JP2002134322A - 高ｑ高周波コイル及びその製造方法 - Google Patents
高ｑ高周波コイル及びその製造方法Info
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- JP2002134322A JP2002134322A JP2000324107A JP2000324107A JP2002134322A JP 2002134322 A JP2002134322 A JP 2002134322A JP 2000324107 A JP2000324107 A JP 2000324107A JP 2000324107 A JP2000324107 A JP 2000324107A JP 2002134322 A JP2002134322 A JP 2002134322A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波、とくに１ＧＨｚ以上の周波数帯域に
おいて良好なＱ特性を示しかつ量産性に優れた高Ｑ高周
波コイルを提供する。 【解決手段】 絶縁層１２，１４，１６と導体層１１，
１３，１５，１７を交互に積層してなる高周波コイルで
あり、各導体層が前記絶縁層を介して積層方向に複数
層、略同一のコイル導体パターンに形成されていて、各
導体層でヘリカル巻きのコイル導体を複数構成し、かつ
前記コイル導体同士を少なくともその両端にて電気的に
接続し、端子電極２５に導出する構成である。
おいて良好なＱ特性を示しかつ量産性に優れた高Ｑ高周
波コイルを提供する。 【解決手段】 絶縁層１２，１４，１６と導体層１１，
１３，１５，１７を交互に積層してなる高周波コイルで
あり、各導体層が前記絶縁層を介して積層方向に複数
層、略同一のコイル導体パターンに形成されていて、各
導体層でヘリカル巻きのコイル導体を複数構成し、かつ
前記コイル導体同士を少なくともその両端にて電気的に
接続し、端子電極２５に導出する構成である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波コイル及び
その製造方法に係り、とくに１ＧＨｚ以上の周波数帯域
において良好なＱ特性を示しかつ量産性に優れた高Ｑ高
周波コイル及びその製造方法に関するものである。
その製造方法に係り、とくに１ＧＨｚ以上の周波数帯域
において良好なＱ特性を示しかつ量産性に優れた高Ｑ高
周波コイル及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波コイルでＱを上げる工夫として下
記の手法が考えられる。
記の手法が考えられる。
【０００３】 スパイラルコイルでコイル導体を２重
にする（特開平５−８２３４９号公報）。
にする（特開平５−８２３４９号公報）。
【０００４】 ヘリカルコイルで導体をハイアスペク
トにする。
トにする。
【０００５】上記の場合、巻き方がスパイラルなので
導体損失が大きくＱの改善が不十分である。
導体損失が大きくＱの改善が不十分である。
【０００６】また、上記の場合、導体を十分にハイア
スペクトに構成することは従来技術では容易でなかっ
た。例えば、従来のセラミック積層工法を使用する場合
には導体層の厚さを増やすことは困難である。また有機
の積層工法の場合もアスペクト比は通常１.５以下であ
り、非常に高いＱを実現したい場合等には対応出来な
い。
スペクトに構成することは従来技術では容易でなかっ
た。例えば、従来のセラミック積層工法を使用する場合
には導体層の厚さを増やすことは困難である。また有機
の積層工法の場合もアスペクト比は通常１.５以下であ
り、非常に高いＱを実現したい場合等には対応出来な
い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の点に
鑑み、高周波、とくに１ＧＨｚ以上の周波数帯域におい
て良好なＱ特性を示しかつ量産性に優れた高Ｑ高周波コ
イル及びその製造方法を提供することを目的とする。
鑑み、高周波、とくに１ＧＨｚ以上の周波数帯域におい
て良好なＱ特性を示しかつ量産性に優れた高Ｑ高周波コ
イル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。
の実施の形態において明らかにする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願請求項１の発明に係る高Ｑ高周波コイルは、絶
縁層と導体層を交互に積層してなる構成において、各導
体層が前記絶縁層を介して積層方向に複数層、略同一の
コイル導体パターンに形成されていて、各導体層でヘリ
カル巻きのコイル導体を複数構成し、かつ前記コイル導
体同士を少なくともその両端にて電気的に接続したこと
を特徴としている。
に、本願請求項１の発明に係る高Ｑ高周波コイルは、絶
縁層と導体層を交互に積層してなる構成において、各導
体層が前記絶縁層を介して積層方向に複数層、略同一の
コイル導体パターンに形成されていて、各導体層でヘリ
カル巻きのコイル導体を複数構成し、かつ前記コイル導
体同士を少なくともその両端にて電気的に接続したこと
を特徴としている。
【００１０】本願請求項２の発明に係る高Ｑ高周波コイ
ルは、絶縁層と導体層を交互に積層してなる構成におい
て、各導体層のコイル導体パターンが幅方向に多重化さ
れていて、各導体層でヘリカル巻きのコイル導体を複数
構成し、かつ前記コイル導体同士を少なくともその両端
にて電気的に接続したことを特徴としている。
ルは、絶縁層と導体層を交互に積層してなる構成におい
て、各導体層のコイル導体パターンが幅方向に多重化さ
れていて、各導体層でヘリカル巻きのコイル導体を複数
構成し、かつ前記コイル導体同士を少なくともその両端
にて電気的に接続したことを特徴としている。
【００１１】本願請求項３の発明に係る高Ｑ高周波コイ
ルは、請求項１又は２において、前記絶縁層がセラミッ
ク絶縁層であることを特徴としている。
ルは、請求項１又は２において、前記絶縁層がセラミッ
ク絶縁層であることを特徴としている。
【００１２】本願請求項４の発明に係る高Ｑ高周波コイ
ルは、請求項１又は２において、前記絶縁層が有機絶縁
層であることを特徴としている。
ルは、請求項１又は２において、前記絶縁層が有機絶縁
層であることを特徴としている。
【００１３】本願請求項５の発明に係る高Ｑ高周波コイ
ルは、請求項４において、前記有機絶縁層の比誘電率が
５以下であることを特徴としている。
ルは、請求項４において、前記有機絶縁層の比誘電率が
５以下であることを特徴としている。
【００１４】本願請求項６の発明に係る高Ｑ高周波コイ
ルは、請求項４又は５において、前記有機絶縁層のＱが
１００以上であることを特徴としている。
ルは、請求項４又は５において、前記有機絶縁層のＱが
１００以上であることを特徴としている。
【００１５】本願請求項７の発明に係る高Ｑ高周波コイ
ルは、請求項４，５又は６において、有機絶縁層がビニ
ルベンジルであることを特徴としている。
ルは、請求項４，５又は６において、有機絶縁層がビニ
ルベンジルであることを特徴としている。
【００１６】本願請求項８の発明に係る高Ｑ高周波コイ
ルは、請求項４，５，６又は７において、前記有機絶縁
層が可撓性を有するものであることを特徴としている。
ルは、請求項４，５，６又は７において、前記有機絶縁
層が可撓性を有するものであることを特徴としている。
【００１７】本願請求項９の発明に係る高Ｑ高周波コイ
ルは、請求項１，２，３，４，５，６，７又は８におい
て、前記コイル導体のアスペクト比が０.３以上である
ことを特徴としている。
ルは、請求項１，２，３，４，５，６，７又は８におい
て、前記コイル導体のアスペクト比が０.３以上である
ことを特徴としている。
【００１８】本願請求項１０の発明に係る高Ｑ高周波コ
イルは、請求項１，２，３，４，５，６，７，８又は９
において、前記コイル導体が銅であることを特徴として
いる。
イルは、請求項１，２，３，４，５，６，７，８又は９
において、前記コイル導体が銅であることを特徴として
いる。
【００１９】本願請求項１１の発明は、絶縁層と導体層
を交互に積層してなり、各導体層が前記絶縁層を介して
積層方向に複数層、略同一のコイル導体パターンに形成
されていて、各導体層でヘリカル巻きのコイル導体を複
数構成し、かつ前記コイル導体同士を少なくともその両
端にて電気的に接続した高Ｑ高周波コイルの製造方法で
あって、前記導体層を作製する工程が、(1) ５μｍ以
下のめっき用下地導体層を少なくとも基板の片面の全て
に形成する下地形成工程と、(2) 感光性レジストを前
記下地導体層の上に設けるレジスト形成工程と、(3)
フォトリソグラフィー法により前記レジストのコイル導
体パターン部分を除去するパターニング工程と、(4)
電解めっきにより、前記レジストの除去されたコイル導
体パターン部分にコイル導体層を形成する電解めっき工
程と、(5) 前記感光性レジストを除去するレジスト除
去工程と、(6) エッチングにより前記下地導体層の不
要部分を除去する下地除去工程とを有することを特徴と
している。
を交互に積層してなり、各導体層が前記絶縁層を介して
積層方向に複数層、略同一のコイル導体パターンに形成
されていて、各導体層でヘリカル巻きのコイル導体を複
数構成し、かつ前記コイル導体同士を少なくともその両
端にて電気的に接続した高Ｑ高周波コイルの製造方法で
あって、前記導体層を作製する工程が、(1) ５μｍ以
下のめっき用下地導体層を少なくとも基板の片面の全て
に形成する下地形成工程と、(2) 感光性レジストを前
記下地導体層の上に設けるレジスト形成工程と、(3)
フォトリソグラフィー法により前記レジストのコイル導
体パターン部分を除去するパターニング工程と、(4)
電解めっきにより、前記レジストの除去されたコイル導
体パターン部分にコイル導体層を形成する電解めっき工
程と、(5) 前記感光性レジストを除去するレジスト除
去工程と、(6) エッチングにより前記下地導体層の不
要部分を除去する下地除去工程とを有することを特徴と
している。
【００２０】本願請求項１２の発明は、絶縁層と導体層
を交互に積層してなり、各導体層のコイル導体パターン
が幅方向に多重化されていて、各導体層でヘリカル巻き
のコイル導体を複数構成し、かつ前記コイル導体同士を
少なくともその両端にて電気的に接続した高Ｑ高周波コ
イルの製造方法であって、前記導体層を作製する工程
が、(1) ５μｍ以下のめっき用下地導体層を少なくと
も基板の片面の全てに形成する下地形成工程と、(2)
感光性レジストを前記下地導体層の上に設けるレジスト
形成工程と、(3) フォトリソグラフィー法により前記
レジストのコイル導体パターン部分を除去するパターニ
ング工程と、(4) 電解めっきにより、前記レジストの
除去されたコイル導体パターン部分にコイル導体層を形
成する電解めっき工程と、(5) 前記感光性レジストを
除去するレジスト除去工程と、(6) エッチングにより
前記下地導体層の不要部分を除去する下地除去工程とを
有することを特徴としている。
を交互に積層してなり、各導体層のコイル導体パターン
が幅方向に多重化されていて、各導体層でヘリカル巻き
のコイル導体を複数構成し、かつ前記コイル導体同士を
少なくともその両端にて電気的に接続した高Ｑ高周波コ
イルの製造方法であって、前記導体層を作製する工程
が、(1) ５μｍ以下のめっき用下地導体層を少なくと
も基板の片面の全てに形成する下地形成工程と、(2)
感光性レジストを前記下地導体層の上に設けるレジスト
形成工程と、(3) フォトリソグラフィー法により前記
レジストのコイル導体パターン部分を除去するパターニ
ング工程と、(4) 電解めっきにより、前記レジストの
除去されたコイル導体パターン部分にコイル導体層を形
成する電解めっき工程と、(5) 前記感光性レジストを
除去するレジスト除去工程と、(6) エッチングにより
前記下地導体層の不要部分を除去する下地除去工程とを
有することを特徴としている。
【００２１】本願請求項１３の発明に係る高Ｑ高周波コ
イルの製造方法は、請求項１１又は１２において、前記
めっき用下地導体層の少なくとも第１層を無電解めっき
で形成することを特徴としている。
イルの製造方法は、請求項１１又は１２において、前記
めっき用下地導体層の少なくとも第１層を無電解めっき
で形成することを特徴としている。
【００２２】本願請求項１４の発明に係る高Ｑ高周波コ
イルの製造方法は、請求項１３において、前記無電解め
っきが銅めっきであることを特徴としている。
イルの製造方法は、請求項１３において、前記無電解め
っきが銅めっきであることを特徴としている。
【００２３】本願請求項１５の発明に係る高Ｑ高周波コ
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３又は１４に
おいて、前記感光性レジストがドライフィルムであるこ
とを特徴としている。
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３又は１４に
おいて、前記感光性レジストがドライフィルムであるこ
とを特徴としている。
【００２４】本願請求項１６の発明に係る高Ｑ高周波コ
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３，１４又は
１５において、前記感光性レジストの露光を平行露光機
で行うことを特徴としている。
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３，１４又は
１５において、前記感光性レジストの露光を平行露光機
で行うことを特徴としている。
【００２５】本願請求項１７の発明に係る高Ｑ高周波コ
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３，１４，１
５又は１６において、前記電解めっきが光沢めっきであ
ることを特徴としている。
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３，１４，１
５又は１６において、前記電解めっきが光沢めっきであ
ることを特徴としている。
【００２６】本願請求項１８の発明に係る高Ｑ高周波コ
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３，１４，１
５，１６又は１７において、前記電解めっきが銅めっき
であることを特徴としている。
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３，１４，１
５，１６又は１７において、前記電解めっきが銅めっき
であることを特徴としている。
【００２７】本願請求項１９の発明に係る高Ｑ高周波コ
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３，１４，１
５，１６，１７又は１８において、前記エッチングがウ
エットエッチングであることを特徴としている。
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３，１４，１
５，１６，１７又は１８において、前記エッチングがウ
エットエッチングであることを特徴としている。
【００２８】本願請求項２０の発明に係る高Ｑ高周波コ
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３，１４，１
５，１６，１７，１８又は１９において、前記下地導体
層と前記コイル導体層の金属種を選択エッチング可能な
組み合わせにして、前記下地除去工程で下地導体層のみ
をエッチングするエッチング液で処理することを特徴と
している。
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３，１４，１
５，１６，１７，１８又は１９において、前記下地導体
層と前記コイル導体層の金属種を選択エッチング可能な
組み合わせにして、前記下地除去工程で下地導体層のみ
をエッチングするエッチング液で処理することを特徴と
している。
【００２９】本願請求項２１の発明に係る高Ｑ高周波コ
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３，１４，１
５，１６，１７，１８，１９又は２０において、前記電
解めっきで形成したコイル導体層表面の凹凸が５μｍ以
内であることを特徴としている。
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３，１４，１
５，１６，１７，１８，１９又は２０において、前記電
解めっきで形成したコイル導体層表面の凹凸が５μｍ以
内であることを特徴としている。
【００３０】本願請求項２２の発明に係る高Ｑ高周波コ
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３，１４，１
５，１６，１７，１８，１９，２０又は２１において、
前記絶縁層としての有機絶縁層にビアホールをレーザー
加工にて形成することを特徴としている。
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３，１４，１
５，１６，１７，１８，１９，２０又は２１において、
前記絶縁層としての有機絶縁層にビアホールをレーザー
加工にて形成することを特徴としている。
【００３１】本願請求項２３の発明に係る高Ｑ高周波コ
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３，１４，１
５，１６，１７，１８，１９，２０又は２１において、
前記絶縁層としての有機絶縁層が感光性を有し、フォト
リソグラフィー法でビアホールを形成することを特徴と
している。
イルの製造方法は、請求項１１，１２，１３，１４，１
５，１６，１７，１８，１９，２０又は２１において、
前記絶縁層としての有機絶縁層が感光性を有し、フォト
リソグラフィー法でビアホールを形成することを特徴と
している。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る高Ｑ高周波コ
イル及びその製造方法の実施の形態を図面に従って説明
する。
イル及びその製造方法の実施の形態を図面に従って説明
する。
【００３３】図１乃至図３で本発明の第１の実施の形態
を説明する。図１（Ａ）は有機又は無機の絶縁基板１０
上に形成された第１導体層１１を、同図（Ｂ）はその上
に積層形成された第１層間絶縁層１２を、同図（Ｃ）は
その上に形成された第２導体層１３を、同図（Ｄ）はそ
の上に積層形成された第２層間絶縁層１４を、同図
（Ｅ）はその上に形成された第３導体層１５を、同図
（Ｆ）はその上に積層形成された第３層間絶縁層１６
を、同図（Ｇ）はその上に形成された第４導体層１７を
それぞれ示している。また、図２は図１のII−II断面図
を示すものである。
を説明する。図１（Ａ）は有機又は無機の絶縁基板１０
上に形成された第１導体層１１を、同図（Ｂ）はその上
に積層形成された第１層間絶縁層１２を、同図（Ｃ）は
その上に形成された第２導体層１３を、同図（Ｄ）はそ
の上に積層形成された第２層間絶縁層１４を、同図
（Ｅ）はその上に形成された第３導体層１５を、同図
（Ｆ）はその上に積層形成された第３層間絶縁層１６
を、同図（Ｇ）はその上に形成された第４導体層１７を
それぞれ示している。また、図２は図１のII−II断面図
を示すものである。
【００３４】第１導体層１１と第２導体層１３とは第１
層間絶縁層１２を介して積層方向に略同一のコイル導体
パターン（ヘリカルの一部をなすパターン）に形成され
ている。第３導体層１５と第４導体層１７とは第３層間
絶縁層１６を介して積層方向に略同一のコイル導体パタ
ーン（ヘリカルの残りの一部をなすパターン）に形成さ
れている。そして、第１及び第２導体層１１，１３と第
３及び第４導体層１５，１７とは各層間絶縁層１２，１
４，１６のビアホール１８で相互に直列及び並列に接続
されて、各導体層でヘリカル巻きのコイル導体を複数
（図示の場合２つ）構成し、基板両側縁の端子電極２５
同士を接続している。
層間絶縁層１２を介して積層方向に略同一のコイル導体
パターン（ヘリカルの一部をなすパターン）に形成され
ている。第３導体層１５と第４導体層１７とは第３層間
絶縁層１６を介して積層方向に略同一のコイル導体パタ
ーン（ヘリカルの残りの一部をなすパターン）に形成さ
れている。そして、第１及び第２導体層１１，１３と第
３及び第４導体層１５，１７とは各層間絶縁層１２，１
４，１６のビアホール１８で相互に直列及び並列に接続
されて、各導体層でヘリカル巻きのコイル導体を複数
（図示の場合２つ）構成し、基板両側縁の端子電極２５
同士を接続している。
【００３５】前記絶縁基板１０及び層間絶縁層１２，１
４，１６は有機、無機材料のどちらでも良いが、とくに
比誘電率は５以下で、Ｑ値が１００以上の有機材料が好
ましい。比誘電率を下げることで、導体層を設けた際の
浮遊容量の発生を少なくすることができる。比誘電率が
５を超える場合、浮遊容量の発生が顕著になる。また、
導体層のアスペクト比を上げることにより、導体層の渦
電流損失を増やすことなく高周波での電流路の断面積を
増加することができる。
４，１６は有機、無機材料のどちらでも良いが、とくに
比誘電率は５以下で、Ｑ値が１００以上の有機材料が好
ましい。比誘電率を下げることで、導体層を設けた際の
浮遊容量の発生を少なくすることができる。比誘電率が
５を超える場合、浮遊容量の発生が顕著になる。また、
導体層のアスペクト比を上げることにより、導体層の渦
電流損失を増やすことなく高周波での電流路の断面積を
増加することができる。
【００３６】また、各導体層１１，１３，１５，１７の
膜厚は１５μｍ以上、アスペクト比は０.３以上である
ことが電流路の断面積の増加を図る上でとくに好まし
い。なお、膜厚１５μｍ未満でアスペクト比が０.３未
満では、電流路の断面積の増加はわずかにとどまる。
膜厚は１５μｍ以上、アスペクト比は０.３以上である
ことが電流路の断面積の増加を図る上でとくに好まし
い。なお、膜厚１５μｍ未満でアスペクト比が０.３未
満では、電流路の断面積の増加はわずかにとどまる。
【００３７】絶縁基板１０及び各層間絶縁層１２，１
４，１６をセラミックとする場合、例えばセラミック積
層工法でそれらを作製できる。また、各層間絶縁層１
２，１４，１６が有機材料、つまり絶縁樹脂である場
合、各導体層１１，１３，１５，１７の作製は、例え
ば、パネルめっきとエッチングによる方法、あるいはパ
ターンめっき法によって行うことができる。
４，１６をセラミックとする場合、例えばセラミック積
層工法でそれらを作製できる。また、各層間絶縁層１
２，１４，１６が有機材料、つまり絶縁樹脂である場
合、各導体層１１，１３，１５，１７の作製は、例え
ば、パネルめっきとエッチングによる方法、あるいはパ
ターンめっき法によって行うことができる。
【００３８】前記セラミック積層工法で本実施の形態の
高周波コイルを作成すると、量産性に優れ好ましい。但
し、各導体層１１，１３，１５，１７の厚さが増やせな
いのであまり大きなＱは得られない。また浮遊容量が大
きいので自己共振点も比較的低い。
高周波コイルを作成すると、量産性に優れ好ましい。但
し、各導体層１１，１３，１５，１７の厚さが増やせな
いのであまり大きなＱは得られない。また浮遊容量が大
きいので自己共振点も比較的低い。
【００３９】前記パネルめっきとエッチングによる方法
では、絶縁基板１０上に厚さが５μｍ以下のめっき下地
層を形成し、その後、めっき下地層の面に電解めっきを
施し、その上にコイル導体部を覆う形でレジストパター
ンを形成し、不要な部分をエッチング法で除去してコイ
ル導体層を形成する（サブトラクティブ工法）。上層の
コイル導体層も層間の層間絶縁層上に同様の工程で作製
できる。この場合、アスペクト比は通常０.２以下であ
り、あまり高くできない。
では、絶縁基板１０上に厚さが５μｍ以下のめっき下地
層を形成し、その後、めっき下地層の面に電解めっきを
施し、その上にコイル導体部を覆う形でレジストパター
ンを形成し、不要な部分をエッチング法で除去してコイ
ル導体層を形成する（サブトラクティブ工法）。上層の
コイル導体層も層間の層間絶縁層上に同様の工程で作製
できる。この場合、アスペクト比は通常０.２以下であ
り、あまり高くできない。
【００４０】また、アスペクト比を高く、例えば０．３
以上にすることが可能な前記パターンめっき法の場合を
図３で説明する。
以上にすることが可能な前記パターンめっき法の場合を
図３で説明する。
【００４１】図３の第１工程（下地形成工程）におい
て、有機又は無機の絶縁基板１０の表面を粗化した後、
片面の全てに厚さ５μｍ以下のめっき用下地導体層２１
を形成する。なお、下地導体層２１が５μｍを超えると
後工程で不要な下地導体層２１を除去するエッチングに
時間がかかり、かつ下地導体層２１上に設けるコイル導
体層もエッチングされるおそれが出てくるため、好まし
くない。
て、有機又は無機の絶縁基板１０の表面を粗化した後、
片面の全てに厚さ５μｍ以下のめっき用下地導体層２１
を形成する。なお、下地導体層２１が５μｍを超えると
後工程で不要な下地導体層２１を除去するエッチングに
時間がかかり、かつ下地導体層２１上に設けるコイル導
体層もエッチングされるおそれが出てくるため、好まし
くない。
【００４２】前記下地導体層２１の形成方法は、スパッ
タリング、蒸着、イオンプレーティング等の薄膜工法、
無電解めっき又は無電解めっきした上に電解めっきを施
す等のウエット工法及びこれらの組み合わせとする。組
み合わせの一例を挙げると、０.１μｍのＴｉ膜をスパ
ッタリング法で形成した後で、電解銅めっきで２μｍ厚
付けする等の方法である。この中でも無電解めっきもし
くはこの上に電解めっきで厚付けする方法は量産性が良
く、またスケールアップも容易なので好ましい。
タリング、蒸着、イオンプレーティング等の薄膜工法、
無電解めっき又は無電解めっきした上に電解めっきを施
す等のウエット工法及びこれらの組み合わせとする。組
み合わせの一例を挙げると、０.１μｍのＴｉ膜をスパ
ッタリング法で形成した後で、電解銅めっきで２μｍ厚
付けする等の方法である。この中でも無電解めっきもし
くはこの上に電解めっきで厚付けする方法は量産性が良
く、またスケールアップも容易なので好ましい。
【００４３】金属の種類は比抵抗が低くて、安価なもの
が好ましい。銅は比抵抗とコストのバランスのとれた好
ましい材料である。また、無電解銅めっきで容易に、量
産性良く成膜出来る。
が好ましい。銅は比抵抗とコストのバランスのとれた好
ましい材料である。また、無電解銅めっきで容易に、量
産性良く成膜出来る。
【００４４】次に第２工程（レジスト形成工程）におい
て、下地導体層２１の上に感光性レジストとしての光硬
化性ドライフィルム２２をラミネーターで貼り付ける。
ここで、ドライフィルム２２の厚みは後工程で形成する
コイル導体層の厚さの８０％以上とすることが好まし
く、例えばドライフィルム２２の厚みは８０μｍとす
る。
て、下地導体層２１の上に感光性レジストとしての光硬
化性ドライフィルム２２をラミネーターで貼り付ける。
ここで、ドライフィルム２２の厚みは後工程で形成する
コイル導体層の厚さの８０％以上とすることが好まし
く、例えばドライフィルム２２の厚みは８０μｍとす
る。
【００４５】第３工程（パターニング工程）では、ドラ
イフィルム２２に対してフォトリソグラフィーの手法を
用いて平行露光機で露光、現像し、図１（Ａ）の第１導
体層用のパターンを作製する。ここで図中の斜線の部分
がドライフィルム２２を除去した溝部２３となる。基板
全体の縦、横寸法は例えば０.８×１.６mmであり、コイ
ル導体部の幅は８５μｍである。なお、平行露光機とす
るのは、これが平行光線をドライフィルム２２に垂直に
照射でき、散乱光による場合に比べ細幅で側面が垂直に
近い溝をパターニングできるからである。
イフィルム２２に対してフォトリソグラフィーの手法を
用いて平行露光機で露光、現像し、図１（Ａ）の第１導
体層用のパターンを作製する。ここで図中の斜線の部分
がドライフィルム２２を除去した溝部２３となる。基板
全体の縦、横寸法は例えば０.８×１.６mmであり、コイ
ル導体部の幅は８５μｍである。なお、平行露光機とす
るのは、これが平行光線をドライフィルム２２に垂直に
照射でき、散乱光による場合に比べ細幅で側面が垂直に
近い溝をパターニングできるからである。
【００４６】第４工程（電解めっき工程）では、ドライ
フィルム２２の溝部２３に電解めっきとしての光沢硫酸
銅めっきで厚さ８０μｍのコイル導体層２４を形成す
る。ここで光沢めっきとするのは、導体層２４表面を鏡
面状にして凹凸を少なくするためである。なお、導体層
２４は溝部２３の深さよりも肉厚が多少大きくなるよう
にめっき処理してもよい。
フィルム２２の溝部２３に電解めっきとしての光沢硫酸
銅めっきで厚さ８０μｍのコイル導体層２４を形成す
る。ここで光沢めっきとするのは、導体層２４表面を鏡
面状にして凹凸を少なくするためである。なお、導体層
２４は溝部２３の深さよりも肉厚が多少大きくなるよう
にめっき処理してもよい。
【００４７】第５工程（レジスト除去工程）ではドライ
フィルム２２を剥離、除去し、下地導体層２１を露出さ
せる。
フィルム２２を剥離、除去し、下地導体層２１を露出さ
せる。
【００４８】第６工程（下地除去工程）では、全体をウ
ェットエッチングでエッチング処理して下地導体層２１
の不要部分を除去する。
ェットエッチングでエッチング処理して下地導体層２１
の不要部分を除去する。
【００４９】以上の第１乃至第６工程により、図１
（Ａ）のように絶縁基板１０上に第１導体層１１が形成
されることになる。以上の工法により第１導体層１１の
アスペクト比を０.３以上にすることができる。
（Ａ）のように絶縁基板１０上に第１導体層１１が形成
されることになる。以上の工法により第１導体層１１の
アスペクト比を０.３以上にすることができる。
【００５０】第７工程（層間絶縁層形成工程）では感光
性絶縁樹脂を第１導体層１１上で２５μｍの厚さに塗布
して有機絶縁層の層間絶縁層１２とする。
性絶縁樹脂を第１導体層１１上で２５μｍの厚さに塗布
して有機絶縁層の層間絶縁層１２とする。
【００５１】第８工程（ビアホール形成工程）では、層
間絶縁層１２に対してフォトリソグラフィー法で露光、
現像処理して図１（Ｂ）の斜線の位置にビアホール１８
を作製する。ビアホールの直径は１００μｍである。
間絶縁層１２に対してフォトリソグラフィー法で露光、
現像処理して図１（Ｂ）の斜線の位置にビアホール１８
を作製する。ビアホールの直径は１００μｍである。
【００５２】その後は、第１乃至第６工程と同様の工程
を繰り返す。つまり、第９工程（下地形成工程）では、
絶縁層１２の表面を粗化した後に５μｍ以下のめっき用
下地導体層３１を銅の無電解めっき等で形成する。な
お、下地導体層３１が５μｍを超えると後工程で不要な
下地導体層３１を除去するエッチングに時間がかかり、
かつ下地導体層３１上に設けるコイル導体層もエッチン
グされるおそれが出てくるため、好ましくない。
を繰り返す。つまり、第９工程（下地形成工程）では、
絶縁層１２の表面を粗化した後に５μｍ以下のめっき用
下地導体層３１を銅の無電解めっき等で形成する。な
お、下地導体層３１が５μｍを超えると後工程で不要な
下地導体層３１を除去するエッチングに時間がかかり、
かつ下地導体層３１上に設けるコイル導体層もエッチン
グされるおそれが出てくるため、好ましくない。
【００５３】次に第１０工程（レジスト形成工程）にお
いて、下地導体層３１の上に感光性レジストとしての光
硬化性ドライフィルム３２をラミネーターで貼り付け
る。ここで、ドライフィルム３２の厚みは後工程で形成
するコイル導体層の厚さの８０％以上とすることが好ま
しく、例えばドライフィルム３２の厚みは１００μｍと
する。
いて、下地導体層３１の上に感光性レジストとしての光
硬化性ドライフィルム３２をラミネーターで貼り付け
る。ここで、ドライフィルム３２の厚みは後工程で形成
するコイル導体層の厚さの８０％以上とすることが好ま
しく、例えばドライフィルム３２の厚みは１００μｍと
する。
【００５４】第１１工程（パターニング工程）では、ド
ライフィルム３２に対してフォトリソグラフィーの手法
を用いて平行露光機で露光、現像し、図１（Ｃ）の第２
導体層用のパターンを作製する。ここで図中の斜線の部
分がドライフィルム３２を除去した溝部３３となる。コ
イル導体部の幅は８５μｍである。
ライフィルム３２に対してフォトリソグラフィーの手法
を用いて平行露光機で露光、現像し、図１（Ｃ）の第２
導体層用のパターンを作製する。ここで図中の斜線の部
分がドライフィルム３２を除去した溝部３３となる。コ
イル導体部の幅は８５μｍである。
【００５５】第１２工程（電解めっき工程）では、ドラ
イフィルム３２の溝部３３に電解めっきとしての光沢硫
酸銅めっきで厚さ１００μｍのコイル導体層３４を形成
する。ここで光沢めっきとするのは、導体層３４表面を
鏡面状にして凹凸を少なくするためである。なお、導体
層３４は溝部３３の深さよりも肉厚が多少大きくなるよ
うにめっき処理してもよい。
イフィルム３２の溝部３３に電解めっきとしての光沢硫
酸銅めっきで厚さ１００μｍのコイル導体層３４を形成
する。ここで光沢めっきとするのは、導体層３４表面を
鏡面状にして凹凸を少なくするためである。なお、導体
層３４は溝部３３の深さよりも肉厚が多少大きくなるよ
うにめっき処理してもよい。
【００５６】第１３工程（レジスト除去工程）ではドラ
イフィルム３２を剥離、除去し、下地導体層３１を露出
させる。
イフィルム３２を剥離、除去し、下地導体層３１を露出
させる。
【００５７】第１４工程（下地除去工程）では、全体を
ウェットエッチングでエッチング処理して下地導体層３
１の不要部分を除去する。
ウェットエッチングでエッチング処理して下地導体層３
１の不要部分を除去する。
【００５８】以上の第９乃至第１４工程により、図１
（Ｃ）のように層間絶縁層１２上に第２導体層１３が形
成されることになる。以上の工法により第２導体層１３
のアスペクト比を０.３以上にすることができる。
（Ｃ）のように層間絶縁層１２上に第２導体層１３が形
成されることになる。以上の工法により第２導体層１３
のアスペクト比を０.３以上にすることができる。
【００５９】さらに、上記工程を繰り返すことにより、
図１（Ｄ）の層間絶縁層１４、同図（Ｅ）の第３導体層
１５、同図（Ｆ）の層間絶縁層１６、同図（Ｇ）の第４
導体層１７を順次作製でき、各導体層のアスペクト比を
０.３以上にすることができる。
図１（Ｄ）の層間絶縁層１４、同図（Ｅ）の第３導体層
１５、同図（Ｆ）の層間絶縁層１６、同図（Ｇ）の第４
導体層１７を順次作製でき、各導体層のアスペクト比を
０.３以上にすることができる。
【００６０】前記絶縁基板１０及び層間絶縁層１２，１
４，１６の材質には浮遊容量を減少させるために誘電率
の小さいものが好ましい。また誘電損失を減らす為にＱ
の大きいものが好ましい。具体的には絶縁基板１０及び
層間絶縁層１２，１４，１６の比誘電率がそれぞれ５以
下、とくに好ましくは３以下で、Ｑはそれぞれ１００以
上が好ましく、さらには２００以上あることが望まし
い。絶縁基板１０及び層間絶縁層１２，１４，１６の材
料を有機としたとき、使用周波数、目標のＱ値、コスト
を考慮して例えば以下の表１より選択すればよい。この
中でも、ビニルベンジルは誘電率、Ｑ、量産性、コスト
のバランスが良く、好ましい材料である。
４，１６の材質には浮遊容量を減少させるために誘電率
の小さいものが好ましい。また誘電損失を減らす為にＱ
の大きいものが好ましい。具体的には絶縁基板１０及び
層間絶縁層１２，１４，１６の比誘電率がそれぞれ５以
下、とくに好ましくは３以下で、Ｑはそれぞれ１００以
上が好ましく、さらには２００以上あることが望まし
い。絶縁基板１０及び層間絶縁層１２，１４，１６の材
料を有機としたとき、使用周波数、目標のＱ値、コスト
を考慮して例えば以下の表１より選択すればよい。この
中でも、ビニルベンジルは誘電率、Ｑ、量産性、コスト
のバランスが良く、好ましい材料である。
【００６１】 表１ 品種名 比誘電率 Ｑ フッ素樹脂 ２.１ １００００ ポリエチレン ２.２ ５０００ ＰＰＯ ２.５ １２００ ビニルベンジル ２.５ ２６０ シアネートエステル ２.７ １０００ ポリエーテルイミド ３ ６７０ ポリイミド ３.６ ２００ エポキシ ４.３ ７０ ＢＴレジン ２.５ ５００ ポリオレフィン ２.６ ２０００ ポリフマレート ２.６ ２５０ ポリアリレート ２.６ ２２０
【００６２】前記絶縁基板及び層間絶縁層が有機材料の
ときには、機械的強度の向上の為に芯材を用いることが
出来る。芯材には以下の表２のようにＤガラスクロス、
Ｅガラスクロス、ケブラークロス等を用いることが出来
る。一般的に誘電率の低く、低損失の材料ほど高価であ
るが、コストの許す限り、誘電率の低い材料を使用する
ことが好ましい。
ときには、機械的強度の向上の為に芯材を用いることが
出来る。芯材には以下の表２のようにＤガラスクロス、
Ｅガラスクロス、ケブラークロス等を用いることが出来
る。一般的に誘電率の低く、低損失の材料ほど高価であ
るが、コストの許す限り、誘電率の低い材料を使用する
ことが好ましい。
【００６３】 表２ クロス品種 比誘電率 Ｄガラスクロス ７.２ Ｅガラスクロス ４.７ ケブラークロス ２.５
【００６４】第１乃至第４導体層１１，１３，１５，１
７の材質は比抵抗が低く、加工性、形成性、耐マイグレ
ーション性が良好で、しかも安価であることが好まし
い。材料の候補として、銀、銅、アルミ、金等が挙げら
れるが、上記の点を考慮すると銅が最も好ましい。
７の材質は比抵抗が低く、加工性、形成性、耐マイグレ
ーション性が良好で、しかも安価であることが好まし
い。材料の候補として、銀、銅、アルミ、金等が挙げら
れるが、上記の点を考慮すると銅が最も好ましい。
【００６５】コイル導体、つまり第１乃至第４導体層１
１，１３，１５，１７のアスペクト比を上げると高周波
での電流路の断面積が増大するので、導体損失が減少し
Ｑ値が増える。これは高周波では電流は表面のみを流
れ、例えば導体が銅のとき、１ＧＨｚでは表面のわずか
２μｍしか電流が流れないが、導体層のアスペクト比を
上げると側面にも電流が流れるので床面積を増加させる
ことなく電流路の断面積を増やすことが出来る。
１，１３，１５，１７のアスペクト比を上げると高周波
での電流路の断面積が増大するので、導体損失が減少し
Ｑ値が増える。これは高周波では電流は表面のみを流
れ、例えば導体が銅のとき、１ＧＨｚでは表面のわずか
２μｍしか電流が流れないが、導体層のアスペクト比を
上げると側面にも電流が流れるので床面積を増加させる
ことなく電流路の断面積を増やすことが出来る。
【００６６】これらの点を考慮すると、各導体層のアス
ペクト比は０.３以上であることが好ましい。
ペクト比は０.３以上であることが好ましい。
【００６７】導体層１１，１３，１５，１７の構成方法
は図３で説明したパターンめっき法で銅を形成するのが
好ましい。現在多用されているサブトラクティブ法では
等方的な化学エッチングを利用しており、ハイアスペク
トパターンを形成するのは難しい。またセラミック積層
法は高温で焼成する導体表面に絶縁体との融合層が形成
されており表面抵抗が増大し、表面のみに電流の流れる
高周波領域では損失が増大する傾向があるが、めっき法
は低温プロセスなのでこの心配がない。
は図３で説明したパターンめっき法で銅を形成するのが
好ましい。現在多用されているサブトラクティブ法では
等方的な化学エッチングを利用しており、ハイアスペク
トパターンを形成するのは難しい。またセラミック積層
法は高温で焼成する導体表面に絶縁体との融合層が形成
されており表面抵抗が増大し、表面のみに電流の流れる
高周波領域では損失が増大する傾向があるが、めっき法
は低温プロセスなのでこの心配がない。
【００６８】また、前記パターンめっき法によると、導
体層の３面が滑らかになり好ましい。ここで電解めっき
を光沢めっきにすると、表面の凹凸がさらに減少してさ
らに好ましい。また導体層１１，１３，１５，１７をハ
イアスペクトに形成する場合、前記のサブトラクティブ
工法では導体層のアスペクト比は最大０.２程度が限度
であるが、前記パターンめっき法ではアスペクト比０.
３以上とすることができ、例えばアスペクト比１程度の
導体層が容易に形成可能となる。
体層の３面が滑らかになり好ましい。ここで電解めっき
を光沢めっきにすると、表面の凹凸がさらに減少してさ
らに好ましい。また導体層１１，１３，１５，１７をハ
イアスペクトに形成する場合、前記のサブトラクティブ
工法では導体層のアスペクト比は最大０.２程度が限度
であるが、前記パターンめっき法ではアスペクト比０.
３以上とすることができ、例えばアスペクト比１程度の
導体層が容易に形成可能となる。
【００６９】さらに、前記めっき用下地層導体層形成に
無電界めっき工法を採用し、全面のエッチングをウエッ
ト法で行うと量産性が高くなり、好ましい。
無電界めっき工法を採用し、全面のエッチングをウエッ
ト法で行うと量産性が高くなり、好ましい。
【００７０】なお、前記めっき用下地導体層の形成は、
スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング等の薄膜
ドライ工法、無電解めっき等の湿式工法があげられる。
このなかでも無電解めっき工法は量産性に優れ好まし
い。この無電解めっき工法の場合は、下地表面を粗化す
る必要があるが、本例では下地が樹脂であるので、研磨
等の物理的手法もしくは、過マンガン酸カリウム等によ
る化学的手法で容易に粗化でき好ましい。
スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング等の薄膜
ドライ工法、無電解めっき等の湿式工法があげられる。
このなかでも無電解めっき工法は量産性に優れ好まし
い。この無電解めっき工法の場合は、下地表面を粗化す
る必要があるが、本例では下地が樹脂であるので、研磨
等の物理的手法もしくは、過マンガン酸カリウム等によ
る化学的手法で容易に粗化でき好ましい。
【００７１】前記全面のエッチングはドライエッチン
グ、ウエットエッチングの両方が可能であるが、後者は
量産性に優れ好ましい。
グ、ウエットエッチングの両方が可能であるが、後者は
量産性に優れ好ましい。
【００７２】導体層１１，１３，１５，１７表面の凹凸
は使用周波数範囲の上限でのスキンデプスより小さいこ
とが最も好ましいが、これを越える値になっても、凹凸
を小さくすることにより実効抵抗は減少し、低損失とな
る。とくに、導体層１１，１３，１５，１７の少なくと
も一面の凹凸が、使用周波数（例えば１ＧＨｚ）のスキ
ンデプスの３倍以下であることが望ましく、表面の凹凸
は５μｍ以下であることがとくに好ましい。また、導体
層表面は４面の全てが滑らかであることが最も好ましい
が、すくなくとも１面の全てが滑らかであれば損失低減
に有効である。
は使用周波数範囲の上限でのスキンデプスより小さいこ
とが最も好ましいが、これを越える値になっても、凹凸
を小さくすることにより実効抵抗は減少し、低損失とな
る。とくに、導体層１１，１３，１５，１７の少なくと
も一面の凹凸が、使用周波数（例えば１ＧＨｚ）のスキ
ンデプスの３倍以下であることが望ましく、表面の凹凸
は５μｍ以下であることがとくに好ましい。また、導体
層表面は４面の全てが滑らかであることが最も好ましい
が、すくなくとも１面の全てが滑らかであれば損失低減
に有効である。
【００７３】さらに、前記パターンめっき法の場合の製
法上の利点等について述べると、図３の第１工程におけ
るめっき用下地導体層２１が基板１０の全面にあるので
第４工程の電解めっき時に大きな電流を流すことが出来
めっき時間を短縮出来る。これは特にコイル導体層２４
の高さを高くしてハイアスペクト形状にする場合に有効
である。すなわち、コイル導体層２４が厚い場合、めっ
き電流が小さいとめっき作業時間が大幅に増加して量産
性の悪化を招く。
法上の利点等について述べると、図３の第１工程におけ
るめっき用下地導体層２１が基板１０の全面にあるので
第４工程の電解めっき時に大きな電流を流すことが出来
めっき時間を短縮出来る。これは特にコイル導体層２４
の高さを高くしてハイアスペクト形状にする場合に有効
である。すなわち、コイル導体層２４が厚い場合、めっ
き電流が小さいとめっき作業時間が大幅に増加して量産
性の悪化を招く。
【００７４】なお、最初にめっき下地導体層をパターニ
ングして、電解めっきで厚付けする方法もあるが、この
方法では一般的にめっき線の抵抗が大きくなるのでめっ
き時の電流を上げることが出来ず、またパターンの凸部
は電解が集中してめっきが厚くなり、また凹部はその反
対に薄くなり、パターニング精度が悪化する。特にスパ
イラルパターンのように導体の長さが大きい場合は著し
い。また、島状のパターンが形成できないので、端子電
極の構成時等に不具合が発生する場合もある。
ングして、電解めっきで厚付けする方法もあるが、この
方法では一般的にめっき線の抵抗が大きくなるのでめっ
き時の電流を上げることが出来ず、またパターンの凸部
は電解が集中してめっきが厚くなり、また凹部はその反
対に薄くなり、パターニング精度が悪化する。特にスパ
イラルパターンのように導体の長さが大きい場合は著し
い。また、島状のパターンが形成できないので、端子電
極の構成時等に不具合が発生する場合もある。
【００７５】第２工程及び第３工程において、パターン
めっき用のめっきパターン形成に感光性レジストを使用
すると、高精度のパターニングが出来て好ましい。また
レジストを厚くすれば、容易にハイアスペクトパターン
を形成する事が出来る。レジストが厚い場合は平行光線
を照射できる平行露光機を用いると樹脂の壁面が垂直に
加工され好ましい。
めっき用のめっきパターン形成に感光性レジストを使用
すると、高精度のパターニングが出来て好ましい。また
レジストを厚くすれば、容易にハイアスペクトパターン
を形成する事が出来る。レジストが厚い場合は平行光線
を照射できる平行露光機を用いると樹脂の壁面が垂直に
加工され好ましい。
【００７６】図３で述べたように、感光性レジストにド
ライフィルム３２を用いるとハイアスペクトパターンが
容易に出来るので好ましい。
ライフィルム３２を用いるとハイアスペクトパターンが
容易に出来るので好ましい。
【００７７】例えば、スピンコート法で液状レジストを
用いてレジスト層を形成する場合を考えると、厚塗りす
る場合はレジストの粘度を上げる必要があるが、この場
合基板周辺のレジストが厚くなり膜厚の精度が出ない。
また溶剤の乾燥も困難である。ドライフィルムの場合は
膜厚は最初から保証されており、また溶剤乾燥の必要も
ない利点がある。
用いてレジスト層を形成する場合を考えると、厚塗りす
る場合はレジストの粘度を上げる必要があるが、この場
合基板周辺のレジストが厚くなり膜厚の精度が出ない。
また溶剤の乾燥も困難である。ドライフィルムの場合は
膜厚は最初から保証されており、また溶剤乾燥の必要も
ない利点がある。
【００７８】なお、ハイアスペクトパターンを形成する
場合、パネルめっき後レジストパターンを形成して、ド
ライエッチングする方法も考えられる。この場合は高精
度にハイアスペクトパターンが形成可能ではあるが、エ
ッチングのスピードが遅く、工業的に生産可能な膜厚の
上限は１０μｍ程度であり、またそれ以下の膜厚の場合
でも量産性は犠牲になる。
場合、パネルめっき後レジストパターンを形成して、ド
ライエッチングする方法も考えられる。この場合は高精
度にハイアスペクトパターンが形成可能ではあるが、エ
ッチングのスピードが遅く、工業的に生産可能な膜厚の
上限は１０μｍ程度であり、またそれ以下の膜厚の場合
でも量産性は犠牲になる。
【００７９】前記めっき下地導体層２１の厚さの上限
は、第６工程でのエッチングのされやすさによって決ま
る。コイル導体層２４と下地導体層２１の選択エッチン
グが不可能な場合には下地導体層２１の厚さはコイル導
体層２４の厚さの１／５が上限である。厚さがこれを越
えると、コイル導体層２４のエッチング量が増えて高周
波用基板としての損失が増大し、またコイル導体層２４
のパターン精度も落ちる。
は、第６工程でのエッチングのされやすさによって決ま
る。コイル導体層２４と下地導体層２１の選択エッチン
グが不可能な場合には下地導体層２１の厚さはコイル導
体層２４の厚さの１／５が上限である。厚さがこれを越
えると、コイル導体層２４のエッチング量が増えて高周
波用基板としての損失が増大し、またコイル導体層２４
のパターン精度も落ちる。
【００８０】コイル導体層２４と下地導体層２１の選択
エッチング可能な場合はこれより厚くてもかまわない
が、あまり厚いと下地導体層２１のサイドエッチングが
大きくなるので、１／３が上限である。
エッチング可能な場合はこれより厚くてもかまわない
が、あまり厚いと下地導体層２１のサイドエッチングが
大きくなるので、１／３が上限である。
【００８１】第４工程の電解めっき法は膜形成速度が速
く、またスケールアップが容易であるので好ましい製造
手段である。特にハイアスペクト導体を形成する場合は
コイル導体層２４の厚さが場合によっては１００μｍを
越えるので量産性を確保するのに極めて重要な工法にな
る。また光沢めっきを用いるとコイル導体層２４の３面
の凹凸が小さくなり好ましい。金属の種類も銅、銀等比
抵抗の低いものがめっき可能である。この中でも銅は安
価であり、比抵抗も低く、また銀に比べてマイグレーシ
ョンも起こしにくいので要求特性のバランスがとれてお
り、好ましい。
く、またスケールアップが容易であるので好ましい製造
手段である。特にハイアスペクト導体を形成する場合は
コイル導体層２４の厚さが場合によっては１００μｍを
越えるので量産性を確保するのに極めて重要な工法にな
る。また光沢めっきを用いるとコイル導体層２４の３面
の凹凸が小さくなり好ましい。金属の種類も銅、銀等比
抵抗の低いものがめっき可能である。この中でも銅は安
価であり、比抵抗も低く、また銀に比べてマイグレーシ
ョンも起こしにくいので要求特性のバランスがとれてお
り、好ましい。
【００８２】第６工程でのめっき用下地導体層２１エッ
チングはドライエッチング又はウエットエッチングのど
ちらでも可能である。しかし、量産性を考慮すると本実
施の形態で述べたようにウエットエッチングが好まし
い。ウエットエッチングは量産性が良好であり、またス
ケールアップも容易である。
チングはドライエッチング又はウエットエッチングのど
ちらでも可能である。しかし、量産性を考慮すると本実
施の形態で述べたようにウエットエッチングが好まし
い。ウエットエッチングは量産性が良好であり、またス
ケールアップも容易である。
【００８３】また、めっき用下地導体層２１に主導コイ
ル導体層と選択エッチング可能な金属を使用することも
好ましい。こうすれば第６工程中でのコイル導体層２４
の細りを防止する事が出来る。組み合わせの例として下
地導体層がチタン、クロムであり、コイル導体層が銅で
ある場合が挙げられる。
ル導体層と選択エッチング可能な金属を使用することも
好ましい。こうすれば第６工程中でのコイル導体層２４
の細りを防止する事が出来る。組み合わせの例として下
地導体層がチタン、クロムであり、コイル導体層が銅で
ある場合が挙げられる。
【００８４】第８工程でのビアホール２２の加工には層
間絶縁層としての有機絶縁層１２に感光性のある場合は
フォトリソグラフィー技術で形成し、そうでない場合は
レーザー加工法が好ましく用いられる。フォトリソグラ
フィー法の場合は一度に多くの穴を開けることが可能で
あるので、穴数の多い場合に好ましい。また穴開けの精
度はフォトマスクの精度でほとんど決まるので高い。レ
ーザー加工法で穴開けをするメリットは樹脂の種類を選
ばないことである。また樹脂に感光性を付与すると一般
的にＱ、誘電率等の特性値が低下し、また機械的強度も
悪化する。レーザー加工法の場合は自由に樹脂を選択で
きるので、特性の良好な有機絶縁層を使用することが可
能である。
間絶縁層としての有機絶縁層１２に感光性のある場合は
フォトリソグラフィー技術で形成し、そうでない場合は
レーザー加工法が好ましく用いられる。フォトリソグラ
フィー法の場合は一度に多くの穴を開けることが可能で
あるので、穴数の多い場合に好ましい。また穴開けの精
度はフォトマスクの精度でほとんど決まるので高い。レ
ーザー加工法で穴開けをするメリットは樹脂の種類を選
ばないことである。また樹脂に感光性を付与すると一般
的にＱ、誘電率等の特性値が低下し、また機械的強度も
悪化する。レーザー加工法の場合は自由に樹脂を選択で
きるので、特性の良好な有機絶縁層を使用することが可
能である。
【００８５】この第１の実施の形態によれば、次の通り
の効果を得ることができる。
の効果を得ることができる。
【００８６】(1) 高周波コイルにおいて、各導体層１
１，１３，１５，１７が層間絶縁層１２，１４，１６を
介して積層方向に複数層、略同一のコイル導体パターン
に形成されていて、各導体層でヘリカル巻きのコイル導
体を複数（図示の場合は２つ）構成し、かつ前記コイル
導体同士を少なくともその両端にて電気的に接続してい
るので、コイル導体の高周波での電流路の断面積を広
げ、Ｑ値の向上が可能である。
１，１３，１５，１７が層間絶縁層１２，１４，１６を
介して積層方向に複数層、略同一のコイル導体パターン
に形成されていて、各導体層でヘリカル巻きのコイル導
体を複数（図示の場合は２つ）構成し、かつ前記コイル
導体同士を少なくともその両端にて電気的に接続してい
るので、コイル導体の高周波での電流路の断面積を広
げ、Ｑ値の向上が可能である。
【００８７】(2) 絶縁基板１０及び層間絶縁層１２，
１４，１６が無機材料の場合、セラミック積層工法で量
産性良く製造できる。
１４，１６が無機材料の場合、セラミック積層工法で量
産性良く製造できる。
【００８８】(3) 絶縁基板１０及び層間絶縁層１２，
１４，１６が有機材料の場合、図３のパターンめっき法
で各導体層１１，１３，１５，１７を作製することで、
それらのアスペクト比を高くして、いっそうのＱ値の向
上が可能である。
１４，１６が有機材料の場合、図３のパターンめっき法
で各導体層１１，１３，１５，１７を作製することで、
それらのアスペクト比を高くして、いっそうのＱ値の向
上が可能である。
【００８９】(4) ヘリカル巻きのように多層でコイル
導体を形成する場合は形成時の熱応力等によるストレス
によってクラックが生じ信頼性に影響を与えるが、層間
絶縁層１２，１４，１６として可撓性のある樹脂を用い
ることでこれを解決でき、信頼性を向上させることがで
きる。あわせて絶縁基板１０も可撓性樹脂とすることも
有効である。
導体を形成する場合は形成時の熱応力等によるストレス
によってクラックが生じ信頼性に影響を与えるが、層間
絶縁層１２，１４，１６として可撓性のある樹脂を用い
ることでこれを解決でき、信頼性を向上させることがで
きる。あわせて絶縁基板１０も可撓性樹脂とすることも
有効である。
【００９０】図４は本発明の第２の実施の形態を示す。
ここで、図４（Ａ）は有機又は無機の絶縁基板１０上に
形成された第１導体層４１を、同図（Ｂ）はその上に積
層形成された第１層間絶縁層４２を、同図（Ｃ）はその
上に形成された第２導体層４３をそれぞれ示している。
各導体層４１，４３のコイル導体パターンは幅方向に多
重化されており、つまり第１導体層４１は互いに近似す
るヘリカルパターン部分４１ａ，４１ｂを有し、同様に
第２導体層４３も互いに近似する残りのヘリカルパター
ン部分４３ａ，４３ｂを有している。そして、第１及び
第３導体層４１，４３は層間絶縁層４２のビアホール４
８で相互に直列に接続されて、各導体層でヘリカル巻き
のコイル導体を複数（図示の場合２つ）構成し、その両
端にて電気的に接続された状態として基板両側縁の端子
電極２５同士を接続している。
ここで、図４（Ａ）は有機又は無機の絶縁基板１０上に
形成された第１導体層４１を、同図（Ｂ）はその上に積
層形成された第１層間絶縁層４２を、同図（Ｃ）はその
上に形成された第２導体層４３をそれぞれ示している。
各導体層４１，４３のコイル導体パターンは幅方向に多
重化されており、つまり第１導体層４１は互いに近似す
るヘリカルパターン部分４１ａ，４１ｂを有し、同様に
第２導体層４３も互いに近似する残りのヘリカルパター
ン部分４３ａ，４３ｂを有している。そして、第１及び
第３導体層４１，４３は層間絶縁層４２のビアホール４
８で相互に直列に接続されて、各導体層でヘリカル巻き
のコイル導体を複数（図示の場合２つ）構成し、その両
端にて電気的に接続された状態として基板両側縁の端子
電極２５同士を接続している。
【００９１】この第２の実施の形態によれば、高周波コ
イルにおいて、各導体層４１，４３のコイル導体パター
ンが幅方向に多重化されていて、各導体層でヘリカル巻
きのコイル導体を複数構成し、かつ前記コイル導体同士
を少なくともその両端にて電気的に接続したので、コイ
ル導体の高周波での電流路の断面積を広げ、Ｑ値の向上
が可能である。また、コイル導体パターンを幅方向に多
重化するので、導体層の層数は第１の実施の形態よりも
少なくて済み、製造容易でもある。その他の作用効果
は、前述の第１の実施の形態と同様である
イルにおいて、各導体層４１，４３のコイル導体パター
ンが幅方向に多重化されていて、各導体層でヘリカル巻
きのコイル導体を複数構成し、かつ前記コイル導体同士
を少なくともその両端にて電気的に接続したので、コイ
ル導体の高周波での電流路の断面積を広げ、Ｑ値の向上
が可能である。また、コイル導体パターンを幅方向に多
重化するので、導体層の層数は第１の実施の形態よりも
少なくて済み、製造容易でもある。その他の作用効果
は、前述の第１の実施の形態と同様である
【００９２】なお、第１の実施の形態のように、各導体
層が絶縁層を介して積層方向に複数層、略同一のコイル
導体パターンに形成されていて、各導体層でヘリカル巻
きのコイル導体を複数構成する場合、ヘリカル巻きのコ
イル導体の重ね合わせの層数は多いほうが好ましいが、
隣り合う導体のシールド効果の為に、層数に正比例して
Ｑ値が上昇することはなく、通常これよりも伸びは鈍
い。このことを考慮すると前記ヘリカル巻きのコイル導
体の重ね合わせの層数は２層が好ましい。
層が絶縁層を介して積層方向に複数層、略同一のコイル
導体パターンに形成されていて、各導体層でヘリカル巻
きのコイル導体を複数構成する場合、ヘリカル巻きのコ
イル導体の重ね合わせの層数は多いほうが好ましいが、
隣り合う導体のシールド効果の為に、層数に正比例して
Ｑ値が上昇することはなく、通常これよりも伸びは鈍
い。このことを考慮すると前記ヘリカル巻きのコイル導
体の重ね合わせの層数は２層が好ましい。
【００９３】また、必ずしも全てのコイル導体部分を複
数層化する必要はなく、必要とされるＱ値によっては、
一部を単層のままとしても良い。
数層化する必要はなく、必要とされるＱ値によっては、
一部を単層のままとしても良い。
【００９４】略同一乃至近似パターンとする平行導体の
形成は、同一導体層内、隣り合う導体層及びこの複合が
考えられるが、Ｑ値を高くすること、インダクタンス値
を減じないことを考慮すると第１の実施の形態で述べた
ように隣合う層内で行うのが好ましい。一方、量産性を
考慮すると第２の実施の形態のように同一導体層内で行
うのが好ましい。このように要求項目の優先順位に応じ
てコイル構造を変えていくのが良い。
形成は、同一導体層内、隣り合う導体層及びこの複合が
考えられるが、Ｑ値を高くすること、インダクタンス値
を減じないことを考慮すると第１の実施の形態で述べた
ように隣合う層内で行うのが好ましい。一方、量産性を
考慮すると第２の実施の形態のように同一導体層内で行
うのが好ましい。このように要求項目の優先順位に応じ
てコイル構造を変えていくのが良い。
【００９５】
【実施例】以下、本発明に係る高Ｑ高周波コイルを実施
例で詳述する。
例で詳述する。
【００９６】実施例１ 本発明の高Ｑ高周波コイルの特長であるエネルギー損失
低減効果を検証する為に図１のようなコイルを作成し
た。絶縁基板は芯材としてガラスクロスを用い、これに
ビニルベンジルを含浸した０.３mm厚のものを用いてい
る。絶縁基板の比誘電率は３.５、Ｑ値は２３０であ
る。この上に幅８０μｍで厚さ７０μｍのコイルパター
ンを銅めっきで形成した。パターン形状はヘリカル巻き
であり、巻き数は１.５ターンである。層間絶縁層には
感光性エポキシ樹脂を用いており、導体層間の厚さは３
０μｍである。この樹脂の比誘電率は３.６、Ｑ値は５
０である。ビアホールは直径１００μｍのフォトビアで
ある。コイル全体の外形寸法は１.６×０.８mmであり、
このときのＱ値は１８０と良好な値を示した。
低減効果を検証する為に図１のようなコイルを作成し
た。絶縁基板は芯材としてガラスクロスを用い、これに
ビニルベンジルを含浸した０.３mm厚のものを用いてい
る。絶縁基板の比誘電率は３.５、Ｑ値は２３０であ
る。この上に幅８０μｍで厚さ７０μｍのコイルパター
ンを銅めっきで形成した。パターン形状はヘリカル巻き
であり、巻き数は１.５ターンである。層間絶縁層には
感光性エポキシ樹脂を用いており、導体層間の厚さは３
０μｍである。この樹脂の比誘電率は３.６、Ｑ値は５
０である。ビアホールは直径１００μｍのフォトビアで
ある。コイル全体の外形寸法は１.６×０.８mmであり、
このときのＱ値は１８０と良好な値を示した。
【００９７】比較例１ 図１において、第２導体層から第３層間絶縁層までを省
略してコイルを作製した（ヘリカル巻きのコイル導体を
１つにした）。この時の１ＧＨｚでのＱ値は１２０であ
った。Ｑ値は上記実施例１に比べて大幅に減少する。
略してコイルを作製した（ヘリカル巻きのコイル導体を
１つにした）。この時の１ＧＨｚでのＱ値は１２０であ
った。Ｑ値は上記実施例１に比べて大幅に減少する。
【００９８】以上本発明の実施の形態について説明して
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。
【００９９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高いＱ値を有し、とくに１ＧＨｚ以上の周波数帯域にお
いて良好なＱ特性を示し、かつ量産性に優れた高Ｑ高周
波コイルを実現可能である。
高いＱ値を有し、とくに１ＧＨｚ以上の周波数帯域にお
いて良好なＱ特性を示し、かつ量産性に優れた高Ｑ高周
波コイルを実現可能である。
【図１】本発明の第１の実施の形態による高Ｑ高周波コ
イルの導体層及び層間絶縁層を示す平面図である。
イルの導体層及び層間絶縁層を示す平面図である。
【図２】図１のII−II断面図である。
【図３】第１の実施の形態の場合における製造工程の説
明図である。
明図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態による高Ｑ高周波コ
イルの導体層及び層間絶縁層を示す平面図である。
イルの導体層及び層間絶縁層を示す平面図である。
１０ 絶縁基板 １１，１３，１５，１７，４１，４３ 導体層 １２，１４，１６，４２ 層間絶縁層 １８，４８ ビアホール ２５ 端子電極 ２１，３１ 下地導体層 ２２，３２ ドライフィルム ２３，３３ 溝部 ２４，３４ コイル導体層
【手続補正書】
【提出日】平成１４年１月１７日（２００２．１．１
７）
７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願請求項１の発明に係る高Ｑ高周波コイルは、絶
縁層と導体層とを交互に積層してなる構成において、各
導体層が前記絶縁層を介して積層方向に複数層、略同一
のコイル導体パターンに形成されていて、各導体層でヘ
リカル巻きのコイル導体を複数構成し、かつ前記コイル
導体同士を少なくともその両端にて電気的に接続したこ
とを特徴としている。
に、本願請求項１の発明に係る高Ｑ高周波コイルは、絶
縁層と導体層とを交互に積層してなる構成において、各
導体層が前記絶縁層を介して積層方向に複数層、略同一
のコイル導体パターンに形成されていて、各導体層でヘ
リカル巻きのコイル導体を複数構成し、かつ前記コイル
導体同士を少なくともその両端にて電気的に接続したこ
とを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】本願請求項２の発明に係る高Ｑ高周波コイ
ルは、絶縁層と導体層とを交互に積層してなる構成にお
いて、各導体層のコイル導体パターンが幅方向に多重化
されていて、各導体層でヘリカル巻きのコイル導体を複
数構成し、かつ前記コイル導体同士を少なくともその両
端にて電気的に接続したことを特徴としている。
ルは、絶縁層と導体層とを交互に積層してなる構成にお
いて、各導体層のコイル導体パターンが幅方向に多重化
されていて、各導体層でヘリカル巻きのコイル導体を複
数構成し、かつ前記コイル導体同士を少なくともその両
端にて電気的に接続したことを特徴としている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】本願請求項１１の発明は、絶縁層と導体層
とを交互に積層してなり、各導体層が前記絶縁層を介し
て積層方向に複数層、略同一のコイル導体パターンに形
成されていて、各導体層でヘリカル巻きのコイル導体を
複数構成し、かつ前記コイル導体同士を少なくともその
両端にて電気的に接続した高Ｑ高周波コイルの製造方法
であって、前記導体層を作製する工程が、(1) ５μｍ
以下のめっき用下地導体層を少なくとも基板の片面の全
てに形成する下地形成工程と、(2) 感光性レジストを
前記下地導体層の上に設けるレジスト形成工程と、(3)
フォトリソグラフィー法により前記レジストのコイル
導体パターン部分を除去するパターニング工程と、(4)
電解めっきにより、前記レジストの除去されたコイル
導体パターン部分にコイル導体層を形成する電解めっき
工程と、(5) 前記感光性レジストを除去するレジスト
除去工程と、(6) エッチングにより前記下地導体層の
不要部分を除去する下地除去工程とを有することを特徴
としている。
とを交互に積層してなり、各導体層が前記絶縁層を介し
て積層方向に複数層、略同一のコイル導体パターンに形
成されていて、各導体層でヘリカル巻きのコイル導体を
複数構成し、かつ前記コイル導体同士を少なくともその
両端にて電気的に接続した高Ｑ高周波コイルの製造方法
であって、前記導体層を作製する工程が、(1) ５μｍ
以下のめっき用下地導体層を少なくとも基板の片面の全
てに形成する下地形成工程と、(2) 感光性レジストを
前記下地導体層の上に設けるレジスト形成工程と、(3)
フォトリソグラフィー法により前記レジストのコイル
導体パターン部分を除去するパターニング工程と、(4)
電解めっきにより、前記レジストの除去されたコイル
導体パターン部分にコイル導体層を形成する電解めっき
工程と、(5) 前記感光性レジストを除去するレジスト
除去工程と、(6) エッチングにより前記下地導体層の
不要部分を除去する下地除去工程とを有することを特徴
としている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】本願請求項１２の発明は、絶縁層と導体層
とを交互に積層してなり、各導体層のコイル導体パター
ンが幅方向に多重化されていて、各導体層でヘリカル巻
きのコイル導体を複数構成し、かつ前記コイル導体同士
を少なくともその両端にて電気的に接続した高Ｑ高周波
コイルの製造方法であって、前記導体層を作製する工程
が、(1) ５μｍ以下のめっき用下地導体層を少なくと
も基板の片面の全てに形成する下地形成工程と、(2)
感光性レジストを前記下地導体層の上に設けるレジスト
形成工程と、(3) フォトリソグラフィー法により前記
レジストのコイル導体パターン部分を除去するパターニ
ング工程と、(4) 電解めっきにより、前記レジストの
除去されたコイル導体パターン部分にコイル導体層を形
成する電解めっき工程と、(5) 前記感光性レジストを
除去するレジスト除去工程と、(6) エッチングにより
前記下地導体層の不要部分を除去する下地除去工程とを
有することを特徴としている。
とを交互に積層してなり、各導体層のコイル導体パター
ンが幅方向に多重化されていて、各導体層でヘリカル巻
きのコイル導体を複数構成し、かつ前記コイル導体同士
を少なくともその両端にて電気的に接続した高Ｑ高周波
コイルの製造方法であって、前記導体層を作製する工程
が、(1) ５μｍ以下のめっき用下地導体層を少なくと
も基板の片面の全てに形成する下地形成工程と、(2)
感光性レジストを前記下地導体層の上に設けるレジスト
形成工程と、(3) フォトリソグラフィー法により前記
レジストのコイル導体パターン部分を除去するパターニ
ング工程と、(4) 電解めっきにより、前記レジストの
除去されたコイル導体パターン部分にコイル導体層を形
成する電解めっき工程と、(5) 前記感光性レジストを
除去するレジスト除去工程と、(6) エッチングにより
前記下地導体層の不要部分を除去する下地除去工程とを
有することを特徴としている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７２】導体層１１，１３，１５，１７表面の凹凸
（通常、１０点平均粗さの最大値（Ｒｚ）で表す）は使
用周波数範囲の上限でのスキンデプスより小さいことが
最も好ましいが、これを越える値になっても、凹凸を小
さくすることにより実効抵抗は減少し、低損失となる。
とくに、導体層１１，１３，１５，１７の少なくとも一
面の凹凸が、使用周波数（例えば１ＧＨｚ）のスキンデ
プスの３倍以下であることが望ましく、表面の凹凸は５
μｍ以下（換言すればＲｚ≦５μｍ）であることがとく
に好ましい。また、導体層表面は４面の全てが滑らかで
あることが最も好ましいが、すくなくとも１面の全てが
滑らかであれば損失低減に有効である。
（通常、１０点平均粗さの最大値（Ｒｚ）で表す）は使
用周波数範囲の上限でのスキンデプスより小さいことが
最も好ましいが、これを越える値になっても、凹凸を小
さくすることにより実効抵抗は減少し、低損失となる。
とくに、導体層１１，１３，１５，１７の少なくとも一
面の凹凸が、使用周波数（例えば１ＧＨｚ）のスキンデ
プスの３倍以下であることが望ましく、表面の凹凸は５
μｍ以下（換言すればＲｚ≦５μｍ）であることがとく
に好ましい。また、導体層表面は４面の全てが滑らかで
あることが最も好ましいが、すくなくとも１面の全てが
滑らかであれば損失低減に有効である。
Claims (23)
- 【請求項１】 絶縁層と導体層を交互に積層してなる高
周波コイルにおいて、各導体層が前記絶縁層を介して積
層方向に複数層、略同一のコイル導体パターンに形成さ
れていて、各導体層でヘリカル巻きのコイル導体を複数
構成し、かつ前記コイル導体同士を少なくともその両端
にて電気的に接続したことを特徴とする高Ｑ高周波コイ
ル。 - 【請求項２】 絶縁層と導体層を交互に積層してなる高
周波コイルにおいて、各導体層のコイル導体パターンが
幅方向に多重化されていて、各導体層でヘリカル巻きの
コイル導体を複数構成し、かつ前記コイル導体同士を少
なくともその両端にて電気的に接続したことを特徴とす
る高Ｑ高周波コイル。 - 【請求項３】 前記絶縁層がセラミック絶縁層である請
求項１又は２記載の高Ｑ高周波コイル。 - 【請求項４】 前記絶縁層が有機絶縁層である請求項１
又は２記載の高Ｑ高周波コイル。 - 【請求項５】 前記有機絶縁層の比誘電率が５以下であ
る請求項４記載の高Ｑ高周波コイル。 - 【請求項６】 前記有機絶縁層のＱが１００以上である
請求項４又は５記載の高Ｑ高周波コイル。 - 【請求項７】 前記有機絶縁層がビニルベンジルである
請求項４，５又は６記載の高Ｑ高周波コイル。 - 【請求項８】 前記有機絶縁層が可撓性を有するもので
ある請求項４，５，６又は７記載の高Ｑ高周波コイル。 - 【請求項９】 前記コイル導体のアスペクト比が０.３
以上である請求項１，２，３，４，５，６，７又は８記
載の高Ｑ高周波コイル。 - 【請求項１０】 前記コイル導体が銅である請求項１，
２，３，４，５，６，７，８又は９記載の高Ｑ高周波コ
イル。 - 【請求項１１】 絶縁層と導体層を交互に積層してな
り、各導体層が前記絶縁層を介して積層方向に複数層、
略同一のコイル導体パターンに形成されていて、各導体
層でヘリカル巻きのコイル導体を複数構成し、かつ前記
コイル導体同士を少なくともその両端にて電気的に接続
した高Ｑ高周波コイルの製造方法であって、 前記導体層を作製する工程が、(1) ５μｍ以下のめっ
き用下地導体層を少なくとも基板の片面の全てに形成す
る下地形成工程と、(2) 感光性レジストを前記下地導
体層の上に設けるレジスト形成工程と、(3) フォトリ
ソグラフィー法により前記レジストのコイル導体パター
ン部分を除去するパターニング工程と、(4) 電解めっ
きにより、前記レジストの除去されたコイル導体パター
ン部分にコイル導体層を形成する電解めっき工程と、
(5) 前記感光性レジストを除去するレジスト除去工程
と、(6) エッチングにより前記下地導体層の不要部分
を除去する下地除去工程とを有することを特徴とする高
Ｑ高周波コイルの製造方法。 - 【請求項１２】 絶縁層と導体層を交互に積層してな
り、各導体層のコイル導体パターンが幅方向に多重化さ
れていて、各導体層でヘリカル巻きのコイル導体を複数
構成し、かつ前記コイル導体同士を少なくともその両端
にて電気的に接続した高Ｑ高周波コイルの製造方法であ
って、 前記導体層を作製する工程が、(1) ５μｍ以下のめっ
き用下地導体層を少なくとも基板の片面の全てに形成す
る下地形成工程と、(2) 感光性レジストを前記下地導
体層の上に設けるレジスト形成工程と、(3) フォトリ
ソグラフィー法により前記レジストのコイル導体パター
ン部分を除去するパターニング工程と、(4) 電解めっ
きにより、前記レジストの除去されたコイル導体パター
ン部分にコイル導体層を形成する電解めっき工程と、
(5) 前記感光性レジストを除去するレジスト除去工程
と、(6) エッチングにより前記下地導体層の不要部分
を除去する下地除去工程とを有することを特徴とする高
Ｑ高周波コイルの製造方法。 - 【請求項１３】 前記めっき用下地導体層の少なくとも
第１層を無電解めっきで形成する請求項１１又は１２記
載の高Ｑ高周波コイルの製造方法。 - 【請求項１４】 前記無電解めっきが銅めっきである請
求項１３記載の高Ｑ高周波コイルの製造方法。 - 【請求項１５】 前記感光性レジストがドライフィルム
である請求項１１，１２，１３又は１４記載の高Ｑ高周
波コイルの製造方法。 - 【請求項１６】 前記感光性レジストの露光を平行露光
機で行う請求項１１，１２，１３，１４又は１５記載の
高Ｑ高周波コイルの製造方法。 - 【請求項１７】 前記電解めっきが光沢めっきである請
求項１１，１２，１３，１４，１５又は１６記載の高Ｑ
高周波コイルの製造方法。 - 【請求項１８】 前記電解めっきが銅めっきである請求
項１１，１２，１３，１４，１５，１６又は１７記載の
高Ｑ高周波コイルの製造方法。 - 【請求項１９】 前記エッチングがウエットエッチング
である請求項１１，１２，１３，１４，１５，１６，１
７又は１８記載の高Ｑ高周波コイルの製造方法。 - 【請求項２０】 前記下地導体層と前記コイル導体層の
金属種を選択エッチング可能な組み合わせにして、前記
下地除去工程で下地導体層のみをエッチングするエッチ
ング液で処理する請求項１１，１２，１３，１４，１
５，１６，１７，１８又は１９記載の高Ｑ高周波コイル
の製造方法。 - 【請求項２１】 前記電解めっきで形成したコイル導体
層表面の凹凸が５μｍ以内である請求項１１，１２，１
３，１４，１５，１６，１７，１８，１９又は２０記載
の高Ｑ高周波コイルの製造方法。 - 【請求項２２】 前記絶縁層としての有機絶縁層にビア
ホールをレーザー加工にて形成する請求項１１，１２，
１３，１４，１５，１６，１７，１８，１９，２０又は
２１記載の高Ｑ高周波コイルの製造方法。 - 【請求項２３】 前記絶縁層としての有機絶縁層が感光
性を有し、フォトリソグラフィー法でビアホールを形成
する請求項１１，１２，１３，１４，１５，１６，１
７，１８，１９，２０又は２１記載の高Ｑ高周波コイル
の製造方法。
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