JPH11354312A - コモンモードチョークコイル - Google Patents
コモンモードチョークコイルInfo
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- JPH11354312A JPH11354312A JP10162580A JP16258098A JPH11354312A JP H11354312 A JPH11354312 A JP H11354312A JP 10162580 A JP10162580 A JP 10162580A JP 16258098 A JP16258098 A JP 16258098A JP H11354312 A JPH11354312 A JP H11354312A
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- atomic
- magnetic
- less
- flux density
- mode choke
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- Withdrawn
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/0206—Manufacturing of magnetic cores by mechanical means
- H01F41/0213—Manufacturing of magnetic circuits made from strip(s) or ribbon(s)
- H01F41/0226—Manufacturing of magnetic circuits made from strip(s) or ribbon(s) from amorphous ribbons
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パルス性ノイズの吸収性に優れ、パルス減衰
特性に優れたコモンモードチョークコイルの提供。 【解決手段】 少なくともＦｅを７５原子％以上、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎのう
ちの１種または２種以上の元素Ｍを４〜１２原子％、Ｂ
を０．５〜１８原子％を含み、平均結晶粒径３０ｎｍ以
下の微細なｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒からなる微細結晶
相を主体とする組織からなり、しかもＢｓ≧１．４
Ｔ、角形比（Ｂｒ／Ｂｓ）≦０．３、Ｂｓ−Ｂｒ＝
ΔＢ≧１Ｔ、磁場中熱処理が施されたもの、μ10k
≧８０００、μ1M≧１５００、Ｂｍが１Ｔの時のμ
p≧５０００、０．１≦（μ1M／μ10k）≦１、０．
２≦（μ 1M／μ100k）≦１の条件のうち〜の条件を
満たすか、あるいは〜の条件を満たすか、あるいは
〜の条件を満たす磁性コア１２と、これに巻回され
た巻線１３からなるコモンモードチョークコイル１０。
特性に優れたコモンモードチョークコイルの提供。 【解決手段】 少なくともＦｅを７５原子％以上、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎのう
ちの１種または２種以上の元素Ｍを４〜１２原子％、Ｂ
を０．５〜１８原子％を含み、平均結晶粒径３０ｎｍ以
下の微細なｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒からなる微細結晶
相を主体とする組織からなり、しかもＢｓ≧１．４
Ｔ、角形比（Ｂｒ／Ｂｓ）≦０．３、Ｂｓ−Ｂｒ＝
ΔＢ≧１Ｔ、磁場中熱処理が施されたもの、μ10k
≧８０００、μ1M≧１５００、Ｂｍが１Ｔの時のμ
p≧５０００、０．１≦（μ1M／μ10k）≦１、０．
２≦（μ 1M／μ100k）≦１の条件のうち〜の条件を
満たすか、あるいは〜の条件を満たすか、あるいは
〜の条件を満たす磁性コア１２と、これに巻回され
た巻線１３からなるコモンモードチョークコイル１０。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電源と電子機器の
間に挿入されるノイズフィルタと呼ばれる回路に用いら
れるコモンモードチョークコイルに関する。
間に挿入されるノイズフィルタと呼ばれる回路に用いら
れるコモンモードチョークコイルに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の高機能化、システムの
大規模化により、機器相互の干渉により発生する誤動作
によるトラブルを回避することが重要になってきてい
る。この種のトラブルのうち高電圧ノイズを防止するた
めの手段の一つに、ノイズフィルタと呼ばれる回路を電
源と電子機器の間に挿入する方法が知られている。上記
ノイズフィルタは、概略、コンデンサとコモンモードチ
ョークコイルを組み合わせることにより構成されたもの
である。上記コモンモードチョークコイルは、磁性コア
と、これに巻回された巻線とから構成されている。ま
た、従来の磁性コアとしては、例えば、Ｍｎ−Ｚｎ系フ
ェライトコアや、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系アモルファスコアが
用いられていた。このようなコモンモードチョークコイ
ルの役割は、電子機器で発生するノイズを電源に漏洩さ
せないこと、電源から電子機器に侵入しようとするノイ
ズ（特に高電圧パルスノイズ）を吸収することである。
大規模化により、機器相互の干渉により発生する誤動作
によるトラブルを回避することが重要になってきてい
る。この種のトラブルのうち高電圧ノイズを防止するた
めの手段の一つに、ノイズフィルタと呼ばれる回路を電
源と電子機器の間に挿入する方法が知られている。上記
ノイズフィルタは、概略、コンデンサとコモンモードチ
ョークコイルを組み合わせることにより構成されたもの
である。上記コモンモードチョークコイルは、磁性コア
と、これに巻回された巻線とから構成されている。ま
た、従来の磁性コアとしては、例えば、Ｍｎ−Ｚｎ系フ
ェライトコアや、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ系アモルファスコアが
用いられていた。このようなコモンモードチョークコイ
ルの役割は、電子機器で発生するノイズを電源に漏洩さ
せないこと、電源から電子機器に侵入しようとするノイ
ズ（特に高電圧パルスノイズ）を吸収することである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のよ
うなコモンモードチョークコイルが備えられたノイズフ
ィルタにおいては、印加電圧１ｋＶ、パルス幅８００ｎ
ｓ以上になるとパルス性ノイズの吸収効果が急激に劣化
し、これに伴ってパルス減衰特性も急激に劣化するとい
う問題があった。これは従来のノイズフィルタに備えら
れたコモンモードチョークコイルの磁性体コアとして、
比較的飽和磁束密度（Ｂｓ）が小さいフェライトコア
（Ｂｓが０．４〜０．５Ｔ）が使用されていたためであ
る。また、フェライトコアに比べて飽和磁束密度が３倍
大きいアモルファスコア（Ｂｓが約１．５Ｔ）を用いた
ものにおいても、印加電圧が１ｋＶを超えると、パルス
性ノイズの吸収性能が低下して、パルス減衰特性が劣化
するという問題があった。
うなコモンモードチョークコイルが備えられたノイズフ
ィルタにおいては、印加電圧１ｋＶ、パルス幅８００ｎ
ｓ以上になるとパルス性ノイズの吸収効果が急激に劣化
し、これに伴ってパルス減衰特性も急激に劣化するとい
う問題があった。これは従来のノイズフィルタに備えら
れたコモンモードチョークコイルの磁性体コアとして、
比較的飽和磁束密度（Ｂｓ）が小さいフェライトコア
（Ｂｓが０．４〜０．５Ｔ）が使用されていたためであ
る。また、フェライトコアに比べて飽和磁束密度が３倍
大きいアモルファスコア（Ｂｓが約１．５Ｔ）を用いた
ものにおいても、印加電圧が１ｋＶを超えると、パルス
性ノイズの吸収性能が低下して、パルス減衰特性が劣化
するという問題があった。
【０００４】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、パルス性ノイズの吸収性に優れ、パルス減衰特性に
優れたコモンモードチョークコイルの提供を課題とす
る。
で、パルス性ノイズの吸収性に優れ、パルス減衰特性に
優れたコモンモードチョークコイルの提供を課題とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明のコモン
モードチョークコイルは、少なくともＦｅを７５原子％
以上、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｍｎのうちの１種または２種以上の元素Ｍを４〜１２原
子％、Ｂを０．５〜１８原子％を含み、平均結晶粒径３
０ｎｍ以下の微細なｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒からなる
微細結晶相を主体とする組織からなり、飽和磁束密度
（Ｂｓ）が１．４Ｔ以上、残留磁束密度（Ｂｒ）と飽和
磁束密度（Ｂｓ）との比である角形比（Ｂｒ／Ｂｓ）が
０．３以下、飽和磁束密度（Ｂｓ）と残留磁束密度（Ｂ
ｒ）の差（Ｂｓ−Ｂｒ）が１Ｔ以上であり、しかも磁場
中熱処理が施された磁性コアと、これに巻回された巻線
からなることを特徴とする。
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明のコモン
モードチョークコイルは、少なくともＦｅを７５原子％
以上、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、
Ｍｎのうちの１種または２種以上の元素Ｍを４〜１２原
子％、Ｂを０．５〜１８原子％を含み、平均結晶粒径３
０ｎｍ以下の微細なｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒からなる
微細結晶相を主体とする組織からなり、飽和磁束密度
（Ｂｓ）が１．４Ｔ以上、残留磁束密度（Ｂｒ）と飽和
磁束密度（Ｂｓ）との比である角形比（Ｂｒ／Ｂｓ）が
０．３以下、飽和磁束密度（Ｂｓ）と残留磁束密度（Ｂ
ｒ）の差（Ｂｓ−Ｂｒ）が１Ｔ以上であり、しかも磁場
中熱処理が施された磁性コアと、これに巻回された巻線
からなることを特徴とする。
【０００６】また、本発明のコモンモードチョークコイ
ルは、少なくともＦｅを７５原子％以上、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎのうちの１種ま
たは２種以上の元素Ｍを４〜１２原子％、Ｂを０．５〜
１８原子％を含み、平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微細な
ｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒からなる微細結晶相を主体と
する組織からなり、１０ｋＨｚの透磁率（μ10k）が８
０００以上、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）が１５００以
上、最大磁束密度（Ｂｍ）が１Ｔの時のパルス透磁率
（μp）が５０００以上、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）と
１０ｋＨｚの透磁率（μ10k）の比率（μ1M／μ10k）が
０．１以上、１以下であり、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）
と１００ｋＨｚの透磁率（μ100k）の比率（μ1M／μ
100k）が０．２以上１以下である磁性コアと、これに巻
回された巻線からなることを特徴とするものであっても
よい。
ルは、少なくともＦｅを７５原子％以上、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎのうちの１種ま
たは２種以上の元素Ｍを４〜１２原子％、Ｂを０．５〜
１８原子％を含み、平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微細な
ｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒からなる微細結晶相を主体と
する組織からなり、１０ｋＨｚの透磁率（μ10k）が８
０００以上、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）が１５００以
上、最大磁束密度（Ｂｍ）が１Ｔの時のパルス透磁率
（μp）が５０００以上、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）と
１０ｋＨｚの透磁率（μ10k）の比率（μ1M／μ10k）が
０．１以上、１以下であり、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）
と１００ｋＨｚの透磁率（μ100k）の比率（μ1M／μ
100k）が０．２以上１以下である磁性コアと、これに巻
回された巻線からなることを特徴とするものであっても
よい。
【０００７】また、本発明のコモンモードチョークコイ
ルは、少なくともＦｅを７５原子％以上、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎのうちの１種ま
たは２種以上の元素Ｍを４〜１２原子％、Ｂを０．５〜
１８原子％を含み、平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微細な
ｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒からなる微細結晶相を主体と
する組織からなり、飽和磁束密度（Ｂｓ）が１．４Ｔ以
上、残留磁束密度（Ｂｒ）と飽和磁束密度（Ｂｓ）との
比である角形比（Ｂｒ／Ｂｓ）が０．３以下、飽和磁束
密度（Ｂｓ）と残留磁束密度（Ｂｒ）の差（Ｂｓ−Ｂ
ｒ）が１Ｔ以上、１０ｋＨｚの透磁率（μ10k）が８０
００以上、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）１５００以上、最
大磁束密度（Ｂｍ）が１Ｔの時のパルス透磁率（μp）
が５０００以上、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）と１０ｋＨ
ｚの透磁率（μ10k）の比率（μ1M／μ10k）が０．１以
上、１以下であり、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）と１００
ｋＨｚの透磁率（μ100k）の比率（μ1M／μ100k）が
０．２以上１以下であり、しかも磁場中熱処理が施され
た磁性コアと、これに巻回された巻線からなることを特
徴とするものであってもよい。
ルは、少なくともＦｅを７５原子％以上、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎのうちの１種ま
たは２種以上の元素Ｍを４〜１２原子％、Ｂを０．５〜
１８原子％を含み、平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微細な
ｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒からなる微細結晶相を主体と
する組織からなり、飽和磁束密度（Ｂｓ）が１．４Ｔ以
上、残留磁束密度（Ｂｒ）と飽和磁束密度（Ｂｓ）との
比である角形比（Ｂｒ／Ｂｓ）が０．３以下、飽和磁束
密度（Ｂｓ）と残留磁束密度（Ｂｒ）の差（Ｂｓ−Ｂ
ｒ）が１Ｔ以上、１０ｋＨｚの透磁率（μ10k）が８０
００以上、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）１５００以上、最
大磁束密度（Ｂｍ）が１Ｔの時のパルス透磁率（μp）
が５０００以上、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）と１０ｋＨ
ｚの透磁率（μ10k）の比率（μ1M／μ10k）が０．１以
上、１以下であり、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）と１００
ｋＨｚの透磁率（μ100k）の比率（μ1M／μ100k）が
０．２以上１以下であり、しかも磁場中熱処理が施され
た磁性コアと、これに巻回された巻線からなることを特
徴とするものであってもよい。
【０００８】本発明のコモンモードチョークコイルは、
先に記載のコモンモードチョークコイルにおいて、前記
磁性コアが下記の組成で表される軟磁性合金からなるこ
とを特徴とする。 ＦｅbＢxＭy ただし、ＭはＴｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ,Ｍ
ｎから選ばれた１種または２種以上の元素であり、ｂは
７５原子％以上９３原子％以下、ｘは０．５原子％以上
１８原子％以下、ｙは４原子％以上１２原子％以下であ
る。
先に記載のコモンモードチョークコイルにおいて、前記
磁性コアが下記の組成で表される軟磁性合金からなるこ
とを特徴とする。 ＦｅbＢxＭy ただし、ＭはＴｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ,Ｍ
ｎから選ばれた１種または２種以上の元素であり、ｂは
７５原子％以上９３原子％以下、ｘは０．５原子％以上
１８原子％以下、ｙは４原子％以上１２原子％以下であ
る。
【０００９】本発明のコモンモードチョークコイルは、
先に記載のコモンモードチョークコイルにおいて、前記
磁性コアが下記の組成で表される軟磁性合金からなるこ
とを特徴とする。 （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭy ただし、ＺはＮｉ,Ｃｏのうち１種または２種以上の元
素であり、ＭはＴｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ,
Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素であり、ａ
は０．２以下、ｂは７５原子％以上９３原子％以下、ｘ
は０．５原子％以上１８原子％以下、ｙは４原子％以上
１２原子％以下である。
先に記載のコモンモードチョークコイルにおいて、前記
磁性コアが下記の組成で表される軟磁性合金からなるこ
とを特徴とする。 （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭy ただし、ＺはＮｉ,Ｃｏのうち１種または２種以上の元
素であり、ＭはＴｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ,
Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素であり、ａ
は０．２以下、ｂは７５原子％以上９３原子％以下、ｘ
は０．５原子％以上１８原子％以下、ｙは４原子％以上
１２原子％以下である。
【００１０】本発明のコモンモードチョークコイルは、
先に記載のコモンモードチョークコイルにおいて、前記
磁性コアが、下記の組成で表される軟磁性合金からなる
ことを特徴とする。 ＦｅbＢxＭyＸz ただし、ＭはＴｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ,Ｍ
ｎから選ばれた１種または２種以上の元素、ＸはＣｕ,
Ａｇ,Ｃｒ,Ｒｕ,Ｒｈ,Ｉｒから選ばれた１種または２種
以上の元素であり、ｂは、７５原子％以上９３原子％以
下、ｘは０．５原子％以上１８原子％以下、ｙは４原子
％以上１２原子％以下、Ｚは５原子％以下である。
先に記載のコモンモードチョークコイルにおいて、前記
磁性コアが、下記の組成で表される軟磁性合金からなる
ことを特徴とする。 ＦｅbＢxＭyＸz ただし、ＭはＴｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ,Ｍ
ｎから選ばれた１種または２種以上の元素、ＸはＣｕ,
Ａｇ,Ｃｒ,Ｒｕ,Ｒｈ,Ｉｒから選ばれた１種または２種
以上の元素であり、ｂは、７５原子％以上９３原子％以
下、ｘは０．５原子％以上１８原子％以下、ｙは４原子
％以上１２原子％以下、Ｚは５原子％以下である。
【００１１】本発明のコモンモードチョークコイルは、
先に記載のコモンモードチョークコイルにおいて、前記
磁性コアが、下記の組成で表される軟磁性合金からなる
ことを特徴とする。 （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭyＸz ただし、ＺはＮｉ,Ｃｏのうち１種または２種以上の元
素であり、ＭはＴｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ,
Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素、ＸはＣ
ｕ,Ａｇ,Ｃｒ,Ｒｕ,Ｒｈ,Ｉｒから選ばれた１種または
２種以上の元素であり、ａは０．２以下、ｂは７５原子
％以上９３原子％以下、ｘは０．５原子％以上１８原子
％以下、ｙは４原子％以上１２原子％以下、Ｚは５原子
％以下である。
先に記載のコモンモードチョークコイルにおいて、前記
磁性コアが、下記の組成で表される軟磁性合金からなる
ことを特徴とする。 （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭyＸz ただし、ＺはＮｉ,Ｃｏのうち１種または２種以上の元
素であり、ＭはＴｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ,
Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素、ＸはＣ
ｕ,Ａｇ,Ｃｒ,Ｒｕ,Ｒｈ,Ｉｒから選ばれた１種または
２種以上の元素であり、ａは０．２以下、ｂは７５原子
％以上９３原子％以下、ｘは０．５原子％以上１８原子
％以下、ｙは４原子％以上１２原子％以下、Ｚは５原子
％以下である。
【００１２】本発明のコモンモードチョークコイルは、
先に記載のコモンモードチョークコイルにおいて、前記
磁性コアが、下記の組成で表される軟磁性合金からなる
ことを特徴とする。 ＦｅbＢxＭyＸ't ただし、ＭはＴｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ，
Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素、Ｘ'はＳ
ｉ,Ａｌ,Ｇｅ,Ｇａから選ばれた１種または２種以上の
元素であり、ｂは７５原子％以上９３原子％以下、ｘは
０．５原子％以上１８原子％以下、ｙは４原子％以上１
２原子％以下、ｔは４原子％以下である。
先に記載のコモンモードチョークコイルにおいて、前記
磁性コアが、下記の組成で表される軟磁性合金からなる
ことを特徴とする。 ＦｅbＢxＭyＸ't ただし、ＭはＴｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ，
Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素、Ｘ'はＳ
ｉ,Ａｌ,Ｇｅ,Ｇａから選ばれた１種または２種以上の
元素であり、ｂは７５原子％以上９３原子％以下、ｘは
０．５原子％以上１８原子％以下、ｙは４原子％以上１
２原子％以下、ｔは４原子％以下である。
【００１３】本発明のコモンモードチョークコイルは、
先に記載のコモンモードチョークコイルにおいて、前記
磁性コアが、下記の組成で表される軟磁性合金からなる
ことを特徴とする。 （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭyＸ't ただし、ＺはＮｉ,Ｃｏのうち１種または２種以上の元
素であり、Ｍは、Ｔｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,
Ｗ,Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素、Ｘ'は
Ｓｉ,Ａｌ,Ｇｅ,Ｇａから選ばれた１種または２種以上
の元素であり、ａは０．２以下、ｂは７５原子％以上９
３原子％以下、ｘは０．５原子％以上１８原子％以下、
ｙは４原子％以上１２原子％以下、ｔは４原子％以下で
ある。
先に記載のコモンモードチョークコイルにおいて、前記
磁性コアが、下記の組成で表される軟磁性合金からなる
ことを特徴とする。 （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭyＸ't ただし、ＺはＮｉ,Ｃｏのうち１種または２種以上の元
素であり、Ｍは、Ｔｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,
Ｗ,Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素、Ｘ'は
Ｓｉ,Ａｌ,Ｇｅ,Ｇａから選ばれた１種または２種以上
の元素であり、ａは０．２以下、ｂは７５原子％以上９
３原子％以下、ｘは０．５原子％以上１８原子％以下、
ｙは４原子％以上１２原子％以下、ｔは４原子％以下で
ある。
【００１４】本発明のコモンモードチョークコイルは、
先に記載のコモンモードチョークコイルにおいて、前記
磁性コアが、下記の組成で表される軟磁性合金からなる
ことを特徴とする。 ＦｅbＢxＭyＸzＸ't ただし、Ｍは、Ｔｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ,
Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素、ＸはＣ
ｕ,Ａｇ,Ｃｒ,Ｒｕ,Ｒｈ,Ｉｒから選ばれた１種または
２種以上の元素、Ｘ'はＳｉ,Ａｌ,Ｇｅ,Ｇａから選ばれ
た１種または２種以上の元素であり、ｂは７５原子％以
上９３原子％以下、ｘは０．５原子％以上１８原子％以
下、ｙは４原子％以上１２原子％以下、Ｚは５原子％以
下、ｔは４原子％以下である。
先に記載のコモンモードチョークコイルにおいて、前記
磁性コアが、下記の組成で表される軟磁性合金からなる
ことを特徴とする。 ＦｅbＢxＭyＸzＸ't ただし、Ｍは、Ｔｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ,
Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素、ＸはＣ
ｕ,Ａｇ,Ｃｒ,Ｒｕ,Ｒｈ,Ｉｒから選ばれた１種または
２種以上の元素、Ｘ'はＳｉ,Ａｌ,Ｇｅ,Ｇａから選ばれ
た１種または２種以上の元素であり、ｂは７５原子％以
上９３原子％以下、ｘは０．５原子％以上１８原子％以
下、ｙは４原子％以上１２原子％以下、Ｚは５原子％以
下、ｔは４原子％以下である。
【００１５】本発明のコモンモードチョークコイルは、
先に記載のコモンモードチョークコイルにおいて、前記
磁性コアは、下記の組成で表される軟磁性合金からなる
ことを特徴とする。 （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭyＸzＸ't ただし、ＺはＮｉ,Ｃｏのうち１種または２種以上の元
素であり、Ｍは、Ｔｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,
Ｗ,Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素、Ｘは
Ｃｕ,Ａｇ,Ｃｒ,Ｒｕ,Ｒｈ,Ｉｒから選ばれた１種また
は２種以上の元素、Ｘ'はＳｉ,Ａｌ,Ｇｅ,Ｇａから選ば
れた１種または２種以上の元素であり、ａは０．２以
下、ｂは７５原子％以上９３原子％以下、ｘは０．５原
子％以上１８原子％以下、ｙは４原子％以上９原子％以
下、Ｚは５原子％以下、ｔは４原子％以下である。
先に記載のコモンモードチョークコイルにおいて、前記
磁性コアは、下記の組成で表される軟磁性合金からなる
ことを特徴とする。 （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭyＸzＸ't ただし、ＺはＮｉ,Ｃｏのうち１種または２種以上の元
素であり、Ｍは、Ｔｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,
Ｗ,Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素、Ｘは
Ｃｕ,Ａｇ,Ｃｒ,Ｒｕ,Ｒｈ,Ｉｒから選ばれた１種また
は２種以上の元素、Ｘ'はＳｉ,Ａｌ,Ｇｅ,Ｇａから選ば
れた１種または２種以上の元素であり、ａは０．２以
下、ｂは７５原子％以上９３原子％以下、ｘは０．５原
子％以上１８原子％以下、ｙは４原子％以上９原子％以
下、Ｚは５原子％以下、ｔは４原子％以下である。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明のコモンモードチョ
ークコイルの一実施形態を図面を参照して説明する。な
お、以下に述べる実施形態では、本発明のコモンモード
チョークコイルを、三相用コモンモードチョークコイル
に適用した場合について説明する。図１は、本実施形態
にかかるコモンモードチョークコイルを用いたノイズフ
ィルタが備えられた電子機器を説明するための概略構成
図、図２は図１の電子機器に備えられたノイズフィルタ
の概略構成を示す図、図３は本実施形態のコモンモード
チョークコイルを示す斜視図である。図１の電子機器
は、インダクションモータ１がインバータ３と接続さ
れ、さらにこのインバータ３にノイズフィルタ５が接続
されてなるものである。インダクションモータ１は、ノ
イズフィルタ５を介して電源７と接続されるようになっ
ている。なお、図中符号８は、インバータ３に設けられ
た制御回路である。
ークコイルの一実施形態を図面を参照して説明する。な
お、以下に述べる実施形態では、本発明のコモンモード
チョークコイルを、三相用コモンモードチョークコイル
に適用した場合について説明する。図１は、本実施形態
にかかるコモンモードチョークコイルを用いたノイズフ
ィルタが備えられた電子機器を説明するための概略構成
図、図２は図１の電子機器に備えられたノイズフィルタ
の概略構成を示す図、図３は本実施形態のコモンモード
チョークコイルを示す斜視図である。図１の電子機器
は、インダクションモータ１がインバータ３と接続さ
れ、さらにこのインバータ３にノイズフィルタ５が接続
されてなるものである。インダクションモータ１は、ノ
イズフィルタ５を介して電源７と接続されるようになっ
ている。なお、図中符号８は、インバータ３に設けられ
た制御回路である。
【００１７】ノイズフィルタ５は、インダクションモー
タ１等の負荷側で発生するノイズを電源７に漏洩させな
いためと、電源７からインダクションモータ１等の負荷
側にに侵入しようとするノイズ（特に高電圧パルスノイ
ズ）を吸収するために備えられたものであり、図２に示
すようにコンデンサ１５と、本実施形態のコモンモード
チョークコイル１０を組み合わせて構成されている。コ
ンデンサ１５の端子１５ａ，１５ａは電源２に接続され
ており、端子１５ｂ，１５ｂは負荷側であるインバータ
３に接続されている。本実施形態のコモンモードチョー
クコイル１０は、図３に示すように磁性コア１２と、こ
れにそれぞれ巻回された３本の巻線１３と、磁性コア１
２に装着されたボビン１４から構成されてなるものであ
る。各巻線１３の一方の端部は、電源側のコンデンサ１
５を介して電源７に接続されており、他方の端部は、負
荷側のコンデンサ１５、インバータ３を介してインダク
ションモータ１に接続されている。
タ１等の負荷側で発生するノイズを電源７に漏洩させな
いためと、電源７からインダクションモータ１等の負荷
側にに侵入しようとするノイズ（特に高電圧パルスノイ
ズ）を吸収するために備えられたものであり、図２に示
すようにコンデンサ１５と、本実施形態のコモンモード
チョークコイル１０を組み合わせて構成されている。コ
ンデンサ１５の端子１５ａ，１５ａは電源２に接続され
ており、端子１５ｂ，１５ｂは負荷側であるインバータ
３に接続されている。本実施形態のコモンモードチョー
クコイル１０は、図３に示すように磁性コア１２と、こ
れにそれぞれ巻回された３本の巻線１３と、磁性コア１
２に装着されたボビン１４から構成されてなるものであ
る。各巻線１３の一方の端部は、電源側のコンデンサ１
５を介して電源７に接続されており、他方の端部は、負
荷側のコンデンサ１５、インバータ３を介してインダク
ションモータ１に接続されている。
【００１８】磁性コア１２は、少なくともＦｅを７５原
子％以上、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｍｎのうちの１種または２種以上の元素Ｍを４〜１
２原子％、Ｂを０．５〜１８原子％を含み、平均結晶粒
径３０ｎｍ以下の微細なｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒から
なる微細結晶相を主体とする組織からなるものである。
磁性コア１２は、リング状等に成形されている。
子％以上、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｍｎのうちの１種または２種以上の元素Ｍを４〜１
２原子％、Ｂを０．５〜１８原子％を含み、平均結晶粒
径３０ｎｍ以下の微細なｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒から
なる微細結晶相を主体とする組織からなるものである。
磁性コア１２は、リング状等に成形されている。
【００１９】さらに、この磁性コア１２は、以下の〜
の条件を満たすか、あるいは〜の条件を満たす
か、あるいは〜の条件を満たすものである。 Ｂｓ≧１．４Ｔ、 角形比（Ｂｒ／Ｂｓ）≦０．３、 Ｂｓ−Ｂｒ＝ΔＢ≧１Ｔ、 磁場中熱処理が施されたもの、 μ10k≧８０００、 μ1M≧１５００、 Ｂｍが１Ｔの時のμp≧５０００、 ０．１≦（μ1M／μ10k）≦１、 ０．２≦（μ1M／μ100k）≦１、
の条件を満たすか、あるいは〜の条件を満たす
か、あるいは〜の条件を満たすものである。 Ｂｓ≧１．４Ｔ、 角形比（Ｂｒ／Ｂｓ）≦０．３、 Ｂｓ−Ｂｒ＝ΔＢ≧１Ｔ、 磁場中熱処理が施されたもの、 μ10k≧８０００、 μ1M≧１５００、 Ｂｍが１Ｔの時のμp≧５０００、 ０．１≦（μ1M／μ10k）≦１、 ０．２≦（μ1M／μ100k）≦１、
【００２０】Ｂｓが１．４Ｔ未満かつ角形比が０．３よ
り大きい、すなわちＢｓとＢｒの差（ΔＢ）が１Ｔ未満
であると、パルス幅１μｓ、波高値１．０ｋＶ以上のパ
ルスノイズがノイズフィルタに印加された場合、磁性コ
アが磁気飽和を起こしてしまい、軟磁気特性が低下して
しまい、高電圧パルスノイズの減衰量が小さくなるため
好ましくない。なお、磁性コアが磁気的に飽和しない条
件は、下記式（１）により求めたものである。 Ｂｓ−Ｂｒ＝ΔＢ≧ＥＴ／ＮＳ×１０4（Ｔ） ・・・（１） （式中、Ｅはパルス電圧（Ｖ）、Ｔはパルス幅（ｓ）、
Ｎはコイル巻数（ＴＵＲＮ）、Ｓは断面積（ｃｍ2）で
ある。）
り大きい、すなわちＢｓとＢｒの差（ΔＢ）が１Ｔ未満
であると、パルス幅１μｓ、波高値１．０ｋＶ以上のパ
ルスノイズがノイズフィルタに印加された場合、磁性コ
アが磁気飽和を起こしてしまい、軟磁気特性が低下して
しまい、高電圧パルスノイズの減衰量が小さくなるため
好ましくない。なお、磁性コアが磁気的に飽和しない条
件は、下記式（１）により求めたものである。 Ｂｓ−Ｂｒ＝ΔＢ≧ＥＴ／ＮＳ×１０4（Ｔ） ・・・（１） （式中、Ｅはパルス電圧（Ｖ）、Ｔはパルス幅（ｓ）、
Ｎはコイル巻数（ＴＵＲＮ）、Ｓは断面積（ｃｍ2）で
ある。）
【００２１】磁性コア１２を製造する際、熱処理を磁場
中で行うことが望ましい。それは、磁場中で熱処理を行
うことにより、磁性コア１２に一軸磁気異方性が誘導さ
れる。そして、熱処理時に印加する磁場の方向を制御す
ることにより、磁性コア１２の磁路と直交した方向に磁
化容易軸を形成し、Ｂｒを低下させることができるから
である。
中で行うことが望ましい。それは、磁場中で熱処理を行
うことにより、磁性コア１２に一軸磁気異方性が誘導さ
れる。そして、熱処理時に印加する磁場の方向を制御す
ることにより、磁性コア１２の磁路と直交した方向に磁
化容易軸を形成し、Ｂｒを低下させることができるから
である。
【００２２】μ10kが８０００未満であると、１０ｋＨ
ｚにおける高周波ノイズの減衰量が後述する比較例１の
Ｆｅ73.5Ｓｉ13.5Ｂ9Ｎｂ3Ｃｕ1を用いたものと比較し
著しく低下し、比較例２のアモルファスまたは比較例３
のフェライトを用いたもの並となってしまい好ましくな
い。μ1Mが１５００未満であると、１ＭＨｚにおける高
周波ノイズの減衰量が後述する比較例１のＦｅ73.5Ｓｉ
13.5Ｂ9Ｎｂ3Ｃｕ1、比較例２のアモルファス、または
比較例３のフェライトを用いたものと比較し著しく低下
し好ましくない。μ1M／μ10kが０．１未満あるいはμ
1M／μ100kが０．２未満であると、１０ｋＨｚもしくは
１００ｋＨｚに対して１ＭＨｚでの透磁率の低下が大き
く、通常１０ｋＨｚもしくは１００ｋＨｚでインダクタ
ンスを規定するコモンモードチョークコイルにおいて
は、１ＭＨｚのインピーダンスが低下し、その結果、１
ＭＨｚの高周波ノイズの減衰量の１０ｋＨｚもしくは１
００ｋＨｚに対する低下割合が大きく好ましくない。
ｚにおける高周波ノイズの減衰量が後述する比較例１の
Ｆｅ73.5Ｓｉ13.5Ｂ9Ｎｂ3Ｃｕ1を用いたものと比較し
著しく低下し、比較例２のアモルファスまたは比較例３
のフェライトを用いたもの並となってしまい好ましくな
い。μ1Mが１５００未満であると、１ＭＨｚにおける高
周波ノイズの減衰量が後述する比較例１のＦｅ73.5Ｓｉ
13.5Ｂ9Ｎｂ3Ｃｕ1、比較例２のアモルファス、または
比較例３のフェライトを用いたものと比較し著しく低下
し好ましくない。μ1M／μ10kが０．１未満あるいはμ
1M／μ100kが０．２未満であると、１０ｋＨｚもしくは
１００ｋＨｚに対して１ＭＨｚでの透磁率の低下が大き
く、通常１０ｋＨｚもしくは１００ｋＨｚでインダクタ
ンスを規定するコモンモードチョークコイルにおいて
は、１ＭＨｚのインピーダンスが低下し、その結果、１
ＭＨｚの高周波ノイズの減衰量の１０ｋＨｚもしくは１
００ｋＨｚに対する低下割合が大きく好ましくない。
【００２３】パルス透磁率は、図４に示すような測定回
路により測定することができる。図４の測定回路は、パ
ルス電圧を印加するインパルスノイズシミュレータ１７
と、カレントトランス２０が試料（コモンモードチョー
クコイル）２２を介して電気的に接続され、さらに上記
カレントトランス２０がオシロスコープ２３に電気的に
接続された構成のものである。図４に示すようなパルス
透磁率の測定回路では、インパルスノイズシミュレータ
１７から矩形波（パルス電圧）を加えると、オシロスコ
ープ２３にパルス電圧の波形と、試料２２に流れるコイ
ル電流の波形が表示されるようになっている。図５は、
インパルスノイズシミュレータ１７から電圧を印加した
ときにオシロスコープ２３に表示される波形を示してお
り、Ａはパルス電圧の波形であり、Ｂはコイル電流の波
形である。なお、図中、符号ｔはパルス幅であり、Ｉp
はコイル電流の最大値、ＧＮＤは電流値が０のレベルを
示すものである。
路により測定することができる。図４の測定回路は、パ
ルス電圧を印加するインパルスノイズシミュレータ１７
と、カレントトランス２０が試料（コモンモードチョー
クコイル）２２を介して電気的に接続され、さらに上記
カレントトランス２０がオシロスコープ２３に電気的に
接続された構成のものである。図４に示すようなパルス
透磁率の測定回路では、インパルスノイズシミュレータ
１７から矩形波（パルス電圧）を加えると、オシロスコ
ープ２３にパルス電圧の波形と、試料２２に流れるコイ
ル電流の波形が表示されるようになっている。図５は、
インパルスノイズシミュレータ１７から電圧を印加した
ときにオシロスコープ２３に表示される波形を示してお
り、Ａはパルス電圧の波形であり、Ｂはコイル電流の波
形である。なお、図中、符号ｔはパルス幅であり、Ｉp
はコイル電流の最大値、ＧＮＤは電流値が０のレベルを
示すものである。
【００２４】コイル電流の最大値からコイルのインダク
タンスを下記の式（２）により求めることができる。 Ｌ＝Ｅ・（ｔ／Ｉp） ・・・（２） （式中、Ｌはコイルのインダクタンス、Ｅはパルス電
圧、ｔはパルス幅、Ｉpはコイル電流の傾きを表す。）
ここで求めたコイルのインダクタンスからパルス透磁率
を下記の式（３）により求めることができる。 μp＝（Ｌｌe）／（μ0ＳＮ2） ・・・（３） （式中、μpはパルス透磁率、Ｌはコイルのインダクタ
ンス、ｌeは実効磁路長、μ0は真空の透磁率、Ｓは実効
磁路断面積、Ｎはコイル巻数）
タンスを下記の式（２）により求めることができる。 Ｌ＝Ｅ・（ｔ／Ｉp） ・・・（２） （式中、Ｌはコイルのインダクタンス、Ｅはパルス電
圧、ｔはパルス幅、Ｉpはコイル電流の傾きを表す。）
ここで求めたコイルのインダクタンスからパルス透磁率
を下記の式（３）により求めることができる。 μp＝（Ｌｌe）／（μ0ＳＮ2） ・・・（３） （式中、μpはパルス透磁率、Ｌはコイルのインダクタ
ンス、ｌeは実効磁路長、μ0は真空の透磁率、Ｓは実効
磁路断面積、Ｎはコイル巻数）
【００２５】また、印加電圧と最大磁束密度の関係は、
下記の式（４）により求めることができる。 Ｂｍ＝（Ｖin／ＳＮ）ｔ ・・・（４） （式中、Ｂｍは最大磁束密度、Ｖinは印加（入力）電
圧、Ｓは実効磁路断面積、Ｎはコイル巻数、ｔはパルス
幅）である。上記式（４）より動作磁束密度（Ｂｍ）
は、パルス幅が一定であるならば入力電圧に比例し、実
効磁路断面積とコイル巻数の積に反比例することがわか
る。よって、試料２２にパルス電圧を印加して得られる
パルス透磁率の値から最大磁束密度（Ｂｍ）を求めるこ
とができる。Ｂｍが１Ｔの時のμpが５０００未満であ
ると、パルス性ノイズの吸収性が低下してしまい好まし
くない。
下記の式（４）により求めることができる。 Ｂｍ＝（Ｖin／ＳＮ）ｔ ・・・（４） （式中、Ｂｍは最大磁束密度、Ｖinは印加（入力）電
圧、Ｓは実効磁路断面積、Ｎはコイル巻数、ｔはパルス
幅）である。上記式（４）より動作磁束密度（Ｂｍ）
は、パルス幅が一定であるならば入力電圧に比例し、実
効磁路断面積とコイル巻数の積に反比例することがわか
る。よって、試料２２にパルス電圧を印加して得られる
パルス透磁率の値から最大磁束密度（Ｂｍ）を求めるこ
とができる。Ｂｍが１Ｔの時のμpが５０００未満であ
ると、パルス性ノイズの吸収性が低下してしまい好まし
くない。
【００２６】本実施形態のコモンモードチョークコイル
１０の磁性コア１２に適用して有効な材料としては、下
記の各組成式で示される軟磁性合金が挙げられる。 ＦｅbＢxＭy （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭy ＦｅbＢxＭyＸz （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭyＸz ＦｅbＢxＭyＸ't （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭyＸ't ＦｅbＢxＭyＸzＸ't （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭyＸzＸ't
１０の磁性コア１２に適用して有効な材料としては、下
記の各組成式で示される軟磁性合金が挙げられる。 ＦｅbＢxＭy （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭy ＦｅbＢxＭyＸz （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭyＸz ＦｅbＢxＭyＸ't （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭyＸ't ＦｅbＢxＭyＸzＸ't （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭyＸzＸ't
【００２７】但し、Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎのうちの１種または２
種以上の元素であり、ＺはＮｉ,Ｃｏのうち１種または
２種以上の元素であり、Ｘは、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｉｒのうちの１種または２種以上の元素であ
り、Ｘ’は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｇａのうちの１種また
は２種以上の元素であり、組成比を示すａは０．２以
下、ｂは７５原子％以上９３原子％以下、ｘは０．５原
子％以上１８原子％以下、ｙは４原子％以上９原子％以
下、Ｚは５原子％以下、ｔは４原子％以下である。
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎのうちの１種または２
種以上の元素であり、ＺはＮｉ,Ｃｏのうち１種または
２種以上の元素であり、Ｘは、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｉｒのうちの１種または２種以上の元素であ
り、Ｘ’は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｇａのうちの１種また
は２種以上の元素であり、組成比を示すａは０．２以
下、ｂは７５原子％以上９３原子％以下、ｘは０．５原
子％以上１８原子％以下、ｙは４原子％以上９原子％以
下、Ｚは５原子％以下、ｔは４原子％以下である。
【００２８】これらの組成の軟磁性合金は、平均結晶粒
径３０ｎｍ以下の体心立方構造（ｂｃｃ構造）のＦｅの
結晶粒からなる微結晶質相を主体とし、該微結晶質相と
非晶質相とから構成される組織からなるので、高い飽和
磁束密度と優れた透磁率を示し、コモンモードチョーク
コイル１０の磁性コア１２として好適である。
径３０ｎｍ以下の体心立方構造（ｂｃｃ構造）のＦｅの
結晶粒からなる微結晶質相を主体とし、該微結晶質相と
非晶質相とから構成される組織からなるので、高い飽和
磁束密度と優れた透磁率を示し、コモンモードチョーク
コイル１０の磁性コア１２として好適である。
【００２９】本発明に用いられる軟磁性合金の組成系に
おいて、主成分であるＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉは、磁性を担う
元素であり、高い飽和磁束密度と優れた軟磁気特性を得
るために重要である。
おいて、主成分であるＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉは、磁性を担う
元素であり、高い飽和磁束密度と優れた軟磁気特性を得
るために重要である。
【００３０】これらの組成の軟磁性合金においては、Ｆ
ｅの添加量を示すｂの値あるいはＦｅと、Ｃｏおよび／
またはＮｉの添加量の合計を示すｂの値は、９３原子％
以下である。ｂが９３原子％を超えると液体急冷法によ
って非晶質単相を得ることが困難になり、この結果、熱
処理してから得られる合金の組織が不均一になって高い
透磁率が得られないので好ましくない。また、ｂが７５
原子％未満では、飽和磁束密度（Ｂs）１Ｔ以上を得る
ことができず、ノイズ吸収効果が小さくなってしまうの
で好ましくない。従って、ｂの範囲を７５原子％≦ｂ≦
９３原子％とした。また、Ｆｅの一部は、磁歪等の調整
のためにＣｏ，Ｎｉのうち１種または２種以上の元素Ｚ
で置換してもよく、この場合、好ましくはＦｅの２５％
以下とするのがよい。この範囲外であると透磁率が劣化
する。従って前記組成式においてＺの組成比ａは、０．
２以下の範囲が好ましい。
ｅの添加量を示すｂの値あるいはＦｅと、Ｃｏおよび／
またはＮｉの添加量の合計を示すｂの値は、９３原子％
以下である。ｂが９３原子％を超えると液体急冷法によ
って非晶質単相を得ることが困難になり、この結果、熱
処理してから得られる合金の組織が不均一になって高い
透磁率が得られないので好ましくない。また、ｂが７５
原子％未満では、飽和磁束密度（Ｂs）１Ｔ以上を得る
ことができず、ノイズ吸収効果が小さくなってしまうの
で好ましくない。従って、ｂの範囲を７５原子％≦ｂ≦
９３原子％とした。また、Ｆｅの一部は、磁歪等の調整
のためにＣｏ，Ｎｉのうち１種または２種以上の元素Ｚ
で置換してもよく、この場合、好ましくはＦｅの２５％
以下とするのがよい。この範囲外であると透磁率が劣化
する。従って前記組成式においてＺの組成比ａは、０．
２以下の範囲が好ましい。
【００３１】Ｂには、軟磁性合金の非晶質形成能を高め
る効果、結晶組織の粗大化を防ぐ効果、および熱処理工
程において磁気特性に悪影響を及ぼす化合物相の生成を
抑制する効果があると考えられる。また、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｎｂは、α-Ｆｅに対してほとんど固溶しないとされる
が、合金を急冷して非晶質化することで、ＺｒとＨｆま
たはＮｂを過飽和に固溶させ、この後に施す熱処理によ
りこれら元素の固溶量を調節して一部結晶化し、微細結
晶相として析出させることで、得られる軟磁性合金の軟
磁気特性を向上させる作用がある。また、微細結晶相を
析出させ、その微細結晶相の結晶粒の粗大化を抑制する
には、結晶粒成長の障害となり得る非晶質相を粒界に残
存させることが必要であると考えられる。さらに、この
粒界非晶質相は、熱処理温度の上昇によってα−Ｆｅか
ら排出されるＺｒ、Ｈｆ、Ｎｂ等の元素Ｍを固溶するこ
とで軟磁気特性を劣化させるＦｅ−Ｍ系化合物の生成を
抑制すると考えられる。よって、Ｆｅ−Ｚｒ（Ｈｆ、Ｎ
ｂ）系の合金にＢを添加することが重要となる。
る効果、結晶組織の粗大化を防ぐ効果、および熱処理工
程において磁気特性に悪影響を及ぼす化合物相の生成を
抑制する効果があると考えられる。また、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｎｂは、α-Ｆｅに対してほとんど固溶しないとされる
が、合金を急冷して非晶質化することで、ＺｒとＨｆま
たはＮｂを過飽和に固溶させ、この後に施す熱処理によ
りこれら元素の固溶量を調節して一部結晶化し、微細結
晶相として析出させることで、得られる軟磁性合金の軟
磁気特性を向上させる作用がある。また、微細結晶相を
析出させ、その微細結晶相の結晶粒の粗大化を抑制する
には、結晶粒成長の障害となり得る非晶質相を粒界に残
存させることが必要であると考えられる。さらに、この
粒界非晶質相は、熱処理温度の上昇によってα−Ｆｅか
ら排出されるＺｒ、Ｈｆ、Ｎｂ等の元素Ｍを固溶するこ
とで軟磁気特性を劣化させるＦｅ−Ｍ系化合物の生成を
抑制すると考えられる。よって、Ｆｅ−Ｚｒ（Ｈｆ、Ｎ
ｂ）系の合金にＢを添加することが重要となる。
【００３２】Ｂの添加量を示すｘが、０．５原子％未満
では、粒界の非晶質相が不安定となるため、十分な添加
効果が得られない。また、ｘが１８原子％を越えると、
Ｂ−Ｍ系およびＦｅ−Ｂ系において、ホウ化物の生成傾
向が強くなり、微細結晶組織を得るための熱処理条件が
制約され、良好な軟磁気特性が得られなくなる。このよ
うにＢの添加量を適切にすることで、析出する微細結晶
相の平均結晶粒径を３０ｎｍ以下に調整することができ
る。
では、粒界の非晶質相が不安定となるため、十分な添加
効果が得られない。また、ｘが１８原子％を越えると、
Ｂ−Ｍ系およびＦｅ−Ｂ系において、ホウ化物の生成傾
向が強くなり、微細結晶組織を得るための熱処理条件が
制約され、良好な軟磁気特性が得られなくなる。このよ
うにＢの添加量を適切にすることで、析出する微細結晶
相の平均結晶粒径を３０ｎｍ以下に調整することができ
る。
【００３３】また、非晶質相を得やすくするためには、
非晶質形成能の特に高いＺｒ、Ｈｆ、Ｎｂのいずれかを
含むことが好ましく、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂの一部は他の４
Ａ〜７Ａ族元素のうち、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｍｎのいずれかと置換することができる。また、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｎｂのうち、Ｈｆは非常に高価な元素である
ため、原料コストを考慮すると、Ｚｒ、Ｎｂのいずれか
を含むことがより好ましい。こうした元素Ｍは、比較的
遅い拡散種であり、元素Ｍの添加は、微細結晶核の成長
速度を小さくする効果、非晶質形成能を持つと考えら
れ、組織の微細化に有効である。
非晶質形成能の特に高いＺｒ、Ｈｆ、Ｎｂのいずれかを
含むことが好ましく、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂの一部は他の４
Ａ〜７Ａ族元素のうち、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｍｎのいずれかと置換することができる。また、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｎｂのうち、Ｈｆは非常に高価な元素である
ため、原料コストを考慮すると、Ｚｒ、Ｎｂのいずれか
を含むことがより好ましい。こうした元素Ｍは、比較的
遅い拡散種であり、元素Ｍの添加は、微細結晶核の成長
速度を小さくする効果、非晶質形成能を持つと考えら
れ、組織の微細化に有効である。
【００３４】元素Ｍの添加量を示すｙが４原子％未満で
は、核成長速度を小さくする効果が失われ、結晶粒径が
粗大化して良好な軟磁性が得られない。Ｆｅ−Ｈｆ−Ｂ
系合金の場合、Ｈｆ＝５原子％での平均結晶粒径は１３
ｎｍであるのに対してＨｆ＝３原子％では３９ｎｍと粗
大化する。元素Ｍの添加量を示すｙが１２原子％を越え
ると、Ｍ−Ｂ系またはＦｅ−Ｍ系の化合物の生成傾向が
大きくなり、良好な特性が得られない。
は、核成長速度を小さくする効果が失われ、結晶粒径が
粗大化して良好な軟磁性が得られない。Ｆｅ−Ｈｆ−Ｂ
系合金の場合、Ｈｆ＝５原子％での平均結晶粒径は１３
ｎｍであるのに対してＨｆ＝３原子％では３９ｎｍと粗
大化する。元素Ｍの添加量を示すｙが１２原子％を越え
ると、Ｍ−Ｂ系またはＦｅ−Ｍ系の化合物の生成傾向が
大きくなり、良好な特性が得られない。
【００３５】中でもＮｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗは、酸化物の
生成自由エネルギーの絶対値が小さく、熱的に安定であ
り、酸化物を生成しにくい。よって、これらの元素を添
加して軟磁性合金を製造する場合には、製造時の雰囲気
全体を不活性ガス雰囲気ではなく大気中の雰囲気で、も
しくは溶湯を急冷する際に使用するるつぼのノズルの先
端部に不活性ガスを供給しつつ大気中で製造することが
できるので、製造条件が容易となり、磁性コアを安価に
製造することができる。
生成自由エネルギーの絶対値が小さく、熱的に安定であ
り、酸化物を生成しにくい。よって、これらの元素を添
加して軟磁性合金を製造する場合には、製造時の雰囲気
全体を不活性ガス雰囲気ではなく大気中の雰囲気で、も
しくは溶湯を急冷する際に使用するるつぼのノズルの先
端部に不活性ガスを供給しつつ大気中で製造することが
できるので、製造条件が容易となり、磁性コアを安価に
製造することができる。
【００３６】また、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｇａのうちの１
種または２種以上の元素Ｘ’を、４原子％以下含有する
ことが好ましい。これらは半金属元素として知られてお
り、Ｆｅを主成分とする体心立方晶の相に固溶する。こ
れらの元素の含有量が４原子％を越えると磁歪が大きく
なるか、飽和磁束密度が低下するか、透磁率が低下する
ので好ましくない。
種または２種以上の元素Ｘ’を、４原子％以下含有する
ことが好ましい。これらは半金属元素として知られてお
り、Ｆｅを主成分とする体心立方晶の相に固溶する。こ
れらの元素の含有量が４原子％を越えると磁歪が大きく
なるか、飽和磁束密度が低下するか、透磁率が低下する
ので好ましくない。
【００３７】また、元素Ｘ’には、軟磁性合金の電気抵
抗を上昇させ、鉄損を低下させる効果があるが、Ａｌは
その効果が大きい。またＧｅ、Ｇａは結晶粒の径を微細
化させる効果がある。従ってＳｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｇａの
うち、Ａｌ、Ｇｅ、Ｇａは添加した効果が特に大きく、
Ａｌ、Ｇｅ、Ｇａの単独添加もしくはＡｌとＧｅ、Ａｌ
とＧａ、ＧｅとＧａ、ＡｌとＧｅとＧａの複合添加とす
ることがより好ましい。
抗を上昇させ、鉄損を低下させる効果があるが、Ａｌは
その効果が大きい。またＧｅ、Ｇａは結晶粒の径を微細
化させる効果がある。従ってＳｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｇａの
うち、Ａｌ、Ｇｅ、Ｇａは添加した効果が特に大きく、
Ａｌ、Ｇｅ、Ｇａの単独添加もしくはＡｌとＧｅ、Ａｌ
とＧａ、ＧｅとＧａ、ＡｌとＧｅとＧａの複合添加とす
ることがより好ましい。
【００３８】更に、Ｃｕ、Ａｇの１種または２種以上の
元素Ｘを５原子％以下含有させると、軟磁気特性が改善
される。Ｃｕ等のように、Ｆｅと固溶しない元素を微量
添加することにより、組成が揺らぎ、Ｃｕが結晶化の初
期段階にクラスターを形成し、相対的にＦｅリッチな領
域が生じ、α−Ｆｅの核生成頻度を増加させることがで
きる。また、結晶化温度を示差熱分析法により測定した
ところ、上記Ｃｕ、Ａｇ等の元素の添加は結晶化温度を
やや低めるようである。これは、これらの添加により非
晶質中に組成揺らぎが導入され、その結果、非晶質の安
定性が低下したことに起因すると考えられる。組成揺ら
ぎを伴った非晶質相が結晶化する場合、部分的に結晶化
しやすい領域が多数でき均一核生成するため、得られる
組成が微細結晶粒組織となると考えられる。以上の観点
からこれらの元素以外の元素でも結晶化温度を低下させ
る元素には、同様の効果が期待できる。
元素Ｘを５原子％以下含有させると、軟磁気特性が改善
される。Ｃｕ等のように、Ｆｅと固溶しない元素を微量
添加することにより、組成が揺らぎ、Ｃｕが結晶化の初
期段階にクラスターを形成し、相対的にＦｅリッチな領
域が生じ、α−Ｆｅの核生成頻度を増加させることがで
きる。また、結晶化温度を示差熱分析法により測定した
ところ、上記Ｃｕ、Ａｇ等の元素の添加は結晶化温度を
やや低めるようである。これは、これらの添加により非
晶質中に組成揺らぎが導入され、その結果、非晶質の安
定性が低下したことに起因すると考えられる。組成揺ら
ぎを伴った非晶質相が結晶化する場合、部分的に結晶化
しやすい領域が多数でき均一核生成するため、得られる
組成が微細結晶粒組織となると考えられる。以上の観点
からこれらの元素以外の元素でも結晶化温度を低下させ
る元素には、同様の効果が期待できる。
【００３９】尚、これらの元素以外でも耐食性を改善す
るために、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒなどのうちの１種ま
たは２種以上の元素Ｘを添加することも可能である。こ
れらの元素は、５原子％よりも多く添加すると、飽和磁
束密度の劣化が著しくなるため、添加量は５原子％以下
とする必要がある。
るために、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒなどのうちの１種ま
たは２種以上の元素Ｘを添加することも可能である。こ
れらの元素は、５原子％よりも多く添加すると、飽和磁
束密度の劣化が著しくなるため、添加量は５原子％以下
とする必要がある。
【００４０】また、他に、必要に応じてＹ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉ
ｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｌ
ｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等の元素を添加する
ことで軟磁性合金の磁歪を調整することもできる。
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉ
ｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｌ
ｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等の元素を添加する
ことで軟磁性合金の磁歪を調整することもできる。
【００４１】その他、上記組成系の軟磁性合金におい
て、Ｈ、Ｎ、Ｏ、Ｓ等の不可避的不純物については所望
の特性が劣化しない程度に含有していても本発明で用い
る軟磁性合金の組成と同一とみなすことができるのは勿
論である。
て、Ｈ、Ｎ、Ｏ、Ｓ等の不可避的不純物については所望
の特性が劣化しない程度に含有していても本発明で用い
る軟磁性合金の組成と同一とみなすことができるのは勿
論である。
【００４２】上述の磁性コア１２を製造するには、例え
ば、前記の組成になるように原料を混合した合金をアー
ク溶解、高周波誘導溶解等の手段で溶解してから急冷
し、非晶質相を主体とする薄帯を作製する。ここで上記
の組成からなる薄帯を作製する具体的方法としては、特
開平４−３２３３５１号公報に記載されているような流
体冷却法や、単ロールを用いた急冷法等を採用すること
ができる。ついで、作製した薄帯を巻き、巻き磁心を作
製する。引き続き巻き磁心を熱処理することにより、上
記薄帯の非晶質相の中の一部が結晶化し、非晶質相と、
平均粒径３０ｎｍ以下の微細なｂｃｃ構造のＦｅの結晶
粒からなる微細結晶相とが混合した組織が得られ、磁性
コア１２が得られる。
ば、前記の組成になるように原料を混合した合金をアー
ク溶解、高周波誘導溶解等の手段で溶解してから急冷
し、非晶質相を主体とする薄帯を作製する。ここで上記
の組成からなる薄帯を作製する具体的方法としては、特
開平４−３２３３５１号公報に記載されているような流
体冷却法や、単ロールを用いた急冷法等を採用すること
ができる。ついで、作製した薄帯を巻き、巻き磁心を作
製する。引き続き巻き磁心を熱処理することにより、上
記薄帯の非晶質相の中の一部が結晶化し、非晶質相と、
平均粒径３０ｎｍ以下の微細なｂｃｃ構造のＦｅの結晶
粒からなる微細結晶相とが混合した組織が得られ、磁性
コア１２が得られる。
【００４３】熱処理により平均結晶粒径３０ｎｍ以下の
微細なｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒からなる微細結晶組織
が析出したのは、急冷状態の非晶質合金薄帯等が非晶質
相を主体とする組織となっており、これを加熱すると、
ある温度以上で平均結晶粒径が３０ｎｍ以下のＦｅを主
成分とする体心立方構造の結晶粒からなる微細結晶相が
析出するからである。このｂｃｃ構造を有するＦｅの結
晶粒からなる微細結晶相が析出する温度は、合金の組成
によるが４８０〜５５０℃程度である。またこのＦｅの
微細結晶相が析出する温度よりも高い温度では、Ｆｅ3
Ｂ、あるいは合金にＺｒが含まれる場合にはＦｅ3Ｚｒ
等の軟磁気特性を悪化させる化合物相が析出する。この
ような化合物相が析出する温度は、合金の組成によるが
７４０〜８１０℃程度である。
微細なｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒からなる微細結晶組織
が析出したのは、急冷状態の非晶質合金薄帯等が非晶質
相を主体とする組織となっており、これを加熱すると、
ある温度以上で平均結晶粒径が３０ｎｍ以下のＦｅを主
成分とする体心立方構造の結晶粒からなる微細結晶相が
析出するからである。このｂｃｃ構造を有するＦｅの結
晶粒からなる微細結晶相が析出する温度は、合金の組成
によるが４８０〜５５０℃程度である。またこのＦｅの
微細結晶相が析出する温度よりも高い温度では、Ｆｅ3
Ｂ、あるいは合金にＺｒが含まれる場合にはＦｅ3Ｚｒ
等の軟磁気特性を悪化させる化合物相が析出する。この
ような化合物相が析出する温度は、合金の組成によるが
７４０〜８１０℃程度である。
【００４４】したがって、本発明において、非晶質合金
薄帯等を熱処理する際の保持温度は４８０℃〜８１０℃
の範囲で、体心立方構造を有するＦｅの結晶粒を主成分
とする微細結晶相が好ましく析出しかつ上記化合物相が
析出しないように、合金の組成に応じて好ましく設定さ
れる。
薄帯等を熱処理する際の保持温度は４８０℃〜８１０℃
の範囲で、体心立方構造を有するＦｅの結晶粒を主成分
とする微細結晶相が好ましく析出しかつ上記化合物相が
析出しないように、合金の組成に応じて好ましく設定さ
れる。
【００４５】上記の熱処理温度まで昇温するときの昇温
速度は、２０〜２００℃／分の範囲が好ましく、４０〜
２００℃／分の範囲とするのがより好ましい。昇温速度
が遅いと製造時間が長くなるので昇温速度は速い方が好
ましいが、加熱装置の性能上、２００℃／分程度が上限
とされる。
速度は、２０〜２００℃／分の範囲が好ましく、４０〜
２００℃／分の範囲とするのがより好ましい。昇温速度
が遅いと製造時間が長くなるので昇温速度は速い方が好
ましいが、加熱装置の性能上、２００℃／分程度が上限
とされる。
【００４６】また、非晶質合金薄帯等を上記保持温度に
保持する時間は、０〜６０分間とすることができ、合金
の組成によっては０分、すなわち昇温後直ちに降温させ
て保持時間無しとしても、目的とする効果を得ることが
できる。また、保持時間は６０分より長くしても磁気特
性は向上せず、製造時間が長くなり生産性が悪くなるの
で好ましくない。また、特にＣｕおよびＳｉ、殊にＳｉ
を含まない組成の場合には、１０分以下の保持時間で優
れた磁性コアを得ることができる。これは、Ｓｉを添加
した場合には、ＦｅにＳｉを充分に固溶させる必要があ
り、保持時間を長くする必要があるからである。
保持する時間は、０〜６０分間とすることができ、合金
の組成によっては０分、すなわち昇温後直ちに降温させ
て保持時間無しとしても、目的とする効果を得ることが
できる。また、保持時間は６０分より長くしても磁気特
性は向上せず、製造時間が長くなり生産性が悪くなるの
で好ましくない。また、特にＣｕおよびＳｉ、殊にＳｉ
を含まない組成の場合には、１０分以下の保持時間で優
れた磁性コアを得ることができる。これは、Ｓｉを添加
した場合には、ＦｅにＳｉを充分に固溶させる必要があ
り、保持時間を長くする必要があるからである。
【００４７】磁性コア１２を製造する際、熱処理を磁場
中で行うことが望ましい。磁場中で熱処理を行うことに
より、磁性コア１２に一軸磁気異方性が誘導される。熱
処理時に印加する磁場の方向を制御することにより、磁
性コア１２の磁路と直交した方向に磁化容易軸を形成
し、Ｂｒを低下させることができるからである。
中で行うことが望ましい。磁場中で熱処理を行うことに
より、磁性コア１２に一軸磁気異方性が誘導される。熱
処理時に印加する磁場の方向を制御することにより、磁
性コア１２の磁路と直交した方向に磁化容易軸を形成
し、Ｂｒを低下させることができるからである。
【００４８】実施形態のコモンモードチョークコイル１
０によれば、少なくともＦｅを７５原子％以上、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎのうちの
１種または２種以上の元素Ｍを４〜１２原子％、Ｂを
０．５〜１８原子％を含み、平均結晶粒径３０ｎｍ以下
の微細なｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒からなる微細結晶相
を主体とする組織からなり、しかも上記〜の条件を
満たすか、あるいは上記〜の条件を満たすか、ある
いは上記〜の条件を満たす磁性コア１２と、これに
巻回された巻線１３からなるものであるので、パルス性
ノイズの吸収性が優れており、かつ相電流がアンバラン
スになってもパルス減衰特性が優れるという利点があ
る。従って、実施形態のコモンモードチョークコイル１
０を用いたノイズフィルタ５が備えられた電子機器によ
れば、電源７から負荷側に侵入しようとする高電圧パル
スノイズを吸収でき、しかも負荷側で発生するノイズを
電源７側に漏洩するのを防止できるので、これらノイズ
に起因する誤動作によるトラブルを防止できる。
０によれば、少なくともＦｅを７５原子％以上、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎのうちの
１種または２種以上の元素Ｍを４〜１２原子％、Ｂを
０．５〜１８原子％を含み、平均結晶粒径３０ｎｍ以下
の微細なｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒からなる微細結晶相
を主体とする組織からなり、しかも上記〜の条件を
満たすか、あるいは上記〜の条件を満たすか、ある
いは上記〜の条件を満たす磁性コア１２と、これに
巻回された巻線１３からなるものであるので、パルス性
ノイズの吸収性が優れており、かつ相電流がアンバラン
スになってもパルス減衰特性が優れるという利点があ
る。従って、実施形態のコモンモードチョークコイル１
０を用いたノイズフィルタ５が備えられた電子機器によ
れば、電源７から負荷側に侵入しようとする高電圧パル
スノイズを吸収でき、しかも負荷側で発生するノイズを
電源７側に漏洩するのを防止できるので、これらノイズ
に起因する誤動作によるトラブルを防止できる。
【００４９】
【実施例】以下、実施例により更に具体的に説明する。 （磁性コアの作製）表１に示すような組成になるように
原料を調整し、それをＮ2ガス雰囲気中で高周波溶解
し、溶けた原料を鋳型に流し込み母合金を得る。その母
合金から、Ｎ 2ガス雰囲気中においてノズル内で高周波
溶解し、溶湯をノズルより高速回転している銅ロールに
吹き出させて急冷する液体急冷法を用いて、厚さ２０μ
ｍ、幅２０ｍｍの合金薄帯を得た。次に得られた薄帯
を、外径６０ｍｍ、内径４０ｍｍの円環状に巻きまわ
し、磁場中熱処理を行った。磁場中熱処理条件は、昇温
速度４０゜Ｃ／分、熱処理温度６００゜Ｃから６５０゜
Ｃ、この熱処理温度での保持時間は３０分、磁場強度は
磁路直交方向に２ｋＯｅとした。
原料を調整し、それをＮ2ガス雰囲気中で高周波溶解
し、溶けた原料を鋳型に流し込み母合金を得る。その母
合金から、Ｎ 2ガス雰囲気中においてノズル内で高周波
溶解し、溶湯をノズルより高速回転している銅ロールに
吹き出させて急冷する液体急冷法を用いて、厚さ２０μ
ｍ、幅２０ｍｍの合金薄帯を得た。次に得られた薄帯
を、外径６０ｍｍ、内径４０ｍｍの円環状に巻きまわ
し、磁場中熱処理を行った。磁場中熱処理条件は、昇温
速度４０゜Ｃ／分、熱処理温度６００゜Ｃから６５０゜
Ｃ、この熱処理温度での保持時間は３０分、磁場強度は
磁路直交方向に２ｋＯｅとした。
【００５０】（測定）得られた磁性コアの磁気特性とし
て飽和磁束密度（Ｂ10）、残留磁束密度（Ｂｒ）、１０
ｋＨｚの透磁率（μ10k）、１００ｋＨｚの透磁率（μ
100k）、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）の測定結果を表１に
示す。また、これら測定値から角形比（Ｂｒ／Ｂ10）、
飽和磁束密度（Ｂ10）と残留磁束密度（Ｂｒ）の差（Ｂ
10−Ｂｒ）、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）と１０ｋＨｚの
透磁率（μ10k）の比率（μ1M／μ10k）、１ＭＨｚの透
磁率（μ1M）と１００ｋＨｚの透磁率（μ100k）の比率
（μ1M／μ100k）を計算した結果を表１に合わせて示
す。なお、飽和磁束密度（Ｂ10）と呼ぶものは、印加磁
場１０ Ｏｅを加えて磁化曲線を測定した時に得られる
飽和磁束密度を示している。
て飽和磁束密度（Ｂ10）、残留磁束密度（Ｂｒ）、１０
ｋＨｚの透磁率（μ10k）、１００ｋＨｚの透磁率（μ
100k）、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）の測定結果を表１に
示す。また、これら測定値から角形比（Ｂｒ／Ｂ10）、
飽和磁束密度（Ｂ10）と残留磁束密度（Ｂｒ）の差（Ｂ
10−Ｂｒ）、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）と１０ｋＨｚの
透磁率（μ10k）の比率（μ1M／μ10k）、１ＭＨｚの透
磁率（μ1M）と１００ｋＨｚの透磁率（μ100k）の比率
（μ1M／μ100k）を計算した結果を表１に合わせて示
す。なお、飽和磁束密度（Ｂ10）と呼ぶものは、印加磁
場１０ Ｏｅを加えて磁化曲線を測定した時に得られる
飽和磁束密度を示している。
【００５１】また、比較のためにＦｅ73.5Ｓｉ13.5Ｂ9
Ｎｂ3Ｃｕ1なる組成の磁性コア（比較例１）、Ｆｅ−Ｓ
ｉ−Ｂ系アモルファスからなる磁性コア（比較例２）、
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトからなる磁性コア（比較例３）
の磁気特性の測定結果を表１に合わせて示す。
Ｎｂ3Ｃｕ1なる組成の磁性コア（比較例１）、Ｆｅ−Ｓ
ｉ−Ｂ系アモルファスからなる磁性コア（比較例２）、
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトからなる磁性コア（比較例３）
の磁気特性の測定結果を表１に合わせて示す。
【００５２】
【表１】
【００５３】表１に示した結果から明らかなように比較
例１，３の磁性コアはＢ10≦１．３５Ｔであり、（Ｂｒ
／Ｂ10）≧０．３６であり、（Ｂ10−Ｂｒ）≦０．５４
Ｔでであった。これに対して実施例１の磁性コア（Ｆｅ
83Ｎｂ6.5Ｂ10.5なる組成）、実施例２の磁性コア（Ｆ
ｅ84Ｎｂ3.5Ｚｒ3.5Ｂ8Ｃｕ1なる組成）、実施例３の磁
性コア（Ｆｅ84Ｎｂ7Ｂ9なる組成）は、Ｂ10≧１．４５
Ｔであり、（Ｂｒ／Ｂ 10）≦０．２０であり、（Ｂ10−
Ｂｒ）≧１．１６Ｔであり、μ1M／μ10kが０．１３４
〜０．２１５の範囲であり、比較例１，３のものよりも
Ｂ10およびＢ10−Ｂｒが大きく、しかも角形比が小さい
ものであることがわかる。 また、比較例１の磁性コ
アは、μ1Mが７２７１３、μ100が５９８３であるもの
の、μ1M／μ10kが０．０８２であり、μ1M／μ100kが
０．１８９であり、高周波における透磁率の低下割合が
大きくなっている。比較例３の磁性コアは、μ100が４
９２５、μ1M／μ10kが０．８２２、μ1M／μ100kが
０．８０３であるものの、μ1 Mが５２２８と小さい値で
ある。これに対して実施例１〜３の磁性コアは、μ1M≧
１１６０１、μ100≧２４９６であり、μ1M／μ10kが
０．１３４〜０．２１５の範囲であり、μ1M／μ100kが
０．２３０〜０．２８５の範囲であり、高周波における
透磁率の低下割合が少ないことがわかる。なお、比較例
２の磁性コアは、Ｂ10が１．５７Ｔであり、（Ｂｒ／Ｂ
10）が０．０７であり、（Ｂ10−Ｂｒ）が１．４６Ｔ、
μ1M／μ10kが０．４２６、μ1M／μ100kが０．４６１
であるものの、μ10kが４４２８と小さすぎるため好ま
しくない。
例１，３の磁性コアはＢ10≦１．３５Ｔであり、（Ｂｒ
／Ｂ10）≧０．３６であり、（Ｂ10−Ｂｒ）≦０．５４
Ｔでであった。これに対して実施例１の磁性コア（Ｆｅ
83Ｎｂ6.5Ｂ10.5なる組成）、実施例２の磁性コア（Ｆ
ｅ84Ｎｂ3.5Ｚｒ3.5Ｂ8Ｃｕ1なる組成）、実施例３の磁
性コア（Ｆｅ84Ｎｂ7Ｂ9なる組成）は、Ｂ10≧１．４５
Ｔであり、（Ｂｒ／Ｂ 10）≦０．２０であり、（Ｂ10−
Ｂｒ）≧１．１６Ｔであり、μ1M／μ10kが０．１３４
〜０．２１５の範囲であり、比較例１，３のものよりも
Ｂ10およびＢ10−Ｂｒが大きく、しかも角形比が小さい
ものであることがわかる。 また、比較例１の磁性コ
アは、μ1Mが７２７１３、μ100が５９８３であるもの
の、μ1M／μ10kが０．０８２であり、μ1M／μ100kが
０．１８９であり、高周波における透磁率の低下割合が
大きくなっている。比較例３の磁性コアは、μ100が４
９２５、μ1M／μ10kが０．８２２、μ1M／μ100kが
０．８０３であるものの、μ1 Mが５２２８と小さい値で
ある。これに対して実施例１〜３の磁性コアは、μ1M≧
１１６０１、μ100≧２４９６であり、μ1M／μ10kが
０．１３４〜０．２１５の範囲であり、μ1M／μ100kが
０．２３０〜０．２８５の範囲であり、高周波における
透磁率の低下割合が少ないことがわかる。なお、比較例
２の磁性コアは、Ｂ10が１．５７Ｔであり、（Ｂｒ／Ｂ
10）が０．０７であり、（Ｂ10−Ｂｒ）が１．４６Ｔ、
μ1M／μ10kが０．４２６、μ1M／μ100kが０．４６１
であるものの、μ10kが４４２８と小さすぎるため好ま
しくない。
【００５４】次に、実施例１の磁性コア、比較例１〜３
の磁性コアを用いて各種のコモンモードチョークコイル
を作製し、これらコモンモードチョークコイルのパルス
透磁率を先に述べた方法と同様にして測定し、最大磁束
密度（Ｂｍ）とパルス透磁率（μp）との関係を調べた
結果を図６に示す。なお、ここで印加するパルス電圧の
パルス幅（ｔ）は１μｓであった。図６の結果から比較
例１〜３の磁性コアを用いたコイルは、最大磁束密度が
１Ｔのときのパルス透磁率が最大のものでも２８２０で
あり、これに対して実施例１の磁性コアを用いたコモン
モードチョークコイルは、最大磁束密度が１Ｔのときの
パルス透磁率が６８５１と大きいものであった。
の磁性コアを用いて各種のコモンモードチョークコイル
を作製し、これらコモンモードチョークコイルのパルス
透磁率を先に述べた方法と同様にして測定し、最大磁束
密度（Ｂｍ）とパルス透磁率（μp）との関係を調べた
結果を図６に示す。なお、ここで印加するパルス電圧の
パルス幅（ｔ）は１μｓであった。図６の結果から比較
例１〜３の磁性コアを用いたコイルは、最大磁束密度が
１Ｔのときのパルス透磁率が最大のものでも２８２０で
あり、これに対して実施例１の磁性コアを用いたコモン
モードチョークコイルは、最大磁束密度が１Ｔのときの
パルス透磁率が６８５１と大きいものであった。
【００５５】次に、実施例３の磁性コア、比較例１〜３
の磁性コアと同様の組成の各種の磁性コアを用いたコモ
ンモードチョークコイルを備えたノイズフィルタを作製
し、これらノイズフィルタのパルス減衰特性を図７に示
すような測定回路により測定した。図７の測定回路は、
パルス電圧を印加するインパルスノイズシミュレータ２
７と、減衰器３０が試料（ノイズフィルタ）３２を介し
て電気的に接続され、さらに上記減衰器３０がアナライ
ザ３３に電気的に接続された構成のものである。なお、
ここでのパルス減衰特性の測定の際には、実効磁路断面
積（Ｓ）と巻数（Ｎ）の積（Ｓ×Ｎ）をほぼ等しくした
コイルにおけるパルス減衰特性を測定するために、用い
る磁性コアの寸法、コイルの実効磁路長さ（ｌe）、実
効磁路断面積（Ｓ）、巻数（Ｎ）を表２に示す値に設定
したものを使用した。なお、パルス減衰特性とは、ノイ
ズフィルタの入力側（電源側）に高電圧パルスノイズを
注入し、出力側（負荷側）に現れる出力電圧値を示すも
のであり、出力側の電圧が低いほど優れた特性であると
いえるものである。パルス減衰特性の測定結果を図８に
示す。図８の横軸は、インパルスノイズシミュレータ２
７から印加したノイズの電圧Ｖin（ｋＶ）、縦軸は負荷
側に現れた出力電圧Ｖo（Ｖ）である。
の磁性コアと同様の組成の各種の磁性コアを用いたコモ
ンモードチョークコイルを備えたノイズフィルタを作製
し、これらノイズフィルタのパルス減衰特性を図７に示
すような測定回路により測定した。図７の測定回路は、
パルス電圧を印加するインパルスノイズシミュレータ２
７と、減衰器３０が試料（ノイズフィルタ）３２を介し
て電気的に接続され、さらに上記減衰器３０がアナライ
ザ３３に電気的に接続された構成のものである。なお、
ここでのパルス減衰特性の測定の際には、実効磁路断面
積（Ｓ）と巻数（Ｎ）の積（Ｓ×Ｎ）をほぼ等しくした
コイルにおけるパルス減衰特性を測定するために、用い
る磁性コアの寸法、コイルの実効磁路長さ（ｌe）、実
効磁路断面積（Ｓ）、巻数（Ｎ）を表２に示す値に設定
したものを使用した。なお、パルス減衰特性とは、ノイ
ズフィルタの入力側（電源側）に高電圧パルスノイズを
注入し、出力側（負荷側）に現れる出力電圧値を示すも
のであり、出力側の電圧が低いほど優れた特性であると
いえるものである。パルス減衰特性の測定結果を図８に
示す。図８の横軸は、インパルスノイズシミュレータ２
７から印加したノイズの電圧Ｖin（ｋＶ）、縦軸は負荷
側に現れた出力電圧Ｖo（Ｖ）である。
【００５６】
【表２】
【００５７】図８の結果からノイズの電圧を０〜２．５
ｋＶ印加したときのパルス減衰特性の優劣は、サンプル
Ｎｏ.４（磁性コアの組成が比較例３のフェライト）、
サンプルＮｏ.２（磁性コアの組成が比較例１のＦｅ
73.5Ｓｉ13.5Ｂ9Ｎｂ3Ｃｕ1）、サンプルＮｏ.１（磁性
コアの組成が実施例３のＦｅ84Ｎｂ7Ｂ9）、サンプルＮ
ｏ.３（磁性コアの組成が比較例２のアモルファス）の
順に良好であり、これは、上記表１に示したＢ10−Ｂｒ
の値の大きい順と同じであることがわかる。また、特
に、ノイズの電圧が０．９ｋＶを超えて１．６ｋＶの範
囲では、サンプルＮｏ.１（磁性コアの組成が実施例３
のＦｅ84Ｎｂ7Ｂ9）のノイズフィルタが最も特性が優れ
ていることがわかる。なお、サンプルＮｏ.３（磁性コ
アの組成が比較例２のアモルファス）のフィルタは、パ
ルス減衰特性が良好であるが、上記表１に示したように
μ10kが小さいためノイズフィルタの磁性コア材料とし
ては好ましくない。
ｋＶ印加したときのパルス減衰特性の優劣は、サンプル
Ｎｏ.４（磁性コアの組成が比較例３のフェライト）、
サンプルＮｏ.２（磁性コアの組成が比較例１のＦｅ
73.5Ｓｉ13.5Ｂ9Ｎｂ3Ｃｕ1）、サンプルＮｏ.１（磁性
コアの組成が実施例３のＦｅ84Ｎｂ7Ｂ9）、サンプルＮ
ｏ.３（磁性コアの組成が比較例２のアモルファス）の
順に良好であり、これは、上記表１に示したＢ10−Ｂｒ
の値の大きい順と同じであることがわかる。また、特
に、ノイズの電圧が０．９ｋＶを超えて１．６ｋＶの範
囲では、サンプルＮｏ.１（磁性コアの組成が実施例３
のＦｅ84Ｎｂ7Ｂ9）のノイズフィルタが最も特性が優れ
ていることがわかる。なお、サンプルＮｏ.３（磁性コ
アの組成が比較例２のアモルファス）のフィルタは、パ
ルス減衰特性が良好であるが、上記表１に示したように
μ10kが小さいためノイズフィルタの磁性コア材料とし
ては好ましくない。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように本発明のコモンモー
ドチョークコイルにあっては、少なくともＦｅを７５原
子％以上、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｍｎのうちの１種または２種以上の元素Ｍを４〜１
２原子％、Ｂを０．５〜１８原子％を含み、平均結晶粒
径３０ｎｍ以下の微細なｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒から
なる微細結晶相を主体とする組織からなり、しかもＢ
ｓ≧１．４Ｔ、角形比（Ｂｒ／Ｂｓ）≦０．３、Ｂ
ｓ−Ｂｒ＝ΔＢ≧１Ｔ、磁場中熱処理が施されたも
の、μ10k≧８０００、μ1M≧１５００、Ｂｍが
１Ｔの時のμp≧５０００、０．１≦（μ1M／μ10k）
≦１、０．２≦（μ1M／μ100k）≦１の条件のうち
〜の条件を満たすか、あるいは〜の条件を満たす
か、あるいは〜の条件を満たす磁性コアと、これに
巻回された巻線からなるものであるので、パルス性ノイ
ズの吸収性が優れ、パルス減衰特性が優れるという利点
がある。 従って、上述のような構成の本発明のコモン
モードチョークコイルを用いたノイズフィルタが電子機
器に備えられた場合、入力側から負荷側に侵入しようと
する高電圧パルスノイズを吸収でき、しかも負荷側で発
生するノイズを入力側に漏洩するのを防止できるので、
これらノイズに起因する誤動作によるトラブルを防止で
きる。
ドチョークコイルにあっては、少なくともＦｅを７５原
子％以上、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｍｎのうちの１種または２種以上の元素Ｍを４〜１
２原子％、Ｂを０．５〜１８原子％を含み、平均結晶粒
径３０ｎｍ以下の微細なｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒から
なる微細結晶相を主体とする組織からなり、しかもＢ
ｓ≧１．４Ｔ、角形比（Ｂｒ／Ｂｓ）≦０．３、Ｂ
ｓ−Ｂｒ＝ΔＢ≧１Ｔ、磁場中熱処理が施されたも
の、μ10k≧８０００、μ1M≧１５００、Ｂｍが
１Ｔの時のμp≧５０００、０．１≦（μ1M／μ10k）
≦１、０．２≦（μ1M／μ100k）≦１の条件のうち
〜の条件を満たすか、あるいは〜の条件を満たす
か、あるいは〜の条件を満たす磁性コアと、これに
巻回された巻線からなるものであるので、パルス性ノイ
ズの吸収性が優れ、パルス減衰特性が優れるという利点
がある。 従って、上述のような構成の本発明のコモン
モードチョークコイルを用いたノイズフィルタが電子機
器に備えられた場合、入力側から負荷側に侵入しようと
する高電圧パルスノイズを吸収でき、しかも負荷側で発
生するノイズを入力側に漏洩するのを防止できるので、
これらノイズに起因する誤動作によるトラブルを防止で
きる。
【図１】 本発明の一実施形態のコモンモードチョーク
コイルを用いたノイズフィルタが備えられた電子機器を
説明するための概略構成図である。
コイルを用いたノイズフィルタが備えられた電子機器を
説明するための概略構成図である。
【図２】 図１の電子機器に備えられたノイズフィルタ
の概略構成を示す図である。
の概略構成を示す図である。
【図３】 図３は本発明の一実施形態のコモンモードチ
ョークコイルを示す斜視図である。
ョークコイルを示す斜視図である。
【図４】 パルス透磁率を測定するための測定回路の例
を示す図である。
を示す図である。
【図５】 図４の測定回路を用いてパルス透磁率を測定
する際に、インパルスノイズシミュレータから電圧を印
加したときにオシロスコープに表示される波形を説明す
るための図であり、Ａはパルス電圧の波形の例を示す
図、Ｂはコイル電流の波形の例を示す図である。
する際に、インパルスノイズシミュレータから電圧を印
加したときにオシロスコープに表示される波形を説明す
るための図であり、Ａはパルス電圧の波形の例を示す
図、Ｂはコイル電流の波形の例を示す図である。
【図６】 最大磁束密度（Ｂｍ）とパルス透磁率
（μp）との関係を示す図である。
（μp）との関係を示す図である。
【図７】 ノイズフィルタのパルス減衰特性を測定する
ための測定回路の例を示す図である。
ための測定回路の例を示す図である。
【図８】 サンプルＮｏ.１〜４のノイズフィルタのパ
ルス減衰特性を示す図である。
ルス減衰特性を示す図である。
１・・・インダクションモータ、３・・・インバータ、
５・・・ノイズフィルタ、７・・・電源、８・・・制御
回路、１０・・・コモンモードチョークコイル、１２・
・・磁性コア、１３・・・巻線、１４・・・ボビン、１
５・・・コンデンサ、１５ａ，１５ｂ・・・端子、１７
・・・インパルスノイズシミュレータ、２０・・・カレ
ントトランス、２２・・・試料（コモンモードチョーク
コイル）、２３・・・オシロスコープ、２７・・・イン
パルスノイズシミュレータ、３０・・・減衰器、３２・
・・試料（ノイズフィルタ）、３３・・・アナライザ。
５・・・ノイズフィルタ、７・・・電源、８・・・制御
回路、１０・・・コモンモードチョークコイル、１２・
・・磁性コア、１３・・・巻線、１４・・・ボビン、１
５・・・コンデンサ、１５ａ，１５ｂ・・・端子、１７
・・・インパルスノイズシミュレータ、２０・・・カレ
ントトランス、２２・・・試料（コモンモードチョーク
コイル）、２３・・・オシロスコープ、２７・・・イン
パルスノイズシミュレータ、３０・・・減衰器、３２・
・・試料（ノイズフィルタ）、３３・・・アナライザ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内藤 豊 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 尾藤 輝夫 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 畑内 隆史 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 牧野 彰宏 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 増本 健 宮城県仙台市青葉区上杉３丁目８番22号 (72)発明者 井上 明久 宮城県仙台市青葉区川内元支倉35番地 川 内住宅11−806
Claims (11)
- 【請求項１】 少なくともＦｅを７５原子％以上、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎのう
ちの１種または２種以上の元素Ｍを４〜１２原子％、Ｂ
を０．５〜１８原子％を含み、平均結晶粒径３０ｎｍ以
下の微細なｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒からなる微細結晶
相を主体とする組織からなり、飽和磁束密度（Ｂｓ）が
１．４Ｔ以上、残留磁束密度（Ｂｒ）と飽和磁束密度
（Ｂｓ）との比である角形比（Ｂｒ／Ｂｓ）が０．３以
下、飽和磁束密度（Ｂｓ）と残留磁束密度（Ｂｒ）の差
（Ｂｓ−Ｂｒ）が１Ｔ以上であり、しかも磁場中熱処理
が施された磁性コアと、これに巻回された巻線からなる
ことを特徴とするコモンモードチョークコイル。 - 【請求項２】 少なくともＦｅを７５原子％以上、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎのう
ちの１種または２種以上の元素Ｍを４〜１２原子％、Ｂ
を０．５〜１８原子％を含み、平均結晶粒径３０ｎｍ以
下の微細なｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒からなる微細結晶
相を主体とする組織からなり、１０ｋＨｚの透磁率（μ
10k）が８０００以上、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）が１
５００以上、最大磁束密度（Ｂｍ）が１Ｔの時のパルス
透磁率（μp）が５０００以上、１ＭＨｚの透磁率（μ
1M）と１０ｋＨｚの透磁率（μ10k）の比率（μ1M／μ
10k）が０．１以上、１以下であり、１ＭＨｚの透磁率
（μ1M）と１００ｋＨｚの透磁率（μ100k）の比率（μ
1M／μ100k）が０．２以上１以下である磁性コアと、こ
れに巻回された巻線からなることを特徴とするコモンモ
ードチョークコイル。 - 【請求項３】 少なくともＦｅを７５原子％以上、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎのう
ちの１種または２種以上の元素Ｍを４〜１２原子％、Ｂ
を０．５〜１８原子％を含み、平均結晶粒径３０ｎｍ以
下の微細なｂｃｃ構造のＦｅの結晶粒からなる微細結晶
相を主体とする組織からなり、飽和磁束密度（Ｂｓ）が
１．４Ｔ以上、残留磁束密度（Ｂｒ）と飽和磁束密度
（Ｂｓ）との比である角形比（Ｂｒ／Ｂｓ）が０．３以
下、飽和磁束密度（Ｂｓ）と残留磁束密度（Ｂｒ）の差
（Ｂｓ−Ｂｒ）が１Ｔ以上、１０ｋＨｚの透磁率（μ
10k）が８０００以上、１ＭＨｚの透磁率（μ1M）１５
００以上、最大磁束密度（Ｂｍ）が１Ｔの時のパルス透
磁率（μp）が５０００以上、１ＭＨｚの透磁率
（μ1M）と１０ｋＨｚの透磁率（μ10k）の比率（μ1M
／μ10k）が０．１以上、１以下であり、１ＭＨｚの透
磁率（μ1M）と１００ｋＨｚの透磁率（μ100k）の比率
（μ1M／μ100k）が０．２以上１以下であり、しかも磁
場中熱処理が施された磁性コアと、これに巻回された巻
線からなることを特徴とするコモンモードチョークコイ
ル。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載のコモン
モードチョークコイルにおいて、前記磁性コアは、下記
の組成で表される軟磁性合金からなることを特徴とする
コモンモードチョークコイル。 ＦｅbＢxＭy ただし、ＭはＴｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ,Ｍ
ｎから選ばれた１種または２種以上の元素であり、ｂは
７５原子％以上９３原子％以下、ｘは０．５原子％以上
１８原子％以下、ｙは４原子％以上１２原子％以下であ
る。 - 【請求項５】 請求項１〜３のいずれかに記載のコモン
モードチョークコイルにおいて、前記磁性コアは、下記
の組成で表される軟磁性合金からなることを特徴とする
コモンモードチョークコイル。 （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭy ただし、ＺはＮｉ,Ｃｏのうち１種または２種以上の元
素であり、ＭはＴｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ,
Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素であり、ａ
は０．２以下、ｂは７５原子％以上９３原子％以下、ｘ
は０．５原子％以上１８原子％以下、ｙは４原子％以上
１２原子％以下である。 - 【請求項６】 請求項１〜３のいずれかに記載のコモン
モードチョークコイルにおいて、前記磁性コアは、下記
の組成で表される軟磁性合金からなることを特徴とする
コモンモードチョークコイル。 ＦｅbＢxＭyＸz ただし、ＭはＴｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ,Ｍ
ｎから選ばれた１種または２種以上の元素、ＸはＣｕ,
Ａｇ,Ｃｒ,Ｒｕ,Ｒｈ,Ｉｒから選ばれた１種または２種
以上の元素であり、ｂは、７５原子％以上９３原子％以
下、ｘは０．５原子％以上１８原子％以下、ｙは４原子
％以上１２原子％以下、Ｚは５原子％以下である。 - 【請求項７】 請求項１〜３のいずれかに記載のコモン
モードチョークコイルにおいて、前記磁性コアは、下記
の組成で表される軟磁性合金からなることを特徴とする
コモンモードチョークコイル。 （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭyＸz ただし、ＺはＮｉ,Ｃｏのうち１種または２種以上の元
素であり、ＭはＴｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ,
Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素、ＸはＣ
ｕ,Ａｇ,Ｃｒ,Ｒｕ,Ｒｈ,Ｉｒから選ばれた１種または
２種以上の元素であり、ａは０．２以下、ｂは７５原子
％以上９３原子％以下、ｘは０．５原子％以上１８原子
％以下、ｙは４原子％以上１２原子％以下、Ｚは５原子
％以下である。 - 【請求項８】 請求項１〜３のいずれかに記載のコモン
モードチョークコイルにおいて、前記磁性コアは、下記
の組成で表される軟磁性合金からなることを特徴とする
コモンモードチョークコイル。 ＦｅbＢxＭyＸ't ただし、ＭはＴｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ，
Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素、Ｘ'はＳ
ｉ,Ａｌ,Ｇｅ,Ｇａから選ばれた１種または２種以上の
元素であり、ｂは７５原子％以上９３原子％以下、ｘは
０．５原子％以上１８原子％以下、ｙは４原子％以上１
２原子％以下、ｔは４原子％以下である。 - 【請求項９】 請求項１〜３のいずれかに記載のコモン
モードチョークコイルにおいて、前記磁性コアは、下記
の組成で表される軟磁性合金からなることを特徴とする
コモンモードチョークコイル。 （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭyＸ't ただし、ＺはＮｉ,Ｃｏのうち１種または２種以上の元
素であり、Ｍは、Ｔｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,
Ｗ,Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素、Ｘ'は
Ｓｉ,Ａｌ,Ｇｅ,Ｇａから選ばれた１種または２種以上
の元素であり、ａは０．２以下、ｂは７５原子％以上９
３原子％以下、ｘは０．５原子％以上１８原子％以下、
ｙは４原子％以上１２原子％以下、ｔは４原子％以下で
ある。 - 【請求項１０】 請求項１〜３のいずれかに記載のコモ
ンモードチョークコイルにおいて、前記磁性コアは、下
記の組成で表される軟磁性合金からなることを特徴とす
るコモンモードチョークコイル。 ＦｅbＢxＭyＸzＸ't ただし、Ｍは、Ｔｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,Ｗ,
Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素、ＸはＣ
ｕ,Ａｇ,Ｃｒ,Ｒｕ,Ｒｈ,Ｉｒから選ばれた１種または
２種以上の元素、Ｘ'はＳｉ,Ａｌ,Ｇｅ,Ｇａから選ばれ
た１種または２種以上の元素であり、ｂは７５原子％以
上９３原子％以下、ｘは０．５原子％以上１８原子％以
下、ｙは４原子％以上１２原子％以下、Ｚは５原子％以
下、ｔは４原子％以下である。 - 【請求項１１】 請求項１〜３のいずれかに記載のコモ
ンモードチョークコイルにおいて、前記磁性コアは、下
記の組成で表される軟磁性合金からなることを特徴とす
るコモンモードチョークコイル。 （Ｆｅ1-aＺa）bＢxＭyＸzＸ't ただし、ＺはＮｉ,Ｃｏのうち１種または２種以上の元
素であり、Ｍは、Ｔｉ,Ｚｒ,Ｈｆ,Ｖ,Ｎｂ,Ｔａ,Ｍｏ,
Ｗ,Ｍｎから選ばれた１種または２種以上の元素、Ｘは
Ｃｕ,Ａｇ,Ｃｒ,Ｒｕ,Ｒｈ,Ｉｒから選ばれた１種また
は２種以上の元素、Ｘ'はＳｉ,Ａｌ,Ｇｅ,Ｇａから選ば
れた１種または２種以上の元素であり、ａは０．２以
下、ｂは７５原子％以上９３原子％以下、ｘは０．５原
子％以上１８原子％以下、ｙは４原子％以上９原子％以
下、Ｚは５原子％以下、ｔは４原子％以下である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10162580A JPH11354312A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | コモンモードチョークコイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10162580A JPH11354312A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | コモンモードチョークコイル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354312A true JPH11354312A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15757300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10162580A Withdrawn JPH11354312A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | コモンモードチョークコイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354312A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134329A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Hitachi Metals Ltd | 信号回線のコモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品 |
| JP2010182875A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | コモンモードチョークコイルおよびノイズフィルタ |
-
1998
- 1998-06-10 JP JP10162580A patent/JPH11354312A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002134329A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Hitachi Metals Ltd | 信号回線のコモンモード雷サージ電流抑制用磁性部品 |
| JP2010182875A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | コモンモードチョークコイルおよびノイズフィルタ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050906 |