JPH0453672A

JPH0453672A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造装置

Info

Publication number: JPH0453672A
Application number: JP2161075A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Kasai; 葛西　隆之; Makoto Hasegawa; 真長谷川
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1990-06-19
Filing date: 1990-06-19
Publication date: 1992-02-21
Anticipated expiration: 2014-02-24
Also published as: JP2861291B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、ハードディスク等に対して情報の書込み或い
は読出しを行うのに好適な薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関し、さらには薄膜磁気ヘッドの製造装置に関する。

（発明の概要〕本発明は、複数の薄膜磁気ヘッド素子が形成されたヘッ
ドブロックを研磨して当該薄膜磁気ヘッド素子のデプス
出しを行うに際し、研磨量に応して抵抗値が変化する抵
抗センサーをヘッドブロッりに複数設け、これら抵抗セ
ンサーの抵抗値の分布に応じて該へッドプロソクに加え
る荷重を制御しながら研磨することにより、薄膜磁気ヘ
ッド素子の研磨状態をリアルタイムに測定可能となすと
ともに、各薄膜磁気ヘッドのデプスを均一なものとしよ
うとするものである。

さらに本発明は、複数の薄膜磁気ヘッド素子及び研磨量
に応じて抵抗値が変化する複数の抵抗センサーが形成さ
れてなるヘッドブロックを研磨して当該薄膜磁気ヘッド
素子のデプス出しを行う薄膜磁気ヘッドの製造装置にお
いて、プレートに回動自在に取付けられた押圧部の両端
部をそれぞれ加圧する加圧機構と、押圧部に設けられる
支持部に設けた加圧力調ｍ＊構とを上記抵抗センサーの
抵抗値の分布に応して制御することにより、加工精度の
向上を図るとともに、短時間でデプス加工を終了可能と
するものである。

〔従来の技術〕

従来、薄膜磁気ヘッドのデプス出しを行うには、例えば
第１２図及び第１３図に示すように、複数の薄膜磁気ヘ
ッド素子（図示は省略する。）が形成されたヘッドブロ
ック（５１）をダイヤモンドスラリーが供給されたラッ
プｉｋ　（５２）のラップ面（５２ａ）上に押し当て、
これらヘッドブロック（５１）及びラップ盤（５２）を
回転させながら、当該ヘッドブロック（５１）を揺動さ
せて研磨するようにしたラップ装置が使用されている。

このラップ装置は、回転可能とされた円盤状のラップ盤
（５２）と、前記へンドブロソク（５１）をラップ盤（
５２）のラップ面（５２ａ）上に押し当てて揺動させる
アーム（５３）を有してなっている。

上記ラップ盤（５２）は、ラップ面（５２ａ）が極めて
平滑な面とされた円盤状の盤で、例えば第１２図中矢印
方向に回転するようになされている。

一方、アーム（５３）は、先端部に前記ヘッドブロック
（５１）を固定する治具（５４）を有し、該ヘッドブロ
ック（５１）を前記ラップ面（５２ａ）上で左右に揺動
させるようになっている。上記治具（５４）は、第１３
図に示すように円環状とされた修正リング（５５）に取
付けられ、前記アーム（５３）の先端部で第１２図中矢
印方向に回転するようにされている。

上記ラップ装置を用いて薄膜磁気ヘッド素子のデプス出
しを行うには、先ず、前述したヘッドブロック（５１）
をアーム（５３）の先端に設けられる治具（５４）に貼
り付けて固定する。

次に、この治具（５４）に修正リング（５５）をはめ込
み、該修正リング（５５）ごとダイヤモンドスラリーが
供給されたラップ盤（５２）上に載置する。

次いで、これらラップｆｆｉ　（５２）及びヘッドブロ
ック（５１）を回転させながら前記アーム（５３）を左
右に揺動させて研磨を行う。

そして、一定時間研磨した後、前記治具（５４）よりヘ
ッドブロック（５１）を取り外し、各薄膜磁気ヘッド素
子のデプスを測定する。

デプスが所定の値でない場合には、上述の動作を順次繰
り返し、所定のデプスとなるまで研磨を行う。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上述の装置により薄膜磁気ヘッド素子のデプ
スを所定の値とするには、前述のように一定時間の研磨
後、ヘッドブロック（５１）を装置より一旦取り外して
デプスを測定をする作業を複数回に亘り繰り返さなけれ
ばならない、したがって、研磨しながらその時点での薄
膜磁気ヘッド素子のデプスをリアルタイムに測定するこ
とは雛しい。

また、デプスを測定する毎に装置よりヘッドブロック（
５１）を取り外す作業を必要とするため、手間と時間が
相当数かかり、生産性が劣化する。さらには、ラップ盤
（５２）とヘッドブロック（５１）との当たりがその度
に微妙に異なり、研磨量に差がでるという不都合が生ず
る。

また、上述の手法では、研磨量は時間で管理せざるをえ
ないため、微小量の制御が難しく、デプスを精度よく制
御することができない。

さらに、前記ヘッドブロック（５１）に設けられた各薄
膜磁気ヘッド素子のデプスの値がばらついた場合には、
重り（５６）を治具（５４）の上に位置を変えて載せる
ことにより偏摩耗を防止し各薄膜磁気へラド素子のデプ
スを均一なものとするが、この方法では、研磨量の微調
整が行えず、加工精度の点でも不満を残している。

そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、研磨作業を中断することなく研磨加工中
の各薄膜磁気ヘッド素子のデプスの測定がリアルタイム
に行え、しかも各薄膜磁気ヘッド素子のデプスが均一化
できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的
とするものである。

さらに本発明は、研磨量の微調整が行え、加工精度の向
上が図れるとともに、短時間でデプス加工が終了できる
生産性に優れた薄膜磁気ヘッドの製造装置を提供するこ
とを目的とするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明にかかる薄膜磁気ヘッドの製造方法は、複数の薄
膜磁気ヘッド素子が形成されたヘッドブロックを研磨し
て各Ｆｉ［ｌＩＩ磁気ヘッド素子のデプス出しを行うに
際し、前記薄膜磁気ヘッド素子の配列方向に沿って研磨
量に応して抵抗値が変化する抵抗センサーを複数設け、
これら抵抗センサーの抵抗値の分布に応じて前記ヘッド
ブロックに加える荷重を制御することを特徴とするもの
である。

さらに本発明にかかる１膜磁気ヘツドの製造装置は、上
下動自在のプレートと、前記プレートに回動自在に取付
けられた押圧部と、前記押圧部の両端部をそれぞれ加圧
する加圧機構を備えてなり、上記押圧部には、複数の薄
膜磁気ヘッド素子及び研磨量に応じて抵抗値が変化する
複数の抵抗センサーが形成されてなるヘッドフロックに
接して押圧支持する支持部が設けられるとともに、該支
持部の両端位置には加圧力調節機構が設けられ、上記抵
抗センサーの抵抗値の分布に応じて上記加圧機構及び加
圧力調節機構が制御されることを特徴とするものである
。

〔作用〕

本発明の方法においては、複数の１膜磁気ヘツド素子が
形成されたヘッドブロックを研磨して各１Ｗｉ磁気ヘツ
ド素子のデプス出しを行うに際し、研磨量に応じて抵抗
値が変化する抵抗センサーをヘッドブロックに設けてい
るので、研磨加工を中断しなくても上記抵抗センサーの
抵抗値により各薄膜磁気ヘッド素子の研磨状態がリアル
タイムで把握される。

また、本発明の方法においては、前記抵抗センサーの抵
抗値の分布に応じて前記ヘッドブロックに加える荷重を
制御しながら研磨するようにしているので、当該ヘッド
ブロックに設けられる各薄膜磁気ヘッド素子のデプスが
均一に加工される。

また、本発明の装置においては、ヘッドブロックを保持
する支持部の両端位置に加圧力調節機構が設けられ、該
支持部を取付ける押圧部の両端部に加圧機構が設けられ
ており、これら加圧力１ｉ節機構及び加圧機構は前記ヘ
ッドブロックに設けられる抵抗センサーの抵抗値の分布
に応じて制御されるようになっている。

したがって、本装置においては、前記抵抗センサーの抵
抗値の分布に応じて押圧部の両端部にそれぞれ荷重が加
えられ、または加圧力調節機構により押圧部の両端部に
荷重が加えられて、ヘッドフロックに設けられる各１１
１！磁気ヘツド素子のデプスが均一に加工される。

〔実施例〕

以下、本発明を適用した薄膜磁気へ７ドの製造方法及び
薄膜磁気ヘッドの製造装置の具体的な実施例について説
明する。

薄膜磁気ヘッドを製造するには、先ず、第１図に示すよ
うに、セラミックス等よりなるヘンドブロック（１）上
に薄膜磁気ヘッド素子（２）を形成する。

本実施例では、第２図に示すよう、に、同一ブロック（
ｌａ）上に薄膜磁気ヘッド素子（２）がインラインに並
んだいわゆる２チヤンネル型のハードディスク用ヘッド
とするため、一対のｆｉｌｌｌ磁気ヘッド素子（２）を
所定の間隔で製造するヘッドの数に応じて前記ヘッドブ
ロック（１）上に形成する。

上記ＮＷＩＴｍ気ヘッド素子（２）を形成するには、従
来より採用されている真空薄膜形成技術を用いて形成す
る。また、ここで形成する薄膜磁気ヘッド素子（２）と
しては、特に限定されることはな〈従来公知の構造がい
ずれも適用でき、その磁気回路部を構成する下部磁性体
や上部磁性体あるいは導体コイルその他の構成部材も同
様に、従来公知の材料がいずれも採用できる。

また、上記薄膜磁気ヘッド素子（２）を形成する際には
、例えば下部磁性体を形成するための金属磁性薄膜をス
パッタリングすると同時にこれら薄膜磁気ヘッド素子（
２）のデプス出し作業を容易なものとし、しかも高精度
に行うための抵抗センサー（３）を形成する。

上記抵抗センサー（３）は、第３図に示すように、所定
幅を有する抵抗体部（３ａ）と、この抵抗体部（３ａ）
の両端より直交して設けられるリード（３ｂ）　、　（
３ｃ）とからなり、これを前記ヘッドブロック（１）を
切り出して単体ヘッドとする際の各単体ヘッド間の切断
領域に設ける。すなわち、上記抵抗体部（３ａ）の長平
方向の一側縁を前記薄膜磁気ヘッド素子（２）を構成す
る下部磁性体（図示は省略する。）及び上部磁性体（２
ａ）の先端に揃えてトラック幅方向に設ける。そして、
上記抵抗体部（３ａ）の両端部に前記リード部（３ｂ）
　、　（３ｃ）をバック側に延在するように形成する。

上記抵抗体部（３ａ）は、ヘッドブロック（１）と共に
削られるとそれに伴って抵抗値が変化するようになって
おり、いわゆるセンサーとしての働きをする。一方、リ
ード部（３ｂ）　、　（３ｃ）は、上記抵抗体部（３ａ
）での抵抗値を外部に設けた抵抗値測定用機器（図示は
省略する。）に接続するためのリード線としての働きを
する。

特に、本実施例では、上記抵抗体部（３ａ）のデプス方
向の線幅Ｗを前記薄膜磁気ヘッド素子（２）の下部磁性
体及び上部磁性体（２ａ）の先端よりデプス零までの長
さ（以下、これをスロートハイドと呼ぶ、）ｌと同一長
さとする。このようにすれば、予め求めておいた前記抵
抗体部（３ａ）の各研磨段階での線幅とそのときの抵抗
値の相関関係により、前記各薄膜磁気ヘッド素子（２）
のスロートハイドを随時知ることができる。すなわち、
研摩中の抵抗センサー（３）からの抵抗値を読み取るこ
とによって、その時点のスロートハイドが容易に測定で
きる。したがって、研磨作業を中断することなく、各薄
膜磁気ヘッド素子（２）の研磨状態がリアルタイムでわ
かる。

次に、前記ヘッドブロック（１）に設けられた各薄膜磁
気ヘッド素子（２）のデプス出しを行う、デプス出しを
行うには、第４図に示すような装置を用いる。

この装置は、第４図中矢印方向に回転するようになされ
たラップ装置のラップ定盤（４）上に前記ヘッドブロッ
ク（１）を押し当てて当該ヘッドブロック（１）ごと研
摩して前記１１１１！磁気ヘツド素子（２）のデプス出
しを行う装置であり、さらに前記ヘッドブロック（１）
に設けられた各）１ｍ１Ｍ！磁気ヘッド素子（２）の研
磨量のばらつきに応じてこれを補正するような荷重を前
記ヘッドブロック（１）に加えるように構成された装置
である。

上記装置は、主としてラップ定盤（４）のラップ面（４
ａ）に対して直交する方ｌｆｌに上下動自在とされたプ
レート（５）　　と、このプレート（５）に回動自在に
取付けられた押圧部（６）と、該押圧部（６）の両端部
をそれぞれ加圧する加圧機構（７）とから構成されてい
る。

上記プレート（５）は、後述する押圧部（６）を取り付
けるためのもので、装置のベースとなる断面略し字状の
フレーム（９）に対し摺動可能に取付けられている。す
なわち、上記プレート（５）は、前記ラップ面（４ａ）
に対して上下動自在となるように前記フレーム（９）に
摺動部材（１０）　、　（１０）を介して取付けられて
いる。なお、上記フレーム（９）もこのプレート（５）
と同様に、前記ラップ面（４ａ）に対して直交する方向
に上下動自在とされている。さらに、上記フレーム（９
）は、前記ラップ定盤（４）に対して径方向に揺動する
ようになっている。

前記押圧部（６）は、前記ヘッドブロック（１）を前記
ラップ面（４ａ）に押圧支持する支持部（１１）と、こ
の支持部（１１）を回動自在とするサブプレート（１２
）と、該サブプレー）　（１２）に取付けられ上記支持
部（１１）の両端位置にそれぞれ荷重を加える加圧力調
節機構（１３）　、　（１３）とからなっている。

上記支持部（１１）は、前記ラップ面（４ａ）と対向す
る基端部（ｌｌａ）と、該基端部（ｌｌａ）の略中央部
より該ラップ面（４ａ）に対して離間する方向に延在し
て設けられる延在部（ｌｌｂ）とからなり、全体形状が
いわゆるＴ字状とされている。上記基端部（ｌｌａ）は
、前記ヘッドブロック（１）を保持するためのもので、
例えばここにヘッドブロック（１）を粘着テープ等によ
って保持するようになっている。また、上記基端部（Ｉ
ｌａ）は、後述する加圧力調節機構（１３）からの荷重
（圧縮荷重または引っ張り荷重）が加えられたときに、
弾性変形す−るようになっている。

一方、延在部（ｌｌｂ）は、上記支持部（１１）を前記
プレート（５）に設けられたセンターシャフト（１４）
の先端に固定させるためのもので、当該延在部（１１ｂ
）に設けた穿設孔（図示は省略する。）にセンターシャ
ツ）　（１４）を圧入させて該支持部（１１）を固定し
ている。

また、前記サブプレート（１２）は、前述したフレーム
（９）と同様断面略し字状のプレートとして形成され、
前記したプレート（５）と支持部（１１）間に該支持部
（１１）を固定した形で、前記センターシャツ）　（１
４）にベアリング（図示は省略する。）を介して回動自
在に取付けられている。すなわち、上記サブプレート（
１２）は、支持部（１１）と共にセンターシャツ）　（
１４）を中心として図中矢印方向に回動するようになっ
ている。

上記加圧力調節機構（１３）は、上記サブプレート（１
２）の一端側の先端部に直角に折り返して設けられるつ
ば部（１２ａ）と前記支持部（１１）の基端部（ｌｌａ
）に接する形で当該基端部（ｌｌａ）の両端縁近傍にそ
れぞれ設けられている。上記加圧力調節機構（１３）は
、例えば信号に応じて伸縮自在となるピエゾ素子等から
なり、前記支持部（１１）の基端部（ｌｌｂ）の両端部
に圧縮荷重または引っ張り荷重を加えることにより、当
該基端部（ｌｌａ）に保持したヘッドブロック（１）の
前記ラップ面（４ａ）への押し付は力を調整する働きを
する。

すなわち、前記ヘッドブロック（１）に設けられるｌｌ
！磁気ヘッド素子（２）のうち中央部に設けられる薄膜
磁気ヘッド素子（２）が両端に設けられる薄膜磁気ヘッ
ド素子（２）に比べて多く研磨されたときには、基端部
（ｌｌａ）の両端に圧縮荷重が加えられ、両端部に設け
られるＩＢ磁気ヘッド素子（２）が中央部の薄膜磁気ヘ
ッド素子（２）に比べてより強くラップ面（４ａ）に押
し付けられる。逆の場合には、基端部（ｌｌａ）の両端
に引っ張り荷重が加えられ、中央部に設けられるｉＩＩ
膜磁気ヘッド素子（２）が両端部に設けられる薄膜磁気
ヘッド素子（２）に比べてより強くラップ面（４ａ）に
押し付けられる。

なお、上記の動作は、後述する前記ヘッドブロック（１
）に設けられた複数の抵抗センサー（３）からの抵抗値
の分布に応じて制御されるようになっている。

前記加圧機構（７）は、上記押圧部（６）の両端部をそ
れぞれ加圧して前記ヘッドブロック（１）を前述のラッ
プ面（４ａ）に押し付けることにより、当該ヘッドブロ
ック（１）に設けられた各薄膜磁気ヘッド素子（２）の
研磨量の差を均一なものとする役回をする。上記加圧機
構（７）は、例えば、荷重を発生する駆動源となる一対
のパルスモータ（１５）、（１６）と、これらパルスモ
ータ（１５）　、　（１６）からの荷重を加減する一対
の加工用スプリング（１７）、（１８）とから構成され
ている。

上記パルスモータ（１５）　、　（１６）は、駆動軸（
１５ａ）。

（１６ａ）を進退操作させこの進退力で前記押圧部（６
）に荷重を加えるためのもので、前述したフレーム（９
）の一端側の先端部に直角に折り返して設けられるつば
部（９ａ）に取付けられている。すなわち、上記パルス
モータ（１５）　、　（１６）は、前記駆動軸（１５ａ
）　。

（１６ａ）がつば部（９ａ）の板厚方向に貫通して設け
られる取付は孔（図示は省略する。）に臨まされること
で、当該つば部（９ａ）に取付けられるようになってい
る。また、上記パルスモータ（１５）　、　（１６）の
駆動軸（１５ａ）　、　（１６ａ）の先端は、前記フレ
ーム（９）に取付けられた取付は部材（１９）　、　（
２０）を介して前記荷重受は止め部材（２１）　、　（
２２）に当接するようになっている。なお、上記パルス
モータ（１５）　、　（１６）は左右側々に独立して駆
動できるようになっている。

一方、加工用スプリング（１７）　、　（１Ｂ）は、上
記パルスモータ（１５）　、　（１６）からの荷重を加
減し、この加減された荷重をヘッドブロック（１）に加
えるためのもので、前記荷重受は止め部材（２１）　、
　（２２）と前記したサブプレート（１２）のっぽ部（
１２ａ）間であって、該つば部（１２ａ）の両端縁近傍
部に設けられている。したがって、前記パルスモータ（
１５）　、　（１６）の゛駆動軸（１５ａ）　、　（１
６ａ）を進退操作することによる前記荷重受は止め部材
（２１）　、　（２２）に加えられた荷重が該加工用ス
プリング（１７）　、　（１８）を介して加減されて前
記サブプレー）　（１２）に加えられる。なお、上記サ
ブプレー）　（１２）と支持部（１１）とは固定されて
いるので、上記加工用スプリング（ＩＴ）　、　（１Ｂ
）からの荷重は、当該支持部（１１）に保持されたヘッ
ドブロック（１）に直接加えられることになる。

例えば、前記したパルスモータ（１５）、　（１６）か
らの荷重が共に同じであれば、前記ヘッドブロック（１
）に加わる荷重は均一なものとなり、当該ヘッドブロッ
ク（１）は前記ラップ面（４ａ）に対して均一に押し付
けられる。これに対し、どちらか一方のパルスモータ（
１５）、　（１６）からの荷重が大きければ、サブプレ
ート（１２）がセンターシャフト（１４）を中心−とし
て荷重の大きい方向に傾く、シたがって、このサブプレ
ート（］２）に固定されたヘッドブロック（１）も荷重
の大きい方向に傾く。

なお、上記の動作も先の加圧力調節機構（１３）での動
作と同様に、後述する前記ヘッドブロック（１）に設け
られた複数の抵抗センサー（３）からの抵抗値の分布に
応じて制御されるようになっている。

上述のように構成された装置は、前述したヘッドブロッ
ク（１）が支持部（１１）に保持される亡フレーム（９
）がラップ盤（４）側へ下陵する。そして、上記ヘッド
ブロック（１）がラップ面（４ａ）に接触すると、前記
ラップｆｆ１（４）が回転し始め、同時に前記フレーム
（９）が左右に揺動して前記ヘッドブロック（１）の研
磨が行われる。

上述の装置を用いて前記ヘッドブロック（１）に設けら
れた３ｍ磁気ヘッド素子（２）のデプス出しを行うには
、先ず、前述のヘッドブロック（１）を前記した支持部
（１１）の基端部（ｌｌａ）に保持させる。

そして、前記フレーム（９）をラップ盤（４）側へ下降
させ、ヘッドブロック（１）をラップ面（４ａ）に接触
させる。

すると、ラップ盤（４）が回転し始め、これと同時にフ
レーム（９）が揺動して研磨が開始される。

研磨を行うに際しては、ヘッドブロック（１）に設けら
れた各抵抗センサー（３）からのそれぞれの抵抗値を一
定時間毎に測定し、これを第５図（Ａ）に示すようにグ
ラフ化する。すなわち、縦軸に抵抗センサー（３）の抵
抗値をとり、横軸にヘッドブロック（１）に対する各抵
抗センサー（３）の位置をとる０例えば、抵抗センサー
（３）を第５図（Ｂ）に示すように、ヘッドブロック（
１）の左から右に亘って１．２，３，４，５．６と符号
化し、これを第５図（Ａ）の横軸にとる。

このとき、抵抗センサー（３）からの抵抗値は、測定誤
差等の影響を押さえるために、一つの抵抗センサー（３
）毎に数千回測定を繰り返し、最大値及び最小値並びに
不適当な測定値を切り捨て、残りの測定値の加重平均値
を使用し、二ｋ・・・トする。この作業を全ての抵抗セ
ンサー（３）について行い、得られた値から２次回帰曲
線を求める。

そして、この２次回帰曲線から研磨中のスロートハイド
を判断し、この情報に応じて前述した加圧機構（７）と
加圧力調節機構（１３）を制御しながら研磨を行う。

例えば、２次回帰曲線が第６図（Ａ）に示すように、予
め設定した抵抗値のばらつきの許容範囲の＃Ｋに入って
いる場合（これを状態■とする。）ニハ、各薄膜磁気ヘ
ッド素子（２）のスロートハイドが全て均一なものであ
ると判断し、前記押圧部（６）の両端部にそれぞれ加え
る左右の加工用スプリング（１７）　、　（１８）から
の荷重Ｆｍ、Ｆｔを第６図（Ｂ）に示すように均等にし
、研磨を続行する。なお、このときには、加圧力ｉｌ１
節機構（１３）は動作させない。

２次回帰曲線が第７図（Ａ）に示すように、前記予め設
定した抵抗値のばらつきの許容範囲の幅にを外れ右上が
りとなった場合（これを状態■とする。）には、ヘッド
ブロック（１）の右側のスロートハイドが大きい、つま
り研磨量が少ないと判断し、前記押圧部（６）の右側に
加える加工用スプリング（１８）からの荷重Ｆ。を第７
図（Ｂ）に示すように、左側の加工用スプリング（１７
）からの荷重Ｆｔに比べて大きくする。この動作は、フ
レーム（９）に設けられたパルスモータ（１６）を動作
させることにより行う、なお、このときには、加圧力１
ｉＪｔｌｌ構（１３）を動作させない。

この結果、前記ヘッドブロック（１）の右側に設けられ
る薄膜磁気ヘッド素子（２）が左側の薄膜磁気ヘッド素
子（２）に比べて多く研磨される。

逆に、２次回帰曲線が第８図（Ａ）に示すように、左上
がりとなった場合（これを状態■とする。）には、ヘッ
ドブロック（１）の左側のスロートハイドが大きい、つ
まり研磨量が少ないと判断し、前記押圧部（６）の左側
に加える加工用スプリング（１７）からの荷重Ｆ、を第
８図（Ｂ）に示すように、右側の加工用スプリング（１
８）からの荷重Ｆｍに比べて大きくする。同様に、この
動作は、フレーム（９）に設けられたパルスモータ（１
５）を動作させて行う。

なお、このときには、やはり加圧力調節機構（１３）を
動作させない。

この結果、前記ヘッドブロック（１）の左側に設けられ
る薄膜磁気ヘッド素子（２）が右側に設けられる薄膜磁
気ヘッド素子（２）に比べて多く研磨されることになる
。

また、前記したいずれの場合でもなく、２次回帰曲線が
第９図（Ａ）に示すように、予め設定した抵抗値のばら
つきの許容範囲の幅Ｋに対して、中央部で凹んだ形とな
った場合（これを状態■とする。）には、ヘッドブロッ
ク（１）の両端部でのスロートハイドが大きい、つまり
研磨量が少ないと判断し、左右に設けられるそれぞれの
加圧力調節機構（１３）　、　（１３）を動作させ、当
該支持部（１１）の両端部に均等な荷重（圧縮荷重）Ｐ
ｍ、Ｐｔを加える。

すなわち、第９図（Ｂ）に示すように、左右のピエゾ素
子を同一長さとして伸ばし、前記支持部（１１）の基端
部（ｌｌａ）の両端部に均一な荷重Ｐａ、Ｐｔを加えて
当該基端部（ｌｌａ）を撓ませる。なお、このときの前
記押圧部（６）の両端に加える荷重Ｆｍ＋Ｆ、は、同一
荷重とする。

この結果、前記ヘッドブロック（１）の両端部に設けら
れる薄膜磁気ヘッド素子（２）のみが研磨されることに
なる。

逆に、２次回帰曲線が第１０図（＾）に示すように、中
央部で凸となった場合（これを状態■とする。）には、
ヘッドブロック（１）の中央部でのスロートハイドが大
きい、つまり研磨量が少ないと判断し、左右に設けられ
るそれぞれの加圧力調節機構（１３）　、　（１３）を
動作させ、当該支持部（１１）の両端部に均等な荷重（
引っ張り荷重）ＰＲ，ＰＬを加える。

すなわち、第１０図（Ｂ）に示すように、左右のピエゾ
素子を同一長さに縮め、前記支持部（１１）の基端部（
ｌｌａ）の両端部に均一な引っ張、り荷重ＰＩＩ。

ＰＬを加えて当該基端部（ｌｌａ）を撓ませる。なお、
このときの前記押圧部（６）の両端に加える荷重Ｆｌ＋
ＦＬは、先の場合と同様に同一荷重とする。

この結果、前記ヘッドブロック（１）の中央部に設けら
れるｉｌ膜磁気ヘッド素子（２）のみが研磨されること
になる。

このように、一定時間毎に求めた２次回帰曲線からの情
報を上述した状態■〜■に場合骨けし、これら情報を基
にフィードバックしながら研磨を行い、常に■の状態が
保たれるように研磨を制御して行く。

フィードバックしながら研磨を行う作業は、第１１図に
示すように、研磨スタート（図中線ａで示す、）から予
め目標としたスロートハイド近傍の停止ポイント（図中
線ｐ、で示す、）までとする。

次いで、目標とするスロートハイド近傍の停止ポイント
Ｐ＋　を遇ぎた時点でフィードバックを停止し、押圧部
（６）の両端部に加える荷重を均一とし、且つピエゾ素
子を初期状態、つまり伸縮させない状態にして支持部（
１１）への荷重を零にする。

そして、この状態で一定時間研磨し、目標のスロートハ
イド（線Ｐｚ　と線ｐ３で挾まれる領域）になったとこ
ろで、研磨を終了する。

この最後の動作は、研磨中にヘッドブロック（１）の研
磨面に生ずる研Ｉｌ痕を除去するために行うものである
。

この結果、前記ヘッドブロック（１）に設けれらる各薄
膜磁気ヘッド素子（２）のデプスは、全て均一なものと
なり、その精度も極めて高いものとなる。

実際に、長さ４２．７閣のヘッドブロック（１）に薄膜
磁気ヘッド素子（２）を１４個形成したものを研磨した
場合、これら薄膜磁気ヘッド素子（２）のばらつきは±
０．２５μｍであった。また、このときの歩留りは、デ
プスを０〜１８ｍとした場合、１００％であった。さら
に、研磨面を観察したところ、表面粗度がフィードバッ
クを行わずに研磨した場合と比較して極めて向上してお
り、しかもブロック全体に亘って安定していた。

そして最後に、デプス出しが終了したヘッドブロック（
１）を切断し、前記した第２図に示すハードディスク用
ヘッドを完成する。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明の製造方法に
おいては、複数の薄ｌｌ！磁気−、ンド素子が設けられ
たヘンドブロックに研磨量に応じて抵抗値が変化する抵
抗センサーを設けているので、研磨中に該抵抗センサー
の抵抗値を測定することでその時点の薄膜磁気ヘッド素
子の研磨状態がリアルタイムでわかる。

また、上記抵抗センサーからの抵抗値の分布に応じてヘ
ッドブロックに加える荷重を制御しながら研磨を行うよ
うにしているので、常に各薄膜磁気ヘッド素子が均一に
研磨され、デプスのばらつきが生じない、したがって、
精度の高いデプスを得ることができるとともに、歩留り
も大幅に向上できる。

また、本発明の装置においては、ヘッドブロックを保持
する支持部の両端位置に加圧力調節機構が設けられ、該
支持部を取付ける押圧部の両端部に加圧機構が設けられ
るようになっており、しかもこれら加圧力調節機構及び
加圧機構は前記ヘッドブロックに設けられる抵抗センサ
ーの抵抗値の分布に応じて制御されるようになっている
ため、前記抵抗センサーの抵抗価の分布に応じて押圧部
の両端部にそれぞれ荷重が加えられ、または加圧力調節
機構により押圧部の両端部に荷重が加えられる。

したがって、ヘッドブロックをラップ盤へ均一に押し付
けることができ、当該ヘッドブロックに設けられた各薄
膜磁気ヘッド素子を均一に研磨することができる。

また、研磨加工を途中で中断することなく、研磨終了時
まで連続して研磨加工を行うことができるため、短時間
でデプス加工が行え、生産性の大幅な向上が図れる。

さらに、本発明の装置においては、抵抗センサーさえ持
てば、ヘッドブロックのみならず、あらゆるワークの研
磨を行うことができるとともに、微小量の制御も可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

第１図は薄膜磁気ヘッド素子及び抵抗センサーを形成し
たヘッドブロックを示す斜視図であり、第２図はハード
ディスク用ヘッドを示す斜視図であり、第３図はヘッド
ブロックの要部拡大平面図であり、第４図は本発明を適
用した装置の斜視図である。第５図（Ａ）はヘッドブロックに設けられた各抵抗セン
サーからの抵抗価を当該抵抗センサーの位置に応じてプ
ロットしこれを結んだ２次回帰曲線を示す図であり、第
５図（Ｂ）はヘッドブロックに設けられる抵抗センサー
の位置を示す拡大図である。第６図（１）は２次回帰曲線が予め設定した抵抗値のば
らつきの許容範囲の幅Ｋに入っている状態を示す図であ
り、第６図（Ｂ）はそのときの加圧状態を示す模式図で
ある。第７１ｆｆｌ（Ａ）は２次回帰曲線が右上がりの状態を
示す図であり、第７図（Ｊ３）はそのときの加圧状態を
示す模式図である。第８図（Ａ）は２次回帰曲線が左上がりの状態を示す図
であり、第８図（Ｂ）はそのときの加圧状態を示す模式
図である。第９図（Ａ）は２次回帰曲線の中央部が凹んだ状態を示
す図であり、第９図（Ｂ）はそのときの加圧状態を示す
模式図である。第１０図（Ａ）は２次回帰曲線の中央部が凸となった状
態を示す図であり、第１０図（Ｂ）はそのときの加圧状
態を示す模式図である。第１Ｌ図は研磨スタートから研磨終了までの２次回帰曲
線の経時的変化を示す図である。第１２図は従来のラップ装置の概略的な平面図であり、
第１３図はその拡大断面図である。１３　・・加圧力調節機構特許出願人　　　ソニー株式会社代理人　弁理士　小　池　　　晃（他２名）１・・・ヘ
ッドブロック２・・・薄膜磁気ヘッド素子３・・・抵抗センサー５・・・プレート６・・・押圧部７・・・加圧機構第４＄３図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）複数の薄膜磁気ヘッド素子が形成されたヘッドブ
ロックを研磨して各薄膜磁気ヘッド素子のデプス出しを
行うに際し、前記薄膜磁気ヘッド素子の配列方向に沿って研磨量に応
じて抵抗値が変化する抵抗センサーを複数設け、これら
抵抗センサーの抵抗値の分布に応じて前記ヘッドブロッ
クに加える荷重を制御することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
（２）上下動自在のプレートと、前記プレートに回動自在に取付けられた押圧部と、前記押圧部の両端部をそれぞれ加圧する加圧機構を備え
てなり、上記押圧部には、複数の薄膜磁気ヘッド素子及び研磨量
に応じて抵抗値が変化する複数の抵抗センサーが形成さ
れてなるヘッドブロックに接して押圧支持する支持部が
設けられるとともに、該支持部の両端位置には加圧力調
節機構が設けられ、上記抵抗センサーの抵抗値の分布に
応じて上記加圧機構及び加圧力調節機構が制御されるこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造装置。