JP2002103203A

JP2002103203A - ヘッド研磨装置及びヘッド研磨方法

Info

Publication number: JP2002103203A
Application number: JP2000306633A
Authority: JP
Inventors: Makoto Aizawa; 誠相沢
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-10-02
Filing date: 2000-10-02
Publication date: 2002-04-09

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、各ヘッド素子をより一層効率良く高
い精度で均一に研磨し得るヘッド研磨装置及びヘッド研
磨方法を実現しようとするものである。【解決手段】同一面上に所定パターンで配置された複数
のヘッド素子を、回転するラップ盤に接触させながら一
括して研磨するヘッド研磨装置及びヘッド研磨方法にお
いて、各ヘッド素子を所定パターンのまま保持手段に保
持しておき、研磨開始後、保持手段の一端及び他端に位
置する各ヘッド素子の厚みの差が所定値以上であるか否
かを判断して、当該判断結果に応じて保持手段の一端又
は他端に対するラップ盤に近接する方向への加圧量を増
加又は減少させるように制御し、又は、保持手段の一端
又は他端に対する当該方向への加圧を停止するように制
御するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はヘッド研磨装置及び
ヘッド研磨方法に関し、例えばハードディスク装置に搭
載される磁気ヘッドの製造に用いられるヘッド研磨装置
に適用して好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、この種のハードディスク装置に搭
載される磁気ヘッドとして、従来の磁気コイルを用いた
薄膜ヘッドよりも記録密度を一層向上し得るＭＲ（Magn
etoresistive）ヘッドが幅広く採用されている。

【０００３】このＭＲヘッドは、例えばフェライト等の
高透磁率の磁性体からなるＭＲ素子をヘッド本体として
有し、当該ＭＲ素子の先端両側に設けられたわずかな隙
間をシールドで挟むようにしてギャップが形成されてい
る。

【０００４】かかるＭＲヘッドでは、ＭＲ素子に電流が
流されると、当該ＭＲ素子を形成する磁性体の磁化の向
きが電流を流した方向に対して変わることにより、当該
磁性体の抵抗が変化するようになされている。この場
合、電流の向きと磁化の向きとが平行の場合に磁性体の
抵抗が高くなる一方、互いに直角に向いた場合に磁性体
の抵抗が低くなる。

【０００５】実際にこのＭＲヘッドは、ギャップの深さ
（以下、これをデプス寸法と呼ぶ）によって当該ギャッ
プから出る記録磁界の強さや分布に影響が及ぶため、個
々の製品間で各ＭＲ素子に流される同一電流値の電流に
対して抵抗値にバラツキが生じないように、各ＭＲヘッ
ドごとにデプス寸法を予め所定長に設定しておく必要が
ある。

【０００６】このため同一製品としてのＭＲヘッドを大
量生産する場合には、ヘッド研磨装置を用いて、複数の
ＭＲヘッドにおける各ＭＲ素子の先端面を同時に研磨す
ることにより、当該各ＭＲ素子のデプス寸法が均一にな
るようになされている。

【０００７】かかるヘッド研磨装置では、図７（Ａ）及
び（Ｂ）に示すように、複数のＭＲ素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀
が所定間隔で順次一列に配置されると共に当該各ＭＲ素
子１Ａ間にそれぞれ厚みの応じて抵抗値が変化する抵抗
素子１Ｂ₁〜１Ｂ₃₀が配置された直線状のブロック（以
下、これをＭＲ素子ブロックと呼ぶ）２を、所定の保持
ユニット３（図８）の下面３Ａに固定保持しておき、Ｍ
Ｒ素子ブロック２がラップ盤（図示せず）に対向するよ
うに保持ユニット３を位置決めした状態で、当該保持ユ
ニット３を回転するラップ盤に対して近接又は離反方向
に揺動させることによってＭＲ素子ブロック２の各ＭＲ
素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀を研磨するようになされている。

【０００８】この保持ユニット３は、図８に示すよう
に、湾曲自在な金属材又は樹脂材でなる直方体形状から
なり、ＭＲ素子ブロック２の長手方向（すなわち各ＭＲ
素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀の配列方向）に対して垂直な両側面
には、当該両側面を貫通するように断面略Ω形状の間隙
穴３Ｈが形成されている。また保持ユニット３に形成さ
れた間隙穴３Ｈの下側所定位置には、当該間隙穴３Ｈと
平行に沿って貫通孔３Ｐが形成されると共に、当該貫通
孔３Ｐには金属製のシャフト３Ｓが介挿されている。

【０００９】このような保持ユニット３の上面３Ｂにお
ける左右両端の一方又は両方を所望の押圧力で下側に押
し付けると共に、保持ユニット３の中央に位置するシャ
フト３Ｓを所望の押圧力で上側に押し上げることによ
り、当該保持ユニット３の下面３Ａに固定保持されてい
るＭＲ素子ブロック２の傾斜方向及びその度合いを所望
状態に調整し得るようになされている。

【００１０】このときＭＲ素子ブロック２の傾斜方向及
びその度合いは、ＭＲ素子ブロック２における各ＭＲ素
子１Ａ₁〜１Ａ₃₀間に配置された複数の抵抗素子１Ｂ₁
〜１Ｂ₃₀のうち、当該ＭＲ素子ブロック２の両端及び中
央に位置する各抵抗素子１Ｂ₁及び１Ｂ₃₀の抵抗値を測
定した後、当該測定結果に基づいて検出するようになさ
れている。

【００１１】具体的にはＭＲ素子ブロック２の両端（左
右端）及び中央に位置する３箇所の抵抗素子１Ｂ₁、１
Ｂ₃₀及び１Ｂ₁₅の抵抗値をそれぞれＬ、Ｒ及びＭとする
とき、次式

【００１２】

【数１】

【００１３】で表される重心抵抗値（Math-Point）ＭＰ
を、これら３点抵抗値の代表値として求めておき、当該
重心抵抗値ＭＰの変化に応じて研磨状態を制御すること
により、各ＭＲ素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀のデプス寸法を均一
にし得るようになされている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、実際にかか
るヘッド研磨装置５では、図９に示すように、ＭＲ素子
ブロック２を研磨するにあたって、所定速度で矢印ａ方
向に回転しているラップ盤６に対して、先端に保持ユニ
ット３が取り付けられたアーム台７を所定速度で矢印ｂ
方向又は逆方向に揺動させることにより、当該保持ユニ
ット３に保持されているＭＲ素子ブロック２をラップ盤
６に接触させる。

【００１５】このときヘッド研磨装置５は、まず上述し
た重心抵抗値ＭＰが所定値に達するのを確認した段階
で、ＭＲ素子ブロック２の左右端に位置する双方の抵抗
素子１Ｂ₁及び１Ｂ₃₀の抵抗値Ｌ、Ｒの差の絶対値｜Ｌ
−Ｒ｜をみながら、当該絶対値｜Ｌ−Ｒ｜が所定値以上
に達したときには、保持ユニット３における抵抗値の小
さい方（すなわちデプス寸法が長い方）の側の加圧を止
めるように制御（以下、これをバランス制御と呼ぶ）す
る。

【００１６】これと同時にヘッド研磨装置５では、ＭＲ
素子ブロック２の左右端に位置する双方の抵抗素子１Ｂ
₁及び１Ｂ₃₀の抵抗値Ｌ、Ｒの平均値（Ｌ＋Ｒ）／２と
ＭＲ素子ブロック２の中央に位置する抵抗素子１Ｂ₁₅の
抵抗値Ｍとの差の絶対値｜Ｍ−（Ｌ＋Ｒ）／２｜を求め
た後、当該差の絶対値｜Ｍ−（Ｌ＋Ｒ）／２｜が設定値
以上に達したときには、当該値｜Ｍ−（Ｌ＋Ｒ）／２｜
が０近辺を維持するように、保持ユニット３の中央が上
側又は下側に撓むようにシャフト３Ｓの上下方向の加圧
量を制御（以下、これをベンド制御と呼ぶ）する。

【００１７】このようにヘッド研磨装置５は、ＭＰ素子
ブロック２の各ＭＰ素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀を対応する抵抗
素子１Ｂ₁〜１Ｂ₃₀と共に研磨しながら、重心抵抗値Ｍ
Ｐが所定値になったとき、ラップ盤６の回転速度及び保
持ユニット３の揺動速度をそれぞれ低減させると共に、
スラリーの供給を停止する一方、オイル滴下を開始する
ことによって加工レートを下げるようにする。

【００１８】そしてヘッド研磨装置５は、現時点でのバ
ランス制御及びベンド制御された状態を保ちつつ、重心
抵抗値ＭＰが目標値となるまで、保持ユニット３を揺動
させながらＭＲ素子ブロック２をラップ盤６に接触させ
て研磨することにより、ＭＲ素子ブロック２の各ＭＲ素
子１Ａ₁〜１Ａ₃₀のデプス寸法を均一にすることができ
る。

【００１９】ところが、このヘッド研磨装置５では、上
述した重心抵抗値ＭＰが所定値に達した段階で、バラン
ス制御及びベンド制御を同時に行うため、バランス制御
の途中でＭＲ素子ブロック２の左右端の一方がまだ加工
されていない時点において、ベンド制御が開始される場
合があり、この場合には保持ユニット３を誤った方向に
加圧してＭＲ素子ブロック２を当該誤った方向に曲げた
状態で研磨させてしまうおそれがあった。

【００２０】またＭＲ素子ブロック２の左右両端に位置
する抵抗素子１Ｂ₁及び１Ｂ₃₀の抵抗値の差が大きい場
合には、バランス制御に長時間を有し、この結果、ベン
ド制御に遅れを引き起こすおそれがあった。

【００２１】一方、ＭＲ素子ブロック２にそれぞれ位置
する各抵抗素子１Ｂ₁〜１Ｂ₃₀の目標値となる近辺で
は、抵抗値変化の著しい部分であるため、いわゆるオー
バーランをして各ＭＲ素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀を研磨し過ぎ
るおそれがあった。

【００２２】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、各ヘッド素子をより一層効率良く高い精度で均一に
研磨し得るヘッド研磨装置及びヘッド研磨方法を提案し
ようとするものである。

【００２３】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、同一面上に所定パターンで配置さ
れた複数のヘッド素子を、回転するラップ盤に接触させ
ながら一括して研磨するヘッド研磨装置において、各ヘ
ッド素子を所定パターンのまま保持する保持手段と、保
持手段の一端及び他端をそれぞれラップ盤に近接する方
向に加圧する加圧手段と、加圧手段における保持手段の
一端及び他端に対する加圧量をそれぞれ制御する制御手
段とを設け、制御手段は、研磨開始後、保持手段の一端
及び他端に位置する各ヘッド素子の厚みの差が所定値以
上であるか否かを判断し、肯定結果が得られたときに
は、厚みが大きい方のヘッド素子に対応する保持手段の
一端又は他端に対する加圧量を増加させると共に、厚み
が小さい方のヘッド素子に対応する保持手段の他端又は
一端に対する加圧量を減少させるように加圧手段を制御
する一方、否定結果が得られたときには、厚みが小さい
方のヘッド素子に対応する保持手段の一端又は他端に対
する加圧を停止するように加圧手段を制御するようにし
た。

【００２４】この結果このヘッド研磨装置では、研磨開
始後に保持手段の一端及び他端に位置する各ヘッド素子
の厚みが異なる場合でも、当該厚みの差に応じて保持手
段の一端又は他端への加圧量に差を設けて制御すること
ができ、かくして研磨開始後直ぐに保持手段の一端及び
他端に位置する各ヘッド素子の厚みをほぼ揃えることが
できる。その際、研磨加工中に保持手段の一端及び他端
に位置する各ヘッド素子における研磨加工のバランスが
所定の度合い以上に崩れた場合でも、厚みが小さい方の
ヘッド素子に対応する保持手段の一端又は他端に対する
加圧を停止するように制御することができ、各ヘッド素
子の研磨加工の度合いを一端及び他端でほぼ均等にさせ
ることができる。

【００２５】また本発明においては、同一面上に所定パ
ターンで配置された複数のヘッド素子を、回転するラッ
プ盤に接触させながら一括して研磨するヘッド研磨装置
において、各ヘッド素子を所定パターンのまま保持する
保持手段と、保持手段の一端及び他端をそれぞれラップ
盤に近接する方向に加圧すると共に、保持手段の中央を
ラップ盤から離反する方向に加圧する加圧手段と、加圧
手段における保持手段の一端、他端及び中央に対する加
圧量をそれぞれ制御する制御手段とを設け、制御手段
は、研磨開始後、保持手段の中央に位置するヘッド素子
の厚みが所望の目標値に近い所定値以下であるか否かを
判断し、否定結果が得られたときには、保持手段の中央
に位置するヘッド素子の厚みが当該保持手段の一端及び
他端に位置する各ヘッド素子の厚みと等しくなるように
加圧手段を制御する一方、肯定結果が得られたときに
は、保持手段の中央に位置するヘッド素子の厚みが目標
値に達する直前のタイミングで保持手段の中央に対する
加圧を停止するように加圧手段を制御するようにした。

【００２６】この結果このヘッド研磨装置では、研磨加
工中に保持手段の一端及び他端に位置する各ヘッド素子
における研磨加工の度合いがほぼ均等になっても、当該
一端及び他端に対して中央の研磨加工の度合いが大きい
又は小さい場合には、保持手段の中央をラップ盤に対し
て近接又は離反する方向に撓ませるようにして制御する
ことができ、かくして各ヘッド素子の研磨加工の度合い
を一端及び他端のみならず中央をもほぼ均等にさせるこ
とができる。この後、保持手段の中央に位置するヘッド
素子の厚みが目標値に達する直前のタイミングで保持手
段の中央に対する加圧を停止するように制御することが
でき、かくしていわゆるオーバーランをするのを未然に
防止して、ヘッド素子を過剰に削り過ぎるのを回避でき
る。

【００２７】さらに本発明においては、同一面上に所定
パターンで配置された複数のヘッド素子を、回転するラ
ップ盤に接触させながら一括して研磨するヘッド研磨方
法において、各ヘッド素子を所定パターンのまま保持手
段に保持しておき、研磨開始後、保持手段の一端及び他
端に位置する各ヘッド素子の厚みの差が所定値以上であ
るか否かを判断する第１のステップと、肯定結果が得ら
れたときには、厚みが大きい方のヘッド素子に対応する
保持手段の一端又は他端に対するラップ盤に近接する方
向への加圧量を増加させると共に、厚みが小さい方のヘ
ッド素子に対応する保持手段の他端又は一端に対する当
該方向への加圧量を減少させるように制御する一方、否
定結果が得られたときには、厚みが小さい方のヘッド素
子に対応する保持手段の一端又は他端に対する当該方向
への加圧を停止するように制御する第２のステップとを
設けるようにした。

【００２８】この結果このヘッド研磨方法では、研磨開
始後に保持手段の一端及び他端に位置する各ヘッド素子
の厚みが異なる場合でも、当該厚みの差に応じて保持手
段の一端又は他端への加圧量に差を設けて制御すること
ができ、かくして研磨開始後直ぐに保持手段の一端及び
他端に位置する各ヘッド素子の厚みをほぼ揃えることが
できる。その際、研磨加工中に保持手段の一端及び他端
に位置する各ヘッド素子における研磨加工のバランスが
所定の度合い以上に崩れた場合でも、厚みが小さい方の
ヘッド素子に対応する保持手段の一端又は他端に対する
加圧を停止するように制御することができ、各ヘッド素
子の研磨加工の度合いを一端及び他端でほぼ均等にさせ
ることができる。

【００２９】さらに本発明においては、同一面上に所定
パターンで配置された複数のヘッド素子を、回転するラ
ップ盤に接触させながら一括して研磨するヘッド研磨方
法において、各ヘッド素子を所定パターンのまま保持手
段に保持しておき、研磨開始後、保持手段の中央に位置
するヘッド素子の厚みが所望の目標値に近い所定値以下
であるか否かを判断する第１のステップと、否定結果が
得られたときには、保持手段の中央に位置するヘッド素
子の厚みが当該保持手段の一端及び他端に位置する各ヘ
ッド素子の厚みと等しくなるようにラップ盤から離反す
る方向への加圧量を制御する一方、肯定結果が得られた
ときには、保持手段の中央に位置するヘッド素子の厚み
が目標値に達する直前のタイミングで保持手段の中央に
対する当該方向への加圧を停止するように制御する第２
のステップとを設けるようにした。

【００３０】この結果このヘッド研磨方法では、研磨加
工中に保持手段の一端及び他端に位置する各ヘッド素子
における研磨加工の度合いがほぼ均等になっても、当該
一端及び他端に対して中央の研磨加工の度合いが大きい
又は小さい場合には、保持手段の中央をラップ盤に対し
て近接又は離反する方向に撓ませるようにして制御する
ことができ、かくして各ヘッド素子の研磨加工の度合い
を一端及び他端のみならず中央をもほぼ均等にさせるこ
とができる。この後、保持手段の中央に位置するヘッド
素子の厚みが目標値に達する直前のタイミングで保持手
段の中央に対する加圧を停止するように制御することが
でき、かくしていわゆるオーバーランをするのを未然に
防止して、ヘッド素子を過剰に削り過ぎるのを回避でき
る。

【００３１】さらに本発明においては、保持手段の一端
及び他端に位置する各ヘッド素子の厚みの初期値を検出
しておき、研磨開始直後、いずれか一方のヘッド素子の
厚みが所定値だけ減少したときに、他方のヘッド素子が
ラップ盤に所定距離だけ近づくように加圧手段を制御す
るようにした。この結果このヘッド研磨装置及びその方
法では、研磨開始後に保持手段の一端及び他端に位置す
る各ヘッド素子の厚みが異なる場合でも、当該厚みの差
に応じて保持手段の一端又は他端への加圧量に差を設け
るように制御することができ、かくして研磨開始後直ぐ
に保持手段の一端及び他端に位置する各ヘッド素子の厚
みをほぼ揃えることができる。

【００３２】さらに本発明においては、ラップ盤の回転
に応じて生じる内外周での研磨量の差を予め測定してお
き、各制御をそれぞれ実行した後であっても、研磨量の
差に基づいて、保持手段の一端及び他端に位置する各ヘ
ッド素子の厚みの差をなくすように加圧手段を制御する
ようにした。この結果このヘッド研磨装置及びその方法
では、保持手段の一端、他端及び中央に位置する各ヘッ
ド素子の厚みをそれぞれ維持するような制御を実行した
後、ラップ盤の回転に応じて生じる内外周での研磨量の
差を考慮しながら研磨加工を行うことができ、かくして
制御完了時点であっても保持手段の一端及び他端に位置
する各ヘッド素子の厚みにバラツキが生じないように研
磨加工することができる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施の形態を詳述する。

【００３４】（１）本実施の形態によるヘッド研磨装置
の構成図１において、１０は全体として本実施の形態によるヘ
ッド研磨装置を示し、ラップ盤装置１１に対して２台の
アーム型加圧機１２Ａ、１２Ｂが所定の位置関係で配設
されている。ラップ盤装置１１は、図示しない制御部の
制御下において、円盤状のラップ盤１３を設定された回
転速度で矢印ａ方向又はこれと逆方向に回転させ得ると
共に、当該ラップ盤１３上にスラリーの供給及びオイル
の滴下を所定タイミングで行い得るようになされてい
る。

【００３５】各アーム型加圧機１２Ａ、１２Ｂは、ラッ
プ盤１３に固定保持された基台１４Ａ、１４Ｂを有し、
当該基台１４Ａ、１４Ｂには保持用アーム１５Ａ、１５
Ｂが矢印ｃ方向又はこれと逆方向に回動自在に取り付け
られている。この保持用アーム１５Ａ、１５Ｂには、先
端に上述した保持ユニット３（図８）が取り付けられて
おり、ユニット駆動部１６Ａ、１６Ｂの駆動に応じて矢
印ｄ方向又はこれと逆方向に揺動し得るようになされて
いる。

【００３６】ユニット駆動部１６Ａ（１６Ｂ）は、３個
のアクチュエータ１７Ａ₁〜１７Ａ₃を有し、当該各ア
クチュエータ１７Ａ₁〜１７Ａ₃の出力軸にはそれぞれ
伝達機構部１８Ａ₁〜１８Ａ₃を介して押圧治具１９Ａ
₁〜１９Ａ₃が取り付けられている。これら３種類の押
圧治具１９Ａ₁〜１９Ａ₃は、保持ユニット３（図８）
の上面３Ｂにおける左右両端と、保持ユニット３の中央
に介挿されているシャフト３Ｓにそれぞれ係合されてお
り、それぞれ対応するアクチュエータ１７Ａ₁〜１７Ａ
₃の駆動に応じて、保持ユニット３（図８）の上面３Ｂ
における左右両端をそれぞれ所望の押圧力で下側方向
（矢印ｚ方向）に押し付けると共に、保持ユニット３の
中央に介挿されているシャフト３Ｓを所望の押圧力で上
側方向（矢印ｚと逆方向）に押し上げて保持ユニット３
の下面３Ａを同方向に撓ませる。

【００３７】このように各アーム型加工機１２Ａ、１２
Ｂでは、制御部（図示せず）の制御の下、ユニット駆動
部１６Ａ、１６Ｂが３個のアクチュエータ１７Ａ₁〜１
７Ａ₃をそれぞれ別個に駆動制御することにより、対応
する各押圧治具１９Ａ₁〜１９Ａ₃の上下移動に応じ
て、保持ユニット３の下面３Ａに固定保持されたＭＲ素
子ブロック２の傾斜方向及びその度合いを所望状態に調
整し得るようになされている。

【００３８】かくしてヘッド研磨装置１０では、ラップ
盤装置１１において所定速度で回転しているラップ盤１
３に対して、各アーム型加工機１２Ａ、１２Ｂの保持用
アーム１５Ａ、１５Ｂを所定速度で揺動させるようにし
て、保持ユニット３に保持されているＭＲ素子ブロック
２をラップ盤１３上に接触させながら当該ＭＲ素子ブロ
ック２の各ＭＲ素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀を均一に研磨するよ
うになされている。

【００３９】（２）本実施の形態による研磨加工処理手
順実際にヘッド研磨装置１０では、制御部は、図３に示す
研磨加工処理手順ＲＴ１をステップＳＰ０から開始し、
続くステップＳＰ１において、初期設定速度でラップ盤
１３を回転させながら、当該ラップ盤１３にスラリーを
供給しつつ、保持ユニット３を初期設定速度で揺動させ
ながら、当該保持ユニット３に保持されているＭＲ素子
ブロック２をラップ盤１３に所定時間接触させるように
して、当該ＭＲ素子ブロック２の表面に生じているバリ
を除去する。

【００４０】続いて制御部は、ステップＳＰ２に進ん
で、ＭＲ素子ブロック２の左右両端に位置する２箇所の
抵抗素子１Ｂ₁及び１Ｂ₃₀に抵抗値Ｌ、Ｒの初期値を検
出しておき、研磨開始後、いずれか一方の抵抗素子１Ｂ
₁又は１Ｂ₃₀の抵抗値が所定値だけ増加したときに当該
抵抗素子１Ｂ₁又は１Ｂ₃₀に対応するＭＲ素子１Ａ₁又
は１Ａ₃₀が研磨し始めたと判断して、他方の研磨されて
いないＭＲ素子１Ａ₃₀又は１Ａ₁がラップ盤１３に所定
距離だけ近づくように、対応するアクチュエータ１７Ａ
₁又は１７Ａ₃に対して所定値だけ供給電圧値を増加さ
せる。

【００４１】この結果、研磨開始後に、ＭＲ素子ブロッ
ク２の左端又は右端のいずれか一方が削れ始めているに
もかかわらず、他方が未だ削れていないときには、当該
削れていない方の保持ユニット３を加圧するためのアク
チュエータ１７Ａ₁又は１７Ａ₃を駆動制御することに
よって、ＭＲ素子ブロック２の左右両端が揃って削れ始
めるポイントを早期に検出することができる。

【００４２】続いて制御部は、ステップＳＰ３に進ん
で、ＭＲ素子ブロック２の左右両端及び中央に位置する
３箇所の抵抗素子１Ｂ₁、１Ｂ₃₀及び１Ｂ₁₅の抵抗値
Ｌ、Ｒ及びＭに基づいて、これらの代表値である重心抵
抗値（Math-Point）ＭＰ（式１）を求め、ＭＲ素子ブロ
ック２の研磨状態に応じて重心抵抗値ＭＰの変化を検出
する。

【００４３】このときのＭＲ素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀のデプ
ス寸法と当該ＭＲ素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀に対応する抵抗素
子１Ｂ₁〜１Ｂ₃₀との相関関係は、図４に示すようなグ
ラフとして表され、研磨中のＭＲ素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀の
デプス寸法が短くなるにつれて、対応する抵抗素子１Ｂ
₁〜１Ｂ₃₀の抵抗値が増加するといった特徴があること
がわかる。

【００４４】やがて制御部は、ステップＳＰ４に進ん
で、ＭＲ素子ブロック２の左右両端に位置する各抵抗素
子１Ｂ₁、１Ｂ₃₀の抵抗値Ｌ、Ｒの差の絶対値｜Ｌ−Ｒ
｜を計算しながら、当該絶対値｜Ｌ−Ｒ｜の大きさに応
じて、保持ユニット３における抵抗値の小さい方（すな
わちデプス寸法が長い方）の側（左端又は右端）に対応
するアクチュエータ１７Ａ₁又は１７Ａ₃への供給電圧
を所定の割合で増加させる（以下、これを比例バランス
制御と呼ぶ）ことにより、当該保持ユニット３における
抵抗値の小さい方の側への加圧量が増加する分だけ研磨
量が増加する。

【００４５】この結果、研磨開始後にＭＲ素子ブロック
２の左右両端でＭＲ素子１Ａ₁、１Ａ₃₀のデプス寸法が
異なる場合には、当該デプス寸法の差に応じて、保持ユ
ニット３の左端又は右端への加圧量に差を設けることに
より、研磨開始後直ぐにＭＲ素子ブロック２の左右両端
におけるＭＲ素子１Ａ₁、１Ａ₃₀のデプス寸法をほぼ揃
えることができる。

【００４６】その際、制御部は、ステップＳＰ５におい
て、重心抵抗値ＭＰが所定値に達したか否かを判断し、
肯定結果が得られたときのみ、ラップ盤１３の回転速度
及び保持ユニット３の揺動速度をそれぞれ低減させると
共に、スラリーの供給を停止する一方、オイル滴下を開
始することによって加工レートを下げる。その後、制御
部は、そのままステップＳＰ６に進んで、上述したバラ
ンス制御（以下、これを通常バランス制御と呼ぶ）を実
行すると共にステップＳＰ７に進む。一方、ステップＳ
Ｐ５において否定結果が得られたときには、制御部は、
このまま肯定結果が得られるのを待つ。

【００４７】すなわち制御部は、このステップＳＰ６に
おいて、ＭＲ素子ブロック２の左右端に位置する双方の
抵抗素子１Ｂ₁、１Ｂ₃₀の抵抗値Ｌ、Ｒの差の絶対値｜
Ｌ−Ｒ｜を計算しつつ、当該絶対値｜Ｌ−Ｒ｜が所定値
以上に達したときには、保持ユニット３における抵抗値
の小さい方（すなわちデプス寸法が長い方）の側（左端
又は右端）の加圧を止めるように、当該保持ユニット３
の上面における左端又は右端に対応するアクチュエータ
１７Ａ₁又は１７Ａ₃を駆動制御する。

【００４８】この結果、研磨加工中にＭＲ素子ブロック
２の左右両端における研磨加工のバランスが所定の度合
い以上に崩れた場合には、保持ユニット３におけるデプ
ス寸法の短い側の加圧を停止させることにより、ＭＲ素
子ブロック２の研磨加工の度合いを左右両端でほぼ均等
にさせることができる。

【００４９】さらに制御部は、ステップＳＰ７におい
て、ＭＲ素子ブロック２の中央に位置する抵抗素子１Ｂ
₁₅の抵抗値Ｍの初期値及び当該抵抗値Ｍの変化量に基づ
いて、当該中央が研磨され始めたが否かを判断し、肯定
結果が得られた場合のみステップＳＰ８に進んで、上述
したベンド制御（以下、これをラフベンド制御と呼ぶ）
を実行する。一方、ステップＳＰ７において否定結果が
得られたときには、制御部は、このまま肯定結果が得ら
れるのを待つ。

【００５０】このステップＳＰ８において、制御部は、
ＭＲ素子ブロック２の左右端に位置する双方の抵抗素子
１Ｂ₁、１Ｂ₃₀の抵抗値Ｌ、Ｒの平均値（Ｌ＋Ｒ）／２
とＭＲ素子ブロック２の中央に位置する抵抗素子１Ｂ₁₅
の抵抗値Ｍとの差の絶対値｜Ｍ−（Ｌ＋Ｒ）／２｜を求
めた後、当該差の絶対値｜Ｍ−（Ｌ＋Ｒ）／２｜が設定
値以上に達したときには、当該値｜Ｍ−（Ｌ＋Ｒ）／２
｜が０近辺を維持するように、保持ユニット３の中央に
介挿されているシャフト３Ｓに対応するアクチュエータ
１７Ａ₂を駆動制御する。

【００５１】この結果、研磨加工中にＭＲ素子ブロック
２の左右両端における研磨加工の度合いがほぼ均等にな
っても、当該左右両端に対して中央の研磨加工の度合い
が大きい又は小さい場合には、シャフト３Ｓを上方向又
は下方向にその加圧量を調整しながら移動させるように
して、保持ユニット３の中央を上方向又は下方向に撓ま
せることにより、ＭＲ素子ブロック２の研磨加工の度合
いを左右両端のみならず中央をもほぼ均等にさせること
ができる。

【００５２】この後、制御部は、ステップＳＰ９に進ん
で、上述したラフベンド制御によってＭＲ素子ブロック
２の左右端に位置する双方の抵抗素子１Ｂ₁、１Ｂ₃₀の
抵抗値Ｌ、Ｒの平均値（Ｌ＋Ｒ）／２とＭＲ素子ブロッ
ク２の中央に位置する抵抗素子１Ｂ₁₅の抵抗値Ｍとの差
の絶対値｜Ｍ−（Ｌ＋Ｒ）／２｜が０近辺で維持されて
いるが、当該絶対値｜Ｍ−（Ｌ＋Ｒ）／２｜が限りなく
０に近い所定値に達したタイミングで、保持ユニット３
の中央に介挿されているシャフト３Ｓに対応するアクチ
ュエータ１７Ａ₂を駆動停止するように制御する（以
下、これをファインベンド制御と呼ぶ）。

【００５３】この前提として、ＭＲ素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀
のデプス寸法と当該ＭＲ素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀に対応する
抵抗素子１Ｂ₁〜１Ｂ₃₀との相関関係は、上述した図４
に示すように、デプス寸法が短くなるにつれて抵抗素子
１Ｂ₁〜１Ｂ₃₀の抵抗値の上昇率が高くなっており、こ
のため各抵抗素子１Ｂ₁〜１Ｂ₃₀の目標値（例えば３５
〔Ω〕）近辺における抵抗値の変化の激しい部位では、
当該目標値に達したときに制御を停止しても、いわゆる
オーバーランしてしまいＭＲ素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀を削り
すぎるおそれがあった。

【００５４】このため制御部は、ＭＲ素子ブロック２の
中央に位置する抵抗素子１Ｂ₁₅の抵抗値Ｍについて、目
標値近辺での抵抗値の変化を予測しておき、当該目標値
に達する直前のタイミングで上述のようなファインベン
ド制御を実行する。

【００５５】因みに図５及び図６において、研磨加工処
理手順ＲＴ１による経過時間と抵抗素子１Ｂ₁、１Ｂ₃₀
及び１Ｂ₁₅の各抵抗値Ｒ、Ｌ及びＭとの関係をグラフと
して示す。図６は図５における目標値近傍の部位の詳細
を示したものである。このようなグラフからもわかるよ
うに、抵抗素子１Ｂ₁₅の抵抗値Ｍについて目標値近辺で
の抵抗値の変化を予測しておくことが可能となる。

【００５６】続いて制御部は、通常バランス制御及びフ
ァインベンド制御を実行することによって、ＭＲ素子ブ
ロック２の左右両端及び中央に位置する３箇所の抵抗素
子１Ｂ₁、１Ｂ₃₀及び１Ｂ₁₅に抵抗値Ｌ、Ｒ及びＭの抵
抗値をそれぞれ維持しながらステップＳＰ１０に進む。

【００５７】このステップＳＰ１０において、制御部
は、ラップ盤１３の回転に応じて生じる内外周での研磨
量の差を、ＭＲ素子ブロック２の左右端に位置する抵抗
素子１Ｂ₁及び１Ｂ₃₀の抵抗値の差として予め測定して
おき、通常バランス制御及びファインベンド制御の完了
時点であっても当該差に基づいて、ＭＲ素子ブロック２
の左右端にバラツキが生じないように重心抵抗値ＭＰを
目標値まで研磨加工する（以下、これを左右オフセット
加工と呼ぶ）。

【００５８】この結果、面仕上げに入る直前までに、ラ
ップ盤１３の回転に応じて生じる内外周での研磨量の差
に基づき予測しておいた各アーム型加圧機１２Ａ、１２
Ｂごとに固有な値を、ＭＲ素子ブロック２の左端又は右
端に位置する抵抗素子１Ｂ₁又は１Ｂ₃₀の抵抗値の差と
なるようにつけておくことにより、最終の面仕上げ時に
おいて双方の抵抗素子１Ｂ₁、１Ｂ₃₀の抵抗値Ｌ、Ｒに
差が生じるのを未然に回避することができる。

【００５９】この後、制御部は、ステップＳＰ１１に進
んで、ラップ盤１３の回転及び保持ユニット３の揺動を
それぞれ停止させると共に、スラリーの供給を停止する
ようにして、当該研磨加工処理手順ＲＴ１を終了する。

【００６０】かくしてヘッド研磨装置１０では、ラップ
盤装置１１において所定速度で回転しているラップ盤１
３に対して、保持ユニット３に保持されているＭＲ素子
ブロック２を接触させながら当該ＭＲ素子ブロック２の
各ＭＲ素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀を研磨したときに、ＭＲ素子
ブロック２の各ＭＲ素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀のデプス寸法を
均一にすることができる。

【００６１】（３）研磨加工処理手順の実施例上述した図３に示す研磨加工処理手順ＲＴ１において、
ステップＳＰ１では、ラップ盤１３の回転速度における
初期設定速度は30〔rpm 〕であり、保持ユニット３の揺
動速度における初期設定速度は 1.5〔秒／往復〕であ
り、ＭＲ素子ブロック２をラップ盤１３に接触させる所
定時間は10.0〔秒〕とすれば、当該ＭＲ素子ブロック２
の表面に生じているバリを除去することができると確認
された。

【００６２】続いてステップＳＰ２では、研磨開始後、
ＭＲ素子ブロック２の左右両端に位置する２箇所の抵抗
素子１Ｂ₁、１Ｂ₃₀に抵抗値Ｌ、Ｒのいずれか一方の抵
抗素子１Ｂ₁又は１Ｂ₃₀の抵抗値が 0.2〔Ω〕だけ増加
したときに当該抵抗素子１Ｂ₁又は１Ｂ₃₀に対応するＭ
Ｒ素子１Ａ₁又は１Ａ₃₀が研磨し始めたと判断して、他
方の研磨されていないＭＲ素子１Ａ₃₀又は１Ａ₁がラッ
プ盤１３に所定距離だけ近づくように、対応するアクチ
ュエータ１７Ａ₁又は１７Ａ₃に対して 0.5〔Ｖ〕だけ
供給電圧値を増加させるようにした。

【００６３】またステップＳＰ４では、比例バランス制
御において、保持ユニット３における抵抗値の小さい方
（すなわちデプス寸法が長い方）の側（左端又は右端）
に対応するアクチュエータ１７Ａ₁又は１７Ａ₃への供
給電圧の増加させる割合を、0.1〔Ω〕ごとに 0.1
〔Ｖ〕とした。さらにステップＳＰ５では、重心抵抗値
ＭＰが22.0〔Ω〕に達した場合に、ラップ盤１３の回転
速度を15〔rpm 〕及び保持ユニット３の揺動速度を３
〔秒／往復〕にそれぞれ低減させるとこととした。

【００６４】さらにステップＳＰ７では、ＭＲ素子ブロ
ック２の中央に位置する抵抗素子１Ｂ₁₅の抵抗値Ｍの初
期値及び当該抵抗値Ｍの変化量（ 0.1〔Ω〕）に基づい
て、当該中央が研磨され始めたと判断して、ラフベンド
制御を実行するようにした。さらにステップＳＰ８で
は、ＭＲ素子ブロック２の左右端に位置する双方の抵抗
素子１Ｂ₁、１Ｂ₃₀の抵抗値Ｌ、Ｒの平均値とＭＲ素子
ブロック２の中央に位置する抵抗素子１Ｂ₁₅の抵抗値Ｍ
との差の絶対値｜Ｍ−（Ｌ＋Ｒ）／２｜が 0.1〔Ω〕以
上に達したときには、当該値｜Ｍ−（Ｌ＋Ｒ）／２｜が
０近辺を維持するように制御することとした。

【００６５】さらにステップＳＰ９では、重心抵抗値Ｍ
Ｐが29.0〔Ω〕のとき、ラフベンド制御からファインベ
ンド制御に移行するようにした。また各抵抗素子１Ｂ₁
〜１Ｂ₃₀の目標値としての抵抗値を35.0〔Ω〕とすると
共に、ファインベンド制御について、ＭＲ素子ブロック
２の中央に位置する抵抗素子１Ｂ₁₅の抵抗値Ｍにおける
目標値近辺での抵抗値の変化を0.05〔Ω〕と予測するこ
ととした。

【００６６】さらにステップＳＰ１０では、重心抵抗値
ＭＰが33.0〔Ω〕のとき、ファインベンド制御から面仕
上げ処理に移行するようにした。面仕上げに入る直前ま
でに、ラップ盤１３の回転に応じて生じる内外周での研
磨量の差に基づき予測しておいた各アーム型加圧機１２
Ａ、１２Ｂごとに固有な値を0.8 〜1.5 〔Ω〕とした。

【００６７】このようにして、ヘッド研磨装置１０で
は、ＭＲ素子ブロック２を左右両端及び中央の３ポイン
トに対応する抵抗素子１Ｂ₁、１Ｂ₃₀及び１Ｂ₁₅の抵抗
値Ｌ、Ｒ及びＭを保持ユニット３を３点ベンド方式で撓
ませながら調整するようにして研磨加工を行った結果、
実際上、各ＭＲ素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀のデプス寸法を８
〔μｍ〕から0.7 〔μｍ〕まで研磨する所要時間は、従
来では30分程度かかっていたのに対して、本実施例では
15〜20分で行えることが確認された。さらにＭＲ素子ブ
ロック２の左右両端のデプス寸法の差が５〔μｍ〕程度
までなら各ＭＲ素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀の均一な研磨が可能
となり、従来では３〔μｍ〕でも困難であったのに対し
て許容範囲が拡大されたことも確認された。

【００６８】（４）本実施の形態による動作及び効果以上の構成において、このヘッド研磨装置１０では、制
御部は、ラップ盤１３に対するＭＲ素子ブロック２の研
磨開始時、まずＭＲ素子ブロック２の左右両端が共に削
れ始めたのを確認した後、ＭＲ素子ブロック２の左右両
端及び中央に位置する３箇所の抵抗素子１Ｂ₁、１Ｂ₃₀
及び１Ｂ₁₅から得られる重心抵抗値ＭＰについて、これ
ら抵抗素子１Ｂ₁、１Ｂ₃₀及び１Ｂ₁₅の研磨状態に応じ
た変化を検出する。

【００６９】続いて制御部は、研磨開始後にＭＲ素子ブ
ロック２の左右両端でＭＲ素子１Ａ₁、１Ａ₃₀のデプス
寸法が異なる場合でも、当該デプス寸法の差に応じて保
持ユニット３の左端又は右端への加圧量に差を設けるよ
うに比例バランス制御を実行することにより、研磨開始
後直ぐにＭＲ素子ブロック２の左右両端におけるＭＲ素
子１Ａ₁、１Ａ₃₀のデプス寸法をほぼ揃えることができ
る。

【００７０】その際、制御部は、研磨加工中にＭＲ素子
ブロック２の左右両端における研磨加工のバランスが所
定の度合い以上に崩れた場合でも、保持ユニット３にお
けるデプス寸法の短い側の加圧を停止させるように通常
バランス制御を実行することにより、ＭＲ素子ブロック
２の研磨加工の度合いを左右両端でほぼ均等にさせるこ
とができる。

【００７１】さらに制御部は、研磨加工中にＭＲ素子ブ
ロック２の左右両端における研磨加工の度合いがほぼ均
等になっても、当該左右両端に対して中央の研磨加工の
度合いが大きい又は小さい場合には、保持ユニット３の
中央を上方向又は下方向に撓ませるようにしてラフベン
ド制御を実行することにより、ＭＲ素子ブロック２の研
磨加工の度合いを左右両端のみならず中央をもほぼ均等
にさせることができる。

【００７２】この後、制御部は、ＭＲ素子ブロック２の
中央に位置する抵抗素子１Ｂ₁₅の抵抗値Ｍについて、目
標値近辺での抵抗値の変化を予測しておき、当該目標値
に達する直前のタイミングで制御を停止するようにして
ファインベンド制御を実行するようにしたことにより、
いわゆるオーバーランをするのを未然に防止して、ＭＲ
素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀を過剰に削り過ぎるのを回避でき
る。

【００７３】続いて制御部は、ＭＲ素子ブロック２の左
右両端及び中央に位置する３箇所の抵抗素子１Ｂ₁、１
Ｂ₃₀及び１Ｂ₁₅に抵抗値Ｌ、Ｒ及びＭの抵抗値をそれぞ
れ維持するように通常バランス制御及びファインベンド
制御を実行した後、ラップ盤１３の回転に応じて生じる
内外周での研磨量の差を考慮しながら左右オフセット加
工を行うことにより、制御完了時点であってもＭＲ素子
ブロック２の左右端にバラツキが生じないように研磨加
工することができる。

【００７４】かくしてヘッド研磨装置１０では、ラップ
盤装置１１において所定速度で回転しているラップ盤１
３に対して、保持ユニット３に保持されているＭＲ素子
ブロック２を接触させながら当該ＭＲ素子ブロック２の
各ＭＲ素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀を研磨したときに、比較的早
くＭＲ素子ブロック２の各ＭＲ素子１Ａ₁〜１Ａ₃₀のデ
プス寸法を均一にすることができる。

【００７５】以上の構成によれば、このヘッド研磨装置
１０では、通常バランス制御の前段において、研磨開始
後直ぐにＭＲ素子ブロック２の左右両端のデプス寸法の
差に応じて加圧バランスを変化させることによって当該
左右両端のデプス寸法を揃えるための比例バランス制御
を実行すると共に、ラフベンド制御の後段において、Ｍ
Ｒ素子ブロック２の中央に位置する抵抗素子１Ｂ₁₅の抵
抗値Ｍの目標値近辺における変化を予測しておき、当該
目標値に達する直前のタイミングで制御を停止させるた
めのファインベンド制御を実行するようにしたことによ
り、従来のように通常バランス制御及びラフベンド制御
のみを実行する場合と比べて、ＭＲ素子ブロック２の左
右両端のデプス寸法の差が大きい場合でも後段のラフベ
ンド制御が遅れるのを防止し得ると共に、当該ラフベン
ド制御の実行時にＭＲ素子ブロック２の左右端及び中央
のデプス寸法が目標値に近づいたときでも、いわゆるオ
ーバーランをするのを未然に防止して、各ＭＲ素子を過
剰に研磨し過ぎるのを回避でき、かくして各ＭＲ素子を
より一層効率良く高い精度で均一に研磨することができ
る。

【００７６】（５）他の実施の形態なお上述の実施の形態においては、各ＭＲ素子（ヘッド
素子）１Ａ₁〜１Ａ₃₀に対応してそれぞれ抵抗素子１Ｂ
₁〜１Ｂ₃₀を、ＭＲ素子ブロック２における同一面上に
所定パターンで配置しておき、当該各ＭＲ素子１Ａ₁〜
１Ａ₃₀をそれぞれ対応する抵抗素子１Ｂ₁〜１Ｂ₃₀と共
に回転するラップ盤１３に接触させながら一括して研磨
するようにした場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、ヘッド素子の厚み（デプス寸法）が研磨状態に
応じて計測できるものであれば、この他種々の構成のヘ
ッド素子に広く適用することができる。また本実施の形
態ではヘッド素子の数を30個としたが研磨可能範囲であ
れば、数は何個であっても良い。

【００７７】また上述の実施の形態においては、制御部
（制御手段）は、研磨開始後、保持ユニット（保持手
段）３の一端及び他端に位置する各ヘッド素子１Ａ₁及
び１Ａ₃₀の厚みの差が所定値以上であるか否かを判断
し、肯定結果が得られたときには、厚みが大きい方のヘ
ッド素子１Ａ₁又は１Ａ₃₀に対応する保持ユニット（保
持手段）３の一端又は他端に対する加圧量を増加させる
と共に、厚みが小さい方のヘッド素子１Ａ₃₀又は１Ａ₁
に対応する保持ユニット（保持手段）３の他端又は一端
に対する加圧量を減少させるようにアクチュエータ（加
圧手段）１７Ａ₁又は１７Ａ₃を制御する一方、否定結
果が得られたときには、厚みが小さい方のヘッド素子１
Ａ₃₀又は１Ａ₁に対応する保持ユニット（保持手段）３
の一端又は他端に対する加圧を停止するようにアクチュ
エータ（加圧手段）１７Ａ₁又は１７Ａ₃を制御するよ
うにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、要は、研磨開始後直ぐに保持ユニット（保持手段）
３の一端及び他端に位置する各ヘッド素子１Ａ₁及び１
Ａ₃₀の研磨加工の度合いをほぼ均等にさせることができ
れば、この他種々の構成のものを適用するようにしても
良い。

【００７８】さらに上述の実施の形態においては、制御
部（制御手段）は、研磨開始後、保持ユニット（保持手
段）３の中央に位置するヘッド素子１Ａ₁₅の厚みが所望
の目標値に近い所定値以下であるか否かを判断し、否定
結果が得られたときには、保持ユニット（保持手段）３
の中央に位置するヘッド素子１Ａ₁₅の厚みが当該保持ユ
ニット（保持手段）３の一端及び他端に位置する各ヘッ
ド素子１Ａ₁及び１Ａ₃₀の厚みと等しくなるようにアク
チュエータ（加圧手段）１７Ａ₁及び１７Ａ₃を制御す
る一方、肯定結果が得られたときには、保持ユニット
（保持手段）３の中央に位置するヘッド素子１Ａ₁₅の厚
みが目標値に達する直前のタイミングで保持ユニット
（保持手段）３の中央に対する加圧を停止するようにア
クチュエータ（加圧手段）１７Ａ₂を制御するようにし
た場合について述べたが、本発明はこれに限らず、要
は、いわゆるオーバーランをするのを未然に防止してヘ
ッド素子を過剰に削り過ぎるのを回避することができれ
ば、この他種々の構成のものを適用するようにしても良
い。

【００７９】さらに上述の実施の形態においては、保持
ユニット（保持手段）３の一端及び他端に位置する各ヘ
ッド素子１Ａ₁及び１Ａ₃₀の厚みの初期値を検出してお
き、研磨開始直後、いずれか一方のヘッド素子１Ａ₁又
は１Ａ₃₀の厚みが所定値だけ減少したときに、他方のヘ
ッド素子１Ａ₃₀又は１Ａ₁がラップ盤１３に所定距離だ
け近づくようにアクチュエータ（加圧手段）１７Ａ₁又
は１７Ａ₃を制御するようにした場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、要は、研磨開始後に保持手
段の一端及び他端に位置する各ヘッド素子１Ａ₁及び１
Ａ₃₀の厚みが異なる場合でも、各ヘッド素子の厚みをほ
ぼ揃えることができれば、この他種々の構成のものを適
用するようにしても良い。

【００８０】さらに上述の実施の形態においては、ラッ
プ盤１３の回転に応じて生じる内外周での研磨量の差を
予め測定しておき、各制御をそれぞれ実行した後であっ
ても、研磨量の差に基づいて、保持ユニット（保持手
段）３の一端及び他端に位置する各ヘッド素子１Ａ₁及
び１Ａ₃₀の厚みの差をなくすようにアクチュエータ（加
圧手段）１７Ａ₁及び１７Ａ₃を制御するようにした場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、要は、ラ
ップ盤１３の回転に応じて生じる内外周での研磨量の差
を考慮しながら研磨加工を行うことができれば、この他
種々の構成のものを適用するようにしても良い。

【００８１】さらに上述の実施の形態においては、本発
明によるヘッド研磨装置１０を、ハードディスク装置に
搭載される磁気ヘッドの製造に用いるようにした場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、ヘッド素子を
研磨する種々のヘッド研磨装置に広く適用することがで
きる。またヘッド素子としては、ＭＲ素子１Ａ₁〜１Ａ
₃₀のみならず、ＧＭＲ（Giant Magnetoresistive Effec
t ）素子などにも広く適用することができる。

【００８２】

【発明の効果】上述のように本発明によれば、同一面上
に所定パターンで配置された複数のヘッド素子を、回転
するラップ盤に接触させながら一括して研磨するヘッド
研磨装置において、各ヘッド素子を所定パターンのまま
保持する保持手段と、保持手段の一端及び他端をそれぞ
れラップ盤に近接する方向に加圧する加圧手段と、加圧
手段における保持手段の一端及び他端に対する加圧量を
それぞれ制御する制御手段とを設け、研磨開始後に保持
手段の一端及び他端に位置する各ヘッド素子の厚みが異
なる場合でも、当該厚みの差に応じて保持手段の一端又
は他端への加圧量に差を設けて加圧手段を制御するよう
にしたことにより、研磨開始後直ぐに保持手段の一端及
び他端に位置する各ヘッド素子の厚みをほぼ揃えること
ができ、さらにその際、研磨加工中に保持手段の一端及
び他端に位置する各ヘッド素子における研磨加工のバラ
ンスが所定の度合い以上に崩れた場合でも、厚みが小さ
い方のヘッド素子に対応する保持手段の一端又は他端に
対する加圧を停止するように制御することにより、各ヘ
ッド素子の研磨加工の度合いを一端及び他端でほぼ均等
にさせることができ、かくして各ヘッド素子をより一層
効率良く高い精度で均一に研磨し得るヘッド研磨装置を
実現できる。

【００８３】また本発明によれば、同一面上に所定パタ
ーンで配置された複数のヘッド素子を、回転するラップ
盤に接触させながら一括して研磨するヘッド研磨装置に
おいて、各ヘッド素子を所定パターンのまま保持する保
持手段と、保持手段の一端及び他端をそれぞれラップ盤
に近接する方向に加圧すると共に、保持手段の中央をラ
ップ盤から離反する方向に加圧する加圧手段と、加圧手
段における保持手段の一端、他端及び中央に対する加圧
量をそれぞれ制御する制御手段とを設け、研磨加工中に
保持手段の一端及び他端に位置する各ヘッド素子におけ
る研磨加工の度合いがほぼ均等になっても、当該一端及
び他端に対して中央の研磨加工の度合いが大きい又は小
さい場合には、保持手段の中央をラップ盤に対して近接
又は離反する方向に撓ませるようにして制御することに
より、各ヘッド素子の研磨加工の度合いを一端及び他端
のみならず中央をもほぼ均等にさせることができ、さら
にこの後、保持手段の中央に位置するヘッド素子の厚み
が目標値に達する直前のタイミングで保持手段の中央に
対する加圧を停止するように制御することにより、いわ
ゆるオーバーランをするのを未然に防止してヘッド素子
を過剰に削り過ぎるのを回避でき、かくして各ヘッド素
子をより一層効率良く高い精度で均一に研磨し得るヘッ
ド研磨装置を実現できる。

【００８４】さらに本発明によれば、同一面上に所定パ
ターンで配置された複数のヘッド素子を、回転するラッ
プ盤に接触させながら一括して研磨するヘッド研磨方法
において、各ヘッド素子を所定パターンのまま保持手段
に保持しておき、研磨開始後、保持手段の一端及び他端
に位置する各ヘッド素子の厚みの差が所定値以上である
か否かを判断した後、肯定結果が得られたときには、厚
みが大きい方のヘッド素子に対応する保持手段の一端又
は他端に対するラップ盤に近接する方向への加圧量を増
加させると共に、厚みが小さい方のヘッド素子に対応す
る保持手段の他端又は一端に対する当該方向への加圧量
を減少させるように制御する一方、否定結果が得られた
ときには、厚みが小さい方のヘッド素子に対応する保持
手段の一端又は他端に対する当該方向への加圧を停止す
るように制御することにより、研磨開始後直ぐに保持手
段の一端及び他端に位置する各ヘッド素子の厚みをほぼ
揃えることができ、さらにその際、研磨加工中に保持手
段の一端及び他端に位置する各ヘッド素子における研磨
加工のバランスが所定の度合い以上に崩れた場合でも、
厚みが小さい方のヘッド素子に対応する保持手段の一端
又は他端に対する加圧を停止するように制御することに
より、各ヘッド素子の研磨加工の度合いを一端及び他端
でほぼ均等にさせることができ、かくして各ヘッド素子
をより一層効率良く高い精度で均一に研磨し得るヘッド
研磨方法を実現できる。

【００８５】さらに本発明によれば、同一面上に所定パ
ターンで配置された複数のヘッド素子を、回転するラッ
プ盤に接触させながら一括して研磨するヘッド研磨方法
において、各ヘッド素子を所定パターンのまま保持手段
に保持しておき、研磨開始後、保持手段の中央に位置す
るヘッド素子の厚みが所望の目標値に近い所定値以下で
あるか否かを判断した後、否定結果が得られたときに
は、保持手段の中央に位置するヘッド素子の厚みが当該
保持手段の一端及び他端に位置する各ヘッド素子の厚み
と等しくなるようにラップ盤から離反する方向への加圧
量を制御する一方、肯定結果が得られたときには、保持
手段の中央に位置するヘッド素子の厚みが目標値に達す
る直前のタイミングで保持手段の中央に対する当該方向
への加圧を停止するように制御することにより、各ヘッ
ド素子の研磨加工の度合いを一端及び他端のみならず中
央をもほぼ均等にさせることができ、さらにこの後、保
持手段の中央に位置するヘッド素子の厚みが目標値に達
する直前のタイミングで保持手段の中央に対する加圧を
停止するように制御することにより、いわゆるオーバー
ランをするのを未然に防止してヘッド素子を過剰に削り
過ぎるのを回避でき、かくして各ヘッド素子をより一層
効率良く高い精度で均一に研磨し得るヘッド研磨方法を
実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態によるヘッド研磨装置の全体構成
を示す略線図である。

【図２】図１に示すアーム型加圧機の構成を示す略線的
な上面図及び側面図である。

【図３】研磨加工処理手順の説明に供するフローチャー
トである。

【図４】抵抗値とデプス寸法との関係の説明に供するグ
ラフである。

【図５】研磨加工処理による推移状態の説明に供するグ
ラフである。

【図６】研磨加工処理による推移状態の説明に供するグ
ラフである。

【図７】従来のＭＲ素子ブロックの構造を示す略線図で
ある。

【図８】従来の保持ユニットの構成を示す略線図であ
る。

【図９】従来のヘッド研磨装置の構成を示す略線図であ
る。

【符号の説明】

１Ａ₁〜１Ａ₃₀……ＭＲ素子、１Ｂ₁〜１Ｂ₃₀……抵抗
素子、２……ＭＲ素子ブロック、３……保持ユニット、
３Ｈ……間隙穴、３Ｓ……シャフト、５、１０……ヘッ
ド研磨装置、６、１３……ラップ盤、１１……ラップ盤
装置、１２Ａ、１２Ｂ……アーム型加圧機、１４Ａ、１
４Ｂ……基台、１５Ａ、１５Ｂ……保持用アーム、１６
Ａ、１６Ｂ……ユニット駆動部、１７Ａ₁〜１７Ａ₃…
…アクチュエータ、１８Ａ₁〜１８Ａ₃……伝達機構
部、１９Ａ₁〜１９Ａ₃……押圧治具、ＲＴ１……研磨
加工処理手順。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】同一面上に所定パターンで配置された複数
のヘッド素子を、回転するラップ盤に接触させながら一
括して研磨するヘッド研磨装置において、各上記ヘッド素子を上記所定パターンのまま保持する保
持手段と、上記保持手段の一端及び他端をそれぞれ上記ラップ盤に
近接する方向に加圧する加圧手段と、上記加圧手段における上記保持手段の一端及び他端に対
する加圧量をそれぞれ制御する制御手段とを具え、上記制御手段は、上記研磨開始後、上記保持手
段の一端及び他端に位置する各上記ヘッド素子の厚みの
差が所定値以上であるか否かを判断し、肯定結果が得ら
れたときには、上記厚みが大きい方の上記ヘッド素子に
対応する上記保持手段の一端又は他端に対する加圧量を
増加させると共に、上記厚みが小さい方の上記ヘッド素
子に対応する上記保持手段の他端又は一端に対する加圧
量を減少させるように上記加圧手段を制御する一方、否
定結果が得られたときには、上記厚みが小さい方の上記
ヘッド素子に対応する上記保持手段の一端又は他端に対
する加圧を停止するように上記加圧手段を制御すること
を特徴とするヘッド研磨装置。
【請求項２】各上記ヘッド素子に対応してそれぞれ抵抗
素子を、上記同一面上に所定パターンで配置しておき、
当該各ヘッド素子をそれぞれ対応する上記抵抗素子と共
に回転する上記ラップ盤に接触させながら一括して研磨
するようにしておき、上記制御手段は、上記保持手段の一端及び他端に位置する各上記ヘッド素
子の厚みを、それぞれ対応する上記抵抗素子の抵抗値に
基づいて測定することを特徴とする請求項１に記載のヘ
ッド研磨装置。
【請求項３】同一面上に所定パターンで配置された複数
のヘッド素子を、回転するラップ盤に接触させながら一
括して研磨するヘッド研磨装置において、各上記ヘッド素子を上記所定パターンのまま保持する保
持手段と、上記保持手段の一端及び他端をそれぞれ上記ラップ盤に
近接する方向に加圧すると共に、上記保持手段の中央を
上記ラップ盤から離反する方向に加圧する加圧手段と、上記加圧手段における上記保持手段の一端、他端及び中
央に対する加圧量をそれぞれ制御する制御手段とを具
え、上記制御手段は、上記研磨開始後、上記保持手段の中央
に位置する上記ヘッド素子の厚みが所望の目標値に近い
所定値以下であるか否かを判断し、否定結果が得られた
ときには、上記保持手段の中央に位置する上記ヘッド素
子の厚みが当該保持手段の一端及び他端に位置する各上
記ヘッド素子の厚みと等しくなるように上記加圧手段を
制御する一方、肯定結果が得られたときには、上記保持
手段の中央に位置する上記ヘッド素子の厚みが上記目標
値に達する直前のタイミングで上記保持手段の中央に対
する加圧を停止するように上記加圧手段を制御すること
を特徴とするヘッド研磨装置。
【請求項４】各上記ヘッド素子に対応してそれぞれ抵抗
素子を、上記同一面上に所定パターンで配置しておき、
当該各ヘッド素子をそれぞれ対応する上記抵抗素子と共
に回転する上記ラップ盤に接触させながら一括して研磨
するようにしておき、上記制御手段は、上記保持手段の一端、他端及び中央に位置する各上記ヘ
ッド素子の厚みを、それぞれ対応する上記抵抗素子の抵
抗値に基づいて測定することを特徴とする請求項３に記
載のヘッド研磨装置。
【請求項５】上記制御手段は、上記判断結果に応じた制御を行う同時に又は行った後、
上記保持手段の中央に位置する上記ヘッド素子の厚みが
所望の目標値に近い所定値以下であるか否かを判断し、
否定結果が得られたときには、上記保持手段の中央に位
置する上記ヘッド素子の厚みが当該保持手段の一端及び
他端に位置する各上記ヘッド素子の厚みと等しくなるよ
うに上記加圧手段を制御する一方、肯定結果が得られた
ときには、上記保持手段の中央に位置する上記ヘッド素
子の厚みが上記目標値に達する直前のタイミングで上記
保持手段の中央に対する加圧を停止するように上記加圧
手段を制御することを特徴とする請求項１に記載のヘッ
ド研磨装置。
【請求項６】各上記ヘッド素子に対応してそれぞれ抵抗
素子を、上記同一面上に所定パターンで配置しておき、
当該各ヘッド素子をそれぞれ対応する上記抵抗素子と共
に回転する上記ラップ盤に接触させながら一括して研磨
するようにしておき、上記制御手段は、上記保持手段の一端、他端及び中央に位置する各上記ヘ
ッド素子の厚みを、それぞれ対応する上記抵抗素子の抵
抗値に基づいて測定することを特徴とする請求項５に記
載のヘッド研磨装置。
【請求項７】上記制御手段は、上記保持手段の一端及び他端に位置する各上記ヘッド素
子の厚みの初期値を検出しておき、上記研磨開始直後、
いずれか一方の上記ヘッド素子の厚みが所定値だけ減少
したときに、他方の上記ヘッド素子が上記ラップ盤に所
定距離だけ近づくように上記加圧手段を制御することを
特徴とする請求項１に記載のヘッド研磨装置。
【請求項８】各上記ヘッド素子に対応してそれぞれ抵抗
素子を、上記同一面上に所定パターンで配置しておき、
当該各ヘッド素子をそれぞれ対応する上記抵抗素子と共
に回転する上記ラップ盤に接触させながら一括して研磨
するようにしておき、上記制御手段は、上記保持手段の一端及び他端に位置する各上記ヘッド素
子の厚みを、それぞれ対応する上記抵抗素子の抵抗値に
基づいて測定することを特徴とする請求項７に記載のヘ
ッド研磨装置。
【請求項９】上記ラップ盤の回転に応じて生じる内外周
での研磨量の差を予め測定しておき、上記制御手段は、各上記制御をそれぞれ実行した後であっても、上記研磨
量の差に基づいて、上記保持手段の一端及び他端に位置
する各上記ヘッド素子の厚みの差をなくすように上記加
圧手段を制御することを特徴とする請求項３に記載のヘ
ッド研磨装置。
【請求項１０】各上記ヘッド素子に対応してそれぞれ抵
抗素子を、上記同一面上に所定パターンで配置してお
き、当該各ヘッド素子をそれぞれ対応する上記抵抗素子
と共に回転する上記ラップ盤に接触させながら一括して
研磨するようにしておき、上記制御手段は、上記保持手段の一端、他端及び中央に位置する各上記ヘ
ッド素子の厚みを、それぞれ対応する上記抵抗素子の抵
抗値に基づいて測定することを特徴とする請求項９に記
載のヘッド研磨装置。
【請求項１１】同一面上に所定パターンで配置された複
数のヘッド素子を、回転するラップ盤に接触させながら
一括して研磨するヘッド研磨方法において、各上記ヘッド素子を上記所定パターンのまま保持手段に
保持しておき、上記研磨開始後、上記保持手段の一端及
び他端に位置する各上記ヘッド素子の厚みの差が所定値
以上であるか否かを判断する第１のステップと、肯定結果が得られたときには、上記厚みが大きい方の上
記ヘッド素子に対応する上記保持手段の一端又は他端に
対する上記ラップ盤に近接する方向への加圧量を増加さ
せると共に、上記厚みが小さい方の上記ヘッド素子に対
応する上記保持手段の他端又は一端に対する当該方向へ
の加圧量を減少させるように制御する一方、否定結果が
得られたときには、上記厚みが小さい方の上記ヘッド素
子に対応する上記保持手段の一端又は他端に対する当該
方向への加圧を停止するように制御する第２のステップ
とを具えることを特徴とするヘッド研磨方法。
【請求項１２】各上記ヘッド素子に対応してそれぞれ抵
抗素子を、上記同一面上に所定パターンで配置してお
き、当該各ヘッド素子をそれぞれ対応する上記抵抗素子
と共に回転する上記ラップ盤に接触させながら一括して
研磨するようにしておき、上記第１及び第２のステップでは、上記保持手段の一端及び他端に位置する各上記ヘッド素
子の厚みを、それぞれ対応する上記抵抗素子の抵抗値に
基づいて測定することを特徴とする請求項１１に記載の
ヘッド研磨方法。
【請求項１３】同一面上に所定パターンで配置された複
数のヘッド素子を、回転するラップ盤に接触させながら
一括して研磨するヘッド研磨方法において、各上記ヘッド素子を上記所定パターンのまま保持手段に
保持しておき、上記研磨開始後、上記保持手段の中央に
位置する上記ヘッド素子の厚みが所望の目標値に近い所
定値以下であるか否かを判断する第１のステップと、否定結果が得られたときには、上記保持手段の中央に位
置する上記ヘッド素子の厚みが当該保持手段の一端及び
他端に位置する各上記ヘッド素子の厚みと等しくなるよ
うに上記ラップ盤から離反する方向への加圧量を制御す
る一方、肯定結果が得られたときには、上記保持手段の
中央に位置する上記ヘッド素子の厚みが上記目標値に達
する直前のタイミングで上記保持手段の中央に対する当
該方向への加圧を停止するように制御する第２のステッ
プとを具えることを特徴とするヘッド研磨方法。
【請求項１４】各上記ヘッド素子に対応してそれぞれ抵
抗素子を、上記同一面上に所定パターンで配置してお
き、当該各ヘッド素子をそれぞれ対応する上記抵抗素子
と共に回転する上記ラップ盤に接触させながら一括して
研磨するようにしておき、上記第１及び第２のステップでは、上記保持手段の一端、他端及び中央に位置する各上記ヘ
ッド素子の厚みを、それぞれ対応する上記抵抗素子の抵
抗値に基づいて測定することを特徴とする請求項１３に
記載のヘッド研磨方法。
【請求項１５】上記判断結果に応じた制御を行う同時に
又は行った後、上記保持手段の中央に位置する上記ヘッ
ド素子の厚みが所望の目標値に近い所定値以下であるか
否かを判断する第３のステップと、否定結果が得られたときには、上記保持手段の中央に位
置する上記ヘッド素子の厚みが当該保持手段の一端及び
他端に位置する各上記ヘッド素子の厚みと等しくなるよ
うに上記ラップ盤から離反する方向への加圧量を制御す
る一方、肯定結果が得られたときには、上記保持手段の
中央に位置する上記ヘッド素子の厚みが上記目標値に達
する直前のタイミングで上記保持手段の中央に対する当
該方向への加圧を停止するように制御する第４のステッ
プとを具えることを特徴とする請求項１１に記載のヘッ
ド研磨方法。
【請求項１６】各上記ヘッド素子に対応してそれぞれ抵
抗素子を、上記同一面上に所定パターンで配置してお
き、当該各ヘッド素子をそれぞれ対応する上記抵抗素子
と共に回転する上記ラップ盤に接触させながら一括して
研磨するようにしておき、上記第１、第２、第３及び第４のステップでは、上記保持手段の一端、他端及び中央に位置する各上記ヘ
ッド素子の厚みを、それぞれ対応する上記抵抗素子の抵
抗値に基づいて測定することを特徴とする請求項１５に
記載のヘッド研磨方法。
【請求項１７】上記第１のステップでは、上記保持手段の一端及び他端に位置する各上記ヘッド素
子の厚みの初期値を検出しておき、上記研磨開始直後、
いずれか一方の上記ヘッド素子の厚みが所定値だけ減少
したときに、他方の上記ヘッド素子が上記ラップ盤に所
定距離だけ近づくように加圧量を制御することを特徴と
する請求項１１に記載のヘッド研磨方法。
【請求項１８】各上記ヘッド素子に対応してそれぞれ抵
抗素子を、上記同一面上に所定パターンで配置してお
き、当該各ヘッド素子をそれぞれ対応する上記抵抗素子
と共に回転する上記ラップ盤に接触させながら一括して
研磨するようにしておき、上記第１及び第２のステップでは、上記保持手段の一端及び他端に位置する各上記ヘッド素
子の厚みを、それぞれ対応する上記抵抗素子の抵抗値に
基づいて測定することを特徴とする請求項１１に記載の
ヘッド研磨方法。
【請求項１９】上記ラップ盤の回転に応じて生じる内外
周での研磨量の差を予め測定しておき、各上記制御をそ
れぞれ実行した後であっても、上記研磨量の差に基づい
て、上記保持手段の一端及び他端に位置する各上記ヘッ
ド素子の厚みの差をなくすように加圧量を制御する第３
のステップを具えることを特徴とする請求項１３に記載
のヘッド研磨方法。
【請求項２０】各上記ヘッド素子に対応してそれぞれ抵
抗素子を、上記同一面上に所定パターンで配置してお
き、当該各ヘッド素子をそれぞれ対応する上記抵抗素子
と共に回転する上記ラップ盤に接触させながら一括して
研磨するようにしておき、上記第１、第２及び第３のステップでは、上記保持手段の一端、他端及び中央に位置する各上記ヘ
ッド素子の厚みを、それぞれ対応する上記抵抗素子の抵
抗値に基づいて測定することを特徴とする請求項１９に
記載のヘッド研磨方法。