JP2002139826A - フォトマスク用ペリクル、ペリクルを備えたフォトマスク、フォトマスクを用いた露光方法、および半導体装置 - Google Patents
フォトマスク用ペリクル、ペリクルを備えたフォトマスク、フォトマスクを用いた露光方法、および半導体装置Info
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は露光光の短波長化に対応するための
フォトマスク用ペリクルに関し、梁あるいは柱でペリク
ル膜のたわみを防止することを目的とする。 【解決手段】 ガラスフォトマスク板５のパターン形成
面にペリクル４を取り付ける。ペリクル４は、パターン
形成面に固定されるペリクルフレーム３と、パターン形
成面との間に所定の距離が確保されるように、ペリクル
フレーム３に支持される透光性のペリクル膜１を備え
る。ペリクル膜１には、ペリクル膜１に比して延性或い
は展性が小さく硬度の高い材料で構成された梁２を取り
付ける。
フォトマスク用ペリクルに関し、梁あるいは柱でペリク
ル膜のたわみを防止することを目的とする。 【解決手段】 ガラスフォトマスク板５のパターン形成
面にペリクル４を取り付ける。ペリクル４は、パターン
形成面に固定されるペリクルフレーム３と、パターン形
成面との間に所定の距離が確保されるように、ペリクル
フレーム３に支持される透光性のペリクル膜１を備え
る。ペリクル膜１には、ペリクル膜１に比して延性或い
は展性が小さく硬度の高い材料で構成された梁２を取り
付ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスク用ペ
リクル、ペリクルを備えたフォトマスク、フォトマスク
を用いた露光方法、および半導体装置に係り、特に、露
光光の短波長化に対応するためのフォトマスク用ペリク
ル、フォトマスク、および露光方法、並びにその方法で
製造される半導体装置に関する。
リクル、ペリクルを備えたフォトマスク、フォトマスク
を用いた露光方法、および半導体装置に係り、特に、露
光光の短波長化に対応するためのフォトマスク用ペリク
ル、フォトマスク、および露光方法、並びにその方法で
製造される半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１４は従来の半導体装置のリソグラフ
ィ工程を示す概略の説明図である。図１４において、ガ
ラスフォトマスク板５の下方には、光学レンズ７を挟ん
でウェハ８が配置されている。ガラスフォトマスク板５
には、遮光膜により、転写用のパターンが設けられてい
る。このようなガラスフォトマスク板５のパターン形成
面に異物９が付着すると、異物９の像がウェハ８上に結
像されてしまう。
ィ工程を示す概略の説明図である。図１４において、ガ
ラスフォトマスク板５の下方には、光学レンズ７を挟ん
でウェハ８が配置されている。ガラスフォトマスク板５
には、遮光膜により、転写用のパターンが設けられてい
る。このようなガラスフォトマスク板５のパターン形成
面に異物９が付着すると、異物９の像がウェハ８上に結
像されてしまう。
【０００３】異物９による上記の不都合を回避する手法
としては、図１５に示すように、ガラスフォトマスク板
５のパターン形成面にペリクル４を設け、そのパターン
形成面に異物９が付着するのを防止する手法が知られて
いる。ペリクル４は、例えばアルミニウムで形成された
ペリクルフレーム３と、例えば有機物重合体等で構成さ
れ、６００〜１０００ｎｍの膜厚を有する透明なペリク
ル膜１とを有している。ペリクル４は、ペリクルフレー
ム３がガラスフォトマスク板５に接着剤で接着されるこ
とにより固定されている。
としては、図１５に示すように、ガラスフォトマスク板
５のパターン形成面にペリクル４を設け、そのパターン
形成面に異物９が付着するのを防止する手法が知られて
いる。ペリクル４は、例えばアルミニウムで形成された
ペリクルフレーム３と、例えば有機物重合体等で構成さ
れ、６００〜１０００ｎｍの膜厚を有する透明なペリク
ル膜１とを有している。ペリクル４は、ペリクルフレー
ム３がガラスフォトマスク板５に接着剤で接着されるこ
とにより固定されている。
【０００４】ペリクル４は、ガラスフォトマスク板５の
パターン形成面とペリクル膜１との間に６ｍｍ程度の間
隔が確保されるように設けられる。この場合、ペリクル
膜１の表面に異物９が付着しても、異物９の像はデフォ
ーカスされてウェハ８上には結像されない。このため、
ペリクル４を用いることによれば、異物９の付着に伴う
露光不良を有効に回避することができる。
パターン形成面とペリクル膜１との間に６ｍｍ程度の間
隔が確保されるように設けられる。この場合、ペリクル
膜１の表面に異物９が付着しても、異物９の像はデフォ
ーカスされてウェハ８上には結像されない。このため、
ペリクル４を用いることによれば、異物９の付着に伴う
露光不良を有効に回避することができる。
【０００５】ところで、近年では、半導体プロセスにお
けるパターンの微細化に伴い、露光光の短波長化が進ん
でいる。現在、露光用の光源としては、波長２４８ｎｍ
のＫｒＦエキシマレーザーが主として用いられ、これに
引き続き、真空紫外領域の光線である波長１９３ｎｍの
ＡｒＦエキシマレーザーが使用されている。さらに、波
長１５７ｎｍのＦ2 エキシマレーザーの光線を露光光源
に用いる研究も行われている。
けるパターンの微細化に伴い、露光光の短波長化が進ん
でいる。現在、露光用の光源としては、波長２４８ｎｍ
のＫｒＦエキシマレーザーが主として用いられ、これに
引き続き、真空紫外領域の光線である波長１９３ｎｍの
ＡｒＦエキシマレーザーが使用されている。さらに、波
長１５７ｎｍのＦ2 エキシマレーザーの光線を露光光源
に用いる研究も行われている。
【０００６】しかし、Ｆ2 エキシマレーザーの光線を十
分に透過させる有機物重合体は、現在のところまだ存在
しておらず、その合成も困難であると考えられている。
従って、Ｆ2 エキシマレーザーの光線を露光光源に用い
る場合は、ペリクル膜１に有機物重合体を用いる従来の
ペリクル４が使用できない。
分に透過させる有機物重合体は、現在のところまだ存在
しておらず、その合成も困難であると考えられている。
従って、Ｆ2 エキシマレーザーの光線を露光光源に用い
る場合は、ペリクル膜１に有機物重合体を用いる従来の
ペリクル４が使用できない。
【０００７】Ｆ2 エキシマレーザーの光線を露光光源と
して用いるためのペリクル膜１を構成する材料として
は、１００〜１０００μｍの膜厚を有する透明無機物質
（例えば、石英ガラス）が有望である。石英ガラス等の
透明無機物質は、Ｆ2 エキシマレーザーの光線を十分に
透過させ、しかもその光線により光分解反応などを起こ
して劣化する事が無い。このように、石英ガラス等の透
明無機物質は、短波長の露光光に対処するペリクル膜１
の材料として好適な特性を有している。
して用いるためのペリクル膜１を構成する材料として
は、１００〜１０００μｍの膜厚を有する透明無機物質
（例えば、石英ガラス）が有望である。石英ガラス等の
透明無機物質は、Ｆ2 エキシマレーザーの光線を十分に
透過させ、しかもその光線により光分解反応などを起こ
して劣化する事が無い。このように、石英ガラス等の透
明無機物質は、短波長の露光光に対処するペリクル膜１
の材料として好適な特性を有している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、石英ガラス等
の透明無機物質でペリクル膜１を形成した場合、以下に
示すような問題が生ずる。すなわち、石英ガラス等の透
明無機物質について均一な膜厚を確保するためには、１
００〜１０００μｍの膜厚がその研磨の限界となる。膜
厚１００〜１０００μｍの石英ガラス等の透明無機物質
でペリクル膜１を構成した場合、自重によってペリクル
膜１にたわみが生じ、そのたわみに起因して収差が引き
起こされる。
の透明無機物質でペリクル膜１を形成した場合、以下に
示すような問題が生ずる。すなわち、石英ガラス等の透
明無機物質について均一な膜厚を確保するためには、１
００〜１０００μｍの膜厚がその研磨の限界となる。膜
厚１００〜１０００μｍの石英ガラス等の透明無機物質
でペリクル膜１を構成した場合、自重によってペリクル
膜１にたわみが生じ、そのたわみに起因して収差が引き
起こされる。
【０００９】ペリクル膜１が有機物重合体で構成される
場合も、自重によるたわみは生じていたと考えられる
が、この場合は、ペリクル膜１の膜厚が６００〜１００
０ｎｍと薄いためにたわみは無視できるほど小さい。よ
って、たわみによる収差も無視することができた。これ
に対して、ペリクル膜１が透明無機物質で構成される場
合は、自重によって大きなたわみが生じる。収差は厚み
とたわみの両方に比例して大きくなるので、この場合収
差が無視できず、結像性能の劣化が引き起こされる。こ
のペリクル膜のたわみによる収差を、露光機により補正
することは非常に困難である。このため、石英ガラス等
の透明無機物質を材料としてペリクル膜１を構成する場
合は、上述した自重によるたわみを無くす必要がある。
場合も、自重によるたわみは生じていたと考えられる
が、この場合は、ペリクル膜１の膜厚が６００〜１００
０ｎｍと薄いためにたわみは無視できるほど小さい。よ
って、たわみによる収差も無視することができた。これ
に対して、ペリクル膜１が透明無機物質で構成される場
合は、自重によって大きなたわみが生じる。収差は厚み
とたわみの両方に比例して大きくなるので、この場合収
差が無視できず、結像性能の劣化が引き起こされる。こ
のペリクル膜のたわみによる収差を、露光機により補正
することは非常に困難である。このため、石英ガラス等
の透明無機物質を材料としてペリクル膜１を構成する場
合は、上述した自重によるたわみを無くす必要がある。
【００１０】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、延性あるいは展性の小さな硬度の
高い材料で構成された梁あるいは柱でペリクル膜を支え
た構造を有するフォトマスク用ペリクルを提供すること
を第１の目的とする。また、本発明は、上記のペリクル
を備えたフォトマスクを提供することを第２の目的とす
る。また、本発明は、上記のフォトマスクを用いた露光
方法を提供することを第３の目的とする。更に、本発明
は、上記の露光方法を用いて製造された半導体装置を提
供することを第４の目的とする。
めになされたもので、延性あるいは展性の小さな硬度の
高い材料で構成された梁あるいは柱でペリクル膜を支え
た構造を有するフォトマスク用ペリクルを提供すること
を第１の目的とする。また、本発明は、上記のペリクル
を備えたフォトマスクを提供することを第２の目的とす
る。また、本発明は、上記のフォトマスクを用いた露光
方法を提供することを第３の目的とする。更に、本発明
は、上記の露光方法を用いて製造された半導体装置を提
供することを第４の目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
透光性フォトマスク板のパターン形成面に取り付けられ
るフォトマスク用ペリクルであって、前記パターン形成
面に固定されるペリクルフレームと、前記パターン形成
面との間に所定の距離が確保されるように、前記ペリク
ルフレームに支持される透光性のペリクル膜と、前記ペ
リクル膜のたわみを抑制するように当該ペリクル膜を支
持するたわみ防止部材と、を備えることを特徴とする。
透光性フォトマスク板のパターン形成面に取り付けられ
るフォトマスク用ペリクルであって、前記パターン形成
面に固定されるペリクルフレームと、前記パターン形成
面との間に所定の距離が確保されるように、前記ペリク
ルフレームに支持される透光性のペリクル膜と、前記ペ
リクル膜のたわみを抑制するように当該ペリクル膜を支
持するたわみ防止部材と、を備えることを特徴とする。
【００１２】請求項２記載の発明は、請求項１記載のフ
ォトマスク用ペリクルであって、前記梁は、前記ペリク
ル膜に比して延性或いは展性が小さく、かつ、硬度の高
い材料で構成されていることを特徴とする。
ォトマスク用ペリクルであって、前記梁は、前記ペリク
ル膜に比して延性或いは展性が小さく、かつ、硬度の高
い材料で構成されていることを特徴とする。
【００１３】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載のフォトマスク用ペリクルであって、前記たわみ防
止部材の太さは３００μｍ以下であることを特徴とす
る。
記載のフォトマスク用ペリクルであって、前記たわみ防
止部材の太さは３００μｍ以下であることを特徴とす
る。
【００１４】請求項４記載の発明は、請求項１乃至３の
何れか１項記載のフォトマスク用ペリクルであって、前
記ペリクル膜は、１００μｍ以上１０００μｍ以下の膜
厚を有する透明無機物質の板であることを特徴とする。
何れか１項記載のフォトマスク用ペリクルであって、前
記ペリクル膜は、１００μｍ以上１０００μｍ以下の膜
厚を有する透明無機物質の板であることを特徴とする。
【００１５】請求項５記載の発明は、請求項１乃至４の
何れか１項記載のフォトマスク用ペリクルであって、前
記たわみ防止部材は、前記ペリクル膜を直接的或いは間
接的に支持する梁を含むことを特徴とする。
何れか１項記載のフォトマスク用ペリクルであって、前
記たわみ防止部材は、前記ペリクル膜を直接的或いは間
接的に支持する梁を含むことを特徴とする。
【００１６】請求項６記載の発明は、請求項５記載のフ
ォトマスク用ペリクルであって、前記梁は、前記ペリク
ル膜の側に凸となるアーチ形状を有し、かつ、前記ペリ
クル膜を下方から支持するアーチ状梁を含むことを特徴
とする。
ォトマスク用ペリクルであって、前記梁は、前記ペリク
ル膜の側に凸となるアーチ形状を有し、かつ、前記ペリ
クル膜を下方から支持するアーチ状梁を含むことを特徴
とする。
【００１７】請求項７記載の発明は、請求項１乃至６の
何れか１項記載のフォトマスク用ペリクルであって、前
記たわみ防止部材は、前記ペリクル膜を上方から或いは
下方から支持する柱を含むことを特徴とする。
何れか１項記載のフォトマスク用ペリクルであって、前
記たわみ防止部材は、前記ペリクル膜を上方から或いは
下方から支持する柱を含むことを特徴とする。
【００１８】請求項８記載の発明は、パターン形成面を
有する透光性フォトマスク板と、前記パターン形成面を
覆うように前記透光性フォトマスク板に取り付けられる
ペリクルとを含むフォトマスクであって、前記ペリクル
が、請求項１乃至７の何れか１項記載のフォトマスク用
ペリクルであることを特徴とする。
有する透光性フォトマスク板と、前記パターン形成面を
覆うように前記透光性フォトマスク板に取り付けられる
ペリクルとを含むフォトマスクであって、前記ペリクル
が、請求項１乃至７の何れか１項記載のフォトマスク用
ペリクルであることを特徴とする。
【００１９】請求項９記載の発明は、半導体ウェハの露
光方法であって、請求項８記載のフォトマスクを用い
て、波長１６０ｎｍ以下の真空紫外域の光線を光源とし
て、半導体ウェハを露光する写真製版工程を含むことを
特徴とする。
光方法であって、請求項８記載のフォトマスクを用い
て、波長１６０ｎｍ以下の真空紫外域の光線を光源とし
て、半導体ウェハを露光する写真製版工程を含むことを
特徴とする。
【００２０】請求項１０記載の発明は、半導体装置であ
って、請求項９記載の露光方法を用いて製造されること
を特徴とする。
って、請求項９記載の露光方法を用いて製造されること
を特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の形態について説明する。尚、各図において共通す
る要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略す
る。
実施の形態について説明する。尚、各図において共通す
る要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略す
る。
【００２２】実施の形態１．以下、図面を参照して本発
明の実施例を説明する。図１（Ａ）は、本発明の実施の
形態１のフォトマスク１０の平面図を示す。また、図１
（Ｂ）は、図１（Ａ）に示すA-A'直線に沿ってフォトマ
スク１０を切断することで得られる断面図を示す。
明の実施例を説明する。図１（Ａ）は、本発明の実施の
形態１のフォトマスク１０の平面図を示す。また、図１
（Ｂ）は、図１（Ａ）に示すA-A'直線に沿ってフォトマ
スク１０を切断することで得られる断面図を示す。
【００２３】図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すよう
に、本実施形態のフォトマスク１０は、ガラスフォトマ
スク板５と、ペリクル４とを備えている。ガラスフォト
マスク板５は、ペリクル４側の面に、遮光膜で構成され
た転写パターンを備えている。ペリクル４は、ペリクル
フレーム３とペリクル膜１とを備えている。
に、本実施形態のフォトマスク１０は、ガラスフォトマ
スク板５と、ペリクル４とを備えている。ガラスフォト
マスク板５は、ペリクル４側の面に、遮光膜で構成され
た転写パターンを備えている。ペリクル４は、ペリクル
フレーム３とペリクル膜１とを備えている。
【００２４】ペリクルフレーム３は、アルミニウムなど
の材料で構成されており、接着剤によりガラスフォトマ
スク板５に接着されている。ペリクル膜１は、石英ガラ
ス等の板状の透明無機物質で構成されており、ペリクル
フレーム３に接着されている。本実施形態では、石英ガ
ラス等の透明無機物質を、膜厚１００〜１０００μｍ、
膜厚ばらつき５ｎｍ以下となるように研磨することでペ
リクル膜１を形成している。
の材料で構成されており、接着剤によりガラスフォトマ
スク板５に接着されている。ペリクル膜１は、石英ガラ
ス等の板状の透明無機物質で構成されており、ペリクル
フレーム３に接着されている。本実施形態では、石英ガ
ラス等の透明無機物質を、膜厚１００〜１０００μｍ、
膜厚ばらつき５ｎｍ以下となるように研磨することでペ
リクル膜１を形成している。
【００２５】ペリクル膜１の裏面、すなわち、ガラスフ
ォトマスク板５と対向しない側の面には、棒状の梁２が
取り付けられている。梁２は、延性あるいは展性が小さ
く、かつ、硬度の高い無機物質（例えばセラミック）や
金属などで構成されており、３００μｍ以下の太さを有
している。本実施形態において、梁２は、図１（Ａ）に
示すようにペリクル膜１が有する２本の対角線上に配置
されている。また、本実施形態において、梁２は、図２
（梁２の断面の拡大図）に示すように正方形の断面形状
を有している。
ォトマスク板５と対向しない側の面には、棒状の梁２が
取り付けられている。梁２は、延性あるいは展性が小さ
く、かつ、硬度の高い無機物質（例えばセラミック）や
金属などで構成されており、３００μｍ以下の太さを有
している。本実施形態において、梁２は、図１（Ａ）に
示すようにペリクル膜１が有する２本の対角線上に配置
されている。また、本実施形態において、梁２は、図２
（梁２の断面の拡大図）に示すように正方形の断面形状
を有している。
【００２６】上述した構成によれば、ペリクル膜１を梁
２で支えることによって、ペリクル膜１の自重によるた
わみを抑制し、そのたわみによる収差を解決することが
できる。また、ペリクル膜１が石英ガラス等の透明無機
物質で構成されているためＦ 2 エキシマレーザーの光線
に対して十分に高い透過率を確保することができ、か
つ、光分解反応などによるペリクル膜１の劣化を有効に
防止することができる。更に、ペリクル４本来の特性に
より、ペリクル膜１を支えている梁２はデフォーカスさ
れ、ウェハ上にその像は結ばれない。従って、本実施形
態のフォトマスク１０によれば、ペリクル膜１を透明無
機材料で形成しつつ、高精度なパターン転写を実現する
ことができる。
２で支えることによって、ペリクル膜１の自重によるた
わみを抑制し、そのたわみによる収差を解決することが
できる。また、ペリクル膜１が石英ガラス等の透明無機
物質で構成されているためＦ 2 エキシマレーザーの光線
に対して十分に高い透過率を確保することができ、か
つ、光分解反応などによるペリクル膜１の劣化を有効に
防止することができる。更に、ペリクル４本来の特性に
より、ペリクル膜１を支えている梁２はデフォーカスさ
れ、ウェハ上にその像は結ばれない。従って、本実施形
態のフォトマスク１０によれば、ペリクル膜１を透明無
機材料で形成しつつ、高精度なパターン転写を実現する
ことができる。
【００２７】ところで、上述した実施の形態１では、ペ
リクル膜１の裏面（図１（Ｂ）における下側の面）に梁
２が配置されているが、梁２の配置はこれに限定される
ものではない。すなわち、梁２は、ペリクル膜１の上面
に配置しても、また、その上面および下面の双方に配置
しても、更には、ペリクル膜１の内部に埋め込んでもよ
い。
リクル膜１の裏面（図１（Ｂ）における下側の面）に梁
２が配置されているが、梁２の配置はこれに限定される
ものではない。すなわち、梁２は、ペリクル膜１の上面
に配置しても、また、その上面および下面の双方に配置
しても、更には、ペリクル膜１の内部に埋め込んでもよ
い。
【００２８】また、上述した実施の形態１では、梁２の
形状を正方形としているが、その形状はこれに限定され
るものではない。例えば、梁２の断面形状は、図３
（Ａ）に示すように長方形、図３（Ｂ）に示すように鋭
角２等辺三角形、図３（Ｃ）に示すように台形、図３
（Ｄ）に示すように円形、あるいは図３（Ｅ）に示すよ
うに菱形としてもよい。
形状を正方形としているが、その形状はこれに限定され
るものではない。例えば、梁２の断面形状は、図３
（Ａ）に示すように長方形、図３（Ｂ）に示すように鋭
角２等辺三角形、図３（Ｃ）に示すように台形、図３
（Ｄ）に示すように円形、あるいは図３（Ｅ）に示すよ
うに菱形としてもよい。
【００２９】図４は、梁２の断面形状を長方形とし、か
つ、その梁２をペリクル膜１の裏面に接着した状態を示
す。図４に示すように、長方形の長手方向が上下に延在
するように梁２をペリクル膜１に接着すると、ペリクル
膜１のたわみを支える方向の梁２の剛性を高めることが
できる。従って、図４に示す構成によれば、梁２の断面
形状が正方形である場合に比して、ペリクル膜１のたわ
みをより小さくすることができる。
つ、その梁２をペリクル膜１の裏面に接着した状態を示
す。図４に示すように、長方形の長手方向が上下に延在
するように梁２をペリクル膜１に接着すると、ペリクル
膜１のたわみを支える方向の梁２の剛性を高めることが
できる。従って、図４に示す構成によれば、梁２の断面
形状が正方形である場合に比して、ペリクル膜１のたわ
みをより小さくすることができる。
【００３０】図５は、梁２の断面形状を鋭角２等辺三角
形とし、かつ、その梁２をペリクル膜１の裏面に接着し
た状態を示す。図５に示す構造によれば、梁２の断面が
正方形である場合に比して、梁２自体の像がデフォーカ
スされやすい。このため、この構造を用いる場合は、梁
２の断面が正方形である場合に比して、その幅を太くす
ることができ、ペリクル膜１のたわみをより小さくする
ことができる。
形とし、かつ、その梁２をペリクル膜１の裏面に接着し
た状態を示す。図５に示す構造によれば、梁２の断面が
正方形である場合に比して、梁２自体の像がデフォーカ
スされやすい。このため、この構造を用いる場合は、梁
２の断面が正方形である場合に比して、その幅を太くす
ることができ、ペリクル膜１のたわみをより小さくする
ことができる。
【００３１】図６は、梁２の断面形状を菱形とし、か
つ、その梁２をペリクル膜１の内部に埋め込んだ状態を
示す。図６に示す構造は、石英ガラスなどの板状の透明
無機物質の内部に予め梁２を埋め込んでおき、梁２が内
部に残るように透明無機物質を、上記研磨することで形
成することができる。図６に示すように梁２の断面形状
が菱形であると、その形状が正方形である場合に比し
て、梁２自体の像がデフォーカスされやすい。このた
め、この構造を用いる場合は、梁２の断面が正方形であ
る場合に比して、その幅を太くすることができ、ペリク
ル膜１のたわみをより小さくすることができる。
つ、その梁２をペリクル膜１の内部に埋め込んだ状態を
示す。図６に示す構造は、石英ガラスなどの板状の透明
無機物質の内部に予め梁２を埋め込んでおき、梁２が内
部に残るように透明無機物質を、上記研磨することで形
成することができる。図６に示すように梁２の断面形状
が菱形であると、その形状が正方形である場合に比し
て、梁２自体の像がデフォーカスされやすい。このた
め、この構造を用いる場合は、梁２の断面が正方形であ
る場合に比して、その幅を太くすることができ、ペリク
ル膜１のたわみをより小さくすることができる。
【００３２】また、上述した実施の形態１では、ペリク
ル膜１の２本の対角線上に梁２を配置することとしてい
るが、ペリクル膜１に取り付ける梁２の数や取り付け方
は、これに限定されるものではない。例えば、梁２は、
図７に示すように、露光光の透過率に影響がない程度
に、ペリクル膜１に網目状に取り付けることとしてもよ
い。梁２を網目状に取り付ける構造によれば、梁２がペ
リクル膜１を支える力が増大し、梁２が対角線上に配置
される場合に比してペリクル膜１のたわみを小さくする
ことができる。しかも、このような構造によれば、ペリ
クル膜１が破損した時に破片が飛び散るのを有効に防止
できるという効果も得ることができる。
ル膜１の２本の対角線上に梁２を配置することとしてい
るが、ペリクル膜１に取り付ける梁２の数や取り付け方
は、これに限定されるものではない。例えば、梁２は、
図７に示すように、露光光の透過率に影響がない程度
に、ペリクル膜１に網目状に取り付けることとしてもよ
い。梁２を網目状に取り付ける構造によれば、梁２がペ
リクル膜１を支える力が増大し、梁２が対角線上に配置
される場合に比してペリクル膜１のたわみを小さくする
ことができる。しかも、このような構造によれば、ペリ
クル膜１が破損した時に破片が飛び散るのを有効に防止
できるという効果も得ることができる。
【００３３】実施の形態２．次に、図８を参照して、本
発明の実施の形態２のフォトマスク２０について説明す
る。図８は、本実施形態のフォトマスク２０の断面図を
示す。フォトマスク２０は、実施の形態１のフォトマス
ク１０と同様に、ガラスフォトマスク板５とペリクル４
を備えている。ペリクル４は、実施の形態１の場合に比
して大きなペリクルフレーム３を有している。
発明の実施の形態２のフォトマスク２０について説明す
る。図８は、本実施形態のフォトマスク２０の断面図を
示す。フォトマスク２０は、実施の形態１のフォトマス
ク１０と同様に、ガラスフォトマスク板５とペリクル４
を備えている。ペリクル４は、実施の形態１の場合に比
して大きなペリクルフレーム３を有している。
【００３４】本実施形態において、ペリクル膜１は、図
８に示すようにペリクルフレーム３の上端と下端の間の
所定位置に取り付けられている。このペリクル膜１は、
その下側に配置されたアーチ型の梁２により支えられて
いる。アーチ型の梁２は、その両端がペリクルフレーム
３の下端に固定されている。梁２の中央部はペリクル膜
１に接着されていても、或いは、単にペリクル膜１に接
しているだけであってもよい。
８に示すようにペリクルフレーム３の上端と下端の間の
所定位置に取り付けられている。このペリクル膜１は、
その下側に配置されたアーチ型の梁２により支えられて
いる。アーチ型の梁２は、その両端がペリクルフレーム
３の下端に固定されている。梁２の中央部はペリクル膜
１に接着されていても、或いは、単にペリクル膜１に接
しているだけであってもよい。
【００３５】本実施形態のペリクル４によれば、ペリク
ル膜１の下部に取り付けたアーチ型の梁２に、ペリクル
膜１を支える方向に大きな力を発生させることができ
る。従って、ガラスフォトマスク板５のパターン形成面
に接着剤で上記のペリクル４を取り付けることにより、
そのパターン形成面を保護しつつ、ペリクル膜１のたわ
みを抑制することができる。
ル膜１の下部に取り付けたアーチ型の梁２に、ペリクル
膜１を支える方向に大きな力を発生させることができ
る。従って、ガラスフォトマスク板５のパターン形成面
に接着剤で上記のペリクル４を取り付けることにより、
そのパターン形成面を保護しつつ、ペリクル膜１のたわ
みを抑制することができる。
【００３６】尚、本実施形態において、梁２の断面形状
は、実施の形態１の場合と同様に、正方形の他、長方
形、鋭角二等辺三角形、台形、円形、或いは菱形などの
何れであっても良い。また、アーチ型の梁２の配置は、
実施の形態１の場合と同様に、ペリクル膜１の対角線に
合わせた配置であっても、網目状の配置であってもよ
い。
は、実施の形態１の場合と同様に、正方形の他、長方
形、鋭角二等辺三角形、台形、円形、或いは菱形などの
何れであっても良い。また、アーチ型の梁２の配置は、
実施の形態１の場合と同様に、ペリクル膜１の対角線に
合わせた配置であっても、網目状の配置であってもよ
い。
【００３７】実施の形態３．次に、図９を参照して、本
発明の実施の形態３のフォトマスク３０について説明す
る。図９は、本実施形態のフォトマスク３０の断面図を
示す。フォトマスク３０は、実施の形態２のフォトマス
ク２０と同様に、実施の形態１の場合に比して大きなペ
リクルフレーム３と、その中間位置に取り付けられたペ
リクル膜１とを備えている。
発明の実施の形態３のフォトマスク３０について説明す
る。図９は、本実施形態のフォトマスク３０の断面図を
示す。フォトマスク３０は、実施の形態２のフォトマス
ク２０と同様に、実施の形態１の場合に比して大きなペ
リクルフレーム３と、その中間位置に取り付けられたペ
リクル膜１とを備えている。
【００３８】ペリクル膜１の下側には、アーチ型の梁２
と直線型の梁２とが配置されている。直線型の梁２の上
にはアーチ型の梁２が複数設けられており、個々のアー
チ型の梁２は、その両端がペリクルフレーム３の下端ま
たは直線型の梁２に固定されている。このような構造に
よれば、実施の形態２の場合に比して、アーチ型の梁２
がペリクル膜１を支持する点を増やすことができる。こ
のため、本実施形態のフォトマスク３０によれば、実施
の形態２のフォトマスク２０に比して、ペリクル膜１の
たわみを更に小さくすることができる。
と直線型の梁２とが配置されている。直線型の梁２の上
にはアーチ型の梁２が複数設けられており、個々のアー
チ型の梁２は、その両端がペリクルフレーム３の下端ま
たは直線型の梁２に固定されている。このような構造に
よれば、実施の形態２の場合に比して、アーチ型の梁２
がペリクル膜１を支持する点を増やすことができる。こ
のため、本実施形態のフォトマスク３０によれば、実施
の形態２のフォトマスク２０に比して、ペリクル膜１の
たわみを更に小さくすることができる。
【００３９】本実施形態の構造において、直線型の梁２
は、ガラスフォトマスク板５のパターン形成面から大き
く離間した位置に配置される。このため、直線型の梁２
は、アーチ型の梁２に比して更にデフォーカスされる。
従って、直線型の梁２は、実施の形態１または２におけ
る梁２に比して太くすることができる。
は、ガラスフォトマスク板５のパターン形成面から大き
く離間した位置に配置される。このため、直線型の梁２
は、アーチ型の梁２に比して更にデフォーカスされる。
従って、直線型の梁２は、実施の形態１または２におけ
る梁２に比して太くすることができる。
【００４０】ところで、上述した実施の形態３では、ア
ーチ型の梁２を直線型の梁２で支える構造としている
が、アーチ型の梁２を支える梁２は直線型に限られるも
のではない。すなわち、ペリクル膜１を支えるアーチ型
の梁２を、更にアーチ型の梁２で支えることとしてもよ
い。
ーチ型の梁２を直線型の梁２で支える構造としている
が、アーチ型の梁２を支える梁２は直線型に限られるも
のではない。すなわち、ペリクル膜１を支えるアーチ型
の梁２を、更にアーチ型の梁２で支えることとしてもよ
い。
【００４１】尚、本実施形態において、梁２の断面形状
は、実施の形態１または２の場合と同様に、正方形の
他、長方形、鋭角二等辺三角形、台形、円形、或いは菱
形などの何れであっても良い。また、アーチ型の梁２の
配置は、実施の形態１の場合と同様に、ペリクル膜１の
対角線に合わせた配置であっても、網目状の配置であっ
てもよい。
は、実施の形態１または２の場合と同様に、正方形の
他、長方形、鋭角二等辺三角形、台形、円形、或いは菱
形などの何れであっても良い。また、アーチ型の梁２の
配置は、実施の形態１の場合と同様に、ペリクル膜１の
対角線に合わせた配置であっても、網目状の配置であっ
てもよい。
【００４２】実施の形態４．次に、図１０を参照して、
本発明の実施の形態４のフォトマスク４０について説明
する。図１０（Ａ）は、本実施形態のフォトマスク４０
の平面図を示す。また、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）
に示すA-A'直線に沿ってフォトマスク４０を切断するこ
とで得られる断面図を示す。
本発明の実施の形態４のフォトマスク４０について説明
する。図１０（Ａ）は、本実施形態のフォトマスク４０
の平面図を示す。また、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）
に示すA-A'直線に沿ってフォトマスク４０を切断するこ
とで得られる断面図を示す。
【００４３】図１０（Ｂ）に示すように、本実施形態の
フォトマスク４０では、ペリクル膜１とガラスフォトマ
スク板５のパターン形成面との間に柱６が配置されてい
る。柱６は、延性あるいは展性が小さく、かつ、硬度の
高い無機物質（例えばセラミック）や金属で構成された
太さ３００μｍ以下の棒状の部材である。柱６の両端
は、それぞれガラスフォトマスク板５のパターン形成面
およびペリクル膜１に接着されている。このような構造
によれば、ペリクル膜１の変形が柱６により規制される
ため、ペリクル膜１のたわみを十分に小さく抑制するこ
とができる。
フォトマスク４０では、ペリクル膜１とガラスフォトマ
スク板５のパターン形成面との間に柱６が配置されてい
る。柱６は、延性あるいは展性が小さく、かつ、硬度の
高い無機物質（例えばセラミック）や金属で構成された
太さ３００μｍ以下の棒状の部材である。柱６の両端
は、それぞれガラスフォトマスク板５のパターン形成面
およびペリクル膜１に接着されている。このような構造
によれば、ペリクル膜１の変形が柱６により規制される
ため、ペリクル膜１のたわみを十分に小さく抑制するこ
とができる。
【００４４】ガラスフォトマスク板５のパターン形成面
と柱６との接着部分は、スクライブの対象領域等のよう
に転写パターンに影響を与えない領域、或いはアライメ
ントマーク等の大きなパターンを形成すべき領域に設定
されている。このため、柱６の像がウェハ上に転写され
てもデバイスの特性には何ら影響は生じない。以上のよ
うに、石英ガラス等の透明無機物質を材料としたペリク
ル膜１と、ガラスフォトマスク板５のパターン面とを柱
６で結び付けることにより、ガラスフォトマスク板５の
パターン面を保護し、ペリクル膜１のたわみを解決する
ことができる。
と柱６との接着部分は、スクライブの対象領域等のよう
に転写パターンに影響を与えない領域、或いはアライメ
ントマーク等の大きなパターンを形成すべき領域に設定
されている。このため、柱６の像がウェハ上に転写され
てもデバイスの特性には何ら影響は生じない。以上のよ
うに、石英ガラス等の透明無機物質を材料としたペリク
ル膜１と、ガラスフォトマスク板５のパターン面とを柱
６で結び付けることにより、ガラスフォトマスク板５の
パターン面を保護し、ペリクル膜１のたわみを解決する
ことができる。
【００４５】ところで、上述した実施の形態４のフォト
マスク４０を表す図１０には、ペリクル膜１の上に９本
の柱６を配置した構造が示されているが、柱６の本数は
これに限定されるものではなく、その本数は任意に決定
すればよい。また、図１０には、柱６の断面形状が円形
に示されているが、その形状は円形に限るものではな
く、任意の形状とすることができる。
マスク４０を表す図１０には、ペリクル膜１の上に９本
の柱６を配置した構造が示されているが、柱６の本数は
これに限定されるものではなく、その本数は任意に決定
すればよい。また、図１０には、柱６の断面形状が円形
に示されているが、その形状は円形に限るものではな
く、任意の形状とすることができる。
【００４６】実施の形態５．次に、図１１を参照して、
本発明の実施の形態５のフォトマスク５０について説明
する。図１１（Ａ）は、本実施形態のフォトマスク５０
の平面図を示す。また、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）
に示すA-A'直線に沿ってフォトマスク５０を切断するこ
とで得られる断面図を示す。
本発明の実施の形態５のフォトマスク５０について説明
する。図１１（Ａ）は、本実施形態のフォトマスク５０
の平面図を示す。また、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）
に示すA-A'直線に沿ってフォトマスク５０を切断するこ
とで得られる断面図を示す。
【００４７】フォトマスク５０は、実施の形態２のフォ
トマスク２０または実施の形態３のフォトマスク３０と
同様に、実施の形態１の場合に比して大きなペリクルフ
レーム３と、その中間位置に取り付けられたペリクル膜
１とを備えている。ペリクルフレーム３の下端には、ペ
リクル膜１を支えるための梁２が固定されており、更
に、梁２とペリクル膜１の間には、柱６が取り付けられ
ている。
トマスク２０または実施の形態３のフォトマスク３０と
同様に、実施の形態１の場合に比して大きなペリクルフ
レーム３と、その中間位置に取り付けられたペリクル膜
１とを備えている。ペリクルフレーム３の下端には、ペ
リクル膜１を支えるための梁２が固定されており、更
に、梁２とペリクル膜１の間には、柱６が取り付けられ
ている。
【００４８】上記の構造によれば、ペリクル膜１の変形
が梁２および柱６により規制されるため、ペリクル膜１
のたわみを十分に小さく抑制することができる。また、
本実施形態の構造によれば、ガラスフォトマスク板５の
パターン形成面と柱６との間に十分な距離が確保できる
ため、柱６のパターンはウェハ上に結像されない。従っ
て、本実施形態のフォトマスク５０では、実施の形態４
のフォトマスク４０に比して、柱６の配置に関して高い
自由度を確保することができる。
が梁２および柱６により規制されるため、ペリクル膜１
のたわみを十分に小さく抑制することができる。また、
本実施形態の構造によれば、ガラスフォトマスク板５の
パターン形成面と柱６との間に十分な距離が確保できる
ため、柱６のパターンはウェハ上に結像されない。従っ
て、本実施形態のフォトマスク５０では、実施の形態４
のフォトマスク４０に比して、柱６の配置に関して高い
自由度を確保することができる。
【００４９】ところで、フォトマスク５０を表す図１１
には、直線型の２本の梁２と、それらの上に配置される
６本の柱６とが示されているが、梁２や柱６の数、或い
は梁２の形状はこれに限定されるものではない。すなわ
ち、梁２や柱６の本数は任意に決定すればよく、また、
梁２の形状は直線型の他、アーチ状であってもよい。
には、直線型の２本の梁２と、それらの上に配置される
６本の柱６とが示されているが、梁２や柱６の数、或い
は梁２の形状はこれに限定されるものではない。すなわ
ち、梁２や柱６の本数は任意に決定すればよく、また、
梁２の形状は直線型の他、アーチ状であってもよい。
【００５０】実施の形態６．次に、図１２を参照して、
本発明の実施の形態６のフォトマスク６０について説明
する。図１２（Ａ）は、本実施形態のフォトマスク６０
の側面図を示す。また、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）
に示すA-A'直線に沿ってフォトマスク６０を切断するこ
とで得られる断面図を示す。更に、図１２（Ｃ）は、図
１２（Ａ）に示すB-B'直線に沿ってフォトマスク６０を
切断することで得られる断面図を示す。
本発明の実施の形態６のフォトマスク６０について説明
する。図１２（Ａ）は、本実施形態のフォトマスク６０
の側面図を示す。また、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）
に示すA-A'直線に沿ってフォトマスク６０を切断するこ
とで得られる断面図を示す。更に、図１２（Ｃ）は、図
１２（Ａ）に示すB-B'直線に沿ってフォトマスク６０を
切断することで得られる断面図を示す。
【００５１】フォトマスク６０は、実施の形態２のフォ
トマスク２０と同様に、実施の形態１の場合に比して大
きなペリクルフレーム３と、アーチ型の梁２を備えてい
る。本実施形態において、アーチ型の梁２は、ペリクル
フレーム３と接する部分が、ペリクル膜１に接する部分
に比して太くなるように構成されている。換言すると、
本実施形態において、アーチ型の梁２は、その中央付近
に比して、その端部付近が太くなるように構成されてい
る（図１２（Ｂ）および図１２（Ｃ）参照）。
トマスク２０と同様に、実施の形態１の場合に比して大
きなペリクルフレーム３と、アーチ型の梁２を備えてい
る。本実施形態において、アーチ型の梁２は、ペリクル
フレーム３と接する部分が、ペリクル膜１に接する部分
に比して太くなるように構成されている。換言すると、
本実施形態において、アーチ型の梁２は、その中央付近
に比して、その端部付近が太くなるように構成されてい
る（図１２（Ｂ）および図１２（Ｃ）参照）。
【００５２】このような構成によれば、ペリクル膜１を
支えるに足る剛性を梁２に付与しつつ、ペリクル膜１と
の接点付近における梁２の太さを十分に小さくすること
ができる。従って、本実施形態のフォトマスク６０によ
れば、写真製版に対する梁２の影響を十分に十分に抑制
しつつ、効果的にペリクル膜１のたわみを防止すること
ができる。
支えるに足る剛性を梁２に付与しつつ、ペリクル膜１と
の接点付近における梁２の太さを十分に小さくすること
ができる。従って、本実施形態のフォトマスク６０によ
れば、写真製版に対する梁２の影響を十分に十分に抑制
しつつ、効果的にペリクル膜１のたわみを防止すること
ができる。
【００５３】実施の形態７．次に、図１３を参照して、
本発明の実施の形態７のフォトマスク７０について説明
する。図１３（Ａ）は、本実施形態のフォトマスク７０
の平面図を示す。また、図１３（Ｂ）は、図１２（Ａ）
に示すA-A'直線に沿ってフォトマスク７０を切断するこ
とで得られる断面図を示す。
本発明の実施の形態７のフォトマスク７０について説明
する。図１３（Ａ）は、本実施形態のフォトマスク７０
の平面図を示す。また、図１３（Ｂ）は、図１２（Ａ）
に示すA-A'直線に沿ってフォトマスク７０を切断するこ
とで得られる断面図を示す。
【００５４】フォトマスク７０は、実施の形態１のフォ
トマスク１０と同様に、ペリクル膜１の下に、ペリクル
膜１を支えるための梁２を備えている。本実施形態にお
いて、梁２は、図１３（Ａ）に示すように、平面視でＳ
字形状となるように形成されている。
トマスク１０と同様に、ペリクル膜１の下に、ペリクル
膜１を支えるための梁２を備えている。本実施形態にお
いて、梁２は、図１３（Ａ）に示すように、平面視でＳ
字形状となるように形成されている。
【００５５】このような梁２によれば、直線状の梁に比
して、ペリクル膜１を支える方向に大きな剛性を確保す
ることができる。従って、本実施形態のフォトマスク７
０によれば、その幅を十分に細くすることで写真製版に
対する梁２の影響を十分に十分に抑制しつつ、ペリクル
膜１のたわみを効果的に防止することができる。
して、ペリクル膜１を支える方向に大きな剛性を確保す
ることができる。従って、本実施形態のフォトマスク７
０によれば、その幅を十分に細くすることで写真製版に
対する梁２の影響を十分に十分に抑制しつつ、ペリクル
膜１のたわみを効果的に防止することができる。
【００５６】尚、上述した実施の形態６および７では、
梁２の断面を正方形または長方形としているが、その形
状はそれらに限定されるものではない。実施の形態６お
よび７において、梁２の形状は、２等辺３角形など、他
の形状であってもよい。
梁２の断面を正方形または長方形としているが、その形
状はそれらに限定されるものではない。実施の形態６お
よび７において、梁２の形状は、２等辺３角形など、他
の形状であってもよい。
【００５７】ところで、上述した実施の形態１乃至７で
は、梁２の幅および柱６の太さが、原則として３００μ
ｍ以下に設定されている。以下、梁２の幅や柱６の太さ
を３００μｍ以下とする根拠について説明する。
は、梁２の幅および柱６の太さが、原則として３００μ
ｍ以下に設定されている。以下、梁２の幅や柱６の太さ
を３００μｍ以下とする根拠について説明する。
【００５８】投影レンズのウェハ側の開口番号ＮＡ（Nu
merical Aperture）をＮＡ、ペリクルフレームの高さを
ｈ、照明系コヒーレンシィをσ、光学レンズ７の倍率を
１／Ｍとすると、ペリクル膜１上の照明光束直径ｒは次
の式で近似される。 ｒ ≒ ２・ｈ・ＮＡ・σ・（１／Ｍ）
merical Aperture）をＮＡ、ペリクルフレームの高さを
ｈ、照明系コヒーレンシィをσ、光学レンズ７の倍率を
１／Ｍとすると、ペリクル膜１上の照明光束直径ｒは次
の式で近似される。 ｒ ≒ ２・ｈ・ＮＡ・σ・（１／Ｍ）
【００５９】ペリクル膜１に梁２や柱６が取り付けられ
ていると、ペリクル膜１上の照明光束が、それらの梁２
や柱６により一部遮られて、その照明光束に対応するパ
ターン部分が照度減少Δを起こす。この照度減少Δは、
柱６の直径をａとすると次の式で表される。 Δ ＝ （ａ／ｒ）2
ていると、ペリクル膜１上の照明光束が、それらの梁２
や柱６により一部遮られて、その照明光束に対応するパ
ターン部分が照度減少Δを起こす。この照度減少Δは、
柱６の直径をａとすると次の式で表される。 Δ ＝ （ａ／ｒ）2
【００６０】従って、ペリクル膜１にとりつける柱６の
太さの許容値は、次の式で表される。 ａ ＝ ２・ｈ・ＮＡ・σ・（１／Ｍ）・√Δ
太さの許容値は、次の式で表される。 ａ ＝ ２・ｈ・ＮＡ・σ・（１／Ｍ）・√Δ
【００６１】上の式に、ＮＡ＝０．８，σ＝１．０，Ｍ
＝４，ｈ＝６．３ｍｍ，Δ＝１．５％とすると、ａ＝３
０９μｍとなる。このため、ペリクル膜１に取り付ける
梁２の幅や柱６の太さを３００μｍ以下とすれば、柱６
の像がウェハ上の像に影響を与えるのを避けることがで
きる。
＝４，ｈ＝６．３ｍｍ，Δ＝１．５％とすると、ａ＝３
０９μｍとなる。このため、ペリクル膜１に取り付ける
梁２の幅や柱６の太さを３００μｍ以下とすれば、柱６
の像がウェハ上の像に影響を与えるのを避けることがで
きる。
【００６２】
【発明の効果】本発明によれば、石英ガラス等の透明無
機物質を材料としたペリクル膜が自重でたわむのを防止
しつつ、短波長の光を高い透過率で透過させ、かつ、光
線により劣化し難いペリクル膜を得ることができる。こ
のため、本発明は、短波長の露光を行うにあたり、特に
波長１６０ｎｍ以下の真空紫外域の光線を光源とする露
光を行うにあたり極めて有用である。
機物質を材料としたペリクル膜が自重でたわむのを防止
しつつ、短波長の光を高い透過率で透過させ、かつ、光
線により劣化し難いペリクル膜を得ることができる。こ
のため、本発明は、短波長の露光を行うにあたり、特に
波長１６０ｎｍ以下の真空紫外域の光線を光源とする露
光を行うにあたり極めて有用である。
【図１】 本発明の実施の形態１のフォトマスクの平面
図および断面図である。
図および断面図である。
【図２】 図１に示すフォトマスクの主要部を拡大して
表した図である。
表した図である。
【図３】 図１に示すフォトマスクに用いうる梁の断面
形状の変形例を示す図である。
形状の変形例を示す図である。
【図４】 図３（Ａ）に示す断面形状を有する梁を用い
て構成したフォトマスクの主要部を拡大して表した図で
ある。
て構成したフォトマスクの主要部を拡大して表した図で
ある。
【図５】 図３（Ｂ）に示す断面形状を有する梁を用い
て構成したフォトマスクの主要部を拡大して表した図で
ある。
て構成したフォトマスクの主要部を拡大して表した図で
ある。
【図６】 図３（Ｅ）に示す断面形状を有する梁を用い
て構成したフォトマスクの主要部を拡大して表した図で
ある。
て構成したフォトマスクの主要部を拡大して表した図で
ある。
【図７】 実施の形態１のフォトマスクに適用し得る梁
の配置の他の例を示す図である。
の配置の他の例を示す図である。
【図８】 本発明の実施の形態２のフォトマスクの断面
図である。
図である。
【図９】 本発明の実施の形態３のフォトマスクの断面
図である。
図である。
【図１０】 本発明の実施の形態４のフォトマスクの平
面図および断面図である。
面図および断面図である。
【図１１】 本発明の実施の形態５のフォトマスクの平
面図および断面図である。
面図および断面図である。
【図１２】 本発明の実施の形態６のフォトマスクの側
面図および断面図である。
面図および断面図である。
【図１３】 本発明の実施の形態７のフォトマスクの平
面図および側面図である。
面図および側面図である。
【図１４】 従来のリソグラフィ工程を説明するための
図（その１）である。
図（その１）である。
【図１５】 従来のリソグラフィ工程を説明するための
図（その２）である。
図（その２）である。
１ ペリクル膜 ２ 梁 ３ ペリクルフレーム ４ ペリクル ５ ガラスフォトマスク板 ６ 柱 ７ 光学レンズ ８ ウェハ ９ 異物 １０；２０；３０；４０；５０；６０；７０ フォトマ
スク
スク
Claims (10)
- 【請求項１】 透光性フォトマスク板のパターン形成面
に取り付けられるフォトマスク用ペリクルであって、 前記パターン形成面に固定されるペリクルフレームと、 前記パターン形成面との間に所定の距離が確保されるよ
うに、前記ペリクルフレームに支持される透光性のペリ
クル膜と、 前記ペリクル膜のたわみを抑制するように当該ペリクル
膜を支持するたわみ防止部材と、 を備えることを特徴とするフォトマスク用ペリクル。 - 【請求項２】 前記たわみ防止部材は、前記ペリクル膜
に比して延性或いは展性が小さく、かつ、硬度の高い材
料で構成されることを特徴とする請求項１記載のフォト
マスク用ペリクル。 - 【請求項３】 前記たわみ防止部材の太さは３００μｍ
以下であることを特徴とする請求項１または２記載のフ
ォトマスク用ペリクル。 - 【請求項４】 前記ペリクル膜は、１００μｍ以上１０
００μｍ以下の膜厚を有する透明無機物質の板であるこ
とを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項記載のフォ
トマスク用ペリクル。 - 【請求項５】 前記たわみ防止部材は、前記ペリクル膜
を直接的或いは間接的に支持する梁を含むことを特徴と
する請求項１乃至４の何れか１項記載のフォトマスク用
ペリクル。 - 【請求項６】 前記梁は、前記ペリクル膜の側に凸とな
るアーチ形状を有し、かつ、前記ペリクル膜を下方から
支持するアーチ状梁を含むことを特徴とする請求項５記
載のフォトマスク用ペリクル。 - 【請求項７】 前記たわみ防止部材は、前記ペリクル膜
を上方から或いは下方から支持する柱を含むことを特徴
とする請求項１乃至６の何れか１項記載のフォトマスク
用ペリクル。 - 【請求項８】 パターン形成面を有する透光性フォトマ
スク板と、前記パターン形成面を覆うように前記透光性
フォトマスク板に取り付けられるペリクルとを含むフォ
トマスクであって、 前記ペリクルが、請求項１乃至７の何れか１項記載のフ
ォトマスク用ペリクルであることを特徴とするフォトマ
スク。 - 【請求項９】 請求項８記載のフォトマスクを用いて、
波長１６０ｎｍ以下の真空紫外域の光線を光源として、
半導体ウェハを露光する写真製版工程を含むことを特徴
とする露光方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載の露光方法を用いて製造
されることを特徴とする半導体装置。
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