JP2002118442A - 弾性表面波装置及びこれに用いる圧電基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型で且つ通過帯域が広い中間周波用の弾性
表面波装置を提供する。 【解決手段】 圧電基板と、前記圧電基板上に形成され
た交差指状電極とを備える弾性表面波装置であって、前
記圧電基板が、Ｃａ_３Ｇａ_２Ｇｅ_４Ｏ_１４型結晶構造を
有し、化学式Ｃａ_３ＴａＧａ_３Ｓｉ_２Ｏ_１４で表され、
単結晶からの切り出し角および弾性表面波伝搬方向をオ
イラー角表示で（φ，θ，ψ）と表したとき、φ、θお
よびψが、φが−２．５°〜２．５°であり、θが３０
°〜９０°であり、かつ、ψが−６５°〜６５°である
第１の領域内に存在する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波装置及
びこれに用いる圧電基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話機を始めとした移動体通
信端末機が急速に普及してきている。この種の端末機
は、持ち運びの利便さから、特に小型で且つ軽量である
ことが望まれている。端末機の小型化及び軽量化を達成
するには、そこに使われる電子部品も小型且つ軽量であ
ることが求められ、このため、端末機の高周波回路部や
中間周波回路部には、小型化及び軽量化に有利な弾性表
面波装置、すなわち圧電基板上に、弾性表面波を励振、
受信、反射、伝搬するための交差指状電極を形成して成
る弾性表面波フィルタが多用されている。

【０００３】弾性表面波装置に使われる圧電基板に重要
な特性として、弾性表面波の表面波速度（ＳＡＷ速
度）、フィルタを構成した場合の中心周波数または共振
子を構成した場合の共振周波数の温度係数（周波数温度
係数：ＴＣＦ）、電気機械結合係数（ｋ^２）が挙げられ
る。従来から知られている代表的な弾性表面波装置用圧
電基板の特性を表１に示す。これらの特性は、清水康敬
著「弾性表面波材料の伝搬特性と利用の現状」電子情報
通信学会論文誌A,Vol.J76-A,No.2,pp.129-137(1993)に
詳しく示されている。以後、各種弾性表面波装置用圧電
基板を、表１中の記号で区別することとする。

【０００４】

【表１】 表１からわかるように、これまで多用されてきている圧
電基板は、速いＳＡＷ速度と大きな電気機械結合係数を
もつ１２８ＬＮ、６４ＬＮ、３６ＬＴと、比較的遅いＳ
ＡＷ速度と小さな電気機械結合係数をもつＬＴ１１２、
ＳＴ水晶からなる２つの組に大別できることがわかる。
以下に述べるとおり、速いＳＡＷ速度と大きな電気機械
結合係数をもつ組に含まれる圧電基板（１２８ＬＮ、６
４ＬＮ、３６ＬＴ）は、端末機の高周波回路部の弾性表
面波フィルタに使用され、遅いＳＡＷ速度と小さな電気
機械結合係数をもつ組に含まれる圧電基板（ＬＴ１１
２、ＳＴ水晶）は、端末機の中間周波回路部の弾性表面
波フィルタに使用される。

【０００５】携帯電話に代表される移動体通信は、世界
各国で各種のシステムが実用化されているが、いずれの
システムでも１ＧＨｚ前後の周波数が使用されている。
したがって、端末機の高周波回路部で使用されるフィル
タは、中心周波数が１ＧＨｚ前後となる。弾性表面波フ
ィルタの場合、その中心周波数は、使用する圧電基板の
ＳＡＷ速度にほぼ比例し、基板上に形成する電極指の幅
にほぼ反比例する。そこで、高周波化のためには、ＳＡ
Ｗ速度の大きな基板、例えば、１２８ＬＮ、６４ＬＮ、
３６ＬＴが好ましい。また、この高周波回路部のフィル
タには、通過帯域幅が２０ＭＨｚ以上である広帯域のも
のが要求されるが、広帯域化を実現するためには、圧電
基板の電気機械結合係数ｋ^２が大きいことが必須であ
り、かかる理由からも、１２８ＬＮ、６４ＬＮ、３６Ｌ
Ｔが多用されている。

【０００６】一方、移動体通信用端末機の中間周波数と
しては、７０〜３００ＭＨｚの周波数帯が使用されてい
る。この周波数帯を中心周波数とするフィルタを弾性表
面波フィルタによって構成する場合、圧電基板として、
１２８ＬＮ、６４ＬＮ、３６ＬＴを使用するときは、基
板上に形成する電極指の幅を、高周波回路部に使用され
るフィルタに比べて非常に大きくする必要がある。

【０００７】すなわち、弾性表面波フィルタを構成する
弾性表面波変換器の電極指幅ｄと、弾性表面波フィルタ
の中心周波数ｆ０と、使用する圧電基板のＳＡＷ速度Ｖ
との間には、おおむね、次式（１）が成立する。

【０００８】ｆ０＝Ｖ／（４ｄ）・・・（１） ここに、ＳＡＷ速度を４０００ｍ／ｓとして、中心周波
数１ＧＨｚの高周波回路部のフィルタを構成する場合に
は、その電極指幅は式（１）より、 ｄ＝４０００（ｍ／ｓ）／（４×１０００（ＭＨｚ））
＝１μｍ となる。

【０００９】一方、このＳＡＷ速度４０００ｍ／ｓの圧
電基板を用いて、中心周波数１００ＭＨｚの中間周波フ
ィルタを構成する場合、これに必要な電極指幅は、 ｄ＝４０００（ｍ／ｓ）／（４×１００（ＭＨｚ））＝
１０μｍ となり、高周波部のフィルタに比べて、必要な電極指幅
が１０倍も大きくなってしまう。電極指幅が大きくなる
ということは、弾性表面波装置そのものも大きくなって
しまうことを意味するので、弾性表面波中間周波フィル
タを小型化するためには、式（１）から明らかなよう
に、ＳＡＷ速度Ｖの小さな圧電基板を使用することが必
要である。

【００１０】そこで、中間周波用弾性表面波フィルタの
圧電基板としては、ＳＡＷ速度の遅いＬＴ１１２、ＳＴ
水晶が使われる。特に、ＳＴ水晶は一次の周波数温度係
数が零であり好ましい。ＳＴ水晶の電気機械結合係数は
小さいため、通過帯域の狭いフィルタしか構成できない
が、中間周波フィルタの役割は、狭い一つのチャンネル
の信号のみを通過させることなので、この電気機械結合
係数が小さいということは、従来あまり問題とはならな
かった。

【００１１】しかしながら、近年、周波数資源の有効利
用、デジタルデータ通信との適合性等の観点から、デジ
タル移動体通信システムが開発、実用化され急速に普及
してきている。このデジタルシステムの通過帯域幅は、
数１００ＫＨｚから数ＭＨｚと非常に広帯域となってい
る。このような広帯域の中間周波フィルタを弾性表面波
フィルタで構成する場合、ＳＴ水晶基板では実現が困難
となっている。また、移動体端末機をより一層小型なも
のとし、携帯の利便性を高める場合、中間周波用弾性表
面波フィルタの実装面積を小さくする必要があるが、従
来、中間周波用弾性表面波フィルタに適しているとされ
ているＳＴ水晶、ＬＴ１１２は、いずれもＳＡＷ速度が
３１００ｍ／ｓｅｃを越えており、小型化には限界があ
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来、
中間周波用の弾性表面波装置において、電気機械結合係
数が大きい１２８ＬＮ、６４ＬＮ、３６ＬＴ等の圧電基
板を用いた場合、通過帯域を広くできるが、基板のＳＡ
Ｗ速度が大きいために素子寸法が大きくなるという問題
があり、一方、素子の小型化をはかるために、ＳＡＷ速
度の小さいＳＴ水晶、ＬＴ１１２基板を用いた場合は、
電気機械結合係数が小さいため通過帯域を広くできない
という問題があり、いずれにしても、中間周波用の弾性
表面波フィルタとして十分な特性が得られなかった。

【００１３】したがって、本発明の目的は、小型で且つ
通過帯域が広い中間周波用の弾性表面波装置を提供する
ことである。

【００１４】また、本発明の他の目的は、高い結合係数
を有し、且つ、低いＳＡＷ速度を有する弾性表面波装置
用の圧電基板を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明のかかる目的は、
圧電基板と、前記圧電基板上に形成された交差指状電極
とを備える弾性表面波装置であって、前記圧電基板が、
Ｃａ_３Ｇａ_２Ｇｅ_４Ｏ _１４型結晶構造を有し、化学式Ｃ
ａ_３ＴａＧａ_３Ｓｉ_２Ｏ_１４で表され、単結晶からの切
り出し角および弾性表面波伝搬方向をオイラー角表示で
（φ，θ，ψ）と表したとき、φ、θおよびψが、φが
−２．５°〜２．５°であり、θが３０°〜９０°であ
り、かつ、ψが−６５°〜６５°である第１の領域、φ
が−２．５°〜２．５°であり、θが１２０°〜１５５
°であり、かつ、ψが６５°〜８５°である第２の領
域、φが−２．５°〜２．５°であり、θが１２０°〜
１５５°であり、かつ、ψが−８５°〜−６５°である
第３の領域、φが２．５°〜７．５°であり、θが３０
°〜９０°であり、かつ、ψが−７５°〜６０°である
第４の領域、φが２．５°〜７．５°であり、θが１２
０°〜１５０°であり、かつ、ψが７５°〜８５°であ
る第５の領域、φが２．５°〜７．５°であり、θが１
２０°〜１５５°であり、かつ、ψが−８５°〜−６０
°である第６の領域、φが７．５°〜１２．５°であ
り、θが３０°〜１００°であり、かつ、ψが−８０°
〜５５°である第７の領域、φが７．５°〜１２．５°
であり、θが１２０°〜１５０°であり、かつ、ψが７
５°〜８５°である第８の領域、φが７．５°〜１２．
５°であり、θが１１０°〜１５５°であり、かつ、ψ
が−８５°〜−５５°である第９の領域、φが１２．５
°〜１７．５°であり、θが２０°〜１０５°であり、
かつ、ψが−８５°〜５０°である第１０の領域、φが
１２．５°〜１７．５°であり、θが１２５°〜１４０
°であり、かつ、ψが８０°〜８５°である第１１の領
域、φが１２．５°〜１７．５°であり、θが１１５°
〜１５５°であり、かつ、ψが−８５°〜−５０°であ
る第１２の領域、φが１７．５°〜２２．５°であり、
θが２５°〜７０°であり、かつ、ψが−８０°〜−２
０°である第１３の領域、φが１７．５°〜２２．５°
であり、θが２５°〜１１０°であり、かつ、ψが−２
０°〜４０°である第１４の領域、φが１７．５°〜２
２．５°であり、θが１１５°〜１５５°であり、か
つ、ψが−８０°〜−４５°である第１５の領域、φが
２２．５°〜２７．５°であり、θが２５°〜７０°で
あり、かつ、ψが−８５°〜−２０°である第１６の領
域、φが２２．５°〜２７．５°であり、θが２５°〜
１４５°であり、かつ、ψが−２０°〜４０°である第
１７の領域、φが２２．５°〜２７．５°であり、θが
１１０°〜１５５°であり、かつ、ψが−８０°〜−４
０°である第１８の領域、φが２７．５°〜３２．５°
であり、θが２５°〜７０°であり、かつ、ψが−８５
°〜−３０°である第１９の領域、φが２７．５°〜３
２．５°であり、θが３０°〜１５０°であり、かつ、
ψが−３０°〜４０°である第２０の領域及びφが２
７．５°〜３２．５°であり、θが１１０°〜１５５°
であり、かつ、ψが−８５°〜−３０°である第２１の
領域のいずれか一の領域内に存在することを特徴とする
弾性表面波装置によって達成される。

【００１６】本発明の前記目的はまた、Ｃａ_３Ｇａ_２Ｇ
ｅ_４Ｏ_１４型結晶構造を有し、化学式Ｃａ_３ＴａＧａ_３
Ｓｉ_２Ｏ_１４で表され、単結晶からの切り出し角および
弾性表面波伝搬方向をオイラー角表示で（φ，θ，ψ）
と表したとき、φ、θおよびψが、φが−２．５°〜
２．５°であり、θが３０°〜９０°であり、かつ、ψ
が−６５°〜６５°である第１の領域、φが−２．５°
〜２．５°であり、θが１２０°〜１５５°であり、か
つ、ψが６５°〜８５°である第２の領域、φが−２．
５°〜２．５°であり、θが１２０°〜１５５°であ
り、かつ、ψが−８５°〜−６５°である第３の領域、
φが２．５°〜７．５°であり、θが３０°〜９０°で
あり、かつ、ψが−７５°〜６０°である第４の領域、
φが２．５°〜７．５°であり、θが１２０°〜１５０
°であり、かつ、ψが７５°〜８５°である第５の領
域、φが２．５°〜７．５°であり、θが１２０°〜１
５５°であり、かつ、ψが−８５°〜−６０°である第
６の領域、φが７．５°〜１２．５°であり、θが３０
°〜１００°であり、かつ、ψが−８０°〜５５°であ
る第７の領域、φが７．５°〜１２．５°であり、θが
１２０°〜１５０°であり、かつ、ψが７５°〜８５°
である第８の領域、φが７．５°〜１２．５°であり、
θが１１０°〜１５５°であり、かつ、ψが−８５°〜
−５５°である第９の領域、φが１２．５°〜１７．５
°であり、θが２０°〜１０５°であり、かつ、ψが−
８５°〜５０°である第１０の領域、φが１２．５°〜
１７．５°であり、θが１２５°〜１４０°であり、か
つ、ψが８０°〜８５°である第１１の領域、φが１
２．５°〜１７．５°であり、θが１１５°〜１５５°
であり、かつ、ψが−８５°〜−５０°である第１２の
領域、φが１７．５°〜２２．５°であり、θが２５°
〜７０°であり、かつ、ψが−８０°〜−２０°である
第１３の領域、φが１７．５°〜２２．５°であり、θ
が２５°〜１１０°であり、かつ、ψが−２０°〜４０
°である第１４の領域、φが１７．５°〜２２．５°で
あり、θが１１５°〜１５５°であり、かつ、ψが−８
０°〜−４５°である第１５の領域、φが２２．５°〜
２７．５°であり、θが２５°〜７０°であり、かつ、
ψが−８５°〜−２０°である第１６の領域、φが２
２．５°〜２７．５°であり、θが２５°〜１４５°で
あり、かつ、ψが−２０°〜４０°である第１７の領
域、φが２２．５°〜２７．５°であり、θが１１０°
〜１５５°であり、かつ、ψが−８０°〜−４０°であ
る第１８の領域、φが２７．５°〜３２．５°であり、
θが２５°〜７０°であり、かつ、ψが−８５°〜−３
０°である第１９の領域、φが２７．５°〜３２．５°
であり、θが３０°〜１５０°であり、かつ、ψが−３
０°〜４０°である第２０の領域及びφが２７．５°〜
３２．５°であり、θが１１０°〜１５５°であり、か
つ、ψが−８５°〜−３０°である第２１の領域のいず
れか一の領域内に存在する弾性表面波装置用圧電基板に
よって達成される。

【００１７】本発明は、オイラー角表示（φ，θ，ψ）
において、第１乃至第２１の領域内のφ、θおよびψで
表されるカット角および弾性表面波伝搬方向の特定の組
み合わせによれば、化学式Ｃａ_３ＴａＧａ_３Ｓｉ_２Ｏ
_１４で表わされる単結晶（以下、Ｃａ、Ｔａ、Ｇａ及び
Ｓｉを含む単結晶を「ＣＴＧＳ単結晶」という。）にお
いては、ＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓを下回り、かつ、
電気機械結合係数が０．２％を超える特性が得られると
いう技術的知見に基づくものである。

【００１８】本発明は、ＣＴＧＳ単結晶を弾性表面波装
置の基板に適用するに際し、結晶のカット方向と弾性表
面波の伝搬方向とを特定の範囲から選択することによっ
て、高特性の弾性表面波装置を実現するものである。

【００１９】本発明において、ＣＴＧＳ単結晶の組成
は、Ｃａ_３ＴａＧａ_３Ｓｉ_２Ｏ_１４であることが最も好
ましいが、本発明における作用効果を損なわない範囲
で、各元素の組成比が多少異なっていてもよい。また、
ＣＴＧＳ単結晶には、不可避的不純物、例えば、Ａｌ、
Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｔ、Ｃａ等が含まれていて
もよい。さらに、ＣＴＧＳ単結晶には、酸素欠陥が含ま
れていてもよい。また、ＣＴＧＳ単結晶の製造方法は特
に限定されず、通常の単結晶育成法、例えば、ＣＺ法な
どにより製造すればよい。

【００２０】ここに、ＣＴＧＳ単結晶は三方晶であるた
め、結晶の対称性から、互いに等価なオイラー角の組み
合わせが存在する。三方晶基板では、φ＝１２０〜２４
０°およびφ＝２４０〜３６０°（−１２０°〜０°）
はφ＝０〜１２０°と等価であり、また、θ＝３６０〜
１８０°（０〜−１８０°）はθ＝０〜１８０°と等価
であり、また、ψ＝２７０〜９０°はψ＝−９０〜９０
°と等価である。例えば、φ＝１３０°およびφ＝２５
０°はφ＝１０°と等価であり、θ＝３３０°はθ＝３
０°と等価であり、ψ＝２４０°はψ＝６０°と等価で
ある。

【００２１】また、三方晶基板では、φ＝０〜３０°の
範囲を調べることにより、すべてのカット角および伝搬
方向についての特性を知ることができる。

【００２２】したがって、ＣＴＧＳ単結晶基板における
すべてのカット角および伝搬方向についての特性を知る
ためには、φ_０＝０〜３０°、θ_０＝０〜１８０°、ψ
_０＝−９０〜９０°の範囲についてだけ調べればよい。
この（φ_０,θ_０,ψ_０）の組み合わせから、φ＝３０〜
１２０°において同じ特性を示す等価な（φ,θ,ψ）の
組み合わせが分かる。具体的には、３０°≦φ≦６０°
の範囲では、φ＝６０°−φ_０、θ＝１８０°−θ_０、
ψ＝ψ_０ によって、また、６０°≦φ≦９０°の範囲で
は、φ＝６０°＋φ_０、θ＝１８０°−θ_０、ψ＝−ψ
_０ によって、９０°≦φ≦１２０°の範囲ではφ＝１２
０°−φ_０、θ＝θ_０、ψ＝−ψ_０ によって、（φ_０,
θ_０,ψ_０）と等価な（φ,θ,ψ）を求めることができ
る。そして、上述した対称性に基づいて、すべての
（φ,θ,ψ）における特性を知ることができる。

【００２３】等価な組み合わせの具体例としては、たと
えば、以下のものが挙げられる。

【００２４】（０°,１４０°，２５°）と等価なもの
は、（６０°,４０°，２５°）、（６０°,４０°，−
２５°）、（１２０°,１４０°，−２５°）であり、
φ＝１２０°とφ＝０°とは等価であるから、（０°,
１４０°，−２５°）も等価である。

【００２５】本発明において、第１乃至第２１の領域
は、このようにして求められる等価な（φ，θ，ψ）の
組み合わせを包含するものとする。

【００２６】本発明にかかる弾性表面波装置は、一般
に、周波数１０〜５００ＭＨｚ、特に、周波数１０〜３
００ＭＨｚの帯域におけるフィルタとして好適である。

【００２７】また、本発明にかかる弾性表面波装置は、
ＳＡＷ速度が遅いことから、弾性表面波遅延素子の小型
化にも有用である。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の好ましい実施態様につき詳細に説明する。

【００２９】図１は、本発明の好ましい実施態様にかか
る弾性表面波装置を示す略斜視図である。

【００３０】図１に示されるように、本発明の好ましい
実施態様にかかる弾性表面波装置は、圧電基板１の表面
に一組の交差指状電極２、２を有している。圧電基板１
としては、ＣＴＧＳ単結晶が用いられ、ＣＴＧＳ単結晶
は点群３２に属する結晶型を有している。図１に示され
るように、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸は互いに直交し、ｘ軸
およびｙ軸は基板１の面を含む平面内にあり、ｘ軸は弾
性表面波の伝搬方向を規定している。

【００３１】圧電基板１の寸法は特に限定されるもので
はないが、一般に、表面波伝搬方向は４〜１０ｍｍ程
度、これと直交する方向は２〜４ｍｍ程度、厚さは０．
２〜０．４ｍｍ程度である。

【００３２】圧電基板１上に形成される交差指状電極
２、２は、弾性表面波を励振、受信、反射、伝搬するた
めの薄膜電極であり、周期的なストライプ状に形成され
ている。交差指状電極２、２は、弾性表面波伝搬方向が
上記した所定の方向となるようにパターニングがなされ
る。交差指状電極２、２は、たとえば、Ａｌや、Ａｌ−
Ｃｕ等のＡｌ合金などを用いて、蒸着やスパッタリング
などにより形成される。交差指状電極２、２の電極指幅
は、弾性表面波装置が適用される周波数に応じて、適宜
決定すればよく、本発明が適用される好ましい周波数帯
域では、一般に２〜１０μｍ程度である。

【００３３】また、圧電基板１の面に垂直なｚ軸は、単
結晶基板の切り出し角（カット面）を規定している。こ
れらｘ軸、ｙ軸およびｚ軸と、ＣＴＧＳ単結晶のＸ軸、
Ｙ軸およびＺ軸との関係は、オイラー角表示（φ,θ,
ψ）で表わすことができる。

【００３４】図２乃至図４は、圧電基板１のφが０°で
ある場合に、θを０°〜１８０°まで変化させるととも
にψを−９０°〜９０°まで変化させた場合におけるＳ
ＡＷ速度、電気機械結合係数及び温度依存性（ＴＣＦ）
をそれぞれ２次元的に示す等高線図である。

【００３５】ここで、φが０±２．５°の場合にも図２
乃至図４に示される各特性とほぼ同様の特性を得ること
ができる。したがって、図２乃至図４を参照すれば、圧
電基板１のＳＡＷ速度が３０００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶
に比べて低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と
十分大きくなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）
を有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の領域１−１
内に存在することが分かる。

【００３６】領域１−１は、φ＝−２．５〜２．５°、
θ＝３０〜９０°、ψ＝−６５〜６５°で表され、領域
１−１内における好ましい範囲（領域１−１−１）は、
φ＝−２．５〜２．５°、θ＝３５〜８０°、ψ＝−５
５〜５５°で表される。また、領域１−１−１内におけ
るさらに好ましい範囲（領域１−１−１−１）は、φ＝
−２．５〜２．５°、θ＝４５〜７０°、ψ＝−１５〜
１５°で表される。また、領域１−１−１内における別
のさらに好ましい範囲（領域１−１−１−２）は、φ＝
−２．５〜２．５°、θ＝４０〜６０°、ψ＝１５〜５
０°で表される。また、領域１−１−１内における別の
さらに好ましい範囲（領域１−１−１−３）は、φ＝−
２．５〜２．５°、θ＝４０〜６０°、ψ＝−５０〜−
１５°で表される。

【００３７】上述の通り、領域１−１には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が３０００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十分大き
くなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を有する
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。特に、領域１−１
における好ましい範囲である領域１−１−１には、電気
機械結合係数が０．３％以上と十分大きくなるφ、θ、
ψの組み合わせが存在する。さらに、領域１−１−１に
おけるさらに好ましい範囲である領域１−１−１−１、
１−１−１−２及び１−１−１−３には、電気機械結合
係数が０．４％以上と十分大きくなるφ、θ、ψの組み
合わせが存在する。特に、領域１−１−１−１には、圧
電基板１のＳＡＷ速度が２９００ｍ／ｓ以下と非常に小
さくなるφ、θ、ψの組み合わせが存在する。

【００３８】さらに、図２乃至図４を参照すれば、圧電
基板１のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に
比べて低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十
分大きくなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を
有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の領域１−２内
に存在することが分かる。

【００３９】領域１−２は、φ＝−２．５〜２．５°、
θ＝１２０〜１５５°、ψ＝６５〜８５°で表され、領
域１−２内における好ましい範囲（領域１−２−１）
は、φ＝−２．５〜２．５°、θ＝１２５〜１４５°、
ψ＝７５〜８５°で表される。

【００４０】上述の通り、領域１−２には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十分大き
くなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を有する
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。特に、領域１−２
における好ましい範囲である領域１−２−１には、電気
機械結合係数が０．３％以上と十分大きくなるφ、θ、
ψの組み合わせが存在する。

【００４１】さらに、図２乃至図４を参照すれば、圧電
基板１のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に
比べて低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十
分大きくなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を
有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の領域１−３内
にも存在することが分かる。

【００４２】領域１−３は、φ＝−２．５〜２．５°、
θ＝１２０〜１５５°、ψ＝−８５〜−６５°で表さ
れ、領域１−３内における好ましい範囲（領域１−３−
１）は、φ＝−２．５〜２．５°、θ＝１２５〜１４５
°、ψ＝−８５〜−７５°で表される。

【００４３】上述の通り、領域１−３には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十分大き
くなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を有する
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。特に、領域１−３
における好ましい範囲である領域１−３−１には、電気
機械結合係数が０．３％以上と十分大きくなるφ、θ、
ψの組み合わせが存在する。

【００４４】図５乃至図７は、圧電基板１のφが５°で
ある場合に、θを０°〜１８０°まで変化させるととも
にψを−９０°〜９０°まで変化させた場合におけるＳ
ＡＷ速度、電気機械結合係数及び温度依存性（ＴＣＦ）
をそれぞれ２次元的に示す等高線図である。

【００４５】ここで、φが５±２．５°の場合にも図５
乃至図７に示される各特性とほぼ同様の特性を得ること
ができる。したがって、図５乃至図７を参照すれば、圧
電基板１のＳＡＷ速度が３０００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶
に比べて低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と
十分大きくなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）
を有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の領域２−１
内に存在することが分かる。

【００４６】領域２−１は、φ＝２．５〜７．５°、θ
＝３０〜９０°、ψ＝−７５〜６０°で表され、領域２
−１内における好ましい範囲（領域２−１−１）は、φ
＝２．５〜７．５°、θ＝３５〜８０°、ψ＝−６５〜
５０°で表される。また、領域２−１−１内におけるさ
らに好ましい範囲（領域２−１−１−１）は、φ＝２．
５〜７．５°、θ＝４５〜７０°、ψ＝−１０〜２０°
で表される。また、領域２−１−１内における別のさら
に好ましい範囲（領域２−１−１−２）は、φ＝２．５
〜７．５°、θ＝３５〜６０°、ψ＝−６０〜−２５°
で表される。

【００４７】上述の通り、領域２−１には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が３０００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十分大き
くなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を有する
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。特に、領域２−１
における好ましい範囲である領域２−１−１には、電気
機械結合係数が０．３％以上と十分大きくなるφ、θ、
ψの組み合わせが存在する。さらに、領域２−１−１に
おけるさらに好ましい範囲である領域２−１−１−１及
び２−１−１−２には、電気機械結合係数が０．４％以
上と十分大きくなるφ、θ、ψの組み合わせが存在す
る。特に、領域２−１−１−１には、圧電基板１のＳＡ
Ｗ速度が２９００ｍ／ｓ以下と非常に小さくなるφ、
θ、ψの組み合わせが存在する。

【００４８】さらに、図５乃至図７を参照すれば、圧電
基板１のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に
比べて低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十
分大きくなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を
有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の領域２−２内
に存在することが分かる。

【００４９】領域２−２は、φ＝２．５〜７．５°、θ
＝１２０〜１５０°、ψ＝７５〜８５°で表され、領域
２−２内における好ましい範囲（領域２−２−１）は、
φ＝２．５〜７．５°、θ＝１２５〜１４５°、ψ＝８
０〜８５°で表される。

【００５０】上述の通り、領域２−２には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十分大き
くなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を有する
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。特に、領域２−２
における好ましい範囲である領域２−２−１には、電気
機械結合係数が０．３％以上と十分大きくなるφ、θ、
ψの組み合わせが存在する。

【００５１】さらに、図５乃至図７を参照すれば、圧電
基板１のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に
比べて低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十
分大きくなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を
有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の領域２−３内
に存在することが分かる。

【００５２】領域２−３は、φ＝２．５〜７．５°、θ
＝１２０〜１５５°、ψ＝−８５〜−６０°で表され、
領域２−３内における好ましい範囲（領域２−３−１）
は、φ＝２．５〜７．５°、θ＝１２０〜１４５°、ψ
＝−８５〜−７０°で表される。また、領域２−３−１
内におけるさらに好ましい範囲（領域２−３−１−１）
は、φ＝２．５〜７．５°、θ＝１３０〜１４０°、ψ
＝−８０〜−７５°で表される。

【００５３】上述の通り、領域２−３には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十分大き
くなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を有する
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。特に、領域２−３
における好ましい範囲である領域２−３−１には、電気
機械結合係数が０．３％以上と十分大きくなるφ、θ、
ψの組み合わせが存在する。さらに、領域２−３−１に
おけるさらに好ましい範囲である領域２−３−１−１に
は、電気機械結合係数が０．４％以上と十分大きくなる
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。

【００５４】図８乃至図１０は、圧電基板１のφが１０
°である場合に、θを０°〜１８０°まで変化させると
ともにψを−９０°〜９０°まで変化させた場合におけ
るＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び温度依存性（ＴＣ
Ｆ）をそれぞれ２次元的に示す等高線図である。

【００５５】ここで、φが１０±２．５°の場合にも図
８乃至図１０に示される各特性とほぼ同様の特性を得る
ことができる。したがって、図８乃至図１０を参照すれ
ば、圧電基板１のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳ
Ｔ水晶に比べて低くなり、電気機械結合係数が０．２％
以上と十分大きくなり、しかも、良好な温度依存性（Ｔ
ＣＦ）を有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の領域
３−１内に存在することが分かる。領域３−１は、φ＝
７．５〜１２．５°、θ＝３０〜１００°、ψ＝−８０
〜５５°で表され、領域３−１内における好ましい範囲
（領域３−１−１）は、φ＝７．５〜１２．５°、θ＝
３０〜８５°、ψ＝−７５〜４０°で表される。また、
領域３−１−１内におけるさらに好ましい範囲（領域３
−１−１−１）は、φ＝７．５〜１２．５°、θ＝４５
〜７０°、ψ＝−１０〜２０°で表される。また、領域
３−１−１内における別のさらに好ましい範囲（領域３
−１−１−２）は、φ＝７．５〜１２．５°、θ＝３５
〜６０°、ψ＝−６０〜−３０°で表される。

【００５６】上述の通り、領域３−１には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十分大き
くなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を有する
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。特に、領域３−１
における好ましい範囲である領域３−１−１には、電気
機械結合係数が０．３％以上と十分大きくなるφ、θ、
ψの組み合わせが存在する。さらに、領域３−１−１に
おけるさらに好ましい範囲である領域３−１−１−１及
び３−１−１−２には、電気機械結合係数が０．４％以
上と十分大きくなるφ、θ、ψの組み合わせが存在す
る。特に、領域３−１−１−１には、圧電基板１のＳＡ
Ｗ速度が２９００ｍ／ｓ以下と非常に小さくなるφ、
θ、ψの組み合わせが存在する。また、領域３−１−１
−２には、圧電基板１のＳＡＷ速度が３０００ｍ／ｓ以
下と非常に小さくなるφ、θ、ψの組み合わせが存在す
る。

【００５７】さらに、図８乃至図１０を参照すれば、圧
電基板１のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶
に比べて低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と
十分大きくなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）
を有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の領域３−２
内に存在することが分かる。

【００５８】領域３−２は、φ＝７．５〜１２．５°、
θ＝１２０〜１４５°、ψ＝７５〜８５°で表される。

【００５９】さらに、図８乃至図１０を参照すれば、圧
電基板１のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶
に比べて低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と
十分大きくなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）
を有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の領域３−３
内に存在することが分かる。

【００６０】領域３−３は、φ＝７．５〜１２．５°、
θ＝１１０〜１５５°、ψ＝−８５〜−５５°で表さ
れ、領域３−３内における好ましい範囲（領域３−３−
１）は、φ＝７．５〜１２．５°、θ＝１２５〜１４５
°、ψ＝−８５〜−６５°で表される。また、領域３−
３−１内におけるさらに好ましい範囲（領域３−３−１
−１）は、φ＝７．５〜１２．５°、θ＝１２５〜１４
５°、ψ＝−８０〜−７０°で表される。

【００６１】上述の通り、領域３−３には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、且つ、電気機械結合係数が０．２％以上と十
分大きくなるφ、θ、ψの組み合わせが存在する。特
に、領域３−３における好ましい範囲である領域３−３
−１には、電気機械結合係数が０．３％以上と十分大き
くなるφ、θ、ψの組み合わせが存在する。さらに、領
域３−３−１におけるさらに好ましい範囲である領域３
−３−１−１には、電気機械結合係数が０．４％以上と
十分大きくなるφ、θ、ψの組み合わせが存在する。

【００６２】図１１乃至図１３は、圧電基板１のφが１
５°である場合に、θを０°〜１８０°まで変化させる
とともにψを−９０°〜９０°まで変化させた場合にお
けるＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び温度依存性（Ｔ
ＣＦ）をそれぞれ２次元的に示す等高線図である。

【００６３】ここで、φが１５±２．５°の場合にも図
１１乃至図１３に示される各特性とほぼ同様の特性を得
ることができる。したがって、図１１乃至図１３を参照
すれば、圧電基板１のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下
とＳＴ水晶に比べて低くなり、電気機械結合係数が０．
２％以上と十分大きくなり、しかも、良好な温度依存性
（ＴＣＦ）を有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の
領域４−１内に存在することが分かる。

【００６４】領域４−１は、φ＝１２．５〜１７．５
°、θ＝２０〜１０５°、ψ＝−８５〜５０°で表さ
れ、領域４−１内における好ましい範囲（領域４−１−
１）は、φ＝１２．５〜１７．５°、θ＝３５〜９０
°、ψ＝−１０〜３０°で表される。また、領域４−１
内における別の好ましい範囲（領域４−１−２）は、φ
＝１２．５〜１７．５°、θ＝３５〜６０°、ψ＝−７
０〜−１５°で表される。領域４−１−２内におけるさ
らに好ましい範囲（領域４−１−２−１）は、φ＝１
２．５〜１７．５°、θ＝４０〜５５°、ψ＝−７０〜
−４０°で表される。

【００６５】上述の通り、領域４−１には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十分大き
くなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を有する
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。特に、領域４−１
における好ましい範囲である領域４−１−１には、電気
機械結合係数が０．３％以上と十分大きくなり、ＳＡＷ
速度が２９００ｍ／ｓ以下と非常に小さくなるφ、θ、
ψの組み合わせが存在する。また、領域４−１における
別の好ましい範囲である領域４−１−２には、電気機械
結合係数が０．３％以上と十分大きくなるφ、θ、ψの
組み合わせが存在する。さらに、領域４−１−２におけ
るさらに好ましい範囲である領域４−１−２−１には、
電気機械結合係数が０．４％以上と十分大きくなるφ、
θ、ψの組み合わせが存在する。

【００６６】さらに、図１１乃至図１３を参照すれば、
圧電基板１のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水
晶に比べて低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上
と十分大きくなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣ
Ｆ）を有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の領域４
−２内に存在することが分かる。

【００６７】領域４−２は、φ＝１２．５〜１７．５
°、θ＝１２５〜１４０°、ψ＝８０〜８５°で表され
る。

【００６８】さらに、図１１乃至図１３を参照すれば、
圧電基板１のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水
晶に比べて低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上
と十分大きくなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣ
Ｆ）を有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の領域４
−３内に存在することが分かる。

【００６９】領域４−３は、φ＝１２．５〜１７．５
°、θ＝１１５〜１５５°、ψ＝−８５〜−５０°で表
され、領域４−３内における好ましい範囲（領域４−３
−１）は、φ＝１２．５〜１７．５°、θ＝１２０〜１
４５°、ψ＝−８０〜−６０°で表される。また、領域
４−３−１内におけるさらに好ましい範囲（領域４−３
−１−１）は、φ＝１２．５〜１７．５°、θ＝１２５
〜１４５°、ψ＝−８０〜−６５°で表される。

【００７０】上述の通り、領域４−３には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、且つ、電気機械結合係数が０．２％以上と十
分大きくなるφ、θ、ψの組み合わせが存在する。特
に、領域４−３における好ましい範囲である領域４−３
−１には、電気機械結合係数が０．３％以上と十分大き
くなるφ、θ、ψの組み合わせが存在する。さらに、領
域４−３−１におけるさらに好ましい範囲である領域４
−３−１−１には、電気機械結合係数が０．４％以上と
十分大きくなるφ、θ、ψの組み合わせが存在する。

【００７１】図１４乃至図１６は、圧電基板１のφが２
０°である場合に、θを０°〜１８０°まで変化させる
とともにψを−９０°〜９０°まで変化させた場合にお
けるＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び温度依存性（Ｔ
ＣＦ）をそれぞれ２次元的に示す等高線図である。

【００７２】ここで、φが２０±２．５°の場合にも図
１４乃至図１６に示される各特性とほぼ同様の特性を得
ることができる。したがって、図１４乃至図１６を参照
すれば、圧電基板１のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下
とＳＴ水晶に比べて低くなり、電気機械結合係数が０．
２％以上と十分大きくなり、しかも、良好な温度依存性
（ＴＣＦ）を有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の
領域５−１内に存在することが分かる。

【００７３】領域５−１は、φ＝１７．５〜２２．５
°、θ＝２５〜７０°、ψ＝−８０〜−２０°で表さ
れ、領域５−１内における好ましい範囲（領域５−１−
１）は、φ＝１７．５〜２２．５°、θ＝３５〜６０
°、ψ＝−７５〜−３５°で表される。また、領域５−
１−１内におけるさらに好ましい範囲（領域５−１−１
−１）は、φ＝１７．５〜２２．５°、θ＝３５〜５５
°、ψ＝−７０〜−４５°で表される。

【００７４】上述の通り、領域５−１には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十分大き
くなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を有する
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。特に、領域５−１
における好ましい範囲である領域５−１−１には、電気
機械結合係数が０．３％以上と十分大きくなるφ、θ、
ψの組み合わせが存在する。さらに、領域５−１−１に
おけるさらに好ましい範囲である領域５−１−１−１に
は、電気機械結合係数が０．４％以上と十分大きくなる
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。

【００７５】さらに、図１４乃至図１６を参照すれば、
圧電基板１のＳＡＷ速度が２９００ｍ／ｓ以下とＳＴ水
晶に比べて低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上
と十分大きくなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣ
Ｆ）を有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の領域５
−２内に存在することが分かる。

【００７６】領域５−２は、φ＝１７．５〜２２．５
°、θ＝２５〜１１０°、ψ＝−２０〜４０°で表さ
れ、領域５−２内における好ましい範囲（領域５−２−
１）は、φ＝１７．５〜２２．５°、θ＝４５〜９０
°、ψ＝−１５〜２５°で表される。

【００７７】上述の通り、領域５−２には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が２９００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、且つ、電気機械結合係数が０．２％以上と十
分大きくなるφ、θ、ψの組み合わせが存在する。特
に、領域５−２における好ましい範囲である領域５−２
−１には、電気機械結合係数が０．３％以上と十分大き
くなるφ、θ、ψの組み合わせが存在する。

【００７８】さらに、図１４乃至図１６を参照すれば、
圧電基板１のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水
晶に比べて低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上
と十分大きくなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣ
Ｆ）を有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の領域５
−３内に存在することが分かる。

【００７９】領域５−３は、φ＝１７．５〜２２．５
°、θ＝１１５〜１５５°、ψ＝−８０〜−４５°で表
され、領域５−３内における好ましい範囲（領域５−３
−１）は、φ＝１７．５〜２２．５°、θ＝１２０〜１
４５°、ψ＝−８０〜−５５°で表される。また、領域
５−３−１内におけるさらに好ましい範囲（領域５−３
−１−１）は、φ＝１７．５〜２２．５°、θ＝１２５
〜１４５°、ψ＝−８０〜−６５°で表される。

【００８０】上述の通り、領域５−３には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十分大き
くなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を有する
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。特に、領域５−３
における好ましい範囲である領域５−３−１には、電気
機械結合係数が０．３％以上と十分大きくなるφ、θ、
ψの組み合わせが存在する。さらに、領域５−３−１に
おけるさらに好ましい範囲である領域５−３−１−１に
は、電気機械結合係数が０．４％以上と十分大きくなる
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。

【００８１】図１７乃至図１９は、圧電基板１のφが２
５°である場合に、θを０°〜１８０°まで変化させる
とともにψを−９０°〜９０°まで変化させた場合にお
けるＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び温度依存性（Ｔ
ＣＦ）をそれぞれ２次元的に示す等高線図である。

【００８２】ここで、φが２５±２．５°の場合にも図
１７乃至図１９に示される各特性とほぼ同様の特性を得
ることができる。したがって、図１７乃至図１９を参照
すれば、圧電基板１のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下
とＳＴ水晶に比べて低くなり、電気機械結合係数が０．
２％以上と十分大きくなり、しかも、良好な温度依存性
（ＴＣＦ）を有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の
領域６−１内に存在することが分かる。

【００８３】領域６−１は、φ＝２２．５〜２７．５
°、θ＝２５〜７０°、ψ＝−８５〜−２０°で表さ
れ、領域６−１内における好ましい範囲（領域６−１−
１）は、φ＝２２．５〜２７．５°、θ＝３０〜６０
°、ψ＝−８０〜−４０°で表される。また、領域６−
１−１内におけるさらに好ましい範囲（領域６−１−１
−１）は、φ＝２２．５〜２７．５°、θ＝３５〜５５
°、ψ＝−７５〜−５０°で表される。

【００８４】上述の通り、領域６−１には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十分大き
くなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を有する
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。特に、領域６−１
における好ましい範囲である領域６−１−１には、電気
機械結合係数が０．３％以上と十分大きくなるφ、θ、
ψの組み合わせが存在する。さらに、領域６−１−１に
おけるさらに好ましい範囲である領域６−１−１−１に
は、電気機械結合係数が０．４％以上と十分大きくなる
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。

【００８５】さらに、図１７乃至図１９を参照すれば、
圧電基板１のＳＡＷ速度が２９００ｍ／ｓ以下とＳＴ水
晶に比べて低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上
と十分大きくなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣ
Ｆ）を有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の領域６
−２内に存在することが分かる。

【００８６】領域６−２は、φ＝２２．５〜２７．５
°、θ＝２５〜１４５°、ψ＝−２０〜４０°で表さ
れ、領域６−２内における好ましい範囲（領域６−２−
１）は、φ＝２２．５〜２７．５°、θ＝５０〜９５
°、ψ＝−１０〜２０°で表される。

【００８７】上述の通り、領域６−２には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が２９００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、且つ、電気機械結合係数が０．２％以上と十
分大きくなるφ、θ、ψの組み合わせが存在する。特
に、領域６−２における好ましい範囲である領域６−２
−１には、電気機械結合係数が０．３％以上と十分大き
くなるφ、θ、ψの組み合わせが存在する。

【００８８】さらに、図１７乃至図１９を参照すれば、
圧電基板１のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水
晶に比べて低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上
と十分大きくなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣ
Ｆ）を有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の領域６
−３内に存在することが分かる。

【００８９】領域６−３は、φ＝２２．５〜２７．５
°、θ＝１１０〜１５５°、ψ＝−８０〜−４０°で表
され、領域６−３内における好ましい範囲（領域６−３
−１）は、φ＝２２．５〜２７．５°、θ＝１２０〜１
４５°、ψ＝−８０〜−５０°で表される。また、領域
６−３−１内におけるさらに好ましい範囲（領域６−３
−１−１）は、φ＝２２．５〜２７．５°、θ＝１２５
〜１４５°、ψ＝−８０〜−６０°で表される。

【００９０】上述の通り、領域６−３には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十分大き
くなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を有する
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。特に、領域６−３
における好ましい範囲である領域６−３−１には、電気
機械結合係数が０．３％以上と十分大きくなるφ、θ、
ψの組み合わせが存在する。さらに、領域６−３−１に
おけるさらに好ましい範囲である領域６−３−１−１に
は、電気機械結合係数が０．４％以上と十分大きくなる
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。

【００９１】図２０乃至図２２は、圧電基板１のφが３
０°である場合に、θを０°〜１８０°まで変化させる
とともにψを−９０°〜９０°まで変化させた場合にお
けるＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び温度依存性（Ｔ
ＣＦ）をそれぞれ２次元的に示す等高線図である。

【００９２】ここで、φが３０±２．５°の場合にも図
２０乃至図２２に示される各特性とほぼ同様の特性を得
ることができる。したがって、図２０乃至図２２を参照
すれば、圧電基板１のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下
とＳＴ水晶に比べて低くなり、電気機械結合係数が０．
２％以上と十分大きくなり、しかも、良好な温度依存性
（ＴＣＦ）を有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の
領域７−１内に存在することが分かる。

【００９３】領域７−１は、φ＝２７．５〜３２．５
°、θ＝２５〜７０°、ψ＝−８５〜−３０°で表さ
れ、領域７−１内における好ましい範囲（領域７−１−
１）は、φ＝２７．５〜３２．５°、θ＝３５〜６０
°、ψ＝−８０〜−４５°で表される。また、領域７−
１−１内におけるさらに好ましい範囲（領域７−１−１
−１）は、φ＝２７．５〜３２．５°、θ＝３５〜５５
°、ψ＝−８０〜−５５°で表される。

【００９４】上述の通り、領域７−１には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十分大き
くなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を有する
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。特に、領域７−１
における好ましい範囲である領域７−１−１には、電気
機械結合係数が０．３％以上と十分大きくなるφ、θ、
ψの組み合わせが存在する。さらに、領域７−１−１に
おけるさらに好ましい範囲である領域７−１−１−１に
は、電気機械結合係数が０．４％以上と十分大きくなる
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。

【００９５】さらに、図２０乃至図２２を参照すれば、
圧電基板１のＳＡＷ速度が２９００ｍ／ｓ以下とＳＴ水
晶に比べて低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上
と十分大きくなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣ
Ｆ）を有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の領域７
−２内に存在することが分かる。

【００９６】領域７−２は、φ＝２７．５〜３２．５
°、θ＝３０〜１５０°、ψ＝−３０〜４０°で表さ
れ、領域７−２内における好ましい範囲（領域７−２−
１）は、φ＝２７．５〜３２．５°、θ＝８０〜１００
°、ψ＝１０〜２０°で表される。

【００９７】上述の通り、領域７−２には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が２９００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、且つ、電気機械結合係数が０．２％以上と十
分大きくなるφ、θ、ψの組み合わせが存在する。特
に、領域７−２における好ましい範囲である領域７−２
−１には、電気機械結合係数が０．３％以上と十分大き
くなるφ、θ、ψの組み合わせが存在する。

【００９８】さらに、図２０乃至図２２を参照すれば、
圧電基板１のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水
晶に比べて低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上
と十分大きくなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣ
Ｆ）を有するφ、θ、ψの組み合わせが、下記の領域７
−３内に存在することが分かる。

【００９９】領域７−３は、φ＝２７．５〜３２．５
°、θ＝１１０〜１５５°、ψ＝−８５〜−３０°で表
され、領域７−３内における好ましい範囲（領域７−３
−１）は、φ＝２７．５〜３２．５°、θ＝１２０〜１
４５°、ψ＝−８０〜−４５°で表される。また、領域
７−３−１内におけるさらに好ましい範囲（領域７−３
−１−１）は、φ＝２７．５〜３２．５°、θ＝１２５
〜１４５°、ψ＝−８０〜−５５°で表される。

【０１００】上述の通り、領域７−３には、圧電基板１
のＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下とＳＴ水晶に比べて
低くなり、電気機械結合係数が０．２％以上と十分大き
くなり、しかも、良好な温度依存性（ＴＣＦ）を有する
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。特に、領域７−３
における好ましい範囲である領域７−３−１には、電気
機械結合係数が０．３％以上と十分大きくなるφ、θ、
ψの組み合わせが存在する。さらに、領域７−３−１に
おけるさらに好ましい範囲である領域７−３−１−１に
は、電気機械結合係数が０．４％以上と十分大きくなる
φ、θ、ψの組み合わせが存在する。

【０１０１】したがって、φ、θ、ψの組み合わせが各
領域のいずれかに含まれる圧電基板１を用いて弾性表面
波装置を作製すれば、圧電基板１の電気機械結合係数が
大きいことから、通過帯域が広い弾性表面波装置の実現
が可能となり、且つ、圧電基板１のＳＡＷ速度が遅いこ
とから、小型化された弾性表面波装置の実現が可能とな
る。

【０１０２】

【実施例】まず、点群３２に属し、化学式Ｃａ_３ＴａＧ
ａ_３Ｓｉ_２Ｏ_１４で表わされる単結晶（ＣＴＧＳ単結
晶）を作製した。ＣＴＧＳ単結晶の作製は、高周波加熱
によるＣＺ法、すなわち回転引き上げ法により行った。
得られたＣＴＧＳ単結晶から、基板を切り出し、弾性表
面波装置用圧電基板とした。

【０１０３】次に、ＣＴＧＳ単結晶から切り出した圧電
基板の表面に、入出力用交差指状電極２を形成し、弾性
表面波装置を完成させた。交差指状電極は、蒸着Ａｌ膜
をフォトエッチング法で形状加工することにより形成
し、弾性表面波波長λに相当する電極指の周期は６０μ
ｍ、対数は２０対、交差幅は６０λ（３６００μｍ）、
膜厚は０．３μｍとした。

【０１０４】このような弾性表面波装置を、圧電基板の
切り出し角および弾性表面波の伝搬方向を変えて複数作
製し、おのおのについてＳＡＷ速度、電気機械結合係数
及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）を測定した。ＳＡＷ
速度は、前述した交差指状電極構成においてフィルタ特
性の中心周波数の測定値に、弾性表面波波長を掛けるこ
とにより求めた。電気機械結合係数は、前述した入出力
用交差指状電極のうちの一方、例えば入力用の、二端子
アドミッタンスを測定し、このアドミッタンスの実部
（コンダクタンス）と虚部（サセプタンス）とから、ス
ミスの等価回路による方法により求めた。この方法につ
いては、例えば、刊行物「表面波デバイスとその応用」
（電子材料工業会編、日刊工業新聞社刊、昭和５３年）
の、Ｉ．基礎編、４．１．２表面波の実効的電気機械結
合係数、の章に詳述されている。ＳＡＷ速度及び電気機
械結合係数については、装置の周囲温度を２５℃に保っ
て測定した。また、フィルタの周波数の温度依存性（Ｔ
ＣＦ）については、恒温槽を用いて−２０℃〜８０℃ま
で温度を変化させて測定を行った。

【０１０５】実施例１ 表２は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域１−１（領
域１−１−１に含まれる範囲を除く）に含まれるいくつ
かについての圧電基板サンプルのＳＡＷ速度、電気機械
結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定結果
である。

【０１０６】

【表２】 表２に示すとおり、領域１−１（領域１−１−１に含ま
れる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳＡ
Ｗ速度が３０００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係数
（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１０７】実施例２ 表３は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域１−１−１
（領域１−１−１−１、領域１−１−１−２及び領域１
−１−１−３に含まれる範囲を除く）に含まれるいくつ
かの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速度、電気機械
結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定結果
である。

【０１０８】

【表３】 表３に示すとおり、領域１−１−１（領域１−１−１−
１、領域１−１−１−２及び領域１−１−１−３に含ま
れる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳＡ
Ｗ速度が３０００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係数
（Ｋ^２）が０．３％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１０９】実施例３ 表４は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域１−１−１
−１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについての
ＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性
（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１１０】

【表４】 表４に示すとおり、領域１−１−１−１に含まれる圧電
基板は、いずれもＳＡＷ速度が２９００ｍ／ｓ以下であ
り、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．４％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１１１】実施例４ 表５は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域１−１−１
−２に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについての
ＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性
（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１１２】

【表５】 表５に示すとおり、領域１−１−１−２に含まれる圧電
基板は、いずれもＳＡＷ速度が３０００ｍ／ｓ以下であ
り、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．４％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１１３】実施例５ 表６は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域１−１−１
−３に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについての
ＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性
（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１１４】

【表６】 表６に示すとおり、領域１−１−１−３に含まれる圧電
基板は、いずれもＳＡＷ速度が３０００ｍ／ｓ以下であ
り、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．４％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１１５】実施例６ 表７は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域１−２（領
域１−２−１に含まれる範囲を除く）に含まれるいくつ
かの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速度、電気機械
結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定結果
である。

【０１１６】

【表７】 表７に示すとおり、領域１−２（領域１−２−１に含ま
れる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳＡ
Ｗ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係数
（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１１７】実施例７ 表８は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域１−２−１
に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳＡ
Ｗ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性（Ｔ
ＣＦ）の測定結果である。

【０１１８】

【表８】 表８に示すとおり、領域１−２−１に含まれる圧電基板
は、いずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、
電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．３％以上であった。ま
た、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１１９】実施例８ 表９は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域１−３（領
域１−３−１に含まれる範囲を除く）に含まれるいくつ
かの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速度、電気機械
結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定結果
である。

【０１２０】

【表９】 表９に示すとおり、領域１−３（領域１−３−１に含ま
れる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳＡ
Ｗ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係数
（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１２１】実施例９ 表１０は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域１−３−
１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳ
ＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性
（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１２２】

【表１０】 表１０に示すとおり、領域１−３−１に含まれる圧電基
板は、いずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であ
り、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．３％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１２３】実施例１０ 表１１は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域２−１
（領域２−１−１に含まれる範囲を除く）に含まれるい
くつかについての圧電基板サンプルのＳＡＷ速度、電気
機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定
結果である。

【０１２４】

【表１１】 表１１に示すとおり、領域２−１（領域２−１−１に含
まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳ
ＡＷ速度が３０００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係
数（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１２５】実施例１１ 表１２は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域２−１−
１（領域２−１−１−１及び領域２−１−１−２に含ま
れる範囲を除く）に含まれるいくつかの圧電基板サンプ
ルについてのＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数
の温度依存性（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１２６】

【表１２】 表１２に示すとおり、領域２−１−１（領域２−１−１
−１及び領域２−１−１−２に含まれる範囲を除く）に
含まれる圧電基板は、いずれもＳＡＷ速度が３０００ｍ
／ｓ以下であり、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．３％
以上であった。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であ
った。

【０１２７】実施例１２ 表１３は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域２−１−
１−１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについて
のＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存
性（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１２８】

【表１３】 表１３に示すとおり、領域２−１−１−１に含まれる圧
電基板は、いずれもＳＡＷ速度が２９００ｍ／ｓ以下で
あり、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．４％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１２９】実施例１３ 表１４は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域２−１−
１−２に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについて
のＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存
性（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１３０】

【表１４】 表１４に示すとおり、領域２−１−１−２に含まれる圧
電基板は、いずれもＳＡＷ速度が３０００ｍ／ｓ以下で
あり、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．４％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１３１】実施例１４ 表１５は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域２−２
（領域２−２−１に含まれる範囲を除く）に含まれるい
くつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速度、電気
機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定
結果である。

【０１３２】

【表１５】 表１５に示すとおり、領域２−２（領域２−２−１に含
まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳ
ＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係
数（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１３３】実施例１５ 表１６は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域２−２−
１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳ
ＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性
（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１３４】

【表１６】 表１６に示すとおり、領域２−２−１に含まれる圧電基
板は、いずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であ
り、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．３％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１３５】実施例１６ 表１７は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域２−３
（領域２−３−１に含まれる範囲を除く）に含まれるい
くつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速度、電気
機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定
結果である。

【０１３６】

【表１７】 表１７に示すとおり、領域２−３（領域２−３−１に含
まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳ
ＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係
数（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１３７】実施例１７ 表１８は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域２−３−
１（領域２−３−１−１に含まれる範囲を除く）に含ま
れるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速
度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣ
Ｆ）の測定結果である。

【０１３８】

【表１８】 表１８に示すとおり、領域２−３−１（領域２−３−１
−１に含まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、い
ずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機
械結合係数（Ｋ^２）が０．３％以上であった。また、温
度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１３９】実施例１８ 表１９は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域２−３−
１−１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについて
のＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存
性（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１４０】

【表１９】 表１９に示すとおり、領域２−３−１−１に含まれる圧
電基板は、いずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下で
あり、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．４％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１４１】実施例１９ 表２０は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域３−１
（領域３−１−１に含まれる範囲を除く）に含まれるい
くつかについての圧電基板サンプルのＳＡＷ速度、電気
機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定
結果である。

【０１４２】

【表２０】 表２０に示すとおり、領域３−１（領域３−１−１に含
まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳ
ＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係
数（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１４３】実施例２０ 表２１は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域３−１−
１（領域３−１−１−１及び領域３−１−１−２に含ま
れる範囲を除く）に含まれるいくつかの圧電基板サンプ
ルについてのＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数
の温度依存性（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１４４】

【表２１】 表２１に示すとおり、領域３−１−１（領域３−１−１
−１及び領域３−１−１−２に含まれる範囲を除く）に
含まれる圧電基板は、いずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ
／ｓ以下であり、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．３％
以上であった。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であ
った。

【０１４５】実施例２１ 表２２は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域３−１−
１−１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについて
のＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存
性（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１４６】

【表２２】 表２２に示すとおり、領域３−１−１−１に含まれる圧
電基板は、いずれもＳＡＷ速度が２９００ｍ／ｓ以下で
あり、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．４％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１４７】実施例２２ 表２３は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域３−１−
１−２に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについて
のＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存
性（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１４８】

【表２３】 表２３に示すとおり、領域３−１−１−２に含まれる圧
電基板は、いずれもＳＡＷ速度が３０００ｍ／ｓ以下で
あり、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．４％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１４９】実施例２３ 表２４は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域３−２に
含まれるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ
速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣ
Ｆ）の測定結果である。

【０１５０】

【表２４】 表２４に示すとおり、領域３−２に含まれる圧電基板
は、いずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、
電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．２％以上であった。ま
た、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１５１】実施例２４ 表２５は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域３−３
（領域３−３−１に含まれる範囲を除く）に含まれるい
くつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速度、電気
機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定
結果である。

【０１５２】

【表２５】 表２５に示すとおり、領域３−３（領域３−３−１に含
まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳ
ＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係
数（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１５３】実施例２５ 表２６は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域３−３−
１（領域３−３−１−１に含まれる範囲を除く）に含ま
れるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速
度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣ
Ｆ）の測定結果である。

【０１５４】

【表２６】 表２６に示すとおり、領域３−３−１（領域３−３−１
−１に含まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、い
ずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機
械結合係数（Ｋ^２）が０．３％以上であった。また、温
度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１５５】実施例２６ 表２７は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域３−３−
１−１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについて
のＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存
性（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１５６】

【表２７】 表２７に示すとおり、領域３−３−１−１に含まれる圧
電基板は、いずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下で
あり、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．４％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１５７】実施例２７ 表２８は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域４−１
（領域４−１−１及び領域４−１−２に含まれる範囲を
除く）に含まれるいくつかについての圧電基板サンプル
のＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存
性（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１５８】

【表２８】 表２８に示すとおり、領域４−１（領域４−１−１及び
領域４−１−２に含まれる範囲を除く）に含まれる圧電
基板は、いずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であ
り、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．２％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１５９】実施例２８ 表２９は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域４−１−
１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳ
ＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性
（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１６０】

【表２９】 表２９に示すとおり、領域４−１−１に含まれる圧電基
板は、いずれもＳＡＷ速度が２９００ｍ／ｓ以下であ
り、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．３％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１６１】実施例２９ 表３０は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域４−１−
２（領域４−１−２−１に含まれる範囲を除く）に含ま
れるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速
度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣ
Ｆ）の測定結果である。

【０１６２】

【表３０】 表３０に示すとおり、領域４−１−２（領域４−１−２
−１に含まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、い
ずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機
械結合係数（Ｋ^２）が０．３％以上であった。また、温
度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１６３】実施例３０ 表３１は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域４−１−
２−１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについて
のＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存
性（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１６４】

【表３１】 表３１に示すとおり、領域４−１−２−１に含まれる圧
電基板は、いずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下で
あり、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．４％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１６５】実施例３１ 表３２は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域４−２に
含まれるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ
速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣ
Ｆ）の測定結果である。

【０１６６】

【表３２】 表３２に示すとおり、領域４−２に含まれる圧電基板
は、いずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、
電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．２％以上であった。ま
た、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１６７】実施例３２ 表３３は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域４−３
（領域４−３−１に含まれる範囲を除く）に含まれるい
くつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速度、電気
機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定
結果である。

【０１６８】

【表３３】 表３３に示すとおり、領域４−３（領域４−３−１に含
まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳ
ＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係
数（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１６９】実施例３３ 表３４は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域４−３−
１（領域４−３−１−１に含まれる範囲を除く）に含ま
れるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速
度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣ
Ｆ）の測定結果である。

【０１７０】

【表３４】 表３４に示すとおり、領域４−３−１（領域４−３−１
−１に含まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、い
ずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機
械結合係数（Ｋ^２）が０．３％以上であった。また、温
度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１７１】実施例３４ 表３５は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域４−３−
１−１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについて
のＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存
性（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１７２】

【表３５】 表３５に示すとおり、領域４−３−１−１に含まれる圧
電基板は、いずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下で
あり、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．４％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１７３】実施例３５ 表３６は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域５−１
（領域５−１−１に含まれる範囲を除く）に含まれるい
くつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速度、電気
機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定
結果である。

【０１７４】

【表３６】 表３６に示すとおり、領域５−１（領域５−１−１に含
まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳ
ＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係
数（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１７５】実施例３６ 表３７は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域５−１−
１（領域５−１−１−１に含まれる範囲を除く）に含ま
れるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速
度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣ
Ｆ）の測定結果である。

【０１７６】

【表３７】 表３７に示すとおり、領域５−１−１（領域５−１−１
−１に含まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、い
ずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機
械結合係数（Ｋ^２）が０．３％以上であった。また、温
度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１７７】実施例３７ 表３８は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域５−１−
１−１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについて
のＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存
性（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１７８】

【表３８】 表３８に示すとおり、領域５−１−１−１に含まれる圧
電基板は、いずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下で
あり、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．４％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１７９】実施例３８ 表３９は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域５−２
（領域５−２−１に含まれる範囲を除く）に含まれるい
くつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速度、電気
機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定
結果である。

【０１８０】

【表３９】 表３９に示すとおり、領域５−２（領域５−２−１に含
まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳ
ＡＷ速度が２９００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係
数（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１８１】実施例３９ 表４０は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域５−２−
１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳ
ＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性
（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１８２】

【表４０】 表４０に示すとおり、領域５−１−１に含まれる圧電基
板は、いずれもＳＡＷ速度が２９００ｍ／ｓ以下であ
り、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．３％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１８３】実施例４０ 表４１は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域５−３
（領域５−３−１に含まれる範囲を除く）に含まれるい
くつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速度、電気
機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定
結果である。

【０１８４】

【表４１】 表４１に示すとおり、領域５−３（領域５−３−１に含
まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳ
ＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係
数（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１８５】実施例４１ 表４２は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域５−３−
１（領域５−３−１−１に含まれる範囲を除く）に含ま
れるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速
度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣ
Ｆ）の測定結果である。

【０１８６】

【表４２】 表４２に示すとおり、領域５−３−１（領域５−３−１
−１に含まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、い
ずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機
械結合係数（Ｋ^２）が０．３％以上であった。また、温
度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１８７】実施例４２ 表４３は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域５−３−
１−１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについて
のＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存
性（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１８８】

【表４３】 表４３に示すとおり、領域５−３−１−１に含まれる圧
電基板は、いずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下で
あり、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．４％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１８９】実施例４３ 表４４は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域６−１
（領域６−１−１に含まれる範囲を除く）に含まれるい
くつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速度、電気
機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定
結果である。

【０１９０】

【表４４】 表４４に示すとおり、領域６−１（領域６−１−１に含
まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳ
ＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係
数（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１９１】実施例４４ 表４５は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域６−１−
１（領域６−１−１−１に含まれる範囲を除く）に含ま
れるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速
度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣ
Ｆ）の測定結果である。

【０１９２】

【表４５】 表４５に示すとおり、領域６−１−１（領域６−１−１
−１に含まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、い
ずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機
械結合係数（Ｋ^２）が０．３％以上であった。また、温
度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１９３】実施例４５ 表４６は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域６−１−
１−１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについて
のＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存
性（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１９４】

【表４６】 表４６に示すとおり、領域６−１−１−１に含まれる圧
電基板は、いずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下で
あり、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．４％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１９５】実施例４６ 表４７は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域６−２
（領域６−２−１に含まれる範囲を除く）に含まれるい
くつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速度、電気
機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定
結果である。

【０１９６】

【表４７】 表４７に示すとおり、領域６−２（領域６−２−１に含
まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳ
ＡＷ速度が２９００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係
数（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１９７】実施例４７ 表４８は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域６−２−
１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳ
ＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性
（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０１９８】

【表４８】 表４８に示すとおり、領域６−２−１に含まれる圧電基
板は、いずれもＳＡＷ速度が２９００ｍ／ｓ以下であ
り、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．３％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０１９９】実施例４８ 表４９は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域６−３
（領域６−３−１に含まれる範囲を除く）に含まれるい
くつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速度、電気
機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定
結果である。

【０２００】

【表４９】 表４９に示すとおり、領域６−３（領域６−３−１に含
まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳ
ＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係
数（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０２０１】実施例４９ 表５０は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域６−３−
１（領域６−３−１−１に含まれる範囲を除く）に含ま
れるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速
度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣ
Ｆ）の測定結果である。

【０２０２】

【表５０】 表５０に示すとおり、領域６−３−１（領域６−３−１
−１に含まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、い
ずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機
械結合係数（Ｋ^２）が０．３％以上であった。また、温
度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０２０３】実施例５０ 表５１は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域６−３−
１−１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについて
のＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存
性（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０２０４】

【表５１】 表５１に示すとおり、領域６−３−１−１に含まれる圧
電基板は、いずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下で
あり、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．４％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０２０５】実施例５１ 表５２は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域７−１
（領域７−１−１に含まれる範囲を除く）に含まれるい
くつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速度、電気
機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定
結果である。

【０２０６】

【表５２】 表５２に示すとおり、領域７−１（領域７−１−１に含
まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳ
ＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係
数（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０２０７】実施例５２ 表５３は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域７−１−
１（領域７−１−１−１に含まれる範囲を除く）に含ま
れるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速
度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣ
Ｆ）の測定結果である。

【０２０８】

【表５３】 表５３に示すとおり、領域７−１−１（領域７−１−１
−１に含まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、い
ずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機
械結合係数（Ｋ^２）が０．３％以上であった。また、温
度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０２０９】実施例５３ 表５４は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域７−１−
１−１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについて
のＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存
性（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０２１０】

【表５４】 表５４に示すとおり、領域７−１−１−１に含まれる圧
電基板は、いずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下で
あり、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．４％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０２１１】実施例５４ 表５５は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域７−２
（領域７−２−１に含まれる範囲を除く）に含まれるい
くつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速度、電気
機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定
結果である。

【０２１２】

【表５５】 表５５に示すとおり、領域７−２（領域７−２−１に含
まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳ
ＡＷ速度が２９００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係
数（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０２１３】実施例５５ 表５６は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域７−２−
１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳ
ＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性
（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０２１４】

【表５６】 表５６に示すとおり、領域７−２−１に含まれる圧電基
板は、いずれもＳＡＷ速度が２９００ｍ／ｓ以下であ
り、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．３％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０２１５】実施例５６ 表５７は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域７−３
（領域７−３−１に含まれる範囲を除く）に含まれるい
くつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速度、電気
機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣＦ）の測定
結果である。

【０２１６】

【表５７】 表５７に示すとおり、領域７−３（領域７−３−１に含
まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、いずれもＳ
ＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機械結合係
数（Ｋ^２）が０．２％以上であった。また、温度依存性
（ＴＣＦ）も良好であった。

【０２１７】実施例５７ 表５８は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域７−３−
１（領域７−３−１−１に含まれる範囲を除く）に含ま
れるいくつかの圧電基板サンプルについてのＳＡＷ速
度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存性（ＴＣ
Ｆ）の測定結果である。

【０２１８】

【表５８】 表５８に示すとおり、領域７−３−１（領域７−３−１
−１に含まれる範囲を除く）に含まれる圧電基板は、い
ずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下であり、電気機
械結合係数（Ｋ^２）が０．３％以上であった。また、温
度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０２１９】実施例５８ 表５９は、オイラー角（φ，θ，ψ）が、領域７−３−
１−１に含まれるいくつかの圧電基板サンプルについて
のＳＡＷ速度、電気機械結合係数及び周波数の温度依存
性（ＴＣＦ）の測定結果である。

【０２２０】

【表５９】 表５９に示すとおり、領域７−３−１−１に含まれる圧
電基板は、いずれもＳＡＷ速度が３１００ｍ／ｓ以下で
あり、電気機械結合係数（Ｋ^２）が０．４％以上であっ
た。また、温度依存性（ＴＣＦ）も良好であった。

【０２２１】本発明は、以上の実施態様及び実施例に限
定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の
範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範
囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

【０２２２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
小型で且つ通過帯域が広い中間周波用の弾性表面波装置
を提供することができるとともに、高い結合係数を有
し、且つ、低いＳＡＷ速度を有する弾性表面波装置用の
圧電基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる弾
性表面波装置を示す略斜視図である。

【図２】図２は、圧電基板１のφが０°である場合に、
θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを−９０
°〜９０°まで変化させた場合におけるＳＡＷ速度を示
す等高線図である。

【図３】図３は、圧電基板１のφが０°である場合に、
θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを−９０
°〜９０°まで変化させた場合における電気機械結合係
数を示す等高線図である。

【図４】図４は、圧電基板１のφが０°である場合に、
θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを−９０
°〜９０°まで変化させた場合における温度依存性（Ｔ
ＣＦ）を示す等高線図である。

【図５】図５は、圧電基板１のφが５°である場合に、
θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを−９０
°〜９０°まで変化させた場合におけるＳＡＷ速度を示
す等高線図である。

【図６】図６は、圧電基板１のφが５°である場合に、
θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを−９０
°〜９０°まで変化させた場合における電気機械結合係
数を示す等高線図である。

【図７】図７は、圧電基板１のφが５°である場合に、
θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを−９０
°〜９０°まで変化させた場合における温度依存性（Ｔ
ＣＦ）を示す等高線図である。

【図８】図８は、圧電基板１のφが１０°である場合
に、θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを−
９０°〜９０°まで変化させた場合におけるＳＡＷ速度
を示す等高線図である。

【図９】図９は、圧電基板１のφが１０°である場合
に、θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを−
９０°〜９０°まで変化させた場合における電気機械結
合係数を示す等高線図である。

【図１０】図１０は、圧電基板１のφが１０°である場
合に、θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを
−９０°〜９０°まで変化させた場合における温度依存
性（ＴＣＦ）を示す等高線図である。

【図１１】図１１は、圧電基板１のφが１５°である場
合に、θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを
−９０°〜９０°まで変化させた場合におけるＳＡＷ速
度を示す等高線図である。

【図１２】図１２は、圧電基板１のφが１５°である場
合に、θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを
−９０°〜９０°まで変化させた場合における電気機械
結合係数を示す等高線図である。

【図１３】図１３は、圧電基板１のφが１５°である場
合に、θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを
−９０°〜９０°まで変化させた場合における温度依存
性（ＴＣＦ）を示す等高線図である。

【図１４】図１４は、圧電基板１のφが２０°である場
合に、θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを
−９０°〜９０°まで変化させた場合におけるＳＡＷ速
度を示す等高線図である。

【図１５】図１５は、圧電基板１のφが２０°である場
合に、θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを
−９０°〜９０°まで変化させた場合における電気機械
結合係数を示す等高線図である。

【図１６】図１６は、圧電基板１のφが２０°である場
合に、θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを
−９０°〜９０°まで変化させた場合における温度依存
性（ＴＣＦ）を示す等高線図である。

【図１７】図１７は、圧電基板１のφが２５°である場
合に、θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを
−９０°〜９０°まで変化させた場合におけるＳＡＷ速
度を示す等高線図である。

【図１８】図１８は、圧電基板１のφが２５°である場
合に、θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを
−９０°〜９０°まで変化させた場合における電気機械
結合係数を示す等高線図である。

【図１９】図１９は、圧電基板１のφが２５°である場
合に、θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを
−９０°〜９０°まで変化させた場合における温度依存
性（ＴＣＦ）を示す等高線図である。

【図２０】図２０は、圧電基板１のφが３０°である場
合に、θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを
−９０°〜９０°まで変化させた場合におけるＳＡＷ速
度を示す等高線図である。

【図２１】図２１は、圧電基板１のφが３０°である場
合に、θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを
−９０°〜９０°まで変化させた場合における電気機械
結合係数を示す等高線図である。

【図２２】図２２は、圧電基板１のφが３０°である場
合に、θを０°〜１８０°まで変化させるとともにψを
−９０°〜９０°まで変化させた場合における温度依存
性（ＴＣＦ）を示す等高線図である。

【符号の説明】

１ 圧電基板 ２ 交差指状電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 守越 広樹 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 川嵜 克己 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 佐藤 淳 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 4G072 AA35 BB03 BB11 NN03 RR23 TT30 UU01 4G077 AA02 BD14 CF10 GA03 GA10 HA11 5J097 AA06 AA19 AA22 AA29 BB11 FF01 GG01 GG05 KK06

Claims (37)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 圧電基板と、前記圧電基板上に形成され
   た交差指状電極とを備える弾性表面波装置であって、前
   記圧電基板が、Ｃａ_３Ｇａ_２Ｇｅ_４Ｏ_１４型結晶構造を
   有し、化学式Ｃａ_３ＴａＧａ_３Ｓｉ_２Ｏ_１４で表され、
   単結晶からの切り出し角および弾性表面波伝搬方向をオ
   イラー角表示で（φ，θ，ψ）と表したとき、φ、θお
   よびψが、φが−２．５°〜２．５°であり、θが３０
   °〜９０°であり、かつ、ψが−６５°〜６５°である
   第１の領域、φが−２．５°〜２．５°であり、θが１
   ２０°〜１５５°であり、かつ、ψが６５°〜８５°で
   ある第２の領域、φが−２．５°〜２．５°であり、θ
   が１２０°〜１５５°であり、かつ、ψが−８５°〜−
   ６５°である第３の領域、φが２．５°〜７．５°であ
   り、θが３０°〜９０°であり、かつ、ψが−７５°〜
   ６０°である第４の領域、φが２．５°〜７．５°であ
   り、θが１２０°〜１５０°であり、かつ、ψが７５°
   〜８５°である第５の領域、φが２．５°〜７．５°で
   あり、θが１２０°〜１５５°であり、かつ、ψが−８
   ５°〜−６０°である第６の領域、φが７．５°〜１
   ２．５°であり、θが３０°〜１００°であり、かつ、
   ψが−８０°〜５５°である第７の領域、φが７．５°
   〜１２．５°であり、θが１２０°〜１５０°であり、
   かつ、ψが７５°〜８５°である第８の領域、φが７．
   ５°〜１２．５°であり、θが１１０°〜１５５°であ
   り、かつ、ψが−８５°〜−５５°である第９の領域、
   φが１２．５°〜１７．５°であり、θが２０°〜１０
   ５°であり、かつ、ψが−８５°〜５０°である第１０
   の領域、φが１２．５°〜１７．５°であり、θが１２
   ５°〜１４０°であり、かつ、ψが８０°〜８５°であ
   る第１１の領域、φが１２．５°〜１７．５°であり、
   θが１１５°〜１５５°であり、かつ、ψが−８５°〜
   −５０°である第１２の領域、φが１７．５°〜２２．
   ５°であり、θが２５°〜７０°であり、かつ、ψが−
   ８０°〜−２０°である第１３の領域、φが１７．５°
   〜２２．５°であり、θが２５°〜１１０°であり、か
   つ、ψが−２０°〜４０°である第１４の領域、φが１
   ７．５°〜２２．５°であり、θが１１５°〜１５５°
   であり、かつ、ψが−８０°〜−４５°である第１５の
   領域、φが２２．５°〜２７．５°であり、θが２５°
   〜７０°であり、かつ、ψが−８５°〜−２０°である
   第１６の領域、φが２２．５°〜２７．５°であり、θ
   が２５°〜１４５°であり、かつ、ψが−２０°〜４０
   °である第１７の領域、φが２２．５°〜２７．５°で
   あり、θが１１０°〜１５５°であり、かつ、ψが−８
   ０°〜−４０°である第１８の領域、φが２７．５°〜
   ３２．５°であり、θが２５°〜７０°であり、かつ、
   ψが−８５°〜−３０°である第１９の領域、φが２
   ７．５°〜３２．５°であり、θが３０°〜１５０°で
   あり、かつ、ψが−３０°〜４０°である第２０の領域
   及びφが２７．５°〜３２．５°であり、θが１１０°
   〜１５５°であり、かつ、ψが−８５°〜−３０°であ
   る第２１の領域のいずれか一の領域内に存在することを
   特徴とする弾性表面波装置。
2. 【請求項２】 前記φが−２．５°〜２．５°であり、
   前記θが３５°〜８０°であり、かつ、前記ψが−５５
   °〜５５°であることを特徴とする請求項１に記載の弾
   性表面波装置。
3. 【請求項３】 前記φが−２．５°〜２．５°であり、
   前記θが４５°〜７０°であり、かつ、前記ψが−１５
   °〜１５°であることを特徴とする請求項２に記載の弾
   性表面波装置。
4. 【請求項４】 前記φが−２．５°〜２．５°であり、
   前記θが４０°〜６０°であり、かつ、前記ψが１５°
   〜５０°及び−５０°〜−１５°のいずれか一方である
   ことを特徴とする請求項２に記載の弾性表面波装置。
5. 【請求項５】 前記φが−２．５°〜２．５°であり、
   前記θが１２５°〜１４５°であり、かつ、前記ψが７
   ５°〜８５°及び−８５°〜−７５°のいずれか一方で
   あることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装
   置。
6. 【請求項６】 前記φが２．５°〜７．５°であり、前
   記θが３５°〜８０°であり、かつ、前記ψが−６５°
   〜５０°であることを特徴とする請求項１に記載の弾性
   表面波装置。
7. 【請求項７】 前記φが２．５°〜７．５°であり、前
   記θが４５°〜７０°であり、かつ、前記ψが−１０°
   〜２０°であることを特徴とする請求項６に記載の弾性
   表面波装置。
8. 【請求項８】 前記φが２．５°〜７．５°であり、前
   記θが３５°〜６０°であり、かつ、前記ψが−６０°
   〜−２５°であることを特徴とする請求項６に記載の弾
   性表面波装置。
9. 【請求項９】 前記φが２．５°〜７．５°であり、前
   記θが１２５°〜１４５°であり、かつ、前記ψが８０
   °〜８５°であることを特徴とする請求項１に記載の弾
   性表面波装置。
10. 【請求項１０】 前記φが２．５°〜７．５°であり、
    前記θが１２０°〜１４５°であり、かつ、前記ψが−
    ８５°〜−７０°であることを特徴とする請求項１に記
    載の弾性表面波装置。
11. 【請求項１１】 前記φが２．５°〜７．５°であり、
    前記θが１３０°〜１４０°であり、かつ、前記ψが−
    ８０°〜−７５°であることを特徴とする請求項１０に
    記載の弾性表面波装置。
12. 【請求項１２】 前記φが７．５°〜１２．５°であ
    り、前記θが３０°〜８５°であり、かつ、前記ψが−
    ７５°〜５０°であることを特徴とする請求項１に記載
    の弾性表面波装置。
13. 【請求項１３】 前記φが７．５°〜１２．５°であ
    り、前記θが４５°〜７０°であり、かつ、前記ψが−
    １０°〜２０°であることを特徴とする請求項１２に記
    載の弾性表面波装置。
14. 【請求項１４】 前記φが７．５°〜１２．５°であ
    り、前記θが３５°〜６０°であり、かつ、前記ψが−
    ６０°〜−３０°であることを特徴とする請求項１２に
    記載の弾性表面波装置。
15. 【請求項１５】 前記φが７．５°〜１２．５°であ
    り、前記θが１２５°〜１４５°であり、かつ、前記ψ
    が−８５°〜−６５°であることを特徴とする請求項１
    に記載の弾性表面波装置。
16. 【請求項１６】 前記φが７．５°〜１２．５°であ
    り、前記θが１２５°〜１４５°であり、かつ、前記ψ
    が−８０°〜−７０°であることを特徴とする請求項１
    ５に記載の弾性表面波装置。
17. 【請求項１７】 前記φが１２．５°〜１７．５°であ
    り、前記θが３５°〜９０°であり、かつ、前記ψが−
    １０°〜３０°であることを特徴とする請求項１に記載
    の弾性表面波装置。
18. 【請求項１８】 前記φが１２．５°〜１７．５°であ
    り、前記θが３５°〜６０°であり、かつ、前記ψが−
    ７０°〜−１５°であることを特徴とする請求項１に記
    載の弾性表面波装置。
19. 【請求項１９】 前記φが１２．５°〜１７．５°であ
    り、前記θが４０°〜５５°であり、かつ、前記ψが−
    ７０°〜−４０°であることを特徴とする請求項１８に
    記載の弾性表面波装置。
20. 【請求項２０】 前記φが１２．５°〜１７．５°であ
    り、前記θが１２０°〜１４５°であり、かつ、前記ψ
    が−８０°〜−６０°であることを特徴とする請求項１
    に記載の弾性表面波装置。
21. 【請求項２１】 前記φが１２．５°〜１７．５°であ
    り、前記θが１２５°〜１４５°であり、かつ、前記ψ
    が−８０°〜−６５°であることを特徴とする請求項２
    ０に記載の弾性表面波装置。
22. 【請求項２２】 前記φが１７．５°〜２２．５°であ
    り、前記θが３５°〜６０°であり、かつ、前記ψが−
    ７５°〜−３５°であることを特徴とする請求項１に記
    載の弾性表面波装置。
23. 【請求項２３】 前記φが１７．５°〜２２．５°であ
    り、前記θが３５°〜５５°であり、かつ、前記ψが−
    ７０°〜−４５°であることを特徴とする請求項２２に
    記載の弾性表面波装置。
24. 【請求項２４】 前記φが１７．５°〜２２．５°であ
    り、前記θが４５°〜９０°であり、かつ、前記ψが−
    １５°〜２５°であることを特徴とする請求項１に記載
    の弾性表面波装置。
25. 【請求項２５】 前記φが１７．５°〜２２．５°であ
    り、前記θが１２０°〜１４５°であり、かつ、前記ψ
    が−８０°〜−５５°であることを特徴とする請求項１
    に記載の弾性表面波装置。
26. 【請求項２６】 前記φが１７．５°〜２２．５°であ
    り、前記θが１２５°〜１４５°であり、かつ、前記ψ
    が−８０°〜−６５°であることを特徴とする請求項２
    ５に記載の弾性表面波装置。
27. 【請求項２７】 前記φが２２．５°〜２７．５°であ
    り、前記θが３０°〜６０°であり、かつ、前記ψが−
    ８０°〜−４０°であることを特徴とする請求項１に記
    載の弾性表面波装置。
28. 【請求項２８】 前記φが２２．５°〜２７．５°であ
    り、前記θが３５°〜５５°であり、かつ、前記ψが−
    ７５°〜−５０°であることを特徴とする請求項２７に
    記載の弾性表面波装置。
29. 【請求項２９】 前記φが２２．５°〜２７．５°であ
    り、前記θが５０°〜９５°であり、かつ、前記ψが−
    １０°〜２０°であることを特徴とする請求項１に記載
    の弾性表面波装置。
30. 【請求項３０】 前記φが２２．５°〜２７．５°であ
    り、前記θが１２０°〜１４５°であり、かつ、前記ψ
    が−８０°〜−５０°であることを特徴とする請求項１
    に記載の弾性表面波装置。
31. 【請求項３１】 前記φが２２．５°〜２７．５°であ
    り、前記θが１２５°〜１４５°であり、かつ、前記ψ
    が−８０°〜−６０°であることを特徴とする請求項３
    ０に記載の弾性表面波装置。
32. 【請求項３２】 前記φが２７．５°〜３２．５°であ
    り、前記θが３５°〜６０°であり、かつ、前記ψが−
    ８０°〜−４５°であることを特徴とする請求項１に記
    載の弾性表面波装置。
33. 【請求項３３】 前記φが２７．５°〜３２．５°であ
    り、前記θが３５°〜５５°であり、かつ、前記ψが−
    ８０°〜−５５°であることを特徴とする請求項３２に
    記載の弾性表面波装置。
34. 【請求項３４】 前記φが２７．５°〜３２．５°であ
    り、前記θが８０°〜１００°であり、かつ、前記ψが
    １０°〜２０°であることを特徴とする請求項１に記載
    の弾性表面波装置。
35. 【請求項３５】 前記φが２７．５°〜３２．５°であ
    り、前記θが１２０°〜１４５°であり、かつ、前記ψ
    が−８０°〜−４５°であることを特徴とする請求項１
    に記載の弾性表面波装置。
36. 【請求項３６】 前記φが２７．５°〜３２．５°であ
    り、前記θが１２５°〜１４５°であり、かつ、前記ψ
    が−８０°〜−５５°であることを特徴とする請求項３
    ５に記載の弾性表面波装置。
37. 【請求項３７】 Ｃａ_３Ｇａ_２Ｇｅ_４Ｏ_１４型結晶構造
    を有し、化学式Ｃａ _３ＴａＧａ_３Ｓｉ_２Ｏ_１４で表さ
    れ、単結晶からの切り出し角および弾性表面波伝搬方向
    をオイラー角表示で（φ，θ，ψ）と表したとき、φ、
    θおよびψが、φが−２．５°〜２．５°であり、θが
    ３０°〜９０°であり、かつ、ψが−６５°〜６５°で
    ある第１の領域、φが−２．５°〜２．５°であり、θ
    が１２０°〜１５５°であり、かつ、ψが６５°〜８５
    °である第２の領域、φが−２．５°〜２．５°であ
    り、θが１２０°〜１５５°であり、かつ、ψが−８５
    °〜−６５°である第３の領域、φが２．５°〜７．５
    °であり、θが３０°〜９０°であり、かつ、ψが−７
    ５°〜６０°である第４の領域、φが２．５°〜７．５
    °であり、θが１２０°〜１５０°であり、かつ、ψが
    ７５°〜８５°である第５の領域、φが２．５°〜７．
    ５°であり、θが１２０°〜１５５°であり、かつ、ψ
    が−８５°〜−６０°である第６の領域、φが７．５°
    〜１２．５°であり、θが３０°〜１００°であり、か
    つ、ψが−８０°〜５５°である第７の領域、φが７．
    ５°〜１２．５°であり、θが１２０°〜１５０°であ
    り、かつ、ψが７５°〜８５°である第８の領域、φが
    ７．５°〜１２．５°であり、θが１１０°〜１５５°
    であり、かつ、ψが−８５°〜−５５°である第９の領
    域、φが１２．５°〜１７．５°であり、θが２０°〜
    １０５°であり、かつ、ψが−８５°〜５０°である第
    １０の領域、φが１２．５°〜１７．５°であり、θが
    １２５°〜１４０°であり、かつ、ψが８０°〜８５°
    である第１１の領域、φが１２．５°〜１７．５°であ
    り、θが１１５°〜１５５°であり、かつ、ψが−８５
    °〜−５０°である第１２の領域、φが１７．５°〜２
    ２．５°であり、θが２５°〜７０°であり、かつ、ψ
    が−８０°〜−２０°である第１３の領域、φが１７．
    ５°〜２２．５°であり、θが２５°〜１１０°であ
    り、かつ、ψが−２０°〜４０°である第１４の領域、
    φが１７．５°〜２２．５°であり、θが１１５°〜１
    ５５°であり、かつ、ψが−８０°〜−４５°である第
    １５の領域、φが２２．５°〜２７．５°であり、θが
    ２５°〜７０°であり、かつ、ψが−８５°〜−２０°
    である第１６の領域、φが２２．５°〜２７．５°であ
    り、θが２５°〜１４５°であり、かつ、ψが−２０°
    〜４０°である第１７の領域、φが２２．５°〜２７．
    ５°であり、θが１１０°〜１５５°であり、かつ、ψ
    が−８０°〜−４０°である第１８の領域、φが２７．
    ５°〜３２．５°であり、θが２５°〜７０°であり、
    かつ、ψが−８５°〜−３０°である第１９の領域、φ
    が２７．５°〜３２．５°であり、θが３０°〜１５０
    °であり、かつ、ψが−３０°〜４０°である第２０の
    領域及びφが２７．５°〜３２．５°であり、θが１１
    ０°〜１５５°であり、かつ、ψが−８５°〜−３０°
    である第２１の領域のいずれか一の領域内に存在する弾
    性表面波装置用圧電基板。