。一般に、絶縁基板１がセラミ
ックスから成る場合貫通孔４の内面は表面粗さが絶縁基
板１の主面に比べて大きいので、薄膜配線導体層２と薄
膜導体層３の厚さが同じ場合、貫通孔４の内面で電気抵
抗が大きくなる。つまり、薄膜導体層３の厚さを薄膜配
線導体層２よりも厚くすることで、電気抵抗の増大を防
ぎ信号の伝送損失の小さい配線基板とすることができ
る。従って、本発明において、薄膜導体層３の厚さを薄
膜配線導体層２よりも厚くすることが好ましい。
の開口を持つ金属製マスクで絶縁基板１を覆った状態
で、薄膜形成法により薄膜導体層３を成膜した後、金属
製マスクを外して再び成膜することにより、薄膜導体層
３の厚さが薄膜配線導体層２の厚さよりも厚い配線基板
を作製することができる。一般に、絶縁基板１がセラミ
ックスから成る場合貫通孔４の内面は表面粗さが絶縁基
板１の主面に比べて大きいので、薄膜配線導体層２と薄
膜導体層３の厚さが同じ場合、貫通孔４の内面で電気抵
抗が大きくなる。つまり、薄膜導体層３の厚さを薄膜配
線導体層２よりも厚くすることで、電気抵抗の増大を防
ぎ信号の伝送損失の小さい配線基板とすることができ
る。従って、本発明において、薄膜導体層３の厚さを薄
膜配線導体層２よりも厚くすることが好ましい。
【００２７】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内におい
て種々の変更を行なうことは何等差し支えない。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内におい
て種々の変更を行なうことは何等差し支えない。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、絶縁基板と、絶縁基板の表面
に形成された薄膜配線導体層と、絶縁基板に形成された
貫通孔の内面に被着され、薄膜配線導体層に接続された
薄膜導体層とを有する配線基板であって、貫通孔は、絶
縁基板の両主面における開口の幅が異なり、一方の開口
から開口の幅の１／２〜２倍の深さまで筒状部とされ、
かつ筒状部から他方の開口に向かって幅が漸次広がって
いることにより、薄膜形成法によって薄膜導体層を形成
する際、貫通孔の内面全面で略均一な厚さにすることが
でき、信号の伝送損失を小さくできる。また、貫通孔の
両開口端部とも、貫通孔の内面と絶縁基板の主面とのな
す角の角度が鋭角になっていないので、両開口端部で薄
膜導体層が薄くなったり欠け等が生じ難くなり、その結
果薄膜導体層が断線したり導通不良を起こすのを防ぐこ
とができる。
に形成された薄膜配線導体層と、絶縁基板に形成された
貫通孔の内面に被着され、薄膜配線導体層に接続された
薄膜導体層とを有する配線基板であって、貫通孔は、絶
縁基板の両主面における開口の幅が異なり、一方の開口
から開口の幅の１／２〜２倍の深さまで筒状部とされ、
かつ筒状部から他方の開口に向かって幅が漸次広がって
いることにより、薄膜形成法によって薄膜導体層を形成
する際、貫通孔の内面全面で略均一な厚さにすることが
でき、信号の伝送損失を小さくできる。また、貫通孔の
両開口端部とも、貫通孔の内面と絶縁基板の主面とのな
す角の角度が鋭角になっていないので、両開口端部で薄
膜導体層が薄くなったり欠け等が生じ難くなり、その結
果薄膜導体層が断線したり導通不良を起こすのを防ぐこ
とができる。
【図１】本発明の配線基板の貫通孔部の断面図である。
１：絶縁基板 ２：薄膜配線導体層 ３：薄膜導体層 ４：貫通孔 ４ａ：筒状部 ４ｂ：漏斗状部
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板と、該絶縁基板の表面に形成され
た薄膜配線導体層と、前記絶縁基板に形成された貫通孔
の内面に被着され、前記薄膜配線導体層に接続された薄
膜導体層とを有する配線基板であって、前記貫通孔は、
前記絶縁基板の両主面における開口の幅が異なり、一方
の開口から該開口の幅の１／２〜２倍の深さまで筒状部
とされ、かつ該筒状部から他方の開口に向かって幅が漸
次広がっていることを特徴とする配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000331545A JP2002141626A (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000331545A JP2002141626A (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002141626A true JP2002141626A (ja) | 2002-05-17 |
Family
ID=18807872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000331545A Pending JP2002141626A (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002141626A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004054340A1 (ja) * | 2002-12-11 | 2004-06-24 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 多層配線基板およびその製造方法 |
| KR100659509B1 (ko) | 2006-01-12 | 2006-12-20 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 단자 |
| JP2009200356A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Tdk Corp | プリント配線板及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-10-30 JP JP2000331545A patent/JP2002141626A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004054340A1 (ja) * | 2002-12-11 | 2004-06-24 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 多層配線基板およびその製造方法 |
| GB2401485A (en) * | 2002-12-11 | 2004-11-10 | Dainippon Printing Co Ltd | Multilayer printed circuit board and method for manufacturing same |
| GB2401485B (en) * | 2002-12-11 | 2006-07-26 | Dainippon Printing Co Ltd | Multilayer wiring board and manufacture method thereof |
| US7091589B2 (en) | 2002-12-11 | 2006-08-15 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Multilayer wiring board and manufacture method thereof |
| US7690109B2 (en) | 2002-12-11 | 2010-04-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method of manufacturing a multilayer wiring board |
| US8069560B2 (en) | 2002-12-11 | 2011-12-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method of manufacturing multilayer wiring board |
| KR100659509B1 (ko) | 2006-01-12 | 2006-12-20 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 단자 |
| JP2009200356A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Tdk Corp | プリント配線板及びその製造方法 |
| US8492659B2 (en) | 2008-02-22 | 2013-07-23 | Tdk Corporation | Printed wiring board and manufacturing method therefor |
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