JP2002118158A - 回路パターンの検査方法及び検査装置 - Google Patents

回路パターンの検査方法及び検査装置

Info

Publication number
JP2002118158A
JP2002118158A JP2001210150A JP2001210150A JP2002118158A JP 2002118158 A JP2002118158 A JP 2002118158A JP 2001210150 A JP2001210150 A JP 2001210150A JP 2001210150 A JP2001210150 A JP 2001210150A JP 2002118158 A JP2002118158 A JP 2002118158A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
image
circuit pattern
substrate
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001210150A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2002118158A5 (enrdf_load_stackoverflow
Inventor
Mari Nozoe
真理 野副
Hiroyuki Shinada
博之 品田
Katsuya Sugiyama
勝也 杉山
Atsuko Takato
敦子 高藤
Takashi Hiroi
高志 広井
Kazushi Yoshimura
和士 吉村
Aritoshi Sugimoto
有俊 杉本
Haruo Yoda
晴夫 依田
Katsuhiro Kuroda
勝廣 黒田
Yasutsugu Usami
康継 宇佐見
Maki Tanaka
麻紀 田中
Yutaka Kaneko
金子　　豊
Hiroshi Toyama
遠山　　博
Tadao Ino
忠雄 伊野
Yusuke Yajima
裕介 矢島
Masaaki Ando
公明 安藤
Shunji Maeda
俊二 前田
Hitoshi Kubota
仁志 窪田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2001210150A priority Critical patent/JP2002118158A/ja
Publication of JP2002118158A publication Critical patent/JP2002118158A/ja
Publication of JP2002118158A5 publication Critical patent/JP2002118158A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
JP2001210150A 1996-03-05 2001-07-11 回路パターンの検査方法及び検査装置 Withdrawn JP2002118158A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001210150A JP2002118158A (ja) 1996-03-05 2001-07-11 回路パターンの検査方法及び検査装置

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7524396 1996-03-05
JP8-141341 1996-06-04
JP14134196 1996-06-04
JP31037896 1996-11-21
JP8-310378 1996-11-21
JP9-33476 1997-02-18
JP3347697 1997-02-18
JP8-75243 1997-02-18
JP2001210150A JP2002118158A (ja) 1996-03-05 2001-07-11 回路パターンの検査方法及び検査装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04523497A Division JP3791095B2 (ja) 1996-03-05 1997-02-28 回路パターンの検査方法及び検査装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007000916A Division JP4274247B2 (ja) 1996-03-05 2007-01-09 回路パターンの検査方法及び検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002118158A true JP2002118158A (ja) 2002-04-19
JP2002118158A5 JP2002118158A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2005-02-03

Family

ID=27521527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001210150A Withdrawn JP2002118158A (ja) 1996-03-05 2001-07-11 回路パターンの検査方法及び検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002118158A (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004109788A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Dainippon Printing Co Ltd 擬似ｓｅｍ画像データの生成方法およびフォトマスクの欠陥検査方法
JP2006127903A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Applied Materials Inc 走査型電子顕微鏡及び試料観察方法
JP2006258445A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 Renesas Technology Corp 欠陥検査方法
JP2006351303A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Hitachi High-Technologies Corp パターン欠陥検査方法および装置
JP2007109490A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Jeol Ltd 荷電粒子線装置
WO2007086400A1 (ja) * 2006-01-25 2007-08-02 Ebara Corporation 試料表面検査方法及び検査装置
WO2007086398A1 (ja) * 2006-01-25 2007-08-02 Ebara Corporation 試料表面検査装置及び検査方法
JP2007212288A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Toshiba Corp パターン検査方法、パターン検査装置およびプログラム
US7635851B2 (en) 2005-09-13 2009-12-22 Hitachi High-Technologies Corporation Electron beam apparatus and method of generating an electron beam irradiation pattern
JP2011159636A (ja) * 2011-05-11 2011-08-18 Hitachi High-Technologies Corp パターン欠陥検査方法および装置
US8507857B2 (en) 2007-06-08 2013-08-13 Advantest Corp. Charged particle beam inspection apparatus and inspection method using charged particle beam
JP2014038864A (ja) * 2007-09-27 2014-02-27 Hitachi High-Technologies Corp 試料の検査，測定方法、及び走査電子顕微鏡
WO2020110276A1 (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
JP2021042410A (ja) * 2019-09-09 2021-03-18 日本電子株式会社 ３次元積層造形方法及び３次元積層造形装置
CN117637417A (zh) * 2024-01-24 2024-03-01 电子科技大学 一种使用光阑结构进行辅助聚焦的微焦点电子枪

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004109788A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Dainippon Printing Co Ltd 擬似ｓｅｍ画像データの生成方法およびフォトマスクの欠陥検査方法
JP2006127903A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Applied Materials Inc 走査型電子顕微鏡及び試料観察方法
JP2006258445A (ja) * 2005-03-15 2006-09-28 Renesas Technology Corp 欠陥検査方法
JP2006351303A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Hitachi High-Technologies Corp パターン欠陥検査方法および装置
US7635851B2 (en) 2005-09-13 2009-12-22 Hitachi High-Technologies Corporation Electron beam apparatus and method of generating an electron beam irradiation pattern
US8008622B2 (en) 2005-09-13 2011-08-30 Hitachi High-Technologies Corporation Electron beam apparatus and method of generating an electron beam irradiation pattern
JP2007109490A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Jeol Ltd 荷電粒子線装置
US8859984B2 (en) 2006-01-25 2014-10-14 Ebara Corporation Method and apparatus for inspecting sample surface
WO2007086400A1 (ja) * 2006-01-25 2007-08-02 Ebara Corporation 試料表面検査方法及び検査装置
JPWO2007086400A1 (ja) * 2006-01-25 2009-06-18 株式会社荏原製作所 試料表面検査方法及び検査装置
JP2007200658A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Ebara Corp 試料表面検査装置及び検査方法
US7952071B2 (en) 2006-01-25 2011-05-31 Ebara Corporation Apparatus and method for inspecting sample surface
WO2007086398A1 (ja) * 2006-01-25 2007-08-02 Ebara Corporation 試料表面検査装置及び検査方法
JP2013080722A (ja) * 2006-01-25 2013-05-02 Ebara Corp 試料表面検査方法及び検査装置
US8525127B2 (en) 2006-01-25 2013-09-03 Ebara Corporation Method and apparatus for inspecting sample surface
JP2007212288A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Toshiba Corp パターン検査方法、パターン検査装置およびプログラム
US8507857B2 (en) 2007-06-08 2013-08-13 Advantest Corp. Charged particle beam inspection apparatus and inspection method using charged particle beam
JP2014038864A (ja) * 2007-09-27 2014-02-27 Hitachi High-Technologies Corp 試料の検査，測定方法、及び走査電子顕微鏡
JP2011159636A (ja) * 2011-05-11 2011-08-18 Hitachi High-Technologies Corp パターン欠陥検査方法および装置
WO2020110276A1 (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
JPWO2020110276A1 (ja) * 2018-11-30 2021-10-14 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
US11735394B2 (en) 2018-11-30 2023-08-22 Hitachi High-Tech Corporation Charged particle beam apparatus
JP2021042410A (ja) * 2019-09-09 2021-03-18 日本電子株式会社 ３次元積層造形方法及び３次元積層造形装置
CN117637417A (zh) * 2024-01-24 2024-03-01 电子科技大学 一种使用光阑结构进行辅助聚焦的微焦点电子枪

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6559663B2 (en) Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern
JP3791095B2 (ja) 回路パターンの検査方法及び検査装置
JP4248382B2 (ja) 荷電粒子ビームによる検査方法および検査装置
US6583634B1 (en) Method of inspecting circuit pattern and inspecting instrument
US7521679B2 (en) Inspection method and inspection system using charged particle beam
US7696487B2 (en) Circuit pattern inspection apparatus
JP3823073B2 (ja) 電子線を用いた検査方法及び検査装置
JP2001313322A (ja) 荷電粒子ビームによる検査方法および検査装置
JP4006119B2 (ja) 回路パターン検査装置、および回路パターン検査方法
JP2002118158A (ja) 回路パターンの検査方法及び検査装置
JP4041630B2 (ja) 回路パターンの検査装置および検査方法
JP4274247B2 (ja) 回路パターンの検査方法及び検査装置
JP2005347281A (ja) 回路パターン検査装置
JP3493312B2 (ja) 回路パターンの検査装置および検査方法
JP3896996B2 (ja) 回路パターンの検査装置および検査方法
JP3876668B2 (ja) 電子線を用いた外観検査装置
JP3765988B2 (ja) 電子線式外観検査装置
JP2000188310A (ja) 回路パターン検査装置
JP2000164661A (ja) 回路パターンの検査装置
JP4090173B2 (ja) 回路パターン検査装置
JP2007281500A (ja) 回路パターンの検査装置、検査システム、および検査方法
JP2004157135A (ja) 回路パターンの検査方法及び検査装置
JP2005181347A (ja) 回路パターンの検査装置、検査システム、および検査方法
JP2003197141A (ja) 荷電粒子線を用いた検査装置および検査方法
JP2005223355A (ja) 回路パターン検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040226

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040226

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060418

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061107

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070424

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070621

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20070711

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20070831

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20090406