JP2002134329A - 信号回線のコモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品 - Google Patents
信号回線のコモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品Info
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- JP2002134329A JP2002134329A JP2000323934A JP2000323934A JP2002134329A JP 2002134329 A JP2002134329 A JP 2002134329A JP 2000323934 A JP2000323934 A JP 2000323934A JP 2000323934 A JP2000323934 A JP 2000323934A JP 2002134329 A JP2002134329 A JP 2002134329A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型、高性能で性能のバラツキも小さく、高
信頼性の実用性に富んだ信号回線のコモンモード雷サー
ジ電流抑制用磁性部品を提供すること。 【解決手段】 本発明は、信号回線に流入するコモンモ
ード雷サージ電流を抑制するために磁心に信号線を巻き
付けて構成されている信号回線のコモンモード雷サージ
電流抑制用磁性部品において、前記磁心は直流磁界の最
大振幅を±８００Ａ／ｍとして測定した直流磁気特性に
おける実効飽和磁束密度Ｂｓが１Ｔ以上かつ同実効飽和
磁束密度Ｂｓと実効残留磁束密度Ｂｒの比で表される角
形比Ｂｒ／Ｂｓが０．２以下、およびパルス幅１μｓ、
動作磁束密度ΔＢが０．５Ｔにおける実効パルス比透磁
率μｒｐが５００以上の金属軟磁性合金薄帯磁心である
ことを特徴とする信号回線のコモンモード雷サージ電流
抑制用磁性部品である。
信頼性の実用性に富んだ信号回線のコモンモード雷サー
ジ電流抑制用磁性部品を提供すること。 【解決手段】 本発明は、信号回線に流入するコモンモ
ード雷サージ電流を抑制するために磁心に信号線を巻き
付けて構成されている信号回線のコモンモード雷サージ
電流抑制用磁性部品において、前記磁心は直流磁界の最
大振幅を±８００Ａ／ｍとして測定した直流磁気特性に
おける実効飽和磁束密度Ｂｓが１Ｔ以上かつ同実効飽和
磁束密度Ｂｓと実効残留磁束密度Ｂｒの比で表される角
形比Ｂｒ／Ｂｓが０．２以下、およびパルス幅１μｓ、
動作磁束密度ΔＢが０．５Ｔにおける実効パルス比透磁
率μｒｐが５００以上の金属軟磁性合金薄帯磁心である
ことを特徴とする信号回線のコモンモード雷サージ電流
抑制用磁性部品である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信基地局
におけるインターフェース回線をはじめとする各種信号
回線に流入するコモンモード雷サージ電流を抑制するた
めの磁性部品に関するものである。
におけるインターフェース回線をはじめとする各種信号
回線に流入するコモンモード雷サージ電流を抑制するた
めの磁性部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来技術について、図６のブロッ
ク図に示す移動体通信基地局を例に説明する。この図に
おいて、１は２０Ａフィーダーケーブル、２，３はいず
れも通信装置、４は保安装置、６はインターフェース回
線ケーブル、７は接地線のインダクタンス、８は接地
極、９ａと９ｂおよび１０ａと１０ｂは、各々インター
フェース回線ケーブル６における一対の信号線、１１は
接地された遮蔽線、２１と２２は各々通信装置２内のド
ライバとレシーバ、３１と３２は各々通信装置３内のド
ライバとレシーバである。
ク図に示す移動体通信基地局を例に説明する。この図に
おいて、１は２０Ａフィーダーケーブル、２，３はいず
れも通信装置、４は保安装置、６はインターフェース回
線ケーブル、７は接地線のインダクタンス、８は接地
極、９ａと９ｂおよび１０ａと１０ｂは、各々インター
フェース回線ケーブル６における一対の信号線、１１は
接地された遮蔽線、２１と２２は各々通信装置２内のド
ライバとレシーバ、３１と３２は各々通信装置３内のド
ライバとレシーバである。
【０００３】ここで、上記保安装置４としては一般に図
７に示す構成のものが用いられている。図７において、
Ｔ１とＴ２は通信装置側端子、Ｌ１とＬ２はインターフ
ェース回線ケーブル側端子、Ｅは接地端子、４１と４２
はシリコンサージ防護素子、４３と４４は抵抗、４５は
３極避雷管である。
７に示す構成のものが用いられている。図７において、
Ｔ１とＴ２は通信装置側端子、Ｌ１とＬ２はインターフ
ェース回線ケーブル側端子、Ｅは接地端子、４１と４２
はシリコンサージ防護素子、４３と４４は抵抗、４５は
３極避雷管である。
【０００４】移動体通信基地局において、最も雷撃を受
けやすい箇所は、避雷針および空中線（アンテナ）であ
り、それ以外の箇所は、誘導雷サージの侵入経路にあた
るか、あるいは雷撃電流の流出経路となる。
けやすい箇所は、避雷針および空中線（アンテナ）であ
り、それ以外の箇所は、誘導雷サージの侵入経路にあた
るか、あるいは雷撃電流の流出経路となる。
【０００５】避雷針の遮へい失敗によりアンテナに被雷
した場合、雷撃電流の一部は、アンテナから同軸線路を
経由して無線装置収容函に流入することになる。この結
果、雷サージ電流がアンテナ側、つまり２０Ａフィーダ
ーケーブル１経由で無線装置収容函内の屋内接地システ
ムに流入する。
した場合、雷撃電流の一部は、アンテナから同軸線路を
経由して無線装置収容函に流入することになる。この結
果、雷サージ電流がアンテナ側、つまり２０Ａフィーダ
ーケーブル１経由で無線装置収容函内の屋内接地システ
ムに流入する。
【０００６】この雷サージ電流によってインターフェー
ス回線ケーブル６における信号線９ａ、９ｂ、１０ａ、
および１０ｂと接地電極間にサージ電圧が生じると、そ
れぞれの信号線に接続された保安装置４のＴ１端子とＴ
２端子に接続されたシリコンサージ防護素子４１と４
２、およびＬ１端子とＬ２端子に接続された３極避雷管
が動作し雷サージ電流を大地に流すことによって、通信
装置２、通信装置３およびインターフェース回線ケーブ
ル６がサージ電圧によって絶縁破壊するのを防止するこ
とができる。
ス回線ケーブル６における信号線９ａ、９ｂ、１０ａ、
および１０ｂと接地電極間にサージ電圧が生じると、そ
れぞれの信号線に接続された保安装置４のＴ１端子とＴ
２端子に接続されたシリコンサージ防護素子４１と４
２、およびＬ１端子とＬ２端子に接続された３極避雷管
が動作し雷サージ電流を大地に流すことによって、通信
装置２、通信装置３およびインターフェース回線ケーブ
ル６がサージ電圧によって絶縁破壊するのを防止するこ
とができる。
【０００７】一方、接地線のインダクタンス７に接地極
８に向かって雷サージ電流が流れると、通信装置２の接
地電位が通信装置３の接地電位に対して上昇することに
なる。このため、雷サージ電流は通信装置２から２つの
保安装置４、インターフェース回線ケーブル６の各々対
をなす信号線９ａと９ｂ、１０ａと１０ｂ、および接地
された遮蔽線１１、２つの保安装置４を介して通信装置
３に向かってコモンモード雷サージ電流となって流れ
る。このコモンモード雷サージ電流を、４つの保安装置
４で十分に抑制することは困難なため、通信装置２内お
よび通信装置３内のドライバ２１、３１、あるいはレシ
ーバ２２、３２を始めとする半導体は破壊に至る問題が
あった。
８に向かって雷サージ電流が流れると、通信装置２の接
地電位が通信装置３の接地電位に対して上昇することに
なる。このため、雷サージ電流は通信装置２から２つの
保安装置４、インターフェース回線ケーブル６の各々対
をなす信号線９ａと９ｂ、１０ａと１０ｂ、および接地
された遮蔽線１１、２つの保安装置４を介して通信装置
３に向かってコモンモード雷サージ電流となって流れ
る。このコモンモード雷サージ電流を、４つの保安装置
４で十分に抑制することは困難なため、通信装置２内お
よび通信装置３内のドライバ２１、３１、あるいはレシ
ーバ２２、３２を始めとする半導体は破壊に至る問題が
あった。
【０００８】このコモンモード雷サージ電流を抑制する
ため、特公平２−５２９２０号公報に示されるように一
対をなす信号線に直列にコモンモードチョークを挿入す
る手法が知られている。この手法を適用した保安装置の
一例を図８に示す。図８において、図７に示されている
部品と同じ部品は同じ参照符号を付けている。なお、図
８で４６はコモンモードチョークである。なお、コモン
モード雷サージ電流を抑制するためのコモンモードチョ
ーク４６としては、特開平５−４５３８１号公報に示さ
れるように、Ｍｎ−Ｚｎ高透磁率フェライト磁心や鉄基
非晶質軟磁性合金薄帯で構成した巻磁心が用いられてい
た。
ため、特公平２−５２９２０号公報に示されるように一
対をなす信号線に直列にコモンモードチョークを挿入す
る手法が知られている。この手法を適用した保安装置の
一例を図８に示す。図８において、図７に示されている
部品と同じ部品は同じ参照符号を付けている。なお、図
８で４６はコモンモードチョークである。なお、コモン
モード雷サージ電流を抑制するためのコモンモードチョ
ーク４６としては、特開平５−４５３８１号公報に示さ
れるように、Ｍｎ−Ｚｎ高透磁率フェライト磁心や鉄基
非晶質軟磁性合金薄帯で構成した巻磁心が用いられてい
た。
【０００９】図６にブロック図を示す移動体通信基地局
の保安装置４に図８の構成のものを用いて通信装置２、
通信装置３、およびインターフェース回線ケーブル６を
コモンモード雷サージ電流により破壊されるのを防止す
るには、例えば、図９にそのブロック図を示すインパル
ス電流印加試験において、インパルス電流発生装置１３
から波頭長１０μｓ、波尾長２００μｓ、波高値２ｋＡ
のインパルス電流Ｉ1を印加した後にも正常に動作する
ことが必要である。この場合、通信装置側に分流するサ
ージ電流Ｉ3 の急峻な立ち上がりを抑制すると共に、そ
の波高値は２００Ａ程度以下に抑えなくてはならない。
また、正負何れの方向のコモンモード雷サージ電流に対
しても同様に良好な抑制効果を持たなくてはならない。
の保安装置４に図８の構成のものを用いて通信装置２、
通信装置３、およびインターフェース回線ケーブル６を
コモンモード雷サージ電流により破壊されるのを防止す
るには、例えば、図９にそのブロック図を示すインパル
ス電流印加試験において、インパルス電流発生装置１３
から波頭長１０μｓ、波尾長２００μｓ、波高値２ｋＡ
のインパルス電流Ｉ1を印加した後にも正常に動作する
ことが必要である。この場合、通信装置側に分流するサ
ージ電流Ｉ3 の急峻な立ち上がりを抑制すると共に、そ
の波高値は２００Ａ程度以下に抑えなくてはならない。
また、正負何れの方向のコモンモード雷サージ電流に対
しても同様に良好な抑制効果を持たなくてはならない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術によるコ
モンモード雷サージ電流抑制用コモンモードチョーク４
６によって、通信装置側に分流する正負何れの方向のサ
ージ電流Ｉ3 の急峻な立ち上がりを抑制すると共にその
波高値を２００Ａ以下に抑えようとすると以下のような
問題があった。
モンモード雷サージ電流抑制用コモンモードチョーク４
６によって、通信装置側に分流する正負何れの方向のサ
ージ電流Ｉ3 の急峻な立ち上がりを抑制すると共にその
波高値を２００Ａ以下に抑えようとすると以下のような
問題があった。
【００１１】Ｍｎ−Ｚｎ高透磁率フェライト磁心を用い
たコモンモードチョーク４６を使用した場合、その直流
磁界の最大振幅を±８００Ａ／ｍとして測定した直流磁
気特性における実効飽和磁束密度Ｂｓは高々０．５Ｔ程
度、同実効飽和磁束密度Ｂｓと実効残留磁束密度Ｂｒの
比で表される角形比Ｂｒ／Ｂｓは０．２程度、かつキュ
リー温度が２００℃程度と低いことに起因して高温で前
記実効飽和磁束密度Ｂｓが急激に低下するため、コモン
モード雷サージ電流が流れたときの動作磁束密度ΔＢは
実用上０．３Ｔ程度しか取ることができない。このため
コモンモードチョーク４６が大型化し、実用上求められ
るサイズの上限の２倍程度になってしまうという大きな
問題があった。
たコモンモードチョーク４６を使用した場合、その直流
磁界の最大振幅を±８００Ａ／ｍとして測定した直流磁
気特性における実効飽和磁束密度Ｂｓは高々０．５Ｔ程
度、同実効飽和磁束密度Ｂｓと実効残留磁束密度Ｂｒの
比で表される角形比Ｂｒ／Ｂｓは０．２程度、かつキュ
リー温度が２００℃程度と低いことに起因して高温で前
記実効飽和磁束密度Ｂｓが急激に低下するため、コモン
モード雷サージ電流が流れたときの動作磁束密度ΔＢは
実用上０．３Ｔ程度しか取ることができない。このため
コモンモードチョーク４６が大型化し、実用上求められ
るサイズの上限の２倍程度になってしまうという大きな
問題があった。
【００１２】一方、鉄基非晶質軟磁性合金薄帯で構成し
た巻磁心を用いたコモンモードチョーク４６を使用した
場合、例えば同巻磁心として特開昭５７−２０２７０９
号公報あるいは特開平７−９４３４０号公報に示される
製造方法により角形比Ｂｒ／Ｂｓを低下させたものを用
いることによりコモンモード雷サージ電流が流れたとき
の動作磁束密度ΔＢを大きくすることは可能だが、コモ
ンモード雷サージ電流の急峻な立ち上がりの抑制効果に
大きなバラツキがあるという問題があった。
た巻磁心を用いたコモンモードチョーク４６を使用した
場合、例えば同巻磁心として特開昭５７−２０２７０９
号公報あるいは特開平７−９４３４０号公報に示される
製造方法により角形比Ｂｒ／Ｂｓを低下させたものを用
いることによりコモンモード雷サージ電流が流れたとき
の動作磁束密度ΔＢを大きくすることは可能だが、コモ
ンモード雷サージ電流の急峻な立ち上がりの抑制効果に
大きなバラツキがあるという問題があった。
【００１３】本発明の目的は、前記従来技術では実現困
難であった小型、高性能で性能のバラツキも小さく、高
信頼性があり実用性に富んだ信号回線のコモンモード雷
サージ電流抑制用磁性部品を提供することにある。
難であった小型、高性能で性能のバラツキも小さく、高
信頼性があり実用性に富んだ信号回線のコモンモード雷
サージ電流抑制用磁性部品を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、信号回線に流
入するコモンモード雷サージ電流を抑制するために磁心
に信号線を巻き付けて構成されている信号回線のコモン
モード雷サージ電流抑制用磁性部品において、前記磁心
は直流磁界の最大振幅を±８００Ａ／ｍとして測定した
直流磁気特性における実効飽和磁束密度Ｂｓが１Ｔ以上
かつ同実効飽和磁束密度Ｂｓと実効残留磁束密度Ｂｒの
比で表される角形比Ｂｒ／Ｂｓが０．２以下、およびパ
ルス幅１μｓ、動作磁束密度ΔＢが０．５Ｔにおける実
効パルス比透磁率μｒｐが５００以上の金属軟磁性合金
薄帯磁心であることを特徴とする信号回線のコモンモー
ド雷サージ電流抑制用磁性部品である。
入するコモンモード雷サージ電流を抑制するために磁心
に信号線を巻き付けて構成されている信号回線のコモン
モード雷サージ電流抑制用磁性部品において、前記磁心
は直流磁界の最大振幅を±８００Ａ／ｍとして測定した
直流磁気特性における実効飽和磁束密度Ｂｓが１Ｔ以上
かつ同実効飽和磁束密度Ｂｓと実効残留磁束密度Ｂｒの
比で表される角形比Ｂｒ／Ｂｓが０．２以下、およびパ
ルス幅１μｓ、動作磁束密度ΔＢが０．５Ｔにおける実
効パルス比透磁率μｒｐが５００以上の金属軟磁性合金
薄帯磁心であることを特徴とする信号回線のコモンモー
ド雷サージ電流抑制用磁性部品である。
【００１５】本発明者らは、コモンモード雷サージ電流
抑制用磁性部品に用いる磁心のパルス幅１μｓ、動作磁
束密度ΔＢが０．５Ｔにおける実効パルス比透磁率μｒ
ｐを上記のように５００以上とすることによりコモンモ
ード雷サージ電流が流れたときの急峻な立ち上がりを実
用上十分なレベルに抑制できることを新たに見いだし
た。本発明は、上記磁気特性を満足させることによりコ
モンモード雷サージ電流を実用上十分なレベルに抑制
し、しかも正負何れの方向のコモンモード雷サージ電流
が流れた場合にもその動作磁束密度ΔＢを０．８Ｔとし
て、Ｍｎ−Ｚｎ高透磁率フェライト磁心を用いた従来品
の動作磁束密度ΔＢ０．３Ｔに対し２倍以上とすること
ができる磁心を選定することによって、実用上問題のな
いサイズまで小型化が図れるコモンモード雷サージ電流
抑制用磁性部品である。
抑制用磁性部品に用いる磁心のパルス幅１μｓ、動作磁
束密度ΔＢが０．５Ｔにおける実効パルス比透磁率μｒ
ｐを上記のように５００以上とすることによりコモンモ
ード雷サージ電流が流れたときの急峻な立ち上がりを実
用上十分なレベルに抑制できることを新たに見いだし
た。本発明は、上記磁気特性を満足させることによりコ
モンモード雷サージ電流を実用上十分なレベルに抑制
し、しかも正負何れの方向のコモンモード雷サージ電流
が流れた場合にもその動作磁束密度ΔＢを０．８Ｔとし
て、Ｍｎ−Ｚｎ高透磁率フェライト磁心を用いた従来品
の動作磁束密度ΔＢ０．３Ｔに対し２倍以上とすること
ができる磁心を選定することによって、実用上問題のな
いサイズまで小型化が図れるコモンモード雷サージ電流
抑制用磁性部品である。
【００１６】上記本発明の信号回線のコモンモード雷サ
ージ電流抑制用磁性部品において、前記金属軟磁性合金
薄帯磁心が鉄を主成分とし結晶粒径５０ｎｍ以下の微細
な結晶粒がその組織の体積全体の５０％以上を占めるナ
ノ結晶軟磁性合金薄帯で構成されている場合、Ｍｎ−Ｚ
ｎ高透磁率フェライト磁心と同等以上のパルス透磁率μ
ｒｐが得られるためコモンモード雷サージ電流が流れた
ときの急峻な立ち上がりを一層抑えることができ高性能
化が図れる。また、正負何れの方向のコモンモード雷サ
ージ電流が流れた場合にもその動作磁束密度ΔＢを０．
８Ｔ以上とＭｎ−Ｚｎ高透磁率フェライト磁心を用いた
従来品のΔＢ０．３Ｔに対し２倍以上とすることができ
るため実用上問題のないサイズまで小型化も図れ好まし
い。
ージ電流抑制用磁性部品において、前記金属軟磁性合金
薄帯磁心が鉄を主成分とし結晶粒径５０ｎｍ以下の微細
な結晶粒がその組織の体積全体の５０％以上を占めるナ
ノ結晶軟磁性合金薄帯で構成されている場合、Ｍｎ−Ｚ
ｎ高透磁率フェライト磁心と同等以上のパルス透磁率μ
ｒｐが得られるためコモンモード雷サージ電流が流れた
ときの急峻な立ち上がりを一層抑えることができ高性能
化が図れる。また、正負何れの方向のコモンモード雷サ
ージ電流が流れた場合にもその動作磁束密度ΔＢを０．
８Ｔ以上とＭｎ−Ｚｎ高透磁率フェライト磁心を用いた
従来品のΔＢ０．３Ｔに対し２倍以上とすることができ
るため実用上問題のないサイズまで小型化も図れ好まし
い。
【００１７】また、前記ナノ結晶軟磁性合金薄帯で構成
した磁心は、その飽和磁歪定数λｓが＋１０-6オーダー
以下と小さいため磁気特性のバラツキが小さく、信号回
線のコモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品として使
用したときの効果のバラツキも小さくなり、高信頼性も
図れる。
した磁心は、その飽和磁歪定数λｓが＋１０-6オーダー
以下と小さいため磁気特性のバラツキが小さく、信号回
線のコモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品として使
用したときの効果のバラツキも小さくなり、高信頼性も
図れる。
【００１８】上記本発明の信号回線のコモンモード雷サ
ージ電流抑制用磁性部品において、前記金属軟磁性合金
薄帯磁心が鉄基非晶質軟磁性合金薄帯で構成されている
場合、コモンモード雷サージ電流が流れたときの急峻な
立ち上がりを実用上十分なレベルに抑制でき、しかも正
負何れの方向のコモンモード雷サージ電流が流れた場合
にもその動作磁束密度ΔＢを１Ｔ以上とＭｎ−Ｚｎ高透
磁率フェライト磁心を用いた従来品のΔＢ０．３Ｔに対
し３倍以上とすることができるため実用上問題のないサ
イズまで小型化を図ることができ好ましい。
ージ電流抑制用磁性部品において、前記金属軟磁性合金
薄帯磁心が鉄基非晶質軟磁性合金薄帯で構成されている
場合、コモンモード雷サージ電流が流れたときの急峻な
立ち上がりを実用上十分なレベルに抑制でき、しかも正
負何れの方向のコモンモード雷サージ電流が流れた場合
にもその動作磁束密度ΔＢを１Ｔ以上とＭｎ−Ｚｎ高透
磁率フェライト磁心を用いた従来品のΔＢ０．３Ｔに対
し３倍以上とすることができるため実用上問題のないサ
イズまで小型化を図ることができ好ましい。
【００１９】なお、前記鉄基非晶質軟磁性合金薄帯で構
成した磁心は、その飽和磁歪定数λｓが＋１０-5オーダ
ーと大きいため磁気特性、特にパルス透磁率μｒｐのバ
ラツキが大きくなる傾向にあるため、同磁心を製作する
際、およびコモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品と
して使用する際には、不要な外部応力が加わらないよう
にして、コモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品とし
て使用したときの雷サージ電流が印加された瞬間の応答
特性の不用意な低下を招かないような配慮が必要であ
る。
成した磁心は、その飽和磁歪定数λｓが＋１０-5オーダ
ーと大きいため磁気特性、特にパルス透磁率μｒｐのバ
ラツキが大きくなる傾向にあるため、同磁心を製作する
際、およびコモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品と
して使用する際には、不要な外部応力が加わらないよう
にして、コモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品とし
て使用したときの雷サージ電流が印加された瞬間の応答
特性の不用意な低下を招かないような配慮が必要であ
る。
【００２０】上記本発明の信号回線のコモンモード雷サ
ージ電流抑制用磁性部品において、同磁性部品で用いら
れる磁心が閉磁路構造の磁心を切断して構成した開磁路
磁心の切断面同士を突き合わせて閉磁路磁心として構成
した磁心である場合、特開昭５７−２０２７０９号公
報、あるいは特公平７−１０３４５３号公報に記載され
るような磁心の磁路と垂直方向に磁界を印加しながら熱
処理する手法による低角形比手法、あるいは特開平７−
９４３４０号公報に記載されるような鉄基の非晶質軟磁
性合金薄帯の一部を結晶化させる熱処理による低角形比
化手法に比べて、磁心の磁気特性のバラツキを小さくで
きるため、信号回線のコモンモード雷サージ電流抑制用
磁性部品として使用したときのバラツキも小さく信頼性
も高いという点において好ましい。
ージ電流抑制用磁性部品において、同磁性部品で用いら
れる磁心が閉磁路構造の磁心を切断して構成した開磁路
磁心の切断面同士を突き合わせて閉磁路磁心として構成
した磁心である場合、特開昭５７−２０２７０９号公
報、あるいは特公平７−１０３４５３号公報に記載され
るような磁心の磁路と垂直方向に磁界を印加しながら熱
処理する手法による低角形比手法、あるいは特開平７−
９４３４０号公報に記載されるような鉄基の非晶質軟磁
性合金薄帯の一部を結晶化させる熱処理による低角形比
化手法に比べて、磁心の磁気特性のバラツキを小さくで
きるため、信号回線のコモンモード雷サージ電流抑制用
磁性部品として使用したときのバラツキも小さく信頼性
も高いという点において好ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例について詳細
に説明する。図１は本発明による信号回線に流入するコ
モンモード雷サージ電流を抑制するための磁性部品の一
実施例を説明するためのブロック図で、携帯電話基地局
への適用例を示したものである。この図で、図６に示さ
れている部品と同じ部品には同じ参照符号を付けてい
る。なお、図１で１２はコモンモード雷サージ電流抑制
用磁性部品である。上記保安装置４としては前記図７に
示す構成のものを用いた。
に説明する。図１は本発明による信号回線に流入するコ
モンモード雷サージ電流を抑制するための磁性部品の一
実施例を説明するためのブロック図で、携帯電話基地局
への適用例を示したものである。この図で、図６に示さ
れている部品と同じ部品には同じ参照符号を付けてい
る。なお、図１で１２はコモンモード雷サージ電流抑制
用磁性部品である。上記保安装置４としては前記図７に
示す構成のものを用いた。
【００２２】本発明では、前記コモンモード雷サージ電
流抑制用磁性部品１２は、図２に示す金属軟磁性薄帯を
用いた閉磁路構造の巻磁心を２つに切断し製作した開磁
路構造のＵ型磁心１６−１とＵ型磁心１６−２のうちの
Ｕ型磁心１６−１を図示矢印の方向に移動させてその切
断面をＵ型磁心１６−２の切断面に突き合わせて密着さ
せ図３に示すようにその外周面にポリエチレンテレフタ
レート粘着テープ５０を巻くことによって固定し構成し
た閉磁路構造のレーストラック形状磁心１７を用いた。
このレーストラック形状の磁心１７に、図３に示すよう
に各々２本で一組をなす信号線２４組と２本１組の接地
されることになる遮蔽線からなるインターフェース回線
ケーブル５１を巻くとともに、インターフェース回線ケ
ーブル５１の巻始めの部分と巻終わりの部分の縁面距離
を確保するためポリエチレンテレフタレートシート５２
を挟み込んでコイルを構成した。同コイルを図４に示す
金属ケース５５内に挿入し、その信号線インターフェー
ス回線ケーブル５１の巻線端５３と５４を、各々、予め
ケースに取り付けられた端子台５６と５７に接続後、金
属ケース内にエポキシ樹脂を充填してコモンモード雷サ
ージ電流抑制用磁性部品１２を構成した。なお、上記エ
ポキシ樹脂の代わりにシリコン樹脂、あるいはアクリル
樹脂を用いても良い。図４において、５８はコモンモー
ド雷サージ電流抑制用磁性部品１２を固定するための穴
である。
流抑制用磁性部品１２は、図２に示す金属軟磁性薄帯を
用いた閉磁路構造の巻磁心を２つに切断し製作した開磁
路構造のＵ型磁心１６−１とＵ型磁心１６−２のうちの
Ｕ型磁心１６−１を図示矢印の方向に移動させてその切
断面をＵ型磁心１６−２の切断面に突き合わせて密着さ
せ図３に示すようにその外周面にポリエチレンテレフタ
レート粘着テープ５０を巻くことによって固定し構成し
た閉磁路構造のレーストラック形状磁心１７を用いた。
このレーストラック形状の磁心１７に、図３に示すよう
に各々２本で一組をなす信号線２４組と２本１組の接地
されることになる遮蔽線からなるインターフェース回線
ケーブル５１を巻くとともに、インターフェース回線ケ
ーブル５１の巻始めの部分と巻終わりの部分の縁面距離
を確保するためポリエチレンテレフタレートシート５２
を挟み込んでコイルを構成した。同コイルを図４に示す
金属ケース５５内に挿入し、その信号線インターフェー
ス回線ケーブル５１の巻線端５３と５４を、各々、予め
ケースに取り付けられた端子台５６と５７に接続後、金
属ケース内にエポキシ樹脂を充填してコモンモード雷サ
ージ電流抑制用磁性部品１２を構成した。なお、上記エ
ポキシ樹脂の代わりにシリコン樹脂、あるいはアクリル
樹脂を用いても良い。図４において、５８はコモンモー
ド雷サージ電流抑制用磁性部品１２を固定するための穴
である。
【００２３】なお本実施例では前記レーストラック形状
磁心１７として、表１に示すＡからＴを用いた。表１に
各磁心の組成、直流磁界の最大振幅を±８００Ａ／ｍと
して測定したときの直流磁気特性における実効飽和磁束
密度Ｂｓ、同実効飽和磁束密度Ｂｓと実効残留磁束密度
Ｂｒの比で表される角形比Ｂｒ／Ｂｓ、およびパルス幅
１μｓ、動作磁束密度ΔＢ＝０．５Ｔのときの実効パル
ス比透磁率μｒｐを示す。磁心ＡからＴの寸法は、何れ
も、外長径１００ｍｍ、外短径５５ｍｍ、内長径７０ｍ
ｍ、内短径２５ｍｍ、高さ１５ｍｍである。
磁心１７として、表１に示すＡからＴを用いた。表１に
各磁心の組成、直流磁界の最大振幅を±８００Ａ／ｍと
して測定したときの直流磁気特性における実効飽和磁束
密度Ｂｓ、同実効飽和磁束密度Ｂｓと実効残留磁束密度
Ｂｒの比で表される角形比Ｂｒ／Ｂｓ、およびパルス幅
１μｓ、動作磁束密度ΔＢ＝０．５Ｔのときの実効パル
ス比透磁率μｒｐを示す。磁心ＡからＴの寸法は、何れ
も、外長径１００ｍｍ、外短径５５ｍｍ、内長径７０ｍ
ｍ、内短径２５ｍｍ、高さ１５ｍｍである。
【００２４】表１においてＡからＪおよびＯとＰは鉄を
主成分として結晶粒径５０ｎｍ以下の微細な結晶粒がそ
の組織全体の５０％以上を占めるナノ結晶軟磁性合金薄
帯を用いて構成した磁心である。また、ＫからＮおよび
ＱとＲは鉄基非晶質軟磁性合金薄帯を用いて構成した磁
心、Ｓはコバルト基非晶質軟磁性合金薄帯を用いて構成
した磁心、ＴはＭｎ−Ｚｎ高透磁率フェライト磁心であ
る。
主成分として結晶粒径５０ｎｍ以下の微細な結晶粒がそ
の組織全体の５０％以上を占めるナノ結晶軟磁性合金薄
帯を用いて構成した磁心である。また、ＫからＮおよび
ＱとＲは鉄基非晶質軟磁性合金薄帯を用いて構成した磁
心、Ｓはコバルト基非晶質軟磁性合金薄帯を用いて構成
した磁心、ＴはＭｎ−Ｚｎ高透磁率フェライト磁心であ
る。
【００２５】なお、ＡからＪおよびＯとＰは、片ロール
法による超急冷法で製造された厚さ０．０２ｍｍ程度の
鉄基非晶質軟磁性合金薄帯を用いて巻磁心を作成後、結
晶化温度以上で熱処理してナノ結晶軟磁性合金薄帯の閉
磁路構造の巻磁心とした後、エポキシ樹脂含浸しこれを
乾燥させてから同巻磁心を切断して作成した開磁路構造
のＵ型磁心の切断面同士を突き合わせて密着させて構成
した閉磁路構造のレーストラック形状磁心である。
法による超急冷法で製造された厚さ０．０２ｍｍ程度の
鉄基非晶質軟磁性合金薄帯を用いて巻磁心を作成後、結
晶化温度以上で熱処理してナノ結晶軟磁性合金薄帯の閉
磁路構造の巻磁心とした後、エポキシ樹脂含浸しこれを
乾燥させてから同巻磁心を切断して作成した開磁路構造
のＵ型磁心の切断面同士を突き合わせて密着させて構成
した閉磁路構造のレーストラック形状磁心である。
【００２６】
【表１】
【００２７】また、ＫからＮとＱとＲ、およびＳは、片
ロール法による超急冷法で製造された厚さ０．０２ｍｍ
程度の鉄基非晶質軟磁性合金薄帯、あるいはコバルト基
非晶質軟磁性合金薄帯を用いて巻磁心を作成後、結晶化
温度より低い温度で熱処理して閉磁路構造の巻磁心を作
成後の工程は、前記ＡからＪおよびＯとＰと同様の手法
に作成した閉磁路構造のレーストラック形状磁心であ
る。
ロール法による超急冷法で製造された厚さ０．０２ｍｍ
程度の鉄基非晶質軟磁性合金薄帯、あるいはコバルト基
非晶質軟磁性合金薄帯を用いて巻磁心を作成後、結晶化
温度より低い温度で熱処理して閉磁路構造の巻磁心を作
成後の工程は、前記ＡからＪおよびＯとＰと同様の手法
に作成した閉磁路構造のレーストラック形状磁心であ
る。
【００２８】本実施例によるコモンモード雷サージ電流
抑制用磁性部品１２の特性評価を行うために図５のその
回路構成ブロック図に示す試験回路を用いて実験を行っ
た。なお、図５において、インターフェース回線ケーブ
ル６の信号線は９ａと９ｂおよび１０ａと１０ｂの２組
しか記載されていないが、実際には２４組存在する。ま
た、試験装置の接地された遮蔽線１１は、２本のケーブ
ルのパラレル接続である。１３は波頭長１０μｓ、波尾
長２００μｓ、波高値２ｋＡのインパルス電流Ｉ1'を出
力するインパルス電流発生装置である。
抑制用磁性部品１２の特性評価を行うために図５のその
回路構成ブロック図に示す試験回路を用いて実験を行っ
た。なお、図５において、インターフェース回線ケーブ
ル６の信号線は９ａと９ｂおよび１０ａと１０ｂの２組
しか記載されていないが、実際には２４組存在する。ま
た、試験装置の接地された遮蔽線１１は、２本のケーブ
ルのパラレル接続である。１３は波頭長１０μｓ、波尾
長２００μｓ、波高値２ｋＡのインパルス電流Ｉ1'を出
力するインパルス電流発生装置である。
【００２９】表２に、前記表１の各磁心を用いて構成し
たユニットを複数個使用して構成したコモンモード雷サ
ージ電流抑制用磁性部品１２を前記図５の試験回路の不
平衡インターフェース回線ケーブル６と通信装置２側の
保安装置４の間に挿入して、前記インパルス電流Ｉ1'を
流したときに図示サージ電流Ｉ3'の波高値を２００Ａ以
下とするために必要な磁心の数量と巻数を示す。ここ
で、図示サージ電流Ｉ3'の波高値を２００Ａ以下と設定
したのは、このように設定すれば前記インパルス電流Ｉ
1'が流れても前記通信装置２および３内の半導体の耐電
圧に対して十分なマージンがとれ、安全動作が図れるた
めである。なお、コモンモード雷サージ電流抑制用磁性
部品１２の巻数の上限はレーストラック形状磁心１７の
窓面積の制約から最大１０ターンである。
たユニットを複数個使用して構成したコモンモード雷サ
ージ電流抑制用磁性部品１２を前記図５の試験回路の不
平衡インターフェース回線ケーブル６と通信装置２側の
保安装置４の間に挿入して、前記インパルス電流Ｉ1'を
流したときに図示サージ電流Ｉ3'の波高値を２００Ａ以
下とするために必要な磁心の数量と巻数を示す。ここ
で、図示サージ電流Ｉ3'の波高値を２００Ａ以下と設定
したのは、このように設定すれば前記インパルス電流Ｉ
1'が流れても前記通信装置２および３内の半導体の耐電
圧に対して十分なマージンがとれ、安全動作が図れるた
めである。なお、コモンモード雷サージ電流抑制用磁性
部品１２の巻数の上限はレーストラック形状磁心１７の
窓面積の制約から最大１０ターンである。
【００３０】表２からわかるように、本発明のナノ結晶
軟磁性合金薄帯磁心ＡからＪ、および鉄基非晶質軟磁性
合金薄帯磁心ＫからＮを用いた場合には、コモンモード
雷サージ電流抑制用磁性部品１２を構成する磁心数量
を、実用上要求されている比較例のＭｎ−Ｚｎ高透磁率
フェライト磁心Ｔを用いたときの磁心数量８ヶの１／２
の４ヶ以下にすることができた。
軟磁性合金薄帯磁心ＡからＪ、および鉄基非晶質軟磁性
合金薄帯磁心ＫからＮを用いた場合には、コモンモード
雷サージ電流抑制用磁性部品１２を構成する磁心数量
を、実用上要求されている比較例のＭｎ−Ｚｎ高透磁率
フェライト磁心Ｔを用いたときの磁心数量８ヶの１／２
の４ヶ以下にすることができた。
【００３１】
【表２】
【００３２】一方、比較例に示すナノ結晶軟磁性合金薄
帯磁心ＯとＰ、鉄基非晶質軟磁性合金薄帯磁心ＱとＲ、
あるいはコバルト基非晶質軟磁性合金薄帯磁心Ｓを用い
た場合にも小型化は可能であるが、実用上要求される磁
心数量４ヶ以下を満足することはできないこともわか
る。
帯磁心ＯとＰ、鉄基非晶質軟磁性合金薄帯磁心ＱとＲ、
あるいはコバルト基非晶質軟磁性合金薄帯磁心Ｓを用い
た場合にも小型化は可能であるが、実用上要求される磁
心数量４ヶ以下を満足することはできないこともわか
る。
【００３３】また、表１と表２からもわかるように同じ
材質の金属軟磁性合金薄帯で構成した磁心で直流磁界の
最大振幅を±８００Ａ／ｍとして測定した直流磁気特性
における実効飽和磁束密度Ｂｓと同実効飽和磁束密度Ｂ
ｓと実効残留磁束密度Ｂｒの比で表される角形比Ｂｒ／
Ｂｓがほぼ同一であっても、パルス幅１μｓ、動作磁束
密度ΔＢが０．５Ｔにおける実効パルス比透磁率μｒｐ
が５００以上を満足できない場合には、前記コモンモー
ド雷サージ電流抑制用磁性部品に要求される特性とサイ
ズを両立できないことがわかる。
材質の金属軟磁性合金薄帯で構成した磁心で直流磁界の
最大振幅を±８００Ａ／ｍとして測定した直流磁気特性
における実効飽和磁束密度Ｂｓと同実効飽和磁束密度Ｂ
ｓと実効残留磁束密度Ｂｒの比で表される角形比Ｂｒ／
Ｂｓがほぼ同一であっても、パルス幅１μｓ、動作磁束
密度ΔＢが０．５Ｔにおける実効パルス比透磁率μｒｐ
が５００以上を満足できない場合には、前記コモンモー
ド雷サージ電流抑制用磁性部品に要求される特性とサイ
ズを両立できないことがわかる。
【００３４】また、詳細に調査した結果、上記パルス幅
１μｓ、動作磁束密度ΔＢが０．５Ｔにおける実効パル
ス比透磁率μｒｐと、通常ＬＣＲメータで測定されるこ
れと等価な周波数である５００ｋＨｚの初透磁率μｒｉ
には完全な相関がないこともわかった。これによって、
鉄基非晶質軟磁性合金薄帯磁心を用いた従来のコモンモ
ード雷サージ電流抑制用磁性部品で問題となっていたバ
ラツキの原因は、上記パルス幅１μｓ、動作磁束密度Δ
Ｂが０．５Ｔにおける実効パルス比透磁率μｒｐの違い
によることも判明した。
１μｓ、動作磁束密度ΔＢが０．５Ｔにおける実効パル
ス比透磁率μｒｐと、通常ＬＣＲメータで測定されるこ
れと等価な周波数である５００ｋＨｚの初透磁率μｒｉ
には完全な相関がないこともわかった。これによって、
鉄基非晶質軟磁性合金薄帯磁心を用いた従来のコモンモ
ード雷サージ電流抑制用磁性部品で問題となっていたバ
ラツキの原因は、上記パルス幅１μｓ、動作磁束密度Δ
Ｂが０．５Ｔにおける実効パルス比透磁率μｒｐの違い
によることも判明した。
【００３５】なお、金属軟磁性合金薄帯磁心のパルス幅
１μｓ、動作磁束密度ΔＢが０．５Ｔにおける実効パル
ス比透磁率μｒｐを向上させるには、金属軟磁性合金薄
帯の薄板化、あるいは特公平７−８７１３３号公報に開
示されるような金属軟磁性合金薄帯の表面に絶縁処理を
することが有効である。
１μｓ、動作磁束密度ΔＢが０．５Ｔにおける実効パル
ス比透磁率μｒｐを向上させるには、金属軟磁性合金薄
帯の薄板化、あるいは特公平７−８７１３３号公報に開
示されるような金属軟磁性合金薄帯の表面に絶縁処理を
することが有効である。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来技術では実現困難であった移動体通信基地局などの
インターフェース回線用を始めとする信号回線のコモン
モード雷サージ電流抑制用磁性部品の実用化に際し問題
であったコモンモード雷サージ電流の抑制と小型化の両
立が可能であり、極めて実用性に富んだ信号回線のコモ
ンモード雷サージ抑制用磁性部品が実現できる。なお、
前記実施例では、インターフェース回線のコモンモード
雷サージ電流抑制用磁性部品の適用例として、携帯電話
の基地局へ適用した場合について説明したが、本発明
は、これ以外の各種通信設備や各種電子機器などの信号
回線に流入するコモンモード雷サージ電流全般について
適用でき、同様に有効な効果を発揮し、その効果は極め
て大きい。
従来技術では実現困難であった移動体通信基地局などの
インターフェース回線用を始めとする信号回線のコモン
モード雷サージ電流抑制用磁性部品の実用化に際し問題
であったコモンモード雷サージ電流の抑制と小型化の両
立が可能であり、極めて実用性に富んだ信号回線のコモ
ンモード雷サージ抑制用磁性部品が実現できる。なお、
前記実施例では、インターフェース回線のコモンモード
雷サージ電流抑制用磁性部品の適用例として、携帯電話
の基地局へ適用した場合について説明したが、本発明
は、これ以外の各種通信設備や各種電子機器などの信号
回線に流入するコモンモード雷サージ電流全般について
適用でき、同様に有効な効果を発揮し、その効果は極め
て大きい。
【図１】本発明による、インターフェース回線のコモン
モード雷サージ電流抑制用磁性部品の携帯電話基地局へ
の適用例を説明するためのブロック図である。
モード雷サージ電流抑制用磁性部品の携帯電話基地局へ
の適用例を説明するためのブロック図である。
【図２】本発明による、インターフェース回線のコモン
モード雷サージ電流抑制用磁性部品を構成する磁心の外
観図である。
モード雷サージ電流抑制用磁性部品を構成する磁心の外
観図である。
【図３】本発明による、インターフェース回線のコモン
モード雷サージ電流抑制用磁性部品を構成するコイルの
外観図である。
モード雷サージ電流抑制用磁性部品を構成するコイルの
外観図である。
【図４】本発明による、インターフェース回線のコモン
モード雷サージ電流抑制用磁性部品の外観図である。
モード雷サージ電流抑制用磁性部品の外観図である。
【図５】本発明による、インターフェース回線のコモン
モード雷サージ電流抑制用磁性部品のインパルス電流印
加試験回路のブロック図である。
モード雷サージ電流抑制用磁性部品のインパルス電流印
加試験回路のブロック図である。
【図６】携帯電話基地局における、インターフェース回
線のコモンモード雷サージ電流を説明するためのブロッ
ク図である。
線のコモンモード雷サージ電流を説明するためのブロッ
ク図である。
【図７】コモンモードチョークコイルが付加されていな
いインターフェース回線の保安装置の一例を示すブロッ
ク図である。
いインターフェース回線の保安装置の一例を示すブロッ
ク図である。
【図８】コモンモードチョークコイルが付加されている
インターフェース回線の保安装置の一例を示すブロック
図である。
インターフェース回線の保安装置の一例を示すブロック
図である。
【図９】従来技術による保安装置が設けられたインター
フェース回線のコモンモード雷サージ電流抑制用磁性部
品のインパルス電流印加試験回路のブロック図である。
フェース回線のコモンモード雷サージ電流抑制用磁性部
品のインパルス電流印加試験回路のブロック図である。
１：２０Ａフィーダーケーブル ２、３：通信装置 ４：保安装置 ６：インターフェース回線ケーブル ７：接地線のインダクタンス ８：接地極 ９ａ、９ｂ：インターフェース回線ケーブル６における
一対の信号線 １０ａ、１０ｂ：インターフェース回線ケーブル６にお
ける他の一対の信号線 １１：インターフェース回線ケーブル６における接地さ
れた遮蔽線 １２：コモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品 １３：インパルス電流発生装置 １６−１、１６−２：Ｕ型磁心 １７：レーストラック形状磁心 ２１：通信装置２内のドライバ ２２：通信装置２内のレシーバ ３１：通信装置３内のドライバ ３２：通信装置３内のレシーバ ４１、４２：シリコンサージ防護素子 ４３、４４：抵抗 ４５：３極避雷管 ４６：コモンモードチョーク ５１：インターフェース回線ケーブル ５２：ポリエチレンテレフタレートシート ５３、５４：インターフェース回線ケーブル５１の巻線
端 ５５：金属ケース ５６、５７：端子台
一対の信号線 １０ａ、１０ｂ：インターフェース回線ケーブル６にお
ける他の一対の信号線 １１：インターフェース回線ケーブル６における接地さ
れた遮蔽線 １２：コモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品 １３：インパルス電流発生装置 １６−１、１６−２：Ｕ型磁心 １７：レーストラック形状磁心 ２１：通信装置２内のドライバ ２２：通信装置２内のレシーバ ３１：通信装置３内のドライバ ３２：通信装置３内のレシーバ ４１、４２：シリコンサージ防護素子 ４３、４４：抵抗 ４５：３極避雷管 ４６：コモンモードチョーク ５１：インターフェース回線ケーブル ５２：ポリエチレンテレフタレートシート ５３、５４：インターフェース回線ケーブル５１の巻線
端 ５５：金属ケース ５６、５７：端子台
フロントページの続き (72)発明者 中島 晋 埼玉県熊谷市三ヶ尻5200番地 日立金属株 式会社磁性材料研究所内 (72)発明者 小倉 克廣 鳥取県鳥取市南栄町26番地１ 日立フェラ イト電子株式会社内 (72)発明者 窪田 定見 鳥取県鳥取市南栄町26番地１ 日立フェラ イト電子株式会社内 (72)発明者 岡林 親志 東京都品川区大崎４丁目３番８号 株式会 社サンコーシヤ内 (72)発明者 浅田 慶治 東京都品川区大崎４丁目３番８号 株式会 社サンコーシヤ内 Ｆターム(参考） 5E070 AA01 AB01 BA08 BB02 5G013 AA05 BA01 CA20 5J024 AA01 CA06 DA26 EA09 FA03
Claims (4)
- 【請求項１】 信号回線に流入するコモンモード雷サー
ジ電流を抑制するために磁心に信号線を巻き付けて構成
されている信号回線のコモンモード雷サージ電流抑制用
磁性部品において、前記磁心は直流磁界の最大振幅を±
８００Ａ／ｍとして測定した直流磁気特性の実効飽和磁
束密度Ｂｓが１Ｔ以上かつ同実効飽和磁束密度Ｂｓと実
効残留磁束密度Ｂｒの比で表される角形比Ｂｒ／Ｂｓが
０．２以下、およびパルス幅１μｓ、動作磁束密度ΔＢ
が０．５Ｔにおける実効パルス比透磁率μｒｐが５００
以上の金属軟磁性合金薄帯磁心であることを特徴とする
信号回線のコモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品。 - 【請求項２】 請求項１に記載の信号回線のコモンモー
ド雷サージ電流抑制用磁性部品において、前記金属軟磁
性合金薄帯磁心は鉄を主成分とし結晶粒径５０ｎｍ以下
の微細な結晶粒がその組織の体積全体の５０％以上を占
めるナノ結晶軟磁性合金薄帯で構成されていることを特
徴とする信号回線のコモンモード雷サージ電流抑制用磁
性部品。 - 【請求項３】 請求項１に記載の信号回線のコモンモー
ド雷サージ電流抑制用磁性部品において、前記金属軟磁
性合金薄帯磁心は鉄基非晶質軟磁性合金薄帯で構成され
ていることを特徴とする信号回線のコモンモード雷サー
ジ電流抑制用磁性部品。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３に記載の信号回線
のコモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品において、
同磁性部品で用いられる磁心は閉磁路構造の磁心を切断
して構成した開磁路磁心の切断面同士を突き合わせて閉
磁路磁心として構成した磁心であることを特徴とする信
号回線のコモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000323934A JP2002134329A (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | 信号回線のコモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000323934A JP2002134329A (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | 信号回線のコモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002134329A true JP2002134329A (ja) | 2002-05-10 |
Family
ID=18801541
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000323934A Ceased JP2002134329A (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | 信号回線のコモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002134329A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018168282A1 (ja) * | 2017-03-15 | 2018-09-20 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール、ネットワークモジュール、及び車載電子機器 |
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-
2000
- 2000-10-24 JP JP2000323934A patent/JP2002134329A/ja not_active Ceased
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